KR20100062538A - 포토레지스트 박리제 조성물 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

포토레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법이 제공된다.
포토레지스트 박리제 조성물은 알카놀 아민 화합물 1 내지 40 중량%, 수용성 극성 유기 용제 화합물 5 내지 60 중량%, 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물 10 내지 80 중량%, 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물 0.1 내지 5 중량% 및 탈이온 증류수 5 내지 30중량%를 포함할 수 있다.
포토레지스트, 박리제, 컬러필터, 화소 전극

Description

포토레지스트 박리제 조성물 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법{Composition for photoresist stripper and method of fabricating thin film transistor array substrate}
본 발명은 포토레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display : FPD) 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하여 영상을 표시하는 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전기장 생성 전극이 두 표시판에 각각 구비되어 있는 구조이다. 이 중에서도, 하나의 표시판에는 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 행렬의 형태로 배열되어 있고, 다른 표시판에는 적색, 녹색 및 청색의 컬러필터가 형성되어 있고 그 전면에 공통 전극이 덮고 있는 구조가 주류이다. 그러나 이러한 액정 표시 장치는 화소 전극과 컬러필터가 다른 표시판에 형성되므로 화소 전극과 컬러필터 사이에 정확한 정렬(align)이 곤란하여 정렬 오차가 발생할 수 있다. 이를 해결하기 위하여, 컬러필터와 화소 전극을 동일한 표시판에 형성하는 컬러필터 온 어레이(color filter on array, CoA) 구조가 제안되었다.
컬러필터 온 어레이 구조의 경우, 컬러필터를 형성한 후에 화소 전극 등의 박막이 형성되는데, 컬러필터는 화소 전극 등의 박막을 패터닝하는데 사용되는 포토레지스트 박리제에 노출된다. 그런데 일반적으로 유기 물질로 형성된 포토레지스트 박리제는 컬러필터를 녹여내는 성질이 강하다. 따라서 포토레지스트 박리제와 접촉되는 부분에서, 컬러필터는 손상될 수 있다. 컬러필터가 손상될 경우 컬러필터의 표면이 불균일해져 상부에 적층되는 다른 박막과의 접착성(adhesion)이 불량해질 수 있다. 이에 의해, 컬러필터 상부에 적층되는 박막은 들뜨거나 크랙(crack)이 발생될 수 있다. 또한, 액정이 채워지는 부분의 두께가 위치에 따라 달라질 수 있다. 이에 의해, 액정이 불균일하게 채워지는 부분이 존재하게 되고, 이는 외부에서 표시 불량으로 시인될 수 있는 문제점이 있었다. 따라서, 액정 표시 장치의 제조 공정 중 포토레지스트를 박리하는 경우, 하부막을 손상시키지 않는 박리제의 개발이 필요하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 포토레지스트의 박리시, 하부막을 손상시키지 않는 포토레지스트 박리제 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 이러한 포토레지스트 박리제 조성물을 사용하여 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해 될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 박리제 조성물은, 알카놀 아민 화합물 1 내지 40 중량%, 수용성 극성 유기 용제 화합물 5 내지 60 중량%, 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물 10 내지 80 중량%, 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물 0.1 내지 5 중량% 및 탈이온 증류수 5 내지 30중량%를 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법은, 기판 상에 화소 영역마다 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 기판에 상기 화소영역마다 컬러 유기막을 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 컬러 유기막 상에 패시베이션막을 형성하는 단계 및 상기 패시베이션막 상에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 각 단계에서 포토레지스트 패턴이 사용될 때, 상기 포토레지스트 패턴은 알카놀 아민 화합물 1 내지 40 중량%, 수용성 극성 유기 용제 화합물 5 내지 60 중량%, 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물 10 내지 80 중량%, 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물 0.1 내지 5 중량% 및 탈이온 증류수 5 내지 30중량%를 포함할 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하 본 발명의 실시예들에 의한 포토레지스트 박리제 조성물에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 의한 포토레지스트 박리제 조성물을 이용한 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명은 사진식각공정 (Photolithography Process) 중 특히, 포토레지스트막을 제거하는 공정 중에 포토레지스트막을 제거하기 위해 사용되는 박리제에 의해 발생될 수 있는 유기계막 이나 금속배선 등의 부식이 최소화되도록 하기 위한 포토레지스트 박리제 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물은 알카놀 아민 화합물 1 내지 40 중량%, 수용성 극성 유기 용제 화합물 5 내지 60 중량%, 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물 10 내지 80 중량%, 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물 0.1 내지 5 중량% 및 탈이온 증류수 5 내지 30중량%를 포함할 수 있다.
먼저, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물 중 알카놀 아민 화합물에 대하여 설명한다.
