KR970016836A - 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법 - Google Patents

포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970016836A
KR970016836A KR1019960042177A KR19960042177A KR970016836A KR 970016836 A KR970016836 A KR 970016836A KR 1019960042177 A KR1019960042177 A KR 1019960042177A KR 19960042177 A KR19960042177 A KR 19960042177A KR 970016836 A KR970016836 A KR 970016836A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
component
weight
liquid composition
stripping method
Prior art date
Application number
KR1019960042177A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0173090B1 (ko
Inventor
다께시 나가따
사또시 와따나베
가쯔야 다께무라
쯔네히로 니시
시게히로 나구라
아끼노부 다나까
요시오 가와이
시로오 탄
신지 사카구찌
야수마사 카와베
마사히또 다나베
가즈마사 와끼야
마사까즈 고바야시
도시마사 나까야마
Original Assignee
카나가와 치히로
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
고시마 히또시
니뽄 덴신 덴와 가부시끼가이샤
무네유키 마사유키
후지샤신휘루무 카부시키가이샤
나까네 히사시
도오꾜 오오까 고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=17570391&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR970016836(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 카나가와 치히로, 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤, 고시마 히또시, 니뽄 덴신 덴와 가부시끼가이샤, 무네유키 마사유키, 후지샤신휘루무 카부시키가이샤, 나까네 히사시, 도오꾜 오오까 고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 카나가와 치히로
Publication of KR970016836A publication Critical patent/KR970016836A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0173090B1 publication Critical patent/KR0173090B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 (a) 히드록실아민류 2 내지 30중량% (b) 물 2 내지 35중량% (c) 25℃의 수용액에 있어서 산해리 정수 (PKa)가 7.5 내지 13인 아민류 2 내지 20중량% (d) 수용성 유기 용매 35 내지 80중량% 및 (e) 방식제 2 내지 20중량%로 이어진 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리 방법이다.
본 발명에 의해, 보다 과혹한 조건의 드라이 에칭, 앗싱, 이온 주입등웨 처리에 의해 형성된 변질막의 박리성에 우수하며, Al 또는 Al 합금이 형성된 기판, 또는 Ti가 형성된 기판의 양자에 대한 부식방지효과에 우수한 레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리 방법에 제공이 된다.

Description

포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (18)

  1. (a) 히드록실아민류 2 내지 30중량% (b) 물 2 내지 35중량%, (c) 25℃의 수용액에 있어서 산해리정수(pKa)가 7.5 내지 13인 아민류 2 내지 20중량% (d) 수용성 유기 용매 35 내지 80중량% 및 (e) 방식제 2 내지 20중량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (a) 성분이 히드록실아민(NH2OH)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  3. 제1항에 있어서, (c) 성분에 있어서 산해리정수 (pKa)가 8.5 내지 11.5인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  4. 제1항에 있어서, (c) 성분은 모노에탄올아민, 2 - (2 - 아미노에톡시)에탄올, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 시클로헥실아민, 피페라딘 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  5. 제4항에 있어서, (c) 성분이 트리에틸렌테트라민인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  6. 제1항에 있어서, (d) 성분이 디메틸술폭시드, 디메틸이미다졸리디논, N - 메틸 - 2 - 피롤리돈, 부틸카르비톨 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  7. 제6항에 있어서, (d) 성분이 디메틸술폭시드인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  8. 제1항에 있어서, (e) 성분이 피로카테콜, 2 - 부틴 - 1,4 - 디올, 벤조트리아졸, 살리실산중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  9. 제8항에 있어서, (e) 성분이 피로카테콜인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  10. (I) 티탄층을 가지는 기판상에 포토레지스트층을 설치하는 공정, (II) 그 포토레지스트층을 노광, 현상하여 포토레지스트패턴을 설치하는 공정, (III) 그 포토레지스트패턴을 드라이에칭한 후, 이어서 불필요한 포토레지스트 및 포토레지스트 변질막을 박리 처리하는 공정으로 이루어진 포토레지스트 박리 방법에 있어서, 불필요한 포토레지스트 및 포토레지스트 변질막을 박리 처리하는 박리액은, (a) 히드록실아민류 2 내지 30중량%, (b) 물 2 내지 35중량% (c) 25℃의 수용액 있어서 산해리 정수 (pKa)가 7.5 내지 13인 아민류 25 내지 20중량% (d) 수용성 유기 용매 35 내지 80중량%, 및 (e) 방식제 2 내지 20중량% 이루어진 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  11. 제10항에 있어서, (a) 성분이 히드록실아민(NH2OH)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  12. 제10항에 있어서, (c) 성분에 있어서 산해리정수 (pKa)가 8.5 내지 11.5인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  13. 제10항에 있어서, (c) 성분은 모노에탄올아민, 2 - (2 - 아미노에톡시)에탄올, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 시클로헥실아민, 피페라딘 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
  14. 제13항에 있어서, (c) 성분이 트리에틸렌테트라민인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  15. 제10항에 있어서, (d) 성분인 디메틸술폭시드, 디메틸이미다졸리디논, N - 메틸 - 2 - 피롤리돈, 부틸카르비톨 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  16. 제15항에 있어서, (d) 성분이 디메틸술폭시드인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  17. 제10항에 있어서, (e) 성분은 피로카테콜, 2 - 부틴 - 1,4 - 디올, 벤조트리아졸 살리실산의 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  18. 제17항에 있어서, (e) 성분이 피로카테콜인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960042177A 1995-09-29 1996-09-24 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법 KR0173090B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-263457 1995-09-18
JP95-241895 1995-09-20
JP95-276504 1995-09-29
JP7276504A JP2911792B2 (ja) 1995-09-29 1995-09-29 レジスト用剥離液組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970016836A true KR970016836A (ko) 1997-04-28
KR0173090B1 KR0173090B1 (ko) 1999-03-20

Family

ID=17570391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960042177A KR0173090B1 (ko) 1995-09-29 1996-09-24 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5795702A (ko)
JP (1) JP2911792B2 (ko)
KR (1) KR0173090B1 (ko)
TW (1) TW425493B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100398996B1 (ko) * 2000-06-15 2003-09-22 가오가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법
KR100842072B1 (ko) * 2001-05-31 2008-06-30 에스케이케미칼주식회사 포토레지스트 제거액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트제거 방법

Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040018949A1 (en) * 1990-11-05 2004-01-29 Wai Mun Lee Semiconductor process residue removal composition and process
US7205265B2 (en) 1990-11-05 2007-04-17 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions and methods of use thereof
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US7144849B2 (en) * 1993-06-21 2006-12-05 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
US7534752B2 (en) * 1996-07-03 2009-05-19 Advanced Technology Materials, Inc. Post plasma ashing wafer cleaning formulation
JP3755776B2 (ja) * 1996-07-11 2006-03-15 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法
JPH10239865A (ja) * 1997-02-24 1998-09-11 Jsr Corp ネガ型フォトレジスト用剥離液組成物
US6268323B1 (en) 1997-05-05 2001-07-31 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
JP3773227B2 (ja) 1997-10-16 2006-05-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法
US5997658A (en) * 1998-01-09 1999-12-07 Ashland Inc. Aqueous stripping and cleaning compositions
US6432209B2 (en) * 1998-03-03 2002-08-13 Silicon Valley Chemlabs Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates
KR100287173B1 (ko) * 1998-03-13 2001-06-01 윤종용 포토레지스트제거방법및이들을이용한반도체장치의제조방법
KR100610387B1 (ko) 1998-05-18 2006-08-09 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 초소형 전자 기판 세정용 실리케이트 함유 알칼리성 조성물
KR100288769B1 (ko) * 1998-07-10 2001-09-17 윤종용 포토레지스트용스트리퍼조성물
US6174819B1 (en) * 1998-07-21 2001-01-16 Advanced Micro Devices, Inc. Low temperature photoresist removal for rework during metal mask formation
KR100268108B1 (ko) * 1998-08-25 2000-12-01 윤종용 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
TW546553B (en) * 1998-12-25 2003-08-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same
KR100286860B1 (ko) * 1998-12-31 2001-07-12 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
US6375859B1 (en) 1999-02-04 2002-04-23 International Business Machines Corporation Process for resist clean up of metal structures on polyimide
JP4224652B2 (ja) * 1999-03-08 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
US7129199B2 (en) * 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US7521405B2 (en) * 2002-08-12 2009-04-21 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
TWI270749B (en) 1999-06-07 2007-01-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same
US6200940B1 (en) * 1999-07-19 2001-03-13 Napier International Technologies, Inc. Paint stripper compositions
AU6530000A (en) * 1999-08-19 2001-03-19 Ashland Inc. Stripping and cleaning compositions
US6723691B2 (en) * 1999-11-16 2004-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
JP2001183850A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Sumitomo Chem Co Ltd 剥離剤組成物
JP2001183849A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
JP3514435B2 (ja) * 1999-12-28 2004-03-31 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
US6207350B1 (en) * 2000-01-18 2001-03-27 Headway Technologies, Inc. Corrosion inhibitor for NiCu for high performance writers
KR100356987B1 (ko) * 2000-01-22 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 열경화성 수지 제거용 조성물
US6475966B1 (en) 2000-02-25 2002-11-05 Shipley Company, L.L.C. Plasma etching residue removal
US6531436B1 (en) * 2000-02-25 2003-03-11 Shipley Company, L.L.C. Polymer removal
TWI229123B (en) 2000-03-03 2005-03-11 Nec Electronics Corp Anticorrosive treating concentrate
KR100363271B1 (ko) * 2000-06-12 2002-12-05 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
US6992050B2 (en) * 2000-06-28 2006-01-31 Nec Corporation Stripping agent composition and method of stripping
JP2002016034A (ja) 2000-06-30 2002-01-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
US6455479B1 (en) * 2000-08-03 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Stripping composition
JP3738996B2 (ja) * 2002-10-10 2006-01-25 東京応化工業株式会社 ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP4742417B2 (ja) * 2000-11-29 2011-08-10 三菱瓦斯化学株式会社 半導体素子の製造方法
TW573217B (en) * 2000-12-27 2004-01-21 Sumitomo Chemical Co Remover composition
JP2002303993A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6861210B2 (en) 2001-05-21 2005-03-01 Dongjin Semichen Co., Ltd. Resist remover composition
WO2002095502A1 (en) 2001-05-21 2002-11-28 Dongjin Semichem Co., Ltd. Resist remover composition
JP4810764B2 (ja) * 2001-06-29 2011-11-09 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤組成物
KR100468714B1 (ko) * 2001-07-03 2005-01-29 삼성전자주식회사 레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법
TWI297102B (en) * 2001-08-03 2008-05-21 Nec Electronics Corp Removing composition
KR100434491B1 (ko) 2001-08-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 레지스트 또는 식각 부산물 제거용 조성물 및 이를 이용한레지스트 제거 방법
KR100598005B1 (ko) * 2001-10-05 2006-07-13 요코하마 티엘오 가부시키가이샤 반응현상 화상형성법
KR100438015B1 (ko) * 2001-10-10 2004-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리용 레지스트 제거용 조성물
KR101017738B1 (ko) * 2002-03-12 2011-02-28 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물
US6677286B1 (en) * 2002-07-10 2004-01-13 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions for removing etching residue and use thereof
JP2005535784A (ja) * 2002-08-19 2005-11-24 伊默克化學科技股▲ふん▼有限公司 清浄液
JP4282054B2 (ja) * 2002-09-09 2009-06-17 東京応化工業株式会社 デュアルダマシン構造形成プロセスに用いられる洗浄液および基板の処理方法
KR100503231B1 (ko) * 2002-10-22 2005-07-22 주식회사 엘지화학 반도체 및 tft-lcd용 세정제 조성물
KR20040037643A (ko) * 2002-10-29 2004-05-07 동우 화인켐 주식회사 후-스트립 세정제 조성물 및 그를 이용한 포토레지스트스트립 공정 후의 반도체 소자 또는 액정표시소자의 세정방법
KR100520397B1 (ko) * 2002-10-29 2005-10-11 동우 화인켐 주식회사 후-스트립 세정제 조성물 및 그를 이용한 포토레지스트스트립 공정 후의 반도체 소자 또는 액정표시소자의 세정방법
KR20040098179A (ko) * 2003-05-14 2004-11-20 리퀴드테크놀로지(주) 감광성 내식각막의 잔사제거 조성물
US6951710B2 (en) * 2003-05-23 2005-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof
US7384900B2 (en) * 2003-08-27 2008-06-10 Lg Display Co., Ltd. Composition and method for removing copper-compatible resist
JP4405767B2 (ja) * 2003-08-28 2010-01-27 ソニー株式会社 銀及び/又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置
US6946396B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Nissan Chemical Indusries, Ltd. Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer
JP2005173369A (ja) 2003-12-12 2005-06-30 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターンの剥離方法
CN1690120A (zh) * 2004-03-01 2005-11-02 三菱瓦斯化学株式会社 具有高减震能力的树脂组合物
US8178482B2 (en) * 2004-08-03 2012-05-15 Avantor Performance Materials, Inc. Cleaning compositions for microelectronic substrates
JP3994992B2 (ja) * 2004-08-13 2007-10-24 三菱瓦斯化学株式会社 シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
KR101136026B1 (ko) * 2004-09-24 2012-04-18 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법
US20060094612A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Mayumi Kimura Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum
US20060116313A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Denise Geitz Compositions comprising tannic acid as corrosion inhibitor
WO2006081406A1 (en) * 2005-01-27 2006-08-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
US7923423B2 (en) * 2005-01-27 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
JP4741315B2 (ja) * 2005-08-11 2011-08-03 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. ポリマー除去組成物
DE602006017559D1 (de) 2005-08-13 2010-11-25 Techno Semichem Co Ltd Fotoresist-entfernungszusammensetzung für die halbleiterherstellung
US20100256034A1 (en) * 2005-09-22 2010-10-07 Pantheon Chemical, Inc. Copper chelating agent, composition including the agent, and methods of forming and using the agent and composition
US7879782B2 (en) * 2005-10-13 2011-02-01 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous cleaning composition and method for using same
US20070243773A1 (en) * 2005-10-28 2007-10-18 Phenis Michael T Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US7632796B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US8263539B2 (en) * 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
JP2010535422A (ja) * 2007-08-02 2010-11-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物
US7655608B2 (en) * 2007-08-03 2010-02-02 Dynaloy, Llc Reduced metal etch rates using stripper solutions containing a copper salt
CN101364056A (zh) * 2007-08-10 2009-02-11 安集微电子(上海)有限公司 一种光刻胶清洗剂
US8551682B2 (en) * 2007-08-15 2013-10-08 Dynaloy, Llc Metal conservation with stripper solutions containing resorcinol
JP5263167B2 (ja) * 2007-09-18 2013-08-14 宇部興産株式会社 置換ケトン化合物又はその誘導体を含有する防食剤或いは剥離剤、及びその製造方法
KR101488265B1 (ko) * 2007-09-28 2015-02-02 삼성디스플레이 주식회사 박리 조성물 및 박리 방법
TWI450052B (zh) * 2008-06-24 2014-08-21 Dynaloy Llc 用於後段製程操作有效之剝離溶液
TWI539493B (zh) 2010-03-08 2016-06-21 黛納羅伊有限責任公司 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物
US8449681B2 (en) 2010-12-16 2013-05-28 Intermolecular, Inc. Composition and method for removing photoresist and bottom anti-reflective coating for a semiconductor substrate
US8889609B2 (en) * 2011-03-16 2014-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations
US8987181B2 (en) 2011-11-08 2015-03-24 Dynaloy, Llc Photoresist and post etch residue cleaning solution
JP5437541B1 (ja) 2012-06-26 2014-03-12 野村マイクロ・サイエンス株式会社 レジスト剥離剤
US9029268B2 (en) 2012-11-21 2015-05-12 Dynaloy, Llc Process for etching metals
US9158202B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
JP5995092B2 (ja) * 2013-02-20 2016-09-21 荒川化学工業株式会社 ポリアミドイミド樹脂除去用の洗浄剤組成物
US9834746B2 (en) 2013-10-21 2017-12-05 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning formulations for removing residues on surfaces
KR102573354B1 (ko) 2013-12-06 2023-08-30 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 표면 잔류물 제거용 세정 제형
US9085542B1 (en) 2014-06-12 2015-07-21 General Electric Company Method for synthesis of N-methyl piperazine diphenolamide and related composition
US10377978B2 (en) 2014-11-13 2019-08-13 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Alkaline earth metal-containing cleaning solution for cleaning semiconductor element, and method for cleaning semiconductor element using same
TWI710839B (zh) 2015-02-17 2020-11-21 日商富士軟片股份有限公司 薄膜電晶體基板的製造方法、有機電致發光顯示裝置及其製法、液晶顯示裝置及其製法
KR20170002932A (ko) 2015-06-30 2017-01-09 동우 화인켐 주식회사 스트리퍼 조성액
CN108026491B (zh) 2015-08-03 2021-08-13 富士胶片电子材料美国有限公司 清洁组合物
KR102398755B1 (ko) * 2015-10-05 2022-05-18 주식회사 이엔에프테크놀로지 포토레지스트 박리액 조성물
CN107995960B (zh) * 2016-09-30 2019-03-12 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
JP2020508369A (ja) * 2017-02-10 2020-03-19 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 洗浄用調合物
CN111902379B (zh) 2018-03-28 2023-02-17 富士胶片电子材料美国有限公司 清洗组合物
KR102224907B1 (ko) 2018-04-17 2021-03-09 엘티씨 (주) 드라이필름 레지스트 박리액 조성물
CN109407478A (zh) * 2018-12-26 2019-03-01 李晨阳 Poly-270剥离清洗液及其制备方法
JP6688978B1 (ja) * 2019-03-25 2020-04-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 レジスト剥離液

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4617251A (en) * 1985-04-11 1986-10-14 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Stripping composition and method of using the same
US5102777A (en) * 1990-02-01 1992-04-07 Ardrox Inc. Resist stripping
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US5419779A (en) * 1993-12-02 1995-05-30 Ashland Inc. Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine
JP3406055B2 (ja) * 1994-03-31 2003-05-12 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト用剥離液
US5597678A (en) * 1994-04-18 1997-01-28 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5561105A (en) * 1995-05-08 1996-10-01 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chelating reagent containing photoresist stripper composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100398996B1 (ko) * 2000-06-15 2003-09-22 가오가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법
KR100842072B1 (ko) * 2001-05-31 2008-06-30 에스케이케미칼주식회사 포토레지스트 제거액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트제거 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0173090B1 (ko) 1999-03-20
JPH0996911A (ja) 1997-04-08
TW425493B (en) 2001-03-11
JP2911792B2 (ja) 1999-06-23
US5795702A (en) 1998-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970016836A (ko) 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법
US6372050B2 (en) Non-corrosive stripping and cleaning composition
CN101454872B (zh) 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法
US5308745A (en) Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
KR100714951B1 (ko) 수성 박리 및 세정 조성물
KR100504979B1 (ko) 비부식성 스트리핑 및 세정 조성물
KR880002247B1 (ko) 제막(際膜)조성물 및 내식막(耐蝕膜) 제거방법
US20060014110A1 (en) Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same
KR950018340A (ko) 히드록실아민 및 알카놀아민을 포함하는 수성 스트립핑 조성물 및 그 사용방법
JP3514435B2 (ja) ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
JPH09197681A (ja) レジスト用剥離液組成物
CN105659167A (zh) 抗蚀剂剥离液
JPH04124668A (ja) レジスト用剥離剤組成物
JP2006343604A (ja) ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の処理方法
JP2002357908A (ja) ホトレジスト用剥離液
JP3255623B2 (ja) レジスト用剥離液組成物
JP2001022096A (ja) ポジ型レジスト用剥離液
JP2000089481A (ja) 剥離剤組成物
JP2000089480A (ja) 剥離剤組成物
JP2006119341A (ja) ホトレジスト用剥離液
JP2002296804A (ja) レジスト用剥離液およびこれを用いたレジスト剥離方法
JP2006178347A (ja) レジスト剥離剤
JP2003207906A (ja) 使用済レジスト用剥離液中のシアン化合物の除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131001

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141007

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151002

Year of fee payment: 18

EXPY Expiration of term