JP4773562B2 - フォトレジスト用ストリッパー組成物 - Google Patents

フォトレジスト用ストリッパー組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP4773562B2
JP4773562B2 JP2009513051A JP2009513051A JP4773562B2 JP 4773562 B2 JP4773562 B2 JP 4773562B2 JP 2009513051 A JP2009513051 A JP 2009513051A JP 2009513051 A JP2009513051 A JP 2009513051A JP 4773562 B2 JP4773562 B2 JP 4773562B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
copper
photoresist
substrate
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009513051A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009538456A (ja
Inventor
ハン、ヒ
パク、ミン−チョン
キム、キュン−チュン
ソ、サン−ウ
クォン、ヒョク−チュン
アン、キョン−ホ
チェ、ピュン−キュ
ミン、サン−チュン
ファン、チ−ヨン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Publication of JP2009538456A publication Critical patent/JP2009538456A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4773562B2 publication Critical patent/JP4773562B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H01L21/30617—Anisotropic liquid etching

Description

本発明はフォトレジストストリッパー組成物に関するものである。
本出願は２００６年５月２６日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２００６−００４７６６８号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
半導体集積回路または液晶表示素子の微細回路製造工程は、基板上に形成されたアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金などの導電性金属膜、またはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁膜にフォトレジストを均一に塗布し、それを選択的に露光、現像処理してフォトレジストパターンを形成した後、パターン化されたフォトレジスト膜をマスクとし、前記導電性金属膜や絶縁膜を湿式または乾式でエッチングして微細回路パターンをフォトレジスト下部層に転写した後、不要となったフォトレジスト層をストリッパー（剥離液）で除去する工程で行われる。
前記半導体素子および液晶表示素子製造用フォトレジストを除去するためのストリッパーが備えなければならない基本特性は次の通りである。
先ず、低温で短時間内にフォトレジストを剥離すべきであり、洗浄後、基板上にフォトレジスト残留物を残してはいけない優れた剥離能力を有すべきである。また、フォトレジスト下部層の金属膜や絶縁膜を損傷してはいけない低腐食性を有すべきである。また、ストリッパーをなす溶剤間に相互反応が起これば、ストリッパーの保管安定性が問題となり、ストリッパー製造時の混合順に応じて他の物性を示し得るため、混合溶剤間の無反応性および高温安定性を有すべきである。また、作業者の安全や廃棄処理時の環境問題を考慮して低毒性でなければならない。また、高温工程においてフォトレジスト剥離が進行される場合、揮発が多く起きれば構成成分比が速く変わってストリッパーの工程安定性や作業再現性が低下するために低揮発性でなければならない。また、一定ストリッパー量で処理できる基板数が多いべきであり、ストリッパーを構成する成分の入手が容易で且つ低価で、廃ストリッパーの再処理を通じたリサイクルが可能で、経済性があるべきである。
このような条件を充足させるために様々なフォトレジスト用ストリッパー組成物が開発されており、具体的な例としては次のようなものがある。
初期に開発されたフォトレジストストリッパー組成物の例として、日本特開昭５１−７２５０３号（特許文献１）には炭素数１０〜２０のアルキルベンゼンスルホン酸と沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素を含むストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭５７−８４４５６号（特許文献２）にはジメチルスルホキシドまたはジエチルスルホキシド、および有機スルホン化合物からなるストリッパー組成物が記載されている。また、米国特許第４，２５６，２９４号（特許文献３）にはアルキルアリールスルホン酸、炭素数６〜９の親水性芳香族スルホン酸および沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素からなるストリッパー組成物が記載されている。しかし、前記組成物はアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金などの導電性金属膜に対する腐食が激しく、強毒性および環境汚染問題などのためにその使用に困るものであった。
このような問題点を解決するために、水溶性アルカノールアミンを必須成分とし、色々な有機溶剤を混合して製造したストリッパー組成物が提案されており、その例としては次のようなものがある。
米国特許第４，６１７，２５１号（特許文献４）にはモノエタノールアミン（ＭＥＡ）、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）などの有機アミン化合物；およびジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、カルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）などの極性溶剤からなる２成分系ストリッパー組成物が記載されている。米国特許第４，７７０，７１３号（特許文献５）には有機アミン化合物；およびＮ−メチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルプロピオンアミド、ジエチルアセトアミド（ＤＥＡｃ）、ジプロピルアセトアミド（ＤＰＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルブチルアミドなどのアミド溶剤からなる２成分系ストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭６２−４９３５５号（特許文献６）にはアルカノールアミンおよびエチレンジアミンにエチレンオキシドを導入したアルキレンポリアミンスルホン化合物とグリコールモノアルキルエーテルとからなるストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭６３−２０８０４３号（特許文献７）には水溶性アルカノールアミンと１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）を含有したストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭６３−２３１３４３号（特許文献８）にはアミン化合物、極性溶剤類および界面活性剤からなるポジ型フォトレジスト用ストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭６４−４２６５３号（特許文献９）にはジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）５０重量％以上、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、γ−ブチロラクトンおよび１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）から選択された１種以上の溶剤１〜５０重量％、およびモノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの含窒素有機ヒドロキシ化合物からなるストリッパー組成物が記載されている。