JP4350364B2 - 洗浄剤組成物、半導体ウェーハの洗浄方法および製造方法 - Google Patents
洗浄剤組成物、半導体ウェーハの洗浄方法および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4350364B2 JP4350364B2 JP2002361149A JP2002361149A JP4350364B2 JP 4350364 B2 JP4350364 B2 JP 4350364B2 JP 2002361149 A JP2002361149 A JP 2002361149A JP 2002361149 A JP2002361149 A JP 2002361149A JP 4350364 B2 JP4350364 B2 JP 4350364B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- carbon atoms
- semiconductor wafer
- group
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 44
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 24
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 24
- -1 oxypropylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 42
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 18
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical group [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 9
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 133
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 8
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 6
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 4
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 4
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 3
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 2
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- RUDINRUXCKIXAJ-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,13,13,14,14,14-heptacosafluorotetradecanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RUDINRUXCKIXAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHNPPARLSFUFAV-UHFFFAOYSA-N 2,2-dihydroxyethylazanium hydroxide Chemical compound [OH-].OC(C[NH3+])O LHNPPARLSFUFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJFMDYQCCOOZHJ-UHFFFAOYSA-L 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].C[N+](C)(C)CCO.C[N+](C)(C)CCO RJFMDYQCCOOZHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PSELATVJUWEPCC-UHFFFAOYSA-N 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-undecafluorononanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F PSELATVJUWEPCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAOQMKNJUVSQLE-UHFFFAOYSA-N 6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-pentadecafluorododec-4-enoic acid Chemical compound OC(=O)CCC=CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F AAOQMKNJUVSQLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000003493 decenyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005066 dodecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCCC)* 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M ethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(C)C KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011090 industrial biotechnology method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000002960 margaryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- OQNCIVCOTSERAJ-UHFFFAOYSA-N methyl(2,2,2-trihydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[NH2+]CC(O)(O)O OQNCIVCOTSERAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001196 nonadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- PCIUEQPBYFRTEM-UHFFFAOYSA-N perfluorodecanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F PCIUEQPBYFRTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXGONMQFMIYUJR-UHFFFAOYSA-N perfluorododecanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F CXGONMQFMIYUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWBAMYVPMDSJGQ-UHFFFAOYSA-N perfluoroheptanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ZWBAMYVPMDSJGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZUFPBIDKMEQEQ-UHFFFAOYSA-N perfluorononanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F UZUFPBIDKMEQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N perfluorooctanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical class C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005040 tridecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCCCC)* 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 125000005065 undecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCC)* 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/722—Ethers of polyoxyalkylene glycols having mixed oxyalkylene groups; Polyalkoxylated fatty alcohols or polyalkoxylated alkylaryl alcohols with mixed oxyalkylele groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