본 발명에 따른 알카놀 아민 화합물은 유기성 아민으로 강한 알칼리성을 나타낸다. 또한, 알카놀 아민 화합물은 건식 또는 습식 식각, 애싱 또는 이온 주입 공정 등의 여러 공정 조건하에서 변질, 빛에 의해 경화 되거나 가교된 레지스트의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투한다. 이에 의해, 알카놀 아민 화합물은 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 끊거나 약하게 함으로써, 포토레지스트가 박리제에 의해 용이하게 제거되도록 한다. 즉, 알카놀 아민 화합물은 포토레지스트 박리제 조성물에서 기본적인 박리 역할을 수행한다.
본 발명에 따른 알카놀 아민 화합물의 함량은 전체 박리제 조성물에 대하여 1 내지 40 중량%이다. 알카놀 아민 화합물의 함량이 1 중량% 미만이면, 경화된 포토레지스트에 대한 박리 효과가 저하되는 원인이 된다. 한편, 알카놀 아민 화합물의 함량이 40 중량%를 초과하면, 포토레지스트 이외에 컬러필터, 절연막, 또는 금속배선 등이 부식되어 손상되는 원인이 될 수 있다.
본 발명에 따른 알카놀 아민 화합물은 모노에탄올아민, 모노프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 부탄올아민, 2-프로폭시에틸아민, N-부틸에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민 및 디글리콜아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물 중 수용성 극성 유기 용제 화합물에 대하여 설명한다.
수용성 극성 유기 용제 화합물은 고분자 수지에 대한 용해력이 매우 탁월한 용제이다.
본 발명에 따른 수용성 극성 유기 용제 화합물의 함량은 전체 박리제 조성물에 대하여 5 내지 60 중량%이다. 수용성 극성 유기 용제 화합물의 함량이 5 중량% 미만이면, 누적 매수가 저하된다. 한편, 수용성 극성 유기 용제 화합물의 함량이 60 중량%를 초과하는 경우 포토레지스트 이외에 컬러필터, 절연막, 또는 금속배선 등이 부식되어 손상되는 원인이 될 수 있다.
본 발명에 따른 수용성 극성 유기 용제 화합물은 N-메틸피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아마이드, 디메틸포름아마이드, 테트라히드로푸르푸릴알코올, 이소포론, 디에틸아디페이트, 디메틸글루타레이트, 술포란 및 감마-부틸락톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물 중 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물에 대하여 설명한다.
본 발명에 따른 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물은 포토레지스트의 유기물 고분자 사이로 침투하여 용해력을 향상시켜, 후-세정 시에 세척력을 향상시킬 수 있다. 또한, 포토레지스트 및 포토레지스트 하부의 유기막 또는 금속배선 사이에 작용하는 표면장력을 저하시켜 포토레지스트가 용이하게 박리되도록 한다. 또한, 박리된 포토레지스트를 용해하는 기능을 갖는다.
본 발명에 따른 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물의 함량은 전체 박리제 조성물에 대하여 10 내지 80 중량%이다. 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물의 함량이 10 중량% 미만이면, 박리제 조성물 중 다른 물질의 함량이 증가하여 컬리필터 등이 손상되는 원인이 된다. 한편, 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물의 함량이 80 중량%를 초과하면, 박리제 조성물 중 다른 물질의 함량이 감소하여 포토레지스트에 대한 박리 능력이 저하되게 된다.
본 발명에 따른 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물은 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 카비톨로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물 중 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물에 대하여 설명한다.
카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물은 포토레지스트 박리 중에 발생될 수 있는 금속배선의 손상을 방지하는 기능을 한다.
본 발명에 따른 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물의 함량은 전체 박리제 조성물에 대하여 0.1 내지 5 중량%이다. 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물의 함량이 0.1 중량% 미만이면, 금속배선이 부식될 수 있다. 한편, 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물의 함량이 5 중량%를 초과하면, 포토레지스트의 박리 능력이 저하될 수 있다.
본 발명에 따른 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물은 글리콜 산, 락트산, 숙신산, 사과산, 글루콘산, 아세트산 및 주석산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물 중 탈이온 증류수에 대하여 설명한다.
본 발명에 따른 탈이온 증류수는 이온교환수지를 통해 여과한 순수(純水)를 사용하는 것이 바람직하며, 비저항이 18 ㏁ 이상인 초순수를 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 본 발명에 따른 탈이온 증류수의 함량은 전체 박리제 조성물에 대하여 5 내지 30 중량%이다. 탈이온 증류수의 함량이 5 중량 %미만이면, 박리제 조성물 중 포토레지스트의 박리 역할을 하는 구성성분의 활동도를 저하시켜, 포토레지스트의 박리를 저하시킬 수 있다. 한편, 증류수의 함량이 30 중량%를 초과하면, 박리제 조성물 중에서 다른 구성성분의 함량이 상대적으로 감소하여 포토레지스트를 박리하는 효과가 저하될 수 있다. 또한, 금속배선이 부식될 수 있다.
