JP2002164315A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JP2002164315A JP2002164315A JP2000362346A JP2000362346A JP2002164315A JP 2002164315 A JP2002164315 A JP 2002164315A JP 2000362346 A JP2000362346 A JP 2000362346A JP 2000362346 A JP2000362346 A JP 2000362346A JP 2002164315 A JP2002164315 A JP 2002164315A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】洗浄工程および乾燥時における銅の酸化を防止
し、次工程における加熱処理あるいは減圧処理等の簡単
な処理を行うだけで清浄な銅表面を得る酸化防止方法を
提供すること。 【解決手段】半導体基板上に銅を材料とした配線層を形
成し、次いで炭素数３〜１０のアセチレンアルコール類
を含有する水溶液で処理した後、乾燥する。
し、次工程における加熱処理あるいは減圧処理等の簡単
な処理を行うだけで清浄な銅表面を得る酸化防止方法を
提供すること。 【解決手段】半導体基板上に銅を材料とした配線層を形
成し、次いで炭素数３〜１０のアセチレンアルコール類
を含有する水溶液で処理した後、乾燥する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は銅を基体とする配線
が形成された半導体素子の製造方法に関し、更に詳しく
は、銅を基体とした配線の種々の処理工程のリンス水洗
水としてアセチレンアルコールを含有する水溶液で処理
するか、あるいはリンス水洗後にアセチレンアルコール
を含有する水溶液からなる処理液で処理することによっ
て酸化を防止する方法に関する。
が形成された半導体素子の製造方法に関し、更に詳しく
は、銅を基体とした配線の種々の処理工程のリンス水洗
水としてアセチレンアルコールを含有する水溶液で処理
するか、あるいはリンス水洗後にアセチレンアルコール
を含有する水溶液からなる処理液で処理することによっ
て酸化を防止する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の回路配線や電極材料
には、アルミニウム合金が用いられてきた。しかし、近
年半導体素子の高集積化に伴い、配線断面が減少し、配
線遅延による回路応答速度の低下、および発熱量の増
加、電流密度の増加によるエレクトロマイグレーション
等の問題が懸念されるようになり、この問題を回避する
ためにアルミニウム系配線材料よりもすぐれた銅あるい
は銅合金を用いた配線材料が開発されている。
には、アルミニウム合金が用いられてきた。しかし、近
年半導体素子の高集積化に伴い、配線断面が減少し、配
線遅延による回路応答速度の低下、および発熱量の増
加、電流密度の増加によるエレクトロマイグレーション
等の問題が懸念されるようになり、この問題を回避する
ためにアルミニウム系配線材料よりもすぐれた銅あるい
は銅合金を用いた配線材料が開発されている。
【０００３】しかし、銅は耐食性の点で問題がある。す
なわち、銅は酸化を受けやすく表面が酸化物となってし
まう。また、水溶液中でも腐食しやすい材料である。配
線材料はその製造工程中に数多くの洗浄工程が含まれて
いるため、この洗浄工程中での水洗工程、乾燥工程後の
銅の酸化を抑えることが重要である。
なわち、銅は酸化を受けやすく表面が酸化物となってし
まう。また、水溶液中でも腐食しやすい材料である。配
線材料はその製造工程中に数多くの洗浄工程が含まれて
いるため、この洗浄工程中での水洗工程、乾燥工程後の
銅の酸化を抑えることが重要である。
【０００４】このように洗浄工程での酸化が問題となる
場合、金属酸化防止方法として、水洗工程において溶存
酸素を除去する脱酸素剤、腐食抑制剤、不動態皮膜の形
成剤等を使用する方法が知られている。また、乾燥工程
においては真空乾燥、窒素雰囲気での乾燥を用いて酸化
を防止している。
場合、金属酸化防止方法として、水洗工程において溶存
酸素を除去する脱酸素剤、腐食抑制剤、不動態皮膜の形
成剤等を使用する方法が知られている。また、乾燥工程
においては真空乾燥、窒素雰囲気での乾燥を用いて酸化
を防止している。
【０００５】水洗工程で酸化が問題となる場合、原因は
水に溶解した酸素に起因し、水中の溶存酸素をできるだ
け除去することにより水中での酸化を防止することがで
きる。一般的に脱酸素剤としては、ヒドラジン、ヒドロ
キシルアミン、亜硫酸ソーダ、重亜硫酸ソーダ等の還元
剤が使用される。しかし、水中での酸化を抑制できて
も、乾燥時あるいは乾燥後の銅表面の酸化を防止するこ
とはできない。これは、乾燥工程中に真空乾燥、窒素雰
囲気での乾燥を用いても同様であり、銅表面が露出して
いる限り酸化を防止することは困難である。
水に溶解した酸素に起因し、水中の溶存酸素をできるだ
け除去することにより水中での酸化を防止することがで
きる。一般的に脱酸素剤としては、ヒドラジン、ヒドロ
キシルアミン、亜硫酸ソーダ、重亜硫酸ソーダ等の還元
剤が使用される。しかし、水中での酸化を抑制できて
も、乾燥時あるいは乾燥後の銅表面の酸化を防止するこ
とはできない。これは、乾燥工程中に真空乾燥、窒素雰
囲気での乾燥を用いても同様であり、銅表面が露出して
いる限り酸化を防止することは困難である。
【０００６】そこで、腐食抑制剤を用い、金属表面に均
一に吸着被覆し、金属と酸素との接触を断ち表面の酸化
を防止する方法がある。一般的に銅の腐食抑制方法とし
てはアミン化合物等が用いられる。特にベンゾトリアゾ
ール（ＢＴＡ）を用いることが知られている（特開昭５
２−１２６３６号公報、特開昭５６−８４４７９号公報
等）。しかしこのようなアミン化合物を用いた場合、銅
の酸化を防止できても、銅表面にはアミン化合物からな
る腐食抑制剤と銅との錯形成物が存在し、清浄な銅表面
を得ることは難しい。したがって、後の工程において、
表面に存在する腐食抑制剤の悪影響が生じる場合があ
り、次工程の処理前に腐食抑制剤を除去する必要が生じ
る。
一に吸着被覆し、金属と酸素との接触を断ち表面の酸化
を防止する方法がある。一般的に銅の腐食抑制方法とし
てはアミン化合物等が用いられる。特にベンゾトリアゾ
ール（ＢＴＡ）を用いることが知られている（特開昭５
２−１２６３６号公報、特開昭５６−８４４７９号公報
等）。しかしこのようなアミン化合物を用いた場合、銅
の酸化を防止できても、銅表面にはアミン化合物からな
る腐食抑制剤と銅との錯形成物が存在し、清浄な銅表面
を得ることは難しい。したがって、後の工程において、
表面に存在する腐食抑制剤の悪影響が生じる場合があ
り、次工程の処理前に腐食抑制剤を除去する必要が生じ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、洗浄工程お
よび乾燥時における銅の酸化を防止し、次工程における
加熱処理あるいは減圧処理等の簡単な処理を行うだけで
清浄な銅表面を得る酸化防止方法を提供することであ
る。
よび乾燥時における銅の酸化を防止し、次工程における
加熱処理あるいは減圧処理等の簡単な処理を行うだけで
清浄な銅表面を得る酸化防止方法を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明者らは鋭意検討した結果、アセチレンアルコ
ールを含有する水溶液からなる乾燥前処理液を使用する
ことにより、銅の酸化を効果的に防止できると同時に、
乾燥処理後も簡単な処理で銅表面にアセチレンアルコー
ルが付着していない清浄な銅表面が得られることを見い
出した。すなわち、本発明は半導体基板上に銅を材料と
した配線層を形成し、次いで炭素数３〜１０のアセチレ
ンアルコール類を含有する水溶液で処理した後、乾燥す
ることを特徴とする半導体素子の製造方法に関する。
め、本発明者らは鋭意検討した結果、アセチレンアルコ
ールを含有する水溶液からなる乾燥前処理液を使用する
ことにより、銅の酸化を効果的に防止できると同時に、
乾燥処理後も簡単な処理で銅表面にアセチレンアルコー
ルが付着していない清浄な銅表面が得られることを見い
出した。すなわち、本発明は半導体基板上に銅を材料と
した配線層を形成し、次いで炭素数３〜１０のアセチレ
ンアルコール類を含有する水溶液で処理した後、乾燥す
ることを特徴とする半導体素子の製造方法に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は前工程での銅表面処理