【発明の技術分野】
本発明は、シリコン、ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの半導体ウェーハの洗浄、または液晶用ガラス基盤、太陽電池用ガラス基盤、水晶基盤などのエレクトロニクス関連の各種ガラス基盤の洗浄、さらには光学ガラス用のレンズ、プリズム、光ファイバー、水晶振動子、半導体ウェーハの研磨用プレートなどのように高い清浄度が要求されるガラスまたはセラミックス製の精密加工部材の洗浄などに適した洗浄剤組成物に関する。さらに本発明は、該組成物を用いた半導体ウェーハの洗浄方法および製造方法、該製造方法により製造された半導体ウェーハに関する。
【0002】
【発明の技術的背景】
トランジスタ、ダイオード、IC、LSI、整流素子などの半導体デバイスは、シリコンウェーハまたはガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの化合物半導体ウェーハに、気相成長、酸化膜形成、不純物拡散、電極金属膜蒸着などの工程を加えることにより製造されている。
【0003】
半導体デバイスは、不純物により電気特性に著しい影響を受けるため、前記各工程の前に半導体ウェーハの表面を十分に清浄化して、不純物による汚染が除去される。その工業的手法としては、有機アルカリを主成分とする処理液、あるいは有機アルカリに錯化剤、界面活性剤、過酸化水素水などを添加した処理液による方法が数多く提案されている(たとえば、特許文献1〜3参照)。
【0004】
たとえば特許文献1には、テトラアルキルアンモニウム水酸化物のうち、たとえばトリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド(コリン)あるいはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(以下、「TMAH」ともいう。)などの水溶液を単独で使用した場合、脱脂、無機物質による汚染の除去ならびに極薄い酸化膜の除去に有効であることが記載されている。
【0005】
しかしながら、
▲1▼被処理面に対する濡れが悪いため、洗浄力が十分ではなく、
▲2▼シリコン結晶の方位に対し食刻依存性があり、(100)面では食刻されやすいのに対して、(111)面では食刻作用に対して抵抗を示し、(100)鏡面ウェーハではこの面が食刻により粗れてしまうという課題が残されていた。
【0006】
それらを改善するため、テトラアルキルアンモニウム水酸化物水溶液に、錯化剤や過酸化水素を添加した系が提案されている。
しかし、目的によっては洗浄力が不十分であったり、過酸化水素とテトラアルキルアンモニウム水酸化物のようなアルカリ水溶液とを併用した場合、過酸化水素が短時間に分解するため、濃度を一定に保持するためには種々の煩雑な操作が必要であるという課題がある。
【0007】
特許文献2には、テトラアルキルアンモニウム水酸化物、アルカノールアミンおよび非イオン性界面活性剤を含む有機アルカリ水溶液について記載されており、界面活性剤を使用することにより洗浄力が向上すること、およびシリコン結晶(100)面の食刻が抑えられることが記載されている。
しかし、食刻抑止効果はまだ十分ではなく、また、パーティクル除去性能に関しても十分ではないという課題が残っている。
【0008】
特許文献3には、水酸化物、水、水溶性有機化合物および特定の非イオン界面活性剤を含む洗浄液について記載されている。
しかし、この洗浄液を使用した場合、シリコン結晶(100)面の食刻抑止作用が向上する一方で、油脂汚染除去性が十分でないという課題がある。
【0009】
また、前記特定の非イオン界面活性剤のアルカリ水溶液に対する溶解性が低いため、溶解性を上げる目的でイソプロピルアルコールなどの水溶性有機化合物を添加しなければならないといった制約もある。
【0010】
近年にみられる半導体の高集積化に伴い、洗浄液に求められる性能もますますハイレベルなものとなってきている。そうした中で、被洗浄物の表面汚染除去性能および食刻抑止効果が向上した、新しい洗浄液が求められている。
【0011】
【特許文献1】
特開昭50−147287号公報
【特許文献2】
特許第2579401号公報
【特許文献3】
特開2001−214199号公報
【0012】
【発明の目的】
本発明は、半導体ウェーハ、各種ガラス基盤、さらには高い清浄度が要求されるガラスまたはセラミックス製の精密加工部材などの表面汚染に対して優れた洗浄力を有し、半導体ウェーハの洗浄においてはウェーハ表面の脱脂性能およびパーティクル除去性能が共に優れ、且つ、ウェーハに対する食刻が十分に制御された洗浄剤組成物を提供することを目的としている。
【0013】
さらに本発明は、半導体ウェーハの表面汚染に対して優れた洗浄力を有し、且つ、ウェーハに対する食刻が十分に制御された半導体ウェーハの洗浄方法を提供することを目的としている。
【0014】
さらに本発明は、半導体ウェーハの表面における付着パーティクルが極めて少なく、且つ、表面粗れが極めて少ない半導体ウェーハを得るための製造方法を提供することを目的としている。
【0015】
さらに本発明は、半導体ウェーハの表面における付着パーティクルが極めて少なく、且つ、表面粗れが極めて少ない半導体ウェーハを提供することを目的としている。
【0016】
【発明の概要】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の非イオン界面活性剤と第4級アンモニウム水酸化物、そしてさらにアルカノールアミンを含む洗浄剤組成物を用いることにより、前記の課題を解決できることを見出し本発明を完成するに至った。
【0017】
すなわち、本発明は以下のとおりに要約される。
[1] 下記一般式(1)
【0018】
【化4】
【0019】
(式(1)中、R1は、炭素数が6〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基、もしくは炭素数が6〜20の直鎖状または分岐状のアルケニル基を示す。EOはオキシエチレン基を示し、POはオキシプロピレン基を示す。EOとPOはランダム付加体またはブロック付加体であり、x個のEOとy個のPOの配列順序は任意である。xおよびyは、それぞれ独立に1〜20の整数を示し、且つ、x/(x+y)の値が0.5以上である。)で表される非イオン界面活性剤と、第4級アンモニウム水酸化物を含むことを特徴とする洗浄剤組成物。
【0020】
[2] 前記第4級アンモニウム水酸化物が、下記一般式(2)
【0021】
【化5】
【0022】
(式(2)中、R2、R3、R4およびR5は、それぞれ独立に炭素数が1〜6のアルキル基または炭素数が1〜6のヒドロキシアルキル基を示す。)で表される化合物であることを特徴とする、上記[1]に記載の洗浄剤組成物。
【0023】
[3] 前記第4級アンモニウム水酸化物が、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドであることを特徴とする、上記[2]に記載の洗浄剤組成物。
【0024】
[4] さらにアルカノールアミンを含むことを特徴とする、上記[1]〜[3]のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【0025】
[5] 前記アルカノールアミンが、下記一般式(3)
【0026】
【化6】
【0027】
(式(3)中、R6は、炭素数が1〜4のヒドロキシアルキル基を示す。R7およびR8は、それぞれ独立に水素原子、炭素数が1〜4のアルキル基、炭素数が1〜4のヒドロキシアルキル基または炭素数が1〜4のアミノアルキル基を示すか、もしくは、R7とR8が結合してなる炭素数が3〜6のアルキレン基を示す。該アルキレン基には、その主鎖を構成する炭素原子間に、酸素原子または窒素原子が挿入されていてもよい。)で表される化合物であることを特徴とする、上記[4]に記載の洗浄剤組成物。
【0028】
[6] 前記アルカノールアミンが、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンおよびトリエタノールアミンからなる群より選ばれるいずれかの化合物であることを特徴とする、上記[5]に記載の洗浄剤組成物。
【0029】
[7] 前記非イオン界面活性剤が、洗浄剤組成物全量に対して0.0001〜10質量%含まれることを特徴とする、上記[1]〜[6]のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【0030】
