JP2005532691A - エッチング残渣除去用組成物、及び、その使用 - Google Patents
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Abstract
水、ジカルボン有機酸、バッファー剤及びフッ素ソース、及び、任意に水混和性有機溶媒を含む組成物は、エッチング残渣を除去できる。
Description
本発明は、物体の微細構造からのエッチング残渣の選択的な除去に関する。本発明は、残渣除去用組成物に露出している金属及び／又は二酸化ケイ素フィルムに破壊的化学作用を及ぼさずに、残渣を選択的に除去する。また、本発明は、エッチング残渣を除去するのに適切な特定の洗浄組成物に関する。
超小型電子構造の製作には多くの段階が含まれる。集積回路の製作過程には、半導体表面の選択的なエッチングが必要な場合がある。従来、物質を選択的に除去するために、非常に多くの様々なエッチング加工が様々な程度で使用されてきた。また、超小型電子構造内における異なる層の選択的なエッチングは、集積回路製作過程において非常に重要な段階であると考えられている。
リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）は、ビア、金属線及び溝形成時にパターン転写する際に選択されることが増えてきた工程である。例えば、相互連結配線系統の後部の多層膜を必要とする、高度なＤＲＡＭＳやマイクロプロセッサー等の複合半導体デバイスは、ビア、金属線及び溝構造の製造にＲＩＥを使用している。ビアによって、層間絶縁体を通して、ケイ素、ケイ素化合物又は金属配線の面とその次の配線の面とが接触する。金属線は、デバイスを相互に連結するために使用する伝導性構造物である。溝構造は、金属線構造の形成において使用される。ビア、金属線及び溝構造は、一般的に、Ａｌ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｗ、ＴｉＷ、ケイ素又は（タングステン、チタン又はコバルトのケイ素化合物等の）ケイ素化合物等の金属及び合金を露出している。一般的に、ＲＩＥ工程においては、再度スパッタされた酸化物と、（ビア、金属線又は溝構造をパターン転写するために使用するフォトレジスト及び反射防止膜に由来する）有機物である可能性のある物質とを含む可能性のある（複合混合物の）残渣が残る。
従って、一般的にはプラズマを（特にはＲＩＥを）使用した選択的なエッチングによって出た残渣を除去できる選択的洗浄物質及び工程の取得が望まれるであろう。また、金属、ケイ素、ケイ素化合物、及び／又は、（洗浄組成物にも露出している可能性のある）堆積酸化物等の絶縁体物質と比較して、エッチング残渣を高い選択性で除去できる選択的洗浄物質及び工程の取得が望まれるであろう。
本発明は、基板からエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物にも露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供する。また、本発明は、極微量のケイ素酸化物を呈し、一般的には絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供する。
より具体的には、本発明は、
エッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、
Ａ．上限約８０％の水混和性有機溶媒、
Ｂ．約５〜約５０重量％の水、
Ｃ．約１〜約２０重量％のジカルボン有機酸、
Ｄ．約１〜約２０重量％の塩基、及び、
Ｅ．約０．１〜約１０重量％のフッ素イオンソースを含む
ことを特徴とする組成物
に関する。
塩基Ｄはジカルボン酸Ｃと組み合わさってバッファー剤を形成する。
エッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、
Ａ．上限約８０％の水混和性有機溶媒、
Ｂ．約５〜約５０重量％の水、
Ｃ．約１〜約２０重量％のジカルボン有機酸、
Ｄ．約１〜約２０重量％の塩基、及び、
Ｅ．約０．１〜約１０重量％のフッ素イオンソースを含む
ことを特徴とする組成物
に関する。
塩基Ｄはジカルボン酸Ｃと組み合わさってバッファー剤を形成する。
また、本発明は、
基板からエッチング残渣を除去する方法であって、
上記に開示された組成物と基板を接触させることを含む
ことを特徴とする方法
にも関する。
基板からエッチング残渣を除去する方法であって、
上記に開示された組成物と基板を接触させることを含む
ことを特徴とする方法
にも関する。
本発明の他の目的及び利点は、以下の詳細な記載によって当業者には容易に明らかとなるであろう。本記載中では、本発明を実施するにあたり熟考された最良の形態を単純に例解し、これによって本発明の好ましい実施形態のみを示し、記載している。また、本発明は他の異なる実施形態も可能であること、及び、そのいくつかの詳細については、本発明の範囲内において、関連が明白な様々な改変が可能であることも理解されるであろう。従って、本記載及び図面は、事実上の実例であって、限定を加えるものではないと見なされる。
図の要約
図１は、異なるｐＨにおける、様々な二塩基酸含有製剤のリンドープ非濃縮ＴＥＯＳエッチング速度を図示したものである。
図１は、異なるｐＨにおける、様々な二塩基酸含有製剤のリンドープ非濃縮ＴＥＯＳエッチング速度を図示したものである。
図２は、異なるｐＨにおける、様々な二塩基酸含有製剤の非ドープ非濃縮ＴＥＯＳエッチング速度を図示したものである。
図３は、ｐＨ７．０における、マレイン酸緩衝フッ化剥離剤及びアミノスルホン酸緩衝フッ化剥離剤のＰＴＥＯＳエッチング速度を図示したものである。
図４は、３種の物質（酢酸緩衝フッ化剥離剤、アミノスルホン酸緩衝フッ化剥離剤及び実施例８）のＰＴＥＯＳエッチング速度を比較したものである。
図５は、アルミニウム線に対する洗浄性能の結果を示す。
図６は、感光性酸化物のビアに対する洗浄性能の結果を示す。
本発明の実施における最良で多様な態様
本発明は、エッチング残渣、特にリアクティブイオンエッチングによって生じた残渣の選択的な除去に関する。また、エッチング残渣は、金属、ケイ素、ケイ酸塩、並びに／又は、堆積したケイ素酸化物及びケイ素酸化物誘導体（ＴＥＯＳ及びＳＯＧ等）等の絶縁体物質と共に物質中に含まれる。上記残渣、並びに、金属、ケイ素、ケイ酸塩及び／又は絶縁体物質は共に、洗浄組成物と接触するであろう。本発明によれば、金属、ケイ素、二酸化ケイ素及び絶縁体物質に有意な破壊的化学作用を及ぼさずにエッチング後の残渣を選択的に除去できる。金属とは、一般的に、銅、銅合金、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン、チタン／タングステン、アルミニウム及び／又はアルミニウム合金である。本発明によって除去される残渣は、リアクティブイオンエッチングによって生成したものが好ましい。
