KR102238062B1

KR102238062B1 - 포토레지스트 스트리퍼

Info

Publication number: KR102238062B1
Application number: KR1020180167473A
Authority: KR
Inventors: 리차드 달튼 피터스; 마이클 티 페니스
Original assignee: 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
Priority date: 2017-12-22
Filing date: 2018-12-21
Publication date: 2021-04-07
Also published as: CN109960116A; KR20190076904A; PH12018000465A1; CN109960116B; JP2019113848A; TW201928536A; JP6852044B2; TWI692679B

Abstract

통상적으로 어는 점이 약 0℃ 미만이고 높은 부하 용량을 갖는, 기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 개선된 스트리퍼 용액이 제공된다. 상기 스트리퍼 용액은 디메틸 설폭시드, 4급 수산화암모늄, 및 2개 이상의 탄소 원자, 1개 이상의 아미노 치환기 및 1개 이상의 히드록실 치환기를 가지며 상기 아미노 및 히드록실 치환기가 2개의 상이한 탄소 원자에 부착된 알칸올아민을 포함한다. 일부 제제는 2차 용매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제제는 테트라메틸암모늄 히드록시드를 포함하지 않는다. 상기 스트리핑 용액의 사용 방법이 추가로 제공된다.

Description

포토레지스트 스트리퍼{PHOTORESIST STRIPPER}

본 발명은, 동일한 발명의 명칭을 갖는, 2017년 12월 22일 출원된 미국 일련 제62/609,562호에 대한 우선권을 청구하며, 이는 본원에서 그 전체를 참고로 인용한다.

본 발명은 일반적으로, 기판으로부터 포토레지스트를 효과적으로 제거하는 능력을 갖는 조성물, 및 이러한 조성물의 사용 방법에 관한 것이다.

US7632796에 개시된 것들과 같은, 포토레지스트의 제거를 위한 다수의 스트리퍼 용액이 존재한다. 개선된 성능에 대한 웨이퍼 제조자의 수요 증가에 의해, 개선된 스트리퍼 용액 조성물이 요구된다. 스트리퍼는 정상 실온 미만의 온도 및 수송 및 창고 저장에서 종종 맞닥뜨리는 온도에서 액체로 남을 필요가 있다. 추가적으로, 스트리퍼 제제는 제거되는 포토레지스트 재료에 대한 유리한 부하 용량을 가질 필요가 있다. 추가로, 거의 없거나 낮은 금속 제거(에칭) 및 장기 안정성이 요구된다.

발명의 간단한 설명

본 발명의 일양태에서는, 기판으로부터 포토레지스트를 효과적으로 제거 또는 스트리핑하기 위한 포토레지스트 스트리퍼 용액이 제공된다. 본 발명의 스트리퍼 용액은 레지스트 재료에 대한 특히 높은 부하 용량, 및 수송, 창고 저장 및 일부 제조 설비에서의 사용에서 통상적으로 맞닥뜨리는 정상 실온 미만의 온도에 처해졌을 때에 액체로 남는 능력을 갖는다. 상기 조성물은 운송 및 창고 저장 동안 고화를 최소화하기 위해 15℃보다 충분히 아래의 어는 점을 갖는다. 더욱 바람직한 제제는 약 0℃ 미만의 어는 점을 갖는다.

본 개시에 따른 조성물은 통상적으로 디메틸 설폭시드(DMSO), 4급 수산화암모늄 및 알칸올아민을 포함한다. 하나의 바람직한 구체예는 약 20% 내지 약 90%의 디메틸 설폭시드, 약 1% 내지 약 7%의 4급 수산화암모늄, 및 약 1% 내지 약 75%의, 2개 이상의 탄소 원자, 1개 이상의 아미노 치환기 및 1개 이상의 히드록실 치환기를 가지며 상기 아미노 및 히드록실 치환기가 2개의 상이한 탄소 원자에 부착된 알칸올아민을 포함한다. 바람직한 상기 4급 기는 (C₁-C₈) 알킬, 벤질, 아릴알킬, (C₁-C₅) 알콜 및 이들의 조합이다. 특히 바람직한 4급 수산화암모늄은 5개 이상의 탄소를 포함하고, 및/또는 1개 이상의 알칸올기를 포함할 수 있다. 1개 이상의 알칸올기(예, (C₁-C₅) 알콜기)를 갖는 4급 수산화암모늄은 콜린 히드록시드 및 트리(2-히드록시에틸)메틸암모늄 히드록시드를 포함한다. 4급 수산화암모늄은 콜린 히드록시드, 트리(2-히드록시에틸)메틸암모늄 히드록시드 및 디메틸디프로필암모늄 히드록시드를 포함할 수 있다. 4급 수산화암모늄은 콜린 히드록시드 및 디메틸디프로필암모늄 히드록시드를 포함할 수 있다. 4급 수산화암모늄은 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH)를 포함하지 않는다. 결과로 나오는 조성물은 추가로, 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH)를 포함하는 조성물에 비해, 감소된 인간 중추신경계 독성을 나타낸다. 특히 바람직한 1,2-알칸올아민은 하기 화학식의 화합물을 포함한다:

상기 식 중, R¹은 H, C₁-C₄ 알킬 또는 C₁-C₄ 알킬아미노일 수 있다. 화학식 I의 특히 바람직한 알칸올아민에 있어서, R¹은 H 또는 CH₂CH₂NH₂이다. 본 개시에 따른 추가의 구체예는 추가의 또는 제2의 용매를 포함한다. 바람직한 2차 용매는 글리콜, 폴리히드록실 화합물 등을 포함한다. 본 개시에 따른 추가의 구체예는 부식 억제제를 추가로 포함한다.

본 개시의 제2 양태는 기판으로부터 포토레지스트 및 관련 중합체 재료를 제거하기 위해, 상기 기재된 신규한 스트리퍼 용액을 사용하는 방법을 제공한다. 소정량의 포토레지스트를 제거하기에 충분한 시간 동안 기판을 스트리핑 용액과 접촉시키는 단계, 스트리핑 용액으로부터 기판을 꺼내는 단계, 스트리핑 용액으로부터의 기판을 용매로 린싱하는 단계, 및 기판을 건조하는 단계에 의해, 포토레지스트를 그 위에 갖는 선택된 기판으로부터 포토레지스트를 제거할 수 있다.

본 개시의 제3 양태는 개시된 신규한 방법에 의해 제조된 전자 디바이스를 포함한다.

본 발명의 다른 특징 및 이점은, 본 발명의 원리를 예시하는 예시적인 용액과 함께 취해진 하기 더욱 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.

발명의 상세한 설명

청구되는 것의 이해를 촉진할 목적으로, 이제 예시된 구체예를 참조할 것이고, 특정 언어가 이를 설명하기 위해 사용될 것이다. 그럼에도 불구하고, 이에 의해 청구되는 범위를 제한하고자 하는 것은 아님이 이해될 것이며, 거기에 예시된 이러한 변경 및 추가의 변형 및 이의 원리의 이러한 추가의 적용은, 본 개시가 관련된 업계의 숙련자에게 보통 생길 수 있는 것으로 고려된다.

본 개시에 따른 조성물은 디메틸 설폭시드(DMSO), 4급 수산화암모늄, 및 2개 이상의 탄소 원자, 1개 이상의 아미노 치환기 및 1개 이상의 히드록실 치환기를 가지며 상기 아미노 및 히드록실 치환기가 2개의 상이한 탄소 원자에 부착된 알칸올아민을 포함한다. 바람직한 4급 치환기는 (C₁-C₈) 알킬, 벤질 및 이들의 조합을 포함한다. 바람직한 조성물은 운송 및 창고 저장 동안 고화를 최소화하기 위해 25℃보다 충분히 아래의 어는 점을 갖는다. 더욱 바람직한 제제는 어는 점이 약 15℃ 미만, 약 0℃ 미만, -5℃ 미만, 약 -7℃ 미만, 약 -10℃ 미만, 약 -12℃ 미만, 약 -15℃ 미만, 약 -18℃ 미만, 및/또는 약 -21℃ 미만이고, 부하 용량이 약 15 ㎤/리터에서 약 90 ㎤/리터까지이다. 알칸올아민의 농도가 증가된 제제는, 탄소강에 대해 특히 비부식성이라는 이점을 가지며, 다른 스트리퍼 용액보다 통상적인 폐기물 처리 시스템 및 보조 장비에 대해 덜 손상을 준다. 특히 바람직한 조성물은 하기 화학식을 갖는 1,2-알칸올아민을 포함한다:

식 중, R¹은 수소, (C₁-C₄) 알킬 또는 (C₁-C₄) 알킬아미노이다. 일부 바람직한 제제는 2차 용매를 추가로 포함한다. 특히 바람직한 제제는 약 0.2% 내지 약 75%의 2차 용매를 포함할 수 있다. 특히 유용한 2차 용매는 글리콜 및 하기에 더욱 상세히 설명되는 폴리히드록실 화합물을 포함한다. 대안적으로, 일부 구체예에서, 스트리퍼 용액은 2차 용매를 포함하지 않거나, 또는 실질적으로 포함하지 않는다.

바람직한 제제는 운송 및 창고 저장 동안 고화를 최소화하기 위해 25℃보다 충분히 아래의 어는 점을 갖는다. 더욱 바람직한 제제는 어는 점이 약 15℃ 미만, 약 0℃ 미만, 약 -5℃ 미만, 약 -7℃ 미만, 약 -10℃ 미만, 약 -12℃ 미만, 약 -15℃ 미만, 약 -18℃ 미만, 및/또는 약 -21℃ 미만이다. 바람직한 스트리퍼 용액은 저온에서 액체로 남기 때문에, 또는 용액이 사용될 수 있기 전에 가열되지 않은 창고에 보관된 또는 추운 날씨 동안 받는 스트리퍼 용액의 고화된 드럼을 액화할 필요가 없어지거나 최소화된다. 고화된 스트리퍼 용액을 용융시키는 데에 드럼 히터를 사용하는 것은 시간 소비적이며, 여분의 취급을 요구하고, 용융된 용액의 조성물의 불완전한 용융 및 개질을 초래할 수 있다.

추가로, 본 개시에 따른 조성물은, 조성물이 고체의 침전 없이 더 높은 수준의 포토레지스트를 제거할 수 있게 하는 높은 부하 용량을 나타낸다. 부하 용량은, 재료가 웨이퍼에 재증착되기 전에 또는 잔류물이 웨이퍼에 남기 전에, 스트리퍼 용액의 각 리터에 대해 제거될 수 있는 포토레지스트 또는 2층 재료의 ㎤의 수로서 정의된다. 예컨대, 재증착이 일어나기 전에 또는 잔류물이 웨이퍼에 남기 전에, 20 리터의 스트리퍼 용액이 웨이퍼의 표면으로부터 300 ㎤의 포토레지스트를 제거할 수 있다면, 부하 용량은 300 ㎤/20 리터=15 ㎤/리터이다.

본 발명의 조성물 중 DMSO의 중량%와 알칸올아민의 중량%의 합은 약 55% 내지 약 97%일 수 있다. 다른 구체예에서, 상기 조성물은 약 55% 내지 약 95%, 또는 약 65% 내지 약 95%, 또는 약 70% 내지 약 97%, 또는 약 75% 내지 약 95%, 또는 약 80% 내지 약 97%, 또는 약 85% 내지 약 97%, 또는 약 85% 내지 약 95%, 또는 약 90% 내지 약 97%, 또는 약 75% 내지 약 90%, 또는 약 75% 내지 약 85%, 또는 약 90% 내지 약 95%의 DMSO 및 알칸올아민을 포함할 수 있다. 다른 구체예에서, DMSO의 중량%는 알칸올아민의 중량%보다 크고, DMSO는 상기 조성물에, 존재하는 알칸올아민의 %보다 5% 내지 약 30%, 또는 10% 내지 약 30%, 또는 10% 내지 약 25%, 또는 10% 내지 약 20%보다 많은 양으로 존재할 수 있다. 다른 조성물에서, DMSO의 중량%는 알칸올아민의 중량%보다 적으며, DMSO는 상기 조성물에 존재하는 알칸올아민의 %보다 5% 내지 약 30%, 또는 10% 내지 약 30%, 또는 10% 내지 약 25%, 또는 10% 내지 약 20%, 또는 15% 내지 약 20% 적은 양으로 존재할 수 있다. 따라서, 일부 구체예에서, 상기 용액은 약 20% 내지 약 90%, 또는 약 55% 내지 약 60%, 또는 30% 내지 약 50%, 또는 35% 내지 약 45%, 또는 약 55% 내지 약 75%의 DMSO를 포함할 수 있다.

상기 조성물은 약 2% 내지 약 10%, 또는 2% 내지 약 8%, 또는 약 2% 내지 약 6%, 또는 약 2% 내지 약 5%, 또는 약 2% 내지 약 4%, 또는 약 2% 내지 약 3%, 또는 약 1% 내지 약 7%, 또는 약 1% 내지 약 4%의 4급 수산화암모늄을 포함할 수 있다. 바람직한 4급 치환기는 (C₁-C₈) 알킬, 벤질, 아릴알킬, (C₁-C₅) 알콜 및 이들의 조합을 포함한다. 일부 바람직한 4급 수산화암모늄은 콜린형 히드록시이며, 이는 질소에 부착된 1개 이상의 알콜기를 갖는 4급 수산화암모늄을 의미하고, 예컨대 콜린 히드록시드 및 트리(2-히드록시에틸)메틸암모늄 히드록시드이다. 다른 유용한 4급 수산화암모늄은 디메틸디프로필암모늄 히드록시드이다. 바람직한 4급 수산화암모늄은 콜린 히드록시드 및 디메틸디프로필암모늄 히드록시드이다.

스트리퍼 용액의 성분 중 일부는 수용액으로서 제공될 수 있으므로, 상기 조성물은 추가로 물을 포함할 수 있다. 상기 용액은 1 중량% 또는 2 중량% 또는 3 중량%를 초과하는 물을 포함할 수 있다. 다른 구체예에서, 상기 용액은 약 1 중량% 또는 약 2 중량% 또는 약 3 중량% 내지 약 7 중량% 또는 약 8 중량%의 물을 포함할 수 있다.

본원에 제공된 모든 %는 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이다.

요구되는 알칸올아민의 적절한 수준은 상기 조성물의 약 1% 또는 2% 내지 약 75% 범위일 수 있다. 일부 구체예에서, 알칸올아민은 용액의 약 40% 내지 약 65%, 또는 약 50% 내지 약 60%, 또는 약 30% 내지 약 40%, 또는 약 5% 내지 약 40%이다.

적절한 알칸올아민은 2개 이상의 탄소 원자를 가지며, 상이한 탄소 원자 상에 아미노 및 히드록실 치환기를 갖는다. 적절한 알칸올아민은 에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-프로필에탄올아민, N-부틸에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, 이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, N-메틸이소프로판올아민, N-에틸이소프로판올아민, N-프로필이소프로판올아민, 2-아미노프로판-1-올, N-메틸-2-아미노프로판-1-올, N-에틸-2-아미노프로판-1-올, 1-아미노프로판-3-올, N-메틸-1-아미노프로판-3-올, N-에틸-1-아미노프로판-3-올, 1-아미노부탄-2-올, N-메틸-1-아미노부탄-2-올, N-에틸-1-아미노부탄-2-올, 2-아미노부탄-1-올, N-메틸-2-아미노부탄-1-올, N-에틸-2-아미노부탄-1-올, 3-아미노부탄-1-올, N-메틸-3-아미노부탄-1-올, N-에틸-3-아미노부탄-1-올, 1-아미노부탄-4-올, N-메틸-1-아미노부탄-4-올, N-에틸-1-아미노부탄-4-올, 1-아미노-2-메틸프로판-2-올, 2-아미노-2-메틸프로판-1-올, 1-아미노펜탄-4-올, 2-아미노-4-메틸펜탄-1-올, 2-아미노헥산-1-올, 3-아미노헥탄-4-올, 1-아미노옥탄-2-올, 5-아미노옥탄-4-올, 1-아미노프로판-2,3-디올, 2-아미노프로판-1,3-디올, 트리스(옥시메틸)아미노메탄, 1,2-디아미노프로판-3-올, 1,3-디아미노프로판-2-올 및 2-(2-아미노에톡시)에탄올을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.

사용시, 2차 용매는 조성물의 약 0.2% 내지 약 35%, 또는 약 0.2% 내지 약 30%, 또는 약 0.2% 내지 약 25%, 또는 약 0.2% 내지 약 20%, 또는 약 0.2% 내지 약 15%, 또는 약 0.2% 내지 약 12%, 또는 약 5% 내지 약 12%를 구성할 수 있다. 2차 용매는 알콜, 또는 폴리히드록실 화합물, 또는 이들 중 2종 이상의 조합을 포함할 수 있다.

2차 용매 알콜 및 폴리히드록실 화합물은 2개 이상의 히드록실기를 가지며,은 에스테르, 아민 또는 에테르 기를 포함하지 않는다. 알콜 또는 폴리히드록실 화합물은 지방족, 지환식, 환식 또는 방향족일 수 있지만, 바람직하게는 지방족 또는 지환식일 수 있다. 알콜 또는 폴리히드록실 화합물은 포화 또는 불포화될 수 있으며, 바람직하게는 1개 이하의 불포화 결합을 갖거나 또는 불포화 결합을 갖지 않는다. 알콜 및 폴리히드록실 화합물은 바람직하게는 헤테로 원자를 포함하지 않는다. 알콜 및 폴리히드록실 화합물은 바람직하게는 탄소, 산소 및 수소 원자만을 포함한다.

2차 용매 알콜의 예로서, 직쇄형 및 분지쇄형 및 방향족 알콜을 언급할 수 있다. 예시를 위해, 상기 용액의 알콜은 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로필 알콜, 부탄올, tert-부틸 알콜, tert-아밀 알콜, 3-메틸-3-펜탄올, 1-옥탄올, 1-데칸올, 1-운데칸올, 1-도데칸올, 1-트리데칸올, 1-테트라데칸올, 1-펜타데칸올, 1-헥사데칸올, 9-헥사데센-1-올, 1-헵타데칸올, 1-옥타데칸올, 1-노나데칸올, 1-에이코산올, 1-헨에이코산올, 1-도코산올, 13-도코센-1-올, 1-테트라코산올, 1-헥사코산올, 1-헵타코산올, 1-옥타코산올, 1-트리아콘탄올, 1-도트리아콘탄올, 1-테트라트리아콘탄올, 세테아릴 알콜, 푸르푸릴알콜, 테트라히드로푸르푸릴 알콜을 포함할 수 있다. 예시적인 예에서, 상기 용액은 푸르푸릴알콜, 테트라히드로푸르푸릴 알콜, tert-부틸 알콜 또는 3-메틸-3-펜탄올 중 1종 이상을 포함할 수 있다.

상기 언급된 바와 같이, 2차 용매는 2개 이상의 히드록실기를 갖는 폴리히드록실 화합물일 수 있다. 폴리히드록실 화합물은 바람직하게는 분자량이 500 이하, 또는 400 이하, 또는 350 이하, 또는 300 이하, 또는 275 이하, 또는 250 이하, 또는 225 이하, 또는 200 이하, 또는 175 이하, 또는 150 이하, 또는 125 이하, 또는 100 이하, 또는 75 이하이다.

2차 용매로서의 폴리히드록실 화합물은 에틸렌 글리콜; 1,2-프로판디올(프로필렌 글리콜); 1,3-프로판디올, 1,2,3-프로판트리올; 1,2-부탄디올; 1,3-프로판디올; 2,3-부탄디올; 1,4-부탄디올; 1,2,3-부탄트리올; 1,2,4-부탄트리올; 1,2-펜탄디올; 1,3-펜탄디올; 1,4-펜탄디올; 2,3-펜탄디올; 2,4-펜탄디올; 3,4-펜탄디올; 1,2,3-펜탄트리올; 1,2,4-펜탄트리올; 1,2,5-펜탄트리올; 1,3,5-펜탄트리올; 에토헥사디올; p-메탄-3,8-폴리히드록실 화합물; 2-메틸-2,4-펜탄디올; 2,2-디메틸-1,3-프로판디올; 글리세린; 트리메틸올프로판; 크실리톨; 아라비톨; 1,2- 또는 1,3-시클로펜탄디올; 1,2- 또는 1,3-시클로헥산디올; 2,3-노르보르난디올; 1,8-옥탄디올; 1,2-시클로헥산-디메탄올; 1,3-시클로헥산디메탄올; 1,4-시클로헥산디메탄올; 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올; 히드록시피발일 히드록시피발레이트; 2-메틸-1,3-프로판디올; 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올; 2-에틸-2-이소부틸-1,3-프로판디올; 1,6-헥산디올; 2,2,4,4-테트라메틸-1,6-헥산디올; 1,10-데칸디올; 1,4-벤젠디메탄올; 수소화 비스페놀 A; 1,1,1-트리메틸올 프로판; 1,1,1-트리메틸올에탄; 펜타에리스리톨; 에리스리톨; 트레이톨; 디펜타에리스리톨; 소르비톨; 등, 및 상기 언급된 폴리히드록실 화합물 중 2종 이상의 조합 및 폴리히드록실 화합물을 포함할 수 있다.

예시적인 예에서, 상기 용액은 에틸렌 글리콜, 1,2-프로판디올(프로필렌 글리콜), 1,3-프로판디올, 1,4-펜탄디올, 1,2-부탄디올 또는 1,3-부탄디올의 2차 폴리히드록실 용액 중 1종 이상을 포함할 수 있다.

상기 조성물은 또한 1종 이상의 부식 억제제를 임의로 포함할 수 있다. 적절한 부식 억제제는 방향족 히드록실 화합물, 예컨대 카테콜 및 레조르시놀; 알킬카테콜, 예컨대 메틸카테콜, 에틸카테콜 및 t-부틸카테콜, 페놀 및 피로갈롤; 방향족 트리아졸, 예컨대 벤조트리아졸; 알킬벤조트리아졸; 당 알콜, 예컨대 글리세롤 및 소르비톨; 카르복실산, 예컨대 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 이소부티르산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 말레산, 푸마르산, 벤조산, 프탈산, 1,2,3-벤젠트리카르복실산, 글리콜산, 락트산, 말산, 시트르산, 아세트산 무수물, 프탈산 무수물, 말레산 무수물, 숙신산 무수물, 살리실산, 갈산 및 갈산 에스테르, 예컨대 갈산메틸 및 갈산프로필; 금속 염, 예컨대 질산구리(II); 브롬화구리(II); 염소산구리(II); 염화구리(II); 플루오르화규산구리(II); 포름산구리(II); 셀렌산구리(II); 황산구리(II); 상기 기재된 화합물을 포함하는 카르복실 포함 유기물의 유기 염, 염기성 물질, 예컨대 에탄올아민, 트리메틸아민, 디에틸아민 및 피리딘, 예컨대 2-아미노피리딘 등, 및 킬레이트 화합물, 예컨대 1,2-프로판디아민테트라메틸렌 포스폰산 및 히드록시에탄 포스폰산을 비롯한 인산계 킬레이트 화합물, 카르복실산계 킬레이트 화합물, 예컨대 에틸렌디아민테트라아세트산 및 이의 나트륨 및 암모늄 염, 디히드록시에틸글리신 및 니트릴로트리아세트산, 아민계 킬레이트 화합물, 예컨대 비피리딘, 테트라페닐포르피린 및 페난트롤린, 및 옥심계 킬레이트 화합물, 예컨대 디메틸글리옥심 및 디페닐글리옥심을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 1종의 부식 억제제를 사용할 수 있거나, 또는 부식 억제제의 조합을 사용할 수 있다. 부식 억제제는 약 1 ppm 내지 약 10% 범위의 농도에서 유용한 것으로 밝혀졌다. 구체예에서, 상기 용액은 약 0.05 중량% 내지 약 7 중량%의 제1 부식 억제제, 및 약 0.001 중량% 내지 약 3 중량%의 제2 부식 억제제를 포함할 수 있다. 다른 구체예에서, 상기 용액은 적어도 0.05 중량%, 또는 적어도 0.1 중량%, 또는 적어도 1 중량%, 및/또는 약 3 중량% 미만, 및/또는 약 7 중량% 미만의 제1 부식 억제제를 포함할 수 있다. 다른 구체예에서, 상기 용액은 적어도 0.001 중량%, 또는 적어도 0.01 중량%, 또는 적어도 0.1 중량%, 및/또는 약 1 중량% 미만, 및/또는 약 2 중량% 미만, 및/또는 약 3 중량% 미만의 제2 부식 억제제를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 부식 억제제는 동일하지 않다. 제1 부식 억제제 및 제2 부식 억제제는 모두 상기 기재된 부식 억제제에서 선택될 수 있다. 일구체예에서, 1종 이상의 부식 억제제는 질산구리(II); 브롬화구리(II); 염소산구리(II); 염화구리(II); 플루오르화규산구리(II); 포름산구리(II); 셀렌산구리(II); 및/또는 황산구리(II)를 단독으로 또는 상기 부식 억제제 중 적어도 1종과 조합하여 포함할 수 있다. 대안적인 구체예에서, 1종 이상의 부식 억제제는 질산구리(II), 브롬화구리(II); 염소산구리(II); 염화구리(II); 플루오르화규산구리(II); 포름산구리(II); 셀렌산구리(II); 황산구리(II) 및/또는 레조르시놀일 수 있다. 다른 바람직한 구체예에서, 부식 억제제는 질산구리(II) 및 레조르시놀을 포함할 수 있다.

스트리핑 제제는 또한 임의의 1종 이상의 계면활성제를, 통상적으로 약 0.01 중량% 내지 약 3 중량%, 또는 약 0.01 중량% 내지 약 1 중량% 범위의 농도로 포함할 수 있다. 바람직한 임의의 계면활성제는 플루오로계면활성제를 포함할 수 있다. 바람직한 플루오로계면활성제의 일례는 DuPont FSO(폴리에틸렌 글리콜(50%), 에틸렌 글리콜(25%), 1,4-디옥산(<0.1%), 물 25%를 포함하는 플루오르화 텔로미어 B 모노에테르)이다. 바람직한 플루오로계면활성제의 다른 예는 DuPont, Capstone, FS-10(수중 30% 퍼플루오로알킬설폰산)이다.

기판을 접촉시키기 위해서는 적어도 50℃의 바람직한 온도가 선호되는 반면, 대부분의 적용에 대해서는, 약 50℃ 내지 약 75℃의 온도가 더욱 바람직하다. 기판이 민감하거나 더 긴 제거 시간이 요구되는 특정 적용에 대해서는, 더 낮은 접촉 온도가 적절하다. 예컨대, 기판의 재작업시에는, 포토레지스트를 제거하고 기판에 대한 손상을 회피하기 위해, 더 긴 시간 동안 스트리퍼 용액을 적어도 20℃의 온도에서 유지하는 것이 적절할 수 있다.

기판의 침지시, 조성물의 교반은 추가로 포토레지스트 제거를 촉진한다. 교반은 기계적 교반, 순환에 의해, 또는 조성물을 통한 불활성 가스의 버블링에 의해 실시할 수 잇다. 소정량의 포토레지스트의 제거 후, 기판을 스트리퍼 용액과의 접촉으로부터 꺼내고, 물 또는 알콜로 린싱한다. 탈이온수가 물의 바람직한 형태이며, 이소프로판올이 바람직한 알콜이다. 산화되는 성분을 갖는 기판에 대해서는, 린싱은 바람직하게는 불활성 분위기 하에서 행한다. 본 개시에 따른 바람직한 스트리퍼 용액은 현재의 상업적 제품에 비해 포토레지스트 재료에 대한 개선된 부하 용량을 가지며, 제공된 부피의 스트리퍼 용액으로 다수의 기판을 처리할 수 있다.

본 개시에서 제공되는 스트리퍼 용액을 단일층으로 존재하는 중합체 레지스트 재료 또는 특정 유형의 2층 레지스트의 제거에 사용할 수 있다. 예컨대, 2층 레지스트는 통상적으로 제2 중합체층으로 덮인 제1 무기층을 갖거나, 또는 2개의 중합체층을 가질 수 있다. 하기에 교시된 방법을 이용하여, 중합체 레지스트의 단일층을, 단일 중합체층을 갖는 표준 웨이퍼로부터 효과적으로 제거할 수 있다. 제1 무기층 및 제2 또는 외부 중합체층으로 이루어진 2층을 갖는 웨이퍼로부터 단일 중합체층을 제거하는 데에, 동일한 방법을 또한 이용할 수 있다. 마지막으로, 2개 중합체층을, 2개 중합체층으로 이루어진 2층을 갖는 웨이퍼로부터 효과적으로 제거할 수 있다.

본 개시는 반도체 디바이스용 어드밴스드 패키징 용도에서의, 약 10 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 또는 그 이상, 또는 약 15 ㎛ 내지 200 ㎛, 또는 약 20 ㎛ 내지 약 200 ㎛의 레지스트일 수 있는, 두꺼운 포토레지스트를 제거하는 데에 사용되는 화학적 용액을 설명한다. 다른 경우, 상기 화학적 용액은 약 1 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 또는 그 이상, 또는 약 2 ㎛ 내지 200 ㎛, 또는 약 3 ㎛ 내지 약 200 ㎛의 포토레지스트의 제거에 사용될 수 있다. 일구체예에서, 설명된 용액은 DMSO, 모노에탄올 아민 (MEA), 물, 4급 수산화암모늄 및 1종 이상의 부식 억제제를 포함한다. 본 발명의 4급 수산화암모늄 및 스트리퍼 용액은 TMAH를 실질적으로 포함하지 않는다. 4급 수산화암모늄은 우선적으로는 콜린 히드록시드 또는 디메틸디프로필암모늄 히드록시드이다. "실질적으로 포함하지 않는다"는, 1% 미만, 대안적으로 0.1% 미만, 대안적으로 0.01% 미만 또는 0.001% 미만의 양을 의미한다. "실질적으로 포함하지 않는다"는 또한 TMAH가 존재하지 않는 것을 포함한다. 추가의 구체예에서, 4급 수산화암모늄은 TMAH를 포함하지 않는다. 상기 용액은 또한 임의로 계면활성제를 포함한다. 상기 용액은 1 또는 3 중량%를 초과하는 물을 포함할 수 있다. 구체예에서, 상기 용액은 약 1 중량% 또는 2 중량% 또는 3 중량% 내지 약 7 중량% 또는 8 중량%의 물을 포함할 수 있다. 다른 구체예에서, 상기 용액 중 4급 수산화암모늄의 양에 대한 물의 양의 비는 약 1.2 초과, 약 1.5 초과, 약 1.8 초과, 약 2.0 초과, 약 2.2 초과, 및/또는 약 2.5 초과이다. 대안적인 구체예에서, 상기 용액 중 4급 수산화암모늄의 양에 대한 물의 양의 비는 약 1.2 내지 약 1.5이다. 상기 용액은 또한 25 중량%를 초과하는 MEA를 포함할 수 있다.

본 발명의 조성물의 일부 구체예는, 임의로 조합된 하기 중 1종 이상을 실질적으로 포함하지 않거나, 대안적으로 포함하지 않는다(이들 용어는 이전에 정의된 바와 같음): 질소 함유 용매, 비스-콜린 염, 트리-콜린 염, 옥소암모늄 화합물, 히드록실아민 및 이의 유도체, 메틸디에탄올아민, 아미노에틸에탄올아민, 글리콜 에테르, 과산화수소, 산화제, 유기 산, 무기 산, 무기 염기, 금속 수산화물, 글리콜, 폴리올, NMP, 계면활성제, 금속 함유 화합물, 당 알콜 및 방향족 히드록실 화합물, 이들 중 임의의 조합. 다른 구체예에서, 상기 조성물은 나트륨, 및/또는 칼슘, 및/또는 아미노 카르복실산, 및/또는 알콜, 및/또는 에틸렌 디아민, 및/또는 에틸렌 트리아민, 및/또는 티오페놀을 실질적으로 포함하지 않을(또는 포함하지 않을) 것이다. 일부 구체예에서, 본원에 개시된 조성물은 하기 화학적 화합물 중 1종 이상을 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않도록 제제화된다: 알킬 티올 및 유기 실란. 일부 구체예에서, 본원에 개시된 조성물은 할라이드 함유 화합물 중 1종 이상을 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않도록 제제화되고, 예컨대 이는 하기 중 1종 이상을 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다: 플루오르화물, 브롬, 염소 또는 요오드 함유 화합물. 다른 구체예에서, 상기 조성물은 설폰산 및/또는 인산 및/또는 황산 및/또는 질산 및/또는 염산을 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 다른 구체예에서, 상기 조성물은 황산염 및/또는 질산염 및/또는 아황산염 및/또는 아질산염을 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 다른 구체예에서, 상기 조성물은 하기를 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다: 에틸 디아민, 나트륨 함유 화합물 및/또는 칼슘 함유 화합물 및/또는 망간 함유 화합물 또는 마그네슘 함유 화합물 및/또는 크롬 함유 화합물 및/또는 황 함유 화합물 및/또는 실란 함유 화합물 및/또는 인 함유 화합물. 일부 구체예는 계면활성제를 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 일부 구체예는 양쪽성 염, 및/또는 양이온성 계면활성제, 및/또는 음이온성 계면활성제, 및/또는 쌍성 이온성 계면활성제, 및/또는 비이온성 계면활성제를 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 일부 구체예는 이미다졸 및/또는 수화물을 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 일부 구체예는 피롤리돈 및/또는 아세트아미드를 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 일부 구체예는 임의의 아민을 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 일부 구체예는 과산화 화합물 및/또는 과산화물 및/또는 과황산염 및/또는 과탄산염, 및 이들의 산, 및 이들의 염을 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 일부 구체예는 요오드산염 및/또는 과붕산 및/또는 붕산염 및/또는 과탄산염 및/또는 과옥시산 및/또는 세륨 화합물 및/또는 시안화물 및/또는 과요오드산 및/또는 몰리브덴산암모늄 및/또는 암모니아를 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 본 발명의 조성물이 포함하지 않을 수 있는 성분은, 성분들의 임의의 조합 모두가 본원에 기재된 것처럼, 이들 조합일 수 있다.

본 발명의 조성물은 또한 하기 첨가제 중 1종 이상을 포함할 수 있다: 킬레이트화제, 화학적 개질제, 염료, 살생물제 및 다른 첨가제. 상기 첨가제(들)는, 이것이 조성물의 성능에 역효과를 일으키지 않을 정도로, 통상적으로 조성물의 총 약 5 중량%까지의 양으로 첨가될 수 있다. 다른 구체예에서, 상기 조성물은 킬레이트화제, 염료, 살생물제 및/또는 다른 첨가제를 실질적으로 포함하지 않거나 또는 포함하지 않을 것이다.

실시예 1에서는, 도금된 Cu 필러(pillar) 및 Sn/Ag 땜납 캡을 갖는 실리콘 웨이퍼로부터 두꺼운 스핀온 포토레지스트를 제거하기 위해서, 다양한 스트리핑 조성물을 사용하였다. 비이커에서의 침지 공정을 이용하여 레지스트 제거를 수행하였다.

침지 공정을 위해, 반도체 웨이퍼의 쿠폰 크기 샘플을 비이커에서 처리하였다. 비이커를 100 mL의 스트리핑 조성물로 채우고, 70℃의 표적 온도로 가열하였다. 스트리핑 조성물이 표적 온도에 이르면, 쿠폰을 비이커 내 홀더에 놓고, 교반 막대에 의해 약한 교반을 제공하였다. 공정 내내 온도를 70℃의 표적 온도로 유지시켰다. 60 분의 총 처리 시간 후, 쿠폰을 비이커로부터 꺼내고, 탈이온수 및 IPA로 린싱하고, 공기 스트림으로 건조시켰다.

하기 기재된 실험에 있어서, 레지스트 제거가 관찰되었고, 이에 따라 기록하였다. 모든 레지스트가 웨이퍼 쿠폰 표면으로부터 제거되었으면 레지스트 제거가 "세정"으로 정의되고; 레지스트 전부는 아니지만 레지스트의 적어도 95%가 표면으로부터 제거되었으면 "거의 세정"으로 정의되고; 레지스트의 적어도 약 80%, 그러나 레지스트의 95% 미만이 표면으로부터 제거되었으면 "부분적으로 세정"으로 정의된다.

하기 열거된 다양한 조성물에서 하기 약어를 이용한다: DMSO = 디메틸 설폭시드; MEA = 모노에탄올아민; MMB = 3-메톡시 3-메틸-1-부탄올; TMAH = 테트라메틸암모늄 히드록시드; PG = 프로필렌 글리콜; DMDPAH = 디메틸디프로필암모늄 히드록시드; THFA = 테트라히드로푸르푸릴 알콜; DB = 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르; CH = 콜린 히드록시드.

하기 표 1은 다양한 본 발명의 스트리퍼 조성물 및 비교 스트리퍼 조성물을 열거한다.

실시예 1

하기 표 2는 침지 공정을 이용하여 실시예 1에 대해 시험한 스트리퍼 조성물, 및 도금된 Cu 필러 및 Sn/Ag 땜납 캡을 갖는 반도체 웨이퍼를 열거한다. 표 2에서 모든 조성물에 대한 가열 온도 및 시간은 각각 70℃ 및 60 분이었다.

실시예 2에서는, 도금된 Cu 피쳐(feature)를 갖는 실리콘 웨이퍼로부터 40 ㎛ 두께의 네거티브형 건조 필름 포토레지스트를 제거하기 위해, 다양한 스트리퍼 조성물을 사용하였다. 비이커에서의 침지 공정을 이용하여 레지스트 제거를 수행하였다.

침지 공정을 위해, 반도체 웨이퍼의 쿠폰 크기 샘플을 비이커에서 처리하였다. 비이커를 100 mL의 스트리핑 조성물로 채우고, 70℃의 표적 온도로 가열하였다. 스트리핑 조성물이 표적 온도에 이르면, 쿠폰을 비이커 내 홀더에 놓고, 교반 막대에 의해 약한 교반을 제공하였다. 공정 내내 온도를 70℃의 표적 온도로 유지시켰다. 30-60 분의 총 처리 시간 후, 쿠폰을 비이커로부터 꺼내고, 탈이온수 및 IPA로 린싱하고, 공기 스트림으로 건조시켰다.

실시예 2

하기 표 3은 침지 공정을 이용하여 실시예 2에 대해 시험한 스트리퍼 조성물, 및 도금된 Cu 피쳐를 갖는 두꺼운 건조 필름 포토레지스트를 갖는 반도체 웨이퍼를 열거한다. 표 3에서 가열 온도는 70℃였다.

실시예 3

실시예 3에서는, 금속 부식을 평가하기 위해 다양한 스트리퍼 조성물을 사용하였다. 비이커에서의 침지 공정을 이용하여 금속 부식 시험을 수행하였다.

침지 공정을 위해, 공지된 Cu의 두께 층을 포함하는 반도체 웨이퍼의 쿠폰 크기 샘플, 및 공지된 Sn의 두께 층을 포함하는 반도체 웨이퍼의 쿠폰 크기 샘플을 비이커에서 처리하였다. Cu 및 Sn 두께 층을 물리적 증착에 의해 웨이퍼 상에 증착시켰다. 비이커를 100 mL의 스트리핑 조성물로 채우고, 70℃의 표적 온도로 가열하였다. 스트리핑 조성물이 표적 온도에 이르면, 그 위에 각각의 금속을 가지며 공지된 표면적을 갖는 샘플 쿠폰을 비이커 내 홀더에 놓고, 교반 막대에 의해 교반을 제공하였다. 공정 내내 온도를 70℃의 표적 온도로 유지시켰다. 60 또는 120 분의 총 처리 시간 후, 쿠폰을 비이커로부터 꺼냈다.

용액의 샘플을 수집하고, 용해된 Cu 및 Sn의 농도를 유도 결합 플라즈마 원자 발광 분광학(ICP-AES)에 의해 측정하였다. 용해된 Cu 및 Sn의 농도를 또한, 용액을 가열하여 쿠폰 처리에 사용하기 전에, 대조로서 취한 용액의 샘플 중에서 측정하였다. 용해된 Cu 또는 Sn의 농도의 변화는, 쿠폰 세정 공정 동안 제제에 의해 용해된 금속의 양을 가리킨다. 대조 농도에 대한, ≤10 ppm의 용해된 금속 농도의 작은 변화는, 매우 양호한 금속 양립성, 즉 낮은 금속 에칭률을 가리킨다.

하기 표 4는 침지 공정을 이용하는, 용해된 Cu 및 Sn 농도에 대한 실시예 3에 대한 ICP-AES 측정을 열거한다. Cu 및 Sn에 대한 대조량을 표 4의 3 및 4 열에 각각 열거하고, 측정량을 라벨된 대로 다음 4열에 열거한다. 대조에 대한 ≤10 ppm의 농도가 바람직하고, 표적은 0 ppm이다. 표 4에서의 모든 조성물의 가열 온도는 70℃였으며, 처리 시간은 각각 60 분 및 120 분이었다. 스트리퍼 용액에 의해 용해된(웨이퍼 쿠폰으로부터 제거된) Cu 또는 Sn의 양은, 측정량으로부터 대조량을 빼서 결정할 수 있다. 예컨대 제제 1에 대해서는, 2 ppm(2 ppm 마이너스 0 ppm)의 Cu가 70℃ 및 60 분에서 스트리퍼 용액에 의해 용해되었고; 3.8 ppm(4.3 ppm - 0.5 ppm)의 Sn이 70℃ 및 60 분에서 스트리퍼 용액에 의해 용해되었다.

하기 표 5는 다양한 제제의 어는 점을 열거하며, 개선된 저장 및 운송 능력을 위해서는 더 낮은 온도가 선호된다.

실시예 4

실시예 4에서는, 4급 수산화암모늄의 안정성을 평가하기 위해 시험을 수행하였다. 비이커에서 100mL의 제제를 70℃의 표적 온도로 가열함으로써, 안정성을 시험하였다. 표적 온도를 8 시간 동안 유지시켰다. 2 시간의 표적 간격으로 작은 샘플을 비이커로부터 꺼내고, 산-염기 적정에 의해 시험하였다.

하기 표 6은 8 시간까지의 각각의 표적 간격에서 산-염기 적정에 의해 측정된 염기 농도의 중량% 변화를 열거한다. 표적 간격당 더 작은 중량%의 변화율이 선호되며, 이는 더욱 안정한 제제를 나타낸다. 개선된 제제 안정성은 사용자에게 더 긴 제품 저장 수명 보관, 사용 동안의 더 긴 제품 바스(bath) 수명 및 개선된 포토레지스트 부하 용량을 제공한다. 시간 0 내지 8 시간에서의 염기의 중량% 변화를 표의 마지막 열에 보고하며, 이는 제제 10이 가장 작은 변화를 가졌음을 나타낸다.

1 이상의 구체예를 참고로 하여 본 발명을 설명했지만, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한, 다양한 변화가 이루어질 수 있고 등가물이 이의 요소를 대체할 수 있음을 이해할 것이다. 또한, 본 발명의 실질적 범위에서 벗어나지 않는 한, 본 발명의 교시에 대해 특정 상황 또는 재료를 채택하기 위해 다수의 변형이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명을 실시하기 위해 고려되는 최선의 양태로서 개시된 특정 구체예에 본 발명을 제한하려 하지 않지만, 본 발명은 청구범위 내에 있는 모든 구체예를 포함할 것이다. 또한, 상세한 설명에서 확인되는 모든 수치값은, 정확한 값 및 근사값이 모두 정확하게 확인되는 것처럼 해석되어야 할 것이다. 또한, 명세서 및 청구범위 내의 "갖는", "포함하는", "함유하는" 등의 어떤 사용은, 더욱 좁은 기술어 "∼으로 실질적으로 이루어진" 및 "∼으로 이루어진"이 대안적인 "갖는", "포함하는", "함유하는" 등으로 명시적으로 쓰여진 것처럼, 이들 기술자를 포함한다. 추가로, 스트리퍼 조성물의 성분 중 어느 것을 설명하기 위한 관사들의 사용은, 명세서 및 청구범위에서 나타나는 곳마다 이들이 "1종 이상의"를 대체하는 것처럼 해석되어야 할 것이다.

Claims

기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼 용액으로서,
20 중량% 내지 90 중량%의 디메틸 설폭시드;
1 중량% 내지 7 중량%의 4급 수산화암모늄;
1 중량% 내지 75 중량%의 알칸올아민;
0.001 중량% 내지 7 중량%의 부식 억제제; 및
1 중량% 내지 8 중량%의 물
을 포함하고;
상기 부식 억제제는 구리 염을 포함하고;
상기 용액은 0℃ 미만의 어는 점을 나타내고;
상기 4급 수산화암모늄은 테트라메틸암모늄 히드록시드를 실질적으로 포함하지 않는 스트리퍼 용액.
제1항에 있어서, 4급 수산화암모늄은 (C₁-C₈) 알킬, 아릴알킬, 벤질, (C₁-C₅) 알콜 및 이들의 조합인 치환기를 갖는 용액.
제2항에 있어서, 4급 수산화암모늄은 콜린 히드록시드, 트리(2-히드록시에틸)메틸암모늄 히드록시드 또는 디메틸디프로필암모늄 히드록시드 중 1종 이상을 포함하는 용액.
제1항에 있어서, 알칸올아민은 25 중량% 내지 75 중량%의 양으로 존재하는 용액.
제4항에 있어서, 알칸올아민은 모노에탄올아민을 포함하는 용액.
제4항에 있어서,
디메틸 설폭시드는 55 중량% 내지 60 중량%의 양으로 존재하고;
4급 수산화암모늄은 1.5 중량% 내지 3.5 중량%의 양으로 존재하며;
알칸올아민은 30 중량% 내지 40 중량%의 양으로 존재하고;
부식 억제제는 0.001 중량% 내지 3 중량%의 양으로 존재하는 용액.
제6항에 있어서, 알칸올아민은 모노에탄올아민을 포함하는 용액.
제7항에 있어서, 부식 억제제는 제1 부식 억제제 및 제2 부식 억제제를 포함하고, 상기 제1 부식 억제제는 상기 구리 염을 포함하고, 상기 제2 부식 억제제는 레조르시놀, 글리세롤 및 소르비톨로 이루어진 군에서 선택되는 용액.
제1항에 있어서, 부식 억제제는 질산구리(II); 브롬화구리(II); 염소산구리(II); 염화구리(II); 플루오르화규산구리(II); 포름산구리(II); 셀렌산구리(II); 및 황산구리(II)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 용액.
제8항에 있어서, 부식 억제제는 질산구리(II)헤미(오수화물)을 포함하는 용액.
제8항에 있어서, 부식 억제제는 0.001 중량% 내지 0.1 중량%의 양으로 존재하는 용액.
제1항에 있어서, 0.01 중량% 내지 3 중량%의 계면활성제를 더 포함하는 용액.
제1항에 있어서, 부식 억제제는 제1 부식 억제제 및 제2 부식 억제제를 포함하고, 상기 제1 부식 억제제는 상기 구리 염을 포함하는 용액.
제13항에 있어서, 0.001 중량% 내지 3 중량%의 상기 제2 부식 억제제를 더 포함하는 용액.
제14항에 있어서, 제2 부식 억제제는 제1 부식 억제제와 상이하며, 레조르시놀, 글리세롤, 소르비톨 및 질산구리(II)로 이루어진 군에서 선택되는 용액.
제15항에 있어서, 디메틸 설폭시드는 35 중량% 내지 45 중량%의 양으로 존재하고, 4급 수산화암모늄은 1.5 중량% 내지 3.5 중량%의 양으로 존재하고, 알칸올아민은 50 중량% 내지 60 중량%의 양으로 존재하며, 제2 부식 억제제는 0.05 중량% 내지 3 중량%의 양으로 존재하고, 제1 부식 억제제는 0.001 중량% 내지 0.1 중량%의 양으로 존재하는 용액.
제16항에 있어서, 알칸올아민은 모노에탄올아민을 포함하는 용액.
제1항에 있어서, 어는 점이 -15℃ 미만인 용액.
제1항에 있어서, 어는 점이 -21℃ 미만인 용액.
기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼 용액으로서,
20 중량% 내지 90 중량%의 디메틸 설폭시드;
1 중량% 내지 7 중량%의 4급 수산화암모늄;
1 중량% 내지 75 중량%의 알칸올아민;
구리 염을 포함하는, 0.001 중량% 내지 7 중량%의 부식 억제제; 및
물
을 포함하며;
상기 4급 수산화암모늄의 양에 대한 상기 물의 양의 비는 1.2를 초과하고;
상기 용액은 0℃ 미만의 어는 점을 나타내며;
상기 4급 수산화암모늄은 테트라메틸암모늄 히드록시드를 실질적으로 포함하지 않는 스트리퍼 용액.
기판으로부터 레지스트를 세정하는 방법으로서,
소정량의 레지스트를 제거하기에 충분한 시간 동안 기판 상의 레지스트를 스트리핑 용액과 접촉시키는 단계, 및 스트리핑 용액으로부터 기판을 꺼내는 단계를 포함하며,
상기 스트리핑 용액은
20 중량% 내지 90 중량%의 디메틸 설폭시드;
1 중량% 내지 7 중량%의 4급 수산화암모늄;
1 중량% 내지 75 중량%의 알칸올아민;
구리 염을 포함하는, 0.001 중량% 내지 7 중량%의 부식 억제제; 및
1 중량% 내지 8 중량%의 물
을 포함하고;
상기 용액은 0℃ 미만의 어는 점을 나타내고;
상기 4급 수산화암모늄은 테트라메틸암모늄 히드록시드를 실질적으로 포함하지 않는 세정 방법.
제1항에 있어서, 상기 용액은 수산화칼륨을 실질적으로 포함하지 않는 용액.