KR100607431B1 - 레지스트용 박리제 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 폴리카르복실산 및/또는 그의 염, 및 물로 이루어진 레지스트용 박리제 조성물 (박리제 조성물의 pH 는 8 미만이다); 및 0.01 내지 90 중량 % 의 유기산 및/또는 그의 염, 2 내지 74 중량 % 의 물, 및 0.5 내지 90 중량 % 의 유기 용매로 이루어진 레지스트용 박리제 조성물 (박리제 조성물의 pH 는 8 미만이다); 및 상기 박리제 조성물의 하나를 기판에 도포하는 것으로 이루어진 기판으로부터 레지스트의 박리 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 레지스트용 박리제 조성물 (하기로부터 "박리제 조성물" 로 약칭한다) 에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 반도체 소자 및 LCD 와 같은 기술 분야에서, 리소그래피 기술에서 사용되는 레지스트를 박리하기 위한 박리액 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자, LCD 등의 제조에 있어서, PVD (물리 증착) 또는 CVD (화학 증착) 에 의해 기판에 절연 필름 또는 전도성 필름을 형성하고; 리소그래피에 의해 얇은 필름 위에 소정의 레지스트의 패턴을 형성하고; 얇은 필름의 하층부를 에칭 레지스트로 선택적으로 에칭하여 형성된 패턴을 박리하는 것으로 이루어진 레지스트의 완전 박리 방법을 사용해왔다. 이 방법에서, 박리제로서 아민 화합물이 자주 사용되어왔다.
그러나, 반도체 소자의 집적율이 증가함에 따라, 레지스트 필름의 형성 이후 기판의 작업 정밀성을 추가로 개선하기 위해, 현상 후 레지스트 필름의 후소성 (post-baking) 온도를 증가시키거나 플라즈마 에칭, 반응성 이온 에칭 (RIE 처리), 및 이온 주입과 같은 작업 기술을 수행하여 현상해왔다. 따라서, 가해진 높은 에너지 처리로 인해 변형되거나 경화된 레지스트 필름을 통상적인 박리제로 박리하는 것은 매우 어려웠다.
또한, 아민 박리제를 함유한 박리제는, 아민 화합물 또는 물의 함량이 높은 경우, 박리제의 pH 가 높아지고, 기판상의 알루미늄 또는 텅스텐의 얇은 금속 필름 또는 금속 전선에 대한 부식이 발생할 수 있어서, 금속 표면이 노화하거나 약화되는 단점을 갖는다.
상기 단점을 해결하기 위한 박리제로서, 예를 들어, 카르복실기 함유 유기 화합물을 아민 화합물인 질소 함유 유기 히드록시 화합물에 첨가하여 제조한 박리액 조성물 (일본 특허 특개평 7-219240 호); 아세트산, 락트산 또는 히드록시아세트산과 같은 유기산, 벤질 알콜 및 필수적으로 75 내지 99 중량 % 의 물을 함유하는 박리액 조성물이 제안되었다 (일본 특개평 4-361265 호). 상기 박리제 조성물 모두는 박리 능력 및 부식 억제 성능이 불충분하다.
본 발명의 목적은 높은 에너지 처리를 가하여 변형되거나 경화된 레지스트에 대한 박리 능력이 탁월하고, 반도체 소자 및 LCD 의 얇은 금속 필름 또는 금속 전선과 같은 다양한 부품에 대해 부식을 억제할 수 있는 능력이 탁월한 박리제 조성물 및 레지스트의 박리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기의 목적 및 다른 목적들은 하기의 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 발명은 하기에 관한 것이다 :
[1] 폴리카르복실산 및/또는 그의 염, 및 물로 이루어진 레지스트용 박리제 조성물 (박리제 조성물의 pH 는 8 미만이다);
[2] 하기를 함유하는 레지스트용 박리제 조성물 (박리제 조성물의 pH 는 8 미만이다) :
0.01 내지 90 중량 % 의 유기산 및/또는 그의 염,
2 내지 74 중량 % 의 물, 및
0.5 내지 90 중량 % 의 유기 용매; 및
[3] [1] 또는 [2] 항의 박리제 조성물을 기판에 도포하는 것으로 이루어진 기판으로부터 레지스트의 박리 방법.
