ES2345616T3

ES2345616T3 - Composiciones de limpieza no acuosas para microelectronica que contienen fructosa.

Info

Publication number: ES2345616T3
Application number: ES05712754T
Authority: ES
Inventors: Seiji Inaoka
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2004-07-15
Filing date: 2005-02-01
Publication date: 2010-09-28
Anticipated expiration: 2025-02-01
Also published as: ATE471537T1; JP2007511784A; PL1787168T3; TW200613544A; EP1787168B1; IL180532A; DE602005021890D1; CN1985217A; KR20060043033A; BRPI0513315A; MY140032A; EP1787168A1; CA2573788A1; IL180532A0; PT1787168E; CN1985217B; NO20070835L; KR100642185B1; DK1787168T3; ZA200610563B

Abstract

Una composición de limpieza no acuosa para limpiar una sustancia fotorresistente, residuos posteriores al grabado y la calcinación plasmáticos, materiales absorbentes de luz sacrificiales o revestimientos antirreflectantes de sustratos microelectrónicas, comprendiendo dicha composición de limpieza: de aproximadamente 70% en peso a aproximadamente 95% en peso de un disolvente orgánico polar, de aproximadamente 1% en peso a aproximadamente 15% en peso de una amina orgánica hidroxilada, una cantidad inhibidora de la corrosión del inhibidor de la corrosión fructosa y opcionalmente uno o más de los siguientes componentes: un codisolvente orgánico que contiene hidroxilo; un agente quelante o complejante de metales; otro agente inhibidor de la corrosión de metales; y un tensioactivo; en la que los porcentajes en peso se basan en el peso total de la composición de limpieza.

Description

Composiciones de limpieza no acuosas para microelectrónica que contienen fructosa.

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Campo de la invención

Esta invención se refiere a métodos y composiciones de limpieza no acuosas para limpiar sustratos microelectrónicos, y particularmente a tales composiciones de limpieza útiles con y que tienen compatibilidad mejorada con sustratos microelectrónicos caracterizados por metalización con cobre. La invención también se refiere al uso de tales composiciones de limpieza para separar sustancias fotorresistentes y limpiar residuos de compuestos orgánicos, organometálicos e inorgánicos generados en procedimientos plasmáticos.

Antecedentes de la invención

Se han propuesto muchos separadores de sustancias fotorresistentes y eliminadores de residuos para el uso en el campo de la microelectrónica como parte aguas abajo o final de los limpiadores de la cadena de fabricación. En el procedimiento de fabricación, una película delgada de sustancia fotorresistente se deposita sobre un sustrato de microplaqueta, y a continuación un diseño de circuito se dibuja sobre la película delgada. Después del horneo, el protector no polimerizado se retira con un revelador fotorresistente. La imagen resultante se transfiere a continuación al material subyacente, que generalmente es un material dieléctrico o un metal, por medio de gases de grabado plasmatico reactivo o soluciones químicas grabadoras. Los gases de grabado o las soluciones químicas grabadoras atacan selectivamente el área del sustrato no protegida por sustancia fotorresistente.

Adicionalmente, después de la terminación de la etapa de grabado, la pantalla protectora debe retirarse del área protegida de la microplaqueta de modo que pueda tener lugar la operación de acabado final. Esto puede lograrse en una etapa de calcinación plasmática mediante el uso de gases de calcinación plasmática o separadores químicos en húmedo adecuados. Encontrar una composición de limpieza adecuada para la retirada de este material de pantalla protectora sin afectar adversamente, p. ej., corroer, disolver o deslustrar, el sistema de circuitos metálico también ha resultado problemático.

A medida que los niveles de integración de la fabricación de dispositivos microelectrónicos se han incrementado y diseñado, las dimensiones de los dispositivos microelectrónicos han disminuido hacia el tamaño de átomos, y el calor formado a medida que la corriente pasa a través de los circuitos se ha convertido en un problema serio. Se ha hecho cada vez más común en la técnica emplear metalizaciones de cobre como el material conductor, en lugar de aluminio, puesto que el cobre es más beneficioso para reducir la formación de calor. Estos materiales microelectrónicos que contienen cobre han presentado retos adicionales para encontrar composiciones limpiadoras aceptables. Muchas composiciones de tecnología de procesos que se han desarrollado previamente para dispositivos semiconductores "tradicionales" o "convencionales" que contienen estructuras de Al/SiO_{2} o Al(Cu)/SiO_{2} no pueden emplearse con estructuras metalizadas con cobre. Por ejemplo, las composiciones separadoras o eliminadoras de residuos basadas en hidroxilamina se usan satisfactoriamente para dispositivos de limpieza con metalizaciones de Al, pero son inadecuadas en la práctica para aquellos con metalizaciones de cobre. De forma similar, muchas composiciones para dispositivos metalizados con cobre no son adecuadas para dispositivos metalizados con Al a no ser que se realicen ajustes significativos en las composiciones.

