JPH0996911A - レジスト用剥離液組成物 - Google Patents
レジスト用剥離液組成物Info
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- JPH0996911A JPH0996911A JP7276504A JP27650495A JPH0996911A JP H0996911 A JPH0996911 A JP H0996911A JP 7276504 A JP7276504 A JP 7276504A JP 27650495 A JP27650495 A JP 27650495A JP H0996911 A JPH0996911 A JP H0996911A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より過酷な条件のドライエッチング、アッシ
ング、イオン注入等の処理により形成された変質膜の剥
離性に優れ、AlまたはAl合金が形成された基板、あ
るいはTiが形成された基板の両者に対する腐食防止効
果に優れたレジスト用剥離液組成物を提供する。 【解決手段】 (a)ヒドロキシルアミン類2〜30重
量%、(b)水2〜35重量%、(c)25℃の水溶液
における酸解離定数(pKa)が7.5〜13のアミン
類2〜20重量%、(d)水溶性有機溶媒35〜80重
量%、および(e)防食剤2〜20重量%からなるレジ
スト用剥離液組成物。
ング、イオン注入等の処理により形成された変質膜の剥
離性に優れ、AlまたはAl合金が形成された基板、あ
るいはTiが形成された基板の両者に対する腐食防止効
果に優れたレジスト用剥離液組成物を提供する。 【解決手段】 (a)ヒドロキシルアミン類2〜30重
量%、(b)水2〜35重量%、(c)25℃の水溶液
における酸解離定数(pKa)が7.5〜13のアミン
類2〜20重量%、(d)水溶性有機溶媒35〜80重
量%、および(e)防食剤2〜20重量%からなるレジ
スト用剥離液組成物。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト用剥離液組
成物に係り、さらに詳しくは、ICやLSI等の半導体
素子あるいは液晶パネル素子の製造に好適に使用され
る、剥離性、防食性に優れるレジスト用剥離液組成物に
関する。
成物に係り、さらに詳しくは、ICやLSI等の半導体
素子あるいは液晶パネル素子の製造に好適に使用され
る、剥離性、防食性に優れるレジスト用剥離液組成物に
関する。
【0002】
【従来の技術】ICやLSI等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に蒸着等により形成された金属膜やS
iO2 膜等の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、
これを露光、現像処理をしてレジストパターンを形成
し、このパターンをマスクとして上記導電性金属膜や絶
縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成した後、
不要のレジスト層を剥離液で除去して製造される。ここ
で上記金属膜としては、アルミニウム(Al);アルミ
ニウム−ケイ素(Al−Si)、アルミニウム−ケイ素
−銅(Al−Si−Cu)等のアルミニウム合金(Al
合金);チタン(Ti);チタンナイトライド(Ti
N)、チタンタングステン(TiW)等のチタン合金
(Ti合金)が用いられ、これらは単層〜複数層にて基
板上に形成される。
ル素子は、基板上に蒸着等により形成された金属膜やS
iO2 膜等の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、
これを露光、現像処理をしてレジストパターンを形成
し、このパターンをマスクとして上記導電性金属膜や絶
縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成した後、
不要のレジスト層を剥離液で除去して製造される。ここ
で上記金属膜としては、アルミニウム(Al);アルミ
ニウム−ケイ素(Al−Si)、アルミニウム−ケイ素
−銅(Al−Si−Cu)等のアルミニウム合金(Al
合金);チタン(Ti);チタンナイトライド(Ti
N)、チタンタングステン(TiW)等のチタン合金
(Ti合金)が用いられ、これらは単層〜複数層にて基
板上に形成される。
【0003】上記レジスト層を除去する剥離液組成物と
して、近年、アルカノールアミン類を用いたレジスト用
剥離液組成物が用いられてきた(特開昭62−49,3
55号公報、特開昭63−208,043号公報、
等)。今日の半導体デバイスや液晶デバイスの製造工程
においては、ドライエッチング、アッシング、イオン注
入等の処理が採られているが、これらの処理により、処
理後のレジスト膜は変質膜となる。近年、これらの処理
条件はより厳しくなり、変質膜は有機膜から無機的性質
を有する膜になってきているため、アルカノールアミン
類を用いた剥離液組成物は、この変質膜の剥離性に不十
分となっている。
して、近年、アルカノールアミン類を用いたレジスト用
剥離液組成物が用いられてきた(特開昭62−49,3
55号公報、特開昭63−208,043号公報、
等)。今日の半導体デバイスや液晶デバイスの製造工程
においては、ドライエッチング、アッシング、イオン注
入等の処理が採られているが、これらの処理により、処
理後のレジスト膜は変質膜となる。近年、これらの処理
条件はより厳しくなり、変質膜は有機膜から無機的性質
を有する膜になってきているため、アルカノールアミン
類を用いた剥離液組成物は、この変質膜の剥離性に不十
分となっている。
【0004】しかしながら、最近になって、より剥離性
の優れたレジスト用剥離液組成物として、ヒドロキシル
アミン類を含むレジスト用剥離液組成物が提案された。
例えば特開平4−289,866号公報には、ヒドロキ
シルアミンとアルカノールアミンを含んでなるレジスト
用剥離液組成物が記載されている。また特開平6−26
6,119号公報には、ヒドロキシルアミンとアルカノ
ールアミンにさらにカテコール等のキレート剤(防食
剤)を含有させたレジスト用剥離液組成物が記載されて
いる。
の優れたレジスト用剥離液組成物として、ヒドロキシル
アミン類を含むレジスト用剥離液組成物が提案された。
例えば特開平4−289,866号公報には、ヒドロキ
シルアミンとアルカノールアミンを含んでなるレジスト
用剥離液組成物が記載されている。また特開平6−26
6,119号公報には、ヒドロキシルアミンとアルカノ
ールアミンにさらにカテコール等のキレート剤(防食
剤)を含有させたレジスト用剥離液組成物が記載されて
いる。
【0005】これらヒドロキシルアミン類を含む剥離液
組成物は、上記アルカノールアミン類を用いた剥離液に
比してレ変質膜の剥離性が向上するものの、Alまたは
Al−Si、Al−Si−Cu等のAl合金が蒸着され
た基板や、Tiが蒸着された基板に対して腐食が現れる
という問題がある。
組成物は、上記アルカノールアミン類を用いた剥離液に
比してレ変質膜の剥離性が向上するものの、Alまたは
Al−Si、Al−Si−Cu等のAl合金が蒸着され
た基板や、Tiが蒸着された基板に対して腐食が現れる
という問題がある。
【0006】AlまたはAl−Si、Al−Si−Cu
等のAl合金に対する腐食については、カテコール等の
キレート剤(防食剤)がある程度防食効果を示すことか
ら従来より使用されてきたが、その効果は必ずしも十分
満足し得るものではなかった。
等のAl合金に対する腐食については、カテコール等の
キレート剤(防食剤)がある程度防食効果を示すことか
ら従来より使用されてきたが、その効果は必ずしも十分
満足し得るものではなかった。
【0007】他方、Tiに対する腐食は、ヒドロキシル
アミン類を用いた剥離液に特有のものであり、上記Al
またはAl合金の腐食とは異なり、カテコール等を用い
ても防食効果が得られないという問題がある。
アミン類を用いた剥離液に特有のものであり、上記Al
またはAl合金の腐食とは異なり、カテコール等を用い
ても防食効果が得られないという問題がある。
【0008】なお、本発明でいう「チタン(Ti)」と
は「純チタン」を意味し、チタンナイトライド(Ti
N)やチタンタングステン(TiW)等のチタン合金を
含むものでない。実際、上記特開平6−266199号
公報に記載の剥離液では、チタン合金に対しては腐食を
防止し得るが、純チタンに対しては防止し得ず、腐食が
発生するという問題がある。
は「純チタン」を意味し、チタンナイトライド(Ti
N)やチタンタングステン(TiW)等のチタン合金を
含むものでない。実際、上記特開平6−266199号
公報に記載の剥離液では、チタン合金に対しては腐食を
防止し得るが、純チタンに対しては防止し得ず、腐食が
発生するという問題がある。
【0009】したがって、変質膜に対する優れた剥離性
を有するとともに、AlやAl合金、Tiを形成してな
る基板に対しても腐食を有効に防止し得るレジスト用剥
離液の開発が望まれていた。
を有するとともに、AlやAl合金、Tiを形成してな
る基板に対しても腐食を有効に防止し得るレジスト用剥
離液の開発が望まれていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたもので、その課題とするところは、ヒ
ドロキシルアミン類を用いたレジスト用剥離液組成物の
剥離性を損なうことなく、AlまたはAl合金が形成さ
れた基板、あるいはTiが形成された基板の両者に対す
る腐食防止効果に優れたレジスト用剥離液組成物を提供
することにある。
に鑑みてなされたもので、その課題とするところは、ヒ
ドロキシルアミン類を用いたレジスト用剥離液組成物の
剥離性を損なうことなく、AlまたはAl合金が形成さ
れた基板、あるいはTiが形成された基板の両者に対す
る腐食防止効果に優れたレジスト用剥離液組成物を提供
することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる課
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ヒドロキシ
ルアミン、水、特定のアミン類、水溶性有機溶媒、およ
び防食剤を特定割合で配合させることにより、上記課題
を解決し得ることを見出し、これに基づいて本発明を完
成するに至った。
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ヒドロキシ
ルアミン、水、特定のアミン類、水溶性有機溶媒、およ
び防食剤を特定割合で配合させることにより、上記課題
を解決し得ることを見出し、これに基づいて本発明を完
成するに至った。
【0012】すなわち本発明によれば、(a)ヒドロキ
シルアミン類2〜30重量%、(b)水2〜35重量
%、(c)25℃の水溶液における酸解離定数(pK
a)が7.5〜13のアミン類2〜20重量%、(d)
水溶性有機溶媒35〜80重量%、および(e)防食剤
2〜20重量%からなるレジスト用剥離液組成物が提供
される。
シルアミン類2〜30重量%、(b)水2〜35重量
%、(c)25℃の水溶液における酸解離定数(pK
a)が7.5〜13のアミン類2〜20重量%、(d)