본 발명의 레지스트용 박리제 조성물은 폴리카르복실산 또는 그의 염 및 물을 사용하여 탁월한 박리 능력을 나타낼 수 있다. 이 경우, 유기 용매가 추가로 첨가되어, 더욱 우수한 박리 효과를 얻을 수 있다. 상기 유기 용매와의 상승 효과는 폴리카르복실산 또는 그의 염에 제한되지 않으며, 모노카르복실산과 같은 유기산이 포함되며, 희망량의 첨가에 의해 더욱 우수한 박리 능력이 나타난다. 또한, 본 발명의 조성물에서, 레지스트용 박리제 조성물은 분자 내에 Si 원자를 갖는 화합물을 추가로 첨가하여, 부식 억제 능력이 탁월하다.
따라서, 본 발명의 레지스트용 박리제 조성물의 바람직한 구현예는 하기의 두 구현예로 크게 구분될 수 있다 :
[구현예 a]
폴리카르복실산 및/또는 그의 염 및 물을 함유하며, 바람직하게는 유기 용매, 및/또는 분자 내에 Si 원자를 갖는 화합물을 추가로 함유하는 박리제 조성물 (박리제 조성물의 pH 는 8 미만이다); 및
[구현예 b]
0.01 내지 90 중량 % 의 유기산 및/또는 그의 염, 및 2 내지 74 중량 % 의 물, 및 0.5 내지 90 중량 % 의 유기 용매를 함유하며, 바람직하게는 분자 내에 Si 원자를 함유하는 화합물을 추가로 함유하는 박리제 조성물 (박리제 조성물의 pH 는 8 미만이다).
바람직하게는, 구현예 a 에서 사용된 폴리카르복실산은 하기 화학식 1 로 표시되는 화합물이다 :
[상기 식중, R1 은 1 내지 5 개의 산소, 질소 또는 황 원자를 가질 수 있는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형, 포화 또는 불포화 C1-20 탄화수소기이고, R1 의 탄소 원자에 결합한 수소 원자는 -OH 기, -NH2 기, -SH 기 또는 -NO2 기로 치환될 수 있고; 하나 이상의 -COOH 기는 R1 내의 동일한 탄소 원자에 결합할 수 있고; p 는 0 또는 1 이고; q 는 1 내지 40 의 정수이며; r 은 1 내지 3 의 정수이고; q 및 r 의 합은 3 이상이며; B 는 없거나 -O- 기, -CO- 기, -NH- 기, -S- 기 또는 
기이다].
화학식 1 에서, R1 은 더욱 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이고, 특히 바람직하게는 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄, 포화 탄화수소기이다. q 는 레지스트의 박리 능력의 관점에서, 더욱 바람직하게는 1 내지 5 의 정수이고, 특히 바람직하게는 1 또는 2 이다.
화학식 1 로 표시되는 폴리카르복실산의 구체적인 예로는, 포화 폴리카르복실산, 예컨대 옥살산, 말론산, 메틸말론산, 에틸말론산, 디메틸말론산, 숙신산, 메틸숙신산, 2,2-디메틸숙신산, 글루탐산, 아디프산, 3-메틸아디프산, 세박산, 헥사데칸디온산, 1,2,3-프로판트리카르복실산, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산, 폴리아크릴산 및 폴리말레산; 불포화 폴리카르복실산, 예컨대 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 시스-아코니트산 및 트랜스-아코니트산; 히드록시폴리카르복실산, 예컨대 타르타르산, 사과산, 및 시트르산; 아미노폴리카르복실산, 예컨대 아스파르트산 및 글루탐산; 방향족 고리를 갖는 폴리카르복실산, 예컨대 테레프탈산, 트리멜리트산 및 나프토산; 지환족 고리를 갖는 폴리카르복실산, 예컨대 1,2-시클로헥산디카르복실산; 헤테로고리형 고리를 갖는 폴리카르복실산, 예컨대 2,3-피라진디카르복실산 등이 있다. 이들 중에서, 레지스트의 박리 능력의 관점에서, 포화 폴리카르복실산, 예컨대 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 폴리아크릴산, 및 폴리말레산; 히드록시폴리카르복실산, 예컨대 타르타르산, 사과산, 및 시트르산; 및 아미노폴리카르복실산, 예컨대 아스파르트산 및 글루탐산이 특히 바람직하다.
