JP2007044660A - ポリマー除去組成物 - Google Patents
ポリマー除去組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007044660A JP2007044660A JP2005233780A JP2005233780A JP2007044660A JP 2007044660 A JP2007044660 A JP 2007044660A JP 2005233780 A JP2005233780 A JP 2005233780A JP 2005233780 A JP2005233780 A JP 2005233780A JP 2007044660 A JP2007044660 A JP 2007044660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- weight
- ether
- substrate
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 20
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- -1 polyol compounds Chemical class 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 15
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 10
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 8
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 6
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IRTOOLQOINXNHY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethylamino)ethanol Chemical compound CC(O)NCCN IRTOOLQOINXNHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 claims description 6
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 5
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 claims description 5
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)CO WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VKEQBMCRQDSRET-UHFFFAOYSA-N Methylone Chemical compound CNC(C)C(=O)C1=CC=C2OCOC2=C1 VKEQBMCRQDSRET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 11
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 6
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229940035437 1,3-propanediol Drugs 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 3
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N Propyl gallate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- FBSFWRHWHYMIOG-UHFFFAOYSA-N methyl 3,4,5-trihydroxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 FBSFWRHWHYMIOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXZROAOUCUVNHX-UHFFFAOYSA-N 2-Aminopropanol Chemical compound CCC(N)O MXZROAOUCUVNHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTKBNCABAMQDIG-UHFFFAOYSA-N 3-butoxypropan-1-ol Chemical compound CCCCOCCCO NTKBNCABAMQDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229920001688 coating polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- HFLGBNBLMBSXEM-UHFFFAOYSA-N ethyl catechol Natural products CCC1=CC=C(O)C(O)=C1 HFLGBNBLMBSXEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N guaiacol Chemical compound COC1=CC=CC=C1O LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001867 guaiacol Drugs 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- IBKQQKPQRYUGBJ-UHFFFAOYSA-N methyl gallate Natural products CC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 IBKQQKPQRYUGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N pentane-1,1-diol Chemical compound CCCCC(O)O UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229940075579 propyl gallate Drugs 0.000 description 1
- 235000010388 propyl gallate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000473 propyl gallate Substances 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004040 pyrrolidinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Processing Of Solid Wastes (AREA)
Abstract
に有用な組成物および方法を提供する。該組成物および方法は、下地金属表面の腐蝕を低減し、電子デバイス基板からのポリマー残留物の除去に特に適する。
【解決手段】 基体からポリマー物質を除去するための組成物であって、他価アルコール、グリコールエーテル溶媒およびN−メチルピロリドンを含む組成物。
【選択図】 なし
Description
さらに、ヒドロキシルアミンを含む公知のポリマー除去組成物は、引火性、爆発の危険性、毒性、揮発性、臭気、プロセス温度での不安定性など多くの他の欠点を有する。
