KR20220076493A - 포토레지스트 제거제 - Google Patents

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KR20220076493A
KR20220076493A KR1020227014736A KR20227014736A KR20220076493A KR 20220076493 A KR20220076493 A KR 20220076493A KR 1020227014736 A KR1020227014736 A KR 1020227014736A KR 20227014736 A KR20227014736 A KR 20227014736A KR 20220076493 A KR20220076493 A KR 20220076493A
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ether
alkanolamine
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위안메이 카오
마이클 페니스
릴리 왕
라이솅 순
아이핑 우
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버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
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Abstract

세정 조성물 및 그의 사용 방법이 개시되며, 여기서 조성물은 1 이상의 알칸올아민, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜, 1 이상의 부식 억제제, 및 임의로 1 이상의 제2 용매를 포함한다.

Description

포토레지스트 제거제
개시되고 청구된 주제는 일반적으로 기판으로부터 포토레지스트를 효과적으로 제거하는 능력을 갖는 조성물, 및 이러한 조성물을 사용하는 방법에 관한 것이다.
US2001034313 AA 및 US20180143531A1에 개시된 것들과 같은 포토레지스트의 제거를 위한 많은 스트리퍼 용액이 있다. 개선된 성능에 대한 웨이퍼 제조업체의 증가하는 요구에 의해 개선된 스트리퍼 용액 조성물이 필요하다. 다양한 기능을 위해 기판에서 사용되는 다양한 물질과 함께, 스트리퍼는 그러한 물질과 접촉할 수 있으므로 스트리퍼를 제거할 수 있는 능력 및 제거되지 않아야 하는 기판 상의 물질과의 상용성이 필요하다. 게다가, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), 디메틸 술폭시드 (DMSO)에 대한 제한과 같은, 스트리퍼 제제에서 사용되는 용매에 대한 최근 제한으로, 보다 친환경적인 용매를 가진 신규 제제가 필요하다.
개시되고 청구된 주제의 한 측면에서, 기판으로부터 포토레지스트를 효과적으로 제거하거나 스트리핑하기 위한 포토레지스트 스트리퍼 용액이 제공된다. 본 발명의 스트리퍼 용액은 NMP 및 DMSO가 없거나 실질적으로 없으며 포지티브 포토레지스트를 제거하는 데 특히 유용하며 기판, 특히 패시베이션 층, 예를 들어, 폴리아미드 (PI) 및 폴리벤족사졸 (PBO) 패시베이션 층에 존재하는 물질에 해를 끼치지 않는다.
개시되고 청구된 주제에 따른 조성물은 (i) 1 이상의 유기 용매, (ii) 1 이상의 알칸올아민 및/또는 아민 및 (iii) 1 이상의 부식 억제제를 포함한다. 추가 측면에서, 조성물은 (iv) 1 이상의 제2 용매(들)를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 개시되고 청구된 화학 제제는 (i), (ii) 및 (iii)으로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 개시되고 청구된 화학 제제는 (i), (ii), (iii) 및 (iv)로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 또 다른 측면에서, 개시되고 청구된 화학 제제는 (i), (ii) 및 (iii)으로 이루어진다. 이 실시양태의 또 다른 측면에서, 개시되고 청구된 화학 제제는 (i), (ii), (iii) 및 (iv)로 이루어진다.
추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 2 이상의 부식 억제제를 포함한다. 일부 실시양태는 물이 없거나 실질적으로 없고/거나 강 염기 (예를 들어, KOH, 4급 수산화암모늄)가 없거나 실질적으로 없다.
또 다른 실시양태에서, 조성물은 (i) 1 이상의 알칸올아민, (ii) 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 고리 함유 알콜 및 (iii) 1 이상의 부식 억제제를 포함한다. 본 개시내용에 따른 추가 실시양태는 추가 또는 제2 용매를 함유할 수 있다. 바람직한 제2 용매는 지방족 알콜을 포함한다. 본 개시내용에 따른 추가 실시양태는 아민 또는 아민과 알칸올아민의 조합을 함유할 수 있다. 본 개시내용에 따른 추가 실시양태는, 2종의 부식 억제제를 추가로 함유한다.
본 개시내용의 제2 측면은 상기에 기재된 스트리퍼 용액을 사용하여 기판으로부터 포토레지스트를 제거하는 방법을 제공한다. 포토레지스트는 기판을 원하는 양의 포토레지스트를 제거하기에 충분한 시간 동안 스트리핑 용액과 접촉시키고, 스트리핑 용액으로부터 기판을 제거하고, 용매를 사용하여 기판으로부터 스트리핑 용액을 씻어 내고, 기판을 건조시킴으로써, 위에 포토레지스트를 갖는 선택된 기판으로부터 제거할 수 있다.
한 실시양태에서, 스트리퍼는 약 20% 내지 약 90% 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 약 0.01% 내지 약 5%의 1 이상의 부식 억제제, 및 적어도 2개의 탄소 원자, 적어도 1개의 아미노 치환기 및 적어도 1개의 히드록실 치환기를 갖고, 상기 아미노 및 히드록실 치환기가 2개의 상이한 탄소 원자에 부착된 약 5% 내지 약 40%의 1 이상의 알칸올아민을 포함한다.
추가 측면에서, 알칸올아민은 하기 화학식의 1,2-알칸올아민이다:
Figure pct00001
(I)
여기서 R1, R2 및 R3 각각은 H, 비치환된 C1-C6 알킬, 치환된 C1-C6 알킬, 분지형 C3-C6 알킬 및 C1-C6 알킬아미노로부터 독립적으로 선택된다. 일부 실시양태에서, R1 및 R2 각각은 H, C1-C4 알킬, 또는 C1-C4 알킬아미노로부터 독립적으로 선택된다. 한 실시양태에서, R1은 -H 또는 -CH2CH2NH2이고 R2는 H이다. 또 다른 실시양태에서, R1은 -CH2CH2NH2이고 R2는 -H이다. 또 다른 실시양태에서, R1 및 R2 둘 다는 -H이다. 또 다른 실시양태에서, R1 및 R2 둘 다는 -CH2CH2OH이다. 이 실시양태의 또 다른 측면에서, R3은 -CH3이다.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 하나 또는 둘 다가 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다.
한 실시양태에서, 제제는 R1, R2 및 R3 각각이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00002
.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 하나가 H이고, R1 및 R2 중 다른 하나가 -CH3 기이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00003
.
한 실시양태에서, 제제는 R1, R2 및 R3 각각이 -CH3인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00004
.
한 실시양태에서, 제제는 R1, R2 각각이 수소이고 R3이 -CH3인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00005
.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 하나가 H이고, R1 및 R2 중 다른 하나가 화학식 -CH2CH2OH의 치환된 C1-C6 알킬이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00006
.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 둘 다가 화학식 -CH2CH2OH의 치환된 C1-C6 알킬이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00007
.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 하나가 H이고, R1 및 R2 중 다른 하나가 화학식 -CH2CH2NH2의 치환된 C1-C6 알킬이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00008
.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 각각이 -CH3이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00009
.
개시되고 청구된 주제는 추가로, 개시되고 청구된 화학 제제의 용도 및 합성에 관한 것이다.
또 다른 실시양태에서, 상기-기재된 조성물은 추가 또는 제2 용매를 포함한다. 바람직한 제2 용매는 글리콜, 폴리히드록실 화합물 등을 포함한다.
본 개시내용의 제3 측면은 개시된 신규 방법에 의해 제조된 전자 디바이스를 포함한다.
개시되고 청구된 주제의 다른 특색 및 이점은 개시되고 청구된 주제의 원리를 예시하는 예시적인 해결책과 함께 취해진, 하기의 보다 상세한 설명으로부터 명백할 것이다.
이 요약 섹션은 개시되고 청구된 주제의 모든 실시양태 및/또는 점진적으로 신규한 측면을 특정하지 않는다. 대신에, 이 요약은 기존 기술 및 공지 기술에 대한 신규성의 상응하는 포인트 및 상이한 실시양태에 대한 예비 논의만을 제공한다. 개시되고 청구된 주제 및 실시양태의 추가적인 세부사항 및/또는 가능한 관점에 대해, 독자는 하기에 추가로 논의되는 바와 같이 본 개시내용의 상세한 설명 섹션으로 향한다.
본원에 기재된 상이한 단계의 논의 순서는 명확성을 위해 제시되었다. 일반적으로, 본원에 개시된 단계는 임의의 적합한 순서로 수행될 수 있다. 게다가, 본원에 개시된 상이한 특색, 기술, 구배 등의 각각이 본 개시내용의 상이한 위치에서 논의될 수 있긴 하지만, 개념 각각이 서로 독립적으로 또는 적절하게 서로 조합하여 실행될 수 있는 것으로 의도된다. 따라서, 개시되고 청구된 주제는 많은 상이한 방식으로 구현되고 검토될 수 있다
청구된 것에 대한 이해를 촉진하기 위해, 이제 예시된 실시양태에 대한 참조가 이루어질 것이고, 구체적 언어는 동일한 것을 기재하기 위해 사용될 것이다. 그럼에도 불구하고 청구된 범위의 어떤 제한도 의도되지 않으며, 그에 의해 본원에예시된 바와 같은 그의 원리의 이러한 변경 및 추가 수정 및 이러한 추가 적용이 본 개시내용이 관련된 분야의 통상의 기술자에게 일반적으로 발생하는 바와 같이 고려된다는 것이 이해될 것이다.
