TWI814652B - 去膜液 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 74
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 84
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 60
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 27
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 polyoxyethylene lauryl ether phosphate Polymers 0.000 claims description 7
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PWTNRNHDJZLBCD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-pentoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCOCCOCCO PWTNRNHDJZLBCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 4
- GWTCIAGIKURVBJ-UHFFFAOYSA-L dipotassium;dodecyl phosphate Chemical compound [K+].[K+].CCCCCCCCCCCCOP([O-])([O-])=O GWTCIAGIKURVBJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 4
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 claims 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical class [H]S* 0.000 description 1
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Abstract
本發明公開一種去膜液，其包括一第一溶液以及一第二溶液。所述第一溶液含氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液及水。基於所述第一溶液的總重為100 wt%，所述氫氧化鉀溶液的含量是介於60 wt%至80 wt%之間，所述氫氧化鈉溶液的含量是介於5 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間。所述第二溶液包含醇醚類溶劑、銅保護劑及水。基於所述第二溶液的總重為100 wt%，所述醇醚類溶劑的含量是介於50 wt%至70 wt%，所述銅保護劑的含量是介於10 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間。
Description
本發明涉及一種去膜液，特別是涉及一種用於電路板製程的去膜液。
現有的電路板的去膜液大致上分為無機去膜液及有機去膜液。無機去膜液主要包含氫氧化鈉或氫氧化鉀，雖然無機去膜液能提供一定的去膜能力，但去膜速度慢且產生的膜屑過大，因此無機去膜液不適合用以對具有細線路的電路板進行去膜。
另外，雖然使用有機去膜液進行去膜後所產生的膜屑相對較小，但有機去膜液中通常包含有胺類有機鹼或胺類衍生物，胺類有機鹼或胺類衍生物的強烈的臭味會造成使用者不舒適。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種去膜液，其能有效改善現有的無機去膜液去膜速度慢且產生的膜屑大以及現有的有機去膜液會有強烈臭味的問題。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種去膜液，其包括：一第一溶液，其包含氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液及水；其中，基於所述第一溶液的總重為100 wt%，所述氫氧化鉀溶液的含量是介於60 wt%至80 wt%之間，所述氫氧化鈉溶液的含量是介於5 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間；以及一第二溶液，其包含醇醚類溶劑、銅保護劑及水；其中，基於所述第二溶液的總重為100 wt%，所述醇醚類溶劑的含量是介於50 wt%至70 wt%，所述銅保護劑的含量是介於10 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間。