[8] 前記第4級アンモニウム水酸化物が、洗浄剤組成物全量に対して0.001〜30質量%含まれることを特徴とする、上記[7]に記載の洗浄剤組成物。
【0031】
[9] 前記アルカノールアミンが、洗浄剤組成物全量に対して0.001〜50質量%含まれることを特徴とする、上記[4]〜[8]のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【0032】
[10] 下記(1)および(2)の洗浄工程を含むことを特徴とする、半導体ウェーハの洗浄方法。
洗浄工程(1) 上記[1]〜[9]のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いる洗浄工程
洗浄工程(2) アンモニアおよび過酸化水素を含む組成物を用いる洗浄工程
【0033】
[11] 前記洗浄工程(1)が、半導体ウェーハ表面の脱脂およびパーティクル除去を行う工程であることを特徴とする、上記[10]に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【0034】
[12] 前記洗浄工程(2)が、半導体ウェーハ表面のパーティクル除去を行う工程であることを特徴とする、上記[10]または[11]に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【0035】
[13] 下記(1)〜(3b)の工程を含むことを特徴とする、半導体ウェーハの製造方法。
工程(1) ウェーハ表面を磨くラップ工程
工程(2) ウェーハ表面を鏡面研磨するポリッシュ工程
工程(3a)上記[1]〜[9]のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いる洗浄工程
工程(3b) アンモニアおよび過酸化水素を含む組成物を用いる洗浄工程
【0036】
[14] 上記[13]に記載の製造方法により製造されることを特徴とする半導体ウェーハ。
【0037】
[15] ウェーハ表面に付着した、粒子径が0.2μm以上のパーティクルの数が、ウェーハ表面100cm2あたり130個以下であることを特徴とする半導体ウェーハ。
【0038】
[16] 半導体ウェーハが、シリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ、ガリウムリンウェーハまたはインジウムリンウェーハであることを特徴とする、上記[14]または[15]に記載の半導体ウェーハ。
【0039】
[17] 半導体ウェーハがシリコンウェーハであり、表面粗さ(Ra)が0.2nm以下であることを特徴とする、上記[14]または[15]に記載の半導体ウェーハ。
【0040】
[18] 半導体ウェーハがガリウム砒素ウェーハであり、表面粗さ(Ra)が0.4nm以下であることを特徴とする、上記[14]または[15]に記載の半導体ウェーハ。
【0041】
【発明の具体的説明】
<洗浄剤組成物>
本発明の洗浄剤組成物における必須成分は、一般式(1)の非イオン界面活性剤と、第4級アンモニウム水酸化物である。これらの必須成分を含んだ洗浄剤組成物は、半導体ウェーハの表面汚染に対して優れた洗浄力を有し、且つ、ウェーハに対する食刻を十分に制御することができる。
【0042】
一般式(1)の非イオン界面活性剤において、R1は、炭素数が6〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基、もしくは炭素数が6〜20の直鎖状または分岐状のアルケニル基である。
このようなアルキル基としては、具体的には、たとえばヘキシル、イソヘキシル、メチルペンチル、ジメチルブチル、エチルブチル、ヘプチル、メチルヘキシル、プロピルブチル、ジメチルペンチル、オクチル、ノニル、デシル、メチルノニル、エチルオクチル、ジメチルオクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘプタデシル、ノナデシル基などが挙げられる。
【0043】
また、アルケニル基としては、具体的には、たとえばヘキセニル、メチルペンテニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニル、ペンタデセニル、ペンタデカトリエニル、ヘプタデセニル、ヘプタデカジエニル、ノナデセニル基などが挙げられる。
【0044】
また、オキシエチレン基(EO)は、−CH2−CH2−O−で示され、オキシプロピレン基(PO)は、−CH(CH3)−CH2−O−または−CH2−CH(CH3)−O−で示される。EOとPOはランダム付加体またはブロック付加体であり、x個のEOとy個のPOの配列順序は任意である。
【0045】
xおよびyは、それぞれ独立に1〜20の整数を示す。ここで、x/(x+y)の値は0.5以上であることが必要であり、この値が0.5以上であることにより、アルカリ水溶液への十分な溶解性を得ることができる。特に、この値が0.5以上1未満であることが好ましい。
【0046】
一般式(1)の非イオン界面活性剤としては、具体的には、たとえばポリオキシエチレンポリオキシプロピレンデカニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンウンデカニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンドデカニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンテトラデカニルエーテルなど(xおよびyが上記条件を満たすもの)が挙げられる。このうち、x=2〜15、y=2〜15であり、かつRが炭素数8〜18の直鎖状または分岐状のアルキル基、または炭素数8〜18の直鎖状または分岐状のアルケニル基であるものが好ましい。
【0047】
一般式(1)の非イオン界面活性剤は、本発明の洗浄剤組成物全量に対して0.0001〜10質量%、好ましくは0.0001〜1質量%、さらに好ましくは0.0001〜0.5質量%の範囲で含むことができる。10質量%を超えた含有量で使用すると泡立ちや濯ぎの問題が生じて好ましくない。また、含有量が0.0001質量%未満であると十分な洗浄効果、食刻抑止効果が得られない。
【0048】
本発明において、一般式(1)の非イオン界面活性剤と共に使用される第4級アンモニウム水酸化物としては一般式(2)で表される化合物を使用することが好ましい。
一般式(2)の第4級アンモニウム水酸化物において、R2、R3、R4およびR5は、それぞれ独立に炭素数が1〜6のアルキル基または炭素数が1〜6のヒドロキシアルキル基を示し、これらは互いに同一でも異なっていてもよい。
【0049】
一般式(2)の第4級アンモニウム水酸化物としては、具体的には、たとえばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド(コリン)、メチルトリヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、ジメチルジヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが挙げられる。このうち、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイドが好ましい。また、これらの1種類のみを単独で使用できるほか、2種類以上を任意の割合で組み合わせて使用することができる。
【0050】
第4級アンモニウム水酸化物は、本発明の洗浄剤組成物全量に対して0.001〜30質量%、好ましくは0.05〜20質量%の範囲で含むことができる。第4級アンモニウム水酸化物の濃度が30質量%より高い場合には、ウェーハの食刻作用が強すぎ、これを制御することはできず、ウェーハの表面が粗れるなどの問題が生じるので好ましくない。また、濃度が0.001質量%よりも低い場合には、十分な洗浄性を保てない。
【0051】
本発明の洗浄剤組成物は、一般式(1)の非イオン界面活性剤と第4級アンモニウム水酸化物に加えて、さらにアルカノールアミンを含むことにより、洗浄性と寿命を向上させた洗浄剤として用いることができる。このようなアルカノールアミンとしては、一般式(3)で表される化合物を使用することが好ましい。
【0052】
一般式(3)のアルカノールアミンにおいて、R6は、炭素数が1〜4のヒドロキシアルキル基を示す。
また、R7およびR8は、それぞれ独立に水素原子、炭素数が1〜4のアルキル基、炭素数が1〜4のヒドロキシアルキル基または炭素数が1〜4のアミノアルキル基を示し、これらは互いに同一でも異なっていてもよい。もしくは、R7とR8は、これらが結合してなる炭素数が3〜6のアルキレン基であってもよい。該アルキレン基は、たとえば−CH2−O−CH2−あるいは−CH2−N−CH2−のように、メチレン基の炭素原子などの主鎖を構成する炭素原子間に酸素原子または窒素原子が挿入されていてもよい。
【0053】
一般式(3)のアルカノールアミンとしては、具体的には、たとえばモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられる。また、これらの1種類のみを単独で使用できるほか、2種類以上を任意の割合で組み合わせて使用することができる。
【0054】
アルカノールアミンは、本発明の洗浄剤組成物全量に対して0.001〜50質量%、好ましくは0.01〜30質量%、さらに好ましくは0.1〜20質量%の範囲で含むことができる。アルカノールアミンの濃度が50質量%より高い場合には、洗浄性能の低下という問題を生じ、また経済的にも好ましくない。また、濃度が0.001質量%よりも低い場合には、アルカノールアミンの添加による洗浄効果が十分に得られない。
【0055】
また、本発明の洗浄剤組成物は、洗浄性を高める目的で、一般式(1)の化合物以外の界面活性剤を加えて使用することができる。このような界面活性剤としては、たとえば下記一般式(4)
【0056】
【化7】
【0057】
(式(4)中、R9は水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数が2〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基、もしくは水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数が2〜20の直鎖状または分岐状のアルケニル基を示す。Mは水素原子、アルカリ金属原子、アンモニウム基、アルキルアンモニウム基またはアルカノールアンモニウム基を示す。)で表されるカルボン酸およびその塩;
【0058】
下記一般式(5)
【0059】
【化8】
【0060】
(式(5)中、R10は水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数が2〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基、もしくは水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数が2〜20の直鎖状または分岐状のアルケニル基を示す。Mは水素原子、アルカリ金属原子、アンモニウム基、アルキルアンモニウム基またはアルカノールアンモニウム基を示す。)で表されるスルホン酸およびその塩;
【0061】
下記一般式(6)
【0062】
【化9】
【0063】
(式(6)中、R11は炭素数が6〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基、R12は炭素数が2〜4のアルキレン基、pは3〜20の整数を示す。)で表されるポリオキシアルキレンアルキルエーテル型;
【0064】
下記一般式(7)
【0065】
【化10】
【0066】
(式(7)中、R13は炭素数が6〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基、R14は炭素数が2〜4のアルキレン基、qは3〜20の整数を示す。)で表されるポリオキシアルキレンアリールエーテル型;
【0067】
下記一般式(8)
【0068】
【化11】
【0069】
(式(8)中、R15は炭素数が9〜16の直鎖状または分岐状のアルキル基、R16は炭素数が2〜4のアルキレン基、rは6〜16の整数を示す。)で表されるポリオキシアルキレンアルキルエステル型などが挙げられる。
【0070】
また、フッ素系陰イオン性界面活性剤を用いることが特に有効な場合がある。このようなフッ素系陰イオン性界面活性剤としては、具体的には、たとえばパーフルオロヘプタン酸(C6F13COOH)、パーフルオロカプリル酸(C7F15COOH)、パーフルオロノナン酸(C8F17COOH)、5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9−ウンデカフルオロノナン酸(C5F11(CH2)3COOH)、パーフルオロカプリン酸(C9F19COOH)、パーフルオロドデカン酸(C11F23COOH)、6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12−ペンタデカフルオロ−4−ドデセン酸(CF3(CF2)6CH=CH(CH2)2COOH)、パーフルオロテトラデカン酸(C13F27COOH)、12−トリフルオロメチル−12,13,13,14,14,15,15,16,16,16−デカフルオロヘキサデカン酸(CF3(CF2)3CF(CF3)(CH2)10COOH)、パーフルオロオクタンスルホン酸(C8F17SO3H)や、これらのアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩などが挙げられる。
【0071】
これらの、一般式(1)で表される化合物以外の界面活性剤は、単独で用いてもよいし、2種類以上を任意の割合で組み合わせて用いることもできる。
これらの界面活性剤は、本発明の洗浄剤組成物全量に対して0.0001〜5質量%含有し、好ましくは0.0001〜1質量%、さらに好ましくは0.0001〜0.5質量%の範囲で含むことが好ましい。含有量が5質量%を超えると泡立ちや濯ぎの問題が生じて好ましくなく、また含有量が0.0001質量%より少ないと洗浄力を向上させる作用が十分に発揮されない。
【0072】
また、本発明の洗浄剤組成物には過酸化水素を加えることができる。シリコンウェーハの洗浄においては、アルカリ水溶液に界面活性剤を添加するだけでもウェーハの食刻は抑えうるが、その効果は界面活性剤の種類、アルカリ濃度および温度などの影響を大きく受けるため、あらゆる条件下で十分な効果が得られるというものではない。そこで、過酸化水素を使用することで、高温下(たとえば60〜80℃)においてもウェーハ表面の食刻が適宜制御され、本発明の洗浄剤組成物の使用範囲を広げることが可能となる。
【0073】
過酸化水素を加える場合は、洗浄剤組成物全量に対して0.01〜20質量%、好ましくは0.05〜10質量%の範囲で含むことができる。過酸化水素の濃度が20質量%より高い場合は、洗浄力そのものには特に影響を与えないが、過酸化水素が分解する量が多くなり不経済である。濃度が0.01質量%より少ない場合には、十分な食刻抑止効果が得られない。
【0074】
さらに、本発明の洗浄剤組成物には、金属イオンに対する洗浄力を向上する目的で、錯化剤を加えることができる。このような錯化剤としては、具体的には、たとえばエチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、クエン酸、グルコン酸、シュウ酸、酒石酸、アレイン酸などが挙げられる。錯化剤を加える場合には、ウェーハの食刻が進まない範囲で任意の量を添加することができる。
【0075】
本発明の洗浄剤組成物は、常温においても優れた洗浄効果を示すとともに、適度な加熱下での洗浄や超音波を使用する洗浄においても好適に使用できる。
【0076】
また、本発明の洗浄剤組成物は、半導体ウェーハの洗浄に使用する場合の他、たとえば液晶用ガラス基盤、太陽電池用ガラス基盤、水晶基盤などのエレクトロニクス関連の各種ガラス基盤の表面洗浄や、あるいは光学ガラス用のレンズ、プリズム、光ファイバー、水晶振動子、半導体ウェーハの研磨用プレートなどのように高い清浄度が要求されるガラスまたはセラミックス製の精密加工部材などの表面洗浄に使用した場合にも、高い汚染除去性能をもち、比較的短時間で効果的な表面洗浄を行うことができる。
【0077】
<半導体ウェーハの洗浄方法>
本発明の半導体ウェーハの洗浄方法は、
洗浄工程(1) 上述の洗浄剤組成物を用いる洗浄工程と、
洗浄工程(2) アンモニアおよび過酸化水素水を含む洗浄剤を用いる洗浄工程を含むことを特徴とする。
【0078】
洗浄工程(1)は、主として半導体ウェーハ表面の脱脂およびパーティクル除去を目的とするものである。
【0079】
洗浄工程(2)は、主として半導体ウェーハ表面のパーティクル除去を目的とするものである。
【0080】
本発明の洗浄方法を用いて洗浄することができる半導体ウェーハとしては、具体的には、たとえばシリコン、ゲルマニウムなどの一元素系半導体のウェーハ、あるいはガリウムリン、ガリウム砒素、インジウムリンなどの化合物半導体のウェーハなどが挙げられる。
【0081】
半導体ウェーハ表面の脱脂、パーティクル除去を行う工程の代表例としては、ウェーハの鏡面研磨後におけるワックス洗浄が挙げられる。半導体ウェーハの鏡面研磨は、ワックスでウェーハをプレート(治具)に接着・固定して行うため、研磨終了後にウェーハをプレートから剥がした後、ウェーハ上には接着剤として使用したワックスが多量に付着して残っている。前述した本発明の洗浄剤組成物は、特にこのウェーハに付着したワックスおよびパーティクルを除去するための洗浄に有効であり、洗浄工程(1)において使用される。
【0082】
本発明の洗浄剤組成物は、単独で用いてもワックス除去効果とパーティクル除去効果を併せ持つが、他の洗浄剤と組み合わせて使用することで特に有効な洗浄が可能となる。このような本発明の洗浄方法の一態様を以下に説明する。
【0083】
まず、式(1)のR1O(EO)x(PO)yH型非イオン界面活性剤、TMAHおよびアルカノールアミンを含む本発明の洗浄剤組成物を使用してワックスおよびパーティクル除去洗浄を行う。この洗浄剤には必要に応じて過酸化水素水を添加することができる。
【0084】
次いで、アンモニア水と過酸化水素水を含む洗浄剤を用いてパーティクル除去洗浄を行う。
【0085】