米国特許第5561105号は、3.5より大きい双極子モーメントを有する有機極性溶媒、特定の式を有する化合物から選択されるアミン化合物、ポリマーまたはオリゴマーバックボーンに共有結合された1価または多価酸のリガンドを含むキレート剤、を含むフォトレジストポリマー除去組成物を開示する。この特許は、ポリオール化合物および酸型のリガンドを含有しない組成物のいずれも開示していない。
特開2002−184743号は、水、ポリオール化合物、水と混和可能なアミンおよび極性溶媒を含むポリマー除去組成物を開示する。この特許出願は、水を必須成分としている。
本発明者は、銅回路を持つ基体、液晶表示装置、ディスクドライブおよびストレージメディアデバイスのための薄膜ヘッド、プラズマディスプレーパネル(PDP)などのフラットパネルディスプレー基板などから、ポリマー物質を容易に除去することができる組成物を見出した。かかるポリマー除去組成物は、ポリマー物質の下方に存在する金属層、特に、銅、銅合金、アルミニウム、タングステンおよびガリウムを腐蝕することなく、ポリマー物質を除去することができる。
第2の態様においては、本発明は、基体からポリマー物質を除去するための非水溶液組成物であって、ポリオール化合物の1種以上、グリコールエーテル溶媒の1種以上、N−メチルピロリドン、腐食防止剤の1種以上、任意にノニオン性界面活性剤の1種以上および任意にアルカノールアミン化合物の1種以上からなる前記組成物を提供する。
第3の態様においては、除去されるべきポリマー物質を含む基体を、上述の組成物と接触させる工程を含む、基体からポリマー物質を除去する方法を提供する。
第4の態様においては、本発明は、除去されるべきポリマー物質および金属を含む基体を、ポリオール化合物の1種以上、グリコールエーテル溶媒の1種以上、およびN−メチルピロリドンを含む前記組成物に接触させる工程を含む、LCDおよびPDPを含むフラットパネルディスプレーを製造する方法を提供する。
さらに、本発明の組成物は、向上されたポリマー除去能力を有するポリマー除去剤を提供し、該組成物は、基体上に存在する金属、特に、銅、銅合金、アルミニウム、タングステン、ガリウムおよびガリウム合金に対して実質的に非腐蝕性である。
本発明の組成物の他の利点は、除去が困難な有機反射防止コーティングポリマーの層上にコートされたディープUVフォトレジストの灰化後のレジスト層および残留物を完全に除去するのに、非常に有効なことである。架橋されたポリマー物質である、そのような有機反射防止コーティング残留物を、従来のレジストストリッパー溶液で洗浄することは非常に困難である。
本発明の組成物は、シリコンウエハー、フラットパネルディスプレイ基板およびドライプラズマエッチングプロセスを受ける任意の他のデバイス基体から、プラズマエッチング後のポリマーを除去することに著しく効果的である。
g=グラム;℃=摂氏度;ppm=百万分率;Å=オングストローム;wt%=重量%;min=分;cm=センチメートル;mL=ミリリットル;MPD=2−メチル−1,3−プロパンジオール;DPM=ジプロピレングリコールモノメチルエーテル;BTA=ベンゾトリアゾール;MIPA=モノイソプロパノールアミンおよびNMP=N−メチル−2−ピロリドン。全てのパーセントは重量パーセントである。全ての数値範囲は境界値を含み、さらに任意の順序で組み合わせ可能である。ただし、そのような数値範囲が合計100%にされることが明らかな場合は除く。
「ポリマー除去」とは、フォトレジストおよび反射防止コーティングをはじめとする、ポリマー物質を基体から除去すること、および/またはエッチング後のポリマー残留物を除去することを意味する。用語「ポリマー除去組成物」には、露光処理において露光した部分または非露光部分のフォトレジストを除去し、残像パターンを作成するための溶液、すなわち現像液を含まない。
「アルキル」とは、直鎖、分岐鎖および環式アルキルをいう。
本発明のポリオール化合物は、典型的には、組成物の総重量に基づいて、約5〜約40重量%の量で使用される。ポリオール化合物は約5〜約20重量%で存在するのが好ましく、より好ましくは、約8〜約15重量%である。このようなポリオール化合物は、商業的に入手可能であり、さらなる精製をすることなく使用されることができる。
好適なグリコールエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。好適なグリコールエーテルとしては、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルが挙げられ、より好ましくはジプロピレングリコールモノメチルエーテルである。
本発明のグリコールエーテル溶媒は、典型的には、組成物の総重量に基づいて、約25〜約65重量%の量で使用される。グリコールエーテル溶媒は約30〜約55重量%で存在するのが好ましく、より好ましくは、約30〜約50重量%である。このようなグリコールエーテル溶媒は、商業的に入手可能であり、商品名DOWANOLとして販売されている、例えば、DOWANOL DPM、DOWANOL TPM、DOWANOL PNBおよびDOWANOL DPNBが挙げられ、これらは全て、Dow Chemical Company(Midland、Michigan、U.S.A.)から入手可能である。
アミン化合物は、典型的には、組成物の総重量に基づいて、約0〜約10重量%の量で使用される。アミン化合物の好ましい量は約0〜約8重量%であり、より好ましくは、約0.01〜約5重量%である。アミン化合物は、例えば、Aldrich(Milwaukee、Wisconsin、U.S.A.)やDow Chemical Company(Midland、Michigan、U.S.A.)から商業的に入手可能であり、さらなる精製をすることなく使用されることができる。
このような腐蝕防止剤が使用される場合には、それらは典型的には、ポリマー除去組成物の総重量に基づいて、約0〜10重量%の範囲の量で存在する。腐蝕防止剤の量が約0.01〜約5重量%であるのが好ましく、より好ましくは、約0.5〜約4重量%であり、最も好ましくは、約0.5〜約2重量%である。少なくとも1種の腐蝕防止剤が、本発明のポリマー除去組成物に使用されるのが好ましい。
そのような腐蝕防止剤は、商業的に入手可能であり、例えば、Aldrich Chemical Companyから入手可能である。
基体上のポリマー物質またはポリマー残留物は、当該基体を本発明の組成物と接触させることにより除去される。基体は、任意の公知の手段、例えば、被覆されたウエハーをポリマー除去剤の温浴内に浸漬することにより、または、スプレー装備チャンバー内に該ウエハーを入れポリマー除去剤をスプレー処理することにより、本発明の組成物と接触されることができ、続いて、脱イオン水での洗浄および乾燥プロセスが行われる。
よって、本発明は、除去されるべきポリマー物質を、本発明の組成物に、該ポリマー物質を除去するのに充分な時間の間接触させ、さらに該基体を洗浄する工程を含む、1種以上の金属および1種以上のポリマー物質を含む基体を含む電子デバイスを製造する方法を提供する。
本発明の組成物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドをはじめとするテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを含まないことも好ましい。本発明の組成物は、アルカリ金属の水酸化物、フッ素イオン、フッ化物およびアミノ酸を含まないことがさらに好ましい。本発明の組成物は、ポリマーまたはオリゴマーバックボーンに共有結合した、1価または多価酸型リガンドを含むキレート剤を含まないことがさらにより好ましい。
この実施例は、本発明の組成物のポリマー除去能の結果を示す。
評価するポリマー除去組成物を表1に示す組成比によって製造した。典型的なドライエッチングプロセスを用いてハライドケミカルエッチングされ、続いて酸素プラズマ灰化(アッシング)プロセスが行われた窒化チタン層抜き配線ビア基板(チップ)(1.5cm×2cm)を準備した。ビアホールの側面にはチタニウムリッチなポリマー残渣が形成されている。図1は、ビアホールの側面上のチタニウムリッチなポリマー残渣の存在を示すSEM写真である。