본원에 인용된 간행물, 특허 출원 및 특허를 포함한 모든 참고문헌은, 마치 각각의 참고문헌이 개별적으로 그리고 구체적으로 참조로 포함되는 것으로 표시되고 그 전문이 본원에 제시된 것처럼 동일한 정도로 참조로 포함된다.
개시되고 청구된 주제를 기재하는 맥락에서 (특히 하기 청구범위의 맥락에서) 단수 용어 및 유사한 지시대상의 사용은 본원에 달리 표시되지 않거나 문맥상 명백히 모순되지 않는 한, 단수 및 복수 둘 다를 포괄하는 것으로 해석되어야 한다. 용어 "포함하는", "갖는", "포함한" 및 "함유하는"은 달리 언급되지 않는 한 개방형 용어 (즉, "포함하나, 이에 제한되지는 않는"을 의미)로 해석되어야 한다. 본원에서 값의 범위에 대한 언급은 단지 본원에 달리 표시되지 않는 한, 범위 내에 속하는 각각의 개별 값을 개별적으로 언급하는 약식 방법으로서 역할을 하도록 의도되며, 각각의 개별 값은 마치 본원에 개별적으로 언급된 것처럼 명세서에 포함된다. 본원에 기재된 모든 방법은 본원에 달리 표시되지 않거나 문맥상 달리 명백히 모순되지 않는 한, 임의의 적합한 순서로 수행될 수 있다. 본원에 제공된 임의의 그리고 모든 예, 또는 예시적인 언어 (예를 들어, "예컨대")의 사용은 단지 개시되고 청구된 주제를 더 잘 조명하기 위한 것이며 달리 청구되지 않는 한 그의 범위를 제한하지 않는다. 명세서에서의 어떤 언어도 개시되고 청구된 주제의 실시에 본질적인 것으로서 임의의 청구되지 않은 요소를 나타내는 것으로 해석되어서는 안 된다.
개시되고 청구된 주제를 수행하기 위해 본 발명자에게 공지된 최상의 모드를 포함하여, 개시되고 청구된 주제의 바람직한 실시양태가 본원에 기재된다. 그러한 바람직한 실시양태의 변형은 전술한 설명을 읽을 때 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백해질 수 있다. 본 발명자들은 통상의 기술자가 이러한 변형을 적절하게 이용하기를 기대하며, 본 발명자들은 개시되고 청구된 주제가 본원에 구체적으로 기재된 바와 달리 실시되도록 의도한다. 따라서, 이 개시되고 청구된 주제는 적용가능한 법률에 의해 허용되는 바와 같이 여기에 첨부된 청구범위에서 언급된 주제의 모든 수정 및 균등물을 포함한다. 게다가, 그의 모든 가능한 변형에서 상기-기재된 요소의 임의의 조합은 본원에 달리 표시되지 않거나 문맥상 달리 명백히 모순되지 않는 한, 개시되고 청구된 주제에 포괄된다.
참조의 편의를 위해, "마이크로전자 디바이스" 또는 "반도체 기판"은 마이크로전자, 집적 회로, 또는 컴퓨터 칩 적용에서 사용하기 위해 제조된, 반도체 웨이퍼, 평판 디스플레이, 상 변화 메모리 디바이스, 태양 전지판(solar panel), 및 태양 전지 기판(solar substrate), 광전지 및 MEMS(마이크로전자 기계 시스템)를 포함한 기타 제품에 상응한다. 태양 전지 기판은 규소, 비결정 규소, 다결정질 규소, 단결정질 규소, CdTe, 구리 인듐 셀렌나이드, 구리 인듐 술피드, 및 갈륨 상의 갈륨 아르세나이드를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 태양 전지 기판은 도핑되거나 도핑되지 않을 수 있다. 용어 "마이크로전자 디바이스"는 어떤 식으로든 제한하려는 것이 아니며 결국 마이크로전자 디바이스 또는 마이크로전자 어셈블리가 될 임의의 기판을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 마이크로전자 디바이스 또는 반도체 기판은 저 k-유전체(low-k dielectric material), 배리어 재료(barrier material), 및 금속, 예컨대 AlCu 합금, W, Ti, TiN, 1 이상의 패시베이션 층, 예컨대 폴리이미드 또는 폴리벤족사졸, 뿐만 아니라 그 위에 기타 재료를 포함할 수 있다.
본원에 정의된 바와 같이, "저-k 유전체"는 층상 마이크로전자 디바이스에서 유전체로서 사용되는 임의의 재료에 상응하며, 여기서 상기 재료는 약 3.5 미만의 유전 상수를 갖는다. 바람직하게는, 저-k 유전체는 저-극성 재료 예컨대 규소 함유 유기 중합체, 규소 함유 하이브리드 유기/무기 재료, 오가노실리케이트 유리 (OSG), TEOS, 플루오린화 실리케이트 유리 (FSG), 이산화규소, 및 탄소-도핑된 산산화물 (CDO) 유리를 포함한다. 저-k 유전체는 다양한 밀도 및 다양한 다공성을 가질 수 있음을 이해하여야 한다.
본원에 정의된 바와 같이, 용어 "배리어 재료"는 유전체로의, 상기 금속, 예를 들어, 구리의 확산을 최소화하기 위해, 금속 라인, 예를 들어, 구리 인터커넥트를 밀봉하기 위해 관련 기술분야에서 사용되는 임의의 재료에 상응한다. 바람직한 배리어 층 재료는 탄탈륨, 티타늄, 루테늄, 하프늄, 및 기타 내화성 금속 및 그의 질화물 및 규화물을 포함한다.
"실질적으로 없는"은 본원에서 대략 1 wt.% 미만, 보다 바람직하게는 대략 0.5 wt.% 미만, 그리고 가장 바람직하게는 대략 0.2 wt.% 미만으로서 정의된다. "실질적으로 없는"은 또한 대략 0.0 wt.%를 포함한다. 용어 "이 없는"은 0.0 wt.%를 의미한다.
일부 실시양태에서, 물이 실질적으로 없는 조성물을 기재하는 경우, 이는 물이 성분과 함께 첨가될 수 있으나; 성분과 함께 첨가되는 물의 양은 대략 0.1 wt% 미만이어야 함을 의미하는 것으로 의도하나; 물은 제조 및 사용 중에 대기로부터 흡수될 수 있다. 다른 실시양태에서, 물이 실질적으로 없다는 것은 물이 대략 1 wt% 초과로 존재하지 않는 조성물을 지칭할 수 있다. 다른 실시양태에서, 물이 실질적으로 없다는 것은 물이 대략 3 wt% 초과로 존재하지 않는 조성물을 지칭할 수 있다.
측정 가능한 수치 변수와 관련하여 사용되는 경우 용어 "약" 또는 "대략"은,변수의 표시된 값과 표시된 값의 실험 오차 내에 (예를 들어, 평균에 대한 95% 신뢰 한계) 또는 표시된 값의 백분율 내에 (예를 들어, ± 10%, ± 5%) 있는, 어느 것이든 큰, 변수의 모든 값을 지칭한다.
조성물의 구체적 성분이 제로 하한치를 포함한 중량 백분율 범위를 참조하여 논의되는 모든 이러한 조성물에서, 이러한 성분은 조성물의 다양한 구체적 실시양태에 존재하거나 부재할 수 있으며, 이러한 성분이 존재하는 경우에, 이들은 이러한 성분이 이용되는 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 0.001 중량 퍼센트만큼 낮은 농도로 존재할 수 있음이 이해될 것이다. 성분의 모든 정의된 중량 퍼센트는, 달리 표시되지 않는 한, 조성물의 총 중량을 기준으로 하다는 점에 유의한다. 추가로, 모든 중량 퍼센트는, 달리 표시되지 않는 한, "순수한(neat)" 것이며, 이는 이들이 조성물에 첨가되는 경우 이들이 존재하는 수용액을 포함하지 않음을 의미한다. "적어도 하나"에 대한 임의의 언급은 "하나 이상"으로 대체될 수 있다. "적어도 하나" 및/또는 "하나 이상"은 "적어도 둘" 또는 "둘 이상" 및 "적어도 셋" 및 "셋 이상" 등을 포함한다.
조성물은 1 이상의 유기 용매, 1 이상의 알칸올아민 및/또는 1 이상의 아민; 1 이상의 부식 억제제 및 임의로 1 이상의 제2 용매를 포함한다.
추가 실시양태에서, 조성물을 다양한 농도로 (i) 1 이상의 알칸올아민, (ii) 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜 및 (iii) 1 이상의 부식 억제제로 본질적으로 이루어진다. 이러한 실시양태에서, (i), (ii) 및 (iii)의 합한 양은 100 중량%와 동일하지 않으며, 세정 조성물(cleaning composition)의 유효성을 현저히 변화시키지 않는 기타 성분 (예를 들어, 물을 포함한 추가의 용매(들), 공통 첨가제 및/또는 불순물)을 포함할 수 있다.
또 다른 실시양태에서, 조성물은 다양한 농도로 (i) 1 이상의 알칸올아민, (ii) 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜 및 (iii) 1 이상의 부식 억제제로 이루어진다. 이러한 실시양태에서, (i), (ii) 및 (iii)의 합한 양은 대략 100 중량%와 동일하나, 조성물의 유효성을 현저히 변화시키지 않는 이러한 소량으로 존재하는 기타 소량 및/또는 미량의 불순물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 이러한 실시양태에서, 세정 조성물은 2 중량% 이하의 불순물을 함유할 수 있다. 또 다른 실시양태에서, 세정 조성물은 1 중량% 이하의 불순물을 함유할 수 있다. 추가 실시양태에서, 세정 조성물은 0.05 중량% 이하의 불순물을 함유할 수 있다.