優選地，所述第二溶液還包含有界面活性劑；其中，基於所述第二溶液的總重為100 wt%，所述界面活性劑的含量是介於5 wt%至10 wt%之間。
優選地，所述界面活性劑是選自由聚氧乙烯月桂醚磷酸鉀、單月桂基磷酸酯鉀所組成的材料群組中的至少其中一種。
優選地，於所述去膜液中，所述第一溶液與所述第二溶液是以一預定重量比例彼此混和，並且所述預定重量比例是介於1：3至3：1之間。
優選地，所述醇醚類溶劑是選自由二乙二醇丙醚、二乙二醇丁醚、二乙二醇戊醚、二乙二醇己醚、乙二醇丁醚、乙二醇丙醚、丙二醇甲醚及二丙二醇甲醚所組成的材料群組中的至少其中一種。
優選地，所述銅保護劑是選自由苯並三氮唑、巰基苯並噻唑、甲基苯並三氮唑及5-苯基四氮唑所組成的材料群組中的至少其中一種。
優選地，所述去膜液不包含胺類或其衍生物。
優選地，所述去膜液能適用於電路板製程中，所述去膜液能用以對一電路板執行一去膜作業，並且所述電路板的一最小線路寬度為10微米。
優選地，在所述去膜液用以對所述電路板執行所述去膜作業之前，所述去膜液先被加水稀釋至所述去膜液原本重量百分濃度的1/5倍至1/2倍之間。
優選地，在所述去膜液用以執行所述去膜作業後所產生的膜屑的最大尺寸不大於10微米。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的去膜液，其能通過“基於所述第一溶液的總重為100 wt%，所述氫氧化鉀溶液的含量是介於60 wt%至80 wt%之間，所述氫氧化鈉溶液的含量是介於5 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間”以及“基於所述第二溶液的總重為100 wt%，所述醇醚類溶劑的含量是介於50 wt%至70 wt%，所述銅保護劑的含量是介於10 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間”的技術方案，以有效改善現有的無機去膜液去膜速度慢且產生的膜屑大以及現有的有機去膜液會有強烈臭味的問題。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“去膜液”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
本發明實施例提供一種去膜液，所述去膜液能適用於電路板製程中，並且所述去膜液能用以對一電路板執行一去膜作業。具體來說，所述去膜作業可以是通過所述去膜液與所述電路板的乾膜反應而移除所述乾膜。特別地，本實施例的所述去膜液可以用以對細線路的電路板進行所述去膜作業，舉例來說，所述電路板的一最小線路寬度為10微米，但本發明不受限於此。
所述去膜液包含有一第一溶液及一第二溶液。所述第一溶液與所述第二溶液是以一預定重量比例彼此混和，並且所述預定重量比例是介於1：4至4：1之間，但本發明不對所述預定重量比例加以限制。較佳地，所述預定重量比例是介於1：3至3：1之間。
於本實施例中，所述第一溶液可以是僅包含無機成分而不包含有機成分，並且所述第一溶液主要用以去除所述電路板的乾膜。所述第二溶液可以是僅包含有機成分而不包含無機成分，並且所述第二溶液主要用以加速所述電路板的乾膜的剝離速度。
所述第一溶液包含氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液及水。基於所述第一溶液的總重為100 wt%，所述氫氧化鉀溶液的含量是介於60 wt%至80 wt%之間，所述氫氧化鈉溶液的含量是介於5 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間。於本發明其中一實施例中，所述氫氧化鉀溶液的重量百分濃度為45%，並且所述氫氧化鈉溶液的重量百分濃度為45%，但本發明不受限於此。
值得一提的是，本實施例的所述第一溶液中，所述氫氧化鉀溶液的含量是高於所述氫氧化鈉溶液的含量，換句話說，所述氫氧化鉀溶液的含量可以是介於所述氫氧化鈉溶液的含量3倍至16倍。較佳地，所述氫氧化鉀溶液的含量可以是介於所述氫氧化鈉溶液的含量4倍至12倍，但本發明不受限於此。
