CN101663620B - 低蚀刻性光刻胶清洗剂 - Google Patents

低蚀刻性光刻胶清洗剂 Download PDF

Info

Publication number
CN101663620B
CN101663620B CN200880011243.8A CN200880011243A CN101663620B CN 101663620 B CN101663620 B CN 101663620B CN 200880011243 A CN200880011243 A CN 200880011243A CN 101663620 B CN101663620 B CN 101663620B
Authority
CN
China
Prior art keywords
clean
out system
mass percent
content
ether
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200880011243.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101663620A (zh
Inventor
史永涛
彭洪修
刘兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Anji Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd filed Critical Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN200880011243.8A priority Critical patent/CN101663620B/zh
Publication of CN101663620A publication Critical patent/CN101663620A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101663620B publication Critical patent/CN101663620B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

一种低蚀刻性光刻胶清洗剂包括：苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和二甲基亚砜。该清洗剂可用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物。

Description

低蚀刻性光刻胶清洗剂
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺中一种清洗剂，具体的涉及一种光刻胶清洗液剂。
技术背景
在通常的半导体制造工艺中，通过在二氧化硅、铜等金属以及低k材料等表面上形成光刻胶的掩模，曝光后利用湿法或干法刻蚀进行图形转移。低温快速的清洗工艺是半导体晶片制造工艺发展的重要方向。在对半导体晶片上的光刻胶进行化学清洗的过程中，清洗剂常会对晶片基材造成严重的腐蚀，尤其是金属基材的腐蚀，这往往导致晶片良率的显著降低。现有技术已公开的光刻胶清洗剂或多或少地均存在清洗效果不佳或晶片基材腐蚀的问题。
专利文献W003104901公开了一种碱性清洗剂，其含有四甲基氢氧化铵(TMAH)、环丁砜(SFL)、水和反-1，2-环己烷二胺四乙酸(CyDTA)。其使用方法为，将晶片浸入该清洗剂中，在50～70℃下浸没20～30min，以除去金属和电介质基材上的光刻胶。该光刻胶清洗液对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片的光刻胶，清洗能力不足。
专利文献WO04059700公开了一种碱性清洗剂，其含有四甲基氢氧化铵(TMAH)、N-甲基吗啡啉-N-氧化物(MO)、水和2-巯基苯并咪唑(MBI)。其使用方法为，将晶片浸入该清洗剂中，在70℃下浸没15～60min，除去金属和电介质基材上的光刻胶。该清洗剂的使用温度较高，且清洗速度相对较慢，不利于提高半导体晶片的清洗效率。
专利文献JP1998239865公开了一种碱性清洗剂，其含有四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。其使用方法为，将晶片浸入该清洗剂中，在50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的厚膜光刻胶。该清洗剂较高的使用温度会造成半导体晶片基材的腐蚀。
专利文献JP2001215736公开了一种碱性清洗剂，其含有四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、乙二醇(EG)和水。其使用方法为，将晶片浸入该清洗剂中，在50～70℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶。其较高的清洗温度会造成半导体晶片基材的腐蚀。
专利文献JP200493678公开了一种碱性清洗剂，其含有四甲基氢氧化铵(TMAH)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、水或甲醇等。其使用方法为，将晶片浸入该清洗剂中，在25～85℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶。该清洗剂随着清洗温度的升高对半导体晶片基材的腐蚀明显增强。
发明概要
本发明的目的是为了解决光刻胶清洗工艺中现有清洗剂清洗效果不佳或对基材腐蚀性较强的问题，提供一种既具有较高的清洗功效，同时对晶片基材具有低蚀刻性的光刻胶清洗剂。
本发明的清洗剂含有：苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和二甲基亚砜。
其中，所述的苯甲醇和/或其衍生物的含量较佳的为质量百分比0.01～98.99％，更佳的为质量百分比5～50％；所述的季铵氢氧化物的含量较佳的为质量百分比0.01～15％，更佳的为质量百分比0.5～10％；所述的二甲基亚砜的含量较佳的为质量百分比1～99.98％，更佳的为质量百分比60～95％。