중량%로 본원에 기재된 본 발명의 조성물의 조성을 언급할 때, 불순물과 같은 비필수 성분을 포함한, 모든 성분의 중량%는 어떻게 되든 합계가 100 중량%를 초과하지 않는 것으로 이해된다. 언급된 성분으로 "본질적으로 이루어진" 조성물에서, 이러한 성분은 합계가 조성물의 100 중량%가 될 수 있거나 합계가 100 중량% 미만이 될 수 있다. 성분의 합이 100 중량% 미만이 되는 경우, 이러한 조성물은 일부 소량의 비필수 오염물 또는 불순물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 이러한 실시양태에서, 조성물은 2 중량% 이하의 불순물을 함유할 수 있다. 또 다른 실시양태에서, 린스는 1 중량% 이하의 불순물을 함유할 수 있다. 추가 실시양태에서, 조성물은 0.05 중량% 이하의 불순물을 함유할 수 있다. 다른 이러한 실시양태에서, 성분은 적어도 90 wt%, 보다 바람직하게는 적어도 95 wt%, 보다 바람직하게는 적어도 99 wt%, 보다 바람직하게는 적어도 99.5 wt% 이상, 가장 바람직하게는 적어도 99.9 wt%를 형성할 수 있고, 습식 에칭제의 성능에 현저히 영향을 미치지 않는 기타 성분을 포함할 수 있다. 그렇지 않으면, 어떤 중요한 비필수 불순물 성분도 존재하지 않는 경우, 모든 필수 구성성분의 조성은 본질적으로 합계가 100 중량%가 될 것임이 이해된다.
용매
본 개시내용에 따른 조성물은 전형적으로 1 이상의 유기 용매를 포함한다. 상기 조성물에서 사용될 수 있는 용매의 한 유형은 에테르 알콜 용매 또는 방향족 고리 함유 알콜 용매, 또는 그의 혼합물이다. 에테르 알콜 용매는 글리콜 에테르 또는 에테르 기를 갖는 기타 알콜일 수 있다. 글리콜 에테르 용매를 포함한 1 이상의 에테르 알콜 용매가 상기 조성물에서 사용될 수 있다. 적합한 글리콜 에테르 용매는 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르 (DB), 디에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 페닐 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 (DEG), 또는 디프로필렌 글리콜을 포함한다. 글리콜 에테르가 아닌 알콜 에테르 용매의 예는 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올 (MMB), 푸르푸릴 알콜, 테트라히드로푸르푸릴 알콜이다. 상기 조성물에서 유용한 방향족 고리 함유 알콜 용매는 알칸올 치환된 벤젠, 예컨대, 벤질 알콜, 벤질 에탄올 및 벤질 프로판올이다. 각각의 용매는 단독으로, 동일한 유형의 혼합물 또는 상이한 유형의 임의 또는 모두의 조합으로 사용될 수 있다.
대부분의 적용에서, 1 이상의 알콜 에테르 용매 및/또는 방향족 함유 알콜은, 예를 들어, 조성물의 약 50 중량% 내지 약 90 중량%, 또는 55 중량% 내지 약 90 중량%를 포함할 것으로 믿어진다. 개시되고 청구된 주제의 다른 바람직한 실시 양태는 약 60 중량% 내지 약 88 중량%, 또는 65 중량% 내지 85 중량%의 글리콜 에테르 용매 및/또는 방향족 함유 알콜을 포함할 수 있다. 알콜 에테르 용매(들) 및/또는 방향족 함유 알콜은 하기 중량 퍼센트 목록에 의해 정의된 범위에 속하는 양으로 존재할 수 있다: 50, 55, 58, 60, 62, 65, 67, 70, 72, 75, 77, 80, 82, 85, 88 및 90. 방향족 고리 함유 알콜 및/또는 방향족 함유 알콜은 하기 중량 퍼센트 목록에 의해 정의된 범위에 속하는 양으로 조성물에 존재할 수 있다: 50, 55, 58, 60, 62, 65, 67, 70, 72, 75, 77, 80, 82, 85, 88 및 90. 다른 실시양태에서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 및/또는 방향족 함유 알콜은 조성물의 약 80 wt% 내지 약 85 wt%를 구성한다. 다른 실시양태에서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 및/또는 방향족 함유 알콜은 조성물의 약 30 wt% 내지 약 50 wt%를 구성한다.
일부 실시양태는 상기에 기재된 에테르 알콜 용매 또는 방향족 고리 함유 알콜 용매에 더하여, 약 10% 내지 약 50%의 제2 용매를 함유할 수 있다. 대안적으로, 일부 실시양태에서, 스트리퍼 용액은 제2 용매가 없거나 실질적으로 없을 수 있다.
제2 유기 용매 알콜은 선형 또는 분지쇄형 지방족 또는 방향족 알콜일 수 있다. 조성물이 포함할 수 있는 제2 알콜의 예는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로필 알콜, 부탄올, tert-부틸 알콜, tert-아밀 알콜, 3-메틸-3-펜탄올, 1-옥탄올, 1-데칸올, 1-운데칸올, 1-도데칸올, 1-트리데칸올, 1-테트라데칸올, 1-펜타데칸올, 1-헥사데칸올, 9-헥사데센-1-올, 1-헵타데칸올, 1-옥타데칸올, 1-노나데칸올, 1-에이코산올, 1-헤네이코산올, 1-도코산올, 13-도코센-1-올, 1-테트라코산올, 1-헥사코산올, 1-헵타코산올, 1-옥타코산올, 1-트리아콘탄올, 1-도트리아콘탄올, 1-테트라트리아콘탄올, 세테아릴 알콜, 프로필렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 및 글리세롤을 포함한다.
사용되는 경우, 제2 유기 용매는 조성물의 약 0.02% 내지 약 45%, 또는 약 0.08% 내지 약 38%, 또는 약 0.1% 내지 약 35%, 또는 약 0.2% 내지 약 33%, 또는 약 0.3% 내지 약 20%를 포함할 수 있다. 대안적인 실시양태에서 제2 용매는 하기 중량 퍼센트로부터 선택된 종점에 의해 정의된 임의의 양으로 존재할 수 있다: 0.02, 0.08, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.7, 0.9, 1, 3, 5, 8, 10, 12, 15, 17, 20, 23, 25, 38, 30, 32, 35, 37, 40, 43 및 45.
알칸올아민
적합한 알칸올아민은 적어도 2개의 탄소 원자, 적어도 1개의 아미노 치환기 및 적어도 1개의 히드록실 치환기를 갖고, 상기 아미노 및 히드록실 치환기는 2개의 상이한 탄소 원자에 부착되어 있다.
일부 실시양태에서, 알칸올아민은 화학식 (I)의 1,2 알칸올아민이다:
Figure pct00010
(I)
여기서 R1, R2 및 R3 각각은 H, 비치환된 C1-C6 알킬, 치환된 C1-C6 알킬, 분지형 C3-C6 알킬 및 C1-C6 알킬아미노로부터 독립적으로 선택된다. 일부 실시양태에서, R1 및 R2 각각은 H, C1-C4 알킬, 또는 C1-C4 알킬아미노로부터 독립적으로 선택된다. 한 실시양태에서, R1은 -H 또는 -CH2CH2NH2이고 R2는 H이다. 또 다른 실시양태에서, R1은 -CH2CH2NH2이고 R2는 -H이다. 또 다른 실시양태에서, R1 및 R2 둘 다는 -H이다. 또 다른 실시양태에서, R1 및 R2 둘 다는 -CH2CH2OH이다. 또 다른 측면에서, R3은 -CH3이다.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 하나 또는 둘 다가 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다.
한 실시양태에서, 제제는 R1, R2 및 R3 각각이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00011
.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 하나가 H이고, R1 및 R2 중 다른 하나가 -CH3 기이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00012
.
한 실시양태에서, 제제는 R1, R2 및 R3 각각이 -CH3인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00013
.
한 실시양태에서, 제제는 R1, R2 각각이 수소이고 R3이 -CH3인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00014
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한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 하나가 H이고, R1 및 R2 중 다른 하나가 화학식 -CH2CH2OH의 치환된 C1-C6 알킬이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00015
.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 둘 다가 화학식 -CH2CH2OH의 치환된 C1-C6 알킬이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00016
.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 중 하나가 H이고, R1 및 R2 중 다른 하나가 화학식 -CH2CH2NH2의 치환된 C1-C6 알킬이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00017
.