폴리카르복실산의 제 1 단계의 해리 지수 pK1 은 레지스트의 박리 능력의 관점에서 바람직하게는 3.6 이하, 더욱 바람직하게는 1 내지 3 이다.
여기서, 폴리카르복실산의 제 1 단계에서의 해리 지수 pK1 은 다음과 같이 계산된다. 구체적으로, 물에 용해된 경우, 폴리카르복실산 (일반식으로서 HnA 로 나타내어진다) 은 하기와 같이 단계적으로 해리한다 :
여기에서, 제 1 단계의 해리 상수 (K1) 은 하기와 같이 정의된다 :
K1 의 역수의 로그를 해리 지수 (pK1) 으로 칭한다.
pK1 = log (1/K1) = - log K1
또한, 본원에서, 폴리카르복실산의 염을 사용하는 경우의 pK1 은 폴리카르복실산의 pK1 을 의미한다.
폴리카르복실산의 염은 폴리카르복실산 및 염기성 유기 화합물 또는 염기성 무기 화합물로부터 수득된 염을 포함한다. 염기성 유기화합물로는 1차 아민, 2차 아민, 3차 아민, 이민, 알칸올아민, 아미드, 염기성 헤테로고리형 화합물, 4차 수산화암모늄 등이 있다. 염기성 무기 화합물로는 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘 등이 있다. 이들 중에서, 금속 이온의 함입을 방지하는 관점에서, 폴리카르복실산의 암모늄염 및 폴리카르복실산 및 염기성 유기 화합물로부터 수득한 염이 바람직하다. 폴리카르복실산의 염은 단독으로, 또는 두 가지 이상의 화합물의 혼합물로 사용될 수 있다.
또한, 폴리카르복실산 및/또는 그의 염은 단독으로, 또는 두 가지 이상의 화합물의 혼합물로 사용될 수 있다.
박리제 조성물 내의 폴리카르복실산 및/또는 그의 염의 함량은 바람직하게는 0.01 내지 90 중량 %, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 85 중량 %, 더욱 더 바람직하게는 0.1 내지 70 중량 % 이다. 또한, 상기 함량은 레지스트를 박리하는 탁월한 능력을 얻는 관점에서 0.01 중량 % 이상이, 물의 적당량을 함유하는 관점에서 90 중량 % 이하가 바람직하다.
구현예 a 에서 사용된 물은 반도체 소자 및 LCD 의 제조 분야에서의 박리제 조성물의 용도를 고려하여 이온성 물질, 입자 등의 양이 극히 감소된 것들, 예를 들어, 이온 교환수, 순수, 및 초순수가 바람직하다.
구현예 a 의 박리제 조성물 내의 물의 함량은 바람직하게는 10 내지 99.99 중량 %, 더욱 바람직하게는 15 내지 99.95 중량 %, 더욱 더 바람직하게는 30 내지 99.9 중량 % 이다. 또한, 상기 함량은 레지스트를 박리하는 탁월한 능력을 얻는 관점에서 10 중량 % 이상, 폴리카르복실산 및/또는 그의 염의 적당량을 함유하는 관점에서 99.99 중량 % 이하가 바람직하다.
구현예 a 의 박리제 조성물의 pH 는 8 미만인 것이 요구된다. 상기 구현예 a 및 구현예 b 의 큰 양태 중에서 하나는 박리제 조성물의 pH 가 8 미만이라는 점에 있다. pH 가 8 미만으로 조절되기 때문에, 레지스트의 박리 능력이 충분해지고, 결과적으로 박리제 조성물은 생성되는 반도체 소자의 생산성 및 품질의 개선에 기여할 수 있는 탁월한 효과를 나타낼 수 있다. 따라서, 박리제 조성물의 pH 가 8 이상이면, 심지어 박리제 조성물이 (1) 폴리카르복실산 및/또는 그의 염, 및 물을 함유하는 경우, 또는 박리제 조성물이 (2) 0.01 내지 90 중량 %의 유기산 및/또는 그의 염 및 2 내지 74 중량 %의 물, 및 0.5 내지 90 중량 % 의 유기 용매를 함유하는 경우에도, 레지스트를 박리하는 탁월한 능력 또는 금속 물질에 대한 부식을 방지하는 탁월한 능력을 얻을 수 없다. 구현예 a 의 박리제 조성물의 pH 는 레지스트를 박리하는 탁월한 능력을 얻는 관점에서 8 미만, 바람직하게는 0.1 내지 7, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 5, 더욱 더 바람직하게는 0.5 내지 3 이다.
