JPH0996911A - レジスト用剥離液組成物 - Google Patents
レジスト用剥離液組成物Info
- Publication number
- JPH0996911A JPH0996911A JP7276504A JP27650495A JPH0996911A JP H0996911 A JPH0996911 A JP H0996911A JP 7276504 A JP7276504 A JP 7276504A JP 27650495 A JP27650495 A JP 27650495A JP H0996911 A JPH0996911 A JP H0996911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- acid
- water
- weight
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 より過酷な条件のドライエッチング、アッシ
ング、イオン注入等の処理により形成された変質膜の剥
離性に優れ、ＡｌまたはＡｌ合金が形成された基板、あ
るいはＴｉが形成された基板の両者に対する腐食防止効
果に優れたレジスト用剥離液組成物を提供する。 【解決手段】 （ａ）ヒドロキシルアミン類２〜３０重
量％、（ｂ）水２〜３５重量％、（ｃ）２５℃の水溶液
における酸解離定数（ｐＫａ）が７．５〜１３のアミン
類２〜２０重量％、（ｄ）水溶性有機溶媒３５〜８０重
量％、および（ｅ）防食剤２〜２０重量％からなるレジ
スト用剥離液組成物。
ング、イオン注入等の処理により形成された変質膜の剥
離性に優れ、ＡｌまたはＡｌ合金が形成された基板、あ
るいはＴｉが形成された基板の両者に対する腐食防止効
果に優れたレジスト用剥離液組成物を提供する。 【解決手段】 （ａ）ヒドロキシルアミン類２〜３０重
量％、（ｂ）水２〜３５重量％、（ｃ）２５℃の水溶液
における酸解離定数（ｐＫａ）が７．５〜１３のアミン
類２〜２０重量％、（ｄ）水溶性有機溶媒３５〜８０重
量％、および（ｅ）防食剤２〜２０重量％からなるレジ
スト用剥離液組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト用剥離液組
成物に係り、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体
素子あるいは液晶パネル素子の製造に好適に使用され
る、剥離性、防食性に優れるレジスト用剥離液組成物に
関する。
成物に係り、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体
素子あるいは液晶パネル素子の製造に好適に使用され
る、剥離性、防食性に優れるレジスト用剥離液組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に蒸着等により形成された金属膜やＳ
ｉＯ2 膜等の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、
これを露光、現像処理をしてレジストパターンを形成
し、このパターンをマスクとして上記導電性金属膜や絶
縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成した後、
不要のレジスト層を剥離液で除去して製造される。ここ
で上記金属膜としては、アルミニウム（Ａｌ）；アルミ
ニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−ケイ素
−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウム合金（Ａｌ
合金）；チタン（Ｔｉ）；チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金
（Ｔｉ合金）が用いられ、これらは単層〜複数層にて基
板上に形成される。
ル素子は、基板上に蒸着等により形成された金属膜やＳ
ｉＯ2 膜等の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、
これを露光、現像処理をしてレジストパターンを形成
し、このパターンをマスクとして上記導電性金属膜や絶
縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成した後、
不要のレジスト層を剥離液で除去して製造される。ここ
で上記金属膜としては、アルミニウム（Ａｌ）；アルミ
ニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−ケイ素
−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウム合金（Ａｌ
合金）；チタン（Ｔｉ）；チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金
（Ｔｉ合金）が用いられ、これらは単層〜複数層にて基
板上に形成される。
【０００３】上記レジスト層を除去する剥離液組成物と
して、近年、アルカノールアミン類を用いたレジスト用
剥離液組成物が用いられてきた（特開昭６２−４９，３
５５号公報、特開昭６３−２０８，０４３号公報、
等）。今日の半導体デバイスや液晶デバイスの製造工程
においては、ドライエッチング、アッシング、イオン注
入等の処理が採られているが、これらの処理により、処
理後のレジスト膜は変質膜となる。近年、これらの処理
条件はより厳しくなり、変質膜は有機膜から無機的性質
を有する膜になってきているため、アルカノールアミン
類を用いた剥離液組成物は、この変質膜の剥離性に不十
分となっている。
して、近年、アルカノールアミン類を用いたレジスト用
剥離液組成物が用いられてきた（特開昭６２−４９，３
５５号公報、特開昭６３−２０８，０４３号公報、
等）。今日の半導体デバイスや液晶デバイスの製造工程
においては、ドライエッチング、アッシング、イオン注
入等の処理が採られているが、これらの処理により、処
理後のレジスト膜は変質膜となる。近年、これらの処理
条件はより厳しくなり、変質膜は有機膜から無機的性質
を有する膜になってきているため、アルカノールアミン
類を用いた剥離液組成物は、この変質膜の剥離性に不十
分となっている。
【０００４】しかしながら、最近になって、より剥離性
の優れたレジスト用剥離液組成物として、ヒドロキシル
アミン類を含むレジスト用剥離液組成物が提案された。
例えば特開平４−２８９，８６６号公報には、ヒドロキ
シルアミンとアルカノールアミンを含んでなるレジスト
用剥離液組成物が記載されている。また特開平６−２６
６，１１９号公報には、ヒドロキシルアミンとアルカノ
ールアミンにさらにカテコール等のキレート剤（防食
剤）を含有させたレジスト用剥離液組成物が記載されて
いる。
の優れたレジスト用剥離液組成物として、ヒドロキシル
アミン類を含むレジスト用剥離液組成物が提案された。
例えば特開平４−２８９，８６６号公報には、ヒドロキ
シルアミンとアルカノールアミンを含んでなるレジスト
用剥離液組成物が記載されている。また特開平６−２６
６，１１９号公報には、ヒドロキシルアミンとアルカノ
ールアミンにさらにカテコール等のキレート剤（防食
剤）を含有させたレジスト用剥離液組成物が記載されて
いる。
【０００５】これらヒドロキシルアミン類を含む剥離液
組成物は、上記アルカノールアミン類を用いた剥離液に
比してレ変質膜の剥離性が向上するものの、Ａｌまたは
Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のＡｌ合金が蒸着され
た基板や、Ｔｉが蒸着された基板に対して腐食が現れる
という問題がある。
組成物は、上記アルカノールアミン類を用いた剥離液に
比してレ変質膜の剥離性が向上するものの、Ａｌまたは
Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のＡｌ合金が蒸着され
た基板や、Ｔｉが蒸着された基板に対して腐食が現れる
という問題がある。
【０００６】ＡｌまたはＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
等のＡｌ合金に対する腐食については、カテコール等の
キレート剤（防食剤）がある程度防食効果を示すことか
ら従来より使用されてきたが、その効果は必ずしも十分
満足し得るものではなかった。
等のＡｌ合金に対する腐食については、カテコール等の
キレート剤（防食剤）がある程度防食効果を示すことか
ら従来より使用されてきたが、その効果は必ずしも十分
満足し得るものではなかった。
【０００７】他方、Ｔｉに対する腐食は、ヒドロキシル
アミン類を用いた剥離液に特有のものであり、上記Ａｌ
またはＡｌ合金の腐食とは異なり、カテコール等を用い
ても防食効果が得られないという問題がある。
アミン類を用いた剥離液に特有のものであり、上記Ａｌ
またはＡｌ合金の腐食とは異なり、カテコール等を用い
ても防食効果が得られないという問題がある。
【０００８】なお、本発明でいう「チタン（Ｔｉ）」と
は「純チタン」を意味し、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）やチタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金を
含むものでない。実際、上記特開平６−２６６１９９号
公報に記載の剥離液では、チタン合金に対しては腐食を
防止し得るが、純チタンに対しては防止し得ず、腐食が
発生するという問題がある。
は「純チタン」を意味し、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）やチタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金を
含むものでない。実際、上記特開平６−２６６１９９号
公報に記載の剥離液では、チタン合金に対しては腐食を
防止し得るが、純チタンに対しては防止し得ず、腐食が
発生するという問題がある。
【０００９】したがって、変質膜に対する優れた剥離性
を有するとともに、ＡｌやＡｌ合金、Ｔｉを形成してな
る基板に対しても腐食を有効に防止し得るレジスト用剥
離液の開発が望まれていた。
を有するとともに、ＡｌやＡｌ合金、Ｔｉを形成してな
る基板に対しても腐食を有効に防止し得るレジスト用剥
離液の開発が望まれていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたもので、その課題とするところは、ヒ
ドロキシルアミン類を用いたレジスト用剥離液組成物の
剥離性を損なうことなく、ＡｌまたはＡｌ合金が形成さ
れた基板、あるいはＴｉが形成された基板の両者に対す
る腐食防止効果に優れたレジスト用剥離液組成物を提供
することにある。
に鑑みてなされたもので、その課題とするところは、ヒ
ドロキシルアミン類を用いたレジスト用剥離液組成物の
剥離性を損なうことなく、ＡｌまたはＡｌ合金が形成さ
れた基板、あるいはＴｉが形成された基板の両者に対す
る腐食防止効果に優れたレジスト用剥離液組成物を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる課
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ヒドロキシ
ルアミン、水、特定のアミン類、水溶性有機溶媒、およ
び防食剤を特定割合で配合させることにより、上記課題
を解決し得ることを見出し、これに基づいて本発明を完
成するに至った。
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ヒドロキシ
ルアミン、水、特定のアミン類、水溶性有機溶媒、およ
び防食剤を特定割合で配合させることにより、上記課題
を解決し得ることを見出し、これに基づいて本発明を完
成するに至った。
【００１２】すなわち本発明によれば、（ａ）ヒドロキ
シルアミン類２〜３０重量％、（ｂ）水２〜３５重量
％、（ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数（ｐＫ
ａ）が７．５〜１３のアミン類２〜２０重量％、（ｄ）
水溶性有機溶媒３５〜８０重量％、および（ｅ）防食剤
２〜２０重量％からなるレジスト用剥離液組成物が提供
される。
シルアミン類２〜３０重量％、（ｂ）水２〜３５重量
％、（ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数（ｐＫ
ａ）が７．５〜１３のアミン類２〜２０重量％、（ｄ）
水溶性有機溶媒３５〜８０重量％、および（ｅ）防食剤
２〜２０重量％からなるレジスト用剥離液組成物が提供
される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のレジスト用剥離
液組成物について詳述する。
液組成物について詳述する。
【００１４】（ａ）成分としてのヒドロキシルアミン類
は、下記の一般式（Ｉ）
は、下記の一般式（Ｉ）
【００１５】
【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は、それぞれ独立に水素原子、炭素
数１〜６の低級アルキル基を表す）で表される。
数１〜６の低級アルキル基を表す）で表される。
【００１６】ここで上記炭素数１〜６の低級アルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、イ
ソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチ
ルブチル基または２，３−ジメチルブチル基等がそれぞ
れ例示される。Ｒ1 、Ｒ2 は同一であっても異なっても
よい。
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、イ
ソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチ
ルブチル基または２，３−ジメチルブチル基等がそれぞ
れ例示される。Ｒ1 、Ｒ2 は同一であっても異なっても
よい。
【００１７】上記ヒドロキシルアミン類として、具体的
にはヒドロキシルアミン、Ｎ−メチルヒドロキシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルヒドロキシルアミン等が挙げられる。中でもヒド
ロキシルアミンが好適に用いられる。これらヒドロキシ
ルアミン類は単独で用いてもよく、あるいは２種以上を
組み合わせて用いてもよい。
にはヒドロキシルアミン、Ｎ−メチルヒドロキシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルヒドロキシルアミン等が挙げられる。中でもヒド
ロキシルアミンが好適に用いられる。これらヒドロキシ
ルアミン類は単独で用いてもよく、あるいは２種以上を
組み合わせて用いてもよい。
【００１８】（ｂ）成分としての水は、（ａ）成分に必
然的に含まれているものであるが、さらに加えてその配
合量を調整してもよい。
然的に含まれているものであるが、さらに加えてその配
合量を調整してもよい。
【００１９】（ｃ）成分としてのアミン類は、２５℃の
水溶液における酸解離定数（ｐＫａ）が７．５〜１３の
ものである。酸解離定数（ｐＫａ）が７．５未満ではＴ
ｉに対する防食効果が現れず、一方、１３を超えるとＡ
ｌ、Ａｌ合金に対する腐食が生じる。このようなアミン
類としては、具体的にはモノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミ
ノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタールア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノー
ルアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプ
ロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイ
ソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエ
チレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジア
ミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパ
ンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキ
サンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類；２−エ
チル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチル
アミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプ
チルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン
類；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミ
ン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、メチル−
ピペラジン、ヒドロキシルエチルピペラジン等の環状ア
ミン類等が挙げられる。これらの中でも、チタンに対す
る防食効果から上記ｐＫａが８．５〜１１．５のものが
好ましく、具体的にはモノエタノールアミン、２−（２
−アミノエトキシ）エタノール、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミン、
ピペラジン等が特に好ましい。また、剥離処理の際に加
熱する場合があるので、レジスト用剥離液としたときに
安全性等の点から引火点が３０℃以上、特には５０℃以
上のものが好ましい。これらの点と、剥離液組成物を継
続使用した場合の液組成の安定性をも考慮すると、トリ
エチレンテトラミンが最も好ましい。
水溶液における酸解離定数（ｐＫａ）が７．５〜１３の
ものである。酸解離定数（ｐＫａ）が７．５未満ではＴ
ｉに対する防食効果が現れず、一方、１３を超えるとＡ
ｌ、Ａｌ合金に対する腐食が生じる。このようなアミン
類としては、具体的にはモノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミ
ノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタールア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノー
ルアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプ
ロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイ
ソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエ
チレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジア
ミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパ
ンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキ
サンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類；２−エ
チル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチル
アミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプ
チルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン
類；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミ
ン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、メチル−
ピペラジン、ヒドロキシルエチルピペラジン等の環状ア
ミン類等が挙げられる。これらの中でも、チタンに対す
る防食効果から上記ｐＫａが８．５〜１１．５のものが
好ましく、具体的にはモノエタノールアミン、２−（２
−アミノエトキシ）エタノール、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミン、
ピペラジン等が特に好ましい。また、剥離処理の際に加
熱する場合があるので、レジスト用剥離液としたときに
安全性等の点から引火点が３０℃以上、特には５０℃以
上のものが好ましい。これらの点と、剥離液組成物を継
続使用した場合の液組成の安定性をも考慮すると、トリ
エチレンテトラミンが最も好ましい。
【００２０】（ｄ）成分の水溶性有機溶媒としては、水
と混和性のある有機溶媒であればよく、従来の有機アミ
ン系剥離液に用いられる水溶性有機溶媒を任意に使用す
ることができる。このような水溶性有機溶媒としては、
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルス
ルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン
類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド
類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロ
キシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−
２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾ
リジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジ
ノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等
の多価アルコール類およびその誘導体が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合
わせて用いてもよい。これらの中で、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテルが変質膜の剥離性に優れるので
好ましい。中でも、ジメチルスルホキシドが基板に対す
る防食効果にも優れるため好ましい。
と混和性のある有機溶媒であればよく、従来の有機アミ
ン系剥離液に用いられる水溶性有機溶媒を任意に使用す
ることができる。このような水溶性有機溶媒としては、
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルス
ルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン
類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド
類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロ
キシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−
２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾ
リジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジ
ノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等
の多価アルコール類およびその誘導体が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合
わせて用いてもよい。これらの中で、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテルが変質膜の剥離性に優れるので
好ましい。中でも、ジメチルスルホキシドが基板に対す
る防食効果にも優れるため好ましい。
【００２１】（ｅ）成分としての防食剤は、従来の有機
アミン系剥離液に用いられている防食剤を任意に使用す
ることができるが、特には、芳香族ヒドロキシ化合物、
アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物
およびその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる
群から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる。
アミン系剥離液に用いられている防食剤を任意に使用す
ることができるが、特には、芳香族ヒドロキシ化合物、
アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物
およびその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる
群から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる。
【００２２】上記芳香族ヒドロキシ化合物としては、フ
ェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコー
ル、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、
１，２，４−ベンゼントリオール、サリチルアルコー
ル、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−ヒドロキ
シベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネチルアル
コール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノー
ル、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、ｐ−
ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４
−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香
酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロ
キシ安息香酸等を挙げることができ、中でもピロカテコ
ールが好適である。これらの化合物は単独で用いてもよ
く、あるいは２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコー
ル、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、
１，２，４−ベンゼントリオール、サリチルアルコー
ル、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−ヒドロキ
シベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネチルアル
コール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノー
ル、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、ｐ−
ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４
−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香
酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロ
キシ安息香酸等を挙げることができ、中でもピロカテコ
ールが好適である。これらの化合物は単独で用いてもよ
く、あるいは２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】上記アセチレンアルコールとしては、２−
ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１−ヘ
キシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２−オ
ール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，６
−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，
４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオ
ール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオ
ール等を挙げることができ、中でも２−ブチン−１，４
−ジオールが好適である。これらのアセチレンアルコー
ルは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。
ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１−ヘ
キシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２−オ
ール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，６
−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，
４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオ
ール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオ
ール等を挙げることができ、中でも２−ブチン−１，４
−ジオールが好適である。これらのアセチレンアルコー
ルは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。
【００２４】上記カルボキシル基含有有機化合物および
その無水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、
１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、
乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、
無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げる
ことができる。中でも、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無
水フタル酸、およびサリチル酸が好ましく、特にフタル
酸、無水フタル酸およびサリチル酸がより好ましい。こ
れらの化合物は単独で用いてもよく、あるいは２種以上
を組み合わせて用いてもよい。
その無水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、
１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、
乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、
無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げる
ことができる。中でも、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無
水フタル酸、およびサリチル酸が好ましく、特にフタル
酸、無水フタル酸およびサリチル酸がより好ましい。こ
れらの化合物は単独で用いてもよく、あるいは２種以上
を組み合わせて用いてもよい。
【００２５】上記トリアゾール化合物としては、ベンゾ
トリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルト
リアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベン
ゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、
ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベン
ゾトリアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾト
リアゾールが好適である。これらの化合物は単独で用い
てもよく、あるいは２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
トリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルト
リアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベン
ゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、
ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベン
ゾトリアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾト
リアゾールが好適である。これらの化合物は単独で用い
てもよく、あるいは２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
【００２６】これら防食剤は、用いるレジスト組成物、
剥離条件、アッシング、イオン注入、プラズマ処理等に
よるレジスト変質膜の生成条件、または後工程のリンス
処理条件等に応じて１種または２種以上を適宜組み合わ
せて用いることができるが、芳香族ヒドロキシ化合物が
より好適に用いられ、中でもピロカテコールが特に好ま
しい。
剥離条件、アッシング、イオン注入、プラズマ処理等に
よるレジスト変質膜の生成条件、または後工程のリンス
処理条件等に応じて１種または２種以上を適宜組み合わ
せて用いることができるが、芳香族ヒドロキシ化合物が
より好適に用いられ、中でもピロカテコールが特に好ま
しい。
【００２７】上記（ａ）〜（ｅ）成分の配合割合は、
（ａ）成分が２〜３０重量％、好ましくは５〜２０重量
％、（ｂ）成分が２〜３５重量％、好ましくは５〜２５
重量％、（ｃ）成分が２〜２０重量％、好ましくは５〜
１５重量％、（ｄ）成分が３５〜８０重量％、好ましく
は４０〜７０重量％、（ｅ）成分が２〜２０重量％、好
ましくは３〜１０重量％である。本発明においては、上
記（ａ）〜（ｅ）成分の配合割合が特に重要であり、各
成分が上記範囲を逸脱すると、ＡｌまたはＡｌ合金、Ｔ
ｉが形成された両基板に対する十分な防食効果が得られ
ず、また変質膜剥離能力が低下するので好ましくない。
（ａ）成分が２〜３０重量％、好ましくは５〜２０重量
％、（ｂ）成分が２〜３５重量％、好ましくは５〜２５
重量％、（ｃ）成分が２〜２０重量％、好ましくは５〜
１５重量％、（ｄ）成分が３５〜８０重量％、好ましく
は４０〜７０重量％、（ｅ）成分が２〜２０重量％、好
ましくは３〜１０重量％である。本発明においては、上
記（ａ）〜（ｅ）成分の配合割合が特に重要であり、各
成分が上記範囲を逸脱すると、ＡｌまたはＡｌ合金、Ｔ
ｉが形成された両基板に対する十分な防食効果が得られ
ず、また変質膜剥離能力が低下するので好ましくない。
【００２８】本発明のレジスト用剥離液組成物は、ネガ
型およびポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液で現像
可能なレジストに有利に使用できる。このようなレジス
トとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボ
ラック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光に
より酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶
液に対する溶解性が増大する化合物およびアルカリ可溶
性樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、および（ｉｖ）光により
酸を発生する化合物、架橋剤およびアルカリ可溶性樹脂
を含有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。
型およびポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液で現像
可能なレジストに有利に使用できる。このようなレジス
トとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボ
ラック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光に
より酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶
液に対する溶解性が増大する化合物およびアルカリ可溶
性樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、および（ｉｖ）光により
酸を発生する化合物、架橋剤およびアルカリ可溶性樹脂
を含有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。
【００２９】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００３０】実施例１〜７ シリコンウェーハ上に第１層としてＴｉ層を有し、さら
にこの第１層上に第２層としてＡｌ−Ｓｉ層を有する基
板上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂か
らなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３０
０（東京応化工業（株）製）をスピンナーで塗布し、９
０℃にて９０秒間のプリベークを施し、膜厚２．０μｍ
のレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳＲ−２
００５ｉ１０Ｄ（ニコン（株）製）を用いてマスクパタ
ーンを介して露光し、２．３８重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液にて現像し、
レジストパターンを形成した。次いで１２０℃で９０秒
間のポストベークを行った。
にこの第１層上に第２層としてＡｌ−Ｓｉ層を有する基
板上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂か
らなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３０
０（東京応化工業（株）製）をスピンナーで塗布し、９
０℃にて９０秒間のプリベークを施し、膜厚２．０μｍ
のレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳＲ−２
００５ｉ１０Ｄ（ニコン（株）製）を用いてマスクパタ
ーンを介して露光し、２．３８重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液にて現像し、
レジストパターンを形成した。次いで１２０℃で９０秒
間のポストベークを行った。
【００３１】次に、上記の条件で形成したレジストパタ
ーンを有するシリコンウェーハを常法によりエッチング
処理し、次いでレジストパターンをプラズマアッシング
処理したが、アッシング残渣があった。
ーンを有するシリコンウェーハを常法によりエッチング
処理し、次いでレジストパターンをプラズマアッシング
処理したが、アッシング残渣があった。
【００３２】次いで、上記処理済みシリコンウェーハ
を、表１に示す組成の剥離液に６５℃、２０分間浸漬処
理し、それぞれ剥離処理を行った。剥離処理後の基板を
純水でリンス処理し、シリコンウェーハのアッシング残
渣の剥離状態（変質膜の剥離性）、および第１層のＴｉ
層と第２層のＡｌ−Ｓｉ層の腐食の状態をＳＥＭ（走査
型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。結果を表１
に示す。
を、表１に示す組成の剥離液に６５℃、２０分間浸漬処
理し、それぞれ剥離処理を行った。剥離処理後の基板を
純水でリンス処理し、シリコンウェーハのアッシング残
渣の剥離状態（変質膜の剥離性）、および第１層のＴｉ
層と第２層のＡｌ−Ｓｉ層の腐食の状態をＳＥＭ（走査
型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。結果を表１
に示す。
【００３３】なお、変質膜の剥離性は、以下のように評
価した。
価した。
【００３４】 ○： 剥離性良好 ×： 不完全な剥離 また、腐食の状態は、以下のように評価した。
【００３５】 ○： 腐食なし △： 若干腐食あり ×： 多数の腐食あり
【００３６】
【表１】 比較例１〜６ 実施例１において、用いた剥離液の組成を表２に示すよ
うに代えた以外は、実施例１と同様にして変質膜の剥離
性および腐食性の評価を行った。
うに代えた以外は、実施例１と同様にして変質膜の剥離
性および腐食性の評価を行った。
【００３７】
【表２】
【００３８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、よ
り過酷な条件のドライエッチング、アッシング、イオン
注入などの処理により形成された変質膜の剥離性に優
れ、ＡｌまたはＡｌ合金が形成された基板、あるいはＴ
ｉが形成された基板の両者に対する腐食防止効果に優れ
たレジスト用剥離液組成物を提供することができるとい
う効果を奏する。
り過酷な条件のドライエッチング、アッシング、イオン
注入などの処理により形成された変質膜の剥離性に優
れ、ＡｌまたはＡｌ合金が形成された基板、あるいはＴ
ｉが形成された基板の両者に対する腐食防止効果に優れ
たレジスト用剥離液組成物を提供することができるとい
う効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 （ａ）ヒドロキシルアミン類２〜３０重
量％、（ｂ）水２〜３５重量％、（ｃ）２５℃の水溶液
における酸解離定数（ｐＫａ）が７．５〜１３のアミン
類２〜２０重量％、（ｄ）水溶性有機溶媒３５〜８０重
量％、および（ｅ）防食剤２〜２０重量％からなる、レ
ジスト用剥離液組成物。 - 【請求項２】 （ａ）成分がヒドロキシルアミンであ
る、請求項１記載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項３】 （ｃ）成分における上記酸解離定数（ｐ
Ｋａ）が８．５〜１１．５である、請求項１または２記
載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項４】 （ｃ）成分がモノエタノールアミン、２
−（２−アミノエトキシ）エタノール、ジエチレントリ
アミン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミ
ン、ピペラジンの中から選ばれる少なくとも１種であ
る、請求項１〜３のいずれかに記載のレジスト用剥離液
組成物。 - 【請求項５】 （ｄ）成分がジメチルスルホキシドであ
る、請求項１〜４のいずれかに記載のレジスト用剥離液
組成物。 - 【請求項６】 （ｅ）成分がカテコール、２−ブチン−
１，４−ジオール、ベンゾトリアゾール、サリチル酸の
中から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜５の
いずれかに記載のレジスト用剥離液組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7276504A JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | レジスト用剥離液組成物 |
| TW085110358A TW425493B (en) | 1995-09-29 | 1996-08-26 | Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping piiotoresists using the same |
| US08/717,778 US5795702A (en) | 1995-09-29 | 1996-09-24 | Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping photoresists using the same |
| KR1019960042177A KR0173090B1 (ko) | 1995-09-29 | 1996-09-24 | 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7276504A JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | レジスト用剥離液組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0996911A true JPH0996911A (ja) | 1997-04-08 |
| JP2911792B2 JP2911792B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=17570391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7276504A Expired - Lifetime JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | レジスト用剥離液組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5795702A (ja) |
| JP (1) | JP2911792B2 (ja) |
| KR (1) | KR0173090B1 (ja) |
| TW (1) | TW425493B (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034940A1 (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-15 | Ashland Inc. | Improvement in aqueous stripping and cleaning compositions |
| WO1999045443A1 (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-10 | Silicon Valley Chemlabs, Inc. | Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylammonium carboxylates |
| US6140027A (en) * | 1998-12-31 | 2000-10-31 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
| US6218087B1 (en) | 1999-06-07 | 2001-04-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same |
| JP2002164315A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体素子の製造方法 |
| US6482750B2 (en) | 2000-06-30 | 2002-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaishi | Method of manufacturing semiconductor device including a cleaning step, and semiconductor device manufactured thereby |
| JP2003015320A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤組成物 |
| US6713440B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resist and etching by-product removing composition and resist removing method using the same |
| KR100438015B1 (ko) * | 2001-10-10 | 2004-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리용 레지스트 제거용 조성물 |
| KR100468714B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법 |
| US6861210B2 (en) | 2001-05-21 | 2005-03-01 | Dongjin Semichen Co., Ltd. | Resist remover composition |
| WO2005022268A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Sony Corporation | 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 |
| US6908892B2 (en) | 2000-06-12 | 2005-06-21 | Dongjin Semichem, Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
| US7015183B2 (en) | 2001-05-21 | 2006-03-21 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Resist remover composition |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| US7186354B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-03-06 | Nec Electronics Corporation | Anticorrosive treating concentrate |
| CN100440041C (zh) * | 2001-10-05 | 2008-12-03 | 横滨Tlo株式会社 | 反应显影布图方法 |
| JP2009013417A (ja) * | 2001-02-12 | 2009-01-22 | Advanced Technology Materials Inc | 化学機械平坦化（ｃｍｐ）後の洗浄組成物 |
| WO2009038224A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Ube Industries, Ltd. | 置換ケトン化合物又はその誘導体を含有する防食剤或いは剥離剤、及びその製造方法 |
| US7951765B2 (en) | 2005-08-13 | 2011-05-31 | Techno Semichem Co., Ltd. | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
| JP2012195590A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Air Products & Chemicals Inc | クリーニング調合物およびそのクリーニング調合物の使用方法 |
| JP2014159523A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | ポリアミドイミド樹脂除去用の洗浄剤組成物 |
| KR20170040477A (ko) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
| JP6160893B1 (ja) * | 2016-09-30 | 2017-07-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
| KR20170083026A (ko) | 2014-11-13 | 2017-07-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체소자를 세정하기 위한 알칼리토류 금속을 포함하는 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 |
| JP2018526495A (ja) * | 2015-08-03 | 2018-09-13 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | 洗浄組成物 |
| JP2020508369A (ja) * | 2017-02-10 | 2020-03-19 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | 洗浄用調合物 |
Families Citing this family (84)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040018949A1 (en) * | 1990-11-05 | 2004-01-29 | Wai Mun Lee | Semiconductor process residue removal composition and process |
| US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
| US7205265B2 (en) * | 1990-11-05 | 2007-04-17 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions and methods of use thereof |
| US7144849B2 (en) * | 1993-06-21 | 2006-12-05 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
| US7534752B2 (en) * | 1996-07-03 | 2009-05-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
| JP3755776B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2006-03-15 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 |
| JPH10239865A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Jsr Corp | ネガ型フォトレジスト用剥離液組成物 |
| US6268323B1 (en) | 1997-05-05 | 2001-07-31 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| JP3773227B2 (ja) | 1997-10-16 | 2006-05-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
| KR100287173B1 (ko) * | 1998-03-13 | 2001-06-01 | 윤종용 | 포토레지스트제거방법및이들을이용한반도체장치의제조방법 |
| WO1999060448A1 (en) | 1998-05-18 | 1999-11-25 | Mallinckrodt Inc. | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| KR100288769B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2001-09-17 | 윤종용 | 포토레지스트용스트리퍼조성물 |
| US6174819B1 (en) * | 1998-07-21 | 2001-01-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low temperature photoresist removal for rework during metal mask formation |
| KR100268108B1 (ko) * | 1998-08-25 | 2000-12-01 | 윤종용 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
| TW546553B (en) * | 1998-12-25 | 2003-08-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same |
| US6375859B1 (en) | 1999-02-04 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Process for resist clean up of metal structures on polyimide |
| JP4224652B2 (ja) * | 1999-03-08 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法 |
| US7521405B2 (en) * | 2002-08-12 | 2009-04-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
| US7129199B2 (en) * | 2002-08-12 | 2006-10-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
| US6200940B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-03-13 | Napier International Technologies, Inc. | Paint stripper compositions |
| WO2001014510A1 (en) * | 1999-08-19 | 2001-03-01 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning compositions |
| JP2001183849A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
| JP2001183850A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | 剥離剤組成物 |
| JP3514435B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2004-03-31 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
| US6207350B1 (en) * | 2000-01-18 | 2001-03-27 | Headway Technologies, Inc. | Corrosion inhibitor for NiCu for high performance writers |
| KR100356987B1 (ko) * | 2000-01-22 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 열경화성 수지 제거용 조성물 |
| US6531436B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-03-11 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer removal |
| US6475966B1 (en) | 2000-02-25 | 2002-11-05 | Shipley Company, L.L.C. | Plasma etching residue removal |
| JP2002075993A (ja) * | 2000-06-15 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2002001300A1 (fr) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Nec Corporation | Composition d'agent de demontage |
| US6455479B1 (en) * | 2000-08-03 | 2002-09-24 | Shipley Company, L.L.C. | Stripping composition |
| JP3738996B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法 |
| US6599370B2 (en) * | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| TW573217B (en) * | 2000-12-27 | 2004-01-21 | Sumitomo Chemical Co | Remover composition |
| JP2002303993A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100842072B1 (ko) * | 2001-05-31 | 2008-06-30 | 에스케이케미칼주식회사 | 포토레지스트 제거액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트제거 방법 |
| TWI297102B (en) * | 2001-08-03 | 2008-05-21 | Nec Electronics Corp | Removing composition |
| KR101017738B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2011-02-28 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물 |
| US6677286B1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions for removing etching residue and use thereof |
| US20060166846A1 (en) * | 2002-08-19 | 2006-07-27 | Ying-Hao Li | Remover solution |
| JP4282054B2 (ja) | 2002-09-09 | 2009-06-17 | 東京応化工業株式会社 | デュアルダマシン構造形成プロセスに用いられる洗浄液および基板の処理方法 |
| KR100503231B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-07-22 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 및 ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정제 조성물 |
| KR20040037643A (ko) * | 2002-10-29 | 2004-05-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 후-스트립 세정제 조성물 및 그를 이용한 포토레지스트스트립 공정 후의 반도체 소자 또는 액정표시소자의 세정방법 |
| KR100520397B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2005-10-11 | 동우 화인켐 주식회사 | 후-스트립 세정제 조성물 및 그를 이용한 포토레지스트스트립 공정 후의 반도체 소자 또는 액정표시소자의 세정방법 |
| KR20040098179A (ko) * | 2003-05-14 | 2004-11-20 | 리퀴드테크놀로지(주) | 감광성 내식각막의 잔사제거 조성물 |
| US6951710B2 (en) * | 2003-05-23 | 2005-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof |
| US7384900B2 (en) * | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
| US6946396B2 (en) * | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Nissan Chemical Indusries, Ltd. | Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer |
| CN1690120A (zh) * | 2004-03-01 | 2005-11-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 具有高减震能力的树脂组合物 |
| US8178482B2 (en) * | 2004-08-03 | 2012-05-15 | Avantor Performance Materials, Inc. | Cleaning compositions for microelectronic substrates |
| JP3994992B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2007-10-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法 |
| KR101136026B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2012-04-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
| US20060094612A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Mayumi Kimura | Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum |
| US20060116313A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Denise Geitz | Compositions comprising tannic acid as corrosion inhibitor |
| KR101331747B1 (ko) * | 2005-01-27 | 2013-11-20 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 반도체 기판 처리 조성물 |
| US7923423B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| JP4741315B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2011-08-03 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | ポリマー除去組成物 |
| US20100256034A1 (en) * | 2005-09-22 | 2010-10-07 | Pantheon Chemical, Inc. | Copper chelating agent, composition including the agent, and methods of forming and using the agent and composition |
| US7879782B2 (en) * | 2005-10-13 | 2011-02-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous cleaning composition and method for using same |
| US7632796B2 (en) * | 2005-10-28 | 2009-12-15 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US9329486B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-05-03 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US20070243773A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-10-18 | Phenis Michael T | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US8263539B2 (en) * | 2005-10-28 | 2012-09-11 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use |
| TW200916571A (en) * | 2007-08-02 | 2009-04-16 | Advanced Tech Materials | Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device |
| US7655608B2 (en) * | 2007-08-03 | 2010-02-02 | Dynaloy, Llc | Reduced metal etch rates using stripper solutions containing a copper salt |
| CN101364056A (zh) * | 2007-08-10 | 2009-02-11 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种光刻胶清洗剂 |
| US8551682B2 (en) * | 2007-08-15 | 2013-10-08 | Dynaloy, Llc | Metal conservation with stripper solutions containing resorcinol |
| KR101488265B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2015-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박리 조성물 및 박리 방법 |
| TWI450052B (zh) * | 2008-06-24 | 2014-08-21 | Dynaloy Llc | 用於後段製程操作有效之剝離溶液 |
| TWI539493B (zh) | 2010-03-08 | 2016-06-21 | 黛納羅伊有限責任公司 | 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物 |
| US8449681B2 (en) | 2010-12-16 | 2013-05-28 | Intermolecular, Inc. | Composition and method for removing photoresist and bottom anti-reflective coating for a semiconductor substrate |
| US8987181B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-03-24 | Dynaloy, Llc | Photoresist and post etch residue cleaning solution |
| CN103733137B (zh) | 2012-06-26 | 2019-06-25 | 野村微科学股份有限公司 | 抗蚀剂剥离剂 |
| US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
| US9158202B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-10-13 | Dynaloy, Llc | Process and composition for removing substances from substrates |
| EP3060642B1 (en) | 2013-10-21 | 2019-11-06 | FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. | Cleaning formulations for removing residues on surfaces |
| US9562211B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-02-07 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
| US9085542B1 (en) | 2014-06-12 | 2015-07-21 | General Electric Company | Method for synthesis of N-methyl piperazine diphenolamide and related composition |
| CN105895661B (zh) | 2015-02-17 | 2019-03-01 | 富士胶片株式会社 | 薄膜晶体管基板的制造方法及其应用 |
| KR20170002932A (ko) | 2015-06-30 | 2017-01-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 스트리퍼 조성액 |
| IL277275B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-11-01 | Fujifilm Electronic Mat Usa Inc | cleaning products |
| KR102224907B1 (ko) | 2018-04-17 | 2021-03-09 | 엘티씨 (주) | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
| CN109407478A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-01 | 李晨阳 | Poly-270剥离清洗液及其制备方法 |
| WO2020194419A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4617251A (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-14 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Stripping composition and method of using the same |
| US5102777A (en) * | 1990-02-01 | 1992-04-07 | Ardrox Inc. | Resist stripping |
| US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
| US5419779A (en) * | 1993-12-02 | 1995-05-30 | Ashland Inc. | Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine |
| JP3406055B2 (ja) * | 1994-03-31 | 2003-05-12 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト用剥離液 |
| US5597678A (en) * | 1994-04-18 | 1997-01-28 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Non-corrosive photoresist stripper composition |
| US5561105A (en) * | 1995-05-08 | 1996-10-01 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Chelating reagent containing photoresist stripper composition |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP7276504A patent/JP2911792B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-08-26 TW TW085110358A patent/TW425493B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-09-24 KR KR1019960042177A patent/KR0173090B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-09-24 US US08/717,778 patent/US5795702A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034940A1 (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-15 | Ashland Inc. | Improvement in aqueous stripping and cleaning compositions |
| US5997658A (en) * | 1998-01-09 | 1999-12-07 | Ashland Inc. | Aqueous stripping and cleaning compositions |
| KR100852861B1 (ko) * | 1998-01-09 | 2008-08-18 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 개선된 수성 스트립핑 및 세정 조성물 |
| WO1999045443A1 (en) * | 1998-03-03 | 1999-09-10 | Silicon Valley Chemlabs, Inc. | Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylammonium carboxylates |
| US6140027A (en) * | 1998-12-31 | 2000-10-31 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
| US6218087B1 (en) | 1999-06-07 | 2001-04-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same |
| US7186354B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-03-06 | Nec Electronics Corporation | Anticorrosive treating concentrate |