其中，所述的苯甲醇和/或其衍生物较佳的选自苯甲醇(BA)、二苯甲醇、三苯甲醇、邻氨基苯甲醇、对氨基苯甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、间甲氧基苯甲醇、对甲氧基苯甲醇、苄氧基苯甲醇和二苄氧基苯甲醇中的一种或多种。苯甲醇或其衍生物能够在晶片基材表面形成一层保护膜，阻止卤素原子、氢氧根离子等对基材的攻击，从而降低对基材的腐蚀。
其中，所述的季铵氢氧化物较佳的选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。
本发明中，所述的清洗剂还可含有极性有机共溶剂、水、表面活性剂和缓蚀剂中的一种或多种。
其中，极性有机共溶剂的含量为小于或等于质量百分比98.98％，较佳的为质量百分比10～50％；水的含量较佳的为小于或等于质量百分比95％，更佳的为质量百分比0.5～25％；表面活性剂的含量较佳的为小于或等于质量百分比10％，更佳的为质量百分比0.05～5％；缓蚀剂的含量较佳的为小于或等于质量百分比15％，更佳的为质量百分比0.05～5％。
其中，所述的极性有机共溶剂较佳的为亚砜、砜、咪唑烷酮和烷基二醇单烷基醚中的一种或多种。所述的亚砜较佳的为二乙基亚砜或甲乙基亚砜；所述的砜较佳的为甲基砜、乙基砜或环丁砜；所述的咪唑烷酮较佳的为2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮或1，3-二乙基-2-咪唑烷酮；所述的烷基二醇单烷基醚较佳的为乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚(DEGME)、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚或二丙二醇单丁醚。
所述的表面活性剂为聚丙烯酸(PAA)、聚乙烯醇(PVG)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚氧乙烯醚(POE)和聚硅氧烷(POS)中的一种或多种。
所述的缓蚀剂为胺类、酚类、唑类、羧酸类、羧酸酯类、聚烷基酯类、多羟基脂类、酸酐类、膦酸类和膦酸酯类缓蚀剂中的一种或多种。所述的胺类较佳的为一乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺、羟乙基乙二胺(AEEA)或氨基乙基哌嗪(AEP)；所述的酚类较佳的为对羟基苯酚、邻苯二酚或连苯三酚；所述的唑类较佳的为苯并三氮唑(BTA)、甲基苯并三氮唑(TTA)、苯并三氮唑三乙醇胺盐、1-苯基-5-巯基四氮唑(PMTA)、2-巯基苯并咪唑(MBI)、2-巯基苯并噻唑(MBT)、2-巯基苯并噁唑(MBO)、二巯基噻二唑(DMTDA)或2-氨基-5-巯基-1，3，4-噻二唑(AMTDA)；所述的羧酸类较佳的为苯甲酸、对氨基苯甲酸、邻苯二甲酸(PA)、海藻酸或没食子酸(GA)；所述的羧酸酯类较佳的为没食子酸丙酯；所述的聚烷基酯类较佳的为含羧基的聚己内酯或含羧基的聚丙交酯；所述的多羟基脂类较佳的为葡萄糖或琼脂；所述的酸酐类较佳的为丙酸酐、己酸酐、马来酸酐或聚马来酸酐；所述的膦酸类较佳的为1，3-(羟乙基)-2，4，6-三膦酸(HEDPA)、氨基三亚甲基膦酸(ATMP)或2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸(PBTCA)。
本发明的低蚀刻性光刻胶清洗剂由上面所述组分简单混合即可制得。本发明所用试剂及原料均市售可得。本发明的低蚀刻性光刻胶清洗剂可在较大的温度范围内使用，一般室温至85℃之间。清洗方法可参照如下步骤：将含有光刻胶的半导体晶片浸入清洗剂中，在室温至85℃下利用恒温振荡器缓慢振荡，然后经去离子水洗涤后用高纯氮气吹干。若清洗温度高于45℃，应先用异丙醇洗涤晶片再用去离子水洗涤。
本发明的积极进步效果在于：本发明的低蚀刻性光刻胶清洗剂使用温度范围较大，可迅速除去金属、金属合金或电介质基材上20μm以上厚度的的光刻胶(光阻)和其它残留物，同时对于二氧化硅、铜等金属和低k材料等具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
发明内容
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例1～32
表1给出了本发明的低蚀刻性光刻胶清洗剂实施例1～32，按表中所给配方将各组分简单混合均匀即可使用。
表1  低蚀刻性光刻胶实施例1～32
Figure GPA00000702842400051
Figure GPA00000702842400061
Figure GPA00000702842400081
效果实施例
表2给出了对比清洗剂1和本发明的低蚀刻性光刻胶清洗剂1～8的配方，按表2中所列组分及其含量，简单混合均匀，即制得各清洗剂。
表2  对比清洗剂1和本发明清洗剂1～8
Figure GPA00000702842400091
将表2中对比清洗剂1和本发明清洗剂1～8用于清洗空白Cu晶片，测定其对于金属Cu的蚀刻速率。测试方法和条件：将4×4cm空白Cu晶片浸入清洗剂，在室温至85℃下利用恒温振荡器缓慢振荡30分钟，然后经去离子水洗涤后用高纯氮气吹干。若清洗温度高于45℃，先用异丙醇洗涤晶片再用去离子水洗涤。利用四极探针仪测定空白Cu晶片清洗前后表面电阻的变化计算得到，结果如表3所示。
将表2中对比清洗剂1和本发明清洗剂1～8用于清洗空白的四乙氧基硅烷(TEOS)晶片，测定其对于非金属TEOS的蚀刻速率。测试方法和条件：将4×4cm空白TEOS晶片浸入清洗剂，在室温至85℃下利用恒温振荡器缓慢振荡30分钟，然后经去离子水洗涤后用高纯氮气吹干。若清洗温度高于45℃，先用异丙醇洗涤晶片再用去离子水洗涤。利用Nanospec6100测厚仪测定空白TEOS晶片清洗前后TEOS厚度的变化计算得到，结果如表3所示。
表3对比清洗剂1和本发明的低蚀刻性清洗剂1～8对空白
Cu晶片和空白TEOS晶片的蚀刻速率及其对光刻胶的清洗效果
Figure GPA00000702842400101
由表3结果显示，与对比清洗剂1相比，本发明的低蚀刻性清洗剂1～8具有良好的清洗效力，且对于金属Cu和非金属TEOS表现出低蚀刻性。