상기 구현예 a 의 박리제 조성물은 금속 물질에 대한 부식을 방지하는 능력의 관점에서, 분자 내에 Si 원자를 함유하는 화합물을 추가로 함유할 수 있다. 본원에서, "분자 내에 Si 원자를 함유하는 화합물" 의 용어는 분자 내에 하나 이상의 Si 원자를 갖는 화합물을 지칭하며, 1 내지 100 개, 더욱 바람직하게는 1 내지 10 개의 Si 원자를 갖는 화합물이 바람직하다. 구현예 a 의 박리제 조성물 내의 하나 이상의 Si 원자의 함량은 플라즈마 방출 분광 화학적 분석법으로 정량할 수 있다. Si 원자의 함량은 부식을 방지하는 능력의 관점에서 바람직하게는 0.1 ppm 이상 및 100,000 ppm 이하, 더욱 바람직하게는 1 ppm 이상 및 10,000 ppm 이하, 더욱 더 바람직하게는 5 ppm 이상 및 5,000 ppm 이하이다.
분자 내에 하나 이상의 Si 원자를 함유하는 화합물의 예로는 문헌 [Aldrich Structure Index (1992-1993 edition, p 425-432)] 에 기술된 하나 이상의 Si 원자를 함유하는 유기 규소 화합물 및 무기 규소 화합물, 예컨대 규산 및 실리케이트가 있다. 무기 규소 화합물 및 유기 규소 화합물은 바람직하게는 하기의 분자 내에 Si-Y 결합을 갖는 것들이다.
Si-Y 결합에서, Y 는 Cl, Br 및 I 와 같은 할로겐 원자; 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기, 히드록실기, 황 원자, 아미노기, 수소 원자, 산소 원자 또는 OM 기이다. 여기서, M 은 양이온을 형성할 수 있는 기 또는 원자이고, 이의 예로는 알칼리 금속 원자, 예컨대 Li, Na 및 K; 알칼리 토금속 원자, 예컨대 Mg, Ca 및 Ba; 암모늄 이온; 및 1차 내지 4차 알킬암모늄 이온 (암모늄 이온의 1 내지 4 개의 수소 원자는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기 및/또는 히드록시알킬기로 치환된다). 상기 Y 중에서, 알콕시기 또는 OM 기가 바람직하고, 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기가 더욱 바람직하며, 1 내지 2 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기가 더욱 더 바람직하다.
또한, 하나의 분자 내의 Si-Y 결합의 수는 바람직하게는 1 내지 15, 더욱 바람직하게는 1 내지 4 이다.
분자 내에 Si-Y 결합을 갖는 화합물은 박리제 조성물 내의 다른 성분과의 탁월한 혼화성의 관점에서 유기 규소 화합물이 바람직하다. 유기 규소 화합물의 분자량은 바람직하게는 45 내지 10,000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2,000, 더욱 더 바람직하게는 100 내지 1,000, 특히 바람직하게는 100 내지 500 이다. 이들 중에서, 높은 부식 방지 능력의 관점에서, 하기 화학식 4 내지 6 으로 표시되는 유기 규소 화합물, 헥사메틸디실라티안, 테트라메틸 오르토실리케이트, 테트라에틸 오르토실리케이트, 1,2-비스(트리메틸실릴옥시)에탄, 1,7-디클로로옥타메틸테트라실록산, 트리스(트리메틸실릴)아민 등이 있다 :
[상기 식중, R5 내지 R9 각각은 독립적으로 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이고; R10 은 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이며, R5 내지 R10 의 탄화수소기각각은 1 내지 5 개의 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자를 가질 수 있고, -OH 기, -NH2 기 또는 -SH 기로 치환될 수 있고, R5 내지 R10 의 탄화수소기는 -NH2 기로 치환되는 것이 바람직하며; Y1 내지 Y12 각각은 상기 Y 의 정의와 동일하며, 동일 또는 상이할 수 있고; Z 는 u 의 원자가를 갖는 히드록시기 또는 산 라디칼이며, u 는 1 내지 3 의 정수이다]. 본원에서, "산 라디칼" 은 금속 원자 또는 양이온성기로 치환될 수 있는 하나 이상의 수소 원자가 산 분자로부터 제거된 음이온성 원자의 기를 지칭한다.
화학식 4 에서, R5 는 바람직하게는 2 내지 18 개의 탄소 원자, 더욱 바람직하게는 2 내지 12 개의 탄소 원자, 더욱 더 바람직하게는 2 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이다. 이의 구체적인 예로는 에틸기, 비닐기, 프로필기, 이소부틸기, 헥실기, 옥틸기, 페닐기 등이 있다. 또한, Y1 내지 Y3 각각은 더욱 바람직하게는 1 내지 6 개의 탄소 원자, 더욱 더 바람직하게는 1 또는 2 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기이다.
화학식 4 로 표시되는 화합물의 구체적인 예로는 알킬트리메톡시실란, 알킬트리에톡시실란, 알킬트리히드록시실란, 알킬트리아미노실란, 알킬트리클로로실란, 알킬트리브로모실란, 알킬트리요오도실란 등이 있고, 각각의 알킬부의 예로는 프로필, 비닐, 아미노프로필, 메르캅토프로필, 헥실, 페닐, 데실, 페닐아미노프로필 및 옥타데실이 있다. 이들 중에서, 아미노알킬 트리메톡시실란 및 아미노알킬 트리에톡시실란이 더욱 바람직하며, 아미노프로필 트리메톡시실란 및 아미노프로필 트리에톡시실란이 더욱 더 바람직하다.
화학식 5 에서, Y4 내지 Y9 각각은 상기 Y 에서 정의한 바와 동일하며, 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, R6 은 바람직하게는 2 내지 18, 더욱 바람직하게는 2 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이다. 화학식 5 로 표시되는 화합물의 구체적인 예로는 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,6-비스(트리클로로실릴)헥산, 1,8-비스(트리히드록시실릴)옥탄, 1,10-비스(트리아미노실릴)데칸 등이 있다.
화학식 6 에서, R7, R8 및 R9 각각은 독립적으로 6 내지 18 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기인 것이 바람직하다. R10 은 2 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기인 것이 바람직하다. Y10, Y11 및 Y12 각각은 상기 Y 에서 정의한 바와 같고, 동일 또는 상이할 수 있다. Z 의 구체적인 예로는 산라디칼, 예컨대 Cl, Br, I, CO3, HCO3, NO3, SO4, HSO4, PO4, HPO4 및 H2PO4; 및 OH 가 있다. 이들 중에서, 절연 필름 또는 금속 필름에 영향을 거의 주지 않는 관점에서 OH 가 바람직하다.
유기 규소 화합물 중에서, 화학식 4 의 화합물이 부식 방지 성능의 관점에서 바람직하다.
본 구현예 a 의 박리제 조성물 내의 분자 내에 하나 이상의 Si 원자를 갖는 화합물의 함량은 바람직하게는 0.001 내지 10 중량 %, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 5 중량 %, 더욱 더 바람직하게는 0.01 내지 1 중량 % 이다. 함량의 최저 한도는 부식 방지 성능의 관점에서 바람직하게는 0.001 중량 % 이상이다. 함량의 최고 한도는 박리제의 박리 능력의 관점에서 바람직하게는 10 중량 % 이하이다.
또한, 본 구현예 a 의 박리제 조성물은 폴리카르복실산 및/또는 그의 염의 레지스트로의 침투를 가속시키고, 레지스트를 박리하는 능력을 개선하는 관점에서 추가로 유기 용매를 함유할 수 있다.
유기 용매는 하기 화학식 2 로 표시되는 산화알킬렌, 알콜, 에테르, 카르보닐 화합물, 에스테르, 페놀, 질소 함유 화합물 및 황 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매를 함유한다 :
[상기 식중, R2 는 수소 원자 또는 C1-8 탄화수소기이고; X 는 -O-, -COO-, -NH- 또는 -N((AO)nH)- 기이며; k 및 n 각각은 독립적으로 1 내지 20 의 정수이고; A 는 2 또는 3 개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌기이며; R3 은 수소 원자 또는 C1-8 탄화수소기이고; m 은 1 내지 8 의 정수이다].
화학식 2 에서, R2 는 바람직하게는 수소 원자 또는 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이다. R3 은 바람직하게는 수소 원자 또는 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이며, 더욱 바람직하게는 수소 원자 또는 1 또는 2 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이다. m 은 바람직하게는 1 내지 3, 더욱 바람직하게는 1 또는 2 의 정수이다.
