CN101187788A - 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 12
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 49
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 15
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 15
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 9
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N Propyl gallate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 claims description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002989 phenols Chemical group 0.000 claims description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims description 2
- FNJSWIPFHMKRAT-UHFFFAOYSA-N Monomethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O FNJSWIPFHMKRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229960004050 aminobenzoic acid Drugs 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- PUTCXBJUWNRWJH-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-3,5-diene-1,1,2-triol Chemical compound OC1C=CC=CC1(O)O PUTCXBJUWNRWJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- PKHMTIRCAFTBDS-UHFFFAOYSA-N hexanoyl hexanoate Chemical compound CCCCCC(=O)OC(=O)CCCCC PKHMTIRCAFTBDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LZXXNPOYQCLXRS-UHFFFAOYSA-N methyl 4-aminobenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=C(N)C=C1 LZXXNPOYQCLXRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FTDXCHCAMNRNNY-UHFFFAOYSA-N phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1.OC1=CC=CC=C1 FTDXCHCAMNRNNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960003742 phenol Drugs 0.000 claims description 2
- 150000003008 phosphonic acid esters Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000010388 propyl gallate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 abstract 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- -1 diethylene glycol monoalky lether Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/06—Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/261—Alcohols; Phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
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Abstract
本发明公开了一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。本发明的清洗液可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，尤其适用于较厚(厚度大于100微米)光刻胶的清洗，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液。
背景技术
在通常的半导体制造工艺中，通过在二氧化硅、Cu(铜)等金属以及低k材料等表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后利用湿法或干法刻蚀进行图形转移。在晶圆微球植入工艺(bumping technology)中，也需要光阻材料(光刻胶)形成掩膜，该掩膜在微球成功植入后同样需要去除，但由于该光刻胶较厚，完全去除常较为困难。改善去除效果较为常用的方法是采用延长浸泡时间、提高浸泡温度和采用更富有攻击性的溶液，但这常会造成晶片基材的腐蚀和微球的腐蚀，从而导致晶片良率的显著降低。
因此，这一问题亟待解决。专利文献WO2006/056298A1利用由四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)，乙二醇(EG)和水组成碱性清洗剂，用于清洗50～100微米厚的光刻胶，同时对金属铜基本无腐蚀。专利文献US2204/0074519A1利用由苄基三甲基氢氧化铵(BTMAH)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙二醇(EG)、腐蚀抑制剂、表面活性剂和稳定剂组成碱性清洗剂，用于清洗厚的负性光刻胶。专利文献US6040117利用由TMAH、二甲基亚砜(DMSO)、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水等组成碱性清洗剂，将晶片进入该清洗剂中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的厚膜光刻胶。