本発明は、エッチング残渣、特にリアクティブイオンエッチングによって生じた残渣の選択的な除去に関する。また、エッチング残渣は、金属、ケイ素、ケイ酸塩、並びに／又は、堆積したケイ素酸化物及びケイ素酸化物誘導体（ＴＥＯＳ及びＳＯＧ等）等の絶縁体物質と共に物質中に含まれる。上記残渣、並びに、金属、ケイ素、ケイ酸塩及び／又は絶縁体物質は共に、洗浄組成物と接触するであろう。本発明によれば、金属、ケイ素、二酸化ケイ素及び絶縁体物質に有意な破壊的化学作用を及ぼさずにエッチング後の残渣を選択的に除去できる。金属とは、一般的に、銅、銅合金、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン、チタン／タングステン、アルミニウム及び／又はアルミニウム合金である。本発明によって除去される残渣は、リアクティブイオンエッチングによって生成したものが好ましい。
本発明の組成物は、約５〜５０重量％、好ましくは約２０〜約４５％、最も好ましくは約２５〜約３０重量％の水を含む。水は、脱イオン水を使用するのが好ましい。
また、本発明の組成物は、ジカルボン有機酸を１〜約２０重量％、好ましくは約１〜約１０重量％、最も好ましくは約２〜約５重量％含む。
ジカルボン酸は、飽和のものであっても不飽和のものであってもよく、また、直鎖又は分岐の環状又は鎖状であってよい。
適切な飽和鎖状の酸の例としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸及びアジピン酸が含まれる。不飽和の酸の例としては、フマル酸又はマレイン酸が挙げられる。環状の酸の例としては、フタル酸及びテレフタル酸が挙げられる。好ましい酸としては、コハク酸、マロン酸、マレイン酸、アジピン酸及びフタル酸が挙げられる。より好ましい酸はマレイン酸及びアジピン酸であり、最も好ましい酸はアジピン酸である。
予想外にも、本発明によれば、本発明の組成物中にジカルボン酸が存在しても、剥離剤溶液のｐＨが酸性であることから推測された程には酸化物エッチング速度が上昇しなかった。その代わり、上記組成物の酸化物エッチング速度は非常に低く、ほとんどゼロの場合もある。酸化物エッチングの阻害には二塩基酸及び／又はその塩が必要であることが分かった。二塩基酸又はその塩を含まない組成物では、本発明によって達成された酸化物エッチングを阻害できない。
また、本発明の組成物は、有機二塩基酸と組み合わさってバッファー剤を形成する、有機又は無機の塩基を一般的に約０．５〜約２０重量％、好ましくは約１〜約１０重量％、最も好ましくは約２〜約５重量％含む。
これらの製剤のｐＨは、選択した特定の二塩基酸及びその有効緩衝範囲に依存して、１〜約７の間、好ましくは約５．５〜６．０の間で変化してよい。特に、二塩基酸は２つのｐＫａ値で定義され、一般的に、それぞれのｐＫａの±約０．７５のｐＨでバッファーとして作用する。例えば、マロン酸のｐＫ値はｐＫ１＝２．８及びｐＫ２＝５．７である。従って、マロン酸はｐＨ２．０５〜３．５５の間及び４．９５〜６．４５の間でバッファーとして作用することが予想できる。同様に、アジピン酸のｐＫ値はｐＫ１＝４．５及びｐＫ２＝５．５である。２つのｐＨがほぼ一致しているため、アジピン酸の有効緩衝範囲はｐＨ３．７５〜６．２５の間である。洗浄性能並びに絶縁体及び金属エッチングの両方がある程度ｐＨに依存しているため、緩衝が重要であることが分かっている。ｐＨが変化すると、洗浄及び基板エッチングが著しく変化する可能性がある。例えば、ｐＨ４．７５のやや水性のフッ化剥離剤は銅をあまりエッチングしない可能性があるが、ｐＨ７．５以上においては銅に多大な破壊的化学作用を及ぼし、その結果としてデバイスの微小寸法が許容範囲を超えて減少することとなる。
適切な塩基の例としては水酸化アンモニウム、アミン及び水酸化第４級アンモニウムが含まれるが、これらに限定されない。
上記塩基は、基板を汚染する傾向があるナトリウム及びカリウム等の金属イオンを含まないことが好ましい。好ましい塩基は、水酸化アンモニウム又はモノエタノールアミン（ＭＥＡ）である。
また、本発明の組成物はフッ素イオンソースを一般的に約０．１〜約１０重量％、好ましくは約０．１〜約５重量％、最も好ましくは約０．５〜約３重量％含む。
本発明によるフッ素イオンソースを提供する典型的な化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、（フッ化テトラメチルアンモニウム及びフッ化テトラブチルアンモニウム等の）フッ化第４級アンモニウム、フルオロホウ酸塩、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、並びに、ヘキサフルオロアルミニウムである。また、脂肪族の第１、第２又は第３アミンのフッ化塩も使用できる。これらは次の式を有する。
Ｒ１Ｎ（Ｒ３）Ｒ２Ｆ
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、Ｈ又はアルキル基を表わす。
Ｒ１Ｎ（Ｒ３）Ｒ２Ｆ
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、Ｈ又はアルキル基を表わす。
一般的に、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３中の炭素原子の総数は１２以下である。好ましいフッ化化合物はフッ化アンモニウムである。
また、本発明の組成物は水混和性有機溶媒を０〜約８０重量％、より一般的には約１〜約８０重量％含む。水混和性有機溶媒の好ましい量は、約３０〜約６５重量％、最も好ましくは約５０〜約６０重量％である。
水混和性有機溶媒の例としては、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ホルムアミド、ジメチル−２−ピペリドン（ＤＭＰＤ）、テトラヒドロフルフリルアルコール、グリセリン、エチレングリコール、並びに、その他のアミド、アルコール若しくはスルホキシド、又は、ヒドロキシアミド若しくはアミノアルコール等の多官能化合物が含まれるが、これらに限定されない。
溶剤を使用する場合、好ましい溶剤は、ジメチルアセトアミド及びジメチル−２−ピペリドン及びＮ−メチルピロリジノンである。
また、必要であれば、本発明の組成物は腐食抑制剤を任意に含むことができる。腐食抑制剤が存在する場合、腐食抑制剤は一般的に上限約１０重量％、好ましくは約０．５〜約５重量％、最も好ましくは約１〜約２重量％使用する。
腐食抑制剤の例としては、カテコール、没食子酸、ベンゾトリアゾール、レゾルシノール、その他のフェノール、酸又はトリアゾールが含まれるが、これらに限定されない。