Claims (13)

1.一种低蚀刻性光刻胶清洗剂，其特征在于含有：苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和二甲基亚砜，所述的苯甲醇和/或其衍生物选自苯甲醇、二苯甲醇、三苯甲醇、邻氨基苯甲醇、对氨基苯甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、间甲氧基苯甲醇、对甲氧基苯甲醇、苄氧基苯甲醇和二苄氧基苯甲醇中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于：所述的苯甲醇和/或其衍生物的含量为质量百分比0.01～98.99％。
3.如权利要求2所述的清洗剂，其特征在于：所述的苯甲醇和/或其衍生物的含量为质量百分比5～50％。
4.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于：所述的季铵氢氧化物的含量为质量百分比0.01～15％。
5.如权利要求4所述的清洗剂，其特征在于：所述的季铵氢氧化物的含量为质量百分比0.5～10％。
6.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于：所述的季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于：所述的二甲基亚砜的含量为质量百分比1～99.98％。
8.如权利要求7所述的清洗剂，其特征在于：所述的二甲基亚砜的含量为质量百分比60～95％。
9.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于：所述的清洗剂还含有极性有机共溶剂、水、表面活性剂和缓蚀剂中的一种或多种。
10.如权利要求9所述的清洗剂，其特征在于：所述的极性有机共溶剂的含量为小于或等于质量百分比98.98％；水的含量为小于或等于质量百分比95％；表面活性剂的含量为小于或等于质量百分比10％；缓蚀剂的含量为小于或等于质量百分比15％。
11.如权利要求10所述的清洗剂，其特征在于：所述的极性有机共溶剂的含量为质量百分比10～50％；所述的水的含量为质量百分比0.5～25％；所述的表面活性剂的含量为质量百分比0.05～5％；所述的缓蚀剂含量为质量百分比0.05～5％。
12.如权利要求9所述的清洗剂，其特征在于：所述的极性有机共溶剂为亚砜、砜、咪唑烷酮和烷基二醇单烷基醚中的一种或多种；所述的表面活性剂为聚丙烯酸、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧乙烯醚和聚硅氧烷中的一种或多种；所述的缓蚀剂为胺类、酚类、唑类、羧酸类、羧酸酯类、聚烷基酯类、多羟基脂类、酸酐类、膦酸类和膦酸酯类缓蚀剂中的一种或多种。
13.如权利要求12所述的清洗剂，其特征在于：所述的亚砜为二乙基亚砜或甲乙基亚砜；所述的砜为甲基砜、乙基砜或环丁砜；所述的咪唑烷酮为2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮或1，3-二乙基-2-咪唑烷酮；所述的烷基二醇单烷基醚为乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚或二丙二醇单丁醚；所述的胺类为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺、羟乙基乙二胺或氨基乙基哌嗪；所述的酚类为对羟基苯酚、邻苯二酚或连苯三酚；所述的唑类为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑三乙醇胺盐、1-苯基-5-巯基四氮唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噁唑、二巯基噻二唑或2-氨基-5-巯基-1，3，4-噻二唑；所述的羧酸类为苯甲酸、对氨基苯甲酸、邻苯二甲酸、海藻酸或没食子酸；所述的羧酸酯类为没食子酸丙酯；所述的聚烷基酯类为含羧基的聚己内酯或含羧基的聚丙交酯；所述的多羟基脂类为葡萄糖或琼脂；所述的酸酐类为丙酸酐、己酸酐、马来酸酐或聚马来酸酐；所述的膦酸类为1，3-(羟乙基)-2，4，6-三膦酸、氨基三亚甲基膦酸或2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸。
CN200880011243.8A 2007-04-13 2008-04-03 低蚀刻性光刻胶清洗剂 Expired - Fee Related CN101663620B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200880011243.8A CN101663620B (zh) 2007-04-13 2008-04-03 低蚀刻性光刻胶清洗剂

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2007100394817A CN101286016A (zh) 2007-04-13 2007-04-13 低蚀刻性光刻胶清洗剂
CN200710039481.7 2007-04-13
CN200880011243.8A CN101663620B (zh) 2007-04-13 2008-04-03 低蚀刻性光刻胶清洗剂
PCT/CN2008/000684 WO2008125003A1 (fr) 2007-04-13 2008-04-03 Composition nettoyante à faible attaque chimique destinée à retirer une couche de réserve

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101663620A CN101663620A (zh) 2010-03-03
CN101663620B true CN101663620B (zh) 2013-07-03

Family

ID=39863241

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100394817A Pending CN101286016A (zh) 2007-04-13 2007-04-13 低蚀刻性光刻胶清洗剂
CN200880011243.8A Expired - Fee Related CN101663620B (zh) 2007-04-13 2008-04-03 低蚀刻性光刻胶清洗剂

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100394817A Pending CN101286016A (zh) 2007-04-13 2007-04-13 低蚀刻性光刻胶清洗剂

Country Status (2)

Country Link
CN (2) CN101286016A (zh)
WO (1) WO2008125003A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4673935B2 (ja) * 2008-12-26 2011-04-20 神戸天然物化学株式会社 低含水量のフォトレジスト剥離液用濃縮液の製造方法
WO2010127941A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 Basf Se Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices
WO2010127942A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 Basf Se Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices
KR20140005241A (ko) 2011-01-18 2014-01-14 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 초음파 세정 방법 및 장치
CN103809393A (zh) * 2012-11-12 2014-05-21 安集微电子科技(上海)有限公司 一种去除光阻残留物的清洗液
CN103869635A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 安集微电子科技(上海)有限公司 一种去除光刻胶的清洗液
CN103869636A (zh) * 2012-12-17 2014-06-18 安集微电子科技(上海)有限公司 一种光刻胶去除剂
CN104195560A (zh) * 2014-09-10 2014-12-10 昆山欣谷微电子材料有限公司 四甲基氢氧化铵无水剥离液
CN104317172B (zh) * 2014-09-30 2018-12-04 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种用于光刻胶剥离的剥离液
KR101572639B1 (ko) * 2015-07-07 2015-11-27 엘티씨에이엠 주식회사 Cmp 후 세정액 조성물
CN105301920A (zh) * 2015-11-16 2016-02-03 北京中科紫鑫科技有限责任公司 一种光刻胶清洗剂及清洗方法
CN105676599A (zh) * 2016-04-06 2016-06-15 东莞市广华化工有限公司 基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液
CN106319490A (zh) * 2016-08-19 2017-01-11 包惠芳 铝合金表面防腐及固色剂及制备
CN106350823A (zh) * 2016-08-19 2017-01-25 包惠芳 一种铝合金防腐保护剂及其制备方法
CN106282983A (zh) * 2016-08-19 2017-01-04 包惠芳 一种铝合金表面防腐保护剂及防腐方法
CN107085357A (zh) * 2017-06-23 2017-08-22 昆山欣谷微电子材料有限公司 一种光刻胶剥离液
CN107357143B (zh) * 2017-07-25 2018-06-19 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种清洗剂、其制备方法和应用