La retirada de estos residuos de grabado y/o calcinación después del procedimiento plasmático de grabado y/o calcinación para tales estructuras microelectrónicas metalizadas con cobre y aluminio ha resultado problemática, particularmente para sustratos metalizados con cobre. El fallo para retirar o neutralizar completamente estos residuos puede dar como resultado la absorción de humedad y la formación de materiales no deseables que pueden provocar corrosión en las estructuras metálicas. Los materiales del sistema de circuitos son corroídos por los materiales no deseables y
producen discontinuidades en los cables del sistema de circuitos e incrementos no deseables en la resistencia eléctrica.

Hasta ahora, los separadores de sustancias fotorresistentes han contenido a menudo aminas, ya que generalmente muestran un comportamiento de limpieza superior para atacar a una sustancia fotorresistente endurecida y en la capacidad para separar tal sustancia fotorresistente endurecida de la superficie de los sustratos microelectrónicos. Sin embargo, el cobre generalmente también es intensamente atacado por las aminas y puede producirse una corrosión del metal significativa si se utiliza tal separador de sustancias fotorresistentes convencional sin modificación. Por lo tanto, es muy deseable proporcionar un separador o limpiador de sustancias fotorresistentes compatible con cobre para usar en la industria microelectrónica, particularmente para materiales metalizados con cobre. También es muy deseable proporcionar un separador o limpiador de sustancias fotorresistentes compatible con cobre para usar en la industria microelectrónica, particularmente para materiales metalizados con cobre, que también sea compatible con materiales metalizados con aluminio. Puesto que el mismo cambio en la tecnología de metalización con aluminio a cobre se está observando en el desarrollo de pantallas planas, también es deseable proporcionar un separador/limpiador que pueda usarse para producir tales pantallas planas.

Breve compendio de la invención

Las composiciones separadoras y limpiadoras de sustancias fotorresistentes finales de esta invención se proporcionan mediante composiciones no acuosas que son esencialmente no corrosivas para el cobre así como el aluminio y que comprenden un disolvente orgánico polar, una amina hidroxilada y, como un inhibidor de la corrosión, fructosa. Las composiciones de esta invención también pueden contener un número de otros componentes opcionales. Las composiciones de limpieza de esta invención pueden usarse a lo largo de una amplia gama de condiciones de procesamiento/funcionamiento de pH y temperatura, y pueden usarse para retirar eficazmente sustancias fotorresistentes, residuos posteriores al grabado/la calcinación plasmáticos, materiales absorbentes de luz sacrificiales y revestimientos antirreflectantes (ARC, por sus siglas en inglés). Adicionalmente, se ha descubierto que muestras muy difíciles de limpiar, tales como sustancias fotorresistentes altamente reticuladas o endurecidas y estructuras que contienen titanio (tales como titanio, óxido de titanio y nitruro de titanio) o tántalos (tales como tántalo, óxido de tántalo y nitruro de tántalo), pueden limpiarse fácilmente con las composiciones de limpieza de esta invención.

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Las composiciones separadoras/limpiadoras de dispositivos microelectrónicos no acuosas, esencialmente no corrosivas, de esta invención comprenden de aproximadamente 70% a aproximadamente 95% del disolvente orgánico polar, de aproximadamente 1% a aproximadamente 15% de la amina orgánica hidroxilada y una cantidad inhibidora de la corrosión del inhibidor de la corrosión fructosa, generalmente de aproximadamente 0,1% a aproximadamente 15% de la fructosa. Los porcentajes en peso proporcionados en esta memoria descriptiva se basan en el peso total de la composición de limpieza.