所述第二溶液包含醇醚類溶劑、銅保護劑及水。基於所述第二溶液的總重為100 wt%，所述醇醚類溶劑的含量是介於50 wt%至70 wt%，所述銅保護劑的含量是介於10 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間。
所述第二溶液中主要是通過所述醇醚類溶劑以加速所述電路板的乾膜的剝離速度。較佳地，所述醇醚類溶劑是選自由二乙二醇丙醚、二乙二醇丁醚、二乙二醇戊醚、二乙二醇己醚、乙二醇丁醚、乙二醇丙醚、丙二醇甲醚及二丙二醇甲醚所組成的材料群組中的至少其中一種。
值得一提的是，以二乙二醇丁醚作為所述醇醚類溶劑的實施例能提供最佳的乾膜的剝離速度，以二乙二醇丁醚及二乙二醇己醚共同作為所述醇醚類溶劑的實施例也能提供優異的乾膜的剝離速度，但本發明不對所述醇醚類溶劑的具體成分加以限制。
所述銅保護劑主要用以保護所述電路板的線路，以避免所述電路板的線路被有機溶劑（如所述醇醚類溶劑）所侵蝕。換句話說，僅包含無機溶劑的現有的去膜液是不需包含如本案中的所述銅保護劑，而僅包含無機溶劑的現有的去膜液所能提更的乾膜的剝離速度會比本案中的所述去膜液所能提供的乾膜的剝離速度慢。此外，若僅是簡單地將僅包含無機溶劑的現有的去膜液與有機溶劑作結合，則可能會有電路板的線路被有機溶劑所侵蝕的問題。
於本實施例中，所述銅保護劑是選自由苯並三氮唑、巰基苯並噻唑、甲基苯並三氮唑及5-苯基四氮唑所組成的材料群組中的至少其中一種。換句話說，本實施例的所述去膜液中，可以是通過選自特定群組的銅保護劑，從而使得所述去膜液不會侵蝕電路板的線路。
於其他實施例中，所述第二溶液還包含有界面活性劑。基於所述第二溶液的總重為100 wt%，所述界面活性劑的含量是介於5 wt%至10 wt%之間。較佳地，所述界面活性劑是選自由聚氧乙烯月桂醚磷酸鉀、單月桂基磷酸酯鉀所組成的材料群組中的至少其中一種，但本發明不受限於此。
需要說明的是，由於本實施例中的所述第一溶液為無機溶液且所述第二溶液為有機溶液，因此所述第二溶液中較佳包含有所述界面活性劑以避免所述第一溶液與所述第二溶液之間產生分層。換句話說，僅使用有機溶劑或無機溶劑的現有的去膜液中不會包含如本案中的所述界面活性劑。或者，若僅是簡單地將關於無機去膜液的專利前案與關於有機去膜液的專利前案結合而對比至本發明，則可能會有因為沒有選用特定的界面活性劑而造成分層的問題。
值得一提的是，在所述去膜液用以對所述電路板執行所述去膜作業之前，所述去膜液先被加水稀釋至所述去膜液原本重量百分濃度的1/5倍至1/2倍之間。換句話說，在所述去膜液用以對所述電路板執行所述去膜作業之前，所述去膜液中可以先被加入所述去膜液的總重的1倍至4倍的水以稀釋所述去膜液。
在所述去膜液用以執行所述去膜作業後所產生的膜屑的最大尺寸不大於10微米。此外，所述去膜液可以是不包含胺類或其衍生物，因此所述去膜液不會有胺類或其衍生物所帶來的刺激性臭味。
[去膜液的配置方法]
請參閱圖1所示，圖1為本發明實施例的去膜液的配置方法的流程示意圖。本發明還提供一種去膜液的配置方法，前述去膜液可以但不限制為通過所述去膜液的配置方法配置而得。所述去膜液的配置方法可以包含一第一溶液配置步驟S110、一第二溶液配置步驟S120及一混和步驟S130。
於第一溶液配置步驟S110中，將60至80重量份的氫氧化鉀溶液、5至20重量份的氫氧化鈉溶液及10至20重量份的水攪拌混和，以得到一第一溶液。
於第二溶液配置步驟S120中，將50至70重量份的醇醚類溶劑、10至20重量份的銅保護劑及10至20重量份的水攪拌混和，以得到一第二溶液。
於所述混和步驟S130中，將所述第一溶液與所述第二溶液以一預定重量比例彼此混合，以得到一去膜液。於本實施例中，所述預定重量比例是介於1：4至4：1之間，但本發明不受限於此。較佳地，所述預定重量比例是介於1：3至3：1之間。
於本實施例的所述第一溶液配置步驟中，所述氫氧化鉀溶液的重量百分濃度為45%，並且所述氫氧化鈉溶液的重量百分濃度為45%，但本發明不受限於此。
於本實施例的所述第二溶液配置步驟S120中，所述醇醚類溶劑是選自由二乙二醇丙醚、二乙二醇丁醚、二乙二醇戊醚、二乙二醇己醚、乙二醇丁醚、乙二醇丙醚、丙二醇甲醚及二丙二醇甲醚所組成的材料群組中的至少其中一種，並且所述銅保護劑是選自由苯並三氮唑、巰基苯並噻唑、甲基苯並三氮唑及5-苯基四氮唑所組成的材料群組中的至少其中一種。
於其他實施例的所述第二溶液配置步驟S120中，將60至80重量份的氫氧化鉀溶液、5至20重量份的氫氧化鈉溶液、5至10重量份的界面活性劑及10至20重量份的水攪拌混和，以得到所述第一溶液。所述界面活性劑是選自由聚氧乙烯月桂醚磷酸鉀、單月桂基磷酸酯鉀所組成的材料群組中的至少其中一種。
[實驗數據測試]