水溶性有機溶媒35〜80重量%、および(e)防食剤
2〜20重量%からなるレジスト用剥離液組成物が提供
される。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のレジスト用剥離
液組成物について詳述する。
液組成物について詳述する。
【0014】(a)成分としてのヒドロキシルアミン類
は、下記の一般式(I)
は、下記の一般式(I)
【0015】
【化1】 (式中、R1 、R2 は、それぞれ独立に水素原子、炭素
数1〜6の低級アルキル基を表す)で表される。
数1〜6の低級アルキル基を表す)で表される。
【0016】ここで上記炭素数1〜6の低級アルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、
tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、tert−ペンチル基、ヘキシル基、イ
ソヘキシル基、3−メチルペンチル基、2,2−ジメチ
ルブチル基または2,3−ジメチルブチル基等がそれぞ
れ例示される。R1 、R2 は同一であっても異なっても
よい。
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、
tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、tert−ペンチル基、ヘキシル基、イ
ソヘキシル基、3−メチルペンチル基、2,2−ジメチ
ルブチル基または2,3−ジメチルブチル基等がそれぞ
れ例示される。R1 、R2 は同一であっても異なっても
よい。
【0017】上記ヒドロキシルアミン類として、具体的
にはヒドロキシルアミン、N−メチルヒドロキシルアミ
ン、N,N−ジメチルヒドロキシルアミン、N,N−ジ
エチルヒドロキシルアミン等が挙げられる。中でもヒド
ロキシルアミンが好適に用いられる。これらヒドロキシ
ルアミン類は単独で用いてもよく、あるいは2種以上を
組み合わせて用いてもよい。
にはヒドロキシルアミン、N−メチルヒドロキシルアミ
ン、N,N−ジメチルヒドロキシルアミン、N,N−ジ
エチルヒドロキシルアミン等が挙げられる。中でもヒド
ロキシルアミンが好適に用いられる。これらヒドロキシ
ルアミン類は単独で用いてもよく、あるいは2種以上を
組み合わせて用いてもよい。
【0018】(b)成分としての水は、(a)成分に必
然的に含まれているものであるが、さらに加えてその配
合量を調整してもよい。
然的に含まれているものであるが、さらに加えてその配
合量を調整してもよい。
【0019】(c)成分としてのアミン類は、25℃の
水溶液における酸解離定数(pKa)が7.5〜13の
ものである。酸解離定数(pKa)が7.5未満ではT
iに対する防食効果が現れず、一方、13を超えるとA
l、Al合金に対する腐食が生じる。このようなアミン
類としては、具体的にはモノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、2−(2−アミ
ノエトキシ)エタノール、N,N−ジメチルエタールア
ミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N,N−ジ
ブチルエタノールアミン、N−メチルエタノールアミ
ン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエタノー
ルアミン、N−メチルジエタノールアミン、モノイソプ
ロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイ
ソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類;ジエ
チレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレ
ンジアミン、N,N−ジエチルエチレンジアミン、N,
N’−ジエチルエチレンジアミン、1,4−ブタンジア
ミン、N−エチル−エチレンジアミン、1,2−プロパ
ンジアミン、1,3−プロパンジアミン、1,6−ヘキ
サンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類;2−エ
チル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチル
アミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプ
チルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン
類;ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミ
ン類;ピペラジン、N−メチル−ピペラジン、メチル−
ピペラジン、ヒドロキシルエチルピペラジン等の環状ア
ミン類等が挙げられる。これらの中でも、チタンに対す
る防食効果から上記pKaが8.5〜11.5のものが
好ましく、具体的にはモノエタノールアミン、2−(2
−アミノエトキシ)エタノール、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミン、
ピペラジン等が特に好ましい。また、剥離処理の際に加
熱する場合があるので、レジスト用剥離液としたときに
安全性等の点から引火点が30℃以上、特には50℃以
上のものが好ましい。これらの点と、剥離液組成物を継
続使用した場合の液組成の安定性をも考慮すると、トリ
エチレンテトラミンが最も好ましい。
水溶液における酸解離定数(pKa)が7.5〜13の
ものである。酸解離定数(pKa)が7.5未満ではT
iに対する防食効果が現れず、一方、13を超えるとA
l、Al合金に対する腐食が生じる。このようなアミン
類としては、具体的にはモノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、2−(2−アミ
ノエトキシ)エタノール、N,N−ジメチルエタールア
ミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N,N−ジ
ブチルエタノールアミン、N−メチルエタノールアミ
ン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエタノー
ルアミン、N−メチルジエタノールアミン、モノイソプ
ロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイ
ソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類;ジエ
チレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレ
ンジアミン、N,N−ジエチルエチレンジアミン、N,
N’−ジエチルエチレンジアミン、1,4−ブタンジア
ミン、N−エチル−エチレンジアミン、1,2−プロパ
ンジアミン、1,3−プロパンジアミン、1,6−ヘキ
サンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類;2−エ
チル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチル
アミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプ
チルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン
類;ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミ
ン類;ピペラジン、N−メチル−ピペラジン、メチル−
ピペラジン、ヒドロキシルエチルピペラジン等の環状ア
ミン類等が挙げられる。これらの中でも、チタンに対す
る防食効果から上記pKaが8.5〜11.5のものが
好ましく、具体的にはモノエタノールアミン、2−(2
−アミノエトキシ)エタノール、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミン、
ピペラジン等が特に好ましい。また、剥離処理の際に加
熱する場合があるので、レジスト用剥離液としたときに
安全性等の点から引火点が30℃以上、特には50℃以
上のものが好ましい。これらの点と、剥離液組成物を継
続使用した場合の液組成の安定性をも考慮すると、トリ
エチレンテトラミンが最も好ましい。
【0020】(d)成分の水溶性有機溶媒としては、水
と混和性のある有機溶媒であればよく、従来の有機アミ
ン系剥離液に用いられる水溶性有機溶媒を任意に使用す
ることができる。このような水溶性有機溶媒としては、
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類;ジメチルス
ルホン、ジエチルスルホン、ビス(2−ヒドロキシエチ
ル)スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン
類;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルア
セトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド
類;N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピ
ロリドン、N−プロピル−2−ピロリドン、N−ヒドロ
キシメチル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシエチル−
2−ピロリドン等のラクタム類;1,3−ジメチル−2
−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾ
リジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジ
ノン等のイミダゾリジノン類;エチレングリコール、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等
の多価アルコール類およびその誘導体が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合
わせて用いてもよい。これらの中で、ジメチルスルホキ
シド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3
−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテルが変質膜の剥離性に優れるので
好ましい。中でも、ジメチルスルホキシドが基板に対す
る防食効果にも優れるため好ましい。
と混和性のある有機溶媒であればよく、従来の有機アミ
ン系剥離液に用いられる水溶性有機溶媒を任意に使用す
ることができる。このような水溶性有機溶媒としては、
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類;ジメチルス
ルホン、ジエチルスルホン、ビス(2−ヒドロキシエチ
ル)スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン
類;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルア
セトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド
類;N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピ
ロリドン、N−プロピル−2−ピロリドン、N−ヒドロ
キシメチル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシエチル−
2−ピロリドン等のラクタム類;1,3−ジメチル−2
−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾ
リジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジ
ノン等のイミダゾリジノン類;エチレングリコール、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等
の多価アルコール類およびその誘導体が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合
わせて用いてもよい。これらの中で、ジメチルスルホキ
シド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3
−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテルが変質膜の剥離性に優れるので
好ましい。中でも、ジメチルスルホキシドが基板に対す
る防食効果にも優れるため好ましい。
【0021】(e)成分としての防食剤は、従来の有機
アミン系剥離液に用いられている防食剤を任意に使用す
ることができるが、特には、芳香族ヒドロキシ化合物、
アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物
およびその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる
群から選ばれる少なくとも1種が好ましく用いられる。
アミン系剥離液に用いられている防食剤を任意に使用す
ることができるが、特には、芳香族ヒドロキシ化合物、
アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物
およびその無水物、並びにトリアゾール化合物からなる
群から選ばれる少なくとも1種が好ましく用いられる。
【0022】上記芳香族ヒドロキシ化合物としては、フ
ェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコー
ル、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、
1,2,4−ベンゼントリオール、サリチルアルコー
ル、p−ヒドロキシベンジルアルコール、o−ヒドロキ
シベンジルアルコール、p−ヒドロキシフェネチルアル
コール、p−アミノフェノール、m−アミノフェノー
ル、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、p−
ヒドロキシ安息香酸、o−ヒドロキシ安息香酸、2,4
−ジヒドロキシ安息香酸、2,5−ジヒドロキシ安息香
酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、3,5−ジヒドロ
キシ安息香酸等を挙げることができ、中でもピロカテコ
ールが好適である。これらの化合物は単独で用いてもよ
く、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコー
ル、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、
1,2,4−ベンゼントリオール、サリチルアルコー
ル、p−ヒドロキシベンジルアルコール、o−ヒドロキ
シベンジルアルコール、p−ヒドロキシフェネチルアル
コール、p−アミノフェノール、m−アミノフェノー
ル、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、p−
ヒドロキシ安息香酸、o−ヒドロキシ安息香酸、2,4
−ジヒドロキシ安息香酸、2,5−ジヒドロキシ安息香
酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、3,5−ジヒドロ
キシ安息香酸等を挙げることができ、中でもピロカテコ
ールが好適である。これらの化合物は単独で用いてもよ
く、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0023】上記アセチレンアルコールとしては、2−
ブチン−1,4−ジオール、3,5−ジメチル−1−ヘ
キシン−3−オール、2−メチル−3−ブチン−2−オ
ール、3−メチル−1−ペンチン−3−オール、3,6
−ジメチル−4−オクチン−3,6−ジオール、2,
4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオ
ール、2,5−ジメチル−3−ヘキシン−2,5−ジオ
ール等を挙げることができ、中でも2−ブチン−1,4
−ジオールが好適である。これらのアセチレンアルコー
ルは単独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合わ
せて用いてもよい。
ブチン−1,4−ジオール、3,5−ジメチル−1−ヘ
キシン−3−オール、2−メチル−3−ブチン−2−オ
ール、3−メチル−1−ペンチン−3−オール、3,6
−ジメチル−4−オクチン−3,6−ジオール、2,
4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオ
ール、2,5−ジメチル−3−ヘキシン−2,5−ジオ
ール等を挙げることができ、中でも2−ブチン−1,4
−ジオールが好適である。これらのアセチレンアルコー
ルは単独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合わ
せて用いてもよい。
【0024】上記カルボキシル基含有有機化合物および
その無水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、
1,2,3−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、
乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、
無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げる
ことができる。中でも、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無
水フタル酸、およびサリチル酸が好ましく、特にフタル
酸、無水フタル酸およびサリチル酸がより好ましい。こ
れらの化合物は単独で用いてもよく、あるいは2種以上
を組み合わせて用いてもよい。
その無水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、
1,2,3−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、
乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、
無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げる
ことができる。中でも、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無
水フタル酸、およびサリチル酸が好ましく、特にフタル
酸、無水フタル酸およびサリチル酸がより好ましい。こ
れらの化合物は単独で用いてもよく、あるいは2種以上
を組み合わせて用いてもよい。
【0025】上記トリアゾール化合物としては、ベンゾ
トリアゾール、o−トリルトリアゾール、m−トリルト
リアゾール、p−トリルトリアゾール、カルボキシベン
ゾトリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、
ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベン
ゾトリアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾト
リアゾールが好適である。これらの化合物は単独で用い
てもよく、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
トリアゾール、o−トリルトリアゾール、m−トリルト
リアゾール、p−トリルトリアゾール、カルボキシベン
ゾトリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、
ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベン
ゾトリアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾト
リアゾールが好適である。これらの化合物は単独で用い
てもよく、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
【0026】これら防食剤は、用いるレジスト組成物、
剥離条件、アッシング、イオン注入、プラズマ処理等に
よるレジスト変質膜の生成条件、または後工程のリンス
処理条件等に応じて1種または2種以上を適宜組み合わ
せて用いることができるが、芳香族ヒドロキシ化合物が
より好適に用いられ、中でもピロカテコールが特に好ま
しい。
剥離条件、アッシング、イオン注入、プラズマ処理等に
よるレジスト変質膜の生成条件、または後工程のリンス
処理条件等に応じて1種または2種以上を適宜組み合わ
せて用いることができるが、芳香族ヒドロキシ化合物が
より好適に用いられ、中でもピロカテコールが特に好ま
しい。
【0027】上記(a)〜(e)成分の配合割合は、
(a)成分が2〜30重量%、好ましくは5〜20重量
%、(b)成分が2〜35重量%、好ましくは5〜25
重量%、(c)成分が2〜20重量%、好ましくは5〜
15重量%、(d)成分が35〜80重量%、好ましく
は40〜70重量%、(e)成分が2〜20重量%、好
ましくは3〜10重量%である。本発明においては、上
記(a)〜(e)成分の配合割合が特に重要であり、各
成分が上記範囲を逸脱すると、AlまたはAl合金、T
iが形成された両基板に対する十分な防食効果が得られ
ず、また変質膜剥離能力が低下するので好ましくない。
(a)成分が2〜30重量%、好ましくは5〜20重量
%、(b)成分が2〜35重量%、好ましくは5〜25
重量%、(c)成分が2〜20重量%、好ましくは5〜
15重量%、(d)成分が35〜80重量%、好ましく
は40〜70重量%、(e)成分が2〜20重量%、好
ましくは3〜10重量%である。本発明においては、上