한 실시양태에서, 제제는 R1 및 R2 각각이 -CH3이고, R3이 H인 화학식 (I)의 알칸올아민을 포함한다:
Figure pct00018
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적합한 알칸올아민은 에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-프로필에탄올아민, N-부틸에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, 이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, N-메틸이소프로판올아민, N-에틸이소프로판올아민, N-프로필이소프로판올아민, 2-아미노프로판-1-올, N-메틸-2-아미노프로판-1-올, N-에틸-2-아미노프로판-1-올, 1-아미노프로판-3-올, N-메틸-1-아미노프로판-3-올, N-에틸-1-아미노프로판-3-올, 1-아미노부탄-2-올, N-메틸-1-아미노부탄-2-올, N-에틸-1-아미노부탄-2-올, 2-아미노부탄-1-올, N-메틸-2-아미노부탄-1-올, N-에틸-2-아미노부탄-1-올, 3-아미노부탄-1-올, N-메틸-3-아미노부탄-1-올, N-에틸-3-아미노부탄-1-올, 1-아미노부탄-4-올, N-메틸-1-아미노부탄-4-올, N-에틸-1-아미노부탄-4-올, 1-아미노-2-메틸프로판-2-올, 2-아미노-2-메틸프로판-1-올, 1-아미노펜탄-4-올, 2-아미노-4-메틸펜탄-1-올, 2-아미노헥산-1-올, 3-아미노헵탄-4-올, 1-아미노옥탄-2-올, 5-아미노옥탄-4-올, 1-아미노프로판-2,3-디올, 2-아미노프로판-1,3-디올, 트리스(옥시메틸)아미노메탄, 1,2-디아미노프로판-3-올, 1,3-디아미노프로판-2-올, 및 2-(2-아미노에톡시)에탄올을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
알칸올아민 및 아민 중 적어도 하나에 필요한 적절한 수준은 조성물의 약 5% 내지 약 50%의 범위일 수 있다. 일부 실시양태에서, 알칸올아민 및/또는 아민은 조성물의 약 10% 내지 약 30%이다. 대안적인 실시양태에서 알칸올아민 및/또는 아민은 하기 중량 퍼센트로부터 선택된 종점에 의해 정의된 임의의 양으로 존재할 수 있다: 2, 5, 8, 10, 12, 15, 17, 20, 22, 25, 27, 30, 32, 35, 38, 40, 42, 45, 48 및 50.
조성물 중 알콜 에테르 용매 및 제2 용매일 수 있는 유기 용매의 중량 퍼센트와 알칸올아민 및/또는 아민의 중량 퍼센트의 합계는 약 90% 내지 약 99.9%일 수 있다. 다른 실시양태에서, 조성물은 약 55% 내지 약 99%, 또는 약 65% 내지 약 98%, 또는 약 70% 내지 약 97% 또는 약 75% 내지 약 99.9%, 또는 약 80% 내지 약 98%, 또는 약 85% 내지 약 99%, 또는 약 85% 내지 약 96%, 또는 약 90% 내지 약 97%, 또는 약 75% 내지 약 90%의 유기 용매 및 알칸올아민 및/또는 아민을 함유할 수 있다. 일부 실시양태에서, 중량 퍼센트는 알칸올아민 및/또는 아민의 중량 퍼센트보다 크고, 유기 용매는 20% 내지 약 90%, 또는 30% 내지 약 90%, 또는 50% 내지 약 90%, 또는 60% 내지 약 80%의 양으로 조성물에 존재할 수 있다. 일부 실시양태에서, 용매는 약 20% 내지 약 90%, 또는 약 55% 내지 약 60%, 또는 30% 내지 약 50%, 또는 35% 내지 약 45%, 또는 약 55% 내지 약 75%의 글리콜 에테르를 포함할 수 있다.
부식 억제제
조성물은 1 이상의, 또는 2 이상의 부식 억제제를 함유한다. 적합한 부식 억제제는 유기 부식 억제제, 예를 들어 방향족 히드록실 화합물, 및 방향족 폴리히드록실 화합물 예컨대 카테콜 및 레조르시놀; 알킬카테콜, 예컨대 메틸카테콜, 에틸카테콜 및 t-부틸카테콜, 페놀 및 피로갈롤; 방향족 트리아졸 예컨대 벤조트리아졸; 알킬벤조트리아졸 및 아미노벤조트리아졸, 예컨대, 1-아미노벤조트리아졸; 트리아졸, 예컨대, 2-아미노벤조티아졸 (ABT); 당 알콜 예컨대 글리세롤, 크실리톨 및 소르비톨; 카르복실산, 예컨대 세바스산, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 이소부티르산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 말레산, 푸마르산, 벤조산, 프탈산, 1,2,3-벤젠트리카르복실산, 글리콜산, 락트산, 말산, 시트르산, 아세트산 무수물, 프탈산 무수물, 말레산 무수물, 숙신산 무수물, 살리실산, 갈산 및 갈산 에스테르 예컨대 메틸 갈레이트 및 프로필 갈레이트; 금속 염 예컨대 질산구리(II); 브로민화구리(II); 염소산구리(II); 염화구리(II); 구리(II) 플루오로실리케이트; 포름산구리(II); 셀렌산구리(II); 황산구리(II); 상기에 기재된 카르복실 함유 유기 함유 화합물 등, 및 킬레이트 화합물 예컨대 인산계 킬레이트 화합물, 예를 들어 1,2-프로판디아민테트라메틸렌 포스폰산 및 히드록시에탄 포스폰산, 카르복실산계 킬레이트 화합물 예컨대 에틸렌디아민테트라아세트산 및 그의 나트륨 및 암모늄 염, 디히드록시에틸글리신 및 니트릴로트리아세트산, 아민계 킬레이트 화합물 예컨대 비피리딘, 테트라페닐포르피린 및 페난트롤린, 및 옥심계 킬레이트 화합물 예컨대 디메틸글리옥심 및 디페닐글리옥심를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 다른 실시양태에서, 1 이상의 부식 억제제는 1 이상의 구리 염, 예컨대, 질산구리(II); 브로민화구리(II); 염소산구리(II); 염화구리(II); 구리(II) 플루오로실리케이트; 포름산구리(II); 셀렌산구리(II); 및/또는 황산구리(II) 단독을 포함할 수 있다. 또 다른 실시양태에서, 조성물은 상기의 유기 부식 억제제 및/또는 킬레이트 화합물 중 1 이상 및 1 이상의 구리 염을 포함할 수 있다. 또 다른 실시양태에서, 1 이상의 부식 억제제는 질산구리(II) (예를 들어, NADA는 약 42% 질산구리(II) 헤미(오수화물-산화제)이고 NADA/1N은 약 26.3% 질산구리(II) 헤미(오수화물-비(non)-산화제)이다), 브로민화구리(II); 염소산구리(II); 염화구리(II); 구리(II) 플루오로실리케이트; 포름산구리(II); 셀렌산구리(II); 황산구리(II) 및/또는 레조르시놀일 수 있다. 또 다른 실시양태에서 부식 억제제는 질산구리(II) (즉, NADA 또는 NADA/1N) 및 레조르시놀일 수 있다.
다른 실시양태에서 부식 억제제는 에틸렌 글리콜; 1,2-프로판디올 (프로필렌 글리콜); 1,3-프로판디올, 1,2,3-프로판트리올; 1,2-부탄디올; 1,3-프로판디올; 2,3-부탄디올; 1,4-부탄디올; 1,2,3-부탄트리올; 1,2,4-부탄트리올; 1,2-펜탄디올; 1,3-펜탄디올; 1,4-펜탄디올; 2,3-펜탄디올; 2,4-펜탄디올; 3,4-펜탄디올; 1,2,3-펜탄트리올; 1,2,4-펜탄트리올; 1,2,5-펜탄트리올; 1,3,5-펜탄트리올; 에토헥사디올; p-메탄-3,8-폴리히드록실 화합물; 2-메틸-2,4-펜탄디올; 2,2-디메틸-1,3-프로판디올; 글리세린; 트리메틸올프로판; 크실리톨; 아라비톨; 1,2- 또는 1,3-시클로펜탄디올; 1,2- 또는 1,3-시클로헥산디올; 2,3-노르보르난디올; 1,8-옥탄디올; 1,2-시클로헥산디메탄올; 1,3-시클로헥산디메탄올; 1,4-시클로헥산디메탄올; 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올; 히드록시피발릴 히드록시피발레이트; 2-메틸-1,3-프로판디올; 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올; 2-에틸-2-이소부틸-1,3-프로판디올; 1,6-헥산디올; 2,2,4,4-테트라메틸-1,6-헥산디올; 1,10-데칸디올; 1,4-벤젠디메탄올; 수소화 비스페놀 A; 1,1,1-트리메틸올 프로판; 1,1,1-트리메틸올에탄; 펜타에리트리톨; 에리트리톨; 트레이톨; 디펜타에리트리톨; 소르비톨; 등, 및 앞서 언급한 폴리히드록실 화합물 중 2 이상의 조합을 포함하는 지방족 또는 방향족 폴리히드록실 화합물을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서 상기에 기재된 목록으로부터 선택된 1 이상의 유기 부식 억제제는 약 0.005 wt% 내지 약 10 wt%의 범위의 수준에서 유용한 조성물에 존재할 수 있다. 일 실시양태에서, 용액은 약 0.25 중량 퍼센트 내지 약 5 중량 퍼센트 또는 0.1 중량 퍼센트 내지 약 4 중량 퍼센트 또는 0.25 중량 퍼센트 내지 약 2 중량 퍼센트를 함유할 수 있다. 1 이상의 부식 억제제는 하기 중량 퍼센트로부터 선택된 종점에 의해 정의된 임의의 양으로 존재할 수 있다: 0.005, 0.02, 0.08, 0.1, 0.2, 0.25, 0.3, 0.4, 0.5, 0.7, 0.9, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 및 10. 제1 및 제2 부식 억제제가 조성물에서 사용될 수 있다. 바람직한 제1 및/또는 제2 부식 억제제는 질산구리 염 (예를 들어, NADA 또는 NADA/1N) 및 레조르시놀이다. 이 개시되고 청구된 주제는 PI 및 PBO와 같은 패시베이션 층을 포함한, 기판 상에 존재하는 필름, 층, 금속 또는 기타 구조를 손상시키지 않으면서 포토레지스트를 제거하기 위해 상기 조성물로 반도체 기판을 처리하는 방법을 포함한다. 반도체 기판을 처리하기 위한 바람직한 온도는 약 50℃이다. 대부분의 적용에서, 약 45℃ 내지 약 85℃ 또는 약 50℃ 내지 약 75℃의 온도가 유용하다. 기판이 민감하거나 더 긴 제거 시간이 필요한 특정한 적용의 경우, 더 낮은 접촉 온도가 적절하다. 예를 들어, 기판을 재작업하는 경우, 포토레지스트를 제거하고 기판 손상을 회피하기 위해 스트리퍼 용액을 적어도 20℃의 온도에서 더 오랜 시간 동안 유지하는 것이 적절할 수 있다.
상기에 언급된 바와 같이, 한 실시양태에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.005 wt% 내지 약 10 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.25 중량 퍼센트 내지 약 5 중량 퍼센트를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.1 중량 퍼센트 내지 약 4 중량 퍼센트를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.25 중량 퍼센트 내지 약 2 중량 퍼센트를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.005 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.02 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.08 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.1 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.2 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.25 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.3 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.4 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.5 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는조성물의 약 0.7 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 0.9 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 1 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 2 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 3 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 4 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 5 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 6 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 7 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 8 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 9 wt%를 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 조성물의 약 10 wt%를 포함한다.
또 다른 실시양태에서, 1 이상의 부식 억제제는 카테콜을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 카테콜을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 카테콜로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 카테콜로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 카테콜로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 카테콜로 이루어진다.
또 다른 실시양태에서, 1 이상의 부식 억제제는 레조르시놀을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 레조르시놀을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 레조르시놀로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 레조르시놀로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 레조르시놀로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 레조르시놀로 이루어진다.
또 다른 실시양태에서, 1 이상의 부식 억제제는 글리세롤을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 글리세롤을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 글리세롤로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 글리세롤로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 글리세롤로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 글리세롤로 이루어진다.
또 다른 실시양태에서, 1 이상의 부식 억제제는 세바스산을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 세바스산을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 세바스산으로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 세바스산으로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 세바스산으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 세바스산으로 이루어진다.
또 다른 실시양태에서, 1 이상의 부식 억제제는 질산구리 염 및 레조르시놀을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 질산구리 염 및 레조르시놀로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 질산구리 염 및 레조르시놀로 이루어진다.
또 다른 실시양태에서, 1 이상의 부식 억제제는 질산구리 염을 포함한다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 질산구리 염으로 본질적으로 이루어진다. 이 실시양태의 추가 측면에서, 1 이상의 부식 억제제는 질산구리로 이루어진다.
기판을 침지할 때, 조성물의 교반은 포토레지스트 제거를 추가로 용이하게 한다. 교반은 기계적 교반, 순환 또는 조성물을 통한 불활성 기체의 버블링에 의해 영향을 받을 수 있다. 원하는 양의 포토레지스트를 제거하면, 기판을 스트리퍼 용액과의 접촉으로부터 제거하고 물 또는 알콜로 씻어 낸다. 탈이온수(DI water)가 물의 바람직한 형태이고, 이소프로판올 (IPA)은 바람직한 알콜이나; 알콜로 헹구는 것은 임의적이다. 산화되는 성분을 갖는 기판의 경우, 바람직하게는 불활성 분위기 하에 씻어 낸다. 본 개시내용에 따른 바람직한 스트리퍼 용액은 현재의 시판 제품과 비교하여 포토레지스트 재료에 대한 개선된 로딩 용량을 가지며 주어진 부피의 스트리퍼 용액으로 더 많은 수의 기판을 처리할 수 있다.
본 개시내용에서 제공되는 스트리퍼 용액은 단일층 또는 특정 유형의 이중층 레지스트에 존재하는 중합체성 레지스트 재료를 제거하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 이중층 레지스트는 전형적으로 제2 중합체 층으로 덮인 제1 무기 층을 갖거나 2개의 중합체 층을 가질 수 있다. 하기에 교시된 방법을 활용하여, 중합체 레지스트의 단일 층은 단일 중합체 층을 갖는 표준 웨이퍼로부터 효과적으로 제거할 수 있다. 동일한 방법을 또한 사용하여 제1 무기 층 및 제2 또는 외부 중합체 층으로 구성된 이중층을 갖는 웨이퍼로부터 단일 중합체 층을 제거할 수 있다. 마지막으로, 두 개의 중합체 층으로 구성된 이중층을 갖는 웨이퍼로부터 두 개의 중합체 층을 효과적으로 제거할 수 있다.
본 개시내용은 두껍고 얇은 포토레지스트의 제거에 사용되는 화학 용액을 기재한다. 두꺼운 포토레지스트는 반도체 디바이스를 위한 고급 패키징 적용에서 약 5 μm 내지 약 100 μm 이상, 또는 약 15 μm 내지 100 μm, 또는 약 20 μm 내지 약 100 μm의 레지스트일 수 있다. 다른 경우에, 화학 용액은 약 1 μm 내지 약 100 μm 이상, 또는 약 2 μm 내지 100 μm, 또는 약 3 μm 내지 약 100 μm의 포토레지스트를 제거하기 위해사용될 수 있다. 한 실시양태에서, 기재된 용액은 글리콜 에테르, 모노에탄올아민 (MEA), 및 적어도 2종의 부식 억제제를 함유한다. 의 스트리퍼 용액은 또한 또는 대안적으로 강염기 (예를 들어, 4급 수산화암모늄, KOH) 및/또는 물이 실질적으로 없다.
조성물의 일부 실시양태는 다음 중 하나 이상이 임의의 조합으로 실질적으로 없을 수 있거나, 대안적으로 없을 수 있다 (이들 용어는 앞서 정의한 바와 같음): 질소 함유 용매, 비스 콜린 염, 트리 콜린 염, 옥소암모늄 화합물, 히드록실아민 및 그의 유도체, 과산화수소, 산화제, , 무기 산, 무기 염기, 금속 수산화물, NMP, 계면활성제, 금속 함유 화합물, , 및 이들 중 임의의 것의 조합. 다른 실시양태에서, 조성물은 나트륨, 및/또는 칼슘, 및/또는 아미노 카르복실산, 및/또는 알콜, 및/또는 에틸렌 디아민, 및/또는 에틸렌 트리아민, 및/또는 티오페놀이 실질적으로 없을 것이다 (또는 없을 것이다). 일부 실시양태에서, 본원에 개시된 조성물은 하기 화학적 화합물 중 적어도 1종이 실질적으로 없거나 없도록 제제화된다: 알킬 티올, 및 유기 실란. 일부 실시양태에서, 본원에 개시된 조성물은 하기: 할라이드-함유 화합물 중 1 이상이 실질적으로 없거나 없도록 제제화되며, 예를 들어 이는 하기: 플루오라이드-, 브로민-, 염소- 또는 아이오딘 함유 화합물 중 1 이상이 실질적으로 없거나 없을 수 있다. 다른 실시양태에서, 조성물은 술폰산 및/또는 인산 및/또는 황산 및/또는 질산 및/또는 염산이 실질적으로 없거나 없을 수 있다.　 다른 실시양태에서, 조성물은 황산염 및/또는 질산염 및/또는 아황산염 및/또는 아질산염이 실질적으로 없거나 없을 수 있다.　 다른 실시양태에서, 조성물은, 에틸 디아민, 나트륨 함유 화합물 및/또는 칼슘 함유 화합물 및/또는 망간 함유 화합물 또는 마그네슘 함유 화합물 및/또는 크로뮴 함유 화합물 및/또는 황 함유 화합물 및/또는 실란 함유 화합물 및/또는 인 함유 화합물이 실질적으로 없거나 없을 수 있다. 일부 실시양태는 계면활성제가 실질적으로 없거나 없을 수 있다. 일부 실시양태는 양쪽성 염, 및/또는 양이온성 계면활성제, 및/또는 음이온성 계면활성제, 및/또는 쯔비터이온성 계면활성제, 및/또는 비이온성 계면활성제가 실질적으로 없거나 없을 수 있다. 일부 실시양태는 이미디졸, 및/또는 무수물이 실질적으로 없거나 없을 수 있다. 일부 실시양태는 피롤리돈, 및/또는 아세트아미드가 실질적으로 없거나 없을 수 있다. 일부 실시양태는 임의의 아민 (알칸올아민 이외의)이 실질적으로 없거나 없을 수 있다. 일부 실시양태는 퍼옥시 화합물, 및/또는 과산화물, 및/또는 과황산염, 및/또는 과탄산염, 및 그의 산, 및 그의 염이 실질적으로 없거나 없을 수 있다. 일부 실시양태는 아이오딘산염, 및/또는 과붕산, 및/또는 과탄산염, 및/또는 과산소산, 및/또는 세륨 화합물, 및/또는 시안화물, 및/또는 과아이오딘산 및/또는 암모늄 몰리브데이트, 및/또는 암모니아 및/또는 연마제가 실질적으로 없거나 없을 수 있다. 조성물에 없을 수 있는 성분은 모든 조합이 본원에 제시된 것처럼 성분의 임의의 조합일 수 있다.
개시되고 청구된 주제의 조성물은 또한 하기 첨가제 중 하나 이상을 포함할 수 있다: 염료 및 살생물제. 첨가제(들)는 조성물의 성능에 불리한 영향을 미치지 않는 정도로, 전형적으로 조성물의 총 약 5 중량% 이하의 양으로 첨가될 수 있다. 다른 실시양태에서, 조성물은 염료, 살생물제 및/또는 기타 첨가제가 실질적으로 없거나 없을 것이다.
실시예
이제 본 개시내용의 보다 구체적 실시양태 및 이러한 실시양태에 대한 지원을 제공하는 실험 결과를 참조할 것이다. 실시예는 개시된 주제를 보다 충분히 예시하기 위해 하기에 주어지며 어떤 식으로든 개시된 주제를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
개시된 주제의 정신 또는 범위를 벗어남이 없이 본원에 제공된 개시된 주제 및 구체적 실시예에서 다양한 수정 및 변형이 이루어질 수 있다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 따라서, 하기 실시예에 의해 제공된 설명을 포함한, 개시된 주제는 청구범위 및 그의 균등물의 범위 내에 있는 개시된 주제의 수정 및 변형을 포괄하도록 의도된다.
재료 및 방법:
이 특허에 사용된 모든 재료는 시그마 알드리치(Sigma Aldrich)로부터 구입 및/또는 입수할 수 있으며 수령한 바와 같이 제제에 사용되었다.
광학현미경 및 주사전자현미경을 사용하여 레지스트 세정 성능 및 폴리이미드 (PI) 또는 폴리벤족사졸 (PBO) 상용성을 점검하였다. Cu 에칭 속도를 제제 처리 전후에 4점 프로브 RESMAP을 사용하여 필름 두께를 측정함으로써 결정하였다.
하기 약어가 하기 표의 다양한 조성에서 사용된다:
Figure pct00019
저온 경화형 PI는 대략 220℃ 미만에서 경화되는 폴리이미드 패시베이션 층 (또는 절연층)이다.
실시예에서, 하기 표에서 확인된 제제를 포함하는 다양한 스트리핑 조성물 (실시예 및 비교실시예)을 반도체 웨이퍼 샘플로부터 포토레지스트를 제거하는 그의 능력에 대해 시험하였다. 쿠폰 크기의 반도체 웨이퍼 샘플은 그 위에 스핀 온 포토레지스트의 두꺼운 층을 갖는 Cu 기둥 및 Sn/Ag 솔더 캡으로 도금된 실리콘 웨이퍼였다. 포토레지스트 제거는 비이커에서 침지 공정을 사용하여 수행되었다. 시험 쿠폰 상의 포토레지스트는 포토레지스트에 대한 포지티브 스핀이었다. 다른 시험 쿠폰은 그 위에 폴리이미드 (PI)의 패시베이션 층을 가졌다. 또 다른 시험 쿠폰은 또한 그 위에 폴리벤족사졸 (PBO)의 패시베이션 층을 가졌다.
표 1은 PI/PBO 상용성 및 포토레지스트 제거 유효성에 대해 NMP를 시험한 결과를 열거한다한다. 표 1에 보고된 시험 결과는 포토레지스트 쿠폰으로부터 포토레지스트 제거, 및 특정된 공정 조건 (온도 및 시간)에서 각각 PBO 패시베이션 층 쿠폰 또는 PI 패시베이션 층을 갖는 개별 쿠폰과의 상용성에 대한 것이었다.
<표 1> 비교실시예 제제―NMP
Figure pct00020
<표 2> 실시예 제제
Figure pct00021
<표 3> 실시예 제제
Figure pct00022
<표 4> 실시예 제제
Figure pct00023
<표 5> 실시예 제제
Figure pct00024
<표 6> 실시예 제제
Figure pct00025
<표 7> 실시예 제제
Figure pct00026
<표 8> 실시예 제제
Figure pct00027
<표 9> 실시예 제제
Figure pct00028
<표 10> 실시예 제제
Figure pct00029
실시예 제제의 분석
분석 1A: 레지스트 세정 성능
표 11 내지 표 14는 침지 공정 및 Cu 기둥 및 Sn/Ag 솔더 캡으로 도금된 50 μm 두께의 CR4000 포지티브 스핀 온 포토레지스트를 가진 반도체 웨이퍼를 사용하여 시험된 다양한 본 발명 및 비교 스트립핑 조성물을 열거한다. 침지 공정을 위해, 쿠폰 크기의 반도체 웨이퍼 샘플을 비이커에서 처리하였다. 비이커를 100.0 g의 스트리핑 조성물로 채우고 50℃ 또는 60℃의 목표 온도로 가열하였다. 스트리핑 조성물이 공정 온도에 있을 때, 쿠폰을 비이커의 홀더에 배치하고, 교반 막대에 의해 약간의 교반을 제공하였다. 세정 공정 동안 쿠폰과 접촉시키면서 온도를 공정 온도로 유지하였다. 경화 처리 후, 쿠폰을 비이커로부터 제거하고, 탈이온수 및 IPA로 씻어 내고, 질소 기류로 건조시켰다.
레지스트 제거는 웨이퍼 쿠폰 표면으로부터 모든 레지스트가 제거된 경우 "깨끗"으로; 적어도 95%의 레지스트가 표면으로부터 제거된 경우 "대체로 깨끗"으로; 레지스트의 약 80%가 표면으로 제거된 경우 "부분적으로 깨끗"으로 정의된다. NMP 비교실시예는 80℃에서 15분 후에 레지스트를 완전히 제거할 수는 없었고, 쿠폰은 15분 후에 부분적으로 깨끗한 실시예 13, 19 및 25를 제외하고 모든 다른 예시된 조성물은 50℃ 또는 60℃에서 15분 후에 레지스트를 완전히 제거할 수 있었다.
분석 1B: PI/PBO 상용성
표 11 내지 표 14는 또한 저온 경화된 폴리이미드 (PI) 필름 및 폴리벤족사졸 (PBO) 필름으로 평가한 결과를 제공한다. 이들 시험은 경화된 PI 필름 또는 경화된 PBO 필름으로 패턴화된 반도체 웨이퍼를 사용하여 수행하였다. 침지 공정을 위해, 쿠폰 크기의 반도체 웨이퍼 샘플을 비이커에서 처리하였다. 비이커를 100 그램의 스트리핑 조성물로 채우고 목표 온도로 가열하였다. 스트리핑 조성물이 공정 온도에 있을 때, 쿠폰을 비이커의 홀더에 배치하고, 교반 막대에 의해 약간의 교반을 제공하였다. 공정 전반에 걸쳐서 온도를 공정 온도로 유지하였다. 60분 또는 120분의 총 처리 시간 후, 쿠폰을 비이커로부터 제거하고, 탈이온수 및 IPA로 씻어 내고, 질소 기류로 건조시켰다.
폴리이미드 필름의 패턴은 시험된 각각의 쿠폰에 대한 처리 전후에 광학 현미경 및 주사 전자 현미경을 사용하여 모니터링하였다. 임의의 균열은 PI와 PBO의 불량한 상용성을 나타내는 지표로서 기록되었다. PI 및 PBO 상용성에 영향을 미치는 요인은 용매 및 알칸올아민 또는 아민을 포함한다. NMP 처리된 PI는 120분 후에 경미한 균열을 나타냈다. 제제 7-14, 18, 19, 24 및 25는 120분 후에 PI와 양호한 상용성을 나타내었으며, 한편 제제 1-6 및 20-23은 120분 후에 PI와 불량한 상용성을 나타냈다. 모든 비교 및 본 발명의 제제 1-25는 120분 후에 PBO와 양호한 상용성을 가졌다.
<표 11> 레지스트 제거 및 PI/PBO 상용성에 대한 용매 효과
Figure pct00030
<표 12> 레지스트 제거 및 PI/PBO 상용성에 대한 용매 또는 용매 혼합물 효과
Figure pct00031
<표 13> 레지스트 제거 및 PI/PBO 상용성에 대한 아민/알칸올아민 효과
Figure pct00032
<표 14> 레지스트 제거 및 PI/PBO 상용성에 대한 알칸올아민 농도 효과
Figure pct00033
분석 2: 부식 억제제 및 에칭 속도
표 15 내지 표 18은 Cu 에칭 속도를 측정하기 위해 침지 공정을 사용하여 분석 2에 대해 시험된 다양한 본 발명 및 비교 스트리핑 조성물을 열거한다. 시험은 블랭킷 Cu 웨이퍼를 사용하여 수행하였다. 침지 공정을 위해, 3개의 쿠폰 크기의 반도체 웨이퍼 샘플을 비이커에서 처리하였다. 비이커를 100 그램의 스트리핑 조성물로 채우고 목표 온도로 가열하였다. 스트리핑 조성물이 목표 온도에 있을 때, 3개의 쿠폰을 비이커의 홀더에 배치하고, 교반 막대에 의해 약간의 교반을 제공하였다. 공정 전반에 걸쳐서 온도를 표에서의 공정 온도로 유지하였다. 15분의 총 처리 시간 후, 쿠폰을 비이커로부터 제거하고, 탈이온수 및 IPA로 씻어 내고, 질소 기류로 건조시켰다.
Cu 층의 두께는 에칭 속도 및 두께 변화를 계산하기 위해 RESMAP을 사용하여 각각의 쿠폰에 대해 처리 전후에 측정하였다. 표 15 및 표 16에서, Cu 에칭 속도를 모니터링함으로써 단일 부식 억제제를 연구하였다. 0.5% 시스테인 (제제 31)은 가장 낮은 Cu 에칭 속도를 갖는다. 0.5% 8-히드로퀴놀린 (제제 28) 및 0.5% 글리세롤 (제제 33)은 Cu 보호에 어떤 영향도 미치지 않는다. 0.5% 카테콜 (제제 29), 레조르시놀 (제제 27) 및 2-아미노벤조트리아졸 (제제 30)은 어떤 부식 억제제도 없는 제제 27과 비교하여 Cu 에칭 속도를 50% 만큼 저하시켰으며 한편 D-소르비톨 (제제 32) 및 세바스산 (제제 16)은 Cu 에칭 속도를 어느 정도 감소시켰다. 1% 글리세롤 (제제 8)은 Cu 에칭 속도를 상당히 저하시켰다. 레조르시놀은 농도를 0.5%에서 1.5%로 증가시키면서 Cu 에칭 속도를 저하시켰고 (제제 34, 35 및 15), 농도를 추가로 증가시켜도 Cu 에칭 속도는 1.5%에서 3%로 상당히 감소하지는 않았다 (제제 35-38). 표 17에서, NADA와 다른 부식 억제제의 조합은 Cu 에칭 속도를 모니터링함으로써 조사하였다. NADA와 레조르시놀, 카테콜 및 세바스산의 조합은 각각 Cu 에칭 속도의 상당한 감소를 나타냈다 (제제 40, 42 및 46). NADA와 D-소르비톨 및 글리세롤의 조합은 Cu 보호에 어떤 영향도 미치지 않는 것으로 나타났다 (제제 44, 45). NADA와 아미노벤조트리아졸 (제제 43)의 조합은 증가된 Cu 에칭 속도를 나타냈으며 한편 8-히드로퀴놀린 (제제 41)은 Cu 에칭 속도에서 약간의 감소를 나타냈다. 표 18은 NADA 용액을 사용하지 않고 Cu 에칭 속도를 감소시킨 부식 억제제의 조합을 예시한다.
<표 15> Cu 에칭 속도에 대한 부식 억제제 효과
Figure pct00034
<표 16> Cu 에칭 속도에 대한 부식 억제제 효과
Figure pct00035
<표 17> Cu 에칭 속도에 대한 부식 억제제 효과
Figure pct00036
<표 18> 강력한 부식 억제제 성능
Figure pct00037
결과 요약
DB는 15% MEA 로딩에서 시험된 모든 용매 중에서 CR4000 제거를 위한 빠른 스트리핑 용매이다. 알칸올아민은 30% MEA 수준에서 10분 내에 아민보다 더 양호한 레지스트 세정 성능을 나타냈으며, 여기서 CR4000은 사용된 용매에 관계없이 10분 내에 세정할 수 있었다.
MMB 및 물은 DB 용매보다 PI와 더 양호한 상용성을 나타냈다.
아민 또는 알칸올아민의 15% 로딩으로, 모든 제제는 120분 후에 PI와 양호한 상용성을 나타냈다. 일반적으로 MEA 농도가 높을수록 더 양호한 레지스트 스트리핑을 초래하였으나 PI와의 더 불량한 상용성을 나타냈다.
시스테인은 Cu 에칭 속도를 저하시키기 위한 단일 부식 억제제로서 잘 수행하였다.
레조르시놀은 농도를 0.5%에서 1.5%로 증가시키면서 Cu 에칭 속도를 저하시켰으나, 농도를 추가로 증가시켜도 Cu 에칭 속도는 1.5%에서 3%로 상당히 감소하지는 않았다.
NADA와 레조르시놀, 카테콜 및 세바스산의 조합은 각각 Cu 에칭 속도의 상당한 감소를 나타냈다. 예를 들어, NADA, 카테콜, 레조르시놀 및 2-아미노벤조트리아졸은 어떤 부식 억제제도 없는 대조군과 비교하여 Cu 에칭 속도를 50% 만큼 저하시켰다.
일부 부식 억제제 쌍 (예를 들어, 레조르시놀 및 세바스산)은 부식 억제제가 없는 대조군보다 약 7배 더 낮은 Cu 에칭 속도를 나타냈다.
개시되고 청구된 주제가 어느 정도의 구체적으로 기술되고 예시되었긴 하지만, 개시내용은 단지 예로서 이루어졌으며 단계의 조건 및 순서의 수많은 변경이 개시되고 청구된 주제의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 결정될 수 있다는 것이 이해된다. 따라서, 개시되고 청구된 주제의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변경이 이루어질 수 있고 균등물이 그의 요소에 대해 대체될 수 있다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 이해될 것이다. 게다가, 그의 본질적인 범위를 벗어나지 않으면서 개시되고 청구된 주제의 교시내용에 특정한 상황 또는 재료를 적용하기 위해 많은 수정이 이루어질 수 있다. 게다가, 상세한 설명에서 확인된 모든 숫자 값은 정확한 값과 대략적인 값이 둘 다 명시적으로 확인되는 것처럼 해석되어야 한다.

Claims (115)

  1. (i) 1 이상의 알칸올아민,
    (ii) 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜, 및
    (iii) 1 이상의 부식 억제제
    를 포함하는 세정 조성물.
  2. (i) 1 이상의 알칸올아민,
    (ii) 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜, 및
    (iii) 1 이상의 부식 억제제
    로 본질적으로 이루어진 세정 조성물.
  3. (i) 1 이상의 알칸올아민,
    (ii) 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜, 및
    (iii) 1 이상의 부식 억제제
    로 이루어진 세정 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이 화학식 (I)의 1,2-알칸올아민을 포함하는 것인 조성물:
    Figure pct00038
    (I)
    식 중, R1, R2 및 R3 각각은 H, 비치환된 C1-C6 알킬, 치환된 C1-C6 알킬, 분지형 C3-C6 알킬 및 C1-C6 알킬아미노로부터 독립적으로 선택된다.
  5. 제4항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이 1,2-알칸올아민을 포함하는 것인 조성물.
  6. 제4항에 있어서, 대략 5 wt% 내지 50 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  7. 제4항에 있어서, 대략 10 wt% 내지 40 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  8. 제4항에 있어서, 대략 15 wt% 내지 35 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  9. 제4항에 있어서, 대략 20 wt% 내지 30 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  10. 제4항에 있어서, 대략 15 wt% 내지 20 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  11. 제4항에 있어서, 대략 10 wt% 내지 20 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  12. 제4항에 있어서, 대략 10 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  13. 제4항에 있어서, 대략 15 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  14. 제4항에 있어서, 대략 20 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  15. 제4항에 있어서, 대략 25 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  16. 제4항에 있어서, 대략 30 wt%의 1,2-알칸올아민을 포함하는 조성물.
  17. 제4항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이
    Figure pct00039
    를 포함하는 것인 조성물.
  18. 제4항에 있어서, 대략 15 wt%의
    Figure pct00040
    를 포함하는 조성물.
  19. 제4항에 있어서, 대략 30 wt%의
    Figure pct00041
    를 포함하는 조성물.
  20. 제4항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이
    Figure pct00042
    를 포함하는 것인 조성물.
  21. 제4항에 있어서, 대략 15 wt%의
    Figure pct00043
    를 포함하는 조성물.
  22. 제4항에 있어서, 대략 30 wt%의
    Figure pct00044
    를 포함하는 조성물.
  23. 제4항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이
    Figure pct00045
    를 포함하는 것인 조성물.
  24. 제4항에 있어서, 대략 15 wt%의
    Figure pct00046
    를 포함하는 조성물.
  25. 제4항에 있어서, 대략 30 wt%의
    Figure pct00047
    를 포함하는 조성물.
  26. 제4항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이
    Figure pct00048
    를 포함하는 것인 조성물.
  27. 제4항에 있어서, 대략 15 wt%의
    Figure pct00049
    를 포함하는 조성물.
  28. 제4항에 있어서, 대략 30 wt%의
    Figure pct00050
    를 포함하는 조성물.
  29. 제4항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이
    Figure pct00051
    를 포함하는 것인 조성물.
  30. 제4항에 있어서, 대략 15 wt%의
    Figure pct00052
    를 포함하는 조성물.
  31. 제4항에 있어서, 대략 30 wt%의
    Figure pct00053
    를 포함하는 조성물.
  32. 제4항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이
    Figure pct00054
    를 포함하는 것인 조성물.
  33. 제4항에 있어서, 대략 15 wt%의
    Figure pct00055
    를 포함하는 조성물.
  34. 제4항에 있어서, 대략 30 wt%의
    Figure pct00056
    를 포함하는 조성물.
  35. 제4항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이
    Figure pct00057
    를 포함하는 것인 조성물.
  36. 제4항에 있어서, 대략 15 wt%의
    Figure pct00058
    를 포함하는 조성물.
  37. 제4항에 있어서, 대략 30 wt%의
    Figure pct00059
    를 포함하는 조성물.
  38. 제4항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이
    Figure pct00060
    를 포함하는 것인 조성물.
  39. 제4항에 있어서, 대략 15 wt%의
    Figure pct00061
    를 포함하는 조성물.
  40. 제4항에 있어서, 대략 30 wt%의
    Figure pct00062
    를 포함하는 조성물.
  41. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 알칸올아민이 에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-프로필에탄올아민, N-부틸에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, 이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, N-메틸이소프로판올아민, N-에틸이소프로판올아민, N-프로필이소프로판올아민, 2-아미노프로판-1-올, N-메틸-2-아미노프로판-1-올, N-에틸-2-아미노프로판-1-올, 1-아미노프로판-3-올, N-메틸-1-아미노프로판-3-올, N-에틸-1-아미노프로판-3-올, 1-아미노부탄-2-올, N-메틸-1-아미노부탄-2-올, N-에틸-1-아미노부탄-2-올, 2-아미노부탄-1-올, N-메틸-2-아미노부탄-1-올, N-에틸-2-아미노부탄-1-올, 3-아미노부탄-1-올, N-메틸-3-아미노부탄-1-올, N-에틸-3-아미노부탄-1-올, 1-아미노부탄-4-올, N-메틸-1-아미노부탄-4-올, N-에틸-1-아미노부탄-4-올, 1-아미노-2-메틸프로판-2-올, 2-아미노-2-메틸프로판-1-올, 1-아미노펜탄-4-올, 2-아미노-4-메틸펜탄-1-올, 2-아미노헥산-1-올, 3-아미노헵탄-4-올, 1-아미노옥탄-2-올, 5-아미노옥탄-4-올, 1-아미노프로판-2,3-디올, 2-아미노프로판-1,3-디올, 트리스(옥시메틸)아미노메탄, 1,2-디아미노프로판-3-올, 1,3-디아미노프로판-2-올, 및 2-(2-아미노에톡시)에탄올 중 1 이상을 포함하는 것인 조성물.
  42. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르(DB), 디에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 페닐 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 트리프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜(DEG), 또는 디프로필렌 글리콜, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올(MMB), 푸르푸릴알콜, 테트라히드로푸르푸릴 알콜, 벤질 알콜, 벤질 에탄올 및 벤질 프로판올 중 1 이상을 포함하는 것인 조성물.
  43. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이 1 이상의 글리콜 에테르를 포함하는 것인 조성물.
  44. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이, 에테르 기를 갖는 1 이상의 알콜을 포함하는 것인 조성물.
  45. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이, 1 이상의 알칸올 치환된 벤젠을 포함하는 것인 조성물.
  46. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이 조성물의 약 50 wt% 내지 약 90 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  47. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이 조성물의 약 55 wt% 내지 약 90 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  48. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이 조성물의 약 60 wt% 내지 약 88 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  49. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이 조성물의 약 65 wt% 내지 약 85 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  50. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이 조성물의 약 80 wt% 내지 약 85 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  51. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 에테르 알콜 용매 또는 방향족 함유 알콜이 조성물의 약 30 wt% 내지 약 50 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  52. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.005 wt% 내지 약 10 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  53. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.25 중량 퍼센트 내지 약 5 중량 퍼센트를 포함하는 것인 조성물.
  54. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.1 중량 퍼센트 내지 약 4 중량 퍼센트를 포함하는 것인 조성물.
  55. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.25 중량 퍼센트 내지 약 2 중량 퍼센트를 포함하는 것인 조성물.
  56. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.005 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  57. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.02 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  58. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.08 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  59. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.1 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  60. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.2 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  61. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.25 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  62. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.3 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  63. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.4 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  64. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.5 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  65. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.7 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  66. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 0.9 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  67. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 1 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  68. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 2 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  69. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 3 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  70. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 4 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  71. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 5 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  72. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 6 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  73. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 7 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  74. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 8 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  75. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 9 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  76. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 조성물의 약 10 wt%를 포함하는 것인 조성물.
  77. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 방향족 히드록실 화합물, 방향족 폴리히드록실 화합물, 알킬카테콜, 페놀, 방향족 트리아졸, 알킬벤조트리아졸, 아미노벤조트리아졸, 티아졸, 당 알콜, 카르복실산 및 금속 염을 포함하는 것인 조성물.
  78. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 금속 염을 포함하는 것인 조성물..
  79. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 카테콜, 레조르시놀, 메틸카테콜, 에틸카테콜, t-부틸카테콜, 페놀, 피로갈롤, 벤조트리아졸, 1-아미노벤조트리아졸, 2-아미노벤조티아졸(ABT), 글리세롤, 크실리톨, 소르비톨, 세바스산, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 이소부티르산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 말레산, 푸마르산, 벤조산, 프탈산, 1,2,3-벤젠트리카르복실산, 글리콜산, 락트산, 말산, 시트르산, 아세트산 무수물, 프탈산 무수물, 말레산 무수물, 숙신산 무수물, 살리실산, 갈산, 메틸 갈레이트 및 프로필 갈레이트, 질산구리(II), 브로민화구리(II), 염소산구리(II), 염화구리(II), 구리(II) 플루오로실리케이트, 포름산구리(II), 아셀렌산구리(II), 황산구리(II), 1,2-프로판디아민테트라메틸렌 포스폰산, 히드록시에탄 포스폰산, 에틸렌디아민테트라아세트산 및 그의 나트륨 및 암모늄 염, 디히드록시에틸글리신, 니트릴로트리아세트산, 비피리딘, 테트라페닐포르피린, 페난트롤린, 디메틸글리옥심 및 디페닐글리옥심 중 1 이상을 포함하는 것인 조성물.
  80. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 카테콜을 포함하는 것인 조성물.
  81. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 레조르시놀을 포함하는 것인 조성물.
  82. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 글리세롤을 포함하는 것인 조성물.
  83. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 세바스산을 포함하는 것인 조성물.
  84. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 카테콜을 포함하는 것인 조성물.
  85. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 레조르시놀을 포함하는 것인 조성물.
  86. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 글리세롤을 포함하는 것인 조성물.
  87. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 세바스산을 포함하는 것인 조성물.
  88. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 카테콜로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  89. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 레조르시놀로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  90. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 글리세롤로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  91. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 세바스산으로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  92. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 카테콜로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  93. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 레조르시놀로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  94. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 글리세롤로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  95. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 세바스산으로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  96. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 카테콜로 이루어진 것인 조성물.
  97. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 레조르시놀로 이루어진 것인 조성물 .
  98. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 글리세롤로 이루어진 것인 조성물.
  99. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 세바스산으로 이루어진 것인 조성물.
  100. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 카테콜로 이루어진 것인 조성물.
  101. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 레조르시놀로 이루어진 것인 조성물.
  102. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 글리세롤로 이루어진 것인 조성물.
  103. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가약 0.5 wt% 내지 약 1.5 wt%의 세바스산으로 이루어진 것인 조성물.
  104. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 질산구리 염 및 레조르시놀을 포함하는 것인 조성물.
  105. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 질산구리 염 및 레조르시놀로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  106. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 질산구리 염 및 레조르시놀로 이루어진 것인 조성물.
  107. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 질산구리 염을 포함하는 것인 조성물.
  108. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 질산구리 염으로 본질적으로 이루어진 것인 조성물.
  109. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 질산구리 염으로 이루어진 것인 조성물.
  110. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1 이상의 부식 억제제가 에틸렌 글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,2,3-프로판트리올, 1,2-부탄디올, 1,3-프로판디올, 2,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,2,3-부탄트리올, 1,2,4-부탄트리올, 1,2-펜탄디올, 1,3-펜탄디올, 1,4-펜탄디올, 2,3-펜탄디올, 2,4-펜탄디올, 3,4-펜탄디올, 1,2,3-펜탄트리올, 1,2,4-펜탄트리올, 1,2,5-펜탄트리올, 1,3,5-펜탄트리올, 에토헥사디올, p-메탄-3,8-폴리히드록실 화합물, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 글리세린, 트리메틸올프로판, 크실리톨, 아라비톨, 1,2-시클로펜탄디올, 1,3-시클로펜탄디올, 1,2-시클로헥산디올, 1,3-시클로헥산디올, 2,3-노르보르난디올, 1,8-옥탄디올, 1,2-시클로헥산디메탄올, 1,3-시클로헥산디메탄올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 히드록시피발릴 히드록시피발레이트, 2-메틸-1,3-프로판디올, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 2-에틸-2-이소부틸-1,3-프로판디올, 1,6-헥산디올, 2,2,4,4-테트라메틸-1,6-헥산디올, 1,10-데칸디올, 1,4-벤젠디메탄올, 수소화 비스페놀 A, 1,1,1-트리메틸올 프로판, 1,1,1-트리메틸올에탄, 펜타에리트리롤, 에리트리롤, 트레이톨, 디펜타에리트리톨 및 소르비톨 중 1 이상을 포함하는 것인 조성물.
  111. 제1항 또는 제2항에 있어서, 1 이상의 제2 용매를 추가로 포함하는 조성물.
  112. 제1항 또는 제2항에 있어서, 약 10% 내지 약 50%의 제2 용매를 추가로 포함하는 조성물.
  113. 제1항 또는 제2항에 있어서, 선형 지방족 알콜, 분지쇄형 지방족 알콜 및 방향족 알콜 중 1 이상인, 약 10% 내지 약 50%의 제2 용매를 추가로 포함하는 조성물.
  114. 제1항 또는 제2항에 있어서, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로필 알콜, 부탄올, tert-부틸 알콜, tert-아밀 알콜, 3-메틸-3-펜탄올, 1-옥탄올, 1-데칸올, 1-운데칸올, 1-도데칸올, 1-트리데칸올, 1-테트라데칸올, 1-펜타데칸올, 1-헥사데칸올, 9-헥사데센-1-올, 1-헵타데칸올, 1-옥타데칸올, 1-노나데칸올, 1-에이코산올, 1-헤네이코산올, 1-도코산올, 13-도코센-1-올, 1-테트라코산올, 1-헥사코산올, 1-헵타코산올, 1-옥타코산올, 1-트리아콘탄올, 1-도트리아콘탄올, 1-테트라트리아콘탄올, 세테아릴 알콜, 프로필렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 및 글리세롤 중 1 이상인, 약 10% 내지 약 50%의 제2 용매를 추가로 포함하는 조성물.
  115. 위에 포토레지스트를 포함하는 반도체 기판을 제1항 내지 제114항 중 어느 한 항의 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하는, 세정 조성물의 사용 방법.
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