한편, 포토레지스트 박리제의 박리효과 등을 더욱 개선하기 위하여 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물은 제4 급 암모늄히드록시드 화합물 또는 방향족 히드록시드 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
여기서 제4 급 암모늄히드록시드 화합물은 알카놀 아민 화합물을 보조하여 포토레지스트에 대한 박리성을 향상시킨다. 즉, 포토레지스트가 공정 중에 특성이 변화하여 알카놀 아민 화합물로 효과적으로 박리되지 않는 경우, 제4 급 암모늄히드록시드 화합물이 변성된 포토레지스트까지도 효과적으로 박리시킨다. 이러한 제4 급 암모늄히드록시드 화합물은 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드 록시드, 테트라프로필암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드, 모노메틸트리프로필암모늄히드록시드, (2-히드록시에틸)트리프로필암모늄히드록시드 및 (1-히드록시프로필)트리메틸암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다.
여기서 방향족 히드록시드 화합물은 박리제 조성물과 접촉되는 컬러필터 및 금속배선의 부식을 방지하는 역할을 한다. 이러한 방향족 히드록시드 화합물은 카테콜, 레소시놀, 피로갈롤, 메틸갈레이트, 갈릭산, 벤조익산 및 살리실산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다.
이상 살펴본 본 발명의 포토레지스트 박리제 조성물은 통상의 방법으로 제조된 후, 액정 표시 장치 제조 공정의 포토리소그라피 공정에 적용되어, 포토레지스트(포지티브형 포토레지스트 및 네가티브형 포토레지스트 포함)를 제거하는데 사용된다. 특히, 기존의 유기계 포토레지스트 박리제는 컬러필터의 손상을 유발시켜 종국적으로는 액정 표시장치의 표시불량이 발생되는 원인을 제공하였지만, 본 발명에 따른 수계 박리제는 이러한 문제점을 발생시키지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 조성물은 수계 박리제의 문제점으로 지적됐던, 박리능력 저하 현상이 나타나지 않아, 기존 유기계 박리제가 갖는 박리능력을 보유할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 통해 더욱 상세히 설명하고자 한다. 다만, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것이 아님은 물론이다. 한편, 하기 실시예에 있어서 별도의 언급이 없으면 백분율 및 혼합비는 중량을 기준으로 한 것이다.
실시예 1 내지 6
교반기가 설치되어 있는 혼합조에서 표 1에 기재된 성분과 함량을 바탕으로, 상온에서 0.3 내지 3시간동안 200 내지 600rpm의 속도로 교반하여 포토레지스트 박리제 조성물을 제조하였다.
[표 1]
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6
MEA 5 - 5 - 5 5
MIPA - - 5 10 - -
DGA - 20 - - - -
TMAH(20%) - - - - - 1
NMP 25 20 - - 25 24
DMSO - - 20 20 - -
MDG 37 - - - 35 37
카비톨 - 50 - 30 - -
MG 27 - - - - 27
EG - - 60 30 29 -
글루콘산 - 0.5 - 0.5 0.5 -
숙신산 0.5 - 0.5 - - 0.5
메틸갈레이트 - - 0.1 0.1 - -
탈이온 증류수 5.5 9.5 9.4 9.4 5.5 5.5
주) 상기 표 1에서,
MEA: 모노에탄올아민, MIPA: 모노이소프로판올아민, DGA: 디글리콜아민, TMAH: 테트라메틸암모늄히드록시드, NMP: N-메틸피롤리딘, DMSO: 디메틸설폭사이드, MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, MG: 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, EG: 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르.
비교예 1 내지 6
상기 실시예 1 내지 6과 같은 방법으로 표 2에 기재된 성분과 함량을 바탕으로 포토레지스트 박리제 조성물을 제조하였다.
[표 2]
비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예5 비교예6
MEA - - 15 15 - 5
MIPA - 50 - - 20 -
NMP 30 20 - 65 64.5 30
MDG 59 20 75 10 - 60
숙신산 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 -
카테콜 - - - - - -
탈이온 증류수 10.5 9.5 9.5 9.5 15 5
주) 상기 표 2에서,
MEA: 모노에탄올아민, MIPA: 모노이소프로판올아민, NMP: N-메틸피롤리딘, MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르.
(시험예 1: 포토레지스트 박리 능력 테스트)
평판 디스플레이 제조 공정 중 투명 전극 패턴 형성 과정에서 하드 베이킹/에칭 후 네가티브 포토레지스트 패턴이 형성된 시편을 네가티브 포토레지스트 고형분 1.5% 용해된 박리제에 40?, 5분간 침적시킨 후 박리제로부터 시편을 꺼내고 초순수로 1분간 린스한 후 질소 가스를 이용하여 건조시킨다. 그리고 주사전자현미경을 이용하여 네가티브 포토레지스트 패턴 등이 박리되었는지 여부를 평가하였다. 박리 능력 평가는 다음과 같은 기준에 의거 평가 결과를 명기하였으며 그 결과는 하기의 표 3에 나타내었다.