日本特開平４−１２４６６８号（特許文献１０）は有機アミン２０〜９０重量％、リン酸エステル界面活性剤０．１〜２０重量％、２−ブチン−１，４−ジオール０．１〜２０重量％、ジエチレングリコールジアルキルエーテルと非プロトン性極性溶剤類からなるストリッパー組成物を開示している。ここで、２−ブチン−１，４−ジオールおよびリン酸エステル界面活性剤は剥離特性を減少させない範囲内で金属層が腐食されることを防止するために添加された。しかし、このようなフォトレジストストリップ用組成物はアルミニウムおよびアルミニウム合金膜に対する腐食防止力が弱いためにストリップ工程中に深刻な腐食をもたらし、後工程であるゲート絶縁膜の蒸着時に不良をもたらす問題がある。
また、日本特開平４−３５０６６０号（特許文献１１）には１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水溶性有機アミンからなるストリッパー組成物が記載されており、日本特開平５−２８１７５３号（特許文献１２）にはアルカノールアミン、スルホン化合物またはスルホキシド化合物、（Ｃ6Ｈ6）n（ＯＨ）n（この時、ｎは１、２または３の整数）のヒドロキシ化合物を含むストリッパー組成物が記載されている。日本特開平８−８７１１８号（特許文献１３）にはＮ−アルキルアルカノールアミン５０〜９０重量％、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）５０〜１０重量％を含むストリッパー組成物が記載されている。しかし、最近の液晶表示素子および半導体素子製造工程では、ガラス基板とシリコンウェハー基板を１２０℃以上の高温で処理するなどの工程条件が厳しくなるにつれて、フォトレジストが高温でポストベーク（ｐｏｓｔｂａｋｅ）される場合が多く、このために変質硬化の程度が酷くなって、前述したストリッパー組成物によっては完全に除去できない問題がある。
前記高温工程を経て硬化されたフォトレジストを完全に除去するための組成物として、水および／またはヒドロキシルアミン化合物を含むフォトレジストストリッパー組成物が提案されたことがある。その例を紹介すれば、日本特開平４−２８９８６６号（特許文献１４）にはヒドロキシルアミン類、アルカノールアミン類および水からなるストリッパー組成物が記載されており、日本特開平６−２６６１１９号（特許文献１５）にはヒドロキシルアミン類、アルカノールアミン類、水および防食剤からなるストリッパー組成物が記載されている。また、日本特開平７−６９６１８号（特許文献１６）にはγ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）などの非プロトン性極性溶剤、２−メチルアミノエタノール（Ｎ−ＭＡＥ）を含むアミノアルコールおよび水を一定比率で含有するストリッパー組成物が記載されている。また、日本特開平８−１２３０４３号（特許文献１７）にはアミノアルコール、水およびジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ）などのグリコールアルキルエーテルからなるストリッパー組成物が記載されている。日本特開平８−２６２７４６号（特許文献１８）にはアルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類、グリコールモノアルキルエーテル、糖化合物、第４級アンモニウム水酸化物および水からなるストリッパー組成物が記載されており、日本特開平９−１５２７２１号（特許文献１９）にはアルカノールアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、防食剤としてソルビトールなどの糖化合物および水を含有したストリッパー組成物が記載されている。日本特開平９−９６９１１号（特許文献２０）にはヒドロキシルアミン類、水、酸解離定数（ｐＫａ）が７．５〜１３であるアミン類、水溶性極性有機溶剤および防食剤からなるストリッパー組成物が記載されている。しかし、前記ストリッパー組成物は苛酷な高温工程、乾式エッチング、エッチングおよびイオン注入工程によって変質し、架橋硬化されたフォトレジスト膜とエッチング工程において金属性副産物と反応して生成されるフォトレジストエッチング残留物に対する剥離力およびフォトレジストの導電性下部膜であるアルミニウムおよびアルミニウム合金膜の腐食防止性能面で充分ではない問題がある。また、高温条件でヒドロキシルアミン化合物は不安定であり、時間が経つにつれて分解される問題点がある。
前記のような様々なストリッパー組成物は、構成成分と成分間の含量比に応じ、フォトレジスト剥離性、金属腐食性、剥離後の洗浄工程の多様性、作業再現性および保管安定性、経済性の面で顕著に違いがあり、様々な工程条件に対して最適性能を有する経済的なストリッパー組成物の開発が相変わらずに求められている。
一方、液晶表示装置が大型化し大量生産がなされることにより、ストリッパーの使用量が多い浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）方式よりも、１枚ずつ処理する枚葉式（ｓｉｎｇｌｅ ｗａｆｅｒ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｍｅｔｈｏｄ）設備を用いたフォトレジストの剥離が一般化しており、該設備に適したストリッパー組成物が紹介されている。
例えば、大韓民国特許公開第２０００−８１０３号（特許文献２１）には５〜１５重量％のアルカノールアミン、３５〜５５重量％のスルホキシドまたはスルホン化合物および３５〜５５重量％のグリコールエーテルを含むストリッパー組成物が記載されている。大韓民国特許公開第２０００−８５５３号（特許文献２２）には１０〜３０重量％の水溶性アミン化合物、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルとＮ−アルキルピロリジノン、またはヒドロキシアルキルピロリジノンの総含量が７０〜９０重量％であることを特徴とするストリッパー組成物が記載されている。しかし、前記組成物は金属腐食性は低いものの低温剥離力が多少弱い短所がある。
一方、リフト−オフ方式はフォトレジストを全面塗布した後に所望のパターニングをした後、その上に金属膜またはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜を蒸着した後にフォトレジストを除去する方法をいう。よって、薄膜をパターニングするエッチング工程が１つ減る長所がある。しかし、最も大きい問題はフォトレジストが全面に露出されていないためにフォトレジスト剥離工程に多くの時間がかかる。