それぞれの洗浄工程は複数回行ってもよく、また、たとえば水を用いたリンス工程を行ってもよく、全洗浄工程が終了した後は、たとえばイソプロピルアルコールのような有機溶媒を用いて乾燥する。このようにして洗浄した後の半導体ウェーハはワックスが除去されているだけでなく、パーティクルレベルも良好で、かつウェーハ表面の食刻も従来の洗浄液を用いた場合に比べて低減することができる。
【0086】
また、前記2つの各洗浄工程において、洗浄温度、洗浄条件などは特に限定されるものではなく、洗浄するウェーハによって適当な条件を適宜選択することができる。
【0087】
たとえば、具体的な洗浄方法として、洗浄するウェーハを浸漬した洗浄剤組成物をパーティクル除去用の適当なフィルターを介してろ過・循環し、液中のパーティクル除去を行うことができる。この場合、本発明の洗浄剤組成物を使用すれば、洗浄剤液中のパーティクル数を常に低いレベルに維持でき、その結果としてウェーハ表面へのパーティクルの再吸着量が低減できるため、パーティクル除去性能に優れた洗浄を行うことができる。
【0088】
<半導体ウェーハの製造方法>
次に、本発明に係る半導体ウェーハの製造方法について説明する。以下、本発明の製造方法の一態様として、シリコンウェーハの製造方法について説明するが、本発明はシリコンウェーハの製造方法に限定されるものではなく、たとえばゲルマニウムなどの一元素系半導体、あるいはガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの化合物半導体のウェーハなどについても適用が可能である。
【0089】
本発明の半導体ウェーハの製造方法は、
工程(1) ウェーハ表面を磨くラップ工程
工程(2) ウェーハ表面を鏡面研磨するポリッシュ工程
工程(3a) 前述の本発明に係る洗浄剤組成物を用いる洗浄工程
工程(3b) アンモニアおよび過酸化水素を含む組成物を用いる洗浄工程
を含むことを特徴としている。
【0090】
これらの前工程として、まずシリコン単結晶の引き上げが行われ、引き上げられたインゴットは外周研削、オリエンテーションフラット加工を経て、ウェーハ状に切断される。作製されたウェーハは、次にベベリング(側面磨き)工程と、工程(1)のラップ(表面磨き)工程を経て、工程(2)のポリッシュ(鏡面研磨)工程に送られる。
【0091】
工程(2)におけるウェーハの鏡面研磨は、ワックス(接着剤)でウェーハをガラスあるいはセラミック製のプレート(治具)に接着・固定した後、ウェーハ表面を研磨材と研磨布で研磨する。鏡面研磨終了後のウェーハは、プレートから剥がされ、ウェーハ上に付着したワックスやパーティクル、あるいは金属不純物などの汚染を除去するための洗浄工程(3a)および(3b)へ送られる。
【0092】
この洗浄工程は、前述の本発明に係る洗浄方法と同一のものであり、本発明に係る洗浄剤組成物を用いる洗浄工程(3a)と、アンモニアおよび過酸化水素を含む組成物を用いる洗浄工程(3b)を含む。
このようにしてウェーハの洗浄が終了した段階で、表面検査を行い、製品としての半導体ウェーハが得られる。
【0093】
上記製造方法によれば、半導体ウェーハの表面における付着パーティクルが極めて少なく、且つ、表面粗れが極めて少ない半導体ウェーハを得ることができる。
たとえば、ウェーハ表面に付着した、粒子径が0.2μm以上のパーティクルの数が、ウェーハ表面100cm2あたり130個以下である半導体ウェーハを得ることができる。
【0094】
また、ウェーハの大きさにより制限せずにカウントするのであれば、ウェーハ表面に付着した、粒子径が0.2μm以上のパーティクルの数が、ウェーハ(たとえば4インチサイズ)1枚あたり100個以下である半導体ウェーハを得ることができる。
【0095】
また、ウェーハとしてシリコンウェーハを用いた場合には、表面粗さ(Ra)が0.2nm以下のものが得られる。
【0096】
また、ウェーハとしてガリウム砒素ウェーハを用いた場合には、表面粗さ(Ra)が0.4nm以下のものが得られる。
【0097】
ここで、Raは原子間力顕微鏡でウェーハ表面を走査して得られた粗さ曲線に対し、JIS B 0601-1994:表面粗さ−定義および表示に記載の計算を行い得たものである。すなわち、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、縦倍率の方向にY軸をとり、粗さ曲線をy=f(x)で表したときに、下式によって求められる値をナノメートルで表したものである。
【0098】
【数1】
【0099】
【実施例】
以下、実施例および比較例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
[食刻速度]
表1に示す配合成分に水を加えて100wt%とした実施例1、2および比較例1〜5の洗浄剤組成物を調合した。各組成物について、シリコンウェーハに対する食刻速度(エッチングレート)を測定した。
【0100】
測定は次の方法により行った。P型(100)単結晶シリコンウェーハを希フッ酸で処理して自然酸化膜除去を行った後、各洗浄剤組成物中に70時間浸漬した。浸漬前後のウェーハ重量変化より、ウェーハ全面(表面、裏面、側面)のトータル食刻速度を算出した。
【0101】
表1に、その結果を示す。
【0102】
【表1】
【0103】
表1の結果より明らかなように、一般式(1)の非イオン界面活性剤を第4級アンモニウム水酸化物と併用した実施例1、2の洗浄剤組成物は、シリコンウェーハの食刻速度が小さく、したがって洗浄によるウェーハ表面へのダメージが少ない。
【0104】
これに対し、比較例1〜5のように、ポリオキシアルキレン系の非イオン界面活性剤であっても、一般式(1)における特定の構造以外の化合物を使用した場合には、実施例1、2に比してシリコンウェーハの食刻速度が大きく、したがって洗浄によるウェーハ表面へのダメージも大きくなる。
【0105】
このように、一般式(1)の非イオン界面活性剤を第4級アンモニウム水酸化物と併用することで、食刻速度を十分に制御することが可能となる。
【0106】
[ワックス汚染除去性]
市販のワックス(商品名:アルファリキッドTR−100(インテック社製))を、6インチP型(100)単結晶シリコンウェーハ表面に1.7μmの膜厚で塗布し、これを80℃で5分間ベーキングし、試験用ウェーハを作製した。
【0107】
表2に示す配合成分に水を加えて100wt%とした実施例3、4および比較例6の洗浄剤組成物を調合し、試験用ウェーハを、各洗浄剤組成物中に25℃で6分間浸漬した。その後、試験用ウェーハを超純水で6分間リンスし、乾燥を行った。処理後のウェーハ表面に集光燈をあて、肉眼にて以下の評価基準によりワックス除去性を確認した。
評価基準
○ ワックスが完全に除去されている
△ ワックスが一部残っている
× ワックスがウェーハ全面に残っている
表2に、評価結果を示す。
【0108】
【表2】
【0109】
表2の結果より明らかなように、一般式(1)の非イオン界面活性剤を第4級アンモニウム水酸化物と併用した実施例3、4の洗浄剤組成物は、ウェーハ表面のワックスが肉眼観察では完全に除去されており、ワックスの除去性に優れていることがわかる。
【0110】
これに対し、比較例6のように、一般式(1)における特定の構造以外の化合物を使用した場合には、ウェーハ表面のワックスが肉眼観察で残存しており、ワックスの除去性が不十分であることがわかる。
【0111】
このように、一般式(1)の非イオン界面活性剤を、第4級アンモニウム水酸化物と併用することで、ワックス除去性においても優れた結果を示すことがわかる。
【0112】
[パーティクルろ過性]
表3に示す配合成分に水を加えて100wt%とした実施例5および比較例7の洗浄剤組成物を、ポリエチレン製容器内に20L作製した。
【0113】
洗浄剤組成物を2L/minの速度で、0.05μmテフロン(R)フィルターを介してろ過・循環し、液中のパーティクル除去を行った。液調合時および10分ろ過・循環後の液中のパーティクル数を測定した。パーティクル数の測定には、リオン株式会社製液中パーティクルカウンターKL−20を使用した。
【0114】
表3に測定結果を示す。
【0115】
【表3】
【0116】
表3の結果より明らかなように、一般式(1)の非イオン界面活性剤を第4級アンモニウム水酸化物と併用した実施例5の洗浄剤組成物は、一般式(1)における特定の構造以外の化合物を使用した比較例7の洗浄剤組成物に比して、パーティクルのろ過性において顕著に優れていることがわかる。
【0117】
このように、一般式(1)の非イオン界面活性剤を第4級アンモニウム水酸化物と併用することで、パーティクルのろ過性にも優れることがわかる。
そして、ウェーハ洗浄の際、フィルター循環をかけることにより、液中のパーティクル数を常に低いレベルに維持でき、その結果としてウェーハ表面へのパーティクルの再吸着量が低減できる。
【0118】
[アルカリ水溶液への界面活性剤の溶解性]
表4に示す配合成分と水を、TMAHを水に溶解したアルカリ水溶液に界面活性剤を加える手順で調合して計100wt%とし、実施例6〜8および比較例8の洗浄剤組成物を調合した。調合時に、界面活性剤をアルカリ水溶液に添加する際、液の白濁が起こるか否かを肉眼で確認することにより、界面活性剤の溶解性の評価を行った。評価は以下の基準により行った。
評価基準
○ 液の白濁はなく無色透明のままである
× 液が白濁する
表4に、評価結果を示す。
【0119】
【表4】
【0120】
表4の結果より明らかなように、実施例6〜8のようにx/(x+y)値が0.5以上である一般式(1)の非イオン界面活性剤では、アルカリ水溶液への溶解性が良好であることがわかる。
【0121】
これに対し、比較例8のようにx/(x+y)値が0.5より低い場合では、界面活性剤のアルカリ水溶液に対する溶解性が低下する。このような場合、界面活性剤の溶解性を上げるためには、さらに水溶性有機化合物(たとえばイソプロピルアルコール)など、別化合物の添加が必要になる。
【0122】
【発明の効果】
本発明に係る洗浄剤組成物は、特定の非イオン界面活性剤と第4級アンモニウム水酸化物を含むこととしたので、シリコン、ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの半導体ウェーハ、または液晶用ガラス基盤、太陽電池用ガラス基盤、水晶基盤などのエレクトロニクス関連の各種ガラス基盤、さらには光学ガラス用のレンズ、プリズム、光ファイバー、水晶振動子、半導体ウェーハの研磨用プレートなどのように高い清浄度が要求されるガラスまたはセラミックス製の精密加工部材などの表面汚染に対して優れた洗浄力を有する。
【0123】
特に、半導体ウェーハの洗浄において、ウェーハ表面の脱脂性能およびパーティクル除去性能が共に優れ、且つ、洗浄ウェーハに対する食刻を十分に制御することができる。
【0124】
さらに、アルカノールアミンを含むことにより、組成物の洗浄性と寿命をより向上させることができる。
【0125】
また、本発明に係る半導体ウェーハの洗浄方法は、前記洗浄工程(1)および(2)を含むこととしたので、ウェーハ表面の脱脂性能およびパーティクル除去性能が共に優れ、且つ、洗浄ウェーハに対する食刻を十分に制御することができる。
【0126】
また、本発明に係る半導体ウェーハの製造方法によれば、前記工程(1)〜(3b)を含むこととしたので、ウェーハの表面における付着パーティクルが極めて少なく、且つ、表面粗れが極めて少ない半導体ウェーハを得ることができる。
【0127】
また、本発明に係る半導体ウェーハは、ウェーハの表面における付着パーティクルが極めて少なく、且つ、表面粗れが極めて少ない。
Claims (12)
- 前記第4級アンモニウム水酸化物が、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドであることを特徴とする、請求項2に記載の洗浄剤組成物。
- 前記アルカノールアミンが、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンおよびトリエタノールアミンからなる群より選ばれるいずれかの化合物であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
- 前記非イオン界面活性剤が、洗浄剤組成物全量に対して0.0001〜10質量%含まれることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
- 前記第4級アンモニウム水酸化物が、洗浄剤組成物全量に対して0.001〜30質量%含まれることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
- 前記アルカノールアミンが、洗浄剤組成物全量に対して0.001〜50質量%含まれることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
- 下記(1)および(2)の洗浄工程を含むことを特徴とする、半導体ウェーハの洗浄方法。
洗浄工程(1) 請求項1〜8のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いる洗浄工程
洗浄工程(2) アンモニアおよび過酸化水素を含む組成物を用いる洗浄工程 - 前記洗浄工程(1)が、半導体ウェーハ表面の脱脂およびパーティクル除去を行う工程であることを特徴とする、請求項9に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記洗浄工程(2)が、半導体ウェーハ表面のパーティクル除去を行う工程であることを特徴とする、請求項9または10に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 下記(1)〜(3b)の工程を含むことを特徴とする、半導体ウェーハの製造方法。
工程(1) ウェーハ表面を磨くラップ工程
工程(2) ウェーハ表面を鏡面研磨するポリッシュ工程
工程(3a) 請求項1〜8のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いる洗浄工程
工程(3b) アンモニアおよび過酸化水素を含む組成物を用いる洗浄工程
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002361149A JP4350364B2 (ja) | 2002-12-12 | 2002-12-12 | 洗浄剤組成物、半導体ウェーハの洗浄方法および製造方法 |
TW092132169A TW200414340A (en) | 2002-12-12 | 2003-11-17 | Cleaning agent composition, cleaning and production methods for semiconductor wafer, and semiconductor wafer |
EP03778777A EP1572856B1 (en) | 2002-12-12 | 2003-12-10 | Cleaning agent composition, cleaning and production methods for semiconductor wafer |
US10/538,929 US20070010411A1 (en) | 2002-12-12 | 2003-12-10 | Cleaning agent composition, cleaning and production methods for semiconductor wafer, and semiconductor wafer |
PCT/JP2003/015792 WO2004053045A1 (en) | 2002-12-12 | 2003-12-10 | Cleaning agent composition, cleaning and production methods for semiconductor wafer, and semiconductor wafer |
KR1020057010580A KR100725891B1 (ko) | 2002-12-12 | 2003-12-10 | 세정제 조성물, 반도체 웨이퍼의 세정 방법, 제조 방법 및반도체 웨이퍼 |
CNA2003801054899A CN1723273A (zh) | 2002-12-12 | 2003-12-10 | 清洗剂组合物、半导体晶片的清洗和制造方法、以及半导体晶片 |
DE60319132T DE60319132T2 (de) | 2002-12-12 | 2003-12-10 | Reinigungsmittel, reinigungs- und herstellungsverfahren für halbleiterscheiben |
AT03778777T ATE386099T1 (de) | 2002-12-12 | 2003-12-10 | Reinigungsmittel, reinigungs- und herstellungsverfahren für halbleiterscheiben |
AU2003285760A AU2003285760A1 (en) | 2002-12-12 | 2003-12-10 | Cleaning agent composition, cleaning and production methods for semiconductor wafer, and semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002361149A JP4350364B2 (ja) | 2002-12-12 | 2002-12-12 | 洗浄剤組成物、半導体ウェーハの洗浄方法および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004189943A JP2004189943A (ja) | 2004-07-08 |
JP4350364B2 true JP4350364B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=32760004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002361149A Expired - Fee Related JP4350364B2 (ja) | 2002-12-12 | 2002-12-12 | 洗浄剤組成物、半導体ウェーハの洗浄方法および製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070010411A1 (ja) |