記(a)〜(e)成分の配合割合が特に重要であり、各
成分が上記範囲を逸脱すると、AlまたはAl合金、T
iが形成された両基板に対する十分な防食効果が得られ
ず、また変質膜剥離能力が低下するので好ましくない。
【0028】本発明のレジスト用剥離液組成物は、ネガ
型およびポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液で現像
可能なレジストに有利に使用できる。このようなレジス
トとしては、(i)ナフトキノンジアジド化合物とノボ
ラック樹脂を含有するポジ型レジスト、(ii)露光に
より酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶
液に対する溶解性が増大する化合物およびアルカリ可溶
性樹脂を含有するポジ型レジスト、(iii)露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、および(iv)光により
酸を発生する化合物、架橋剤およびアルカリ可溶性樹脂
を含有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。
型およびポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液で現像
可能なレジストに有利に使用できる。このようなレジス
トとしては、(i)ナフトキノンジアジド化合物とノボ
ラック樹脂を含有するポジ型レジスト、(ii)露光に
より酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶
液に対する溶解性が増大する化合物およびアルカリ可溶
性樹脂を含有するポジ型レジスト、(iii)露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、および(iv)光により
酸を発生する化合物、架橋剤およびアルカリ可溶性樹脂
を含有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。
【0029】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【0030】実施例1〜7 シリコンウェーハ上に第1層としてTi層を有し、さら
にこの第1層上に第2層としてAl−Si層を有する基
板上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂か
らなるポジ型ホトレジストであるTHMR−iP330
0(東京応化工業(株)製)をスピンナーで塗布し、9
0℃にて90秒間のプリベークを施し、膜厚2.0μm
のレジスト層を形成した。このレジスト層をNSR−2
005i10D(ニコン(株)製)を用いてマスクパタ
ーンを介して露光し、2.38重量%テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液にて現像し、
レジストパターンを形成した。次いで120℃で90秒
間のポストベークを行った。
にこの第1層上に第2層としてAl−Si層を有する基
板上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂か
らなるポジ型ホトレジストであるTHMR−iP330
0(東京応化工業(株)製)をスピンナーで塗布し、9
0℃にて90秒間のプリベークを施し、膜厚2.0μm
のレジスト層を形成した。このレジスト層をNSR−2
005i10D(ニコン(株)製)を用いてマスクパタ
ーンを介して露光し、2.38重量%テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液にて現像し、
レジストパターンを形成した。次いで120℃で90秒
間のポストベークを行った。
【0031】次に、上記の条件で形成したレジストパタ
ーンを有するシリコンウェーハを常法によりエッチング
処理し、次いでレジストパターンをプラズマアッシング
処理したが、アッシング残渣があった。
ーンを有するシリコンウェーハを常法によりエッチング
処理し、次いでレジストパターンをプラズマアッシング
処理したが、アッシング残渣があった。
【0032】次いで、上記処理済みシリコンウェーハ
を、表1に示す組成の剥離液に65℃、20分間浸漬処
理し、それぞれ剥離処理を行った。剥離処理後の基板を
純水でリンス処理し、シリコンウェーハのアッシング残
渣の剥離状態(変質膜の剥離性)、および第1層のTi
層と第2層のAl−Si層の腐食の状態をSEM(走査
型電子顕微鏡)写真の観察により評価した。結果を表1
に示す。
を、表1に示す組成の剥離液に65℃、20分間浸漬処
理し、それぞれ剥離処理を行った。剥離処理後の基板を
純水でリンス処理し、シリコンウェーハのアッシング残
渣の剥離状態(変質膜の剥離性)、および第1層のTi
層と第2層のAl−Si層の腐食の状態をSEM(走査
型電子顕微鏡)写真の観察により評価した。結果を表1
に示す。
【0033】なお、変質膜の剥離性は、以下のように評
価した。
価した。
【0034】 ○: 剥離性良好 ×: 不完全な剥離 また、腐食の状態は、以下のように評価した。
【0035】 ○: 腐食なし △: 若干腐食あり ×: 多数の腐食あり
【0036】
【表1】 比較例1〜6 実施例1において、用いた剥離液の組成を表2に示すよ
うに代えた以外は、実施例1と同様にして変質膜の剥離
性および腐食性の評価を行った。
うに代えた以外は、実施例1と同様にして変質膜の剥離
性および腐食性の評価を行った。
【0037】
【表2】
【0038】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、よ
り過酷な条件のドライエッチング、アッシング、イオン
注入などの処理により形成された変質膜の剥離性に優
れ、AlまたはAl合金が形成された基板、あるいはT
iが形成された基板の両者に対する腐食防止効果に優れ
たレジスト用剥離液組成物を提供することができるとい
う効果を奏する。
り過酷な条件のドライエッチング、アッシング、イオン
注入などの処理により形成された変質膜の剥離性に優
れ、AlまたはAl合金が形成された基板、あるいはT
iが形成された基板の両者に対する腐食防止効果に優れ
たレジスト用剥離液組成物を提供することができるとい
う効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 (a)ヒドロキシルアミン類2〜30重
量%、(b)水2〜35重量%、(c)25℃の水溶液
における酸解離定数(pKa)が7.5〜13のアミン
類2〜20重量%、(d)水溶性有機溶媒35〜80重
量%、および(e)防食剤2〜20重量%からなる、レ
ジスト用剥離液組成物。 - 【請求項2】 (a)成分がヒドロキシルアミンであ
る、請求項1記載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項3】 (c)成分における上記酸解離定数(p
Ka)が8.5〜11.5である、請求項1または2記
載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項4】 (c)成分がモノエタノールアミン、2
−(2−アミノエトキシ)エタノール、ジエチレントリ
アミン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミ
ン、ピペラジンの中から選ばれる少なくとも1種であ
る、請求項1〜3のいずれかに記載のレジスト用剥離液
組成物。 - 【請求項5】 (d)成分がジメチルスルホキシドであ
る、請求項1〜4のいずれかに記載のレジスト用剥離液
組成物。 - 【請求項6】 (e)成分がカテコール、2−ブチン−
1,4−ジオール、ベンゾトリアゾール、サリチル酸の
中から選ばれる少なくとも1種である、請求項1〜5の
いずれかに記載のレジスト用剥離液組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7276504A JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | レジスト用剥離液組成物 |
TW085110358A TW425493B (en) | 1995-09-29 | 1996-08-26 | Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping piiotoresists using the same |
US08/717,778 US5795702A (en) | 1995-09-29 | 1996-09-24 | Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping photoresists using the same |
KR1019960042177A KR0173090B1 (ko) | 1995-09-29 | 1996-09-24 | 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7276504A JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | レジスト用剥離液組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0996911A true JPH0996911A (ja) | 1997-04-08 |
JP2911792B2 JP2911792B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=17570391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7276504A Expired - Lifetime JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | レジスト用剥離液組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP2911792B2 (ja) |
KR (1) | KR0173090B1 (ja) |
TW (1) | TW425493B (ja) |
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KR20170083026A (ko) | 2014-11-13 | 2017-07-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체소자를 세정하기 위한 알칼리토류 금속을 포함하는 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 |
JP2018526495A (ja) * | 2015-08-03 | 2018-09-13 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 洗浄組成物 |
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