特開昭５１−７２５０３号公報 特開昭５７−８４４５６号公報 米国特許第４，２５６，２９４号明細書 米国特許第４，６１７，２５１号明細書 米国特許第４，７７０，７１３号明細書 特開昭６２−４９３５５号公報 特開昭６３−２０８０４３号公報 特開昭６３−２３１３４３号公報 特開昭６４−４２６５３号公報 特開平４−１２４６６８号公報 特開平４−３５０６６０号公報 特開平５−２８１７５３号公報 特開平８−８７１１８号公報 特開平４−２８９８６６号公報 特開平６−２６６１１９号公報 特開平７−６９６１８号公報 特開平８−１２３０４３号公報 特開平８−２６２７４６号公報 特開平９−１５２７２１号公報 特開平９−９６９１１号公報 大韓民国特許公開第２０００−８１０３号公報 大韓民国特許公開第２０００−８５５３号公報
また、前記で列挙した全ての組成物はリフト−オフ方式においてフォトレジスト剥離時間が１０分以上であり、その適用配線がアルミニウム配線、または銅配線から腐食が発生する短所がある。
本発明者らは、一般的なフォトレジスト剥離方式だけでなく、リフト−オフ方式においてもフォトレジスト剥離時間が短く、金属膜または絶縁膜に対する腐食性が低いフォトレジスト用ストリッパー組成物について研究している間、水溶性有機アミン化合物および腐食防止剤が特定比率で含まれたフォトレジスト用ストリッパー組成物が、リフト−オフ方式においても苛酷な写真エッチング工程によって変質されたフォトレジスト膜を低温で短い時間内にきれいに剥離することができ、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく、水で洗浄してもフォトレジスト下部の導電性膜および絶縁膜に損傷を与えず、フォトレジスト下部の導電性金属膜または絶縁膜に対する腐食防止力に優れていることを確認して本発明を完成した。
そこで、本発明は、フォトレジストの剥離力に優れ、導電性膜および絶縁膜に対する損傷または腐食防止力に優れたフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供しようとする。
また、本発明は、前記フォトレジスト用ストリッパー組成物を用いるフォトレジストの剥離方法を提供しようとする。
また、本発明は、前記フォトレジストの剥離方法を含んで製造される液晶表示装置の製造方法または半導体素子の製造方法を提供しようとする。
本発明は、
１）下記化学式１、化学式２、および化学式３で示される化合物からなる群から１種以上選択される腐食防止剤と、
２）前記１）腐食防止剤の重量対比２〜５０倍の水溶性有機アミン化合物と、
３）極性溶媒と、
を含むアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物を提供する：
Figure 0004773562
前記化学式１において、
Ｒ１およびＲ２は互いに同じでも異なっていてもよく、各々独立して水素またはヒドロキシ基であり、
Ｒ３は水素、ｔ−ブチル基、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ）、メチルエステル基（−ＣＯＯＣＨ3）、エチルエステル基（−ＣＯＯＣ2Ｈ5）またはプロピルエステル基（−ＣＯＯＣ3Ｈ7）であり、
Figure 0004773562
前記化学式２において、
Ｒ４は水素または炭素数１〜４のアルキル基であり、
Ｒ５およびＲ６は互いに同じでも異なっていてもよく、各々独立して炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基である。
Figure 0004773562
また、本発明に係るストリッパー組成物は水溶性非イオン性界面活性剤をさらに含んでもよい。
また、本発明に係る前記フォトレジスト用ストリッパー組成物は非極性溶媒をさらに含んでもよい。
本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、一般的なフォトレジスト剥離方式だけでなく、リフト−オフ方式においても苛酷な写真エッチング工程によって変質されたフォトレジスト膜を低温で短い時間内にきれいに剥離することができ、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることがなくても、フォトレジスト下部のアルミニウムまたはアルミニウム合金のような導電性膜および絶縁膜に損傷を与えず、フォトレジスト下部の銅、銅合金膜などの導電性金属膜または絶縁膜に対する腐食防止力に優れた効果があり、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板上に対するそれぞれのフォトレジスト工程に区分なく適用することができる。
以下、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物の構成成分について詳細に説明する。
本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記１）腐食防止剤としては、フォトレジスト下部層の導電性金属膜または絶縁膜が損傷しないようにする化合物を用いることが好ましい。本発明の腐食防止剤は、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく、水で洗浄してもアルミニウムまたはアルミニウム合金膜のような導電性膜または絶縁膜の腐食を防止する。
一般的に中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく直に水で洗浄すると、ストリッパー内のアミン成分が水と混合し、腐食性の強いアルカリのヒドロキシドイオンができて金属腐食を促進する。しかし、本発明では、腐食防止剤を用いることにより、アルカリ状態においてもアルミニウムと錯化合物を形成し、アルミニウムの表面に吸着し保護膜を形成して、ヒドロキシドイオンによる腐食を防止することができる。
本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記化学式１、化学式２または化学式３で示される腐食防止剤は、既に銅膜の腐食防止剤として広く用いられたベンゾトリアゾール、トリルトリアゾールなどに比べて腐食防止性能が画期的に改善され、少量を添加してもフォトレジスト下部層の銅または銅合金膜などの導電性膜の腐食を起こさないだけでなく、硬化されたフォトレジストの残留物を除去するにも非常に効果的に作用する。
また、前記化学式１、化学式２または化学式３で示される腐食防止剤の腐食防止メカニズムは次の通りである。前記化学式１で示される腐食防止剤の場合、ベンゼン環に直接置換されたヒドロキシ基がアルミニウムと吸着して塩基性溶液による金属腐食を制御する。前記化学式２または化学式３で示される腐食防止剤の場合、トリアゾール環に存在する豊富な窒素原子の非共有電子対が銅と電子的結合をして金属腐食を制御する。
本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記腐食防止剤は前記化学式１で示される化合物、および前記化学式２または化学式３で示される化合物の混合物を用いることもできる。
本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記腐食防止剤の含量は、全体組成物総重量に対し０．０１〜５重量％であることが好ましく、０．１〜１重量％であることがより好ましい。前記腐食防止剤の含量が０．０１重量％未満である場合には、剥離しようとする基板が長時間剥離液と接触する時に金属配線に部分的な腐食現象が起こり得るし、５重量％を超過する場合には、粘度が増加して剥離力を減少させ得、組成物の価格が上昇して価格対比性能面で非効率的である。
本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記２）水溶性有機アミン化合物は第１級アミノアルコール類化合物、第２級アミノアルコール類化合物および第３級アミノアルコール類化合物からなる群から１種以上選択されることが好ましい。
前記アミノアルコール類化合物の具体的な例としては、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、１−アミノイソプロパノール（ＡＩＰ）、２−アミノ−１−プロパノール、Ｎ−メチルアミノエタノール（Ｎ−ＭＡＥ）、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）、２−（２−アミノエチルアミノ）−１−エタノール、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）およびヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）からなる群から１種以上選択されることが好ましく、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）が剥離性能、腐食防止力および経済性の面に優れているためにより好ましい。
前記水溶性有機アミン化合物は、その含量が前記腐食防止剤の重量対比２〜５０倍のものを用いることができ、全体組成物総重量に対し１〜６０重量％であることが好ましく、３〜３０重量％であることがより好ましい。前記水溶性有機アミン化合物の含量が１重量％未満である場合には、変性されたフォトレジストに対する剥離力が充分ではなく、６０重量％を超過する場合には、粘度値が増加して、リフト−オフ方式においてフォトレジスト浸透力が低くて剥離時間が増加し、また、フォトレジスト下部層の導電性金属膜に対する腐食性が大きくなる問題点がある。
本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記１）腐食防止剤が２種以上の混合物である場合、前記２）水溶性有機アミン化合物は第１級アミノアルコール類化合物であることが好ましく、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）であることがより好ましい。
本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記３）極性溶媒は水と有機化合物との相溶性に優れ、フォトレジストを溶解させる溶剤の役割をする。また、ストリッパーの表面張力を低下させ、フォトレジスト膜に対する湿潤性（ｗｅｔｔｉｎｇ ｐｒｏｐｅｒｔｙ）を向上させる。
前記極性溶媒は、粘度が１ｃＰ以下であり、沸点が１５０℃以上であるものが好ましく、その具体的な例としては、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、テトラメチレンスルホン、またはこれらの混合物などが挙げられる。
前記極性溶媒の含量は、全体組成物総重量に対し１〜９５重量％であることが好ましく、３５〜９５重量％であることがより好ましく、５０〜９５重量％であることが最も好ましい。非プロトン性極性溶媒の含量が１重量％以下であれば、ストリッパーの粘度が上昇してストリッパーの剥離力が低下する短所があり、可能な限り重量範囲を増加させることが好ましい。
また、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は水溶性非イオン性界面活性剤をさらに含んでもよい。
また、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は非極性溶媒をさらに含んでもよい。
前記非極性溶媒の例としてはＢＤＧ（ブチルジグリコール）、ＥＤＧ（エチルジグリコール）、ＭＤＧ（メチルジグリコール）、ＴＥＧ（トリエチレングリコール）、ＤＥＭ（ジエチレングリコールモノエチルエーテル）などが挙げられる。
前記非極性溶媒の含量は、全体組成物総重量に対し０超過４０重量％未満の範囲であることが好ましい。前記非極性溶媒の含量は少なければ少ないほど好ましく、非極性溶媒が増加する時には剥離力が落ちて異物が発生し、フォトレジストの処理枚数量が増加するほど生産収率が減少する短所がある。
本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、フォトレジスト下部の導電性膜および絶縁膜に損傷を与えず、フォトレジスト下部の導電性金属膜または絶縁膜に対する腐食防止力に優れる。
前記導電性金属膜または絶縁膜は、アルミニウム、銅またはこれらの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であってもよく、アルミニウム、銅またはこれらの合金とネオジム、モリブデンまたはこれらの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であってもよい。
一般的に半導体素子および液晶表示素子の製造工程では１以上のフォトレジスト工程が行われる。また、基板上に形成される導電性金属膜または絶縁膜は、前述したようにアルミニウムおよび／または銅を含む単一膜であってもよく、２層以上の多層膜であってもよいが、従来にはアルミニウムを含む導電性金属膜または絶縁膜が形成された基板に対するフォトレジスト工程と、銅を含む導電性金属膜または絶縁膜が形成された基板に対するフォトレジスト工程に、各々相異なるフォトレジスト用ストリッパーを用いた。
しかし、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む導電性金属膜または絶縁膜が形成された基板に対して剥離力および腐食力に優れた特徴を有している。すなわち、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、水溶性有機アミン化合物および腐食防止剤を特定比率で含むことにより、アルミニウムおよび／または銅を含む基板上に全て適用できる統合用フォトレジスト用ストリッパー組成物であることを特徴とする。
また、本発明は、
１）基板上に形成された導電性金属膜または絶縁膜にフォトレジストを塗布するステップと、
２）前記基板にフォトレジストパターンを形成するステップと、
３）前記パターン化されたフォトレジスト膜をマスクとし、前記導電性金属膜または絶縁膜をエッチングするステップと、
４）本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物を用いてフォトレジスト層を剥離するステップと、
を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法を提供する。
また、本発明は、
１）基板上にフォトレジストを全面塗布するステップと、
２）前記基板にフォトレジストパターンを形成するステップと、
３）前記パターン化された基板に導電性金属膜または絶縁膜を蒸着するステップと、
４）本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物を用いてフォトレジストを剥離するステップと、
を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法を提供する。
前記フォトレジストの剥離方法において、前記導電性金属膜または絶縁膜はアルミニウム、銅、またはこれらの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であってもよく、アルミニウム、銅またはこれらの合金とネオジム、モリブデンまたはこれらの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であってもよい。具体的にはＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜、Ｃｕ／ＭｏＸなどが好ましい。
本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物を用いて微細回路パターンが形成された基板からフォトレジストを剥離する方法としては、多量のストリッパー液に剥離しようとする基板を同時に多枚を浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）する浸漬式と１枚ずつ剥離液を基板にスプレーしてフォトレジストを除去する枚葉式の両方を使うことができる。
本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物を用いて剥離できるフォトレジストの種類としては、ポジ型フォトレジスト、ネガ型フォトレジスト、ポジ型／ネガ型の兼用フォトレジスト（ｄｕａｌ ｔｏｎｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）が挙げられ、構成成分に制約はないが、特に効果的に適用されるフォトレジストはノボラック系フェノール樹脂とジアゾナフトキノンを根幹とする光活性化合物からなるフォトレジストである。
また、本発明は、前記フォトレジストの剥離方法を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法または半導体素子の製造方法を提供する。
本発明に係る製造方法によって製造された液晶表示装置および半導体素子は、フォトレジスト剥離時に微細パターンを有する基板が腐食または損傷せず、残留フォトレジストが少ない。
このように、本発明によれば、写真エッチング工程中に変性されたフォトレジスト膜を高温および低温においても短い時間内に容易に除去することができ、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく、水で洗浄する場合にもフォトレジスト下部のアルミニウムまたはアルミニウム合金、銅または銅合金のような導電性膜および絶縁膜に対する腐食が少ないフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供することができる。
特に、本発明は、リフト−オフ方式のフォトレジスト剥離方式において、苛酷な写真エッチング工程によって変質されたフォトレジスト膜を低温で短い時間内にきれいに剥離することができる。
以下、本発明の理解を助けるために好ましい実施例を提示する。しかし、下記の実施例は本発明をより容易に理解するために提供されるためのものであって、これらによって本発明の内容が限定されるものではない。下記の実施例および比較例において別に言及しない限り組成物の成分比は重量比である。
＜実施例１〜３３＞
下記表１に記載されている成分と組成比を用い、常温で２時間攪拌した後に０．１μｍで濾過してストリッパー溶液を製造した。
＜比較例１〜６＞
下記表１に記載されている成分と組成比を用い、前記実施例１と同じ方法によってストリッパー溶液を製造した。
Figure 0004773562
Figure 0004773562
Figure 0004773562
Figure 0004773562
※ＡＥＥ：２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール、
ＮＭＦ：Ｎ−メチルホルムアミド、
ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン、
ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド、
ＭＥＡ：モノエタノールアミン、
ＮＭＡＥ：Ｎ−メチルアミノエタノール、
ＢＤＧ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
ＥＤＧ：ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ＭＤＧ：メチルジグリコール、
Ｃ１：下記化学式５の化合物、
Figure 0004773562
Ｃ２：下記化学式６の化合物、
Figure 0004773562
＜実験例＞リフト−オフ用剥離力および腐食特性の評価
前記実施例１〜３３および比較例１〜６において製造したストリッパー組成物の剥離力および腐食特性を下記のような方法によって評価した。
この時、実験に用いた試片は、ＬＣＤのＴＦＴ回路製作においてリフト−オフ方式で製作された画素レイヤガラス（ｐｉｘｅｌ ｌａｙｅｒ ｇｌａｓｓ）とゲート工程を経たガラス上にＡｌ−Ｎｄ層２，０００Åおよび上部にＭｏ層２００Åを形成した後、ノボラック樹脂とＰＡＣとからなるポジ型フォトレジストを塗布して乾燥した後、フォトリソグラフィによってパターンを形成し、湿式エッチングまで完了した状態の試片と、同じくゲート工程を経たガラス基板であって、ガラス上にモリブデン合金３００Åおよび上部にＣｕ層２，０００Åを形成した後、ノボラック樹脂とＰＡＣとからなるポジ型フォトレジストを塗布して乾燥した後、フォトリソグラフィによってパターンを形成し、湿式エッチングまで完了した試片の２種類である。
１．剥離力評価
前記試片を７０℃、５０℃に維持した前記ストリッパー溶液に１分間沈積した後、超純水で３０秒間洗浄した後に窒素で乾燥した。乾燥完了後、試片を１，０００倍率の光学顕微鏡と５，０００〜１０，０００倍率の電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）によってフォトレジストの剥離程度を観察した。剥離性能評価は下記のような基準で評価した。
※◎：剥離性能に優れる、
○：剥離性能が良好、
△：剥離性能が良好ではない、
×：剥離性能が不良。
２．第１腐食評価
第１腐食評価はストリップ完了後超純水で洗浄する工程で腐食有無を評価するためのものであり、評価用試片は前記試片を４０℃に維持したアセトン溶液に１０分間沈積した後、イソプロパノールで３０秒、超純水で３０秒間洗浄して製造した。前記評価用試片を前記ストリッパー溶液５０ｇと水９５０ｇの混合液に常温で３分間沈積した後、超純水で３０秒間洗浄した後に窒素で乾燥した。５０，０００〜１００，０００倍率の電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）によって試片の表面、側面および断面の腐食程度を観察した。
腐食性能評価は下記のような基準で評価した。
※◎：Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ配線の表面と側面に腐食がない場合、
○：Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ配線の表面と側面に若干の腐食がある場合、
△：Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ配線の表面と側面に部分的な腐食がある場合、
×：Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ配線の表面と側面に全体的に酷い腐食がある場合。
３．第２腐食評価
前記試片を７０℃に維持した前記ストリッパー溶液に１０分間沈積した後、超純水で３０秒間洗浄した後に窒素で乾燥した。本ストリップ実験を３回連続して実施した後、５０，０００〜１００，０００倍率の電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）によって試片の表面、側面および断面の腐食程度を観察した。腐食性能評価は下記のような基準で評価した。
※◎：Ｃｕ配線の表面と側面に腐食がない場合、
○：Ｃｕ配線の表面と側面に若干の腐食がある場合、
△：Ｃｕ配線の表面と側面に部分的な腐食がある場合、
×：Ｃｕ配線の表面と側面に全体的に酷い腐食がある場合。
剥離力と腐食評価の結果は下記表２に示す。
Figure 0004773562
Figure 0004773562
上記の表２に示すように、本発明に係るストリッパー組成物は剥離力および腐食力の全てに優れていることが分かる。
液晶表示装置のフォトレジスト剥離工程を示す断面図である。 リフト−オフ（Ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）方式のフォトレジスト剥離工程を示す断面図である。

Claims (21)

  1. １）下記化学式１で示される化合物と、下記化学式２で示される化合物の混合物である腐食防止剤と、
    ２）前記１）腐食防止剤の重量対比２〜５０倍の水溶性有機アミン化合物と、
    ３）Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）を含む極性溶媒と、
    を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物：
    Figure 0004773562
     前記化学式１において、
    Ｒ１およびＲ２は互いに同じでも異なっていてもよく、各々独立して水素またはヒドロキシ基であり、
    Ｒ３は水素、ｔ−ブチル基、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ）、メチルエステル基（−ＣＯＯＣＨ3）、エチルエステル基（−ＣＯＯＣ2Ｈ5）またはプロピルエステル基（−ＣＯＯＣ3Ｈ7）であり、
    Figure 0004773562
     前記化学式２において、
    Ｒ４は水素または炭素数１〜４のアルキル基であり、
    Ｒ５およびＲ６は互いに同じでも異なっていてもよく、各々独立して炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基である。
  2. 前記１）腐食防止剤は、組成物総重量に対し０．０１〜５重量％であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  3. ２）水溶性有機アミン化合物は、第１級アミノアルコール類化合物、第２級アミノアルコール類化合物および第３級アミノアルコール類化合物からなる群から１種以上選択されることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  4. 前記２）水溶性有機アミン化合物は、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、１−アミノイソプロパノール（ＡＩＰ）、２−アミノ−１−プロパノール、Ｎ−メチルアミノエタノール（Ｎ−ＭＡＥ）、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）、２−（２−アミノエチルアミノ）−１−エタノール、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）およびヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）からなる群から１種以上選択されることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  5. 前記２）水溶性有機アミン化合物の含量は、組成物総重量に対し１〜６０重量％であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  6. 前記２）水溶性有機アミン化合物は２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  7. 前記３）極性溶媒は、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）およびテトラメチレンスルホンからなる群から１種以上選択されるものをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  8. 前記３）極性溶媒の含量は、全体組成物総重量に対し１〜９５重量％であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  9. 前記３）極性溶媒の含量は全体組成物総重量に対し５０〜９５重量％であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  10. 前記フォトレジストストリッパー組成物は、水溶性非イオン性界面活性剤をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  11. 前記フォトレジストストリッパー組成物は、非極性溶媒をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  12. 前記非極性溶媒は、 ＢＤＧ（ブチルジグリコール）、ＥＤＧ（エチルジグリコール）、ＭＤＧ（メチルジグリコール）、ＴＥＧ（トリエチレングリコール）、およびＤＥＭ（ジエチレングリコールモノエチルエーテル）からなる群から１種以上選択されることを特徴とする、請求項１１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  13. 前記非極性溶媒の含量は、組成物総重量に対し０超過４０重量％未満であることを特徴とする、請求項１１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。
  14. １）基板上に形成された導電性金属膜または絶縁膜にフォトレジストを塗布するステップと、
    ２）前記基板にフォトレジストパターンを形成するステップと、
    ３）前記パターン化されたフォトレジスト膜をマスクとし、前記導電性金属膜または絶縁膜をエッチングするステップと、
    ４）請求項１〜１３のうちのいずれか１つのフォトレジストストリッパー組成物を用いてフォトレジスト層を剥離するステップと、
    を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法。
  15. 前記導電性膜または絶縁膜は、アルミニウム、 銅またはアルミニウムと銅の合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であるか、アルミニウム、銅またはアルミニウムと銅の合金とネオジム、モリブデンまたはネオジムとモリブデンの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であることを特徴とする、請求項１４に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法。
  16. 請求項１４の剥離方法を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  17. 請求項１４の剥離方法を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
  18. １）基板上にフォトレジストを全面塗布するステップと、
    ２）前記基板にフォトレジストパターンを形成するステップと、
    ３）前記パターン化された基板に導電性金属膜または絶縁膜を蒸着するステップと、
    ４）請求項１〜１３のうちのいずれか１つのフォトレジストストリッパー組成物を用いてフォトレジスト層を剥離するステップと、
    を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法。
  19. 前記導電性膜または絶縁膜は、アルミニウム、銅またはアルミニウムと銅の合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であるか、アルミニウム、銅またはアルミニウムと銅の合金とネオジム、モリブデンまたはネオジムとモリブデンの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であることを特徴とする、請求項１８に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法。
  20. 請求項１８の剥離方法を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  21. 請求項１８の剥離方法を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
JP2009513051A 2006-05-26 2007-05-25 フォトレジスト用ストリッパー組成物 Active JP4773562B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20060047668 2006-05-26
KR10-2006-0047668 2006-05-26
PCT/KR2007/002542 WO2007139315A1 (en) 2006-05-26 2007-05-25 Stripper composition for photoresist

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009538456A JP2009538456A (ja) 2009-11-05
JP4773562B2 true JP4773562B2 (ja) 2011-09-14

Family

ID=38778797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009513051A Active JP4773562B2 (ja) 2006-05-26 2007-05-25 フォトレジスト用ストリッパー組成物

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4773562B2 (ja)
KR (2) KR20070114038A (ja)
CN (1) CN101454872B (ja)
TW (1) TWI362571B (ja)
WO (1) WO2007139315A1 (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101141987B1 (ko) * 2008-08-20 2012-05-17 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤 용해 변형용 약액 및 용해 변형 처리 방법
CN101677064B (zh) * 2008-09-15 2012-01-04 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体装置的方法
TWI467349B (zh) * 2008-11-19 2015-01-01 Toagosei Co Ltd 具有經圖案化的導電性高分子膜之基板的製造方法及具有經圖案化的導電性高分子膜之基板
WO2010073887A1 (ja) * 2008-12-25 2010-07-01 ナガセケムテックス株式会社 フォトレジスト剥離剤組成物、積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び製造方法
WO2010118916A1 (en) 2009-04-16 2010-10-21 Basf Se Organic photoresist stripper composition
JP5279921B2 (ja) * 2009-11-26 2013-09-04 エルジー・ケム・リミテッド フォトレジストストリッパー組成物及びこれを利用したフォトレジストの剥離方法
TWI405053B (zh) * 2009-11-27 2013-08-11 Lg Chemical Ltd 光阻剝離組成物及剝離光阻之方法
KR101169332B1 (ko) * 2010-05-12 2012-07-30 주식회사 이엔에프테크놀로지 포토레지스트 박리액 조성물
KR101721262B1 (ko) * 2010-09-01 2017-03-29 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 그를 이용한 박리방법
CN102012645A (zh) * 2010-12-24 2011-04-13 东莞市智高化学原料有限公司 一种光刻胶剥离液
CN102436153B (zh) * 2011-10-28 2013-06-19 绍兴文理学院 印花网版感光胶剥离剂
KR101880308B1 (ko) * 2012-05-24 2018-07-19 동우 화인켐 주식회사 Ｔｆｔ 제조용 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 ｔｆｔ의 제조방법
JP6144468B2 (ja) * 2012-08-22 2017-06-07 富士フイルム株式会社 レジスト剥離方法および半導体基板製品の製造方法
KR101946379B1 (ko) * 2012-11-20 2019-02-11 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물 및 포토레지스트의 박리방법
KR101668063B1 (ko) * 2013-05-07 2016-10-20 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 박리방법
CN110592554A (zh) * 2013-06-26 2019-12-20 应用材料公司 沉积金属合金膜的方法
SG11201603122XA (en) 2013-10-21 2016-05-30 Fujifilm Electronic Materials Cleaning formulations for removing residues on surfaces
JP5977727B2 (ja) * 2013-11-13 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
KR20230129193A (ko) 2013-12-06 2023-09-06 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 표면 잔류물 제거용 세정 제형
KR101710170B1 (ko) * 2014-08-20 2017-02-27 주식회사 엘지화학 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 재생 방법
KR101586453B1 (ko) * 2014-08-20 2016-01-21 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
CN108535971B (zh) * 2017-03-03 2023-09-12 易案爱富科技有限公司 光致抗蚀剂去除用剥离液组合物
US11175587B2 (en) * 2017-09-29 2021-11-16 Versum Materials Us, Llc Stripper solutions and methods of using stripper solutions
GB2568516A (en) * 2017-11-17 2019-05-22 Flexenable Ltd Organic semiconductor devices
IL301529A (en) 2018-03-28 2023-05-01 Fujifilm Electronic Mat Usa Inc cleaning products
TWI646222B (zh) * 2018-04-25 2019-01-01 達興材料股份有限公司 用於蝕刻一含銅或銅合金層及含鉬或鉬合金層的多層薄膜之蝕刻液組成物及利用此蝕刻液組成物之蝕刻方法以及利用該蝕刻方法以製造顯示裝置或含igzo半導體的方法
CN111223756B (zh) * 2018-11-26 2022-03-29 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗方法及半导体器件制作方法
CN111487845A (zh) * 2019-01-29 2020-08-04 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种可以直接剥离的led管芯电极掩模图形的制作方法
JP6688978B1 (ja) * 2019-03-25 2020-04-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レジスト剥離液
CN111880384B (zh) * 2020-08-10 2022-03-29 深圳市创智成功科技有限公司 用于去除晶圆表面光刻胶的环保型去胶剂