また、本発明の組成物は、銅を含む基板上で使用する場合、銅表面に結合する傾向のあるベンゾトリアゾールを含まないことが好ましい。ベンゾトリアゾールは、様々な従来技術における組成物中に存在する。
本発明の基板組成物の数例を下記表１中に示し、好ましい組成物を表２中に例証する。
表２：好ましい製剤
下記表３中には、選択した酸のｐＫａ値及び予想される有効緩衝範囲を示す。
表３：酸のｐＫａ値及び有効緩衝範囲
本発明の前述の記載は本発明を説明して記載するものである。また、本開示は、本発明の好ましい実施形態のみを示して記載するものである。しかしながら、上述のように、本発明は、上記以外の様々な組み合わせ、改変及び環境において使用できること、並びに、関連する従来技術の教示及び／又は技術又は知識と同等に、本明細書中に記載する発明概念の範囲内で変更又は改変できることが理解される。また、本明細書中において上述した実施形態は、本発明の実施において公知の最良の態様を説明することを意図し、かつ、上述の又はその他の実施形態において、及び、本発明の特定の適用又は使用に要する様々な改変を伴って、その他の当業者が本発明を利用できるようにすることを意図するものである。従って、上記記載は、本明細書中に開示する形態に本発明を制限するものではない。また、付随する特許請求の範囲は、既存のものに代わる実施形態を含むように解釈されることを意図する。
Claims (33)
- エッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、
ａ．上限約８０重量％の水混和性有機溶媒、
ｂ．約５〜約５０重量％の水、
ｃ．約１〜約２０重量％のジカルボン有機酸、
ｄ．約０．５〜約２０重量％の、前記二塩基酸と組み合わさってバッファー剤を形成する塩基、及び、
ｅ．約０．１〜約１０重量％のフッ素イオンソースを含む
ことを特徴とする組成物。 - ジカルボン有機酸が、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、フタル酸及びテレフタル酸からなる群より選択される
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - ジカルボン有機酸が、コハク酸、マロン酸、マレイン酸、アジピン酸及びフタル酸からなる群より選択される
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - ジカルボン有機酸がマレイン酸又はアジピン酸である
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - ジカルボン有機酸がアジピン酸である
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - 塩基が、水酸化アンモニウム、アミン及び水酸化第４級アンモニウムからなる群より選択される
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - 塩基が水酸化アンモニウム又はモノエタノールアミンを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - フッ素イオンソースが、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化第４級アンモニウム、フルオロホウ酸塩、フルオロホウ酸、重フッ化スズ、フッ化アンチモン、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロアルミニウム、及び、下記式：
Ｒ１Ｎ（Ｒ３）Ｒ２
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれＨ又はアルキル基を表わす）：
の脂肪族の第１、第２又は第３アミンのフッ化塩からなる群より選択される
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - フッ素イオンソースがフッ化アンモニウムを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - 水混和性有機溶媒の量が約１〜約８０重量％である
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - 水混和性有機溶媒が、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ホルムアミド、ＤＭＰＤ、テトラヒドロフルフリルアルコール、グリセリン及びエチレングリコールからなる群より選択される
ことを特徴とする請求項１０に記載の組成物。 - 水混和性有機溶媒がジメチルアセトアミド、ＤＭＰＤ又はＮＭＰを含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の組成物。 - ｐＨが約１〜約７である
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - ｐＨが約５．５〜約６である
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - ベンゾトリアゾールを含まない
ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。 - 基板からエッチング残渣を除去する方法であって、
ａ．上限約８０重量％の水混和性有機溶媒、
ｂ．約５〜約５０重量％の水、
ｃ．約１〜約２０重量％のジカルボン有機酸、
ｄ．約０．５〜約２０重量％の、前記二塩基酸と組み合わさってバッファー剤を形成する塩基、及び、
ｅ．約０．１〜約１０重量％のフッ素イオンソースを含む組成物と基板を接触させることを含む
ことを特徴とする方法。 - ジカルボン有機酸が、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、フタル酸及びテレフタル酸からなる群より選択される
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - ジカルボン有機酸が、コハク酸、マロン酸、マレイン酸、アジピン酸及びフタル酸からなる群より選択される
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - ジカルボン有機酸がマレイン酸又はアジピン酸である
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - ジカルボン有機酸がアジピン酸である
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 塩基が、水酸化アンモニウム、アミン及び水酸化第４級アンモニウムからなる群より選択される
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 塩基が水酸化アンモニウム又はモノエタノールアミンを含む
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - フッ素イオンソースが、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化第４級アンモニウム、フルオロホウ酸塩、フルオロホウ酸、重フッ化スズ、フッ化アンチモン、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロアルミニウム、及び、下記式：
Ｒ１Ｎ（Ｒ３）Ｒ２
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれＨ又はアルキル基を表わす）：
の脂肪族の第１、第２又は第３アミンのフッ化塩からなる群より選択される
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - フッ素イオンソースがフッ化アンモニウムを含む
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 水混和性有機溶媒の量が約１〜約８０重量％である
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 水混和性有機溶媒が、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ホルムアミド、ＤＭＰＤ、テトラヒドロフルフリルアルコール、グリセリン及びエチレングリコールからなる群より選択される
ことを特徴とする請求項２５に記載の方法。 - 水混和性有機溶媒がジメチルアセトアミド、ＤＭＰＤ又はＮＭＰを含む
ことを特徴とする請求項２５に記載の方法。 - 組成物のｐＨが約１〜約７である
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 組成物のｐＨが約５．５〜約６である
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 組成物がベンゾトリアゾールを含まない
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 基板が、金属、ケイ素、ケイ酸塩及び絶縁体物質からなる群より選択される物質を更に含む
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 絶縁体物質がケイ素酸化物及びケイ素酸化物誘導体を含む
ことを特徴とする請求項３１に記載の方法。 - 金属が、銅、銅合金、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン、チタン／タングステン、アルミニウム及び／又はアルミニウム合金からなる群より選択される
ことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012505293A (ja) * | 2008-10-09 | 2012-03-01 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド | 酸化銅エッチ残渣除去および、銅電着の防止のための水性の酸性洗浄用組成物 |
| JP2016040382A (ja) * | 2012-10-23 | 2016-03-24 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | クリーニング用組成物 |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI297102B (en) * | 2001-08-03 | 2008-05-21 | Nec Electronics Corp | Removing composition |
| US6677286B1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions for removing etching residue and use thereof |
| US7166419B2 (en) * | 2002-09-26 | 2007-01-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions substrate for removing etching residue and use thereof |
| US20050032657A1 (en) * | 2003-08-06 | 2005-02-10 | Kane Sean Michael | Stripping and cleaning compositions for microelectronics |
| CN100522395C (zh) * | 2004-03-02 | 2009-08-05 | 气体产品与化学公司 | 用于从基片除去含硅残留物的方法 |
| US8030263B2 (en) * | 2004-07-01 | 2011-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for stripping and cleaning and use thereof |
| US9217929B2 (en) | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
| EP1804597B1 (en) * | 2004-09-30 | 2012-08-01 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Process of making boxer shorts from a web |
| US7846349B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Solution for the selective removal of metal from aluminum substrates |
| US7682458B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-03-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
| US7867779B2 (en) | 2005-02-03 | 2011-01-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream |
| US7888302B2 (en) * | 2005-02-03 | 2011-02-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
| CN100555580C (zh) * | 2005-04-04 | 2009-10-28 | 马林克罗特贝克公司 | 前段工序中用于清洁离子注入的光致抗蚀剂的组合物 |
| US7713885B2 (en) * | 2005-05-11 | 2010-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of etching oxide, reducing roughness, and forming capacitor constructions |
| TWI339780B (en) * | 2005-07-28 | 2011-04-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Stripper |
| US8772214B2 (en) * | 2005-10-14 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same |
| CN1966636B (zh) * | 2005-11-15 | 2011-08-03 | 安集微电子（上海）有限公司 | 清洗液组合物 |
| US7534753B2 (en) * | 2006-01-12 | 2009-05-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue |
| US20070179072A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Rao Madhukar B | Cleaning formulations |
| US7943562B2 (en) | 2006-06-19 | 2011-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor substrate cleaning methods, and methods of manufacture using same |
| KR100774525B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2007-11-08 | 덕산약품공업주식회사 | 가소성 격벽 제거제 조성물 및 이를 이용한 격벽 제거 방법 |
| KR100891255B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2009-04-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 커패시터의 리닝 방지용 식각액 조성물 및 이를 이용한커패시터 제조 방법 |
| US7879783B2 (en) * | 2007-01-11 | 2011-02-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning composition for semiconductor substrates |
| US20080234162A1 (en) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | General Chemical Performance Products Llc | Semiconductor etch residue remover and cleansing compositions |
| US8987039B2 (en) | 2007-10-12 | 2015-03-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Antireflective coatings for photovoltaic applications |
| US20090096106A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Antireflective coatings |
| KR20100082012A (ko) * | 2007-11-16 | 2010-07-15 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 반도체 기판으로부터의 금속 하드 마스크 에칭 잔류물의 제거를 위한 조성물 |
| CA2716641A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Microelectronic substrate cleaning compositions |
| US7872978B1 (en) * | 2008-04-18 | 2011-01-18 | Link—A—Media Devices Corporation | Obtaining parameters for minimizing an error event probability |
| US8492288B2 (en) | 2008-06-10 | 2013-07-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of treating semiconductor substrates, methods of forming openings during semiconductor fabrication, and methods of removing particles from over semiconductor substrates |
| US20100151206A1 (en) | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for Removal of Carbon From An Organosilicate Material |
| US8398779B2 (en) * | 2009-03-02 | 2013-03-19 | Applied Materials, Inc. | Non destructive selective deposition removal of non-metallic deposits from aluminum containing substrates |
| US8444768B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| US8614053B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-12-24 | Eastman Chemical Company | Processess and compositions for removing substances from substrates |
| US8101561B2 (en) | 2009-11-17 | 2012-01-24 | Wai Mun Lee | Composition and method for treating semiconductor substrate surface |
| US8980121B2 (en) * | 2010-01-28 | 2015-03-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching liquid for a copper/titanium multilayer thin film |
| SG183510A1 (en) * | 2010-03-05 | 2012-09-27 | Lam Res Corp | Cleaning solution for sidewall polymer of damascene processes |
| JP5971246B2 (ja) | 2011-07-04 | 2016-08-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 |
| US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
| US10189712B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | International Business Machines Corporation | Oxidation of porous, carbon-containing materials using fuel and oxidizing agent |
| US9472420B2 (en) * | 2013-12-20 | 2016-10-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal |
| KR102347596B1 (ko) | 2015-06-26 | 2022-01-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 잔류물 제거를 위한 수성 세정제 조성물 |
| CN107217332A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-09-29 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种氮/硼/氟三元共掺杂碳纤维及其制备方法 |
| CN108103584A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-06-01 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种用于多晶金刚线切硅片表面处理的酸性制绒添加剂及其使用方法 |
| CN110540369B (zh) * | 2018-07-12 | 2022-02-22 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种用于褪镀fgar膜的褪镀液及其制备方法和应用 |
| CN114072488A (zh) * | 2019-05-01 | 2022-02-18 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 蚀刻组合物 |
| CN114008181A (zh) * | 2019-06-19 | 2022-02-01 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于半导体衬底的清洁组合物 |
| WO2023049688A1 (en) * | 2021-09-23 | 2023-03-30 | Versum Materials Us, Llc | Post-dry etching photoresist and metal containing residue removal formulation |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09197681A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-07-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
| WO2001005524A1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Ekc Technology, Inc. | Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US107158A (en) * | 1870-09-06 | Improvement in the manufacture of albumen | ||
| US5981454A (en) | 1993-06-21 | 1999-11-09 | Ekc Technology, Inc. | Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine |
| NZ239821A (en) * | 1991-09-16 | 1994-12-22 | Bruce Robert Townsend | Cultivator-sower for lawns and fields: row of tines followed by levelling blade, discs, seed dispenser and roller. |
| US5320709A (en) | 1993-02-24 | 1994-06-14 | Advanced Chemical Systems International Incorporated | Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution |
| JP2743823B2 (ja) | 1994-03-25 | 1998-04-22 | 日本電気株式会社 | 半導体基板のウエット処理方法 |
| US5571447A (en) | 1995-03-20 | 1996-11-05 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
| JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
| JP3755776B2 (ja) | 1996-07-11 | 2006-03-15 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 |
| JP4202424B2 (ja) | 1996-07-25 | 2008-12-24 | イーケイシー テクノロジー インコーポレイテッド | 化学機械研磨組成物及び化学機械研磨方法 |
| JPH1055993A (ja) | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
| US5698503A (en) | 1996-11-08 | 1997-12-16 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
| US6268323B1 (en) * | 1997-05-05 | 2001-07-31 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| US6231677B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist stripping liquid composition |
| US6828289B2 (en) * | 1999-01-27 | 2004-12-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature |
| US6248704B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
| JP2001100436A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
| US6361712B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-03-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Composition for selective etching of oxides over metals |
| JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
| US6656894B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-12-02 | Ashland Inc. | Method for cleaning etcher parts |
| US6669785B2 (en) * | 2002-05-15 | 2003-12-30 | Micell Technologies, Inc. | Methods and compositions for etch cleaning microelectronic substrates in carbon dioxide |
| US6677286B1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions for removing etching residue and use thereof |
-
2002
- 2002-07-10 US US10/191,060 patent/US6677286B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-07-09 TW TW092118661A patent/TW200420755A/zh unknown
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- 2003-07-10 EP EP03763377A patent/EP1534643A1/en not_active Withdrawn
- 2003-07-10 KR KR1020057000264A patent/KR20050025316A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-07-10 CN CNB038162229A patent/CN1278975C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-26 US US10/723,737 patent/US6821352B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09197681A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-07-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
| WO2001005524A1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Ekc Technology, Inc. | Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012505293A (ja) * | 2008-10-09 | 2012-03-01 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド | 酸化銅エッチ残渣除去および、銅電着の防止のための水性の酸性洗浄用組成物 |
| JP2016040382A (ja) * | 2012-10-23 | 2016-03-24 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | クリーニング用組成物 |
| US9536730B2 (en) | 2012-10-23 | 2017-01-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations |
| JP2018164091A (ja) * | 2012-10-23 | 2018-10-18 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | クリーニング用組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6821352B2 (en) | 2004-11-23 |
| CN1278975C (zh) | 2006-10-11 |
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| US6677286B1 (en) | 2004-01-13 |
| TW200420755A (en) | 2004-10-16 |
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