US5962197利用丙二醇醚、吡咯烷酮、KOH和表面活性剂及微量的水组成碱性清洗剂用于清洗光刻胶。US5529887利用二乙二醇单烷基醚、乙二醇单烷基醚，碱金属氢氧化物和水及水溶性氟化物组成碱性清洗剂用于清洗光刻胶。
发明内容
本发明的目的是公开一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液。
本发明的清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。
本发明中，所述的氢氧化钾的含量较佳的是质量百分比0.1-10％，更佳的是质量百分比0.1-3％；所述的二甲基亚砜的含量较佳的是质量百分比20-98.8％，更佳的是质量百分比50-98.4％；所述的苯甲醇的含量较佳的是质量百分比1-50％，更佳的是质量百分比1-30％；所述的乙醇胺的含量较佳的是质量百分比0.1-50％，更佳的是质量百分比0.5-30％。
本发明中，所述的清洗液还可含有金属缓蚀剂。所述的金属缓蚀剂的含量较佳的是质量百分比0-10％，更佳的是质量百分比0-3％。
本发明中，所述的金属缓蚀剂较佳的选自酚类，羧酸、羧酸酯类，2-巰基苯并噻唑类，苯并三氮唑类，酸酐类或膦酸、膦酸酯类缓蚀剂。
其中，所述的酚类较佳的为苯酚、1，2-二羟基苯酚、对羟基苯酚或连苯三酚；所述的羧酸、羧酸酯类较佳的为苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯甲酸甲酯、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸甲酯、没食子酸或没食子酸丙酯；所述的酸酐类较佳的为乙酸酐、己酸酐马来酸酐或聚马来酸酐；所述的磷酸、磷酸酯类较佳的为1，3-(羟乙基)-2，4，6-三膦酸。其中，优选的金属缓蚀剂为苯并三氮唑(BTA)和2-巰基苯并噻唑(MBT)。
本发明的清洗液由上面所述组分简单均匀混合即可制得。
本发明的积极进步效果在于：本发明的低蚀刻性较厚光刻胶清洗液含有苯甲醇和乙醇胺。苯甲醇可作为溶剂溶解氢氧化钾，同时对金属铜有较好的保护作用；乙醇胺可在对金属微球和金属微球下面的金属(UBM)表面形成一层保护膜，从而降低基材的腐蚀。本发明的清洗液可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，尤其适用于较厚(厚度大于100微米)光刻胶的清洗，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例1～19低蚀刻性较厚光刻胶清洗液
表1给出了低蚀刻性较厚光刻胶清洗液实施例1～19的组成配方，按表中配方简单均匀混合各组分即可制得清洗液。
表1低蚀刻性较厚光刻胶清洗液实施例1～19
效果实施例1
表2给出了对比清洗液1～2和清洗液1～4的组分和含量。
表2 对比清洗液1～2和清洗液1～4的组分和含量
按表2的配方，将各组分均匀混合制得各清洗液。对比清洗液1不能形成均匀的溶液，说明KOH在二甲亚砜中的溶解度较小。对比清洗液2表明，加入苯甲醇能提高KOH在体系中的溶解度，能形成均匀的溶液。
将含有厚度为120um的光刻胶的半导体晶片分别浸入对比清洗液2和清洗液1～4浸泡之后，取出在高纯氮气下吹干。实验条件及测定的各清洗液的清洗效果如表3所示。
表3对比清洗液2和清洗液1～4对晶圆的清洗效果
| 清洗液 | 清洗温度/℃ | 清洗时间/min | 光刻胶去除效果 | 铜的腐蚀情况 | 金属微球腐蚀情况 |
| 对比2 | 65 | 120 | 完全去除 | 受到抑制 | 有腐蚀 |
| 1 | 65 | 120 | 完全去除 | 受到抑制，略差于对比清洗液2 | 受到抑制 |
| 2 | 65 | 120 | 完全去除 | 受到抑制 | 受到抑制 |
| 3 | 65 | 120 | 完全去除 | 进一步受到抑制 | 受到抑制 |
| 4 | 45 | 120 | 完全去除 | 进一步受到抑制 | 受到抑制 |
由表3可以看出，在碱(氢氧化钾)的存在下，未加入乙醇胺的情况下，金属微球的腐蚀较重(对比清洗液2)。加入乙醇胺后，金属微球腐蚀情况明显得到抑制(清洗液1～4)。这表明乙醇胺对金属微球具有腐蚀抑制作用。但乙醇胺的加入会引起Cu的腐蚀的加大(清洗液1)，故需在KOH、乙醇胺与苯甲醇的用量上作适当平衡(清洗液2～3)。
综上所述，本发明的低蚀刻性较厚光刻胶清洗液对较厚(厚度大于100微米)光刻胶有显著的清洗效果，且对金属铜有较好的保护作用；对金属微球具有明显的腐蚀抑制作用。
本发明所使用的原料和试剂均为市售产品。
Claims (17)
1.一种低蚀刻性较厚光刻胶清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。
2.根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的氢氧化钾的含量是质量百分比0.1-10％。
3.根据权利要求2所述的清洗液，其特征在于：所述的氢氧化钾的含量是质量百分比0.1-3％。
4.根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的二甲基亚砜的含量是质量百分比20-98.8％。
5.根据权利要求4所述的清洗液，其特征在于：所述的二甲基亚砜的含量是质量百分比50-98.4％。
6.根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的苯甲醇的含量是质量百分比1-50％。
7.根据权利要求6所述的清洗液，其特征在于：所述的苯甲醇的含量是质量百分比1-30％。
8.根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的乙醇胺的含量是质量百分比0.1-50％。
9.根据权利要求8所述的清洗液，其特征在于：所述的乙醇胺的含量是质量百分比0.5-30％。
10.根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液还含有金属缓蚀剂。
11.根据权利要求10所述的清洗液，其特征在于：所述的金属缓蚀剂的含量为质量百分比0-10％。
12.根据权利要求11所述的清洗液，其特征在于：所述的金属缓蚀剂的含量为质量百分比0-3％。
13.根据权利要求10所述的清洗液，其特征在于：所述的金属缓蚀剂选自酚类，羧酸、羧酸酯类，2-巰基苯并噻唑类，苯并三氮唑类，酸酐类或膦酸、膦酸酯类缓蚀剂。
14.根据权利要求13所述的清洗液，其特征在于：所述的酚类为苯酚、1，2-二羟基苯酚、对羟基苯酚或连苯三酚。
15.根据权利要求13所述的清洗液，其特征在于：所述的羧酸、羧酸酯类为苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯甲酸甲酯、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸甲酯、没食子酸或没食子酸丙酯。
16.根据权利要求13所述的清洗液，其特征在于：所述的酸酐类为乙酸酐、己酸酐、马来酸酐或聚马来酸酐。