| US6908892B2 (en) | 2000-06-12 | 2005-06-21 | Dongjin Semichem, Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
| US6482750B2 (en) | 2000-06-30 | 2002-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaishi | Method of manufacturing semiconductor device including a cleaning step, and semiconductor device manufactured thereby |
| JP2002164315A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体素子の製造方法 |
| JP2009013417A (ja) * | 2001-02-12 | 2009-01-22 | Advanced Technology Materials Inc | 化学機械平坦化（ｃｍｐ）後の洗浄組成物 |
| US6861210B2 (en) | 2001-05-21 | 2005-03-01 | Dongjin Semichen Co., Ltd. | Resist remover composition |
| US7015183B2 (en) | 2001-05-21 | 2006-03-21 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Resist remover composition |
| JP2003015320A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤組成物 |
| KR100468714B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법 |
| US6713440B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resist and etching by-product removing composition and resist removing method using the same |
| US7223721B2 (en) | 2001-08-17 | 2007-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resist and etching by-product removing composition and resist removing method using the same |
| CN100440041C (zh) * | 2001-10-05 | 2008-12-03 | 横滨Tlo株式会社 | 反应显影布图方法 |
| KR100438015B1 (ko) * | 2001-10-10 | 2004-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리용 레지스트 제거용 조성물 |
| WO2005022268A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Sony Corporation | 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| US7951765B2 (en) | 2005-08-13 | 2011-05-31 | Techno Semichem Co., Ltd. | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
| JP5263167B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2013-08-14 | 宇部興産株式会社 | 置換ケトン化合物又はその誘導体を含有する防食剤或いは剥離剤、及びその製造方法 |
| WO2009038224A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Ube Industries, Ltd. | 置換ケトン化合物又はその誘導体を含有する防食剤或いは剥離剤、及びその製造方法 |
| JP2012195590A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Air Products & Chemicals Inc | クリーニング調合物およびそのクリーニング調合物の使用方法 |
| US8889609B2 (en) | 2011-03-16 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations |
| JP2014159523A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | ポリアミドイミド樹脂除去用の洗浄剤組成物 |
| KR20170083026A (ko) | 2014-11-13 | 2017-07-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체소자를 세정하기 위한 알칼리토류 금속을 포함하는 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 |
| US10377978B2 (en) | 2014-11-13 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Alkaline earth metal-containing cleaning solution for cleaning semiconductor element, and method for cleaning semiconductor element using same |
| JP2018526495A (ja) * | 2015-08-03 | 2018-09-13 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | 洗浄組成物 |
| US10696932B2 (en) | 2015-08-03 | 2020-06-30 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning composition |
| KR20170040477A (ko) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
| JP6160893B1 (ja) * | 2016-09-30 | 2017-07-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
| WO2018061064A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
| JP2020508369A (ja) * | 2017-02-10 | 2020-03-19 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | 洗浄用調合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2911792B2 (ja) | 1999-06-23 |
| TW425493B (en) | 2001-03-11 |
| KR970016836A (ko) | 1997-04-28 |
| US5795702A (en) | 1998-08-18 |
| KR0173090B1 (ko) | 1999-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2911792B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| US8354215B2 (en) | Method for stripping photoresist | |
| EP0773480B1 (en) | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the the same | |
| JP3410403B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 | |
| JP3403187B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液 | |
| JP3606738B2 (ja) | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 | |
| JP3755776B2 (ja) | リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 | |
| US20070004933A1 (en) | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same | |
| US20060110690A1 (en) | Treating liquid for photoresist removal, and method for treating substrate | |
| JP3514435B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 | |
| JP3255551B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| JP3773227B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 | |
| US6218087B1 (en) | Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same | |
| JPH08334905A (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| JP2002357908A (ja) | ホトレジスト用剥離液 | |
| JP3255623B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| JP2001183849A (ja) | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 | |
| JP2000056480A (ja) | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 | |
| JP3976160B2 (ja) | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 | |
| JP2000199971A (ja) | ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 | |
| JP3755785B2 (ja) | 剥離処理用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 | |
| JP3054145B1 (ja) | ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |