JP4442415B2 - レジスト剥離剤 - Google Patents
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Description
MEA:モノエタノールアミン
EDA−4PO:N,N,N’,N’−テトラキス(ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン
EDA−4EO:N,N,N’,N’−テトラキス(ヒドロキシエチル)エチレンジアミン
γ−BL:γ−ブチロラクトン
DMSO:ジメチルスルホキシド
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
実施例1〜4、比較例1〜2
シリコンウエハ上に、市販のポジ型フォトレジストを2μmの厚みで塗布し、プリベークした。次いで、マスクパターンを介して露光し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドで現像した。このシリコンウエハを表1に示す剥離剤に25℃、10分浸漬し、その後1分水洗いし、乾燥した。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストの剥離性を調べた。レジスト剥離性は剥離できたレジストの比率をレジスト剥離率として示した。また、銅又は銅−アルミニウムを蒸着したシリコンウエハをそれぞれ25℃で10分間、表1に示す剥離剤に浸漬し、それぞれ金属の膜の厚さをシート抵抗値で測定した。浸漬前後の膜厚差から銅又は銅−アルミニウムの腐食速度を調べた。
Claims (4)
- N,N,N’,N’−テトラキス(ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンを含んでなるレジスト剥離剤。
- 水溶性有機溶媒をさらに含んでなる請求項1記載のレジスト剥離剤。
- 水溶性有機溶媒がスルホキシド類、スルホン類、ラクトン類、アミド類、ラクタム類、イミダゾリジノン類、グリコール類、グリコールエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項2記載のレジスト剥離剤。
- 銅及び/又はアルミニウムを含んでなる配線プロセスのレジスト剥離に用いられる請求項1〜請求項3記載のレジスト剥離剤。
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