KR100642185B1 - 프럭토스를 함유하는 비-수성 마이크로전자 세정 조성물 - Google Patents
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Abstract
후공정 (back end) 포토레지스트 박리제 (stripper) 및 잔류물 세정 조성물은 알루미늄 뿐만 아니라 구리에 대해 본질적으로 비-부식성이고 유기 극성 용매, 히드록실화 아민, 및 부식 억제제로서 프럭토스를 포함하는 비-수성 조성물로써 제공된다.
포토레지스트, 유기 극성 용매, 히드록실화 아민, 부식 억제제, 프럭토스
Description
본 발명은 마이크로전자 기판을 세정하기 위한 방법 및 비-수성 세정 조성물, 및 특히 구리 금속화를 특징으로 하는 마이크로전자 기판에 유용하고, 이들과의 상용성이 개선된 상기 세정 조성물 및 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 포토레지스트의 박리 (stripping), 및 플라스마 공정에서 발생된 유기, 유기금속 및 무기 화합물로부터의 잔류물의 세정을 위한 상기 세정 조성물의 용도에 관한 것이다.
마이크로전자 분야에서 제조-라인의 하류 (downstream) 또는 후공정 (back end) 세정제로서 사용하기 위한 많은 포토레지스트 박리제 (stripper) 및 잔류물 제거제가 제안되어 왔다. 제조 공정에서, 포토레지스트의 박막이 웨이퍼 기판 상에 침착된 후, 회로 디자인이 박막 상에 이미징 (imaging) 된다. 베이킹 (baking) 후, 비중합 레지스트가 포토레지스트 현상제에 의해 제거된다. 이어서, 생성된 이미지는 반응성 플라스마 에칭 기체 또는 화학적 에칭제 용액에 의해, 일반적으로 유전체 또는 금속인 하부 물질로 전사된다. 에칭 기체 또는 화학적 에칭제 용액은 기판에서 포토레지스트로 보호되지 않은 영역을 선택적으로 공격한다.
또한, 에칭 단계의 종료 후에는, 최후 마무리 (finishing) 공정을 실시할 수 있도록 레지스트 마스크가 웨이퍼의 보호 영역으로부터 제거되어야 한다. 이것은 플라즈마 애슁 (ashing) 단계에서 적합한 플라스마 애슁 기체 또는 습식 화학 박리제를 사용하여 달성될 수 있다. 금속 회로소자의 부정적인 영향, 예컨대 부식, 용해 또는 흐려짐 (dulling) 없이 상기 레지스트 마스크 물질 제거에 적합한 세정 조성물을 발견하는 것이 문제가 되는 것으로 밝혀졌다.
마이크로전자 제조 집적도가 증가하고, 패턴화된 마이크로전자 디바이스 치수가 원자 크기로 감소됨에 따라, 전류가 회로를 통과할 때 발생하는 열이 심각한 문제가 되었다. 점차로 당업계에서는 도체 물질로서 알루미늄 대신 구리 금속화를 이용하게 되었는데, 이는 구리가 열 발생을 감소시키는데 있어서 더욱 유리하기 때문이다. 이들 구리 함유 마이크로전자 물질은 허용가능한 세정제 조성물의 발견이라는 부가적인 과제를 제시하였다. Al/SiO2 또는 Al(Cu)/SiO2 구조를 함유하는 "전통적인" 또는 "통상적인" 반도체 디바이스를 위해 종래에 개발된 많은 공정 기술 조성물은 구리 금속화된 구조에는 사용될 수 없다. 예를 들어, 히드록실아민 기재 박리제 또는 잔류물 제거제 조성물은 Al 금속화된 디바이스를 세정하는데 성공적으로 사용되지만, 구리 금속화된 디바이스에는 실질적으로 부적합하다. 유사하게, 구리 금속화된 디바이스를 세정하기 위해 사용되는 많은 박리제 또는 잔류물 제거제 조성물은, 조성의 현저한 조정 없이는, Al 금속화된 다바이스에 적합하지 않다.