박리능력 평가 기준
O: 투명전극 상 또는 주변에 네가티브 포토레지스트 패턴 등이 완전하게 제거된 경우
△: 투명 전극 상 또는 주변에 네가티브 포토레지스트 패턴 등이 일부 잔류하는 경우
X: 투명 전극 상 또는 주변에 네가티브 포토레지스트 패턴 등이 그대로 잔류 하는 경우
(시험예 2: 컬러필터 손상 정도 테스트)
RGB, 블랙 매트릭스 및 컨택홀 등이 패턴화된 컬러필터 시편을 40℃의 박리제에 5분간 분무시킨 후 박리제로부터 시편을 꺼내고 초순수로 1분간 린스한 후 질소 가스를 이용하여 건조시킨다. 그리고 단차 측정기를 이용하여 박리제 침적 전후의 Red, Green, Blue의 막 두께 차이를 분석하였다. 컬러필터의 손상 정도 평가는 다음과 같은 기준에 의거 평가 결과를 명기하였으며 그 결과는 하기의 표 3에 나타내었다.
컬러필터의 손상 정도 평가 기준
O: 박리제 분무 후의 Red, Green, Blue의 막 두께 변화가 분무 전의 그것보다 5% 미만으로 감소한 경우
△: 박리제 분무 후의 Red, Green, Blue의 막 두께 변화가 분무 전의 그것보다 5~20% 감소한 경우
X: 박리제 분무 후의 Red, Green, Blue의 막 두께 변화가 분무 전의 그것보다 20% 초과하여 감소한 경우
(시험예 3: 금속배선의 손상 정도 테스트)
금속배선으로써 증착 및 패턴화된 알루미늄 박막 시편을 40?의 박리제에 2분간 분무시킨 후 박리제로부터 시편을 꺼내고 초순수로 1분간 린스한 후 질소 가스를 이용하여 건조시킨다. 상기 과정을 세차례 반복한다. 그리고 금속배선의 손상 정도를 평가하기 위하여 주사전자현미경으로 박리제에 노출된 알루미늄 박막을 관 찰하고 알루미늄 박막의 부식성을 평가하였다. 알루미늄 박막의 부식성 평가는 다음과 같은 기준에 의거 평가 결과를 명기하였으며 그 결과는 하기의 표 3에 나타내었다.
금속배선의 손상 정도 평가 기준
O: 알루미늄 패턴 상하부 또는 측면에 부식이 없는 경우
△: 알루미늄 패턴 상하부 또는 측면에 일부 부식이 있는 경우
X: 알루미늄 패턴 상하부 또는 측면에 부식이 많은 경우
[표 3]
실시예 비교예
1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6
박리성 O O O O O O X X X O O O
컬러필터손상 O O O O O O O O O △ △ △
금속배선손상 O O O O O O O X O O X X
표 3을 참조하면, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물은 포토레지스트를 박리하는 능력이 우수하고, 컬러필터 및 금속배선을 손상시키지 않는다는 것을 알 수 있다. 반면에, 비교예에 의해 제조된 박리제 조성물은 포토레지스트에 대한 박리성이 우수한 경우, 컬러필터나 금속배선을 손상시키는 부작용이 있다. 또한, 컬러필터나 금속배선을 손상시키지 않는 경우, 포토레지스트를 박리하는 능력이 저하됨을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 박리제 조성물을 사용하여 액정 표시 장치를 제조하는 경우, 컬러필터 및 금속배선이 손상되는 것이 방지되어, 다른 박막과 접촉하는 계면에서 접촉특성이 향상될 수 있다. 이에 의해, 액정이 채워지는 부분의 두께 등을 균일하게 조절할 수 있다. 또한, 액정이 채워지는 부분에서 보이드가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 액정 표시 장치에서 표시불량 이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물을 이용하여 박막 트랜지스터 어레이 기판이 제조되는 것을 간략히 살펴보도록 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 레이 아웃도이다. 도 1b는 도 1a의 A부분을 확대한 레이 아웃도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 자른 단면도이다. 도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
도 1a 및 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판은 매트릭스 형상으로 배열된 다수개의 화소 및 각 화소별로 구비된 다수개의 박막 트랜지스터를 포함한다. 화소의 행 방향으로는 화소의 경계를 따라 연장된 다수의 게이트 라인(22)이 배열되어 있고, 화소의 열 방향으로는 화소의 경계를 따라 연장된 다수의 데이터 라인(62)이 배열되어 있다. 게이트 라인(22)과 데이터 라인(62)이 교차하는 영역에는 게이트 전극(24), 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 화소 전극(92)은 게이트 라인(22)과 데이터 라인(62)에 둘러싸여 있으며, 각 화소의 대부분의 영역을 점유한다. 또한, 화소 전극(92)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되어 박막 트랜지스터에 의해 화소 전압을 인가받는다. 도 1b를 참조하면, 화소 전극(92)은 다수의 도메인을 포함하도록 형성할 수 있다. 또한, 각 도메인은 일정한 방향으로 나란히 배열된 다수의 미세전극(92_1, 92_2, 92_3, 92_4)으로 이루어질 수 있다. 여기서 도메인이란 화소 전극(92)과 공통 전극(미도시) 사이에 형성된 전 계에 의해 액정 분자의 방향자가 특정 방향으로 무리를 지어 기울어지는 액정 분자들로 이루어진 영역을 의미한다.