EP (1) | EP1572856B1 (ja) |
JP (1) | JP4350364B2 (ja) |
KR (1) | KR100725891B1 (ja) |
CN (1) | CN1723273A (ja) |
AT (1) | ATE386099T1 (ja) |
AU (1) | AU2003285760A1 (ja) |
DE (1) | DE60319132T2 (ja) |
TW (1) | TW200414340A (ja) |
WO (1) | WO2004053045A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011050903A1 (de) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Schott Solar Ag | Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer hochdotierten Halbleitrschicht |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI393178B (zh) * | 2005-01-27 | 2013-04-11 | Advanced Tech Materials | 半導體基板處理用之組成物 |
DE102005018501A1 (de) * | 2005-04-21 | 2006-10-26 | Clariant Produkte (Deutschland) Gmbh | Wasch- und Reinigungsmittel enthaltend Alkohol-Ethoxylat-Propoxylate |
JP2006352075A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系化合物半導体および化合物半導体の洗浄方法、これらの製造方法および基板 |
WO2006125462A1 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Freescale Semiconductor, Inc | Cleaning solution for a semiconductor wafer |
JP2007208145A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
SG139699A1 (en) * | 2006-08-02 | 2008-02-29 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing process |
JP4963948B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2012-06-27 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
JP5403890B2 (ja) * | 2007-10-02 | 2014-01-29 | 花王株式会社 | ハードディスク用基板用の洗浄剤組成物 |
JP5152851B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2013-02-27 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置の製造方法 |
JP2010135525A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Siltronic Ag | 半導体ウエハの洗浄方法 |
US7700535B1 (en) * | 2009-01-12 | 2010-04-20 | Ppt Research | Wafer/Ingot cleaning in wire saw cutting comprising an ethoxylated alcohol/polyalkylsiloxane mixture |
JP5443863B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2014-03-19 | 株式会社Adeka | 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 |
JP4743340B1 (ja) | 2009-10-28 | 2011-08-10 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
TWI392729B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-04-11 | 太陽能晶片洗劑 | |
JP5858597B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2016-02-10 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | タングステン配線半導体用洗浄剤 |
JP6070548B2 (ja) * | 2011-05-18 | 2017-02-01 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体基板 |
JP5933950B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-06-15 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
JP2013133458A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 水性洗浄剤 |
CN103882444A (zh) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种清洗液及其应用 |
CN104531377B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-12-29 | 长沙艾森设备维护技术有限公司 | 一种光学玻璃清洗剂 |
CN104576319A (zh) * | 2015-01-04 | 2015-04-29 | 上海申和热磁电子有限公司 | 去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法 |
CN104893848B (zh) * | 2015-06-09 | 2018-04-03 | 武汉宜田科技发展有限公司 | 一种易降解环保型硅片清洗剂及其制备方法 |
KR101765212B1 (ko) | 2015-07-17 | 2017-08-04 | 주식회사 위즈켐 | 천연계 태양광 웨이퍼 세정제 조성물 |
EP3851479A1 (en) | 2015-10-07 | 2021-07-21 | Elementis Specialties, Inc. | Wetting and anti-foaming agent |
KR102027793B1 (ko) * | 2016-01-05 | 2019-10-02 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
JP6542392B2 (ja) * | 2016-01-05 | 2019-07-10 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法、および、半導体デバイスの製造方法 |
CN110234801B (zh) * | 2017-05-26 | 2021-01-12 | 住友电气工业株式会社 | Iii-v族化合物半导体基板和带有外延层的iii-v族化合物半导体基板 |
TWI665174B (zh) * | 2017-09-01 | 2019-07-11 | 谷崧精密工業股份有限公司 | 陶瓷塑料複合體及其製造方法 |
KR101957875B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2019-03-13 | 영창케미칼 주식회사 | 극자외선 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용하는 패턴 형성 방법 |
JP7166819B2 (ja) | 2018-07-13 | 2022-11-08 | Cmcマテリアルズ株式会社 | 化学機械研磨組成物、リンス組成物、化学機械研磨方法及びリンス方法 |
US11180697B2 (en) | 2018-11-19 | 2021-11-23 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution having silicon oxide corrosion inhibitor and method of using the same |
KR102062342B1 (ko) * | 2019-03-08 | 2020-01-03 | 영창케미칼 주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정액 조성물 및 그를 이용한 세정방법 |
CN111015369A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-04-17 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 用于硅片背面的抛光液添加剂、抛光液以及背钝化晶硅太阳能电池的硅片的抛光方法 |
WO2023228996A1 (ja) * | 2022-05-27 | 2023-11-30 | 花王株式会社 | 接着剤用洗浄剤組成物 |
CN115156170A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-10-11 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种锑化铟晶片的清洗方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5302313A (en) * | 1988-06-22 | 1994-04-12 | Asahi Glass Company Ltd. | Halogenated hydrocarbon solvents |
WO1989012674A1 (en) * | 1988-06-22 | 1989-12-28 | Asahi Glass Company Ltd. | Halogenated hydrocarbon solvents and use thereof |
DE19853961C2 (de) * | 1998-11-23 | 2001-03-01 | Siemens Ag | Verfahren zum Waschen von Reinraumkleidung |
TWI221946B (en) * | 1999-01-07 | 2004-10-11 | Kao Corp | Resist developer |
TWI243204B (en) * | 2000-02-04 | 2005-11-11 | Sumitomo Chemical Co | Electronic parts cleaning solution |
US6417147B2 (en) * | 2000-02-29 | 2002-07-09 | Showa Denko K.K. | Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof |
US6310019B1 (en) * | 2000-07-05 | 2001-10-30 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent for a semi-conductor substrate |
-
2002
- 2002-12-12 JP JP2002361149A patent/JP4350364B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-11-17 TW TW092132169A patent/TW200414340A/zh unknown
- 2003-12-10 DE DE60319132T patent/DE60319132T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-10 EP EP03778777A patent/EP1572856B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-10 US US10/538,929 patent/US20070010411A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-10 WO PCT/JP2003/015792 patent/WO2004053045A1/en active IP Right Grant
- 2003-12-10 AU AU2003285760A patent/AU2003285760A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-10 CN CNA2003801054899A patent/CN1723273A/zh active Pending
- 2003-12-10 AT AT03778777T patent/ATE386099T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-12-10 KR KR1020057010580A patent/KR100725891B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011050903A1 (de) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Schott Solar Ag | Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer hochdotierten Halbleitrschicht |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004189943A (ja) | 2004-07-08 |
ATE386099T1 (de) | 2008-03-15 |
EP1572856A1 (en) | 2005-09-14 |
EP1572856B1 (en) | 2008-02-13 |
DE60319132D1 (de) | 2008-03-27 |
TW200414340A (en) | 2004-08-01 |
WO2004053045A1 (en) | 2004-06-24 |
CN1723273A (zh) | 2006-01-18 |
KR20050085532A (ko) | 2005-08-29 |
KR100725891B1 (ko) | 2007-06-08 |
AU2003285760A1 (en) | 2004-06-30 |
DE60319132T2 (de) | 2009-02-05 |
US20070010411A1 (en) | 2007-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4350364B2 (ja) | 洗浄剤組成物、半導体ウェーハの洗浄方法および製造方法 | |
US6417147B2 (en) | Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof | |
KR100748410B1 (ko) | 기판표면 세정액 및 세정방법 | |
KR101520917B1 (ko) | 웨이퍼의 표면 처리용 텍스쳐링 및 세정제 및 그것의 사용 | |
TWI441918B (zh) | 後cmp清潔的配方及方法 | |
KR0160372B1 (ko) | 마이크로일렉트로닉스 기판을 세척하기 위한, pH가 조정된 비이온-계면활성제 함유 알칼리성 세제 | |
JP4613744B2 (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法 | |
KR19990063592A (ko) | 웨이퍼 처리액 및 그 제조방법 | |
JP3624809B2 (ja) | 洗浄剤組成物、洗浄方法及びその用途 | |
JPH0613364A (ja) | シリコンウエハーおよび半導体素子洗浄液 | |
CN109735397B (zh) | 一种led蓝宝石衬底除蜡除颗粒清洗剂、制备方法、用途及清洗方法 | |
JP2003109930A (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
KR20070018689A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 세정 방법 | |
JP2003313584A (ja) | 洗浄剤組成物 | |
TW202413616A (zh) | 半導體基板之製造方法 | |
TW202411414A (zh) | 接著劑用洗淨劑組合物 | |
JP2012104671A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
KR20130046293A (ko) | 태양전지용 웨이퍼 세정제 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080616 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090116 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090722 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |