JP2022549372A - フォトレジスト除去剤 - Google Patents

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Abstract

洗浄組成物及びそれを使用する方法が開示されており、その組成物は、１つ又は複数のアルカノールアミン、１つ又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコール、１つ又は複数の腐食防止剤、及び任意選択で１つ又は複数の二次溶媒を含む。

Description

開示及びクレームされた主題は、概して、フォトレジストを基板から効果的に除去する能力を有する組成物、及びそのような組成物を使用するための方法に関する。
フォトレジストを除去するための剥離液は、米国特許出願公開第２００１０３４３１３ＡＡ号明細書や米国特許出願公開第２０１８０１４３５３１Ａ１号明細書に開示のものなど、多く存在する。性能向上に対するウェハーメーカーの要求がますます高まっているなか、剥離液組成物の改良が求められている。様々な材料が様々な機能のために基板に使用されるなかで、剥離剤はそれらの材料と接触する可能性があり、剥離剤を除去する能力及び基板上の除去されない材料との適合性を有する必要がある。さらに、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）やジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）など、剥離剤製剤に使用される溶媒が最近規制されており、より環境に優しい溶媒を含む新しい製剤が必要である。
開示及びクレームされた主題の１つの態様では、フォトレジストを基板から効率的に除去又は剥離するためのフォトレジスト剥離液が提供される。本発明の剥離液は、ＮＭＰ及びＤＭＳＯを含まない、又はそれらを実質的に含まないものであり、ポジ型フォトレジストの除去に特に有用であり、基板上の存在する材料、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）のパッシベーション層などに害を与えない。
開示及びクレームされた主題による組成物は、（ｉ）１種又は複数の有機溶媒、（ｉｉ）１種又は複数のアルカノールアミン及び／又はアミン並びに（ｉｉｉ）１種又は複数の腐食防止剤を含む。さらなる態様では、組成物は（ｉｖ）１種又は複数の二次溶媒（単数又は複数）を含む。この実施形態のさらなる態様では、開示及びクレームされた化学製剤は、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）から本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、開示及びクレームされた化学製剤は、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）から本質的になる。この実施形態の他のさらなる態様では、開示及びクレームされた化学製剤は、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）からなる。この実施形態の他のさらなる態様では、開示及びクレームされた化学製剤は、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）からなる。
さらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は２つ以上の腐食防止剤を含む。いくつかの実施形態は、水を含まない、若しくは実質的に含まない、且つ／又は強塩基（例えば、ＫＯＨ、水酸化第四級アンモニウム）を含まない、若しくは実質的に含まない。
別の実施形態では、組成物は、（ｉ）１種又は複数のアルカノールアミン、（ｉｉ）１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香環含有アルコール及び（ｉｉｉ）１種又は複数の腐食防止剤を含む。本開示によるさらなる実施形態は、追加の又は二次的な溶媒を含有しうる。好ましい二次溶媒は脂肪族アルコールを含む。本開示によれば、さらなる実施形態は、アミン又はアミンとアルカノールアミンの組み合わせを含有しうる。本開示によれば、さらなる実施形態は、追加として２つの腐食防止剤を含有する。
本開示の第２の態様は、上記剥離液を使用してフォトレジストを基板から除去する方法を提供する。所望の量のフォトレジストを除去するのに充分な時間、基板を剥離液と接触させ、基板を剥離液から取り出し、剥離液を基板から溶媒で洗い流し、基板を乾燥させることによって、その上にフォトレジストを有する選択された基板からフォトレジストを除去することができる。
１つの実施形態では、剥離剤は、約２０％～約９０％のジエチレングリコールモノブチルエーテル、約０．０１％～約５％の１種又は複数の腐食防止剤、並びに約５％～約４０％の１種又は複数のアルカノールアミンを含み、そのアルカノールアミンは、少なくとも２つの炭素原子、少なくとも１つのアミノ置換基及び少なくとも１つのヒドロキシル置換基を有し、アミノ及びヒドロキシル置換基が２つの異なる炭素原子に付いている。
さらなる態様では、アルカノールアミンは、式：
Figure 2022549372000001
 の１，２－アルカノールアミンであり、
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、Ｈ、非置換Ｃ１－Ｃ６アルキル、置換Ｃ１－Ｃ６アルキル、分岐Ｃ３－Ｃ６アルキル及びＣ１－Ｃ６アルキルアミノから独立して選択される。いくつかの実施形態では、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、Ｈ、Ｃ１－Ｃ４アルキル、又はＣ１－Ｃ４アルキルアミノから独立して選択される。１つの実施形態では、Ｒ１は－Ｈ又は－ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２であり、Ｒ２はＨである。別の実施形態では、Ｒ１は－ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２であり、Ｒ２は－Ｈである。別の実施形態では、Ｒ１とＲ２はともに、－Ｈである。別の実施形態では、Ｒ１とＲ２はともに、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＨである。この実施形態の別の態様では、Ｒ３は－ＣＨ３である。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２の１つ又は両方がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミンを含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がそれぞれ、Ｈである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000002
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２の１つがＨであり、Ｒ１及びＲ２のもう１つが－ＣＨ３基であり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000003
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がそれぞれ、－ＣＨ３である式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000004
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１、Ｒ２がそれぞれ、水素であり、Ｒ３が－ＣＨ３である式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000005
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２の１つがＨであり、Ｒ１及びＲ２のもう１つが式－ＣＨ２ＣＨ２ＯＨの置換Ｃ１－Ｃ６アルキルであり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000006
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１とＲ２がともに、式－ＣＨ２ＣＨ２ＯＨの置換Ｃ１－Ｃ６アルキルであり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000007
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２の１つがＨであり、Ｒ１及びＲ２のもう１つが式－ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２の置換Ｃ１－Ｃ６アルキルであり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000008
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２がそれぞれ、－ＣＨ３であり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000009
 を含む。
開示及びクレームされた主題はさらに、開示及びクレームされた化学製剤の使用及び合成を対象とする。
別の実施形態では、上記組成物は追加の又は二次的な溶媒を含む。好ましい二次溶媒としては、グリコール、ポリヒドロキシル化合物、及び同種のものが挙げられる。
本開示の第３の態様は、開示された新規な方法によって製造された電子機器を含む。
開示及びクレームされた主題の他の特徴及び利点は、開示及びクレームされた主題の原理を説明するする例示の解決策とあわせて、以下のより詳細な説明から明らかであろう。
この要約の項は、開示及びクレームされた主題のすべての実施形態及び／又は漸進的な新規の態様を具体的に述べるものではない。その代わりに、この要約は、異なる実施形態と、従来技術及び公知技術に対する新規性の対応する点についての予備的な議論を示すにすぎない。開示及びクレームされた主題及び実施形態の追加の詳細及び／又は可能な観点については、読者は、以下でさらに議論されるように、本開示の詳細な説明の項に導かれる。
本明細書に記載の様々なステップの議論の順序は、わかりやすくするために示したものである。一般に、本明細書に開示のステップは、任意の好適な順序で実行することができる。さらに、本明細書に開示の様々な特徴、技術、構成などのそれぞれは、本開示の様々な箇所で説明されうるが、それぞれの概念は、互いに独立して、又は互いに適宜組み合わせて実行できることを意図している。したがって、開示及びクレームされた主題は、多くの様々な方法で具現化され、見ることができる。
クレームされているものを理解することを促進する目的で、ここでは図示された実施態様を参照し、特定の言語を用いて実施形態を説明する。それにもかかわらず、クレームされているものの範囲のいかなる限定も、それにより意図されず、そこに示されているような変更及び更なる修正並びにその原理のさらなる適用が、この開示が関連する技術の当業者に通常生じるであろうものとして企図されていることが理解されるであろう。
本明細書に引用された刊行物、特許出願、及び特許を含むすべての文献は、それぞれの参考文献が参照により援用されることが個別に且つ具体的に示され、その全体が本明細書に記載された場合と同様に、参照により本明細書に援用される。
開示及びクレームされた主題を説明する文脈における（特に以下の特許請求の範囲の文脈における）「ａ」及び「ａｎ」及び「ｔｈｅ」という用語並びに同様の参照語の使用は、本明細書において別段示される、又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、単数と複数の両方を包含するように解釈されるものとする。「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、及び「含む（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」という用語は、特に断りのない限り、非限定的な用語（すなわち、「を含むが、限定されない」という意味）として解釈されるものとする。本明細書における値の範囲の記載は、本明細書に別段の指示がない限り、範囲内に入る別個の値をそれぞれ個別に言及するための簡単な方法（ｓｈｏｒｔｈａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ）として機能することのみを意図しており、別個の値をそれぞれは、本明細書に個別に記載される場合と同様に、本明細書に援用される。本明細書に記載されるすべての方法は、本明細書に別段の指示がない限り、又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、任意の適切な順序で実施することができる。本明細書で提供されているあらゆる例、又は例示的な言語（例えば、「など」）の使用は、単に開示及び請求される主題をより良く明確にすることを意図しており、別段の主張がない限り、その範囲を制限するものではない。本明細書のいかなる文言も、クレームされていない要素を、開示及びクレームされた主題の実施に必須であるとして示すものと解釈されるべきではない。
開示及びクレームされた主題を実施するために本発明者らに公知の最良の態様を含む、開示及びクレームされた主題の好ましい実施形態が本明細書に記載されている。それらの好ましい実施形態の変形は、前述の説明を読めば、当業者には明らかになるであろう。本発明の発明者らは、当業者が適宜そのような変形を採用することを想定しており、その発明者らは、開示及びクレームされた主題が本明細書に具体的に、記載されている以外の方法で実施されることを意図している。したがって、この開示及びクレームされた主題は、適用される法律で許可される、本明細書に添付の特許請求の範囲に記載された主題のすべての変更及び均等物を含む。さらに、そのすべての可能な変形における上記要素の任意の組み合わせは、本明細書に別段の指示がない限り、又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、開示及びクレームされた主題によって包含される。
参照しやすいように、「マイクロエレクトロニクスデバイス」又は「半導体基板」は、半導体ウェハー、フラットパネルディスプレイ、相変化メモリデバイス、ソーラーパネル、並びにマイクロエレクトロニクス、集積回路、又はコンピューターチップ用途で使用するために製造された、ソーラー基板、太陽光発電、及びマイクロエレクトロ機械システム（ＭＥＭＳ）を含む他の製品にあたる。ソーラー基板としては、シリコン、非晶質シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ＣｄＴｅ、セレン化銅インジウム、硫化銅インジウム、及びガリウム上の砒化ガリウムが挙げられるが、これらに限定されない。ソーラー基板は、ドープされていても、ドープされていなくてもよい。「マイクロエレクトロニクスデバイス」という用語は、決して限定することを意味するものではなく、最終的にマイクロエレクトロニクスデバイス又はマイクロエレクトロニクスアセンブリとなる基板を含むことが理解されるべきである。マイクロエレクトロニクスデバイス又は半導体基板は、低誘電率誘電体材料、バリア材料、及びＡｌＣｕ合金、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮなどの金属、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾールなどの１つ以上の不動態化層、並びにその上の他の材料を含むことができる。
本書で定義する「低誘電率誘電体材料」は、層状マイクロエレクトロニクスデバイスの誘電体材料として使用される任意の材料にあたり、その材料は誘電率が約３．５未満である。好ましくは、低誘電率誘電体材料は、ケイ素含有有機ポリマー、ケイ素含有ハイブリッド有機／無機材料、有機ケイ酸ガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ化ケイ酸ガラス（ＦＳＧ）、二酸化ケイ素、及び炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）ガラスなどの低極性材料を含む。低誘電率誘電体材料は、様々な密度や様々な気孔率を有しうることが理解されるべきである。
本書で定義する、「バリア材料」という用語は、金属線、例えば銅の相互接続を封止し、前記金属、例えば銅の誘電体材料への拡散を最小限にするために当該技術分野で用いられる任意の材料に対応する。好ましいバリア層材料としては、タンタル、チタン、ルテニウム、ハフニウム及び耐火金属並びにそれらの窒化物及びケイ化物が挙げられる。
本明細書において、「実質的に含まない（Substantially free）」は、約１質量％未満、より好ましくは約０．５質量％未満、最も好ましくは約０．２質量％未満と定義される。「実質的に含まない」はまた、約０．０質量％を含む。「含まない（free of）」という用語は、０．０質量％を意味する。
いくつかの実施形態では、実質的に水を含まない組成物を説明するとき、水を成分とともに加えてもよいことを意図しているが、成分とともに加える水の量は約０．１質量％未満であるべきであり、水は製造及び使用中に大気から吸収されうる。他の実施形態では、実質的に水を含まないとは、水が約１質量％を超えて存在しない組成物を指すことがある。他の実施形態では、実質的に水を含まないとは、水が約３質量％を超えて存在しない組成物を指すことがある。
測定可能な数値変数に関連して使用されるとき、「約（about）」又は「約（approximately）」という用語は、変数の示された値及び示された値の実験誤差内（例えば、平均値の９５％信頼限界内）又は指示値の割合内（例えば、±１０％、±５％）のいずれか大きい方の変数のすべての値を指す。
そのような組成物のすべてにおいて、組成物の特定の成分は、ゼロ下限を含む質量パーセント範囲に関連して論じられるが、そのような成分は、組成物の様々な特定の実施形態において存在しても存在しなくてもよく、そのような成分が存在する場合には、そのような成分は、そのような成分が用いられる組成物の総質量に基づいて、わずか０．００１質量パーセントの低い濃度で存在してもよいことが理解されるであろう。別段の指示がない限り、成分の定義された質量パーセントはすべて、組成物の総質量に対するものであることに留意されたい。さらに、別段の指示がない限り、質量パーセントはすべて、それらが組成物に加えられたときに存在する水溶液を含まないことを意味する「無溶媒、原液のまま（neat）」である。「少なくとも１つ」への言及は、「１種又は複数」に置き換えられうる。「少なくとも１つ」及び／又は「１種又は複数」は、「少なくとも２種」又は「２種以上」及び「少なくとも３種」及び「３種以上」などを含む。
本発明の組成物は、１種又は複数の有機溶媒、１種又は複数のアルカノールアミン及び／又は１種又は複数のアミン；１種又は複数の腐食防止剤並びに任意選択で１種又は複数の二次溶媒を含む。
さらなる実施形態では、本発明の組成物は、様々な濃度で、（ｉ）１種又は複数のアルカノールアミン、（ｉｉ）１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコール及び（ｉｉｉ）１種又は複数の腐食防止剤から本質的になる。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の合計量は１００質量％に等しくなく、洗浄組成物の効果を大きく変化させない他の成分（例えば、水を含む追加の溶剤（単数又は複数）、一般的な添加物及び／又は不純物）を含むことができる。
別の実施形態では、本発明の組成物は、様々な濃度で、（ｉ）１種又は複数のアルカノールアミン、（ｉｉ）１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコール及び（ｉｉｉ）１種又は複数の腐食防止剤からなる。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の合計量は約１００質量％に等しいが、組成物の効果を大きく変えないほど少ない量で存在する他の少量及び／又は微量の不純物を含むことができる。例えば、１つのそのような実施形態では、洗浄組成物は２質量％以下の不純物を含有することができる。別の実施形態では、洗浄組成物は１質量％以下の不純物を含有することができる。さらなる実施形態では、洗浄組成物は０．０５質量％以下の不純物を含有することができる。
本明細書に記載の本発明の組成物を質量％の単位で言及する場合、いかなる場合にも、不純物などの非必須成分を含むすべての成分の質量％が１００質量％を超えて加算されてはならないことが理解される。記載の成分「から本質的になる」組成物において、そのような成分は、組成物の最大で１００質量％まで加えられてもよく、１００質量％未満に加えられてもよい。成分が合計で１００質量％未満の場合、そのような組成物は、必須ではない汚染物又は不純物をいくらか少量含むことがある。例えば、１つのそのような実施形態では、組成物は、２質量％以下の不純物を含有することができる。別の実施形態では、リンス（rinse）は、１質量％以下の不純物を含有することができる。さらなる実施形態では、組成物は、０．０５質量％以下の不純物を含有することができる。他のそのような実施形態では、成分は、少なくとも９０質量％、より好ましくは少なくとも９５質量％、より好ましくは少なくとも９９質量％、より好ましくは少なくとも９９．５質量％、最も好ましくは少なくとも９９．９質量％を形成することができ、ウエットエッチング液の性能に重大な影響を与えない他の成分を含むことができる。そうでなければ、著しい非必須不純物成分が存在しない場合には、すべての必須構成成分の組成は、本質的に１００質量％になることが理解される。
溶媒
典型的には、本開示による組成物は１種又は複数の有機溶媒を含む。組成物に使用できる溶媒の１つのタイプは、エーテルアルコール溶媒又は芳香環含有アルコール溶媒、又はそれらの混合物である。エーテルアルコール溶媒は、グリコールエーテル又はエーテル基を有する他のアルコールであることができる。グリコールエーテル溶媒を含む１種又は複数のエーテルアルコール溶媒は組成物中に使用することができる。好適なグリコールエーテル溶媒としては、ジエチレングリコールブチルエーテル（ＤＢ）、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコール－ブチルエーテル、ジプロピレングリコール－ｎ－ブチルエーテル、エチレングリコールプロピルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、又はジプロピレングリコールが挙げられる。グリコールエーテルではないアルコールエーテル溶媒の例は、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール（ＭＭＢ）、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコールである。組成物に有用な芳香環含有アルコール溶媒の例は、ベンジルアルコールや、ベンジルエタノール、ベンジルプロパノールなどのアルカノール置換ベンゼンである。各溶媒は、単独で、又は同じタイプのものを混合して、又は異なるタイプのもののいずれか又はすべてを組み合わせて使用することができる。
たいていの用途において、１種又は複数のアルコールエーテル溶媒及び／又は芳香族含有アルコールは、例えば、組成物の質量で約５０％～約９０％、又は５５％～約９０％を含むと考えられている。開示及びクレームされた主題の他の好ましい実施形態は、質量で約６０％～約８８％、又は６５％～８５％のグリコールエーテル溶媒及び／又は芳香族含有アルコールを含むことができる。アルコールエーテル溶媒（単数若しくは複数）及び／又は芳香族含有アルコールは、以下の質量パーセントのリストで画定される範囲内に入る量で存在することができる：５０、５５、５８、６０、６２、６５、６７、７０、７２、７５、７７、８０、８２、８５、８８及び９０。芳香環含有アルコール及び／又は芳香族含有アルコールは、以下の質量パーセントのリストで画定される範囲内に入る量で組成物中に存在することができる：５０、５５、５８、６０、６２、６５、６７、７０、７２、７５、７７、８０、８２、８５、８８及び９０。他の実施形態では、１種又は複数のエーテルアルコール溶媒及び／又は芳香族含有アルコールは、組成物の約８０質量％～約８５質量％を構成する。他の実施形態では、１種又は複数のエーテルアルコール溶媒及び／又は芳香族含有アルコールは、組成物の約３０質量％～約５０質量％を構成する。
いくつかの実施形態は、上記のエーテルアルコール溶媒又は芳香環含有アルコール溶媒にくわえて、約１０％～約５０％の二次溶媒を含有することができる。代替として、いくつかの実施形態では、剥離液は二次溶媒を含まない、又は実質的に含まない。
二次有機溶媒アルコールは、直鎖又は分岐鎖脂肪族又は芳香族アルコールであることができる。組成物が含むことができる二次アルコールの例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、ｔｅｒｔ－アミルアルコール、３－メチル－３－ペンタノール、１－オクタノール、１－デカノール、１－ウンデカノール、１－ドデカノール、１－トリデカノール、１－テトラデカノール、１－ペンタデカノール、１－ヘキサデカノール、９－ヘキサデセン－１－オール、１－ヘプタデカノール、１－オクタデカノール、１－ノナデカノール、１－エイコサノール、１－ヘネイコサノール、１－ドコサノール、１３－ドコセン－１－オール、１－テトラコサノール、１－ヘキサコサノール、１－ヘプタコサノール、１－オクタコサノール、１－トリアコンタノール、１－ドトリアコンタノール、１－テトラトリアコンタノール、セテアリルアルコール、プロピレングリコール、エチレングリコール及びグリセロールが挙げられる。
使用の際、二次有機溶媒は、組成物の約０．０２％～約４５％、又は約０．０８％～約３８％、又は約０．１％～約３５％、又は約０．２％～約３３％、又は約０．３％～約２０％を構成することができる。代替的な実施形態では、二次溶媒は、次の質量パーセントから選択される終点（endpoints）によって画定されるいずれかの量で存在することができる：０．０２、０．０８、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．７、０．９、１、３、５、８、１０、１２、１５、１７、２０、２３、２５、３８、３０、３２、３５、３７、４０、４３及び４５。
アルカノールアミン
好適なアルカノールアミンは、少なくとも２つの炭素原子、少なくとも１つのアミノ置換基及び少なくとも１つのヒドロキシル置換基を有し、アミノ及びヒドロキシル置換基は２つの異なる炭素原子に付いている。
いくつかの実施形態では、アルカノールアミンは、式（Ｉ）：
Figure 2022549372000010
 の１，２－アルカノールアミンであり、
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、Ｈ、非置換Ｃ１－Ｃ６アルキル、置換Ｃ１－Ｃ６アルキル、分岐Ｃ３－Ｃ６アルキル及びＣ１－Ｃ６アルキルアミノから独立して選択される。いくつかの実施形態では、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、Ｈ、Ｃ１－Ｃ４アルキル、又はＣ１－Ｃ４アルキルアミノから独立して選択される。１つの実施形態では、Ｒ１は－Ｈ又は－ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２であり、Ｒ２はＨである。別の実施形態では、Ｒ１は－ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２であり、Ｒ２は－Ｈである。別の実施形態では、Ｒ１とＲ２はともに、－Ｈである。別の実施形態では、Ｒ１とＲ２はともに、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＨである。別の実施形態では、Ｒ３は－ＣＨ３である。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２の１つ又は両方がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミンを含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がそれぞれ、Ｈである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000011
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２の１つがＨであり、Ｒ１及びＲ２のもう１つが－ＣＨ３基であり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000012
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がそれぞれ、－ＣＨ３である式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000013
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１、Ｒ２がそれぞれ、水素であり、Ｒ３が－ＣＨ３である式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000014
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２の１つがＨであり、Ｒ１及びＲ２のもう１つが式－ＣＨ２ＣＨ２ＯＨの置換Ｃ１－Ｃ６アルキルであり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000015
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１とＲ２がともに、式－ＣＨ２ＣＨ２ＯＨの置換Ｃ１－Ｃ６アルキルであり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000016
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２の１つがＨであり、Ｒ１及びＲ２のもう１つが式－ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２の置換Ｃ１－Ｃ６アルキルであり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000017
 を含む。
１つの実施形態では、本発明の製剤は、Ｒ１及びＲ２がそれぞれ、－ＣＨ３であり、Ｒ３がＨである式（Ｉ）のアルカノールアミン：
Figure 2022549372000018
 を含む。
好適なアルカノールアミンとしては、エタノールアミン、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－エチルエタノールアミン、Ｎ－プロピルエタノールアミン、Ｎ－ブチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルイソプロパノールアミン、Ｎ－プロピルイソプロパノールアミン、２－アミノプロパン－１－オール、Ｎ－メチル－２－アミノプロパン－１－オール、Ｎ－エチル－２－アミノプロパン－１－オール、１－アミノプロパン－３－オール、Ｎ－メチル－１－アミノプロパン－３－オール、Ｎ－エチル－１－アミノプロパン－３－オール、１－アミノブタン－２－オール、Ｎ－メチル－１－アミノブタン－２－オール、Ｎ－エチル－１－アミノブタン－２－オール、２－アミノブタン－１－オール、Ｎ－メチル－２－アミノブタン－１－オール、Ｎ－エチル－２－アミノブタン－１－オール、３－アミノブタン－１－オール、Ｎ－メチル－３－アミノブタン－１－オール、Ｎ－エチル－３－アミノブタン－１－オール、１－アミノブタン－４－オール、Ｎ－メチル－１－アミノブタン－４－オール、Ｎ－エチル－１－アミノブタン－４－オール、１－アミノ－２－メチルプロパン－２－オール、２－アミノ－２－メチルプロパン－１－オール、１－アミノペンタン－４－オール、２－アミノ－４－メチルペンタン－１－オール、２－アミノヘキサン－１－オール、３－アミノヘプタン－４－オール、１－アミノオクタン－２－オール、５－アミノオクタン－４－オール、１－アミノプロパン－２，３－ジオール、２－アミノプロパン－１，３－ジオール、トリス（オキシメチル）アミノメタン、１，２－ジアミノプロパン－３－オール、１，３－ジアミノプロパン－２－オール、及び２－（２－アミノエトキシ）エタノールが挙げられるが、これらに限定されない。
アルカノールアミン及びアミンの少なくとも一方に必要な好適なレベルは、組成物の約５％～約５０％の範囲であることができる。いくつかの実施形態では、アルカノールアミン及び／又はアミンは、組成物の約１０％～約３０％である。代替的な実施形態では、アルカノールアミン及び／又はアミンは、次の質量パーセントから選択される終点によって画定されるいずれかの量で存在することができる：２、５、８、１０、１２、１５、１７、２０、２２、２５、２７、３０、３２、３５、３８、４０、４２、４５、４８及び５０。
組成物中の、アルコールエーテル溶媒及び二次溶媒でありうる有機溶媒の質量パーセントと、アルカノールアミン及び／又はアミンの質量パーセントとの合計は、約９０％～約９９．９％であることができる。他の実施形態では、組成物は、約５５％～約９９％、又は約６５％～約９８％、又は約７０％～約９７％又は約７５％～約９９．９％、又は約８０％～約９８％、又は約８５％～約９９％、又は約８５％～約９６％、又は約９０％～約９７％、又は約７５％～約９０％の有機溶媒及びアルカノールアミン及び／又はアミンを含有することができる。いくつかの実施形態では、質量パーセントは、質量パーセントのアルカノールアミン及び／又はアミンより大きく、有機溶媒は、２０％～約９０％、又は３０％～約９０％、又は５０％～約８０％、又は６０％～約８０％の量で組成物中に存在することができる。いくつかの実施形態では、溶液は、約２０％～約９０％、又は約５５％～約６０％、又は３０％～約５０％、又は３５％～約４５％、又は約５５％～約７５％グリコールエーテルを含むことができる。
腐食防止剤
組成物は、１つ若しくは複数、又は２つ以上の腐食防止剤を含有する。好適な腐食防止剤としては、有機腐食防止剤、例えば、芳香族ヒドロキシル化合物、及びカテコールやレゾルシノールなどの芳香族ポリヒドロキシル化合物；メチルカテコールや、エチルカテコール、ｔ－ブチルカテコール、フェノール、ピロガロールなどのアルキルカテコール；ベンゾトリアゾールなどの芳香族トリアゾール；アルキルベンゾトリアゾール及び１－アミノベンゾトリアゾールなどのアミノベンゾトリアゾール；２－アミノベンゾチアゾール（ＡＢＴ）などのチアゾール；グリセロールや、キシリトール、ソルビトールなどの糖アルコール；セバシン酸や、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３－ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸、没食子酸などのカルボン酸、没食子酸メチルや没食子酸プロピルなどの没食子酸エステル；硝酸銅（ＩＩ）；臭化銅（ＩＩ）；塩素酸銅（ＩＩ）；塩化銅（ＩＩ）；フルオロケイ酸銅（ＩＩ）；ギ酸銅（ＩＩ）；セレン酸銅（ＩＩ）；硫酸銅（ＩＩ）などの金属塩；上記の有機含有化合物を含有するカルボキシルの有機塩、及び同種のもの、並びにキレート化合物、例えば１，２－プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸及びヒドロキシエタンホスホン酸を含むリン酸ベースのキレート化合物、エチレンジアミン四酢酸及びそのナトリウム塩及びアンモニウム塩、ジヒドロキシエチルグリシン及びニトリロ三酢酸などのカルボン酸ベースのキレート化合物、ビピリジンや、テトラフェニルポルフィリン、フェナントロリンなどのアミンベースのキレート化合物、ジメチルグリオキシムやジフェニルグリオキシムなどのオキシムベースのキレート化合物が挙げられるが、これらに限定されない。他の実施形態では、１種又は複数の腐食防止剤は、硝酸銅（ＩＩ）；臭化銅（ＩＩ）；塩素酸銅（ＩＩ）；塩化銅（ＩＩ）；フルオロケイ酸銅（ＩＩ）；ギ酸銅（ＩＩ）；セレン酸銅（ＩＩ）など、１種又は複数の銅塩；及び／又は硫酸銅（ＩＩ）単独を含むことができる。さらに他の実施形態では、組成物は、上記の有機腐食防止剤及び／又はキレート化合物のうちの１種又は複数並びに１種又は複数の銅塩を含むことができる。さらに他の実施形態では、１種又は複数の腐食防止剤は、硝酸銅（ＩＩ）（例えば、ＮＡＤＡが約４２％の硝酸銅（ＩＩ）ヘミ（五水和物－酸化剤）及びＮＡＤＡ／１Ｎが約２６．３％の硝酸銅（ＩＩ）ヘミ（五水和物－非酸化剤））、臭化銅（ＩＩ）；塩素酸銅（ＩＩ）；塩化銅（ＩＩ）；フルオロケイ酸銅（ＩＩ）；ギ酸銅（ＩＩ）；セレン酸銅（ＩＩ）；硫酸銅（ＩＩ）並びに／又はレゾルシノールであることができる。さらに別の実施形態では、腐食防止剤は、硝酸銅（ＩＩ）（すなわち、ＮＡＤＡ又はＮＡＤＡ／１Ｎ）及びレゾルシノールを含むことができる。
他の実施形態では、腐食防止剤は、脂肪族又は芳香族ポリヒドロキシル化合物、例えばエチレングリコール；１，２－プロパンジオール（プロピレングリコール）；１，３－プロパンジオール、１，２，３－プロパントリオール；１，２－ブタンジオール；１，３－プロパンジオール；２，３－ブタンジオール；１，４－ブタンジオール；１，２，３－ブタントリオール；１，２，４－ブタントリオール；１，２－ペンタンジオール；１，３－ペンタンジオール；１，４－ペンタンジオール；２，３－ペンタンジオール；２，４－ペンタンジオール；３，４－ペンタンジオール；１，２，３－ペンタントリオール；１，２，４－ペンタントリオール；１，２，５－ペンタントリオール；１，３，５－ペンタントリオール；エトヘキサジオール；ｐ－メタン－３，８－ポリヒドロキシル化合物；２－メチル－２，４－ペンタンジオール；２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオール；グリセリン；トリルネチロールプロパン；キシリトール；アラビトール；１，２－又は１，３－シクロペンタンジオール；１，２－又は１，３－シクロヘキサンジオール；２，３－ノルボルナンジオール；１，８－オクタンジオール；１，２－シクロヘキサン－ジメタノール；１，３－シクロヘキサンジメタノール；１，４－シクロヘキサンジメタノール；２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール；ヒドロキシピバリルヒドロキシピバレート；２－メチル－１，３－プロパンジオール；２－ブチル－２－エチル－１，３－プロパンジオール；２－エチル－２－イソブチル－１，３－プロパンジオール；１，６－ヘキサンジオール；２，２，４，４－テトラメチル－１，６－ヘキサンジオール；１，１０－デカンジオール；１，４－ベンゼンジメタノール；水添ビスフェノールＡ；１，１，１－トリメチロールプロパン；１，１，１－トリメチロールエタン；ペンタエリスリトール；エリスリトール；トレイトール；ジペンタエリスリトール；ソルビトール；及び同種のもの、並びに２つ以上の前述のポリヒドロキシル化合物の組み合わせを含むことができる。
いくつかの実施形態では、上記リストから選択される１種又は複数の有機腐食防止剤が、約０．００５質量％～約１０質量％の範囲のレベルで有用な組成物中に存在することができる。一実施形態では、溶液は、約０．２５質量パーセント～約５質量パーセント又は０．１質量パーセント～約４質量パーセント又は０．２５質量パーセント～約２質量パーセントを含有することができる。１種又は複数の腐食防止剤は、次の質量パーセントから選択される終点によって画定されるいずれかの量で存在することができる：０．００５、０．０２、０．０８、０．１、０．２、０．２５、０．３、０．４、０．５、０．７、０．９、１、２、３、４、５、６、７、８、９及び１０。第１及び第２の腐食防止剤を組成物に使用することができる。好ましい第１及び／又は第２の腐食防止剤は硝酸銅塩（例えばＮＡＤＡ又はＮＡＤＡ／１Ｎ）及びレゾルシノールである。開示及びクレームされたこの主題は、半導体基板を組成物で処理して、ＰＩやＰＢＯなどのパッシベーション層を含む基板上に存在する膜、層、金属又は他の構造体にダメージを与えることなくフォトレジストを除去する方法を含む。半導体基板を処理するための好ましい温度は約５０℃である。たいていの用途では、約４５℃～約８５℃又は約５０℃～約７５℃の温度が有用である。基板が敏感である又はより長い除去時間が必要である特定の用途の場合、より低い接触温度が適切である。例えば、基板をリワークする場合、フォトレジストを除去し、基板へのダメージを回避するために、剥離液を少なくとも２０℃の温度で、より長い時間維持するのが適切である場合がある。
前述のように、１つの実施形態では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．００５質量％～約１０質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．２５質量パーセント～約５質量パーセントを構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．１質量パーセント～約４質量パーセントを構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．２５質量パーセント～約２質量パーセントを構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．００５質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．０２質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．０８質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．１質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．２質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．２５質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．３質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．４質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．５質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．７質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約０．９質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約１質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約２質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約３質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約４質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約５質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約６質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約７質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約８質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約９質量％を構成する。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、組成物の約１０質量％を構成する。
別の実施形態では、１種又は複数の腐食防止剤はカテコールを含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のカテコールを含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、カテコールから本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のカテコールから本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、カテコールからなる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のカテコールからなる。
別の実施形態では、１種又は複数の腐食防止剤はレゾルシノールを含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のレゾルシノールを含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、レゾルシノールから本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のレゾルシノールから本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、レゾルシノールからなる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のレゾルシノールからなる
別の実施形態では、１種又は複数の腐食防止剤はグリセロールを含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のグリセロールを含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、グリセロールから本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のグリセロールから本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、グリセロールからなる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のグリセロールからなる。
別の実施形態では、１種又は複数の腐食防止剤はセバシン酸を含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のセバシン酸を含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、セバシン酸から本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のセバシン酸から本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、セバシン酸からなる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、約０．５質量％～約１．５質量％のセバシン酸からなる。
別の実施形態では、１種又は複数の腐食防止剤は硝酸銅塩及びレゾルシノールを含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、硝酸銅塩及びレゾルシノールから本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は、硝酸銅塩及びレゾルシノールからなる。
別の実施形態では、１種又は複数の腐食防止剤は硝酸銅塩を含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は硝酸銅塩から本質的になる。この実施形態のさらなる態様では、１種又は複数の腐食防止剤は硝酸銅からなる。
基板を浸漬するとき、組成物を攪拌することにより、さらにフォトレジストの除去が容易になる。攪拌は、機械的な攪拌、循環によって、又は組成物を通して不活性ガスをバブリングすることによって作用して影響を及ぼすことができる。所望の量のフォトレジストを除去した際に、基板は剥離液との接触から外され、水又はアルコールで洗い流される。脱イオン水が水の好ましい形態であり、イソプロパノール（ＩＰＡ）がアルコールの好ましい形態であるが、アルコールで洗い流すのは任意選択である。酸化しやすい構成要素を有する基板の場合、不活性雰囲気下で洗い流すことが好ましい。本開示による好ましい剥離液は、現在の市販品と比較して、フォトレジスト材料に対するローディング能（loading capacities）が向上しており、所与の体積の剥離液で、より多くの基板を処理することが可能である。
本開示で提供される剥離液を使用して、単層又はある種の二層レジストに存在するポリマーレジスト材料を除去することができる。例えば、二層レジストは、典型的には、第２のポリマー層で覆われた第１の無機層を有するか、又は２つのポリマー層を有することができる。以下に教示される方法を用いることで、単一ポリマー層を有する標準的なウェハーから単層のポリマーレジストを効果的に除去することができる。また、同じ方法を用いて、第１の無機層と第２又は外側のポリマー層から構成される二層構造を有するウェハーから単一ポリマー層を除去することもできる。そして、２つのポリマー層から構成された二層膜を有するウェハーから、２つのポリマー層を効果的に除去することができる。
本開示は、厚膜及び薄膜フォトレジストの除去に用いる化学溶液について述べたものである。厚膜フォトレジストは、半導体デバイスの先端パッケージング用途には、約５μｍ～約１００μｍ以上、又は約１５μｍ～１００μｍ、又は約２０μｍ～約１００μｍのレジストであることができる。他の場合、化学溶液は、約１μｍ～約１００μｍ以上、又は約２μｍ～１００μｍ、又は約３μｍ～約１００μｍのフォトレジストを除去するために使用することができる。１つの実施形態では、記載の溶液は、グリコールエーテル、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、及び少なくとも２つの腐食防止剤を含有する。剥離液はまた、又は代替的に、強塩基（例えば、水酸化第四級アンモニウム、ＫＯＨ）及び／又は水を実質的に含まない。
本発明の組成物のいくつかの実施形態は、１種又は複数の以下のものをいずれの組み合わせでも実質的に含まない、あるいは含まない（これらの用語は先に定義した通り）ことがある：窒素含有溶媒、ビスコリン塩、トリコリン塩、オキソアンモニウム化合物、ヒドロキシルアミン及びその誘導体、過酸化水素、酸化剤、無機酸、無機塩基、金属水酸化物、ＮＭＰ、界面活性剤、金属含有化合物、及びそれらのいずれかの組み合わせ。他の実施形態では、組成物は、ナトリウム、及び／又はカルシウム、及び／又はアミノカルボン酸、及び／又はアルコール、及び／又はエチレンジアミン、及び／又はエチルレントリアミン、及び／又はチオフェノールを実質的に含まない（又は含まない）ことになる。いくつかの実施形態では、本明細書に開示の組成物は、以下の化学化合物：アルキルチオール及び有機シランのうちの少なくとも１つを実質的に含まない、又は含まないように配合されている。いくつかの実施形態では、本明細書に開示の組成物は、以下のハロゲン化物含有化合物の１種又は複数を実質的に含まない、又は含まないように配合され、例えばそれは、以下のフッ化物、臭素、塩素、又はヨウ素含有化合物のうちの１種又は複数を実質的に含まない、又は含まないことがある。他の実施形態では、組成物は、スルホン酸及び／又はリン酸及び／又は硫酸及び／又は硝酸及び／又は塩酸を実質的に含まない、又は含まないことがある。他の実施形態では、組成物は、硫酸塩及び／又は硝酸塩及び／又は亜硫酸塩及び／又は亜硝酸塩を実質的に含まない、又は含まないことがある。他の実施形態では、組成物は、エチルジアミン、ナトリウム含有化合物及び／又はカルシウム含有化合物及び／又はマンガン含有化合物又はマグネシウム含有化合物及び／又はクロム含有化合物及び／又はイオウ含有化合物及び／又はシラン含有化合物及び／又はリン含有化合物を実質的に含まない、又は含まないことがある。いくつかの実施形態は、界面活性剤を実質的に含まない、又は含まないことがある。いくつかの実施形態は、両性塩、及び／又はカチオン性界面活性剤、及び／又はアニオン性界面活性剤、及び／又は双性イオン性界面活性剤、及び／又は非イオン性界面活性剤を実質的に含まない、又は含まないことがある。いくつかの実施形態は、イミジゾール、及び／又は無水物を実質的に含まない、又は含まないことがある。いくつかの実施形態は、ピロリドン、及び／又はアセトアミドを実質的に含まない、又は含まないことがある。いくつかの実施形態は、（アルカノールアミン以外の）いずれのアミンも実質的に含まない、又は含まないことがある。いくつかの実施形態は、ペルオキシ化合物、及び／又は過酸化物、及び／又は過硫酸塩、及び／又は過炭酸塩、並びにそれらの酸、及びそれらの塩を実質的に含まない、又は含まないことがある。いくつかの実施形態は、ヨウ素酸塩、及び／又は過ホウ酸、及び／又は過炭酸塩、及び／又は過酸化物、及び／又はセリウム化合物、及び／又はシアン化物、及び／又は過ヨウ素酸及び／又はモリブデン酸アンモニウム、及び／又はアンモニア及び／又は研磨剤を実質的に含まない、又は含まないことがある。組成物が含まない可能性がある成分は、すべての組み合わせが本明細書に記載される場合と同様に、成分の任意の組み合わせであることができる。
開示及びクレームされた主題の組成物はまた、次の添加物の１種又は複数を含むことができる：染料及び殺生物剤。添加剤（単数又は複数）は、組成物の性能に悪い影響を及ぼさない程度に、典型的には組成物の合計で約５質量％までの量で添加することができる。他の実施形態では、組成物は、染料、殺生物剤及び／又は他の添加物を実質的に含まない、又は含まないことになる。
実施例
ここで、本開示のより具体的な実施形態及びそのような実施形態を裏付ける実験結果を参照する。これらの例は、開示された主題をより完全に説明するために以下に示され、いかなる方法においても開示された主題を限定するものと解釈されるべきではない。
開示された主題の趣旨又は範囲から逸脱することなく、開示された主題及び本明細書に示された具体例において、様々な修正及び変形が可能であることは当業者にとって明らかであろう。したがって、以下の例によって示される説明を含む開示された主題は、任意のクレーム及びその均等物の範囲内に入る開示された主題の修正及び変形を網羅することが意図される。
材料と方法
本特許で使用される材料はすべて、シグマアルドリッチ（Sigma Aldrich）から購入した、且つ／又は入手可能であり、受け取ったままの状態で製剤に使用した。
レジスト洗浄性能及びポリイミド（ＰＩ）又はポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）適合性は、光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡を用いて調べた。銅のエッチング速度は、４探針プローブＲＥＳＭＡＰを用いて、加工前及び加工後に膜厚を測定することで求められる。
下表の様々な組成物に以下の略号を使用する。
Figure 2022549372000019
例では、下表で特定される製剤を含む様々な剥離組成物（例及び比較例）を、半導体ウェハー試料からフォトレジストを除去する能力について試験した。半導体ウェハーのクーポンサイズ試料は、Ｃｕピラーでメッキしたシリコンウェハーと、その上にスピンオンフォトレジストの厚い層を有するＳｎ／Ａｇソルダーキャップであった。フォトレジストの除去は、ビーカーに浸漬する工程を用いて行った。テストクーポン上のフォトレジストはポジ型スピンオンフォトレジストであった。他のテストクーポンは、その上にポリイミド（ＰＩ）のパッシベーション層を有した。さらに他のテストクーポンも、その上にポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）のパッシベーション層を有した。
ＮＭＰをＰＩ／ＰＢＯ適合性及びフォトレジスト剥離効果について試験した結果をテーブル１に列挙する。テーブル１に報告する試験結果は、指定した工程の条件（温度及び時間）における、フォトレジストクーポンからのフォトレジスト除去、及びそれぞれがＰＢＯパッシベーション層クーポン又はＰＩパッシベーション層のいずれかを有する別個のクーポンとの適合性に関する。
Figure 2022549372000020
Figure 2022549372000021
Figure 2022549372000022
Figure 2022549372000023
Figure 2022549372000024
Figure 2022549372000025
Figure 2022549372000026
Figure 2022549372000027
Figure 2022549372000028
Figure 2022549372000029
例製剤の分析
分析１Ａ：レジスト洗浄性能
テーブル１１～１４は、浸漬工程及びＳｎ／ＡｇはんだキャップとめっきＣｕピラーをもち、厚さが５０μｍのＣＲ４０００ポジ型スピンオンフォトレジストをもつ半導体ウェハーを用いて試験した様々な本発明及び比較例の剥離組成物を列挙する。浸漬工程では、半導体ウェハーのクーポンサイズの試料をビーカー中で処理した。ビーカーに１００．０グラムの剥離組成物を入れ、５０℃又は６０℃の標的温度に加熱した。剥離組成物が処理温度になったところで、ビーカー内のホルダーにクーポンを置き、スターバーでわずかに攪拌した。洗浄工程中クーポンに接触している間、温度を処理温度に維持した。所定の処理の後、クーポンをビーカーから取り出し、脱イオン水及びＩＰＡで洗い、窒素流で乾燥させた。
レジスト除去は、すべてのレジストがウェハクーポン表面から除去された場合、「クリーン（ｃｌｅａｎ）」、少なくとも９５％のレジストが表面から除去された場合、「ほぼクリーン」、レジストの約８０％が表面から除去された場合、「部分的にクリーン」と定義される。ＮＭＰの比較例は、８０℃で１５分後にレジストを完全に除去することができず、他の例示組成物は、１５分後にクーポンが部分的にクリーンである例１３、１９及び２５を除いたすべてにおいて、５０℃又は６０℃で１５分後にレジストを完全に除去することができた。
分析１Ｂ：ＰＩ／ＰＢＯ適合性
テーブル１１～１４はまた、低温硬化ポリイミド（ＰＩ）膜及びポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）膜を用いて評価した結果を示す。これらの試験は、硬化ＰＩ膜又は硬化ＰＢＯ膜でパターン化した半導体ウェハーを使用して行った。浸漬工程では、半導体ウェハーのクーポンサイズの試料をビーカー中で処理した。ビーカーに１００グラムの剥離組成物を入れ、標的温度まで加熱した。剥離組成物が処理温度になったところで、ビーカー内のホルダーにクーポンを置き、スターバーでわずかに攪拌した。温度は処理の間ずっと、処理温度に維持した。６０分又は１２０分の処理の後、クーポンをビーカーから取り出し、脱イオン水及びＩＰＡで洗い流し、窒素流で乾燥させた。
ポリイミド膜のパターンを、試験したクーポンそれぞれの処理の前後に、光学顕微鏡及び走査電子顕微鏡を用いてモニターした。亀裂があれば、ＰＩとＰＢＯとの適合性が低いことを示す指標とした。ＰＩとＰＢＯとの適合性に影響する因子としては、溶媒及びアルカノールアミン又はアミンが挙げられる。ＮＭＰ処理したＰＩでは、１２０分後にわずかなクラックが見られた。製剤７～１４、１８、１９、２４及び２５は、１２０分後にＰＩとの良好な相溶性を示したが、製剤１～６及び２０～２３は１２０分後にＰＩとの適合性が低かった。比較例及び本発明の製剤１～２５はすべて、１２０分後にＰＢＯとの適合性が良好であった。
Figure 2022549372000030
Figure 2022549372000031
Figure 2022549372000032
Figure 2022549372000033
分析２：腐食防止剤及びエッチング速度
テーブル１５～１８は、Ｃｕエッチング速度を測定するために浸漬工程を用いて、分析２について試験した様々な本発明及び比較例の剥離組成物を列挙する。試験は、ブランケットＣｕウェハーを使用して行った。浸漬工程では、半導体ウェハーの３つのクーポンサイズの試料をビーカー中で処理した。ビーカーに１００グラムの剥離組成物を入れ、標的温度まで加熱した。剥離組成物が標的温度になったところで、ビーカー内のホルダーに３つのクーポンを置き、スターバーでわずかに攪拌した。温度は処理の間ずっと、処理温度に維持した。計１５分の処理時間の後、クーポンをビーカーから取り出し、脱イオン水及びＩＰＡで洗い流し、窒素流で乾燥させた。
ＲＥＳＭＡＰを用いてＣｕ層の厚みを、クーポンそれぞれの処理の前後に測定して、厚みの変化とエッチレートを算出した。テーブル１５及び１６では、Ｃｕエッチング速度をモニターすることによって単体の腐食防止剤を調べた。０．５％システイン（製剤３１）はＣｕエッチング速度が最も低い。０．５％８－ヒドロキノリン（製剤２８）及び０．５％グリセロール（製剤３３）はＣｕ保護に影響しない。０．５％カテコール（製剤２９）、レゾルシノール（製剤２７）及び２－アミノベンゾトリアゾール（製剤３０）は、その腐食防止剤も含まない製剤２７と比較して、Ｃｕエッチング速度を５０％低下させ、一方でＤ－ソルビトール（製剤３２）及びセバシン酸（製剤１６）はＣｕエッチング速度をある程度低下させた。１％グリセロール（製剤８）はＣｕエッチング速度を有意に低下させた。レゾルシノールは、濃度を０．５％から１．５％に増加させるとＣｕエッチング速度を低下させた（製剤３４、３５及び１５）が、さらに濃度を１．５％から３％に増加させてもＣｕエッチング速度を有意に減少させない（製剤３５～３８）。テーブル１７では、ＮＡＤＡと他の腐食防止剤の組み合わせを、Ｃｕエッチング速度のモニタリングすることによって調べた。ＮＡＤＡと、レゾルシノール、カテコール及びセバシン酸との組み合わせは，それぞれＣｕエッチング速度の有意な低下を示した（製剤４０、４２及び４６）。ＮＡＤＡと、Ｄ－ソルビトール及びグリセロールとの組み合わせは銅の保護に影響しなかった（製剤４４、４５）。ＮＡＤＡとアミノベンゾトリアゾールの組み合わせ（製剤４３）はＣｕエッチング速度の増加を示したが、８－ヒドロキノリン（製剤４１）は、Ｃｕエッチング速度のわずかな低下を示した。テーブル１８は、ＮＡＤＡ溶液を含まない腐食防止剤の組み合わせがＣｕエッチング速度を低下させたことを示す。
Figure 2022549372000034
Figure 2022549372000035
Figure 2022549372000036
Figure 2022549372000037
結果のまとめ
ＤＢは１５％ＭＥＡ添加で試験したすべての溶媒のなかで、ＣＲ４０００除去用高速剥離溶媒である。３０％ＭＥＡレベル、１０分でアルカノールアミンはアミンに比べてより良好なレジスト洗浄性能を示し、そこではＣＲ４０００は使用溶剤に関わらず１０分で洗浄することができた。
ＭＭＢや水はＤＢ溶媒よりもＰＩとの適合性が良好であった。
アミン又はアルカノールアミンを１５％添加した場合、すべての製剤が１２０分後にＰＩとの良好な適合性を示した。一般に、ＭＥＡ濃度が高いほどレジスト剥離性はより良好になったが、ＰＩとの適合性は悪くなった。
Ｃｕエッチング速度を低下させる単一の腐食防止剤として、システインが良好な性能を示した。
レゾルシノールは、濃度を０．５％から１．５％に増加させるとＣｕエッチング速度を低下させたが、さらに濃度を１．５％から３％に増加させてもＣｕエッチング速度を有意に減少させない。
ＮＡＤＡと、レゾルシノール、カテコール及びセバシン酸の組み合わせは、それぞれＣｕエッチング速度の有意な低下を示した。例えば、ＮＡＤＡ、カテコール、レゾルシノール及び２－アミノベンゾトリアゾールは、腐食防止剤を含まない対照と比較して、Ｃｕエッチング速度を５０％低下させた。
いくつかの腐食防止剤の組み合わせ（例えば、レゾルシノールとセバシン酸）は、腐食防止剤を含まない対照よりも約７倍低い銅エッチング速度を示した。
開示及びクレームされた主題を、ある程度の具体性をもって説明及び図示してきたが、開示は単なる例示として行われたものであり、開示及びクレームされた主題の趣旨及び範囲から逸脱することなく、ステップの条件及び順序における多数の変更を当業者に委ねることができることが理解される。したがって、開示及びクレームされた主題の範囲から逸脱することなく、様々な変更がなされ、均等物をその要素の代わりに用いることができることが当業者には理解されるであろう。さらに、特定の状況又は材料を、開示及びクレームされた主題の教示に適合させるために、その本質的な範囲から逸脱することなく多くの修正をおこなうことができる。さらに、詳細な説明において特定された数値は、ぴったりの値及び近似値がともに明示的に特定されているように解釈されるものとする。

Claims (115)

  1. 洗浄組成物であって、
    （ｉ）１種又は複数のアルカノールアミン、
    （ｉｉ）１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコール、及び
    （ｉｉｉ）１種又は複数の腐食防止剤
    を含む、洗浄組成物。
  2. 洗浄組成物であって、
    （ｉ）１種又は複数のアルカノールアミン、
    （ｉｉ）１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコール、及び
    （ｉｉｉ）１種又は複数の腐食防止剤
    から本質的になる、洗浄組成物。
  3. 洗浄組成物であって、
    （ｉ）１種又は複数のアルカノールアミン、
    （ｉｉ）１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコール、及び
    （ｉｉｉ）１種又は複数の腐食防止剤
    からなる、洗浄組成物。
  4. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、式（Ｉ）：
    Figure 2022549372000038
     の１，２－アルカノールアミンを含み、
    Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がそれぞれ、Ｈ、非置換Ｃ１－Ｃ６アルキル、置換Ｃ１－Ｃ６アルキル、分岐Ｃ３－Ｃ６アルキル及びＣ１－Ｃ６アルキルアミノから独立して選択される、
    請求項１～３のいずれかに記載の組成物。
  5. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  6. 前記組成物が約５質量％～５０質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  7. 前記組成物が約１０質量％～４０質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  8. 前記組成物が約１５質量％～３５質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  9. 前記組成物が約２０質量％～３０質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  10. 前記組成物が約１５質量％～２０質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  11. 前記組成物が約１０質量％～２０質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  12. 前記組成物が約１０質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  13. 前記組成物が約１５質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  14. 前記組成物が約２０質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  15. 前記組成物が約２５質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  16. 前記組成物が約３０質量％の１，２－アルカノールアミンを含む、請求項４に記載の組成物。
  17. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、
    Figure 2022549372000039
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  18. 前記組成物が約１５質量％の
    Figure 2022549372000040
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  19. 前記組成物が約３０質量％の
    Figure 2022549372000041
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  20. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、
    Figure 2022549372000042
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  21. 前記組成物が約１５質量％の
    Figure 2022549372000043
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  22. 前記組成物が約３０質量％の
    Figure 2022549372000044
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  23. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、
    Figure 2022549372000045
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  24. 前記組成物が約１５質量％の
    Figure 2022549372000046
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  25. 前記組成物が約３０質量％の
    Figure 2022549372000047
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  26. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、
    Figure 2022549372000048
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  27. 前記組成物が約１５質量％の
    Figure 2022549372000049
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  28. 前記組成物が約３０質量％の
    Figure 2022549372000050
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  29. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、
    Figure 2022549372000051
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  30. 前記組成物が約１５質量％の
    Figure 2022549372000052
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  31. 前記組成物が約３０質量％の
    Figure 2022549372000053
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  32. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、
    Figure 2022549372000054
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  33. 前記組成物が約１５質量％の
    Figure 2022549372000055
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  34. 前記組成物が約３０質量％の
    Figure 2022549372000056
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  35. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、
    Figure 2022549372000057
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  36. 前記組成物が約１５質量％の
    Figure 2022549372000058
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  37. 前記組成物が約３０質量％の
    Figure 2022549372000059
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  38. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、
    Figure 2022549372000060
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  39. 前記組成物が約１５質量％の
    Figure 2022549372000061
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  40. 前記組成物が約３０質量％の
    Figure 2022549372000062
     を含む、請求項４に記載の組成物。
  41. 前記１種又は複数のアルカノールアミンが、エタノールアミン、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－エチルエタノールアミン、Ｎ－プロピルエタノールアミン、Ｎ－ブチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルイソプロパノールアミン、Ｎ－プロピルイソプロパノールアミン、２－アミノプロパン－１－オール、Ｎ－メチル－２－アミノプロパン－１－オール、Ｎ－エチル－２－アミノプロパン－１－オール、１－アミノプロパン－３－オール、Ｎ－メチル－１－アミノプロパン－３－オール、Ｎ－エチル－１－アミノプロパン－３－オール、１－アミノブタン－２－オール、Ｎ－メチル－１－アミノブタン－２－オール、Ｎ－エチル－１－アミノブタン－２－オール、２－アミノブタン－１－オール、Ｎ－メチル－２－アミノブタン－１－オール、Ｎ－エチル－２－アミノブタン－１－オール、３－アミノブタン－１－オール、Ｎ－メチル－３－アミノブタン－１－オール、Ｎ－エチル－３－アミノブタン－１－オール、１－アミノブタン－４－オール、Ｎ－メチル－１－アミノブタン－４－オール、Ｎ－エチル－１－アミノブタン－４－オール、１－アミノ－２－メチルプロパン－２－オール、２－アミノ－２－メチルプロパン－１－オール、１－アミノペンタン－４－オール、２－アミノ－４－メチルペンタン－１－オール、２－アミノヘキサン－１－オール、３－アミノヘプタン－４－オール、１－アミノオクタン－２－オール、５－アミノオクタン－４－オール、１－アミノプロパン－２，３－ジオール、２－アミノプロパン－１，３－ジオール、トリス（オキシメチル）アミノメタン、１，２－ジアミノプロパン－３－オール、１，３－ジアミノプロパン－２－オール、及び２－（２－アミノエトキシ）エタノールのうちの１種又は複数を含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  42. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、ジエチレングリコールブチルエーテル（ＤＢ）、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコール－ブチルエーテル、ジプロピレングリコール－ｎ－ブチルエーテル、エチレングリコールプロピルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、又はジプロピレングリコール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール（ＭＭＢ）、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ベンジルアルコール、ベンジルエタノール及びベンジルプロパノールのうちの１種又は複数を含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  43. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、１種又は複数のグリコールエーテルを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  44. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、１種又は複数の、エーテル基を有するアルコールを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  45. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、１種又は複数のアルカノール置換ベンゼンを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  46. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、前記組成物の約５０質量％～約９０質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  47. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、前記組成物の約５５質量％～約９０質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  48. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、前記組成物の約６０質量％～約８８質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  49. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、前記組成物の約６５質量％～約８５質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  50. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、前記組成物の約８０質量％～約８５質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  51. 前記１種又は複数のエーテルアルコール溶媒又は芳香族含有アルコールが、前記組成物の約３０質量％～約５０質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  52. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．００５質量％～約１０質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  53. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．２５質量パーセント～約５質量パーセントを構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  54. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．１質量パーセント～約４質量パーセントを構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  55. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．２５質量パーセント～約２質量パーセントを構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  56. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．００５質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  57. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．０２質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  58. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．０８質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  59. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．１質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  60. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．２質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  61. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．２５質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  62. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．３質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  63. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．４質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  64. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．５質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  65. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．７質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  66. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約０．９質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  67. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約１質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  68. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約２質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  69. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約３質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  70. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約４質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  71. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約５質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  72. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約６質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  73. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約７質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  74. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約８質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  75. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約９質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  76. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、前記組成物の約１０質量％を構成する、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  77. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、芳香族ヒドロキシル化合物、芳香族ポリヒドロキシル化合物、アルキルカテコール、フェノール、芳香族トリアゾール、アルキルベンゾトリアゾール、アミノベンゾトリアゾール、チアゾール、糖アルコール、カルボン酸及び金属塩を含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  78. 前記１種又は複数の腐食防止剤が金属塩を含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  79. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、カテコール、レゾルシノール、メチルカテコール、エチルカテコール、ｔ－ブチルカテコール、フェノール、ピロガロール、ベンゾトリアゾール、１－アミノベンゾトリアゾール、２－アミノベンゾチアゾール（ＡＢＴ）、グリセロール、キシリトール、ソルビトール、セバシン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３－ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸、没食子酸、没食子酸メチル及び没食子酸プロピル、硝酸銅（ＩＩ）、銅（ＩＩ）ブロマイド、銅（ＩＩ）塩素酸塩、銅（ＩＩ）塩化物、銅（ＩＩ）フルオロケイ酸塩、ギ酸銅（ＩＩ）、銅（ＩＩ）亜セレン酸塩、硫酸銅（ＩＩ）、１，２－プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ヒドロキシエタンホスホン酸、エチレンジアミン四酢酸並びにそのナトリウム及びアンモニウム塩、ジヒドロキシエチルグリシン、ニトリロ三酢酸、ビピリジン、テトラフェニルポルフィリン、フェナントロリン、ジメチルグリオキシム並びにジフェニルグリオキシムのうちの１種又は複数を含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  80. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、カテコールを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  81. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、レゾルシノールを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  82. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、グリセロールを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  83. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、セバシン酸を含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  84. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、約０．５質量％～約１．５質量％のカテコールを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  85. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、約０．５質量％～約１．５質量％のレゾルシノールを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  86. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、約０．５質量％～約１．５質量％のグリセロールを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  87. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、約０．５質量％～約１．５質量％のセバシン酸を含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  88. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、カテコールから本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  89. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、レゾルシノールから本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  90. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、グリセロールから本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  91. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、セバシン酸から本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  92. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、約０．５質量％～約１．５質量％のカテコールから本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  93. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、約０．５質量％～約１．５質量％のレゾルシノールから本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  94. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、約０．５質量％～約１．５質量％のグリセロールから本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  95. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、約０．５質量％～約１．５質量％のセバシン酸から本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  96. 前記１種又は複数の腐食防止剤がカテコールからなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  97. 前記１種又は複数の腐食防止剤がレゾルシノールからなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  98. 前記１種又は複数の腐食防止剤がグリセロールからなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  99. 前記１種又は複数の腐食防止剤がセバシン酸からなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  100. 前記１種又は複数の腐食防止剤がが、約０．５質量％～約１．５質量％のカテコールからなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  101. 前記１種又は複数の腐食防止剤がが、約０．５質量％～約１．５質量％のレゾルシノールからなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  102. 前記１種又は複数の腐食防止剤がが、約０．５質量％～約１．５質量％のグリセロールからなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  103. 前記１種又は複数の腐食防止剤がが、約０．５質量％～約１．５質量％のセバシン酸からなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  104. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、硝酸銅塩及びレゾルシノールを含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  105. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、硝酸銅塩及びレゾルシノールから本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  106. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、硝酸銅塩及びレゾルシノールからなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  107. 前記１種又は複数の腐食防止剤が硝酸銅塩を含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  108. 前記１種又は複数の腐食防止剤が硝酸銅塩から本質的になる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  109. 前記１種又は複数の腐食防止剤が硝酸銅塩からなる、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  110. 前記１種又は複数の腐食防止剤が、エチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，２，３－プロパントリオール、１，２－ブタンジオール、１，３－プロパンジオール、２，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，２，３－ブタントリオール、１，２，４－ブタントリオール、１，２－ペンタンジオール、１，３－ペンタンジオール、１，４－ペンタンジオール、２，３－ペンタンジオール、２，４－ペンタンジオール、３，４－ペンタンジオール、１，２，３－ペンタントリオール、１，２，４－ペンタントリオール、１，２，５－ペンタントリオール、１，３，５－ペンタントリオール、エトヘキサジオール、ｐ－メタン－３，８－ポリヒドロキシル化合物、２－メチル－２，４－ペンタンジオール、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオール、グリセリン、トリルネチロールプロパン、キシリトール、アラビトール、１，２－シクロペンタンジオール、１，３－シクロペンタンジオール、１，２－シクロヘキサンジオール、１，３－シクロヘキサンジオール、２，３－ノルボルナンジオール、１，８－オクタンジオール、１，２－シクロヘキサン－ジメタノール、１，３－シクロヘキサンジメタノール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール、ヒドロキシピバリルヒドロキシピバレート、２－メチル－１，３－プロパンジオール、２－ブチル－２－エチル－１，３－プロパンジオール、２－エチル－２－イソブチル－１，３－プロパンジオール、１，６－ヘキサンジオール、２，２，４，４－テトラメチル－１，６－ヘキサンジオール、１，１０－デカンジオール、１，４－ベンゼンジメタノール、水添ビスフェノールＡ、１，１，１－トリメチロールプロパン、１，１，１－トリメチロールエタン、ペンタエリスリトール、エリスリトール、トレイトール、ジペンタエリスリトール及びソルビトールのうちの１種又は複数を含む、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
  111. １種又は複数の二次溶媒をさらに含む請求項１又は２に記載の組成物。
  112. 約１０％～約５０％の二次溶媒をさらに含む請求項１又は２に記載の組成物。
  113. 直鎖脂肪族アルコール、分枝鎖脂肪族アルコール及び芳香族アルコールのうちの１種又は複数である二次溶媒を約１０％～約５０％さらに含む、請求項１又は２に記載の組成物。
  114. メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、ｔｅｒｔ－アミルアルコール、３－メチル－３－ペンタノール、１－オクタノール、１－デカノール、１－ウンデカノール、１－ドデカノール、１－トリデカノール、１－テトラデカノール、１－ペンタデカノール、１－ヘキサデカノール、９－ヘキサデセン－１－オール、１－ヘプタデカノール、１－オクタデカノール、１－ノナデカノール、１－エイコサノール、１－ヘネイコサノール、１－ドコサノール、１３－ドコセン－１－オール、１－テトラコサノール、１－ヘキサコサノール、１－ヘプタコサノール、１－オクタコサノール、１－トリアコンタノール、１－ドトリアコンタノール、１－テトラトリアコンタノール、セテアリルアルコール、プロピレングリコール、エチレングリコール及びグリセロールのうちの１種又は複数である二次溶媒を約１０％～約５０％さらに含む、請求項１又は２に記載の組成物。
  115. 洗浄組成物を使用する方法であって、
    その上にフォトレジストを備える半導体基板を、請求項１～１１４のいずれかに記載の前記組成物と接触させること
    を含む、方法。
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