각 화소는 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 중 어느 하나의 컬러를 갖는 컬러 유기막을 구비한다. 도 1a에 예시되어 있는 이들 컬러의 배치는 행 방향으로 진행됨에 따라 적색, 녹색, 청색이 교대로 배열된 형상이다. 다만, 동일 열에 속하는 화소들은 모두 동일한 컬러의 유기막을 구비할 수 있다.
도 1a 내지 2를 참조하여 상술한 박막 트랜지스터 어레이 기판의 단면 구조에 대해 상세히 설명한다.
박막 트랜지스터 어레이 기판의 베이스 기판으로는 투명한 유리, 석영 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연 기판(10)이 사용된다.
절연 기판(10) 상에는 도전성 물질로 이루어진 게이트 라인(22) 및 게이트 라인(22)과 연결되어 있는 게이트 전극(24)이 형성되어 있다. 도면으로 도시하지는 않았지만, 절연 기판(10) 위에는 게이트 라인(22) 및 게이트 전극(24)과 동일한 층에 유지 전극 라인(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
게이트 라인(22) 및 게이트 전극(24)은 게이트 절연막(30)에 의해 덮여 있다. 게이트 절연막(30)은 예를 들어 산화 규소 또는 질화 규소로 이루어진 단일막 또는 이들의 적층막일 수 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 수소화 비정질 규소 등으로 이루어진 반도체층(44) 및 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n+ 수소화 비정질 규소 등으로 이루어진 저항성 접촉층(55, 56)이 형성되어 있다. 반도체층(44)과 저항성 접촉층(55, 56)은 게이트 전극(24)과 오버랩되어 있다. 저항성 접촉층(55, 56)은 채널 영역에서 서로 분리되어 하부의 반도체층(44)을 노출한다.
저항성 접촉층(55, 56) 위에는 도전성 물질로 이루어진 데이터 배선(62, 65, 66)이 형성되어 있다. 데이터 배선(62, 65, 66)은 데이터 라인(62), 소오스 전극(65), 및 드레인 전극(66)을 포함한다. 소오스 전극(65)은 데이터 라인(62)으로부터 게이트 전극(24) 측으로 분지되어 있다. 드레인 전극(66)은 게이트 전극(24)을 중심으로 소오스 전극(65)과 이격되어 마주한다. 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66)은 적어도 일부가 하부의 반도체층(44) 및 게이트 전극(24)과 오버랩되어 있다. 게이트 전극(24), 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66)은 상술한 바와 같이 박막 트랜지스터를 이룬다. 게이트 전극(24)과 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66) 사이에 개재된 반도체층(44)은 박막 트랜지스터의 채널을 이룬다. 반도체층(44)과 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66) 사이에 개재된 저항성 접촉층(55, 56)은 이들간의 접촉 저항을 낮추는 역할을 한다.
또한, 절연 기판(10) 상의 화소 영역에는 적색, 녹색 또는 청색의 컬러 유기막(72R, 72G, 72B)이 형성되어 있다. 컬러 유기막(72R, 72G, 72B)은 화소 열을 따라서는 서로 연결되어 있지만, 이웃하는 열과는 분리되어 있다. 즉, 컬러 유기막(72R, 72G, 72B)은 게이트 라인(22)과는 오버랩되어 있지만, 데이터 배선(62, 65, 66)과는 오버랩되지 않으며, 데이터 라인(62)을 중심으로 각 컬러 유기막(72R, 72G, 72B)이 서로 분리되어 있다. 도 1a의 도시예에서는 데이터 라인(62)을 중심으로 분리된 컬러 유기막의 컬러가 교대로 바뀌고 있다.
컬러 유기막(72R, 72G, 72B) 위에는 패시베이션막(82)이 형성되어 있다. 패시베이션막(82)은 컬러 유기막(72R, 72G, 72B)의 위뿐만 아니라 데이터 배선(62, 65, 66)의 위에도 형성된다. 패시배이션막(82)은 예를 들어 질화 규소로 이루어진다. 패시베이션막(82)에는 드레인 전극(66)의 적어도 일부를 노출하는 콘택홀(86)이 형성되어 있다.
패시베이션막(82) 상에는 ITO나 IZO 등과 같은 투명한 도전 물질로 이루어진 화소 전극(92)이 형성되어 있다. 화소 전극(92)은 각 화소 별로 서로 분리되어 있으며, 콘택홀(86)을 통하여 각각 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되어 있다. 한편, 화소 전극(92)은 다수의 도메인으로 형성될 수 있다. 화소 전극(92)의 각 도메인은 일정한 방향으로 나란히 배열된 다수의 미세전극(92_1, 92_2, 92_3, 92_4)으로 이루질 수 있다. 그리고, 다수의 미세전극(92_1, 92_2, 92_3, 92_4) 사이에는 마이크로 슬릿(93_1, 93_2, 93_3, 93_4)이 형성되어 있다.
한편, 도면으로 도시하지는 않았지만, 화소 전극(92) 상에는 배향막(미도시)이 더 구비될 수 있다.
이상에서 설명한 박막 트랜지스터 어레이 기판은 액정 표시 장치의 일 표시판으로 사용될 수 있다. 즉, 상술한 바와 같은 박막 트랜지스터 어레이 기판을 제1 표시판으로 하고, 공통 전극이 형성되어 있는 기판을 제2 표시판으로 하여 이들을 대향 배치하고 그 사이에 액정층을 개재시킴으로써 액정 표시 장치을 완성할 수 있다.
계속해서, 도 3a 내지 도 3h을 참조하여 상술한 박막 트랜지스터 어레이 기 판의 제조 방법을 설명한다. 이하에서 참조되는 도면들은 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 공정별 중간 구조물의 단면도들로서, 각각 도 1b의 I-I'선을 따라 자른 단면도에 대응된다.
도 3a를 참조하면, 투명한 유리, 석영 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연 기판(10) 상에 도전성 물질을 적층하고 패터닝하여 게이트 라인(22) 및 게이트 전극(24)을 형성한다. 유지 전극 라인(미도시)을 형성하는 경우, 본 단계에서 함께 형성한다. 계속하여, 게이트 라인(22) 및 게이트 전극(24)이 형성된 기판(10) 상의 전면에 질화 규소 등을 적층하여 게이트 절연막(30)을 형성한다. 게이트 절연막(30)의 형성은 예를 들어 CVD(Chemical Vapor Depositon) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositon) 등으로 이루어진다.
도3b를 참조하면, 게이트 절연막(30) 상에 수소화 비정질 규소층(40), 및 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n+ 수소화 비정질 규소층(50)을 순차적으로 형성한다. 계속해서, n+ 수소화 비정질 규소층(50) 및 수소화 비정질 규소층(40)을 패터닝하여 저항성 접촉층(54) 및 반도체층(44)을 형성하기 위하여 게이트 전극(24)과 중첩되는 비정질 규소층(50) 상의 일부 영역에 포토레지스트 패턴(100)을 형성한다. 비정질 규소층(50) 상의 포토레지스트 패턴(100)은 노광된 부분이 제거되는 포지티브형 포토레지스트를 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 비노광된 부분이 제거되는 네거티브형 포토레지스트를 이용하여 형성될 수도 있다. 포토레지스트 패턴(100)은 먼저 비정질 규소층(50) 상의 전면에 포토레지스트 막을 형성한 후, 광 마스크로 선택적으로 노광하여 형성된다.
이때, 포토레지스트막이 포지티브형 포토레지스트로 이루어진 경우에 사용되는 광 마스크는 포토레지스트막을 제거하고자 하는 영역에 대응되는 부분은 광이 투과되고, 그 외의 부분은 광이 차단되는 것을 사용할 수 있다. 또한, 포토레지스트막이 네거티브형 포토레지스트로 이루어진 경우에 사용되는 광 마스크는 포토레지스트막을 제거하고자 하는 영역에 대응되는 부분은 광이 차단되고, 그 외의 부분은 광이 투과되는 것을 사용할 수 있다. 이러한 광 마스크를 이용하여 선택적으로 노광된 포토레지스트막은 광화학적인 구조가 변화되고, 이를 현상함으로써 목적하는 바의 포토레지스트 패턴(100)을 형성할 수 있다.
도 3c를 참조하면, 포토레지스트 패턴(100)을 식각 마스크로 이용하여 n+ 수소화 비정질 규소층(50) 및 수소화 비정질 규소층(40)을 패터닝하여 저항성 접촉층(54) 및 반도체층(44)을 형성한다. 이때, 저항성 접촉층(54)은 아직 분리되어 있지 않으며, 하부의 반도체층(44)과 실질적으로 동일한 패턴으로 형성된다.
이어, 포토레지스트 패턴(100)을 상술한 본 발명에 따른 박리제 조성물을 이용하여 저항성 접촉층(54)으로부터 박리한다. 이때, 포토레지스트 패턴(100)의 박리는 포토레지스트 패턴(100)이 형성되어 있는 기판(10)을 박리제에 침지하여 수행할 수 있다. 또한, 포토레지스트 패턴(100) 상에 박리제를 분무(spray)하여 수행할 수 있다. 이때, 상술한 공정은 30 내지 40초 동안 10 내지 100℃의 공정 온도에서 수행될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 도 3c의 결과물 상에 도전성 물질로 이루어진 데이터 도전층(60)을 형성한다. 이어서, 데이터 도전층(60) 상에 데이터 배선을 정의하는 포 토레지스트 패턴(100)을 형성한다. 포토레지스트 및 포토레지스트 패턴의 형성방법은 상술한 도 3c에서 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 반복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 3e를 참조하면, 포토레지스트 패턴(100)을 식각 마스크로 이용하여 데이터 도전층(60)을 식각함으로써, 데이터 라인(62), 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 포함하는 데이터 배선을 완성한다. 이때, 소오스 전극(65)과 드레인 전극(66)이 패터닝됨에 따라 하부에 위치하는 저항성 접촉층(54)이 부분적으로 노출된다. 이어서, 포토레지스트 패턴(100) 및/또는 데이터 배선(62, 65, 66)을 식각 마스크로 이용하여 노출된 저항성 접촉층(55, 56)을 식각한다.
이후, 포토레지스트 패턴(100)을 데이터 라인(62), 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66)에서 포토레지스트 패턴(100)을 박리한다. 포토레지스트 패턴(100)을 박리하는 방법은 상술한 도 3c에서 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 반복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 3f를 참조하면, 도 3e의 결과물 상에 컬러필터(72)를 형성한다. 컬러필터(72)를 형성하는 방법으로 염료형 컬러필터의 제조 방법과 안료형 컬러필터의 제조 방법이 있다. 염료형 컬러필터의 제조 방법은 염색법과 염료 분산법이 있으며, 안료형 컬러필터의 제조 방법은 안료 분산법, 인쇄법, 접착법 등이 있다. 상술한 방법 중 어느 하나의 방법을 사용하여 기판(10) 상에 컬러필터(72)를 형성하기 위한 컬러 유기 물질(70)을 형성한 후, 건조 경화 시킨다. 건조 및 경화의 방법으로는 열처리 또는 자외선 조사 등이 예시될 수 있다. 상기 건조 및 경화의 결과 화소 영역에 컬러필터(72)가 형성된다. 화소 영역의 컬러필터(72)는 각각 적색 컬러 유기막, 녹색 컬러 유기막, 및 청색 컬러 유기막으로 형성될 수 있다.
도 3g를 참조하면, 도 3f의 결과물의 전면에 질화 규소 등으로 이루어진 패시베이션막(82)을 형성한다. 이어서, 드레인 전극(66)의 적어도 일부를 노출하는 콘택홀(86)을 형성한다. 이를 위해, 패시베이션막(82) 상에 포토레지스트 패턴(100)을 형성한다. 콘택홀(86)이 형성된 후, 패시베이션막(82) 상의 포토레지스트 패턴(100)을 박리한다.
도 3h를 참조하면, 도 3g의 결과물에 ITO나 IZO 등과 같은 투명한 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 콘택홀(86)을 통해 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(92)을 형성한다. 이후, 액정의 구동력을 향상시키기 위하여 화소 전극(92)을 미세전극(92_1, 92_2, 92_3, 92_4)으로 형성할 수 있다. 이를 위해, 화소 전극(92) 상에 포토레지스트 패턴(100)을 형성하고 화소 전극(92)을 패터닝한다. 이때, 화소 전극(92) 상에 포토레지스트 패턴(100)이 형성된 부분은 미세전극(92_1, 92_2, 92_3, 92_4)으로 되고, 이외의 부분은 마이크로 슬릿(93_1, 93_2, 93_3, 93_4)으로 된다. 한편, 미세전극(92_1, 92_2, 92_3, 92_4)을 형성하기 위하여 화소 전극(92)을 패터닝할 때, 사용되는 포토레지스트 패턴(100)은 네가티브형 포토레지스트일 수 있다. 네가티브형 포토레지스트는 빛을 받으면 경화되는 특성이 있다. 한편, 미세 패턴을 형성하는 경우 네가티브형 포토레지스트가 포지티브형 포토레지스트 보다 유리하다. 미세 패턴을 형성하기 위해서는, 미세 패턴이 형성될 대상물 상에 포토레지스트 패턴을 미세 간격으로 배치하여야 한다. 이때, 미세 패 턴의 형성을 위하여 포지티브형 포토레지스트가 사용된다면, 네가티브형 포토레지스트 보다 상대적으로 약한 경화 특성 때문에, 포지티브형 포토레지스트로 형성된 포토레지스트 패턴 간에 미세 간격 상에서 엉겨 붙는 현상이 발생될 수 있다. 이에 의해, 미세 패턴의 불량이 발생될 수 있다. 따라서, 상술한 미세전극(92_1, 92_2, 92_3, 92_4)을 형성하는 경우, 패턴 불량을 방지하기 위하여, 상대적으로 경화특성이 우수한 네가티브형 포토레지스트를 사용하는 것이 좋다.
다시 도2를 참조하면, 도 3h의 결과물에서 포토레지스트 패턴(100)을 박리하여 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조를 완료한다. 이때, 포토레지스트 패턴(100)은 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제로 박리될 수 있다. 특히, 3h에서 포토레지스트 패턴(100)이 네가티브형으로 형성된 경우라면, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물로 박리되는 것이 바람직하다. 이는 상술한 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물은 네가티브형 포토레지스트를 박리하는데도 우수한 효과가 있기 때문이다. 또한, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제는 포토레지스트 박리시 발생될 수 있는 컬러필터, 절연막 및 금속배선의 손상을 최소로 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물을 사용하면, 우수한 품질의 박막 트랜지스터 어레이 기판을 제조할 수 있다. 이에 의해, 우수한 표시 품질을 갖는 액정 표시 장치를 형성할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 레이 아웃도이다.
도 1b는 도 1a의 A부분을 확대한 레이 아웃도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 자른 단면도이다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
10: 절연 기판 22, 24: 게이트 라인, 게이트 전극
30: 게이트 절연막 44: 반도체 층
55, 56: 저항성 접촉층 62, 65, 66: 게이트라인, 소오스 전극, 드레인 전극
72: 컬러 필터 82: 패시베이션 막
86: 콘택홀 92_1, 92_2, 92_3, 92_4: 미세전극
93_1, 93_2, 93_3, 93_4: 마이크로 슬릿

Claims (19)

  1. 알카놀 아민 화합물 1 내지 40 중량%;
    수용성 극성 유기 용제 화합물 5 내지 60 중량%;
    알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물 10 내지 80 중량%;
    카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및
    탈이온 증류수 5 내지 30중량%를 포함하는 포토레지스트 박리제 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 알카놀 아민 화합물은 모노에탄올아민, 모노프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 부탄올아민, 2-프로폭시에틸아민, N-부틸에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민 및 디글리콜아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 포토레지스트 박리제 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수용성 극성 유기 용제 화합물은 N-메틸피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아마이드, 디메틸포름아마이드, 테트라히드로푸르푸릴알코올, 이소포론, 디에틸아디페이트, 디메틸글루타레이트, 술포란 및 감마-부틸락톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 포토레지스트 박리제 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물은 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 카비톨로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 포토레지스트 박리제 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물은 글리콜산, 락트산, 숙신산, 사과산, 글루콘산, 아세트산 및 주석산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 포토레지스트 박리제 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 박리제 조성물은 제4 급 암모늄히드록시드 화합물을 추가로 포함하는 포토레지스트 박리제 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서,
    테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라프로필암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드, 모노메틸트리프로필암모늄히드록시드, (2-히드록시에틸)트리프로필암모늄히드록시드 및 (1-히드록시프로필)트리메틸암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 포토레지스트 박리제 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 박리제 조성물은 방향족 히드록시드 화합물을 추가로 포함하는 포토레지스트 박리제 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 방향족 히드록시드 화합물은 카테콜, 레소시놀, 피로갈롤, 메틸갈레이트, 갈릭산, 벤조익산 및 살리실산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 포토레지스트 박리제 조성물.
  10. 기판 상에 화소 영역마다 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 기판에 상기 화소영역마다 컬러 유기막을 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 및 상기 컬러 유기막 상에 패시베이션막을 형성하는 단계; 및
    상기 패시베이션막 상에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 각 단계에서 포토레지스트 패턴이 사용될 때,
    상기 포토레지스트 패턴은 알카놀 아민 화합물 1 내지 40 중량%, 수용성 극성 유기 용제 화합물 5 내지 60 중량%, 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물 10 내지 80 중량%, 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물 0.1 내지 5 중량% 및 탈이온 증류수 5 내지 30중량%를 포함하는 포토레지스트 박리제 조성물로 박리되는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 알카놀 아민 화합물은 모노에탄올아민, 모노프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 부탄올아민, 2-프로폭시에틸아민, N-부틸에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민 및 디글리콜아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 수용성 극성 유기 용제 화합물은 N-메틸피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아마이드, 디메틸포름아마이드, 테트라히드로푸르푸릴알코올, 이소포론, 디에틸아디페이트, 디메틸글루타레이트, 술포란 및 감마-부틸락톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 화합물은 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 카비톨로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 카르복실기를 포함하는 직쇄 또는 사슬형 화합물은 글리콜산, 락트산, 숙신산, 사과산, 글루콘산, 아세트산 및 주석산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 박리제 조성물은 제4 급 암모늄히드록시드 화합물을 추가로 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라프로필암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드, 모노메틸트리프로필암모늄히드록시드, (2-히드록시에틸)트리프로필암모늄히드록시드 및 (1-히드록시프로필)트리메틸암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 박리제 조성물은 방향족 히드록시드 화합물을 추가로 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 방향족 히드록시드 화합물은 카테콜, 레소시놀, 피로갈롤, 메틸갈레이트, 갈릭산, 벤조익산 및 살리실산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
  19. 제 10 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴은 10 내지 100℃의 온도에서 30 내지 40초 동안 상기 포토레지스트 박리제 조성물에 침지시키거나 상기 포토레지스트 조성물을 분무하여 제거되는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20130009129A (ko) * 2011-07-14 2013-01-23 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
KR20140012509A (ko) * 2012-07-20 2014-02-03 주식회사 동진쎄미켐 유기 도전성 조성물
CN103773626A (zh) * 2012-10-24 2014-05-07 安集微电子科技(上海)有限公司 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液

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