TWI672360B (zh) * 2018-01-04 2019-09-21 才將科技股份有限公司 具有針對兩種晶格方向低選擇比（Ｓｉ（１００）／Ｓｉ（１１１））及低二氧化矽蝕刻率之矽蝕刻劑組合物
CN114326333A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 深圳迪道微电子科技有限公司 一种聚乙烯醇肉桂酸酯型kpr光刻胶蚀刻残留剥离剂组合物
CN116004332B (zh) * 2022-01-24 2024-05-10 云南鑫耀半导体材料有限公司 一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1777842A (zh) * 2003-04-24 2006-05-24 Az电子材料（日本）株式会社 抗蚀剂组合物以及用于除去抗蚀剂的有机溶剂
CN1873543A (zh) * 2005-05-12 2006-12-06 东京应化工业株式会社 光致抗蚀剂用剥离液
CN1904016A (zh) * 2005-06-23 2007-01-31 气体产品与化学公司 除残留物的含有阳离子盐的组合物及其使用方法
KR20070019897A (ko) * 2005-08-13 2007-02-16 테크노세미켐 주식회사 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828289B2 (en) * 1999-01-27 2004-12-07 Air Products And Chemicals, Inc. Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature
KR101017738B1 (ko) * 2002-03-12 2011-02-28 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물
US8338087B2 (en) * 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1777842A (zh) * 2003-04-24 2006-05-24 Az电子材料（日本）株式会社 抗蚀剂组合物以及用于除去抗蚀剂的有机溶剂
CN1873543A (zh) * 2005-05-12 2006-12-06 东京应化工业株式会社 光致抗蚀剂用剥离液
CN1904016A (zh) * 2005-06-23 2007-01-31 气体产品与化学公司 除残留物的含有阳离子盐的组合物及其使用方法
KR20070019897A (ko) * 2005-08-13 2007-02-16 테크노세미켐 주식회사 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008125003A1 (fr) 2008-10-23
CN101663620A (zh) 2010-03-03
CN101286016A (zh) 2008-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101663620B (zh) 低蚀刻性光刻胶清洗剂
CN101755240B (zh) 一种光刻胶清洗剂
CN101529339B (zh) 低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
CN101523298B (zh) 一种光刻胶清洗剂
US7951764B2 (en) Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions
CN101286017A (zh) 厚膜光刻胶清洗剂
KR100642185B1 (ko) 프럭토스를 함유하는 비-수성 마이크로전자 세정 조성물
JP2006049860A (ja) はく離及び洗浄用の組成物並びにそれらの使用
KR20070078817A (ko) 세정 제제
CN101398638A (zh) 一种光刻胶清洗剂
KR20120106928A (ko) 세정 포뮬레이션 및 세정 포뮬레이션을 사용하는 방법
WO2009021400A1 (fr) Composition de nettoyage pour retirer une réserve
TWI752528B (zh) 用於半導體基材的清潔組合物
CN101548241B (zh) 低蚀刻性光刻胶清洗剂
CN101548242B (zh) 清洗厚膜光刻胶的清洗剂
CN101614971B (zh) 一种光刻胶清洗剂
CN101162369A (zh) 一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
KR20220075230A (ko) 에칭 잔류물을 제거하기 위한 조성물, 사용 방법 및 이의 용도
CN101373340B (zh) 一种光刻胶清洗剂
CN101169597A (zh) 一种光刻胶清洗剂
WO2006052692A2 (en) Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum
CN102117024A (zh) 一种光刻胶清洗剂
TWI387858B (zh) 光阻清洗劑
TW202113057A (zh) 用於移除蝕刻殘留物之組合物、使用其之方法及其用途
TW200923076A (en) Cleaning solution for plasma etch residue removal

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130703

Termination date: 20160403