次いで、チップウエハーを、70℃に加熱した500mLの表1のポリマー除去組成物の浴に30分間浸漬した。続いてチップウエハーを脱イオン水で60秒間リンス処理し、窒素ストリーム下で乾燥した。
このようにして得られたチップウエハーのポリマー残留物を、JEOL 6320電界放出型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて、走査電子顕微鏡写真(SEM)によりその残留を評価した。複数のチップウエハーが、サイドウォールポリマー除去について評価された。ポリマー除去の結果は図2および図3に示される。なお、図1〜3に示されるSEM写真の倍率は30,000倍である。
サンプル1は、本発明のポリマー除去組成物として調整された。サンプル1で処理した後のSEM写真は図2である。図2においては、ビアホールの形状は、ビアの開口部に対してほぼ垂直の側面を有する円筒形であり、すなわち、ビアホール内部におけるポリマー残留物の目に見える痕跡は認めらなかった。このことから、本発明のポリマー除去組成物は、従来のプラズマエッチングの結果生じるサイドウォールポリマーを含むポリマー物質、例えばチタンリッチなポリマー残留物を効果的に除去できることが明らかとなった。
これに対して、サンプル2は、従来のポリマー除去組成物であり、本発明の組成物に対する比較として調整された。サンプル2で処理した後のSEM写真は図3である。サンプル2においては、ビアホール内部におけるポリマー残留物の若干の除去は認められるものの、その除去の程度は不充分であった。
表1に従って調製された3種類の組成物が、種々の金属基体に対する該組成物の適合性について評価された。アルミニウムおよび銅の1以上の層を含むウエハーを、40℃で、1分間、表1の組成で調整されたポリマー除去溶液に浸漬した。次いで、1分間の脱イオン水によるリンス処理を施し、ウエハー上の金属の損失について評価した。結果は、それぞれの金属表面の損失量を4ポイントプルーブを用いて測定した。エッチング速度として、表2にその結果を示す。
フラットパネルディスプレイガラス基体上の、インジウムスズ酸化物/タンタル(ITO/Ta)層を含むウエハーから、ポリマー物質を除去するために、実施例1のサンプル1が使用された。どの金属層においても、目立った腐蝕は認められなかった。
Claims (10)
- 基体からポリマー物質を除去するための組成物であって、ポリオール化合物の1種以上、グリコールエーテル溶媒の1種以上、N−メチルピロリドンおよび腐食防止剤の1種以上を含み、水を実質的に含まない前記組成物。
- 基体からポリマー物質を除去するための非水溶液組成物であって、ポリオール化合物の1種以上、グリコールエーテル溶媒の1種以上、N−メチル−2−ピロリドン、腐食防止剤の1種以上、任意にノニオン性界面活性剤の1種以上および任意にアミノアルコールの1種以上からなる前記組成物。
- アミノアルコールが、アミノエチルアミノエタノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミンおよび3−アミノ−1−プロパノールからなる群から選択される請求項2記載の組成物。
- ポリオール化合物の1種以上が、組成物の総重量に基づいて、約5〜約40重量%の量で存在する請求項1記載の組成物。
- グリコールエーテル溶媒が、組成物の総重量に基づいて、約25〜約65重量%である請求項1または2に記載の組成物。
- N−メチルピロリドンが、組成物の総重量に基づいて、約25〜約65重量%である請求項1または2に記載の組成物。
- ノニオン性界面活性剤の1種以上を更に含む請求項1記載の組成物。
- 組成物が、ヒドロキシルアミンおよびテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを含まない、請求項1または2に記載の組成物。
- 基体からポリマー物質を除去する方法であって、基体とポリマー除去組成物とを接触させる工程;次いで基体を水で洗浄する工程を含む方法、ただし、該ポリマー除去組成物が1,3−プロパンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオール、ブタンジオールまたはグリセロールから選択されるポリオール化合物を約5〜約40重量%;エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテルおよびジプロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテルから選択されるグリコールエーテル溶媒を約25〜65重量%;N−メチル−2−ピロリドンを約25〜約65重量%;エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、プロピレンジアミン、アミノエチルアミノエタノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミンおよび3−アミノ−1−プロパノールからなる群から選択されるアミン化合物の1種以上を約0〜約10重量%;ノニオン性界面活性剤を0〜約10重量%;並びにカテコール、(C1−C6)アルキルカテコール、ベンゾトリアゾールまたは(C1−C10)アルキルベンゾトリアゾールから選択される腐蝕防止剤を約0.2〜約5重量%を含み、実質的に水を含まないものである。
- フラットパネルディスプレーを製造する方法であって、金属およびポリマー物質を有するフラットパネルディスプレー基体とポリマー除去組成物とを接触させる工程を含む方法、ただし、該組成物が1,3−プロパンジオール、2−メチル−1,3−プロパンジオール、ブタンジオールまたはグリセロールから選択されるポリオール化合物を約30〜約40重量%;エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテルおよびジプロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテルから選択されるグリコールエーテル溶媒を約25〜約65重量%;N−メチル−2−ピロリドンを約25〜約65重量%;エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、プロピレンジアミン、アミノエチルアミノエタノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミンおよび3−アミノ−1−プロパノールからなる群から選択されるアミン化合物の1種以上を約0〜約10重量%;ノニオン性界面活性剤を0〜約10重量%;並びにカテコール、(C1−C6)アルキルカテコール、ベンゾトリアゾールまたは(C1−C10)アルキルベンゾトリアゾールから選択される腐蝕防止剤を約0.2〜約5重量%含むものであり、実質的に水を含まないものである。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005233780A JP4741315B2 (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | ポリマー除去組成物 |
EP06254201A EP1752829B1 (en) | 2005-08-11 | 2006-08-09 | Polymer-stripping composition and method for removing a polymer |
CNB2006101111929A CN100543590C (zh) | 2005-08-11 | 2006-08-10 | 剥离聚合物的组合物 |
TW095129322A TWI334883B (en) | 2005-08-11 | 2006-08-10 | Polymer-stripping composition |
US11/503,021 US7772174B2 (en) | 2005-08-11 | 2006-08-11 | Polymer-stripping composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005233780A JP4741315B2 (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | ポリマー除去組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007044660A true JP2007044660A (ja) | 2007-02-22 |
JP4741315B2 JP4741315B2 (ja) | 2011-08-03 |
Family
ID=37451036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005233780A Expired - Fee Related JP4741315B2 (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | ポリマー除去組成物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7772174B2 (ja) |
EP (1) | EP1752829B1 (ja) |
JP (1) | JP4741315B2 (ja) |
CN (1) | CN100543590C (ja) |
TW (1) | TWI334883B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153851A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法 |
JP2016511843A (ja) * | 2013-05-07 | 2016-04-21 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
KR20160112500A (ko) * | 2015-03-19 | 2016-09-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 제거용 세정액 조성물 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090072546A (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의제조 방법 |
US8614053B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-12-24 | Eastman Chemical Company | Processess and compositions for removing substances from substrates |
US8444768B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
CN101649463B (zh) * | 2009-07-17 | 2011-03-30 | 富美科技有限公司 | 一种旧有机光导鼓表面聚合物薄膜的去除方法 |
US7955989B2 (en) * | 2009-09-24 | 2011-06-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Texturing semiconductor substrates |
SG11201400840UA (en) | 2011-10-05 | 2014-04-28 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition |
US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
CN105116696A (zh) * | 2015-10-10 | 2015-12-02 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种光刻胶剥离液及其应用 |
CN108121176A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种低刻蚀光阻残留物清洗液 |
US12089590B2 (en) | 2019-02-06 | 2024-09-17 | Virox Technologies, Inc. | Shelf-stable antimicrobial compositions |
US10952430B2 (en) | 2019-02-06 | 2021-03-23 | Virox Technologies Inc. | Shelf-stable antimicrobial compositions |
KR20220076493A (ko) * | 2019-09-30 | 2022-06-08 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 포토레지스트 제거제 |
CN116368209A (zh) * | 2020-10-09 | 2023-06-30 | 汉高股份有限及两合公司 | 用于电子设备元件的清洁剂 |
CN112979182B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-05-31 | 芜湖东信光电科技有限公司 | 一种超薄柔性盖板脱膜方法 |
CN115047732A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-09-13 | 合肥中聚和成电子材料有限公司 | 一种光刻胶剥离液组合物 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001242642A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 |
JP2003295477A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-15 | Kao Corp | 化合物半導体用レジスト剥離剤組成物 |
JP2004287288A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Nagase Chemtex Corp | レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法 |
JP2005043874A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-17 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4401747A (en) * | 1982-09-02 | 1983-08-30 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
JP2911792B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
US6531436B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-03-11 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer removal |
US20040229762A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. | Polymer remover |
US7384900B2 (en) * | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
US8288330B2 (en) * | 2006-05-26 | 2012-10-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition and method for photoresist removal |
-
2005
- 2005-08-11 JP JP2005233780A patent/JP4741315B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-09 EP EP06254201A patent/EP1752829B1/en not_active Not-in-force
- 2006-08-10 CN CNB2006101111929A patent/CN100543590C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-10 TW TW095129322A patent/TWI334883B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-08-11 US US11/503,021 patent/US7772174B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001242642A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 |
JP2003295477A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-15 | Kao Corp | 化合物半導体用レジスト剥離剤組成物 |
JP2004287288A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Nagase Chemtex Corp | レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法 |
JP2005043874A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-17 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153851A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法 |
JP2016511843A (ja) * | 2013-05-07 | 2016-04-21 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
KR20160112500A (ko) * | 2015-03-19 | 2016-09-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 제거용 세정액 조성물 |
KR102157278B1 (ko) | 2015-03-19 | 2020-09-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 제거용 세정액 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1916146A (zh) | 2007-02-21 |
CN100543590C (zh) | 2009-09-23 |
US7772174B2 (en) | 2010-08-10 |
US20070037719A1 (en) | 2007-02-15 |
EP1752829A2 (en) | 2007-02-14 |
TWI334883B (en) | 2010-12-21 |
TW200714709A (en) | 2007-04-16 |
EP1752829B1 (en) | 2012-04-25 |
EP1752829A3 (en) | 2010-12-29 |
JP4741315B2 (ja) | 2011-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4741315B2 (ja) | ポリマー除去組成物 | |
US6455479B1 (en) | Stripping composition | |
KR101535283B1 (ko) | 세정 포뮬레이션 및 세정 포뮬레이션을 사용하는 방법 | |
JP3441715B2 (ja) | 水性リンス組成物及びそれを用いた方法 | |
JP6470239B2 (ja) | 洗浄配合物 | |
JP2002038197A (ja) | ポリマーリムーバー | |
US20090120457A1 (en) | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices | |
JP4628209B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
EP1664935A1 (en) | Stripping and cleaning compositions for microelectronics | |
JP2004502980A (ja) | 半導体デバイスの有機及びプラズマエッチング残さの洗浄用組成物 | |
WO2003035814A2 (en) | Improved post plasma ashing wafer cleaning formulation | |
KR101999641B1 (ko) | 구리/아졸 중합체 억제를 갖는 마이크로일렉트로닉 기판 세정 조성물 | |
KR101691850B1 (ko) | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 | |
CN112558434A (zh) | 一种光刻胶清洗剂组合物 | |
EP1883863B1 (en) | Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist | |
JP2012227291A (ja) | 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法 | |
US6350560B1 (en) | Rinse composition | |
CN114008181A (zh) | 用于半导体衬底的清洁组合物 | |
JP4902898B2 (ja) | 超小型電子基板のための、安定化された非水性洗浄組成物 | |
US20040220066A1 (en) | Stripper | |
KR101341701B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
KR101341746B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
KR20070019604A (ko) | 중합체-스트리핑 조성물 | |
KR20160044852A (ko) | 금속막용 세정제 조성물 | |
KR20160034600A (ko) | 금속막용 세정제 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080807 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080807 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110413 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110506 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |