TWI798068B - 用於從一基材移除一光阻劑的組合物及其用途 - Google Patents
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Abstract
本發明所揭示和請求的標的係有關光阻剝離劑溶液，其包括(i) 一種或多種無機鹼；(ii)兩種或更多種有機溶劑； (iii)一種或多種抑蝕劑，並且可以選擇性地包括(iv)一種或多種二級溶劑。
Description
本發明所揭示和請求的標的係大體上關於具有從基材有效移除光阻劑的能力的組合物，以及用於使用這種組合物的方法。 所揭示的組合物是用於移除光阻劑的剝離劑溶液，其可以基本上不含DMSO、NMP和TMAH，並且優選與金屬和鈍化材料如聚醯亞胺相容。
用於移除在晶圓級封裝中使用的厚光阻劑的光阻剝離劑通常包括溶劑、胺類、季銨氫氧化物、無機氫氧化物、助溶劑、抑蝕劑和其他添加劑的不同組合。 用於此應用的許多產品包括DMSO或NMP作為所述溶劑加上胺類或季銨氫氧化物或兩者兼有。 四甲基氫氧化銨(TMAH)是最常用的季銨氫氧化物，因為它的成本較低，性能優於其他季銨氫氧化物。 然而，眾所周知，TMAH伴隨對健康有潛在的影響。 一含有剝離劑組合物的TMAH替代物是令人期待的。
無機鹼，特別是鹼金屬氫氧化物，在光阻剝離劑中使用時具有有利的特性，並不會有所述TMAH伴隨對健康的潛在影響。 它們具有低成本和良好的熱穩定性，以致與使用TMAH的光阻剝離劑相比之下，光阻剝離劑具有更長的洗浴壽命(bath lifetimes)。 然而，與鹼金屬氫氧化物相關的一個問題是它們傾向於與大氣中的二氧化碳反應產生其碳酸鹽。 碳酸鹽是水溶性的，但通常不太溶於有機溶劑。 因此，使用鹼金屬氫氧化物的光阻剝離劑通常具有形成不溶於所述剝離劑的所述有機溶劑的碳酸鹽結晶的沉澱或污泥問題，這會導致工具堵塞，並潛在地給所述工具的操作帶來安全性的掛慮。 去除所述沉澱的碳酸鹽可能需要額外清潔製程工具，使用水來將其溶解和/或沖洗掉，從而增加維護成本。 因此，對使用無機鹼類，特別是鹼金屬氫氧化物而言，解決有機溶劑型的去除劑中的污泥問題就至關重要。
有許多用於去除光阻的剝離劑溶液(例如，美國專利申請公開號2019/0317409描述了一種剝離劑溶液，用於從包括初級溶劑、二級溶劑、無機鹼、胺和抑蝕劑的基材去除光阻劑)。 晶圓製造商對提高性能的要求越來越高，因此亟需改進的剝離劑溶液組合物。 由於為了各種功能而有各種材料使用在所述基材上，剝離劑可能會接觸那些材料，因此需要具有去除光阻劑的能力以及與在所述基材上不要去除的材料有相容性。 此外，由於最近對在剝離劑配方中使用的溶劑的限制，例如對N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)和二甲基亞碸(DMSO)的限制，需要具有更環保的溶劑的新配方。
此概述摘要部分並未具體說明所揭示和請求保護的標的之每個實施態樣和/或增加的新穎的面向。 相反地，此概述摘要僅提供對不同實施態樣的初步討論以及相對於習知技術和已知技藝的相應新穎性要點。 對於所揭示和請求保護的標的和實施態樣的額外的細節和/或可能的觀點，讀者要指向詳細說明部分和本說明書的相應數據，如以下進一步所討論。
所揭示和請求保護的標的係針對光阻剝離劑溶液，用於有效地移除或剝離一正或負光阻劑、在一蝕刻製程後的光阻劑或從一基材的蝕刻殘留物。 所揭示和請求保護的光阻剝離劑溶液對所述光阻劑材料具有特別高的負載能力，並且當承受低於正常室溫的溫度時，具有保持一液態的能力，這些溫度通常在運輸、倉儲和在某些製造設備中使用時會遇到。
所揭示和請求保護的光阻剝離劑溶液包括無機氫氧化物，可減少碳酸鹽晶體的形成並延長洗浴壽命(bath life)。所揭示和請求保護的光阻剝離劑溶液不含NMP和DMSO，並對於移除正和負液體光阻劑兩者特別地有用。 所揭示和請求保護的光阻剝離劑溶液不會損害所述基材上存在的所述等材料，特別是金屬、矽和鈍化材料，例如聚醯亞胺。
所揭示和請求保護的光阻剝離劑溶液包括：
(i) 一種或多種無機鹼；
(ii) 兩種或更多種有機溶劑； 和
(iii) 一種或多種抑蝕劑。
在一進一步的面向中，所述溶液包括 (iv) 一種或多種二級溶劑。 在此實施態樣的一進一步面向中，所述溶液主要由(i)、(ii)和(iii)組成。 在此實施態樣的一進一步面向中，所述溶液主要由(i)、(ii)、(iii)和(iv)組成。 在此實施態樣的又一進一步面向中，所述溶液由(i)、(ii)和(iii)組成。 此實施態樣的又一進一步面向中，所述溶液由(i)、(ii)、(iii)和(iv)組成。
在另一實施態樣中，所述溶液包括(i)一種或多種選自NaOH、KOH的無機鹼及其組合。 在此實施態樣的一面向，所述(i)一種或多種無機鹼包括NaOH。 在此實施態樣的另一面向，所述(i)一種或多種無機鹼包括KOH。 在此實施態樣的另一面向，所述(i)一種或多種無機鹼包括一種NaOH和KOH的組合。
在另一實施態樣中，所述溶液包括(ii)兩種或更多種有機溶劑，其中(a)第一溶劑係選自一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇及其組合，以及(b)第二溶劑是多元醇溶劑(即含多羥基溶劑)。 在此實施態樣的一面向，所述(ii)兩種或更多種有機溶劑包括一乙二醇醚溶劑。 在此實施態樣的一面向，所述(ii)兩種或更多種有機溶劑包括一醚醇溶劑。 在此實施態樣的一面向，所述(ii)兩種或更多種有機溶劑包括一含芳香環醇。 在此實施態樣的一面向，所述(ii)兩種或更多種有機溶劑包括一乙二醇醚溶劑和一醚醇溶劑。 在此實施態樣的一面向，所述(ii)兩種或更多種有機溶劑包括一乙二醇醚溶劑和一含芳香環醇。 在此實施態樣的一面向，所述(ii)兩種或更多種有機溶劑包括一醚醇溶劑和一含芳香環醇。
在所揭示和請求保護的標的一例示性實施態樣中，光阻剝離劑溶液包括：
(i) 一種或多種無機鹼，包括從約0.5重量%至約5重量%氫氧化鉀；
(ii) 兩種或更多種有機溶劑，包括：
a. 從約30重量%至約90重量%三甘醇單甲醚，和
b. 從約5重量%至約30重量%二甘醇； 以及
(iii) 從約0.01重量%至約5重量%的一種或多種抑蝕劑。
在所揭示和請求保護的標的一例示性實施態樣中，光阻剝離劑溶液包括：
(i) 一種或多種無機鹼，包括從約0.5重量%至約5重量%氫氧化鉀；
(ii) 兩種或更多種有機溶劑，包括：
a. 從約30重量%至約90重量%三甘醇單甲醚，和
b. 從約5重量%至約30重量%二甘醇；
(iii) 從約0.01重量%至約5重量%的一種或多種抑蝕劑； 以及
(iv) 一種或多種二級溶劑，包括從約5重量%至約30重量%的一多元醇溶劑。
在另一實施態樣中，所揭示和請求保護的標的係針對使用所揭示和請求保護的所述光阻剝離劑溶液的方法，以從一基材移除光阻劑和相關的聚合物材料。 在此實施態樣的一面向中，從具有一光阻劑的一基材上移除一光阻劑係藉由用一種或多種的所述光阻剝離劑溶液接觸所述基材達一足夠移除所欲量的所述光阻劑的時間，藉由將所述基材從所述剝離劑溶液移除，用DI水或一溶劑沖洗所述基材中的所述剝離劑溶液，以及乾燥所述基材。
所揭示和請求保護的標的係進一步針對所揭示和請求保護的化學配方的使用和合成。
在另一實施態樣中，所揭示和請求保護的標的係針對藉由所揭示的所述新穎方法所製造的電子裝置。
所揭示和請求保護的標的之其他特徵和優點，將從以下更詳細的說明並連同闡明所揭示和請求保護的標的之所述原則的所述實施例溶液而明顯可知。
所揭示和請求保護的標的之所述實施態樣提供以下一種或多種的益處：使用過程中的固體沉澱物低；所述組合物能夠在低於正常室溫和經常在運輸和倉儲中遇到的溫度下保持液態，並且具有遠高於正常加工溫度的閃點，一光阻剝離劑具有良好的清潔能力、高負載能力、減少鹼金屬碳酸鹽或其它鹼金屬化合物的結晶和沉澱物的，即使當所述剝離劑溶液包括一鹼金屬氫氧化物、 與金屬、矽和鈍化材料(例如聚醯亞胺)相容以及延長的洗浴壽命。
為了清楚起見，本文中描述的所述不同步驟的討論順序已經提出。 一般而言，本文揭示的所述步驟可以以任何合適的順序執行。 此外，儘管本文揭示之每個的不同特徵、技術、配置等都可以在本說明書的不同處進行討論，但其意圖是使每個的概念可以彼此獨立地執行或適當地彼此相互組合。 因此，所揭示和請求保護的標的可以以許多不同的方式實現和看見。
為了促進對權利要求的理解，所闡明的所述實施態樣將此時被參引，並且特定的語言將被使用來描述相同的內容。 然而，不言自明的是對所要求保護的範圍沒有任何限制的意圖，這種變化和進一步的修改以及其中所闡明的所述原則的這些進一步的應用係被預期的，就如熟知本說明書所涉及技術領域的人員通常會發生的。
本文引用的所有參考文獻，包括出版物、專利申請和專利，係藉此併入作參考，其程度相當於就好像是每個參考文獻單獨和具體地指出併入作參考並在本文中完整陳列。
在敘述所揭示和請求保護的標的之上下文脈絡中(特別是在以下的權利要求請求項的上下文脈絡中)，所述用語“一(a)”和“一(an)”和“所述(the)”以及類似的指稱的使用係要被解釋為涵蓋單數和複數兩者，除非本文另有表明或上下文脈絡明顯牴觸。所述用語“包含(comprising)”、“具有(having)”、“包括(including)”和“含有(containing)” 係要被解釋為開放式用語(即意為“包括但不限於”)，除非另有說明。 本文中數值範圍的敘述僅只用於作為單獨地提及落入所述範圍內的每個各別的數值的速記方法，除非本文另有表明，並且每個各別的數值被併入所述說明書中，就好像是它被單獨地在本文中敘述。 本文中敘述的所有方法都可以以任何合適的順序執行，除非本文另有表明或與上下文脈絡明顯牴觸。本文所提供的任何和所有的實施例或例示性語言(例如，“例如(such as)”)的使用僅只用於較佳地闡明所揭示和請求保護的標的，並不會對其範圍造成限制，除非另有訴求。 所述說明書中的任何語言都不應被解釋為表明任何非請求保護的元素對所揭示和請求保護的標的之實現是必要的。
本文敘述所揭示和請求保護的標的之優選實施態樣，包括所述發明人已知的用於執行所揭示和請求保護的標的之最佳模式。 那些優選實施態樣的變化，對於本領域普通技術人員來說，在閱讀前述的敘述後可以成為明顯可知。 所述發明人預期熟知的技術人員適當地運用這些變化，並且所述發明人意圖所揭示和請求保護的標的以除了本文具體敘述以外的方式實現。 因此，在適用法律允許的情況下，此所揭示和請求保護的標的包括對本文所附的所述請求項中敘述的標的之所有修改和等效內容。 此外，上述元素在其所有可能的變化中的任何組合均被所揭示和請求保護的標的包含，除非本文另有表明或與上下文脈絡另明顯牴觸。
為便於參考，“微電子裝置(microelectronic device)”或“半導體基材(semiconductor substrates)”相當於半導體晶圓、平板顯示器、相變記憶體裝置、太陽能電池板和其他產品，包括太陽能基材、光伏和微機電系統(MEMS)，被製造來用於微電子、積體電路或電腦晶片應用中。 需要理解的是，所述用語“微電子裝置”並不意味著以任何方式受到限制，並且是包括最終將成為一微電子裝置或微電子組裝的任何基材。 所述微電子裝置或所述半導體基材可以包括低k電介質材料、阻隔材料和金屬類，例如Al、Cu、SnAg合金、W、Ti、TiN、一或多個鈍化層，例如聚醯亞胺或聚苯並噁唑，以及Si和其它在其上的材料。
如本文所定義，“低 k 電介質材料” 相當於在一層狀微電子裝置中用作為一介電材料的任何材料，其中所述材料具有一小於約3.5的介電常數。 優選地，所述低 k 介電材料包括低極性材料，例如含矽有機聚合物、含矽混合有機/無機材料、有機矽酸鹽玻璃(OSG)、TEOS、氟化矽酸鹽玻璃(FSG)、二氧化矽和碳摻雜的氧化物(CDO)玻璃。 需要理解的是，所述低 k 電介質材料可以具有不同的密度和不同的孔隙率。
如本文所定義，所述用語“屏障材料”相當於在本領域中用於密封所述金屬線， 例如，銅內連線，的任何材料，以將所述金屬， 例如銅，擴散至所述介電材料的情況減至最低。 優選的阻隔層材料包括鉭、鈦、鈦鎢、釕、鉿和其它耐熔金屬及其氮化物和矽化物。
本文中 “實質上不含” 係界定為小於約 1重量%，更優選是小於約 0.5重量%，和最優選是小於約 0.2重量%。“實質上不含”亦包括約 0.0重量%。 所述用語“不含”表示0.0 wt. %。在一些實施態樣中，當敘述一組合物實質上不含水時，其意在表示水可以與所述組成份一起作為雜質被加入；然而，與所述組成份一起添加的水量應小於約 0.1重量%；然而，在製造和使用過程中，水可以從大氣中被吸收。 在其它實施態樣中，實質上不含水可以指組合物的水不存在高於約1重量%。 在其它實施態樣中，實質上不含水可以指組合物的水不存在高於約3重量%。 在其它實施態樣中，可以加入水作為所述原料的一部分，並且所述水量可以是高於2重量%但小於5%。
所述用語“約(about)”或“約(approximately)”當被使用在關於一可測量的數值變數時，是指所述變數的所述指示值以及所述變數在所述指示值的實驗誤差內(例如，在所述平均值的95%信賴界限內)或所述指示值的百分比內(例如， ± 10%，± 5%)，以較大者為準，的所有值。
在所有這樣的組合物中，其中所述組合物的特定組成份係以參照於包括一零下限的重量百分比範圍來討論，可以理解的是，這些組成份可以存在或不存在於所述組合物的各種具體實施態樣中，並且在這些組成份存在的情況中，它們可以以低至0.001重量百分比的濃度存在， 根據這些組成份在所述組合物中使用的總重量來計算。注意這些組成份的所有界定的重量百分比，除非另有表明，均根據所述組合物的總重量來計算。 此外，除非另有表明，所有重量百分比均為“純的”，係表示當它們加入至所述組合物時，不包括它們所存在的所述水溶液。任何提及“至少一個”的指稱都可以用“一或多個”來代替。“至少一個”和/或“一或多個”包括“至少兩個”或“兩個或更多個”和“至少三個”和“三個或更多個”等等。
所述組合物包括無機鹼；兩種或更多種有機溶劑；一種或多種抑蝕劑和選擇性地一種或多種二級溶劑。
在一進一步的實施態樣中， 所述組合物係主要由(i)無機氫氧化物、(ii)兩種或更多種乙二醇醚、醚醇溶劑或含芳香醇和(iii)一種或多種不同濃度的抑蝕劑和選擇性地(iv)一種或多種多元醇二級溶劑所組成。 在這樣的實施態樣中，(i)、(ii)、(iii)和(iv)的所述組合量不等於100%重量計，並且可以包括不會實質性地改變所述清潔組合物的有效性的其它成份(例如，附加的溶劑，包括水、常見添加劑和/或雜質)。
在另一實施態樣中，所述組合物係由(i)無機氫氧化物、(ii)兩種或更多種醚醇溶劑或含芳香醇和(iii)一種或多種不同濃度的抑蝕劑所組成。 在這樣的實施態樣中，(i)、(ii)和(iii)的所述組合量等於約100%重量計，但可以包括其它小量和/或微量的雜質，這些雜質係以不會實質性地改變所述組合物的有效性的小量存在。 例如，在一這樣的實施態樣中，所述清潔組合物可以含有2 %重量計或更少的雜質。 在另一實施態樣中，所述清潔組合物可含有1 %重量計或小於1%的雜質。 在一進一步的實施態樣中，所述清潔組合物可含有0.05%重量計或小於0.05%的雜質。
當以重量%參照本文中所敘述的本發明組合物的組合物時，可以理解的是，在任何情況下，所有組成份的所述重量%，包括非必要組成份，例如雜質，都不能加到超過100重量%。 在“主要由所述組成份組成”的組合物中，這些組成份加起來可以達到所述組合物的100重量%或加起來可以小於100重量%。 如果所述組成份加起來小於100重量%，這種組合物可包括一些少量的非必要的沾染物或雜質。 例如，在一這樣的實施態樣中，所述組合物可以含有2 %重量計或更少的雜質。 在另一實施態樣中，所述漂洗液可含有1%重量計或小於1%的雜質。 在一進一步的實施態樣中，所述組合物可含有0.05%重量計或小於0.05%的雜質。 在其它這樣的實施態樣中，所述成份可形成至少90重量%，更優選是至少95重量%，更優選是至少99重量%，更優選是至少99.5重量%，最優選是至少99.8重量%，並且可以包括不影響所述清潔溶液的性能的其它成份。 否則，如果沒有明顯的非必要雜質組成份存在，則可理解的是所有必要構成的組成份的所述組合物基本上加起來將達到100重量%。
要理解的是，前述的一般說明和以下的詳細說明兩者都是說明性和解釋性的，並不對所請求保護的標的構成限制。 所揭示標的之目的、特徵、優點和構想對於本領域技術人員來說，將從所述說明書中所提供的敘述中明顯可知，並且本領域技術人員根據出現在本文的敘述將容易地實現所揭示標的。 任何“優選實施態樣”的敘述和/或顯示實現所揭示標的之優選模式的實施例，是為了解釋的目的而被包括，並不用於限制所述請求項的範圍。
對於本領域技術人員來說，還明顯可知的是，可以根據所述說明書中敘述的面向對所揭示標的之實現方式進行各種的修改，而不背離本文揭示的所揭示標的之精神和範圍。
如上所述，所揭示標的係關於光阻剝離劑溶液，包括，主要由以下所組成或由以下所組成：
(i) 一種或多種無機鹼；
(ii) 兩種或更多種有機溶劑，其中(a)第一溶劑係選自一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇及其組合，和(b)第二溶劑是多元醇溶劑；以及
(iii) 一種或多種抑蝕劑。
在一進一步的面向中，所述溶液進一步選擇性地包括主要由或由(iv) 一種或多種二級溶劑所組成。
在包括或主要由所述成份所組成的溶液中，組成份(i)、(ii)、(iii)或(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於或小於100重量%。在所述成份所組成的溶液中，組成份(i)、(ii)、(iii)或(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於100重量%。
在一例示性實施態樣中，所述光阻剝離劑溶液包括：
(i) 約0.5重量%至約5重量%的一種或多種純無機鹼；
(ii) 約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑，它們彼此不同，包含(a)一第一溶劑，包含一種或多種的一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含一種或多種多元醇溶劑；
(iii) 約0.01重量%至約2重量%的一種或多種抑蝕劑；以及
(iv) 選擇性地一種或多種二級溶劑，
其中組成份(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於或小於100重量%。在此實施態樣的一進一步的面向中，所述一種或多種純無機鹼包括KOH。
在一例示性實施態樣中，所述光阻剝離劑溶液包括：
(i) 約1.0重量%至約2.5重量%的一種或多種純無機鹼；
(ii) 約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑，它們彼此不同，包含(a)一第一溶劑，包含一種或多種的一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含一種或多種多元醇溶劑；
(iii) 約0.01重量%至約2重量%的一種或多種抑蝕劑； 以及
(iv) 選擇性地一種或多種二級溶劑，
其中組成份(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於或小於100重量%。在此實施態樣的一進一步的面向中，所述一種或多種純無機鹼包括KOH。
在一例示性實施態樣中，所述光阻剝離劑溶液主要由以下所組成：
(i) 約0.5重量%至約5重量%的一種或多種純無機鹼；
(ii) 約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑，它們彼此不同，包含(a)一第一溶劑，包含一種或多種的一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含一種或多種多元醇溶劑；
(iii) 約0.01重量%至約2重量%的一種或多種抑蝕劑； 以及
(iv) 選擇性地一種或多種二級溶劑，
其中組成份(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於或小於100重量%。在此實施態樣的一進一步的面向中，所述一種或多種純無機鹼包括KOH。
在一例示性實施態樣中，所述光阻剝離劑溶液主要由以下所組成：
(i) 約1.0重量%至約2.5重量%的一種或多種純無機鹼；
(ii) 約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑，它們彼此不同，包含(a)一第一溶劑，包含一種或多種的一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含一種或多種多元醇溶劑；
(iii) 約0.01重量%至約2重量%的一種或多種抑蝕劑； 以及
(iv) 選擇性地一種或多種二級溶劑，
其中組成份(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於或小於100重量%。在此實施態樣的一進一步的面向中，所述一種或多種純無機鹼包括KOH。
在一例示性實施態樣中，所述光阻剝離劑溶液由以下所組成：
(i) 約0.5重量%至約5重量%的一種或多種純無機鹼；
(ii) 約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑，它們彼此不同，包含(a)一第一溶劑，包含一種或多種的一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含一種或多種多元醇溶劑；
(iii) 約0.01重量%至約2重量%的一種或多種抑蝕劑； 以及
(iv) 選擇性地一種或多種二級溶劑，
其中組成份(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於100重量%。在此實施態樣的一進一步的面向中，所述一種或多種純無機鹼包括KOH。
在一例示性實施態樣中，所述光阻剝離劑溶液由以下所組成：
(i) 約1.0重量%至約2.5重量%的一種或多種純無機鹼；
(ii) 約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑，它們彼此不同，包含(a)一第一溶劑，包含一種或多種的一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含一種或多種多元醇溶劑；
(iii) 約0.01重量%至約2重量%的一種或多種抑蝕劑； 以及
(iv) 選擇性地一種或多種二級溶劑，
其中組成份(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於100重量%。在此實施態樣的一進一步的面向中，所述一種或多種純無機鹼包括KOH。
在其他事中，所述光阻剝離劑溶液可用於移除在一單層或某些類型的雙層抗蝕劑中存在的聚合物抗蝕劑材料。 例如，雙層抗蝕劑通常具有由一第二聚合層覆蓋的一第一無機層或是可以具有兩個聚合層。
光阻剝離劑溶液成份
(i) 無機鹼
如上所述，所揭示和請求保護的標的之所述溶液包括一種或多種無機鹼。 優選地，所述一種或多種無機鹼包括至少一種鹼金屬氫氧化物或不同鹼金屬氫氧化物的一混合物。合適的無機鹼包括，但不限於氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、氫氧化銣和氫氧化銫。在一些實施態樣中，氫氧化鉀係優先被包括。 在這樣的實施態樣中， 所述氫氧化鉀係被用作為一水溶液，例如一48重量%的水溶液。在其它這樣的實施態樣中，所述氫氧化鉀係被用作為一固體，例如一85重量%或90重量%的片狀物。
所述金屬氫氧化物可以以範圍從約0.1%至約5%、或從約0.1重量%至約4重量%、或從約0.9重量%至約4重量%、或從約0.1重量%至約0.8重量%、或從約0.4重量%至約0.5重量%、或從約0.1重量%至約0.2重量%的純量存在，是根據所述組合物總重量按重量計算。 更優選地，所述金屬氫氧化物存在，但其量是不大於3.5重量%按重量計。 在某些優選的組合物中，所述金屬氫氧化物的存在，按重量計，是在約1.0重量%至2.5重量%。在某些優選的組合物中，所述金屬氫氧化物的存在，按重量計，是在約1.5重量%至2.25重量%。
在一實施態樣中，所述溶液包括約1.0重量%至約2.5重量%的純KOH。在此實施態樣的一進一步的面向中，所述溶液包括約1.75重量%至約2.25重量%的純KOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.75重量%至約2.1重量%的純KOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.75重量%至約2.05重量%的純KOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.75重量%至約2.0重量%的純KOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1重量%的純KOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.25重量%的純KOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.5重量%的純KOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.75重量%的純KOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.8重量%的純KOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.9重量%的純KOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.0重量%的純KOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.05重量%的純KOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.1重量%的純KOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.15重量%的純KOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.2重量%的純KOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.25重量%的純KOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.3重量%的純KOH。
在一實施態樣中，所述溶液包括約1.0 重量%至約2.5重量%的純NaOH。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述溶液包括約1.75重量%至約2.25重量%的純NaOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.75 重量%至約2.1 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.75 重量%至約2.05 重量%的NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.75 重量%至約2.0 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1 重量%的純NaOH。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.25 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.5 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.75 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.8 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.9 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.0 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.05 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.1 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.15 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.2 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.25 重量%的純NaOH。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約2.3 重量%的純NaOH。
(ii) 有機溶劑
所揭示和請求保護的標的之所述溶液包括兩種或更多種有機溶劑(即一第一溶劑和一第二溶劑)，其中(a)所述第一溶劑係選自一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇及其組合，以及(b)所述第二溶劑為一多元醇溶劑。 所述兩種溶劑係彼此不同。
在一實施態樣中，所述溶液包括約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述溶液包括約94重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述兩種或更多種有機溶劑包括(a)約60重量%至約80重量%的一第一溶劑和(b)約10重量%至約30重量%的一第二溶劑。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述兩種或更多種有機溶劑包括(a)約68重量%至約77重量%的一第一溶劑和(b)約11重量%至約28重量%的一第二溶劑。
第一 溶劑
在一些實施態樣中，所述第一溶劑係選自一醚醇、一含芳香環醇的溶劑或其混合物。 一種類型的醚醇溶劑可以是一乙二醇醚。 合適的乙二醇醚溶劑包括，但不限於，二甘醇丁醚(DB)、二甘醇甲醚、二甘醇乙醚、二甘醇丙醚、丙二醇甲醚、二丙烯甘醇甲醚、丙二醇丙醚、二丙烯甘醇丙醚、丙二醇苯基醚、丙二醇正丁基醚、二丙烯甘醇正丁基醚 、乙二醇丙醚、乙二醇丁醚、乙二醇苯醚、三伸丙二醇甲醚、二丙烯甘醇二甲醚、二甘醇甲乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、三甘醇單甲醚(TEGME)、三伸甘醇單乙醚、三伸甘醇單丙醚和三伸甘醇單丁醚。 其它合適類型的醚醇溶劑不是乙二醇醚(即，其它具有一醚基團的醇類)。 例子是3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(MMB)、糠醇、四氫糠醇。
合適的芳香環含醇溶劑包括被取代的苯，如苯甲醇、苄基乙醇和苄基丙醇。
在一實施態樣中，所述第一溶劑包括三甘醇單甲醚(TEGME)。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述第一溶劑為約 60重量%至約80重量%的三甘醇單甲醚(TEGME)。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述第一溶劑是約 68重量%至約77重量%的三甘醇單甲醚(TEGME)。
第二溶劑
如上所述，所述第二溶劑不同於所述第一溶劑，且是一多元醇溶劑。 在一些實施態樣中，所述第二溶劑包括一種或多種的，但不限於，乙二醇(EG)、 二甘醇(DEG)、三伸甘醇(TEG)、二丙烯甘醇、甘油和丙二醇(PG)。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述第二溶劑包括約10重量%至約30重量%的乙二醇(EG)、 二甘醇(DEG)、三伸甘醇(TEG)、二丙烯甘醇、甘油和丙二醇(PG)。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述第二溶劑 包括約10重量%至約30重量%的二甘醇(DEG)和丙二醇(PG)。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述第二溶劑包括約11重量%至約28重量%的二甘醇(DEG)和丙二醇(PG)。
在一實施態樣中，所述兩種或更多種有機溶劑包括(a)一第一溶劑，包括約60重量%至約80重量%的一種或多種的一醚醇、一含芳香環醇溶劑或其混合物，以及(b)一第二溶劑，包括約10重量%至約30重量%的一種或多種的一多元醇溶劑。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述兩種或更多種有機溶劑包括(a)一第一溶劑，包括約68重量%至約77重量%的一種或多種的一醚醇、一含芳香環醇的溶劑或其混合物，以及(b)一第二溶劑，包括約11重量%至約28重量%的一種或多種的一多元醇溶劑。
在一實施態樣中，所述兩種或更多種有機溶劑包括(a)一第一溶劑，包括約60重量%至約80重量%的三甘醇單甲醚(TEGME)和(b)一第二溶劑，包括約10重量%至約30重量%的一種或多種的多元醇溶劑。
在一實施態樣中，所述兩種或更多種有機溶劑包括(a)約60重量%至約80重量%的一第一溶劑，係為一種或多種的一醚醇、一含芳香環醇或其混合物，以及(b)約10重量%至約30重量%的一第二溶劑，係為一種或多種的乙二醇(EG)、二甘醇(DEG)、三伸甘醇(TEG)、 甘油、 丙二醇(PG)及其混合物。
在一實施態樣中，所述兩種或更多種有機溶劑包括(a)一第一溶劑，包括約68重量%至約77重量%的三甘醇單甲醚(TEGME)和(b)一第二溶劑，包括約11重量%至約28重量%的乙二醇(EG)、二甘醇(DEG)、三伸甘醇(TEG)、 甘油、 丙二醇(PG)及其混合物。在此實施態樣的一進一步的面向中，所述兩種或更多種有機溶劑包括(a)一第一溶劑，包括約68重量%至約77重量%的三甘醇單甲醚(TEGME)和(b)一第二溶劑，包括約11重量%至約28重量%的二甘醇(DEG)和丙二醇(PG)
在其它實施態樣 中，所述兩種或更多種有機溶劑包括約50%至約90%、或55%至約90 %重量計的所述組合物。 所揭示和請求保護的標的之其它實施態樣，包括約60%至約88%、或65%至85%的重量計的所述乙二醇醚溶劑和/或含芳香醇。所述兩種或更多種有機溶劑可以單獨或共同 屬於在以下列出的重量百分比所界定的範圍內：50、55、58、60、62、65、67、70、72、75、77、80、82、85、88 和 90。
[0066] 在一些實施態樣中，所述溶液係不含或基本上不含一含醯胺的溶劑。 基本上不含(essentially free)是指一小於1%的量、或者小於0.1重量%、或者小於0.01重量百分比、或小於0.001重量百分比、或不含，其中不含是指無法檢測到或是 0。
在其它實施態樣中，所述溶液可以是不含或基本上不含一含硫的溶劑。 在此實施態樣的一進一步的面向中，所述組合物不含或基本上不含二甲基亞碸(DMSO)和N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。 基本上不含是指一小於1%的量、或者小於0.1重量%、或者小於0.01重量百分比、或小於0.001重量百分比、或不含，其中不含是指無法檢測到或是 0。
(iii) 抑蝕劑
所揭示和請求保護的標的之所述溶液包括一種或多種抑蝕劑。 合適的抑蝕劑包括，但不限於，有機抑蝕劑類，包括芳香族羥基化合物和芳香族多羥基化合物，如兒茶酚和間苯二酚；烷基兒茶醇類，如甲基兒茶醇、乙基兒茶醇和三級丁基兒茶醇、酚類和苯三酚；芳香族三唑類，如苯並三唑；烷基苯並三唑類和胺基苯並三唑類，如1-胺基苯並三唑；噻唑類，如2-胺基苯並噻唑(ABT)；糖醇類，如甘油、木糖醇和山梨醇；金屬鹽類，如硝酸銅(II)；溴化銅(II)；氯酸銅(II)；氯化銅(II)；(II) 氟矽酸銅；甲酸銅(II)；硒酸銅(II)；硫酸銅(II)；羧酸類，如癸二酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、異丁酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、1,2,3-苯三甲酸、乙醇酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、乙酸酐、鄰苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、琥珀酸酐、水楊酸、沒食子酸和沒食子酸酯，如沒食子酸甲酯和沒食子酸丙酯；含有上述有機化合物的羧基有機鹽類，和其類似物，以及螯合化合物類，如磷酸基的螯合化合物類，包括1,2-丙二胺四亞甲基膦酸和羥乙烷膦酸，羧酸基的螯合化合物類，如乙二胺四乙酸及其鈉鹽和銨鹽、二羥基乙基甘胺酸和氮基三醋酸，胺基的螯合化合物類，如聯吡啶、四苯基卟啉和啡啉和肟基的螯合物化合物類，如二甲基乙二肟和二苯基乙二肟。 在其它實施態樣中，所述一種或多種抑蝕劑可包括一種或多種銅鹽類，例如硝酸銅(II)；溴化銅(II)；氯酸銅(II)；氯化銅(II) ；氟矽酸鹽；甲酸銅(II)；硒酸銅(II)；和/或硫酸銅(II)單獨地。 在又一其它實施態樣中，所述組合物可包括上述一種或多種的所述有機抑蝕劑類和/或螯合化合物類以及一種或多種銅鹽類。 在又一其它實施態樣中，所述一種或多種抑蝕劑可以是硝酸銅(II)(例如，NADA/1N係為約26.3%的硝酸銅(II)半(五水合物-非氧化劑))、溴化銅(II)；氯酸銅(II)；氯化銅(II)；(II) 氟矽酸銅；甲酸銅(II)；硒酸銅(II)；硫酸銅(II)和/或間苯二酚。 在又另一實施態樣中，所述抑蝕劑可包括硝酸銅(II)和間苯二酚。
在其它實施態樣中，所述抑蝕劑可包括脂肪族或芳香族多羥基化合物類，其包括乙二醇；1,2-丙二醇(丙二醇)；1,3-丙二醇， 1,2,3-丙三醇；1,2-丁二醇；1,3-丙二醇；2,3-丁二醇；1,4-丁二醇；1,2,3-丁三醇；1,2,4-丁三醇；1,2-戊二醇；1,3-戊二醇；1,4-戊二醇；2,3-戊二醇；2,4-戊二醇；3,4-戊二醇；1,2,3-戊三醇；1,2,4-戊三醇；1,2,5-戊三醇；1,3,5-戊三醇；驅蚊醇(或稱為2-乙基-1,3-己二醇, etohexadiol)；對甲烷-3,8-多羥基化合物；2-甲基-2,4-戊二醇；2,2-二甲基-1,3-丙二醇；甘油；三羥甲丙烷(trirnethylolpropane)；木糖醇；阿拉伯糖醇；1,2-或1,3-環戊二醇；1,2-或1,3-環己二醇；2,3-降莰烷二醇(2,3-norbornanediol)；1,8-辛二醇；1,2-環己烷-二甲醇；1,3-環己烷二甲醇；1,4-環己烷二甲醇；2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇；羥基三甲基乙醯基特戊酸酯(hydroxypivalyl hydroxypivalate)；2-甲基-1,3-丙二醇；2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇；2-乙基-2-異丁基-1,3-丙二醇；1,6-己二醇；2,2,4,4-四甲基-1,6-己二醇；1,10-癸二醇；1,4-苯二甲醇；氫化雙酚A；1,1,1-三羥甲基丙烷；1,1,1-三羥甲基乙烷；新戊四醇(pentaerythritol)；赤藻糖醇(erythritol)；蘇糖醇(threitol)；二季戊四醇(dipentaerythritol)；山梨醇(sorbitol)、甘露醇、間苯二酚、兒茶酚，和類似物，以及上述2種或更多種上述的多羥基化合物的組合。
在一些實施態樣中，一種或多種有機抑蝕劑存在於所述溶液中的量的範圍，為從約0.005重量%至約10重量%。 在一實施態樣中，所述溶液可含有約0.25重量%至約5重量百分比、或0.1重量%至約4重量百分比、或0.25重量%至約2重量百分比。 所述一種或多種抑蝕劑可以以選自以下重量百分比中的所述端點所界定的任何量來存在：0.005、0.02、0.08、0.1、0.2、0.25、0.3、0.4、0.5、0.7、0.9、1、2、3、4、5、6、7、8、9和10。 一第一和第二抑蝕劑可用於所述組合物中。此所揭示和請求保護的標的包括用所述組合物處理半導體基材，以移除光阻劑而不損傷存在於所述基材上的所述薄膜、層、金屬或其它結構，包括鈍化層，例如PI和PBO的所述方法。 用於處理所述半導體基材的優選溫度約為70°C。 對於大多數的應用，從約45°C至約90 °C的溫度或從約50°C至約75°C的溫度是有用的。對於所述基材敏感或需要較長去除時間的特定應用，較低的接觸溫度係適合的。 例如，在重加工基材時，將所述剝離劑溶液保持在一至少20°C的溫度下達一較長的時間，以移除光阻劑並避免損壞所述基材係可以是適合的。
在一些實施態樣中，所述一種或多種抑蝕劑包括一種或多種的BZT、山梨醇、間苯二酚、癸二酸、甘油和硝酸銅(II)。 在一些實施態樣中，這些抑蝕劑(單獨或組合)存在於約0.01重量%和約2重量%之間。 在一些實施態樣中，這些抑蝕劑(單獨或組合)存在於約0.2重量%和約1重量%之間。 在一些實施態樣中，這些抑蝕劑(單獨或組合)以約0.5重量%存在。
在一些實施態樣中，所述一種或多種抑蝕劑包括BZT。在此實施態樣的一面向中，所述溶液包括約0.5重量%至約1重量%的BZT。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.5重量%的BZT。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.0 重量%的BZT。
在一些實施態樣中，所述一種或多種抑蝕劑包括山梨醇。在此實施態樣的一面向中，所述溶液包括約0.2重量%至約1重量%的山梨醇。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.2重量%的山梨醇。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.5重量%的山梨醇。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.0重量%的山梨醇。
在一些實施態樣中，所述一種或多種抑蝕劑包括間苯二酚。在此實施態樣的一面向中，所述溶液包括約0.2重量%至約1重量%的間苯二酚。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.2重量%的間苯二酚。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.5重量%的間苯二酚。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.0重量%的間苯二酚。
在一些實施態樣中，所述一種或多種抑蝕劑包括甘油。 在此實施態樣的一面向中，所述溶液包括約0.2重量%至約1重量%的甘油。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.2重量%的甘油。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.5重量%的甘油。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.0重量%的甘油。
在一些實施態樣中，所述一種或多種抑蝕劑包括癸二酸。在此實施態樣的一面向中，所述溶液包括約0.2重量%至約1重量%的癸二酸。 在此實施態樣的另一面向中，所述溶液中含有約0.2重量%的癸二酸。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液中含有約0.5重量%的癸二酸。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約1.0重量%的癸二酸。
在一些實施態樣中，所述一種或多種抑蝕劑包括硝酸銅。在此實施態樣的一面向中，所述溶液包括約0.005重量%至約0.5重量%的硝酸銅。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.01重量%硝酸銅。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.2重量%的硝酸銅。在此實施態樣的另一面向中，所述溶液包括約0.5重量%的硝酸銅。
(iv) 二級溶劑(選擇性)
一些實施態樣可含有一除了上述的所述溶劑之外的二級溶劑。 或者，在一些實施態樣中，所述剝離劑溶液可以是不含或實質上不含一二級溶劑。
在一些實施態樣中，所述二級溶劑包括一種水或一含有一羥基的醇。
二次有機溶劑醇類可以是線性或支鏈脂肪族或芳香族醇類。 所述仲醇的實例包括甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、叔丁醇(tert-butyl alcohol)、三級-戊醇(tert-amyl alcohol)、3-甲基-3-戊醇、1-辛醇、1-癸醇、1-十一醇、1-十二醇、1-十三醇、1-十四醇、1-十五醇、1-十六醇、9-十六烯-1-醇(9-hexadecen-1-ol)、1-十七醇、1-十八醇、1-十九醇、1-二十醇、1-二十一醇、1-二十二醇、13-二十二烯-1-醇(13-docosen-1-ol)、1-二十四醇、1-二十六醇、1-二十七醇、1-二十八醇、 1-三十醇、1-三十二醇、1-三十四醇和鯨蠟硬脂醇。
在使用時，所述二次有機溶劑可包括從約0.02%至約50%、或從約0.08%至約38%、或從約0.1%至約35%、或從約0.2%至約33%、或從約0.3%至約20%、或從約1%至約15%的所述組合物。在替代性實施態樣中，所述二級溶劑可以以選自以下重量百分比中的所述端點所界定的任何量來存在：0.02、0.08、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.7、0.9、1、3、5、8、10、12、15、17、20、23、25、28、30、32、35、37、40、43、45、47和50。
其他選擇性的或排除在外的成份
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液係實質上不含、或者不含(如同先前所界定的那些用語)以下任何組合中的一種或多種：含氮溶劑、雙膽鹼鹽(bis-choline salts)、三膽鹼鹽、氧代銨化合物(oxoammonium compounds)、羥基胺及其衍生物、過氧化氫、氧化劑、表面活性劑及其組合。
在一些實施態樣中，本文所揭示的所述組合物被配製成實質上不含或不含下列一種或多種的化合物：烷基硫醇類和有機矽烷類。
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液被配製成實質上不含或不含下列一種或多種：含鹵化物的化合物，例如可以實質上不含或不含下列一種或多種：含氟-、含溴-、含氯-或含碘-化合物。
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液實質上不含或不含磺酸和/或磷酸和/或硫酸和/或硝酸和/或鹽酸。
在 一些 實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液實質上不含或不含：乙基二胺、含鈉化合物和/或含鈣化合物和/或含錳化合物或含鎂化合物和/或含鉻化合物和/或含硫化合物和/或含矽烷化合物和/或含磷化合物。
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液實質上不含或不含表面活性劑。
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液實質上不含或不含兩性鹽(amphoteric salts) 、和/或陽離子表面活性劑、和/或陰離子表面活性劑、和/或兩性離子表面活性劑、和/或非離子表面活性劑。
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液實質上不含或不含咪唑(imidizoles)和/或酸酐。
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液實質上不含或不含吡咯烷酮(pyrrolidones)和/或乙醯胺。
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液實質上不含或不含任何胺和烷醇胺。
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液實質上上不含或不含過氧化物(peroxy-compounds)、和/或過氧化物(peroxides)、和/或過硫酸鹽、和/或過碳酸酯，以及它們的酸，以及它們的鹽。
在一些實施態樣中，所揭示和請求保護的所述溶液實質上不含或不含碘酸鹽和/或過硼酸、和/或過碳酸酯、和/或過氧酸、和/或鈰化合物、和/或氰化物、和/或過碘酸、和/或鉬酸銨、和/或氨、和/或研磨劑。
使用的方法
所揭示和請求保護的標的進一步包括使用一種或多種的所揭示和請求保護的光阻剝離劑溶液，從一基材中全部或部分地移除一種或多種光阻劑或類似材料的方法。如上所述，所揭示和請求保護的光阻剝離劑溶液可用於移除存在於一單層或某些類型的雙層抗蝕劑中的聚合物抗蝕劑材料。 利用下面教示的所述方法，可以從具有一單層聚合物層的標準晶圓中有效地移除一單層聚合物抗蝕劑。 同樣的方法也可用於從具有由一第一無機層和一第二或外聚合物層組成的一雙層的一晶圓中移除一單層聚合物層。 最後，可以從具有由兩層聚合物層組成的一雙層的一晶圓中有效地移除兩層聚合物層。
在此實施態樣的一面向中，從一基材上移除一光阻劑或類似材料的所述製程或方法，包括以下的步驟：
(i) 將所述基材與一種或多種的所述光阻剝離劑溶液接觸，達一足夠移除所欲量的所述光阻劑或類似材料的時間，
(ii) 從所述剝離劑溶液移除所述基材，
(iii) 用DI水或一溶劑沖洗所述基材中的所述剝離劑溶液，以及
(iv) 選擇性地乾燥所述基材。
在一實施態樣中，步驟(i)包括浸沒所述基材於一種或多種的所述光阻剝離劑溶液，並選擇性地攪動所述基材以便有助於光阻劑移除。這樣的攪動可以藉由機械攪拌、循環或藉由一惰性氣體鼓泡所述組合物來造成。
在一實施態樣中，步驟(ii)包括用水或一酒精沖洗所述基材。 在此實施態樣的一面向中，去離子水是水的一優選的形式。 在此實施態樣的另一面向中，異丙醇(IPA)是一優選的溶劑。 在此實施態樣的另一面向中，受到氧化的組成份是或可以在一惰性氣氛下被漂洗。
利用上述的所述方法(以及其變異方法)，所揭示和請求保護的光阻剝離劑溶液可用於移除厚和薄的正型或負型光阻劑。厚光阻劑可以是在半導體裝置的先進封裝應用中之從約5μm至約100μm或更多的、或約15μm至100μm、或從約20μm至約100μm的一光阻劑。 在其它情況下，所述化學溶液可用於移除從約1μm到約100μm或更多的、或約2μm至100μm、或從約3μm到約100μm的光阻劑。
此時將參引本發明的更具體的實施態樣和為這些實施態樣提供支持的實驗結果。下面提供的所述實施例係為更加全面地說明所揭示的標的，並不應被解釋為以任何方式限制所揭示的標的。
對於本領域技術人員來說，明顯可知的是，可以在不背離所揭示的標的之精神或範圍的情況下，對本文提供的所揭示的標的和具體實施例進行各種修改和變化。 因此，所揭示的標的，包括以下實施例提供的敘述說明，涵蓋在任何權利請求項及其等同物的範圍之內的所揭示的標的之修改和變更。
材料和方法：
本專利中使用的所有材料均從西格瑪奧德里奇公司(Sigma Aldrich)購買和/或取得，並如所收到的被用於所述配方中。
使用光學顯微鏡和掃描電子顯微鏡來檢測清潔性能和聚醯亞胺(PI)相容性。 銅(Cu)和鋁(Al)蝕刻速率係藉由在所述配方中加工之前與之後，使用四點探頭RESMAP測量薄膜厚度來確定。
以下的縮寫簡稱被使用於下列表中的各種組合物中：
所述低溫固化PI係一聚醯亞胺鈍化層(或絕緣層)在低於約250ºC下固化。
| 縮寫簡稱 | 全名 |
| KOH | 氫氧化鉀 |
| NaOH | 氫氧化鈉 |
| BA | 苯甲醇 |
| DB | 二甘醇丁醚 |
| DE | 二乙二醇一乙基醚 |
| MMB | 3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇 |
| DEG | 二甘醇 |
| PG | 丙二醇 |
| TEGME | 三甘醇單甲醚 |
| BZT | 苯並三唑 |
| MEA | 單乙醇胺 |
在所述實施例中，對包含下列表中所鑑定的所述配方的各種剝離組合物(實施例和比較例)進行測試，以測試它們從半導體晶圓樣品中移除光阻劑的能力。 所述試樣尺寸的半導體晶圓樣品是鍍有銅(Cu)柱和錫(Sn) /銀(Ag)焊帽(solder caps)的矽晶圓，在其上具有一厚的旋塗(spin-on)光阻劑層。 所述光阻劑移除是在一燒杯中使用一浸沒程序進行。在所述試樣上的所述光阻劑是一負旋塗光阻劑(negative spin-on photoresist)。其他試樣具有聚醯亞胺(PI)的一鈍化層在其上。 除非另有說明，所有所述列表中的材料數量均以重量%數值來記錄，並在適當情況下反映“純”數值。 所述配方重量的平衡(balance)係來自存在於所述原料中的水。
表1列出Cu和Al蝕刻速率、PI相容性和光阻劑移除效果的結果。 表1中記錄的測試結果是用於從光阻圖案化試樣中移除光阻劑 ，並且在指定的製程條件(溫度和時間)下與具有PI鈍化層的各別試樣的相容性。
表 1. 比較例配方
表 2. 實施例配方
表 3. 實施例配方
| 比較例 1 | 比較例 2 | ||
| KOH | 1.8 | 2.03 | |
| MMB | 20 | -- | |
| DB | 65 | -- | |
| TEGME | -- | 70 | |
| PG | -- | 12.75 | |
| DEG | 5 | 15 | |
| MEA | 8 | -- | |
| 硝酸銅 | 0.01 | -- | |
| 總量 | 99.81 | 99.78 | |
| 製程溫度 | 70 °C | 70 °C | |
| 銅蝕刻速率 /埃/分鐘 | ＜0.5 | 2.91 | |
| 鋁蝕刻速率 /埃/分鐘 | 115.9 | 3.54 | |
| 負光阻劑移除 | 50 分鐘 | 乾淨 | 乾淨 |
| PI (低溫固化) | 90 分鐘 | PI 攻擊 | 無 PI 攻擊 |
| 實施例 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| KOH | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 1.1 | -- | 1.05 |
| NaOH | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 2.05 | 1.0 |
| PG | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 |
| TEGME | 69.5 | 69 | 68.5 | 69.5 | 69.5 | 69.5 | 69.5 | 70.65 | 69.65 | 69.56 |
| DEG | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 |
| 山梨醇 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | -- | -- | 0.5 | -- | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
| BZT | -- | 0.5 | 1 | 0.5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| 間苯二酚 | -- | -- | -- | -- | 0.5 | -- | -- | -- | -- | -- |
| 癸二酸 | -- | -- | -- | -- | -- | 0.5 | -- | -- | -- | -- |
| 硝酸銅 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 0.01 | -- | -- | -- |
| 總量 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.29 | 99.88 | 99.95 | 99.86 |
| 實施例 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
| KOH | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 |
| PG | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 |
| TEGME | -- | -- | -- | -- | 40 | 40 | 40 |
| MMB | 69.5 | -- | -- | -- | 29.5 | -- | -- |
| DB | -- | 69.5 | -- | -- | -- | 29.5 | -- |
| BA | -- | -- | 69.5 | -- | -- | -- | 29.5 |
| DE | -- | -- | -- | 69.5 | -- | -- | -- |
| DEG | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 |
| 山梨醇 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
| 總量 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 |
實施例配方的分析
分析 1：抑蝕劑和蝕刻速率
表4和表5列出 (i) 比較性的剝離溶液和 (ii) 根據所揭示和請求保護的標的之溶液以使用一浸沒程序測試，以測量銅和鋁蝕刻速率。使用空白銅或鋁晶圓(blanket Cu or Al wafer)進行測試。對於所述浸沒程序，三個試樣尺寸的半導體晶圓樣品在燒杯中進行處理。 燒杯中裝滿100克的一剝離組合物並加熱至所述目標溫度。當所述剝離組合物處於所述目標溫度時，將三張試樣放置在所述燒杯的一支架中，並藉由一攪拌棒提供輕微的攪動。在所述整個程序中，溫度保持在所述表中的製程溫度。在一總處理時間為25分鐘之後，從所述燒杯中取出所述試樣，用DI水和IPA沖洗，並用氮氣流乾燥。
使用RESMAP測量每個試樣在處理之前和之後的所述Cu或Al層的厚度，以計算厚度和所述蝕刻速率的變化。在表4和表5中，藉由監測銅蝕刻速率和鋁蝕刻速率，來研究一單個抑蝕劑或兩種抑蝕劑的組合。與不含任何抑蝕劑的所述一例 (比較例2)相比，表4和表5中列出的所有抑蝕劑將銅蝕刻降低到一不同的程度(配方1-17)。在表4和表5中所示的所揭示和請求保護的標的之所述溶液的鋁蝕刻速率明顯低於比較例1和2，但配方4-7除外。
表4：抑蝕劑對銅和鋁蝕刻速率的作用
表5：抑蝕劑對銅和鋁蝕刻速率的作用
| 實施例 | 比較例 1 | 比較例 2 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| KOH | 1.8 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 1.1 | -- | 1.05 |
| NaOH | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 2.05 | 1.0 |
| PG | -- | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 |
| TEGME | -- | 70 | 69.5 | 69 | 68.5 | 69.5 | 69.5 | 69.5 | 69.5 | 70.65 | 69.65 | 69.56 |
| DEG | 5 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 |
| DB | 65 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| MMB | 20 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| MEA | 8 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| 山梨醇 | -- | -- | 0.5 | 0.5 | 0.5 | -- | -- | -- | -- | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
| BZT | -- | -- | -- | 0.5 | 1 | 0.5 | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| 間苯二酚 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 0.5 | -- | -- | -- | -- | -- |
| 癸二酸 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 0.5 | -- | -- | -- | -- |
| 硝酸銅 | 0.01 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 0.01 | -- | -- | -- |
| 總量 | 99.81 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.29 | 99.88 | 99.95 | 99.86 |
| 溫度 /°C | 80 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 |
| 時間/ 分鐘 | 30 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 |
| 銅蝕刻速率： 埃/ 分鐘 | ＜0.5 | 2.91 | ＜0.5 | ＜0.5 | ＜0.5 | 1.29 | ＜0.5 | 1.51 | ＜0.5 | ＜0.5 | ＜0.5 | ＜0.5 |
| 鋁蝕刻速率： 埃/ 分鐘 | 115.9 | 3.54 | ＜0.5 | 1.31 | 0.52 | 3.42 | 5.07 | 2.95 | 3.23 | ＜0.5 | 1.48 | 0.59 |
| 實施例 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
| KOH | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 |
| PG | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 |
| TEGME | -- | -- | -- | -- | 40 | 40 | 40 |
| MMB | 69.5 | -- | -- | -- | 29.5 | -- | -- |
| DB | -- | 69.5 | -- | -- | -- | 29.5 | -- |
| BA | -- | -- | 69.5 | -- | -- | -- | 29.5 |
| DE | -- | -- | -- | 69.5 | -- | -- | -- |
| DEG | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 |
| 山梨醇 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
| 總量 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 |
| 溫度 /°C | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 |
| 時間/ 分鐘 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 |
| 銅蝕刻速率： 埃/ 分鐘 | ＜0.5 | ＜0.5 | ＜0.5 | ＜0.5 | ＜0.5 | ＜0.5 | ＜0.5 |
| 鋁蝕刻速率： 埃/ 分鐘 | ＜0.5 | 1.88 | ＜0.5 | ＜0.5 | 0.58 | ＜0.5 | ＜0.5 |
分析 2：光阻劑清潔性能
表 6 列出各種(i) 比較性的剝離溶液和(ii)根據所揭示和請求保護的標的之溶液，以使用一浸沒程序和具有65μm厚的負旋塗的光阻劑並鍍有銅柱和錫/銀焊帽的半導體晶圓來進行測試。 對於所述浸沒程序，將試樣尺寸的半導體晶圓樣品在燒杯中進行處理。燒杯中裝滿100.0克的一剝離溶液並加熱至80°C的所述目標溫度。當所述剝離溶液處於所述目標溫度時，將一試樣放置在所述燒杯的一支架中，並藉由一攪拌棒提供輕微的攪動。在所述清潔程序中接觸所述試樣時，溫度保持在所述製程溫度。經過一套處理之後，從所述燒杯中取出所述試樣，用DI水和IPA沖洗，並用一氮氣流乾燥。
如果所有的光阻劑都從所述晶圓試樣表面移除，則光阻劑移除就界定為“清潔”；如果至少95%的所述光阻劑從所述表面移除，則界定為“大部分清潔”；如果從所述表面移除約80%的所述光阻劑，則界定為“部分清潔”。所有的配方都能夠在80°C下和50分鐘時，完全移除正光阻劑，除了實施例8、12和16，其中所述試樣在50分鐘後僅達大部分清潔。
表 6： 光阻劑移除性能
| 實施例 | 比較例1 | 比較例2 | 1 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
| KOH | 1.8 | 2.03 | 2.03 | 1.1 | -- | 1.05 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 | 2.03 |
| NaOH | -- | -- | -- | -- | 2.05 | 1.0 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| MEA | 8 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| PG | -- | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 |
| MMB | 20 | -- | -- | -- | -- | -- | 69.5 | -- | -- | -- | 29.5 | -- | -- |
| DB | 65 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 69.5 | -- | -- | -- | 29.5 | -- |
| BA | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 69.5 | -- | -- | -- | 29.5 |
| DE | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 69.5 | -- | -- | -- |
| TEGME | -- | 70 | 69.5 | 70.65 | 69.65 | 69.56 | -- | -- | -- | 40 | 40 | 40 | 40 |
| DEG | 5 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 |
| 硝酸銅 | 0.01 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| 山梨醇 | -- | -- | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
| 總量 | 99.81 | 99.78 | 99.78 | 99.88 | 99.95 | 99.86 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 | 99.78 |
| 溫度 /°C | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 |
| 時間 / 分鐘 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| 光阻劑移除 | 清潔 | 清潔 | 清潔 | 大部分清潔 | 清潔 | 清潔 | 清潔 | 大部分清潔 | 清潔 | 清潔 | 清潔 | 大部分清潔 | 清潔 |
分析4：聚醯亞胺相容性
表 7提供以低溫固化聚醯亞胺(PI)薄膜來評估的各種(i) 比較性的剝離溶液和(ii) 根據所揭示和請求保護的標的之溶液的結果。這些測試是使用以固化的PI薄膜圖案化的半導體晶圓來進行。對於所述浸沒程序，將試樣尺寸的半導體晶圓樣品在燒杯中進行處理。燒杯中裝滿100.0克的一剝離溶液並加熱至所述目標溫度。當所述剝離溶液處於所述製程溫度時，將一試樣放置在所述燒杯的一支架中，並藉由一攪拌棒提供輕微的攪動。在所述整個程序中，溫度保持在所述製程溫度。 在一總處理時間為90分鐘之後，從所述燒杯中取出所述試樣，用DI水和IPA沖洗，並用一氮氣流乾燥。
在對測試的每個試樣進行處理之前和之後，使用光學顯微鏡和掃描電子顯微鏡監測PI薄膜的圖案。薄膜表面上的任何裂縫或可見損壞都被視為是PI相容性差的一指標。根據所揭示和請求保護的標的之所有實施例，除實施例13外，在90分鐘後都具有良好的PI相容性，而比較例1顯示出PI攻擊。
表 7： PI 相容性
| 實施例 | 比較例 1 | 比較例2 | 1 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 |
| KOH | 1.8 | 2.03 | 2.03 | 1.1 | -- | 1.05 | 2.03 | 2.03 | 2.03 |
| NaOH | -- | -- | -- | -- | 2.05 | 1.0 | -- | -- | -- |
| MEA | 8 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| PG | -- | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 | 12.75 |
| MMB | 20 | -- | -- | -- | -- | -- | 69.5 | -- | -- |
| DB | 65 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 69.5 | -- |
| BA | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 69.5 |
| TEGME | -- | 70 | 69.5 | 70.65 | 69.65 | 69.56 | -- | -- | -- |
| DEG | 5 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 |
| 硝酸銅 | 0.01 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| 山梨醇 | -- | -- | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
| 總量 | 99.81 | 99.78 | 99.78 | 99.88 | 99.95 | 99.86 | 99.78 | 99.78 | 99.78 |
| 溫度 /°C | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 |
| 時間/分鐘 | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 |
| PI | 攻擊 | 無攻擊 | 無攻擊 | 無攻擊 | 無攻擊 | 無攻擊 | 無攻擊 | 無攻擊 | 攻擊 |
儘管對所揭示和請求保護的標的進行了一定程度之詳細的敘述和說明，但可以理解的是，本說明書僅作為例示進行，並且本領域技術人員可以在不背離所揭示和請求保護的標的之精神和範圍的情況下，對條件和步驟的順序採取許多的修改。因此，本領域技術人員瞭解的是，可以在不偏離所揭示和請求保護的標的之範圍的情況下，進行各種修改並可用等同物代替其等的元素。此外，可以進行許多的變化，以使一特定情況或材料適應所揭示和請求保護的標的之教示，而不偏離其基本範圍。此外，在所述詳細說明中所確定的所有數值應被解釋為好像所述精確值和近似值兩者皆被明白地識別。
無
無
Claims (60)
- 一種光阻剝離劑溶液，包含：(i)約1.0重量%至約2.5重量%的一種或多種純無機鹼；(ii)約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑，它們彼此不同，包含(a)一第一溶劑，包含一種或多種的一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含一種或多種多元醇溶劑；(iii)約0.01重量%至約2重量%的一種或多種抑蝕劑；以及(iv)選擇性地一種或多種二級溶劑，其中組成份(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於或小於100重量%。
- 一種光阻剝離劑溶液，基本上由以下所組成：(i)約1.0重量%至約2.5重量%的一種或多種純無機鹼；(ii)約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑，它們彼此不同，包含(a)一第一溶劑，包含一種或多種的一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含一種或多種多元醇溶劑；(iii)約0.01重量%至約2重量%的一種或多種抑蝕劑；以及(iv)選擇性地一種或多種二級溶劑， 其中組成份(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於或小於100重量%。
- 一種光阻剝離劑溶液，由以下所組成：(i)約1.0重量%至約2.5重量%的一種或多種純無機鹼；(ii)約90重量%至約97重量%的兩種或更多種有機溶劑，它們彼此不同，包含(a)一第一溶劑，包含一種或多種的一乙二醇醚溶劑、一醚醇溶劑和一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含一種或多種多元醇溶劑；(iii)約0.01重量%至約2重量%的一種或多種抑蝕劑；以及(v)選擇性地一種或多種二級溶劑，其中組成份(i)、(ii)、(iii)和(iv)的總重量%等於100重量%。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1.75重量%至約2.25重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1.75重量%至約2.1重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1.75重量%至約2.05重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1.75重量%至約2.0重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1.25重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1.5重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1.75重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1.8重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約1.9重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約2.0重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約2.05重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含約2.1重量%的純KOH。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種純無機鹼包含一種或多種的氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、氫氧化銣和氫氧化銫。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述溶液包含約94重量%至約97重量%的所述兩種或更多種有機溶劑。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述兩種或更多種有機溶劑包含(a)一第一溶劑，包含約60重量%至約80重量%的一種或多種的一醚醇溶劑、一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含約10重量%至約30重量%的一種或多種多元醇溶劑，以及其中所述第一溶劑和所述第二溶劑彼此不同。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述兩種或更多種有機溶劑包含(a)一第一溶劑，包含約68重量%至約77重量%的一種或多種的一醚醇溶劑、一含芳香環醇溶劑或其混合物，和(b)一第二溶劑，包含約11重量%至約28重量%的一種或多種多元醇溶劑，以及其中所述第一溶劑和所述第二溶劑彼此不同。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述兩種或更多種有機溶劑包含(a)一第一溶劑，包含約60重量%至約80重量%的三甘醇單甲醚(TEGME)和(b)一第二溶劑，包含約10重量%至約30重量%的一種或多種多元醇溶劑，以及其中所述第一溶劑和所述第二溶劑彼此不同。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述兩種或更多種有機溶劑包含(a)約60重量%至約80重量%的一第一溶劑，包含一種或多種的一醚醇、一含芳香族環醇或其混合物，和(b)約10重量%至約30重量%的一第二溶劑，包含一種或多種的乙二醇(EG)、二甘醇(DEG)、三伸甘醇(TEG)、甘油、丙二醇(PG)及其混合物，以及其中所述第一溶劑和所述第二溶劑彼此不同。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述兩種或更多種有機溶劑包含(a)約68重量%至約77重量%的一第一溶劑，包含一種或多種的一醚醇、一含芳香族環醇或其混合物，和(b)約11重量%至約28重量%的一第二溶劑，包含一種或多種的乙二醇(EG)、二甘醇(DEG)、三伸甘醇(TEG)、甘油、丙二醇(PG)及其混合物，以及其中所述第一溶劑和所述第二溶劑彼此不同。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述兩種或多種有機溶劑包含(a)一第一溶劑，包含約68重量%至約77重量%的三甘醇單甲醚(TEGME)和(b)一第二溶劑，包含約11重量%至約28重量%的二甘醇(DEG)和丙二醇(PG)，其中所述第一溶劑和所述第二溶劑彼此不同。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含一種或多種的BZT、山梨醇、間苯二酚、癸二酸、甘油和硝酸銅(II)。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.5重量%至約1重量%的BZT。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.5重量%的BZT。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約1重量%的BZT。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.2重量%至約1重量%的山梨醇。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.2重量%的山梨醇。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.5重量%的山梨醇。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約1重量%的山梨醇。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.2重量%至約1重量%的間苯二酚。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.2重量%的間苯二酚。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.5重量%的間苯二酚。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約1重量%的間苯二酚。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.2重量%至約1重量%的甘油。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.2重量%的甘油。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.5重量%的甘油。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約1.0重量%的甘油。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.2重量%至約1重量%的癸二酸。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.2重量%的癸二酸。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.5重量%的癸二酸。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約1重量%的癸二酸。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.005重量%至約1重量%的硝酸銅。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.01重量%的硝酸銅。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約0.2重量%的硝酸銅。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述一種或多種抑蝕劑包含約1重量%的硝酸銅。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述溶液不含一含醯胺的溶劑。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述溶液不含一含硫的溶劑。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述溶液不含二甲基亞碸(DMSO)。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述溶液不含正甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，其中，所述溶液不含二甲基亞碸(DMSO)及正甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，進一步包含所述二級溶劑，其中所述二級溶劑包含一種或多種的水和一含有一羥基的醇。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，進一步包含所述二級溶劑，其中所述二級溶劑包含水。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，進一步包含所述二級溶劑，其中，所述二級溶劑包含一含有一羥基的醇，其係選自甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、叔丁醇、三級-戊醇、3-甲基-3-戊醇、1-辛醇、1-癸醇、1-十一醇、1-十二醇、1-十三醇、1-十四醇、1-十五醇、1-十六醇、9-十六烯-1-醇、1-十七醇、1-十八醇、1-十九醇、1-二十醇、1-二十一醇、1-二十二醇、13-二十二烯-1-醇、1-二十四醇、1-二十六醇、1-二十七醇、1-二十八醇、1-三十醇、1-三十二醇、1-三十四醇和鯨蠟硬脂醇。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，進一步包含1重量%至約15重量%的所述二級溶劑。
- 如請求項1-3中任一項的光阻剝離劑溶液，包含約2.03重量%的KOH、約12.75重量%的丙二醇、約69.5重量%的三甘醇單甲醚和約15重量%的二甘醇和約0.5重量%的山梨醇。
- 一種從一基材移除一光阻劑或類似材料的方法，包含以下所述步驟： (i)以如請求項1-59中任一項的所述光阻剝離劑溶液接觸所述基材，達一足夠移除一所欲量的所述光阻劑或類似材料的時間，(ii)將所述基材從所述剝離劑溶液移除，(iii)用DI水或一溶劑沖洗所述基材的所述剝離劑溶液，以及(iv)選擇性地乾燥所述基材。
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