17.根据权利要求13所述的清洗液，其特征在于：所述的磷酸、磷酸酯类为1，3-(羟乙基)-2，4，6-三膦酸。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2006101184652A CN101187788A (zh) | 2006-11-17 | 2006-11-17 | 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 |
| CN2007800375443A CN101522879B (zh) | 2006-11-17 | 2007-11-12 | 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 |
| PCT/CN2007/003198 WO2008058460A1 (fr) | 2006-11-17 | 2007-11-12 | Solution de nettoyage à faible capacité de morsure pour photorésine plus épaisse |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2006101184652A CN101187788A (zh) | 2006-11-17 | 2006-11-17 | 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101187788A true CN101187788A (zh) | 2008-05-28 |
Family
ID=39401319
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2006101184652A Pending CN101187788A (zh) | 2006-11-17 | 2006-11-17 | 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 |
| CN2007800375443A Active CN101522879B (zh) | 2006-11-17 | 2007-11-12 | 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007800375443A Active CN101522879B (zh) | 2006-11-17 | 2007-11-12 | 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN101187788A (zh) |
| WO (1) | WO2008058460A1 (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2009155782A1 (zh) * | 2008-06-27 | 2009-12-30 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种光刻胶清洗剂 |
| CN102096345A (zh) * | 2009-12-11 | 2011-06-15 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种厚膜光刻胶清洗液及其清洗方法 |
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| CN101685273B (zh) * | 2008-09-26 | 2014-06-04 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种去除光阻层残留物的清洗液 |
| CN107229191A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 达兴材料股份有限公司 | 光致抗蚀剂脱除组合物及利用其的电子元件的制造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105467782A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-04-06 | 吴来友 | 一种去胶液及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62227153A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Oji Paper Co Ltd | Ｐｓ版用画像消去液 |
| GB2369687B (en) * | 1997-11-21 | 2002-10-09 | Samsung Electronics Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor devices |
| US6130192A (en) * | 1999-08-04 | 2000-10-10 | Napier International Technologies, Inc. | Paint stripper and cleaning compositions |
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-
2006
- 2006-11-17 CN CNA2006101184652A patent/CN101187788A/zh active Pending
-
2007
- 2007-11-12 CN CN2007800375443A patent/CN101522879B/zh active Active
- 2007-11-12 WO PCT/CN2007/003198 patent/WO2008058460A1/zh active Application Filing
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| CN101685273B (zh) * | 2008-09-26 | 2014-06-04 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种去除光阻层残留物的清洗液 |
| CN102096345A (zh) * | 2009-12-11 | 2011-06-15 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种厚膜光刻胶清洗液及其清洗方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008058460A1 (fr) | 2008-05-22 |
| CN101522879B (zh) | 2011-02-09 |
| CN101522879A (zh) | 2009-09-02 |
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