以下，參照示範例1至6與比較例1至4詳細說明本發明之內容。示範例1至6及比較例1至4的所述去膜液的各成分比例配方、去膜時間及膜屑大小如下表1，並且相關測試方法說明如下。
去膜速度測試：以市售日系乾膜，厚度為20um，熱壓貼膜於化銅板，經曝光、顯影後進行去膜測試。去膜測試為以250ml燒杯，將去膜第一溶液、第二溶液、純水以所述比例加入，並磁石攪拌混和，升溫至65℃後，將已貼乾膜且曝光顯影之化銅板置入燒杯溶液中，開始計時直到乾膜完全剝離化銅板表面，即為去膜時間。
膜屑大小測試：將上述溶液倒於濾紙上觀察量測膜屑大小。
[表1 示範例與比較例的各成分比例配方與物化特性測試結果]
| 項目 | 示範例1 | 示範例2 | 示範例3 | 示範例4 | 示範例5 | 示範例6 | |
| 各成份參數條件 | 第一溶液中氫氧化鉀的含量 (wt%) | 75 | 75 | 75 | 60 | 60 | 60 |
| 第一溶液中氫氧化鈉的含量 (wt%) | 15 | 15 | 15 | 20 | 20 | 20 | |
| 第一溶液中水的含量 (wt%) | 10 | 10 | 10 | 20 | 20 | 20 | |
| 第二溶液中醇醚類溶劑的含量 (wt%) | 二乙二醇丁醚 | 70 | 65 | 70 | 70 | - | - |
| 乙二醇丁醚 | - | - | - | - | 70 | - | |
| 乙二醇丙醚 | - | - | - | - | - | 70 | |
| 第二溶液中銅保護劑的含量 (wt%) | 20 | 20 | 15 | 15 | 15 | 15 | |
| 第二溶液中界面活性劑的含量 (wt%) | - | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | |
| 第二溶液中水的含量 (wt%) | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | |
| 第一溶液/第二溶液/水 混和的預定重量比例 | 15/15/70 | 21/14/65 | 21/14/65 | 21/14/65 | 21/14/65 | 21/14/65 | |
| 物化特性 | 去膜時間(秒) | 110 | 115 | 110 | 115 | 100 | 110 |
| 膜屑大小(微米) | 10以下 | 10以下 | 10以下 | 10以下 | 10以下 | 10以下 |
| 項目 | 比較例1 | 比較例2 | 比較例3 | 比較例4 | |
| 各成份參數條件 | 第一溶液中氫氧化鉀的含量 (wt%) | 50 | 60 | 60 | 60 |
| 第一溶液中氫氧化鈉的含量 (wt%) | 20 | 20 | 20 | 20 | |
| 第一溶液中水的含量 (wt%) | 30 | 20 | 20 | 20 | |
| 第二溶液中醇醚類溶劑的含量 (wt%) | 二乙二醇丁醚 | 70 | 45 | - | - |
| 二乙二醇乙醚 | - | - | 70 | - | |
| 二乙二醇甲醚 | - | - | - | 70 | |
| 第二溶液中銅保護劑的含量 (wt%) | 15 | 15 | 15 | 15 | |
| 第二溶液中界面活性劑的含量 (wt%) | 5 | 5 | 5 | 5 | |
| 第二溶液中水的含量 (wt%) | 10 | 35 | 10 | 10 | |
| 第一溶液/第二溶液/水 混和的預定重量比例 | 21/14/65 | 21/14/65 | 21/14/65 | 21/14/65 | |
| 物化特性 | 去膜時間(秒) | 140 | 150 | 115 | 110 |
| 膜屑大小(微米) | 20~30 | 10~20 | 1000 | 1000 |
[測試結果討論]
在示範例1中，第一溶液中氫氧化鉀的含量75wt%、氫氧化鈉的含量 15wt%、水的含量10wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(二乙二醇丁醚)的含量 70wt%、銅保護劑的含量20wt%、水的含量10wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=15wt%/15wt%/70wt%，去膜時間為110秒，膜屑大小為10微米以下。
在示範例2中，第一溶液中氫氧化鉀的含量75wt%、氫氧化鈉的含量 15wt%、水的含量10wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(二乙二醇丁醚)的含量65wt%、銅保護劑的含量20wt%、界面活性劑的含量5wt%、水的含量10wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=21wt%/14wt%/65wt%，不分層，去膜時間為115秒，膜屑大小為10微米以下。
在示範例3中，第一溶液中氫氧化鉀的含量75wt%、氫氧化鈉的含量 15wt%、水的含量10wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(二乙二醇丁醚)的含量70wt%、銅保護劑的含量15wt%、界面活性劑的含量5wt%、水的含量10wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=21wt%/14wt%/65wt%，不分層，去膜時間為110秒，膜屑大小為10微米以下。
在示範例4中，第一溶液中氫氧化鉀的含量60wt%、氫氧化鈉的含量 20wt%、水的含量20wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(二乙二醇丁醚)的含量70wt%、銅保護劑的含量15wt%、界面活性劑的含量5wt%、水的含量10wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=21wt%/14wt%/65wt%，不分層，去膜時間為115秒，膜屑大小為10微米以下。
在示範例5中，第一溶液中氫氧化鉀的含量60wt%、氫氧化鈉的含量 20wt%、水的含量20wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(改用乙二醇丁醚)的含量70wt%、銅保護劑的含量15wt%、界面活性劑的含量5wt%、水的含量10wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=21wt%/14wt%/65wt%，不分層，去膜時間為100秒，膜屑大小為10微米以下。
在示範例6中，第一溶液中氫氧化鉀的含量60wt%、氫氧化鈉的含量 20wt%、水的含量20wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(改用乙二醇丙醚)的含量70wt%、銅保護劑的含量15wt%、界面活性劑的含量5wt%、水的含量10wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=21wt%/14wt%/65wt%，不分層，去膜時間為110秒，膜屑大小為10微米以下。
在比較例1中，第一溶液中氫氧化鉀的含量降至50wt%、氫氧化鈉的含量 20wt%、水的含量提高至30wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(二乙二醇丁醚)的含量70wt%、銅保護劑的含量15wt%、界面活性劑的含量5wt%、水的含量10wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=21wt%/14wt%/65wt%，不分層，去膜時間為140秒，膜屑大小為20~30微米。
在比較例2中，第一溶液中氫氧化鉀的含量60wt%、氫氧化鈉的含量 20wt%、水的含量20wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(二乙二醇丁醚)的含量降至45wt%、銅保護劑的含量15wt%、界面活性劑的含量5wt%、水的含量提高至35wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=21wt%/14wt%/65wt%，不分層，去膜時間為150秒，膜屑大小為10~20微米。
在比較例3中，第一溶液中氫氧化鉀的含量60wt%、氫氧化鈉的含量 20wt%、水的含量20wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(改為二乙二醇乙醚)的含量70wt%、銅保護劑的含量15wt%、界面活性劑的含量5wt%、水的含量10wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=21wt%/14wt%/65wt%，不分層，去膜時間為115秒，膜屑大小為1000微米。
在比較例4中，第一溶液中氫氧化鉀的含量60wt%、氫氧化鈉的含量 20wt%、水的含量20wt%，第二溶液中醇醚類溶劑(改為二乙二醇甲醚)的含量70wt%、銅保護劑的含量15wt%、界面活性劑的含量5wt%、水的含量10wt%，去膜前混和比例為，第一溶液/第二溶液/水=21wt%/14wt%/65wt%，不分層，去膜時間為110秒，膜屑大小為1000微米。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的去膜液，其能通過“基於所述第一溶液的總重為100 wt%，所述氫氧化鉀溶液的含量是介於60 wt%至80 wt%之間，所述氫氧化鈉溶液的含量是介於5 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間”以及“基於所述第二溶液的總重為100 wt%，所述醇醚類溶劑的含量是介於50 wt%至70 wt%，所述銅保護劑的含量是介於10 wt%至20 wt%之間，並且所述水的含量是介於10 wt%至20 wt%之間”的技術方案，以有效改善現有的無機去膜液去膜速度慢且產生的膜屑大以及現有的有機去膜液會有強烈臭味的問題。
更進一步地，所述第二溶液還包含有界面活性劑，基於所述第二溶液的總重為100 wt%，所述界面活性劑的含量是介於5 wt%至10 wt%之間，以避免所述第一溶液與所述第二溶液之間產生分層。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
S110:第一溶液配置步驟
S120:第二溶液配置步驟
S130:混和步驟
圖1為本發明實施例的去膜液的配置方法的流程示意圖。
S110:第一溶液配置步驟
S120:第二溶液配置步驟
S130:混和步驟
Claims (9)
- 一種去膜液，其包括：一第一溶液，其包含氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液及水；其中，基於所述第一溶液的總重為100wt%，所述氫氧化鉀溶液的含量是介於60wt%至80wt%之間，所述氫氧化鈉溶液的含量是介於5wt%至20wt%之間，並且所述水的含量是介於10wt%至20wt%之間；以及一第二溶液，其包含醇醚類溶劑、銅保護劑及水；其中，基於所述第二溶液的總重為100wt%，所述醇醚類溶劑的含量是介於50wt%至70wt%，所述銅保護劑的含量是介於10wt%至20wt%之間，並且所述水的含量是介於10wt%至20wt%之間；其中，所述第一溶液與所述第二溶液是以一預定重量比例彼此混和，並且所述預定重量比例是介於1：3至3：1之間。
- 如請求項1所述的去膜液，其中，所述第二溶液還包含有界面活性劑；其中，基於所述第二溶液的總重為100wt%，所述界面活性劑的含量是介於5wt%至10wt%之間。
- 如請求項2所述的去膜液，其中，所述界面活性劑是選自由聚氧乙烯月桂醚磷酸鉀、單月桂基磷酸酯鉀所組成的材料群組中的至少其中一種。
- 如請求項1所述的去膜液，其中，所述醇醚類溶劑是選自由二乙二醇丙醚、二乙二醇丁醚、二乙二醇戊醚、二乙二醇己醚、乙二醇丁醚、乙二醇丙醚、丙二醇甲醚及二丙二醇甲醚所組成的材料群組中的至少其中一種。
- 如請求項1所述的去膜液，其中，所述銅保護劑是選自由苯並三氮唑、巰基苯並噻唑、甲基苯並三氮唑及5-苯基四氮唑所組成的材料群組中的至少其中一種。
- 如請求項1所述的去膜液，其中，所述去膜液不包含胺類或其衍生物。
- 如請求項1所述的去膜液，其中，所述去膜液能適用於電路板製程中，所述去膜液能用以對一電路板執行一去膜作業，並且所述電路板的一最大線路寬度不大於10微米。
- 如請求項7所述的去膜液，其中，在所述去膜液用以對所述電路板執行所述去膜作業之前，所述去膜液先被加水稀釋至所述去膜液原本重量百分濃度的1/5倍至1/2倍之間。
- 如請求項7所述的去膜液，其中，在所述去膜液用以執行所述去膜作業後所產生的膜屑的最大尺寸不大於10微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Family
ID=88965919
Family Applications (1)
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| TW (1) | TWI814652B (zh) |
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-
2022
- 2022-11-28 TW TW111145358A patent/TWI814652B/zh active
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