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003255565A (ja) * 2001-12-27 2003-09-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液
JP2005058675A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Olympia:Kk 弾球遊技機
JP2005331913A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Korea Kumho Petrochem Co Ltd フォトレジスト用ストリッパー組成物及びこれをフォトレジスト剥離に用いる方法。
JP2006106616A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法
WO2006052692A2 (en) * 2004-11-04 2006-05-18 Ekc Technology, Inc. Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum
JP2007510173A (ja) * 2003-10-22 2007-04-19 イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド 石英で被覆したポリシリコンおよびその他の資材の洗浄におけるビスコリンおよびトリスコリンの使用工程
JP2007531902A (ja) * 2003-05-23 2007-11-08 エア　プロダクツ　アンド　ケミカルズ　インコーポレイテッド フォトレジスト、フォトレジスト副生成物及びエッチング残渣を除去するのに好適な組成物、並びに、その使用

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3773227B2 (ja) * 1997-10-16 2006-05-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法
JP2003177556A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Sharp Corp フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法
KR101017738B1 (ko) * 2002-03-12 2011-02-28 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물
KR100544889B1 (ko) * 2003-05-15 2006-01-24 주식회사 엘지화학 포토레지스트용 스트리퍼 조성물

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003255565A (ja) * 2001-12-27 2003-09-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液
JP2007531902A (ja) * 2003-05-23 2007-11-08 エア　プロダクツ　アンド　ケミカルズ　インコーポレイテッド フォトレジスト、フォトレジスト副生成物及びエッチング残渣を除去するのに好適な組成物、並びに、その使用
JP2005058675A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Olympia:Kk 弾球遊技機
JP2007510173A (ja) * 2003-10-22 2007-04-19 イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド 石英で被覆したポリシリコンおよびその他の資材の洗浄におけるビスコリンおよびトリスコリンの使用工程
JP2005331913A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Korea Kumho Petrochem Co Ltd フォトレジスト用ストリッパー組成物及びこれをフォトレジスト剥離に用いる方法。
JP2006106616A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法
WO2006052692A2 (en) * 2004-11-04 2006-05-18 Ekc Technology, Inc. Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum

Also Published As

Publication number Publication date
TW200801855A (en) 2008-01-01
CN101454872A (zh) 2009-06-10
KR100913048B1 (ko) 2009-08-25
CN101454872B (zh) 2011-04-06
JP2009538456A (ja) 2009-11-05
WO2007139315A1 (en) 2007-12-06
KR20070114038A (ko) 2007-11-29
KR20070114037A (ko) 2007-11-29
TWI362571B (en) 2012-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4773562B2 (ja) フォトレジスト用ストリッパー組成物
KR100846057B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
EP1877870B1 (en) Non-aqueous photoresist stripper that inhibits galvanic corrosion
KR101691850B1 (ko) 포토레지스트 스트리퍼 조성물
KR100794465B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR101082515B1 (ko) 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법
KR101051438B1 (ko) 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 박리방법
KR100544889B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100850163B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP5279921B2 (ja) フォトレジストストリッパー組成物及びこれを利用したフォトレジストの剥離方法
KR100440484B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP2006343604A (ja) ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の処理方法
KR101511736B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR101213731B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR20100033649A (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100568558B1 (ko) 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물
KR100544888B1 (ko) 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물
JP4165209B2 (ja) レジスト剥離剤
KR20000008553A (ko) 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법
KR102572751B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
TWI405053B (zh) 光阻剝離組成物及剝離光阻之方法
KR101374686B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR20040083157A (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR20100011472A (ko) 구리용 레지스트 제거용 조성물
KR20040088989A (ko) 포토레지스트 박리액용 부식방지제 및 이를 이용한포토레지스트 박리액 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101130

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110221

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110228

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110325

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110425

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110526

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110623

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140701

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4773562

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250