CN1784487A - 非水的、非腐蚀性的微电子清洁组合物 - Google Patents

非水的、非腐蚀性的微电子清洁组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN1784487A
CN1784487A CNA2005800000871A CN200580000087A CN1784487A CN 1784487 A CN1784487 A CN 1784487A CN A2005800000871 A CNA2005800000871 A CN A2005800000871A CN 200580000087 A CN200580000087 A CN 200580000087A CN 1784487 A CN1784487 A CN 1784487A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
cleaning compositions
resist
resistates
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800000871A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1784487B (zh
Inventor
稻冈诚二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anwantuo materials limited liability company
Original Assignee
马林克罗特贝克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 马林克罗特贝克公司 filed Critical 马林克罗特贝克公司
Publication of CN1784487A publication Critical patent/CN1784487A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1784487B publication Critical patent/CN1784487B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D7/00—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups
    • B28D7/04—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups for supporting or holding work or conveying or discharging work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
    • C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
    • C23F11/10—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

不含氨基酸的、非水的清洁组合物提供了本发明的后端光致抗蚀剂剥离剂和清洁组合物，其基本上对铜及铝无腐蚀性，并且其包括至少一种极性有机溶剂，至少一种羟基化的有机胺，及至少一种具有多个羟基官能团的腐蚀抑制剂化合物，该腐蚀抑制剂化合物为下式的化合物，式中R1和R2中的至少一个为OH，如果R1和R2中的一个不为OH，它选自H、烷基或烷氧基，m为1或更大的整数，R3和R4选自H、烷基或烷氧基，n为0或更大的正整数，p为1或更大的整数；R5和R6中的至少一个为OH，如果R5和R6中的一个不为OH，它选自H、烷基或烷氧基，q为1或更大的整数；T1和T2选自H、烷基、羟基烷基、多羟基烷基、氨基烷基、羰基烷基或酰胺基，或者T1和T2可被连接形成选自脂环结构或稠环结构的结构，和任意地一种或多种含羟基的共溶剂，抑制腐蚀的芳基化合物，该芳基化合物含有直接与芳环结合的两个或多个OH、OR6和/或SO2R6R7基团，式中R6、R7和R8分别独立地选自烷基和芳基，金属络合剂，不同的抑制金属腐蚀的化合物，及表面活性剂。

Description

非水的、非腐蚀性的微电子清洁组合物
技术领域
本发明涉及一种用于清洁微电子衬底的方法和不含氨基酸的、非水的、基本上无腐蚀性的清洁组合物，具体地，本发明涉及对以铜金属化(coppermetallization)为特征的微电子衬底及以铝金属化为特征的衬底有用并具有改善相容性的清洁组合物。本发明还涉及该清洁组合物用于剥离光致抗蚀剂，及从蚀刻和等离子体过程产生的有机化合物，有机金属化合物和无机化合物中清洁残余物的用途。
背景技术
在微电子领域中，已经建议使用许多光致抗蚀剂剥离剂和残留物去除剂作为生产线下游或后端(back end)的清洁剂。在制造过程中光致抗蚀剂薄膜沉积在晶片衬底上，然后在薄膜上成像电路图案。烘焙后，未聚合的抗蚀剂用光致抗蚀剂展开剂(developer)除去。然后通过反应性等离子体蚀刻气体或化学蚀刻剂溶液将所得到的图像转印至底层材料，该材料通常是电介质或金属。蚀刻气体或化学蚀刻剂溶液选择性蚀刻衬底上未被光致抗蚀剂保护的区域。
另外，在蚀刻步骤终止后，抗蚀剂掩膜(resist mask)必须从晶片的保护区除去，从而可以进行最终的抛光操作(finishing operation)。这可以在等离子体灰化步骤中通过采用合适的等离子体灰化(ashing)气体或湿法化学剥离剂完成。然而，寻找用于除去这种抗蚀剂掩膜材料而对金属电路没有如腐蚀、溶解或钝化等负面影响的合适清洁组合物，已证实是有问题的。
随着微电子制造集成水平提高，和图案化的微电子器件尺寸向原子尺寸减小，当电流流过电路时产生的热已变成了严重的问题。在本领域中利用铜金属化作为导体材料代替铝，已经变得愈加平常，因为铜更有利于减少热产生。这些含铜的微电子材料已经带来了寻找可接受的清洁剂组合物的另外的挑战。利用铜金属化的结构，不能使用以前开发出来的用于“传统的”或“常规的”包含Al/SiO2或Al(Cu)/SiO2结构的半导体器件的许多加工技术组合物。例如，羟胺类剥离剂或残余物去除剂组合物成功地用于清洁具有Al金属化的器件，但实际上不适于清洁具有铜金属化的器件。同样地，用于清洁具有铜金属化的器件的许多剥离剂或残余物去除剂组合物，也不适于Al金属化的器件，除非对组合物进行重大的调整。
在对该铜和铝金属化的微电子结构，特别是对具有铜金属化的衬底的微电子结构等进行离子体蚀刻和/或灰化过程之后，这些蚀刻和/或灰化残余物的去除证明是有问题的。无法完全除去或中和这些残余物，可能导致水分的吸收和不希望的材料的形成，这能够引起对金属结构的腐蚀。不希望的材料腐蚀电路材料，并在电路线路中产生不连续(discontinuances)和不希望增加电阻。
至今，光致抗蚀剂剥离剂经常含有胺，因为它们一般在腐蚀硬化的光致抗蚀剂方面和在从微电子衬底表面上剥去这种硬化的光致抗蚀剂的能力上，表现出较好的清洁性能。然而，胺一般也严重地腐蚀铜，并且如果利用未改良的该常规光致抗蚀剂剥离剂，可以发生严重的金属腐蚀。因此，非常希望提供一种用于微电子工业中与铜相容的光致抗蚀剂剥离剂或清洁剂，特别是用于铜金属化的材料。也非常希望提供一种用于微电子工业中与铜相容的光致抗蚀剂剥离剂或清洁剂，特别是用于铜金属化的材料，其也与铝金属化的材料相容。因为发现了在平板显示器的发展中由铝向铜金属化的技术上的相同转换，所以也希望提供一种可以用于制备这种平板显示器的剥离剂/清洁剂。
发明内容
本发明的后端光致抗蚀剂剥离剂和清洁组合物是由不含氨基酸的、非水的、无腐蚀性的清洁组合物提供的，其基本上对铜及铝无腐蚀性，并包含至少一种极性有机溶剂、至少一种羟基化的有机胺、及至少一种具有多个羟基官能团的腐蚀抑制剂化合物，该化合物为下式的化合物：
T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2式中R1和R2中的至少一个为OH，如果R1和R2中的一个不为OH，则它选自H、烷基或烷氧基，m为1或更大的整数(whole integer)，R3和R4选自H、烷基或烷氧基，n为0或更大的正整数(whole positive integer)，p为1或更大的整数；R5和R6中的至少一个为OH，如果R5和R6中的一个不为OH，则它选自H、烷基或烷氧基，q为1或更大的整数；T1和T2选自H、烷基，羟基烷基，多羟基烷基，氨基烷基，羰基烷基或酰胺基，或者T1和T2可被连接形成选自脂环结构或稠环结构的结构。本发明的组合物还可以包含许多的其它任选组分。本发明的清洁组合物可以用在各种范围的pH和温度的加工/操作条件下，并可以用于有效地除去光致抗蚀剂、后期等离子体蚀刻(post plasma etch)/灰化残余物，牺牲光吸收材料(sacrificial light material)和抗反射涂层(ARC)。此外，发现用本发明的清洁组合物可以容易清洁非常难于清洁的试样，如包含钛(如钛，氧化钛和氮化钛)或钽(如钽，氧化钽和氮化钽)的高度交联的或硬化的光致抗蚀剂和结构。
本发明的不含氨基酸的、非水的、基本上无腐蚀性的微电子剥离剂/清洁剂组合物，一般包含约60～90％的有机极性溶剂组分，约1～20％的有机羟基化的胺组分，和抑制腐蚀量的具有多个羟基官能团的腐蚀抑制剂化合物组分，其为下式的化合物：T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2，一般约0.1～15％的具有多个羟基官能团的腐蚀抑制剂化合物。在本说明书中提供的重量百分比是基于清洁组合物的总重量。
本发明的不含氨基酸的、非水的、基本上无腐蚀性的剥离/清洁组合物还可以任意地包含其它相容的组分，包括但不限于组分如鳌合剂，含羟基的有机共溶剂，稳定剂和金属鳌合剂或络合剂，其它金属腐蚀抑制剂，及表面活性剂。
具体实施方式
本发明的后端光致抗蚀剂剥离剂和清洁组合物是由不含氨基酸的、非水的组合物提供的，该清洁组合物对铜及铝基本上无腐蚀性，并包括一种或多种极性有机溶剂，一种或多种有机羟基化的胺，和一种或多种具有多个羟基官能团的腐蚀抑制剂化合物，其为下式的化合物：
T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2式中R1和R2中的至少一个为OH，如果R1和R2中的一个不为OH，则它选自H、烷基或烷氧基，m为1或更大的整数，R3和R4选自H、烷基或烷氧基，n为0或更大的正整数，p为1或更大的整数；R5和R6中的至少一个为OH，如果R5和R6中的一个不为OH，则它选自H、烷基或烷氧基，q为1或更大的整数；T1和T2选自H、烷基，羟基烷基，多羟基烷基，氨基烷基，羰基烷基或酰胺基，或者T1和T2可被连接形成选自脂环结构或稠环结构的结构。“非水的”是指组合物基本不含水并一般将仅含有作为其它组分中的杂质而存在的水，然后一般不超过组合物的约3％重量。
本发明的清洁组合物可以用在各种范围的pH和温度的加工/操作条件，并可以用于有效地除去光致抗蚀剂，后期等离子体蚀刻/灰化残余物，牺牲光吸收材料和抗反射涂层(ARC)。此外，发现利用本发明的清洁组合物可以容易清洁非常难于清洁的试样，如包含钛(如钛，氧化钛和氮化钛)或钽(如钽，氧化钽和氮化钽)的高度交联的或硬化的光致抗蚀剂和结构。
本发明的不含氨基酸的、非水的、基本上无腐蚀性的微电子剥离剂/清洁剂组合物一般包含约60～90％，优选约75～90％，更优选约80～90％的有机极性溶剂组分；约1～20％，优选约3～12％，更优选约5～10％的有机羟基化的胺组分，及抑制腐蚀量的腐蚀抑制剂组分，一般为约0.1～15％，优选为约1～12％，更优选为约3～10％。本发明提供的重量百分比是基于清洁组合物的总重量。
本发明的组合物可以包含一种或多种任何适宜的有机极性溶剂，优选包括酰胺、砜、亚砜、饱和醇等的有机极性溶剂。该有机极性溶剂包括，但不限于，有机极性溶剂如环丁砜(四氢噻吩-1，1-二氧化物)，3-甲基环丁砜，正丙砜，二甲亚砜(DMSO)，甲砜，正丁砜，3-甲基环丁砜，酰胺如1-(2-羟乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)，二甲基哌啶酮(DMPD)，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，二甲基乙酰胺(DMAc)，及二甲基甲酰胺(DMF)及其混合物。特别优选的有机极性溶剂为N-甲基吡咯烷酮，环丁砜，DMSO和这三种溶剂的两种或多种的混合物。
有机羟基化的胺组分可以是一种或多种任何适宜的羟基化的胺，优选羟胺或链烷醇胺，优选为链烷醇胺。用于本发明组合物中的适宜有机羟基化的胺包括，但不限于羟胺，单乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，具体地2-氨基乙醇，1-氨基-2-丙醇，1-氨基-3-丙醇，2-(2-氨基乙氧基)乙醇，二乙醇胺，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，2-(2-氨基乙基氨基)乙胺等，及其混合物。最优选有机羟基化的胺组分为单乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，及1-氨基-2-丙醇及其混合物。
本发明清洁组合物中的抑制腐蚀化合物为下式的化合物：
T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2式中R1和R2中的至少一个为OH，如果R1和R2中的一个不为OH，则它选自H、烷基或烷氧基，m为1或更大的整数，R3和R4选自H、烷基或烷氧基，n为0或更大的正整数，p为1或更大的整数；R5和R6中的至少一个为OH，如果R5和R6中的一个不为OH，则它选自H、烷基或烷氧基，q为1或更大的整数；T1和T2选自H、烷基，羟基烷基，多羟基烷基，氨基烷基，羰基烷基或酰胺基，或者T1和T2可被连接形成选自脂环结构或稠环结构的结构。优选地，烷基，烷氧基，羟基烷基，多羟基烷基，氨基烷基，羰基烷基和酰胺基具有为约1～6，更优选为约1～4个碳原子。适宜的腐蚀抑制剂的实例包括，但不限于：阿糖醇，赤藓醇，木糖醇，甘露糖醇，山梨糖醇，乙二醇，甘油，1，4-丁二醇，1，2-环戊二醇，1，2-环己二醇，及甲基戊二醇。
本发明的组合物还可以任选地，并且优选包含一种或多种任何适宜的含羟基的有机共溶剂。任何适宜的含羟基的有机共溶剂可以用在本发明的组合物中。该适宜的含羟基的有机共溶剂的实例包括，但不限于，二甘醇单和二烷基醚，公知为卡必醇(2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇)和卡必醇衍生物，及饱和醇如乙醇，丙醇，丁醇，己醇，及六氟代异丙醇，及其混合物。特别优选的共溶剂为2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇(卡必醇)。共溶剂可以存在于本发明的组合物中的量，基于组合物的总重量，为0～约30wt％，优选为约0.1～25wt％，最优选为约0.5～20wt％，基于组合物的重量。
本发明的组合物还可以包含一种或多种任何适宜的其它抑制腐蚀剂，优选包含两种或多种直接与芳环结合的OH、OR6和/或SO2R6R7基团的芳基化合物，式中R6、R7和R8分别独立地为烷基或芳基，优选含有1～6个碳原子的烷基，优选含有6～14个碳原子的芳基。作为该优选的抑制腐蚀剂的实例，可以提到儿茶酚，连苯三酚，没食子酸，间苯二酚等。其它抑制腐蚀剂可以存在的量为0～约15wt％，优选为约0.1～10wt％，最优选为约0.5～5wt％，基于组合物的重量。
不需要有机或无机鳌合剂或者金属络合剂，但是其提供实质的效果，如例如，改进的产品稳定性。一种或多种无机鳌合剂或金属络合剂可以用在本发明的组合物中。适宜的鳌合剂或络合剂的实例包括但不限于反式-1，2-环己二胺四乙酸(CyDTA)，乙二胺四乙酸(EDTA)，锡酸盐，焦磷酸盐，亚烷基-二膦酸衍生物(例如乙烷-1-羟基-1，1-二磷酸盐)，包含乙二胺、二亚乙基三胺或三亚乙基四胺官能部分的膦酸盐[例如乙二胺四(亚甲基膦羧)(EDTMP)，二亚乙基三胺五(亚甲基膦羧)，和三亚乙基四胺六(亚甲基膦羧)]，及其混合物。鳌合剂存在于组合物中的量为0～约5wt％，优选为约0.1～2wt％，基于组合物的重量。各种膦酸盐，如乙二胺四(亚甲基膦羧)(EDTMP)的金属鳌合剂或络合剂对本发明包含氧化剂的清洁组合物提供了在酸性和碱性条件下更加改善的清洁组合物稳定性，因而一般是优选的。
任选的：其它不同的金属腐蚀抑制剂，如苯并三唑，可以使用的量为0～约5wt％，优选为约0.1～2wt％，基于组合物的重量。
清洁组合物任选地还可以包含一种或多种适宜的表面活性剂，如例如二甲基己炔醇(Surfynol-61)，乙氧基化四甲基癸炔二醇(Surfynol-465)，聚四氟乙烯十六烷氧基丙基甜菜碱(cetoxypropylbetaine)(Zonyl FSK)，Zonyl FSH等。表面活性剂一般存在的量为0～约5wt％，优选0.1～约3wt％，基于组合物的重量。
本发明的清洁组合物的实例包括，但不限于，在下面表1和2中提出的组合物。在表1和2中，使用的缩写如下：
NMP＝N-甲基吡咯烷酮(pyrolidinone)
SFL＝环丁砜
DMSO＝二甲亚砜
DEA＝二乙醇胺
MIPA＝单异丙醇胺
XYL＝木糖醇
D-MANN＝D-甘露糖醇
D-SORB＝D-山梨糖醇
EG＝乙二醇
GLY＝甘油
BUT＝1，4-丁二醇
MPD＝甲基戊二醇
CPD＝反式1，2-环戊二醇
                        表1
  组合物/重量份
  组分   1   2   3   4   5
  NMP   60   60   60   60   60
  SFL   15   15   15   15   15
  DMSO   15   15   15   15   15
  DEA   5   5   5   5   5
  MIPA
  XYL   5
  D-MANN   5
  D-SORB   5
  EG   5
  GLY   5
  BUT
  MPD
  CPD
                     表2
  组合物/重量份
  组分   6   7   8   9
  NMP   60   60   60   58
  SFL   15   15   15
  DMSO   15   15   15   29
  DEA   5   5   5   5
  MIPA   8
  XYL
  D-MANN
  D-SORB
  EG
  GLY
  BUT   5
  MPD   5
  CPD   5
利用本发明的含有抑制腐蚀化合物的清洁组合物得到的抗腐蚀结果，在下面的本发明组合物的试验中得到。
为实验准备好一片铜镀敷的硅晶片(大约20×20mm)。该片在缓冲的氧化物腐蚀剂中清洁(其包含35w/w％ NH4F和6w/w％ HF)1分钟，随后在去离子水中冲洗1分钟，并在氮气喷射(nitrogen spray)中干燥。然后将晶片浸入其中装有100g试验溶液的150mL烧杯中，并在60℃下加热溶液，用磁力搅拌器以200rpm的转速搅拌，60分钟后，从试验溶液中取出该片，用去离子水冲洗1分钟，并用氮气喷射干燥。由ResMap(由Creative DesignEngineering，Sunnyvale，CA制造)4-点探测系统测定铜层的厚度(试验前和试验后)。
试验溶液(清洁组合物)为表1和2的发明组合物1～8。所述组合物的蚀刻速率和光致抗蚀剂剥离试验的结果列于表3中。
              表3
  组合物序号   Cu蚀刻速率(/min.)
  1   0
  2   0.4
  3   0.3
  4   0.5
  5   0.6
  6   0.6
  7   0.2
  8   3.0
至于光致抗蚀剂剥离，在相同的温度(60℃)和相同的搅拌速度(200rpm)下使用本发明相同的试验组合物。将一片其上沉积有正性光致抗蚀剂层(positive photoresist layer)(大概1000埃)的玻璃浸入到试验溶液中，以测定光致抗蚀剂被本发明的组合物除去。
本发明的组合物除了基本上对铜金属化的微电子衬底无腐蚀性并能够从该衬底上清洁光致抗蚀剂、等离子体和蚀刻残余物之外，该组合物还能以类似的无腐蚀性方式清洁铝金属化的微电子衬底。
还包含含羟基的有机共溶剂的本发明优选组合物的实例包括，但不限于，列于表4中的示例性的组合物。在表4中，使用的缩写与表1和2中使用的相同，此外，
CAR＝卡必醇，即(2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
                  表4
  组合物/重量份
  组分   10   11   12   13
  NMP   58   29   29   58
  DMSO   29   29
  MIPA   8   8   8   8
  D-SORB   5   5   5   5
  CAR   29   29   58
通过下面的试验说明利用这些组合物10～13抑制铝腐蚀。在第一腐蚀试验中，将具有Mo/Al/Mo三层图案的玻璃衬底浸入到以200rpm搅拌的热(70℃)组合物中5分钟，在衬底上已经将光致抗蚀剂覆盖在金属上，然后用去离子水冲洗1分钟，氮气干燥及利用表面电子显微镜(SEM)评价表面。在第二腐蚀试验中，也将与第一试验相同类型的表面浸入到以200rpm搅拌的热(70℃)组合物中5分钟。然后将这些衬底转移到包括5重量份的组合物和95份蒸馏水的水溶液中5分钟，在室温下不搅拌。然后将衬底用去离子水洗，并利用表面电子显微镜(SEM)评价表面。这一系列试验的目的在于模拟″最坏的条件″其中，在实际的工业化生产过程中，在金属表面上的剥离剂溶液逐渐地由洗涤水替代。认为5％溶液/95％水混合物是最极端的情况。因此，如果该配制物″通过″试验，那么就认为腐蚀保护充分。
在下面的光致抗蚀剂清洁试验中评价这些组合物10～13的清洁能力。利用具有含光致抗蚀剂的金属表面(多层Mo/Al类型)的玻璃衬底。在室温下，将衬底表面放在组合物配制物中，以200rpm搅拌。然后将衬底表面从配制物中取出并用去离子水冲洗。利用光学显微镜(放大倍数1000X)测定在表面上“残余物”的量。
组合物10～13的腐蚀试验和清洁试验结果如下。
组合物10：腐蚀试验—在任何试验处理后没有发现显著的电化学腐蚀；清洁试验—清洁低于2分钟。
组合物11：腐蚀试验—在第一腐蚀试验中没有发现显著的电化学腐蚀；在第二腐蚀试验后仍然可以接受范围的轻微电化学腐蚀；清洁试验—清洁低于2分钟。
组合物12：腐蚀试验—在第一腐蚀试验中没有发现显著的电化学腐蚀；在水溶液处理后电化学腐蚀侵蚀Al层；清洁试验—清洁低于2分钟。
组合物13：腐蚀试验—在第一腐蚀试验中没有发现电显著的化学腐蚀；电化学腐蚀适度侵蚀Al层；在水溶液处理后仍然可以接受；清洁试验—清洁低于2分钟。
尽管在此已经参考其具体实施方案描述本发明，但是将会理解可以进行变化、修改和变更，而不脱离在此公开的发明思想的构思和范围。因此，本发明意在包含落入所附权利要求书的构思和范围内的所有变化、修改和变更。

Claims (47)

1.一种不含氨基酸的、非水的清洁组合物，其用于从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂和残余物，所述清洁组合物包含：
一种或多种极性有机溶剂，
一种或多种有机羟基化的胺，及
抑制腐蚀量的一种或多种具有多个羟基官能团的腐蚀抑制剂化合物，其为下式的化合物：
            T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2
式中R1和R2中的至少一个为OH，如果R1和R2中的一个不为OH，则它选自H、烷基和烷氧基，m为1或更大的整数，R3和R4选自H、烷基和烷氧基，n为0或更大的正整数，p为1或更大的整数；R5和R6中的至少一个为OH，如果R5和R6中的一个不为OH，则它选自H、烷基和烷氧基，q为1或更大的整数；T1和T2选自H、烷基、羟基烷基、多羟基烷基、氨基烷基、羰基烷基和酰胺基，或者T1和T2可被连接形成选自脂环结构或稠环结构的结构。
2.根据权利要求1的清洁组合物，其中所述有机溶剂组分构成组合物的约60～90％重量，有机羟基化的胺组分构成组合物的约1～20％重量，抑制腐蚀的化合物组分存在于组合物中的量为组合物的约0.1～15％重量。
3.根据权利要求1的清洁组合物，其中所述极性有机溶剂选自环丁砜，3-甲基环丁砜，正丙砜，二甲亚砜，甲砜，正丁砜，环丁砜，3-甲基环丁砜，1-(2-羟乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)，二甲基哌啶酮，N-甲基-2-吡咯烷酮，二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺。
4.根据权利要求1的清洁组合物，其中所述羟基化的胺选自羟胺和链烷醇胺。
5.根据权利要求4的清洁组合物，其中所述羟基化的胺选自羟胺，单乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，2-氨基乙醇，1-氨基-2-丙醇，1-氨基-3-丙醇，2-(2-氨基乙氧基)乙醇，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，和2-(2-氨基乙基氨基)乙胺及其混合物。
6.根据权利要求5的清洁组合物，其中所述羟基化的胺选自单乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，1-氨基-2-丙醇及其混合物。
7.根据权利要求1的清洁组合物，其中所述有机极性溶剂选自N-甲基吡咯烷酮、环丁砜二甲亚砜及其混合物，所述羟基化的胺选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和氨基丙醇及其混合物。
8.根据权利要求1的清洁组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，环丁砜，二甲亚砜，二乙醇胺和木糖醇。
9.根据权利要求1的清洁组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，环丁砜，二甲亚砜，二乙醇胺和D-甘露糖醇。
10.根据权利要求1的清洁组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，环丁砜，二甲亚砜，二乙醇胺和D-山梨糖醇。
11.根据权利要求1的清洁组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，环丁砜，二甲亚砜，二乙醇胺和乙二醇。
12.根据权利要求1的清洁组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，环丁砜，二甲亚砜，二乙醇胺和甘油。
13.根据权利要求1的清洁组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，环丁砜，二甲亚砜，二乙醇胺和1，4-丁二醇。
14.根据权利要求1的清洁组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，环丁砜，二甲亚砜，二乙醇胺和甲基戊二醇。
15.根据权利要求1的清洁组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，环丁砜，二甲亚砜，二乙醇胺和反式1，2-环己二醇。
16.根据权利要求1的清洁组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，二甲亚砜，单异丙醇胺和D-山梨糖醇。
17.根据权利要求1的清洁组合物，包含一种或多种选自下列的附加组分：
(a)含羟基的共溶剂，
(b)抑制腐蚀的芳基化合物，该芳基化合物含有两个或多个直接与芳环结合的OH、OR6、和/或SO2R6R7基团，式中R6、R7和R8分别独立地选自烷基和芳基，
(c)金属络合剂，
(d)不同的抑制金属腐蚀的化合物，及
(e)表面活性剂。
18.根据权利要求1的组合物，还包含量至多为约30重量％的2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
19.根据权利要求17的组合物，包含N-甲基吡咯烷酮，二甲亚砜，单异丙醇胺，D-山梨糖醇和2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
20.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求1的组合物。
21.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求2的组合物。
22.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求3的组合物。
23.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求4的组合物。
24.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求5的组合物。
25.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求6的组合物。
26.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求7的组合物。
27.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求8的组合物。
28.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求9的组合物。
29.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求10的组合物。
30.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求11的组合物。
31.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求12的组合物。
32.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求13的组合物。
33.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求14的组合物。
34.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求15的组合物。
35.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求16的组合物。
36.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求17的组合物。
37.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求18的组合物。
38.一种从微电子衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物的方法，该方法包括使所述衬底与清洁组合物接触，接触时间足以从衬底上清洁光致抗蚀剂或残余物，其中所述清洁组合物包含权利要求19的组合物。
39.根据权利要求20的方法，其中所述要清洁的微电子衬底的特征在于存在铜金属化。
40.根据权利要求27的方法，其中所述要清洁的微电子衬底的特征在于存在铜金属化。
41.根据权利要求28的方法，其中所述要清洁的微电子衬底的特征在于存在铜金属化。
42.根据权利要求29的方法，其中所述要清洁的微电子衬底的特征在于存在铜金属化。
43.根据权利要求30的方法，其中所述要清洁的微电子衬底的特征在于存在铜金属化。
44.根据权利要求31的方法，其中所述要清洁的微电子衬底的特征在于存在铜金属化。
45.根据权利要求32的方法，其中所述要清洁的微电子衬底的特征在于存在铜金属化。
46.根据权利要求33的方法，其中所述要清洁的微电子衬底的特征在于存在铜金属化。
47.根据权利要求34的方法，其中所述要清洁的微电子衬底的特征在于存在铜金属化。
CN2005800000871A 2004-12-08 2005-02-25 非水的、非腐蚀性的微电子清洁组合物 Expired - Fee Related CN1784487B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US63414104P 2004-12-08 2004-12-08
US60/634,141 2004-12-08
PCT/US2005/006247 WO2006062534A1 (en) 2004-12-08 2005-02-25 Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1784487A true CN1784487A (zh) 2006-06-07
CN1784487B CN1784487B (zh) 2012-10-03

Family

ID=34961521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800000871A Expired - Fee Related CN1784487B (zh) 2004-12-08 2005-02-25 非水的、非腐蚀性的微电子清洁组合物

Country Status (13)

Country Link
US (1) US7951764B2 (zh)
EP (1) EP1836535A1 (zh)
JP (1) JP4208924B2 (zh)
KR (1) KR20060064441A (zh)
CN (1) CN1784487B (zh)
BR (1) BRPI0515810A (zh)
CA (1) CA2591483A1 (zh)
IL (1) IL183648A (zh)
MY (1) MY141293A (zh)
NO (1) NO20073122L (zh)
TW (1) TWI353381B (zh)
WO (1) WO2006062534A1 (zh)
ZA (1) ZA200704029B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008058460A1 (fr) * 2006-11-17 2008-05-22 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd. Solution de nettoyage à faible capacité de morsure pour photorésine plus épaisse
CN102472985A (zh) * 2009-08-11 2012-05-23 东友Fine-Chem股份有限公司 光阻剥离液组成物及使用其剥离光阻的方法
CN102569017A (zh) * 2010-09-21 2012-07-11 罗门哈斯电子材料有限公司 从半导体剥离热熔抗蚀剂的改进方法
CN101093365B (zh) * 2006-06-22 2013-02-20 株式会社东进世美肯 抗蚀膜剥离剂组合物
CN108138334A (zh) * 2015-07-14 2018-06-08 富士胶片电子材料美国有限公司 清洁组合物及其使用方法
WO2023040308A1 (zh) 2021-09-14 2023-03-23 浙江奥首材料科技有限公司 一种铜表面钝化组合物、其用途及包含其的光刻胶剥离液

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101088568B1 (ko) * 2005-04-19 2011-12-05 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼
US20080125342A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning memory device structures
FR2912151B1 (fr) * 2007-02-05 2009-05-08 Arkema France Formulation de dimethylsulfoxyde en melange avec un additif permettant d'abaisser le point de cristallisation de ce dernier, et applications de ce melange
US8404022B2 (en) 2008-07-23 2013-03-26 Iwatani Corporation Method of concentrating ozone gas and apparatus therefor
JP4903242B2 (ja) * 2008-10-28 2012-03-28 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
KR101579846B1 (ko) * 2008-12-24 2015-12-24 주식회사 이엔에프테크놀로지 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법
WO2010098899A1 (en) * 2009-02-25 2010-09-02 Mallinckrodt Baker, Inc. Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition
CN103975052B (zh) 2011-10-05 2016-11-09 安万托特性材料股份有限公司 具有铜/唑类聚合物抑制作用的微电子衬底清洁组合物
KR102122182B1 (ko) 2012-03-16 2020-06-12 바스프 에스이 포토레지스트 박리 및 세정 조성물, 이의 제조 방법 및 이의 용도
ES2549579B1 (es) * 2014-04-28 2016-10-05 Universidad De Granada Composición para eliminar cementos y morteros a base de cemento
KR101586453B1 (ko) 2014-08-20 2016-01-21 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
KR102209389B1 (ko) * 2016-09-26 2021-01-28 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 폐액의 정제 방법
TWI824299B (zh) * 2020-09-22 2023-12-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 蝕刻劑組合物

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5091103A (en) * 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
US5300628A (en) * 1992-06-29 1994-04-05 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected chelate resins and their use to remove multivalent metal impurities from resist components
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5561105A (en) * 1995-05-08 1996-10-01 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chelating reagent containing photoresist stripper composition
US5612304A (en) * 1995-07-07 1997-03-18 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Redox reagent-containing post-etch residue cleaning composition
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
JP3929518B2 (ja) 1995-11-30 2007-06-13 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5665688A (en) * 1996-01-23 1997-09-09 Olin Microelectronics Chemicals, Inc. Photoresist stripping composition
US5962197A (en) * 1998-03-27 1999-10-05 Analyze Inc. Alkaline organic photoresist stripper
KR100610387B1 (ko) 1998-05-18 2006-08-09 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 초소형 전자 기판 세정용 실리케이트 함유 알칼리성 조성물
US7135445B2 (en) * 2001-12-04 2006-11-14 Ekc Technology, Inc. Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials
US6440326B1 (en) * 1998-08-13 2002-08-27 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Photoresist removing composition
KR100286860B1 (ko) * 1998-12-31 2001-07-12 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
JP4224651B2 (ja) 1999-02-25 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法
KR100360985B1 (ko) * 2000-04-26 2002-11-18 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 스트리퍼 조성물
US6455479B1 (en) * 2000-08-03 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Stripping composition
WO2002095501A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-28 Dongjin Semichem Co., Ltd. Resist remover composition
MY131912A (en) 2001-07-09 2007-09-28 Avantor Performance Mat Inc Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
TW575783B (en) * 2001-07-13 2004-02-11 Ekc Technology Inc Sulfoxide pyrolid(in)one alkanolamine cleaner composition
JP4252758B2 (ja) * 2002-03-22 2009-04-08 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣除去液組成物
TW200428512A (en) * 2003-05-02 2004-12-16 Ekc Technology Inc Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing
JP4202859B2 (ja) * 2003-08-05 2008-12-24 花王株式会社 レジスト用剥離剤組成物
US20050032657A1 (en) * 2003-08-06 2005-02-10 Kane Sean Michael Stripping and cleaning compositions for microelectronics
CN1985217B (zh) * 2004-07-15 2011-10-12 安万托特性材料股份有限公司 含果糖的非水性微电子清洁组合物
ATE463763T1 (de) * 2004-12-10 2010-04-15 Mallinckrodt Baker Inc Wasserfreie nicht korrosive mikroelektronische reinigungsverbindungen mit polymerischen corrosionsinhibitoren

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101093365B (zh) * 2006-06-22 2013-02-20 株式会社东进世美肯 抗蚀膜剥离剂组合物
WO2008058460A1 (fr) * 2006-11-17 2008-05-22 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd. Solution de nettoyage à faible capacité de morsure pour photorésine plus épaisse
CN101522879B (zh) * 2006-11-17 2011-02-09 安集微电子（上海）有限公司 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液
CN102472985A (zh) * 2009-08-11 2012-05-23 东友Fine-Chem股份有限公司 光阻剥离液组成物及使用其剥离光阻的方法
US9081291B2 (en) 2009-08-11 2015-07-14 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Resist stripping solution composition, and method for stripping resist by using same
CN102569017A (zh) * 2010-09-21 2012-07-11 罗门哈斯电子材料有限公司 从半导体剥离热熔抗蚀剂的改进方法
CN102569017B (zh) * 2010-09-21 2016-02-10 罗门哈斯电子材料有限公司 从半导体剥离热熔抗蚀剂的改进方法
CN108138334A (zh) * 2015-07-14 2018-06-08 富士胶片电子材料美国有限公司 清洁组合物及其使用方法
WO2023040308A1 (zh) 2021-09-14 2023-03-23 浙江奥首材料科技有限公司 一种铜表面钝化组合物、其用途及包含其的光刻胶剥离液

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060064441A (ko) 2006-06-13
EP1836535A1 (en) 2007-09-26
CN1784487B (zh) 2012-10-03
IL183648A0 (en) 2007-09-20
CA2591483A1 (en) 2006-06-15
WO2006062534A1 (en) 2006-06-15
JP4208924B2 (ja) 2009-01-14
JP2007514983A (ja) 2007-06-07
NO20073122L (no) 2007-08-28
IL183648A (en) 2013-02-28
US7951764B2 (en) 2011-05-31
TWI353381B (en) 2011-12-01
US20080103078A1 (en) 2008-05-01
ZA200704029B (en) 2008-05-28
TW200619380A (en) 2006-06-16
MY141293A (en) 2010-04-16
BRPI0515810A (pt) 2008-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1784487B (zh) 非水的、非腐蚀性的微电子清洁组合物
CN101076760B (zh) 含有聚合物腐蚀抑制剂的非水的、无腐蚀性的微电子清洁组合物
CN1985217B (zh) 含果糖的非水性微电子清洁组合物
TWI275904B (en) Photoresist stripper composition, and exfoliation method of a photoresist using it
EP1877870B1 (en) Non-aqueous photoresist stripper that inhibits galvanic corrosion
JP4741315B2 (ja) ポリマー除去組成物
KR20020012141A (ko) 스트리핑 조성물
CN112558434B (zh) 一种光刻胶清洗剂组合物
US20140076356A1 (en) Composition of solutions and conditions for use enabling the stripping and complete dissolution of photoresists
KR20090121650A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법
JP2006343604A (ja) ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の処理方法
CN102498197A (zh) 清洗组成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170508

Address after: American Pennsylvania

Patentee after: Anwantuo materials limited liability company

Address before: new jersey

Patentee before: Anwantuo Spcial Materials Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121003

Termination date: 20210225