Las composiciones de separación/limpieza no acuosas, esencialmente no corrosivas, de esta invención también pueden contener opcionalmente otros componentes compatibles, incluyendo, pero no limitados a, componentes tales como agentes quelantes, codisolventes orgánicos que contienen hidroxilo, agentes estabilizantes y quelantes o complejantes de metales, otros inhibidores de la corrosión de metales, y tensioactivos.

Descripción detallada de la invención y realizaciones preferidas

Las composiciones separadoras y limpiadoras de sustancias fotorresistentes finales de esta invención se proporcionan mediante composiciones no acuosas que son esencialmente no corrosivas para el cobre así como el aluminio y que comprenden un disolvente orgánico polar, una amina orgánica hidroxilada y, como un inhibidor de la corrosión, fructosa. Las composiciones de esta invención también pueden contener un número de otros componentes opcionales.

Las composiciones de limpieza de esta invención pueden usarse a lo largo de una amplia gama de condiciones de procesamiento/funcionamiento de pH y temperatura, y pueden usarse para retirar eficazmente sustancias fotorresistentes, residuos posteriores al grabado/la calcinación plasmáticos, materiales absorbentes de luz sacrificiales y revestimientos antirreflectantes (ARC). Adicionalmente, se ha descubierto que muestras muy difíciles de limpiar, tales como sustancias fotorresistentes altamente reticuladas o endurecidas y estructuras que contienen titanio (tales como titanio, óxido de titanio y nitruro de titanio) o tántalos (tales como tántalo, óxido de tántalo y nitruro de tántalo), pueden limpiarse fácilmente con las composiciones de limpieza de esta invención.

Las composiciones separadoras/limpiadoras de dispositivos microelectrónicos no acuosas, esencialmente no corrosivas, de esta invención comprenden de aproximadamente 70% a aproximadamente 95% del disolvente polar orgánico, de aproximadamente 1% a aproximadamente 15% de la amina hidroxilada orgánica y una cantidad inhibidora de la corrosión del inhibidor de la corrosión fructosa, generalmente de aproximadamente 0,1% a aproximadamente 15% de la fructosa. Los porcentajes en peso proporcionados en esta memoria descriptiva se basan en el peso total de la composición de limpieza.

Las composiciones separadoras/limpiadoras de dispositivos microeléctronicos no acuosas, esencialmente no corrosivas, de esta invención comprenden de aproximadamente 70% a aproximadamente 95%, preferiblemente de aproximadamente 75% a aproximadamente 90%, y más preferiblemente de aproximadamente 80% a aproximadamente 85%, del disolvente orgánico polar; de aproximadamente 1% a aproximadamente 15%, preferiblemente de aproximadamente 3% a aproximadamente 12%, y más preferiblemente de aproximadamente 5% a aproximadamente 10%, de la amina orgánica hidroxilada, y una cantidad inhibidora de la corrosión del inhibidor de la corrosión fructosa, generalmente de aproximadamente 0,1% a aproximadamente 15%, preferiblemente de aproximadamente 1% a aproximadamente 12%, y más preferiblemente de aproximadamente 3% a aproximadamente 10%, de la fructosa. Los porcentajes en peso proporcionados en esta memoria descriptiva se basan en el peso total de la composición de limpieza.

Las composiciones de esta invención contienen uno o más de cualquier disolvente orgánico polar adecuado, preferiblemente disolventes orgánicos polares que incluyen amidas, sulfonas, sulfóxidos, alcoholes saturados y similares. Tales disolventes orgánicos polares incluyen, pero no se limitan a, disolventes orgánicos polares tales como sulfolano (tetrahidrotiofeno-1,l-dióxido), 3-metilsulfolano, n-propilsulfona, dimetilsulfóxido (DMSO), metilsulfona, n-butilsulfona, 3-metilsulfolano, amidas tales como 1-(2-hidroxietil)-2-pirrolidona (HEP), dimetilpiperidona (DMPD), N-metil-2-pirrolidona (NMP), dimetilacetamida (DMAc) y dimetilformamida (DMF) y sus mezclas. Especialmente preferidos como el disolvente orgánico polar son N-metilpirrolidona y sulfolano y mezclas de estos dos disolventes.

El componente de amina orgánica hidroxilada puede ser uno o más de cualquier amina hidroxilada adecuada, preferiblemente hidroxilamina, o una alcanolamina, preferiblemente una alcanolamina. Una amina orgánica hidroxilada adecuada útil en las composiciones de esta invención incluye, pero no se limita a, hidroxilamina, monoetanolamina, dietanolamina, trietanolamina y particularmente 2-aminoetanol, 1-amino-2-propanol, 1-amino-3-propanol, 2-(2-aminoetoxi)etanol, dietanolamina, 2-(2-aminoetilamino)etanol, 2-(2-aminoetilamino)etilamina y similares, y sus mezclas. Lo más preferiblemente, el componente de amina orgánica hidroxilada es monoetanolamina, dietanolamina, trietanolamina y 1-amino-2-propanol y sus mezclas.

Las composiciones de esta invención también pueden contener opcionalmente uno o más de cualquier codisolvente orgánico que contiene hidroxilo adecuado. Cualquier codisolvente orgánico que contiene hidroxilo adecuado puede emplearse en las composiciones de esta invención. Ejemplos de tales codisolventes orgánicos que contienen hidroxilo adecuados incluyen, pero no se limitan a, etilenglicol, propilenglicol, glicerol y éteres mono- y di-alquílicos de dietilenglicol, conocidos como Carbitol (2-(2-etoxietoxi)etanol) y derivados de Carbitol, y alcoholes saturados tales como etanol, propanol, butanol, hexanol y hexafluoroisopropanol y sus mezclas. Especialmente preferido como un codisolvente es el 2-(2-etoxietoxi)etanol (Carbitol). Un codisolvente puede estar presente en las composiciones de esta invención en una cantidad, basada en el peso total de la composición, de 0 a aproximadamente 30% en peso, preferiblemente de aproximadamente 0,1 a aproximadamente 25% en peso, lo más preferiblemente de aproximadamente 0,5 a aproximadamente 20% en peso.

Las composiciones de esta invención también pueden contener uno o más de cualesquiera otros agentes inhibidores de la corrosión adecuados, preferiblemente compuestos arílicos que contienen dos o más grupos OH, OR_{6} y/o SO_{2}R_{6}R_{7} unidos directamente al anillo aromático, donde R_{6}, R_{7} y R_{8} son cada uno independientemente alquilo, preferiblemente alquilo de 1 a 6 átomos de carbono, o arilo, preferiblemente arilo de 6 a 14 átomos de carbono. Como ejemplos de tales agentes inhibidores de la corrosión preferidos pueden mencionarse catecol, pirogalol, ácido gálico, resorcinol y similares. Tales otros agentes inhibidores de la corrosión pueden estar presentes en una cantidad de 0 a aproximadamente 15% en peso, preferiblemente de aproximadamente 0,1 a aproximadamente 10% en peso, lo más preferiblemente de aproximadamente 0,5 a aproximadamente 5% en peso.

No se requieren agentes inorgánicos quelantes o complejantes de metales, pero ofrecen beneficios sustanciales, tales como, por ejemplo, una estabilidad del producto mejorada. Uno o más de tales agentes inorgánicos quelantes o complejantes de metales pueden emplearse en las composiciones de esta invención. Ejemplos de agentes quelantes o complejantes adecuados incluyen, pero no se limitan a, ácido trans-1,2-ciclohexanodiaminotetraacético (CyDTA), ácido etilendiaminotetraacético (EDTA), estannatos, pirofosfatos, derivados de ácidos alquilidendifosfónicos (p. ej. etano-l-hidroxi-l,1-difosfonato), fosfonatos que contienen restos funcionales etilendiamina, dietilentriamina o trietilentetramina [p. ej. etilendiaminotetra(ácido metilenfosfónico) (EDTMP), dietilentriaminopenta(ácido metilenfosfónico) y trietilentetraminohexa(ácido metilenfosfónico)] y sus mezclas. El agente quelante estará presente en la composición en una cantidad de 0 a aproximadamente 5% en peso, preferiblemente de aproximadamente 0,1 a aproximadamente 2% en peso. Los agentes quelantes o complejantes de metales de diversos fosfonatos, tales como etilendiaminotetra(ácido metilenfosfónico) (EDTMP) ofrecen una estabilización muy mejorada de las composiciones de limpieza de esta invención que contienen agentes oxidantes en condiciones ácidas y alcalinas y así se prefieren generalmente.

Opcional: otros inhibidores de la corrosión de metales, tales como benzotriazol, pueden emplearse en una cantidad de 0 a aproximadamente 5% en peso, preferiblemente de aproximadamente 0,1 a 2% en peso.

Opcionalmente, las composiciones de limpieza también pueden contener uno o más tensioactivos adecuados, tales como, por ejemplo, dimetilhexinol (Surfynol-61), tetrametildecinodiol etoxilado (Surfynol-465), politetrafluoroetilencetoxipropilbetaína (Zonyl FSK), Zonyl FSH y similares. El tensioactivo estará presente generalmente en una cantidad de 0 a aproximadamente 5% en peso, preferiblemente 0,1 a aproximadamente 3% en peso.

Ejemplos de composiciones de limpieza de esta invención incluyen, pero no se limitan a, las composiciones indicadas en las siguientes Tablas 1, 2 y 3. En las Tablas 1, 2 y 3 y las Tablas siguientes, las abreviaturas empleadas son como sigue:

NMP: = N-metilpirrolidinona

SFL: = sulfolano

DMSO: = dimetilsulfóxido

DMAC: = dimetilacetamida

DMF: = dimetilformamida

EG: = etilenglicol

CAR: = carbitol

TEA: = trietanolamina

MEA: = monoetanolamina

AMP: = 1-amino-2-propanol

FRT: = fructosa

TABLA 1

1

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TABLA 2

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TABLA 3

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Los resultados anticorrosión obtenidos con las composiciones de limpieza que contienen fructosa de esta invención se obtienen mediante los siguientes resultados de prueba para composiciones que contienen fructosa de esta invención y los resultados de prueba comparativos para otros sacáridos.

Un trozo de microplaqueta de silicio revestida con cobre (aproximadamente 20 x 20 mm) se preparó para el experimento. El trozo se limpió en una solución de grabado de óxido tamponado (que contiene 35% p/p de NH_{4}F y 6% p/p de HF) durante 1 minuto, seguido por enjuague en agua desionizada durante 1 minuto, y se secó en aerosol de nitrógeno. A continuación, el trozo de microplaqueta se sumergió en un vaso de precipitados de 150 ml que tenía 100 g de solución de prueba y la solución se calentó a 60ºC, se agitó con un agitador magnético a 200 rpm y, 60 minutos más tarde, el trozo se retiró de la solución de prueba, se enjuagó con agua desionizada durante 1 minuto y a continuación se secó con aerosol de nitrógeno. El grosor de la capa de cobre (antes y después del experimento) se determinó mediante el sistema de sonda de 4 puntos ResMap (fabricado por Creative Design Engineering, Sunnyvale, CA).

Para el experimento de retirada de sustancias fotorresistentes, se usaron las mismas soluciones de prueba a la misma temperatura (60ºC) con la misma velocidad de agitación (200 rpm). Un trozo de vidrio que tenía una capa fotorresistente positiva (alrededor de 1000 angstroms) se sumergió en la solución de prueba y se midió el tiempo requerido para que todo el protector se retirara.

Las soluciones de prueba (composiciones de limpieza) eran la Composición de la invención 6 de la Tabla 2 y composiciones comparativas en las que las 5,00 partes de fructosa de la Composición 6 se reemplazaban por 5,00 partes de sacarosa (Composición Comparativa A), 5,00 partes de glucosa (Composición Comparativa B) y 5,00 partes de galactosa (Composición Comparativa C). Los resultados de estas pruebas de velocidad de grabado y retirada de sustancia fotorresistente para las composiciones eran como se indica en la Tabla 4.

TABLA 4

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Claims

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1. Una composición de limpieza no acuosa para limpiar una sustancia fotorresistente, residuos posteriores al grabado y la calcinación plasmáticos, materiales absorbentes de luz sacrificiales o revestimientos antirreflectantes de sustratos microelectrónicas, comprendiendo dicha composición de limpieza: de aproximadamente 70% en peso a aproximadamente 95% en peso de un disolvente orgánico polar, de aproximadamente 1% en peso a aproximadamente 15% en peso de una amina orgánica hidroxilada, una cantidad inhibidora de la corrosión del inhibidor de la corrosión fructosa y opcionalmente uno o más de los siguientes componentes:

un codisolvente orgánico que contiene hidroxilo;

un agente quelante o complejante de metales;

otro agente inhibidor de la corrosión de metales; y

un tensioactivo;

en la que los porcentajes en peso se basan en el peso total de la composición de limpieza.
2. La composición de limpieza de acuerdo con la reivindicación 1, en la que la fructosa está presente en la composición en una cantidad de aproximadamente 0,1% en peso a aproximadamente 15% en peso de la fructosa, basado en el peso total de la composición.
3. La composición de limpieza de acuerdo con la reivindicación 1, en la que el disolvente orgánico polar se selecciona del grupo que consiste en: sulfolano, 3-metilsulfolano, n-propilsulfona, dimetilsulfóxido, metilsulfona, n-butilsulfona, sulfoleno, 3-metilsulfolano, 1-(2-hidroxietil)-2-pirrolidona (HEP), dimetilpiperidona, N-metil-2-pirrolidona, dimetilacetamida y dimetilformamida y sus mezclas.
4. La composición de limpieza de acuerdo con la reivindicación 1, en la que la amina hidroxilada se selecciona del grupo que consiste en hidroxilamina y alcanolaminas.
5. La composición de limpieza de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en la que la amina orgánica hidroxilada se selecciona del grupo que consiste en hidroxilamina, monoetanolamina, dietanolamina, trietanolamina, 2-aminoetanol, 1-amino-2-propanol, 1-amino-3-propanol, 2-(2-aminoetoxi)etanol, dietanolamina, 2-(2-aminoetilamino)etanol y 2-(2-aminoetilamino)etilamina y sus mezclas.
6. Una composición de limpieza de acuerdo con las reivindicaciones 3-5, en la que un codisolvente orgánico que contiene hidroxilo está presente y se selecciona del grupo que consiste en etilenglicol, propilenglicol, glicerol, éteres mono- y di-alquílicos de dietilenglicol, etanol, propanol, butanol, hexanol y hexafluoroisopropanol.
7. Una composición de limpieza de acuerdo con la reivindicación 1, en la que el agente quelante o complejante de metales está presente en la composición y se selecciona del grupo que consiste en ácido trans-1,2-ciclohexanodiaminotetraacético, ácido etilendiaminotetraacético, estannatos, pirofosfatos, derivados de ácidos alquilidendifosfónicos, etilendiaminotetra(ácido metilenfosfónico), dietilentriaminopenta(ácido metilenfosfónico) y trietilentetraminohexa(ácido metilenfosfónico).
8. Una composición de limpieza de acuerdo con la reivindicación 1, en la que el otro agente inhibidor de la corrosión de metales está presente y es un compuesto arílico que contiene dos o más restos seleccionados del grupo que consiste en restos OH, OR_{6} y/o SO_{2}R_{6}R_{7} unidos directamente al anillo aromático, donde R_{6}, R_{7} y R_{8} son cada uno independientemente alquilo de 1 a 6 átomos de carbono o arilo de 6 a 14 átomos de carbono.
9. Una composición de limpieza de acuerdo con la reivindicación 1, en la que el disolvente orgánico polar se selecciona del grupo que consiste en N-metilpirrolidona, sulfolano y sus mezclas, la amina hidroxilada se selecciona del grupo que consiste en monoetanolamina, trietanolamina y aminopropanol y sus mezclas.
10. Una composición de limpieza de acuerdo con la reivindicación 9, que comprende adicionalmente 2-(2-etoxietoxi)etanol como un codisolvente orgánico que contiene hidroxilo.
11. Una composición de limpieza de acuerdo con la reivindicación 1, que comprende N-metilpirrolidona, sulfolano, monoetanolamina y fructosa.
12. Un procedimiento para limpiar una sustancia fotorresistente, residuos posteriores al grabado y la calcinación plasmáticos, materiales absorbentes de luz sacrificiales o revestimientos antirreflectantes de un sustrato microelectrónico, comprendiendo el procedimiento poner en contacto el sustrato con una composición de limpieza durante un tiempo suficiente para limpiar la sustancia fotorresistente o el residuo del sustrato, en el que la composición de limpieza comprende una composición de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1-11.
13. Un procedimiento de acuerdo con la reivindicación 12, en el que el sustrato microelectrónica que ha de limpiarse se caracteriza por la presencia de metalización con cobre.
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