後、乾燥工程に先立ち、アセチレンアルコールを含有す
る水溶液で処理した後、水洗することなく乾燥すること
を特徴とする。
後、乾燥工程に先立ち、アセチレンアルコールを含有す
る水溶液で処理した後、水洗することなく乾燥すること
を特徴とする。
【００１０】本発明が用いられる半導体製造プロセスと
しては、メッキ等で銅配線パターンを形成した後、又
はＣｕ−ＣＭＰ処理後のリンス水洗後、乾燥に先立ち銅
配線パターンが形成された基板をアセチレンアルコール
を含有した水溶液で処理するか、リンス水洗の水にア
セチレンアルコールを添加した水溶液で水洗を兼ねた処
理をした後、基板を乾燥させる。これにより、アセチレ
ンアルコールが銅表面に吸着し、水中の溶存酸素による
酸化を防止し、かつ、乾燥後も酸化を防止する。このア
セチレンアルコールは雰囲気の温度によるが徐々に揮発
するか、あるいは、使用したアセチレンアルコールの沸
点以上の加熱処理か減圧処理によって清浄な銅表面が得
られる。
しては、メッキ等で銅配線パターンを形成した後、又
はＣｕ−ＣＭＰ処理後のリンス水洗後、乾燥に先立ち銅
配線パターンが形成された基板をアセチレンアルコール
を含有した水溶液で処理するか、リンス水洗の水にア
セチレンアルコールを添加した水溶液で水洗を兼ねた処
理をした後、基板を乾燥させる。これにより、アセチレ
ンアルコールが銅表面に吸着し、水中の溶存酸素による
酸化を防止し、かつ、乾燥後も酸化を防止する。このア
セチレンアルコールは雰囲気の温度によるが徐々に揮発
するか、あるいは、使用したアセチレンアルコールの沸
点以上の加熱処理か減圧処理によって清浄な銅表面が得
られる。
【００１１】本発明に使用するアセチレンアルコール類
としては、１−プロピン−３−オール、１−ブチン−３
−オール、１−ブチン−４−オール、２−ブチン−１−
オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メ
チル−１−ブチン−４−オール、１−ペンチン−３−オ
ール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、１−ヘ
キシン−３−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン
−３−オール、１−ヘプチン−３−オール、１−オクチ
ン−３−オール、１−ノニン−３−オール、１−デシン
−３−オール、１−エチニル−１−シクロヘキサノー
ル、２−ブチン−１，４−ジオール、３−ヘキシン−
２，５−ジオール、３，５−ジメチル−３−ヘキシン−
２，５−ジオール、４−エチル−１−オクチン−３−オ
ール 等の炭素数３〜１０のアセチレンアルコールが好
適であり、これらの中でも特に、１−エチニル−１−シ
クロヘキサノールが酸化防止効果といった観点から最適
である。
としては、１−プロピン−３−オール、１−ブチン−３
−オール、１−ブチン−４−オール、２−ブチン−１−
オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メ
チル−１−ブチン−４−オール、１−ペンチン−３−オ
ール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、１−ヘ
キシン−３−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン
−３−オール、１−ヘプチン−３−オール、１−オクチ
ン−３−オール、１−ノニン−３−オール、１−デシン
−３−オール、１−エチニル−１−シクロヘキサノー
ル、２−ブチン−１，４−ジオール、３−ヘキシン−
２，５−ジオール、３，５−ジメチル−３−ヘキシン−
２，５−ジオール、４−エチル−１−オクチン−３−オ
ール 等の炭素数３〜１０のアセチレンアルコールが好
適であり、これらの中でも特に、１−エチニル−１−シ
クロヘキサノールが酸化防止効果といった観点から最適
である。
【００１２】本発明の実施に際して、水溶液中における
アセチレンアルコールの濃度は一般的には、少なくとも
１ｐｐｍである。１ｐｐｍ未満でも効果はあるが、十分
な効果が発現するための処理時間が長くなり実用的では
ない。また、上限濃度は、取り扱い性、経済性等を考慮
して５０，０００ｐｐｍを越える濃度を用いることは不
適当である。実際的には、取り扱い性、経済性、酸化防
止効果などを考慮し、通常５ｐｐｍ以上好ましくは１０
〜１,０００ｐｐｍに保持することが好適である。
アセチレンアルコールの濃度は一般的には、少なくとも
１ｐｐｍである。１ｐｐｍ未満でも効果はあるが、十分
な効果が発現するための処理時間が長くなり実用的では
ない。また、上限濃度は、取り扱い性、経済性等を考慮
して５０，０００ｐｐｍを越える濃度を用いることは不
適当である。実際的には、取り扱い性、経済性、酸化防
止効果などを考慮し、通常５ｐｐｍ以上好ましくは１０
〜１,０００ｐｐｍに保持することが好適である。
【００１３】アセチレンアルコールを含有する水溶液に
よる処理方法は浸漬、噴霧等の手段による。水洗工程が
多段階の場合、最終水洗槽でのアセチレンアルコール濃
度が少なくとも１ｐｐｍあれば、その他の水洗槽の濃度
は上記の範囲内で特に制限はなく任意である。
よる処理方法は浸漬、噴霧等の手段による。水洗工程が
多段階の場合、最終水洗槽でのアセチレンアルコール濃
度が少なくとも１ｐｐｍあれば、その他の水洗槽の濃度
は上記の範囲内で特に制限はなく任意である。
【００１４】処理時間は処理方法により異なり特に制限
はない。しかし、実用的には１０〜６００秒が好まし
い。１０秒未満の場合、十分な効果が得られない場合が
あるが、６００秒を越えても、処理効果それ自体に問題
はないが、生産性、経済性の観点より不適当である。処
理温度も特に制限はないが、室温以上が好ましい。
はない。しかし、実用的には１０〜６００秒が好まし
い。１０秒未満の場合、十分な効果が得られない場合が
あるが、６００秒を越えても、処理効果それ自体に問題
はないが、生産性、経済性の観点より不適当である。処
理温度も特に制限はないが、室温以上が好ましい。
【００１５】また、アセチレンアルコールを含有する水
溶液へ添加剤として、アルコール、グリコールエーテル
等の成分を混合して用いることも有効である。これらの
成分は、乾燥工程において、主に、水切れ性の向上等の
効果をもたらすものであり、その沸点或いは分解温度が
２００℃以下のものが好ましい。
溶液へ添加剤として、アルコール、グリコールエーテル
等の成分を混合して用いることも有効である。これらの
成分は、乾燥工程において、主に、水切れ性の向上等の
効果をもたらすものであり、その沸点或いは分解温度が
２００℃以下のものが好ましい。
【００１６】アルコール類としては、炭素数１〜１０程
度のアルコールが好ましく、特に、メタノール、エタノ
ール、ｉ−プロパノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタ
ノール、ｓ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｔ−ブタノ
ール等が好適であり、特に、メタノール、エタノール、
ｉ−プロパノールが最適である。
度のアルコールが好ましく、特に、メタノール、エタノ
ール、ｉ−プロパノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタ
ノール、ｓ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｔ−ブタノ
ール等が好適であり、特に、メタノール、エタノール、
ｉ−プロパノールが最適である。
【００１７】グリコールエーテルとしては、エチレング
リコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコ
ール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコー
ル、トリプロピレングリコール等のグリコール類のモノ
アルキルエーテル、或いはジアルキルエーテルが好まし
く、これらの中でもジエチレングリコールモノアルキル
エーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、
ジプロピレングリコールモノアルキル、ジプロピレング
リコールジアルキルエーテル等が最適である。
リコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコ
ール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコー
ル、トリプロピレングリコール等のグリコール類のモノ
アルキルエーテル、或いはジアルキルエーテルが好まし
く、これらの中でもジエチレングリコールモノアルキル
エーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、
ジプロピレングリコールモノアルキル、ジプロピレング
リコールジアルキルエーテル等が最適である。
【００１８】
【実施例】以下に実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、以下の実施例に限定されるものでは
ない。
体的に説明するが、以下の実施例に限定されるものでは
ない。
【００１９】実施例１ 銅が製膜されたシリコンウエハに電解銅メッキを施した
後、速やかに純水洗浄を行い、５００ｐｐｍの３，５−
ジメチル−１−ヘキシン−３−オール水溶液に２分間浸
漬し窒素ブローし乾燥した。乾燥直後の酸化膜の厚みを
カソード還元法により測定したところ、酸化膜は生成し
ていなかった。また、乾燥後５時間経過した後でも、酸
化膜は亜酸化銅が３.５Å程度しか生成していなかっ
た。乾燥した銅膜の施されたシリコンウエハについてパ
ージアンドトラップＧＣ−ＭＳ分析、高精度昇温脱離ガ
ス分析、銅表面についてＦＴ−ＩＲ分析を行ったが、使
用したアセチレンアルコール由来の有機物は検出されな
かった。
後、速やかに純水洗浄を行い、５００ｐｐｍの３，５−
ジメチル−１−ヘキシン−３−オール水溶液に２分間浸
漬し窒素ブローし乾燥した。乾燥直後の酸化膜の厚みを
カソード還元法により測定したところ、酸化膜は生成し
ていなかった。また、乾燥後５時間経過した後でも、酸
化膜は亜酸化銅が３.５Å程度しか生成していなかっ
た。乾燥した銅膜の施されたシリコンウエハについてパ
ージアンドトラップＧＣ−ＭＳ分析、高精度昇温脱離ガ
ス分析、銅表面についてＦＴ−ＩＲ分析を行ったが、使
用したアセチレンアルコール由来の有機物は検出されな
かった。
【００２０】実施例２ 銅が製膜されたシリコンウエハに電解銅メッキを施した
後、速やかに純水洗浄を行い、１０００ｐｐｍの１−エ
チニル−１−シクロヘキサノール水溶液に１分間浸漬し
窒素ブローし乾燥した。乾燥直後の酸化膜の厚みをカソ
ード還元法により測定したところ、酸化膜は生成してい
なかった。また、乾燥後５時間経過した後でも、酸化膜
は亜酸化銅が２.０Å程度しか生成していなかった。乾
燥した銅膜の施されたシリコンウエハについて、パージ
アンドトラップＧＣ−ＭＳ分析、銅表面についてＦＴ−
ＩＲ分析を行ったが、使用したアセチレンアルコール由
来の有機物は検出されなかった。
後、速やかに純水洗浄を行い、１０００ｐｐｍの１−エ
チニル−１−シクロヘキサノール水溶液に１分間浸漬し
窒素ブローし乾燥した。乾燥直後の酸化膜の厚みをカソ
ード還元法により測定したところ、酸化膜は生成してい
なかった。また、乾燥後５時間経過した後でも、酸化膜
は亜酸化銅が２.０Å程度しか生成していなかった。乾
燥した銅膜の施されたシリコンウエハについて、パージ
アンドトラップＧＣ−ＭＳ分析、銅表面についてＦＴ−
ＩＲ分析を行ったが、使用したアセチレンアルコール由
来の有機物は検出されなかった。
【００２１】実施例３ 銅が製膜されたシリコンウエハに電解銅メッキを施し、
水洗浄した後、１０００ｐｐｍの３，５−ジメチル−１
−ヘキシン−３−オール水溶液に５分間浸漬し、真空下
１００℃で乾燥した。乾燥直後の酸化膜の厚みをカソー
ド還元法により測定したところ、酸化膜は生成していな
かった。また、乾燥後５時間経過した後でも、酸化膜は
亜酸化銅が３.０Å程度しか生成していなかった。乾燥
した銅膜の施されたシリコンウエハについて、パージア
ンドトラップＧＣ−ＭＳ分析、高精度昇温脱離ガス分
析、銅表面についてＦＴ−ＩＲ分析を行ったが、使用し
たアセチレンアルコール由来の有機物は検出されなかっ
た。
水洗浄した後、１０００ｐｐｍの３，５−ジメチル−１
−ヘキシン−３−オール水溶液に５分間浸漬し、真空下
１００℃で乾燥した。乾燥直後の酸化膜の厚みをカソー
ド還元法により測定したところ、酸化膜は生成していな
かった。また、乾燥後５時間経過した後でも、酸化膜は
亜酸化銅が３.０Å程度しか生成していなかった。乾燥
した銅膜の施されたシリコンウエハについて、パージア
ンドトラップＧＣ−ＭＳ分析、高精度昇温脱離ガス分
析、銅表面についてＦＴ−ＩＲ分析を行ったが、使用し
たアセチレンアルコール由来の有機物は検出されなかっ
た。
【００２２】比較例１ 実施例１におけるアセチレンアルコール処理を行わずに
窒素ブロー乾燥乾燥を行った以外は実施例１と同様に行
った。この時の乾燥直後の酸化膜の厚みをカソード還元
法により測定したところ、酸化膜は亜酸化銅が１５Å生
成していた。
窒素ブロー乾燥乾燥を行った以外は実施例１と同様に行
った。この時の乾燥直後の酸化膜の厚みをカソード還元
法により測定したところ、酸化膜は亜酸化銅が１５Å生
成していた。
【００２３】
【発明の効果】本発明の方法によると銅配線パターンを
形成する半導体製造プロセスにおいて、水洗浄工程およ
び乾燥工程時に生じる銅の酸化を効果的に防止でき、使
用したアセチレンアルコールが銅表面から除去されるま
では銅の酸化を抑制する。アセチレンアルコールの除去
は加熱処理あるいは減圧処理等の簡単な処理で行うこと
ができ、これにより清浄な銅表面を得ることが可能とな
った。
形成する半導体製造プロセスにおいて、水洗浄工程およ
び乾燥工程時に生じる銅の酸化を効果的に防止でき、使
用したアセチレンアルコールが銅表面から除去されるま
では銅の酸化を抑制する。アセチレンアルコールの除去
は加熱処理あるいは減圧処理等の簡単な処理で行うこと
ができ、これにより清浄な銅表面を得ることが可能とな
った。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 健一 神奈川県足柄上郡山北町岸950番地 三菱 瓦斯化学株式会社山北工場内 Ｆターム(参考） 5F033 HH11 PP27 QQ91 XX20
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に銅を材料とした配線層を
形成し、次いで炭素数３〜１０のアセチレンアルコール
類を含有する水溶液で処理した後、乾燥することを特徴
とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 アセチレンアルコール類が、１−エチニ
ル−１−シクロヘキサノールである請求項１記載の半導
体素子の製造方法。 - 【請求項３】 炭素数３〜１０のアセチレンアルコール
類を含有する水溶液からなる半導体素子製造用の乾燥前
処理液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000362346A JP4742417B2 (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000362346A JP4742417B2 (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164315A true JP2002164315A (ja) | 2002-06-07 |
| JP4742417B2 JP4742417B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=18833640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000362346A Expired - Lifetime JP4742417B2 (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4742417B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010026981A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅配線表面保護液および半導体回路素子の製造方法 |
| KR20110088496A (ko) | 2008-09-19 | 2011-08-03 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 구리 배선 표면 보호액 및 반도체 회로의 제조 방법 |
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