이러한 플라스마 에칭 및(또는) 상기 구리 및 알루미늄 금속화된 마이크로전자 구조를 위한 애슁 공정 후의 에칭 및(또는) 애슁 잔류물을 제거하는 것은, 특히 구리로 금속화된 기판에서 문제가 되는 것으로 입증되었다. 이들 잔류물을 완전히 제거 또는 중화시키지 못하면 습기의 흡수 및 금속 구조의 부식을 야기할 수 있는 바람직하지 못한 물질의 형성이 유발될 수 있다. 회로 물질은 바람직하지 못한 물질에 의해 부식되어, 회로 배선의 단절 및 바람직하지 못한 전기저항의 증가가 발생된다.
지금까지, 포토레지스트 박리제는 흔히 아민류를 함유하였는데, 이는 아민류가 일반적으로 경화된 포토레지스트의 공격 및 마이크로전자 기판의 표면으로부터 상기 경화된 포토레지스트를 박리하는 능력에 있어서 뛰어난 세정 성능을 나타내기 때문이다. 그러나, 일반적으로 아민류에 의해서는 구리도 또한 심하게 공격을 받으므로, 그러한 통상적인 포토레지스트 박리제를 개질없이 사용할 경우 현저한 금속 부식이 발생할 수 있다. 따라서, 마이크로전자 산업에서, 특히 구리 금속화된 물질에 사용하기 위한 구리 상용성 포토레지스트 박리제 또는 세정제를 제공하는 것이 매우 바람직하다. 또한, 마이크로전자 산업에서, 특히 구리 금속화된 물질에 사용하기 위한 구리 상용성 포토레지스트 박리제 또는 세정제로서, 알루미늄 금속화된 물질에 대해서 사용하는데도 상용성을 갖는 것을 제공하는 것이 매우 바람직하다. 알루미늄에서 구리 금속화로의 동일한 기술 전환은 평면 패널 디스플레이의 개발에서도 나타나므로, 그러한 평면 패널 디스플레이의 제조에 사용될 수 있는 박 리제/세정제를 제공하는 것이 또한 바람직하다.
<발명의 간단한 요약>
본 발명의 후공정 포토레지스트 박리제 및 세정 조성물은, 알루미늄 뿐만 아니라 구리에 대해 본질적으로 비-부식성이고 유기 극성 용매, 히드록실화 아민, 및 부식 억제제로서 프럭토스를 포함하는 비-수성 조성물로써 제공된다. 본 발명의 조성물은 또한 다수의 다른 임의의 성분을 함유할 수 있다. 본 발명의 세정 조성물은 광범위한 pH 및 온도의 공정/운전 조건에 걸쳐 사용될 수 있고, 포토레지스트, 플라스마 에칭/애슁 후의 잔류물, 희생 흡광 물질 (sacrificial light absorbing material) 및 반사방지 코팅 (ARC)을 효과적으로 제거하는데 사용될 수 있다. 또한, 세정이 매우 어려운 샘플, 예컨대 고도로 가교되거나 경화된 포토레지스트 및 티타늄 (예를 들면 티타늄, 티타늄 옥사이드 및 티타늄 니트라이드) 또는 탄탈륨 (예를 들면 탄탈륨, 탄탈륨 옥사이드 및 탄탈륨 니트라이드)을 함유하는 구조가 본 발명의 세정 조성물에 의해 쉽게 세정될 수 있음이 밝혀졌다.
비-수성, 본질적으로 비-부식성인 본 발명의 마이크로전자 박리제/세정제 조성물은 일반적으로 유기 극성 용매 약 70% 내지 약 95%, 유기 히드록실화 아민 약 1% 내지 약 15%, 및 부식 억제량의, 일반적으로는 약 0.1% 내지 약 15%의 프럭토스 부식 억제제를 포함할 것이다. 본 명세서에 제공된 중량%는 세정 조성물의 총 중량을 기준으로 한 것이다.
비-수성, 본질적으로 비-부식성인 본 발명의 박리/세정 조성물은 또한 임의 로 킬레이트제, 유기 히드록실-함유 공-용매, 안정화제 및 금속 킬레이트제 또는 착화제, 다른 금속 부식 억제제, 및 계면활성제와 같은 성분을 포함하나 이에 국한되지 않는 다른 상용성 성분을 함유할 수 있다.
<발명의 상세한 설명 및 바람직한 실시양태>
본 발명의 후공정 포토레지스트 박리제 및 세정 조성물은, 알루미늄 뿐만 아니라 구리에 대해 본질적으로 비부식성이고 유기 극성 용매, 유기 히드록실화 아민, 및 부식 억제제로서 프럭토스를 포함하는 비-수성 조성물에 의해 제공된다. 본 발명의 조성물은 또한 수많은 임의의 다른 성분을 함유할 수 있다.
본 발명의 세정 조성물은 광범위한 pH 및 온도의 공정/운전 조건에 걸쳐 사용될 수 있고, 포토레지스트, 플라스마 에칭/애슁 후의 잔류물, 희생 흡광 물질 및 반사방지 코팅 (ARC)을 효과적으로 제거하는데 사용될 수 있다. 또한, 세정이 매우 어려운 샘플, 예컨대 고도로 가교되거나 경화된 포토레지스트 및 티타늄 (예를 들면 티타늄, 티타늄 옥사이드 및 티타늄 니트라이드) 또는 탄탈륨 (예를 들면 탄탈륨, 탄탈륨 옥사이드 및 탄탈륨 니트라이드)을 함유하는 구조가 본 발명의 세정 조성물에 의해 쉽게 세정될 수 있음이 밝혀졌다.
비-수성, 본질적으로 비-부식성인 본 발명의 마이크로전자 박리제/세정제 조성물은 일반적으로 유기 극성 용매 약 70% 내지 약 95%, 바람직하게는 약 75% 내지 약 90%, 및 더 바람직하게는 약 80% 내지 약 85%, 유기 히드록실화 아민 약 1% 내지 약 15%, 바람직하게는 약 3% 내지 약 12%, 및 더 바람직하게는 약 5% 내지 약 10%, 및 부식 억제량의, 일반적으로는 약 0.1% 내지 약 15%, 바람직하게는 약 1% 내지 약 12%, 및 더 바람직하게는 약 3% 내지 약 10%의 프럭토스 부식 억제제를 포함할 것이다. 본 명세서에 제공된 중량%는 세정 조성물의 총 중량을 기준으로 한 것이다.
본 발명의 조성물은 1종 이상의 임의의 적합한 유기 극성 용매, 바람직하게는 아미드, 술폰, 술폭사이드, 포화 알콜 등을 포함하는 유기 극성 용매를 함유할 수 있다. 그러한 유기 극성 용매는 유기 극성 용매, 예컨대 술포란(테트라히드로티오펜-1,1-디옥사이드), 3-메틸술포란, n-프로필 술폰, 디메틸 술폭사이드 (DMSO), 메틸 술폰, n-부틸 술폰, 3-메틸술포렌, 아미드, 예컨대 1-(2-히드록시에틸)-2-피롤리돈 (HEP), 디메틸피페리돈 (DMPD), N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), 디메틸아세트아미드 (DMAc), 및 디메틸포름아미드 (DMF) 및 이의 혼합물을 포함되나, 이에 국한되지 않는다. N-메틸피롤리돈, 술포란 및 상기 두 용매의 혼합물이 유기 극성 용매로서 특히 바람직하다.
유기 히드록실화 아민 성분은 1종 이상의 임의의 적합한 히드록실화 아민, 바람직하게는 히드록실아민 또는 알칸올아민, 더 바람직하게는 알칸올아민일 수 있다. 본 발명의 조성물에 유용한 적합한 유기 히드록실화 아민은 히드록실아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 및 특히 2-아미노에탄올, 1-아미노-2-프로판올, 1-아미노-3-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디에탄올아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민 등, 및 이의 혼합물을 포함하나, 이에 국한되지는 않는다. 가장 바람직하게는 유기 히드록실화 아민 성분은 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 및 1-아미노-2-프로판올 및 이의 혼합물이다.
본 발명의 조성물은 또한 임의로 1종 이상의 임의의 적합한 유기 히드록실-함유 공-용매를 함유할 수 있다. 임의의 적합한 유기 히드록실-함유 공-용매가 본 발명의 조성물에 사용될 수 있다. 그러한 적합한 유기 히드록실-함유 공-용매의 예는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 글리세롤, 및 카르비톨 (Carbitol) (2-(2-에톡시에톡시)에탄올) 및 카르비톨 유도체로 공지된, 디에틸렌 글리콜의 모노- 및 디알킬 에테르, 및 포화 알콜, 예컨대 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 및 헥사플루오로이소프로판올 및 이의 혼합물을 포함하나, 이에 국한되지는 않는다. 2-(2-에톡시에톡시)에탄올 (카르비톨)이 공-용매로서 특히 바람직하다. 공-용매는 조성물의 총 중량을 기준으로 0 내지 약 30 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 25 중량%, 가장 바람직하게는 약 0.5 내지 약 20 중량%의 양으로 본 발명의 조성물에 존재할 수 있다.
본 발명의 조성물은 또한 1종 이상의 임의의 적합한 다른 부식 억제제, 바람직하게는 방향족 고리에 직접 결합된 둘 이상의 OH, OR6 및(또는) SO2R6R7 (여기서, R6, R7, 및 R8은 각각 독립적으로 알킬, 바람직하게는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬, 또는 아릴, 바람직하게는 6 내지 14개의 탄소 원자를 갖는 아릴임)기를 함유하는 아릴 화합물을 함유할 수 있다. 그러한 바람직한 부식 억제제의 예로는 카테콜, 피로갈롤, 갈산, 레소시놀 등을 들 수 있다. 그러한 다른 부식 억제제는 0 내지 약 15 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 10 중량%, 가장 바람직하게는 약 0.5 내지 약 5 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
유기 또는 무기 킬레이트제 또는 금속 착화제는 필수적이지 않으나, 개선된 제품 안정성과 같은 실질적인 이로움을 제공한다. 1종 이상의 무기 킬레이트제 또는 금속 착화제의 예는 본 발명의 조성물에서 사용될 수 있다. 적합한 킬레이트제 또는 착화제는 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산 (CyDTA), 에틸렌디아민 테트라아세트산 (EDTA), 스탄네이트, 피로포스페이트, 알킬리덴-디포스폰산 유도체 (예컨대, 에탄-1-히드록시-1,1-디포스포네이트), 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민 또는 트리에틸렌테트라아민 관능 잔기를 함유하는 포스포네이트 [예컨대, 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (EDTMP), 디에틸렌트리아민 펜타(메틸렌 포스폰산), 및 트리에틸렌테트라아민 헥사(메틸렌 포스폰산)], 및 이의 혼합물을 포함하나, 이에 국한되지는 않는다. 킬레이트제는 0 내지 약 5 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 2 중량%의 양으로 조성물에 존재할 것이다. 다양한 포스포네이트, 예컨대 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (EDTMP)과 같은 금속 킬레이트제 또는 착화제는 산성 및 알칼리성 조건에서 산화제를 함유하는 본 발명의 세정 조성물에 훨씬 개선된 안정화를 제공하므로 일반적으로 바람직하다.
임의로 다른 금속 부식 억제제, 예컨대 벤조트리아졸이 0 내지 약 5 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 2 중량%의 양으로 사용될 수도 있다.
세정 조성물은 또한 임의로 1종 이상의 적합한 계면활성제, 예컨대, 디메틸 헥신올 (서피놀 (Surfynol)-61), 에톡실화 테트라메틸 데신디올 (서피놀-465), 폴리테트라플루오로에틸렌 세톡시프로필베타인 (조닐 (Zonyl) FSK), 조닐 FSH 등을 함유할 수 있다. 계면활성제는 일반적으로 0 내지 약 5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 약 3 중량%의 양으로 존재할 것이다.
본 발명의 세정 조성물의 예는 하기 표 1, 2, 및 3에 제시된 조성물을 포함하나, 이에 국한되지는 않는다. 표 1, 2, 및 3 및 이후의 표에서 사용된 약어는 다음과 같다:
NMP = N-메틸 피롤리디논
SFL = 술포란
DMSO = 디메틸 술폭사이드
DMAC = 디메틸아세트아미드
DMF = 디메틸포름아미드
EG = 에틸렌 글리콜
CAR = 카르비톨
TEA = 트리에탄올아민
MEA = 모노에탄올아민
AMP = 1-아미노-2-프로판올
FRT = 프럭토스
| 조성물/중량부 | |||||
| 성분 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| NMP | 46.67 | 46.67 | 46.67 | 46.67 | 63.33 |
| SFL | 23.33 | 23.33 | 23.33 | 23.33 | 31.67 |
| DMSO | |||||
| DMAC | |||||
| DMF | |||||
| EG | |||||
| CAR | 20.00 | 20.00 | 20.00 | 20.00 | |
| TEA | 9.70 | 9.70 | |||
| MEA | 10.00 | 10.00 | 0.30 | 0.30 | |
| AMP | 5.00 | ||||
| FRT | 5.00 | 5.00 | 5.00 | 5.00 | 5.00 |
| 조성물/중량부 | |||||
| 성분 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| NMP | 60.00 | 46.66 | 51.33 | 90.00 | |
| SFL | 30.00 | 23.33 | 25.66 | 90.00 | |
| DMSO | |||||
| DMAC | |||||
| DMF | |||||
| EG | |||||
| CAR | 20.00 | 20.00 | |||
| TEA | |||||
| MEA | |||||
| AMP | 10.00 | 10.00 | 5.00 | 10.00 | 10.00 |
| FRT | 5.00 | 5.00 | 5.00 | 5.00 | 5.00 |
| 조성물/중량부 | |||
| 성분 | 11 | 12 | 13 |
| NMP | 60.00 | 60.00 | 60.00 |
| SFL | |||
| DMSO | 30.00 | ||
| DMAC | 30.00 | ||
| DMF | 30.00 | ||
| EG | |||
| CAR | |||
| TEA | |||
| MEA | |||
| AMP | 10.00 | 10.00 | 10.00 |
| FRT | 5.00 | 5.00 | 5.00 |
본 발명의 프럭토스 함유 세정 조성물로 얻어진 부식 방지 결과는 본 발명의 프럭토스 함유 조성물 및 다른 사카라이드에 대한 비교 시험을 아래와 같이 시험하여 얻었다.
실험을 위해 구리-코팅된 규소 웨이퍼 조각 (약 20 x 20 mm)을 제조하였다. 이 조각을 완충된 옥사이드 에칭제 (35 중량/중량% NH4F 및 6 중량/중량% HF을 함유함) 중에서 1분 동안 세정한 후, 탈이온수에서 1분 동안 헹구고, 질소 분무 하에 건조시켰다. 이어서, 웨이퍼 조각을 100 g의 시험 용액이 담긴 150 mL 비이커 중에 침지시키고, 용액을 60℃에서 가열하고, 자석교반기로 200 rpm으로 교반하고, 60분 후에 조각을 시험 용액에서 꺼내어 탈이온수로 1분 동안 헹구고, 질소 분무 하에 건조시켰다. 구리 층의 두께 (실험 전 및 후의 두께)를 ResMap (미국 캘리포니아주 서니베일 소재 크리에이티브 디자인 엔지니어링 (Creative Design Engineering)에서 제조) 4-포인트 프로브 시스템으로 측정하였다.
포토레지스트 박리 실험을 위해, 동일 시험 용액을 동일 온도 (60℃) 및 동일 교반 속도 (200 rpm)에서 사용하였다. 포지티브 포토레지스트 층 (약 1000 Å)을 갖는 유리 조각을 시험 용액에 침지시켜 모든 포토레지스트를 제거하는데 필요한 시간을 측정하였다.
시험 용액 (세정 조성물)은 표 2의 본 발명의 조성물 6 및 조성물 6의 프럭토스 5.00부를 수크로스 5.00부로 대신한 (비교 용액 A), 글루코스 5.00부로 대신한 (비교 용액 B), 및 갈락토스 5.00부로 대신한 (비교 용액 C) 비교 조성물이었다.
| 조성물 | Cu 에칭 속도(Å/분) | 포토레지스트 박리 성능 (필요한 초) |
| 표 2의 본 발명의 조성물 6 | 2.3 | 10 |
| 비교 조성물 A | 62.9 | 7 |
| 비교 조성물 B | 4.0 | 8 |
| 비교 조성물 C | 4.9 | 7 |
본 발명을 구체적 실시양태를 참조하여 본원에 설명하였으나, 본원에 개시된 본 발명의 사상의 취지 및 범위로부터 벗어남 없이 변화 (change), 변형(modification) 및 변동 (variation)이 가능함이 인식될 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구의 범위의 취지 및 범위에 포함되는 그러한 모든 변화, 변형 및 변동을 포함할 의도이다.
본 발명은 알루미늄 뿐만 아니라 구리 금속화된 마이크로전자 기판에 사용하기 위한 포토레지스트 박리제 및 잔류물 세정 조성물을 제공한다.
Claims (22)
- 세정 조성물의 총 중량을 기준으로 유기 극성 용매 70 중량% 내지 95 중량%, 유기 히드록실화 아민 1 중량% 내지 15 중량%, 부식 억제량의 프럭토스 부식 억제제, 및유기-히드록실-함유 공-용매;킬레이트제 또는 금속 착화제;다른 금속 부식-억제제; 및계면활성제 성분 중 하나 이상을 임의로 포함하는, 마이크로전자 기판으로부터 포토레지스트 및 잔류물을 세정하기 위한 비-수성 세정 조성물.
- 제 1항에 있어서, 프럭토스가 조성물의 총 중량을 기준으로 프럭토스 0.1 중량% 내지 15 중량%의 양으로 조성물에 존재하는 세정 조성물.
- 제 1항에 있어서, 유기 극성 용매가 술포란, 3-메틸술포란, n-프로필 술폰, 디메틸 술폭사이드, 메틸 술폰, n-부틸 술폰, 술포렌, 3-메틸술포렌, 1-(2-히드록시에틸)-2-피롤리돈 (HEP), 디메틸피페리돈, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸아세트아미드 및 디메틸포름아미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제 1항에 있어서, 히드록실화 아민이 히드록실아민 및 알칸올아민으로 이루 어진 군으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제 4항에 있어서, 히드록실화 아민이 히드록실아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-아미노에탄올, 1-아미노-2-프로판올, 1-아미노-3-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 및 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제 5항에 있어서,히드록실화 아민이 모노에탄올아민, 트리에탄올아민 및 1-아미노-2-프로판올 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제 1항에 있어서, 유기 히드록실-함유 공-용매가 존재하고 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 글리세롤, 디에틸렌 글리콜의 모노- 및 디알킬 에테르, 및 포화 알콜로 이루어진 군으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제 7항에 있어서, 유기 히드록실-함유 공-용매가 2-(2-에톡시에톡시)에탄올인 세정 조성물.
- 제 7항에 있어서, 유기 히드록실-함유 공-용매가 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 및 헥사플루오로이소프로판올로 이루어진 군으로부터 선택된 포화 알콜인 세정 조성물.
- 제 1항에 있어서, 킬레이트제 또는 금속 착화제가 조성물에 존재하고 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산, 에틸렌디아민 테트라아세트산, 스탄네이트, 피로포스페이트, 알킬리덴-디포스폰산 유도체, 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산), 디에틸렌트리아민 펜타(메틸렌 포스폰산), 및 트리에틸렌테트라아민 헥사(메틸렌 포스폰산)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제 1항에 있어서, 다른 금속 부식 억제제가 존재하고 방향족 고리에 직접 결합된 OH, OR6, 및(또는) SO2R6R7 (R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 6 내지 14개의 탄소 원자를 갖는 아릴임) 잔기로 이루어진 군으로부터 선택되는 둘 이상의 잔기를 함유하는 아릴 화합물인 세정 조성물.
- 제 11항에 있어서, 다른 금속 부식 억제제가 카테콜, 피로갈롤, 갈산 및 레소시놀로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제 1항에 있어서, 유기 극성 용매는 N-메틸 피롤리돈, 술포란 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고, 히드록실화 아민은 모노에탄올아민, 트리에탄올아민 및 아미노프로판올 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제 13항에 있어서, 유기 히드록실-함유 공-용매로서 2-(2-에톡시에톡시)에탄올을 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제 1항에 있어서, N-메틸 피롤리돈, 술포란, 모노에탄올아민 및 프럭토스를 포함하는 세정 조성물.
- 제 15항에 있어서, 2-(2-에톡시에톡시)에탄올을 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제 15항에 있어서, 트리에탄올아민 및 아미노프로판올 중 하나 이상을 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제 17항에 있어서, 2-(2-에톡시에톡시)에탄올을 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제 1항에 있어서, N-메틸 피롤리돈, 술포란, 아미노프로판올 및 프럭토스를 포함하는 세정 조성물.
- 제 19항에 있어서, 2-(2-에톡시에톡시)에탄올을 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세정하기에 충분한 시간 동안 기판을 제 1항 내지 제 20항 중 어느 한 항의 조성물을 포함하는 세정 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 마이크로전자 기판으로부터 포토레지스트 또는 잔류물을 세정하기 위한 방법.
- 제 21항에 있어서, 세정될 마이크로전자 기판이 구리 금속화된 것을 특징으로 하는 방법.
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