화학식 2 로 표시되는 산화 알킬렌 화합물의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜 알킬에테르, 디에틸렌글리콜 알킬에테르 및 트리에틸렌글리콜 알킬에테르가 있고, 각각의 알킬에테르부의 예로는 메틸에테르, 에틸에테르, 프로필에테르, 부틸에테르, 헥실에테르, 페닐에테르, 벤질에테르, 디메틸에테르, 디에틸에테르, 부틸메틸에테르, 에틸프로필에테르, 부틸에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르 등이고; 테트라에틸렌글리콜 알킬에테르, 펜타에틸렌글리콜 알킬에테르, 헥사에틸렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르, 디프로필렌글리콜 알킬에테르 및 트리프로필렌글리콜 알킬에테르 등이 있고, 각각의 알킬에테르부의 예로는 메틸에테르, 에틸에테르, 프로필에테르, 부틸에테르, 헥실에테르, 페닐에테르, 벤질에테르, 디메틸에테르, 디에틸에테르 등이다.
알콜로는 화학식 7 로 표시되는 화합물이 있다 :
[식중, R1 및 m 은 화학식 1 및 화학식 2 에서 정의한 바와 같다].
에테르로는 하기 화학식 8 로 표시되는 화합물이 있다 :
[R1 은 화학식 1 에서 정의한 바와 같다].
화학식 8 로 표시되는 화합물로는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬글리세릴에테르가 있다.
카르보닐 화합물로는 하기 화학식 9 로 표시되는 화합물이 있다 :
[식중, R1 은 화학식 1 에서 정의한 바와 같다].
에스테르로는 하기 화학식 10 으로 표시되는 화합물이 있다 :
[식중, R1 은 화학식 1 에서 정의한 바와 같고; R11 은 1 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이다]. 부수적으로, 화학식 10 에서, R11 은 1 내지 3 개의 탄소 원자를 갖는 알킬기인 것이 바람직하다.
페놀로는 하기 화학식 11 로 표시되는 화합물이 있다 :
[식중, R12 는 직쇄, 분지쇄, 또는 고리형, 포화 또는 불포화의 1 내지 9 개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소기이고, R12 의 탄화수소기는 1 내지 5 개의 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자를 가질 수 있고, R12 의 탄소 원자에 결합한 수소 원자는 -OH 기, -NH2 기, -SH 기, 또는 -NO2 기로 치환될 수 있으며; s 는 0 내지 5 의 정수이고; t 는 1 내지 3 의 정수이다].
질소 함유 화합물로는, 화합물이 질소 원자를 함유하고, 분자량이 200 이하이면 특정하게 제한되지 않는다. 황 함유 화합물은, 화합물이 황 원자 함유하고, 분자량이 200 이하이면, 특정한 것에 제한되지 않는다.
유기 용매의 구체적인 예로는 문헌 ["New Edition Solvent Pocket Book", K. K. Ohm, June, 10, 1994, Data Edit, p 331-761] 에 열거된 화합물이 있다. 이들 중에서, 침투성의 관점에서, 화학식 2 로 표시되는 산화알킬렌 화합물인 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르 및 디에틸렌글리콜 모노헥실에테르; 알콜인 프로판올, 부탄올 및 펜탄올; 에테르인 트리옥산 및 메틸알; 카르보닐 화합물인 아크롤레인 및 메틸에틸케톤; 에스테르인 니트릴로아세토아세테이트 및 에틸포르메이트; 페놀인 벤질페놀; 디메틸포름아미드; 디메틸아세토아미드; 질소 함유 화합물인 N-메틸-2-피롤리돈 및 디메틸이미다졸리디논; 황 함유 화합물인 디메틸 술폭시드 및 술포란이 있다. 이들 유기 용매는 단독으로 또는 두 가지 이상의 화합물의 혼합물로 사용될 수 있다.
또한, 유기 용매의 융점은 레지스트를 박리하는 보장된 능력 및 작업성의 관점에서 바람직하게는 60 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 30 ℃ 이하, 더욱 더 바람직하게는 10 ℃ 이하이다.
유기 용매는 레지스트에 폴리카르복실산 및/또는 그의 염 또는 물의 침투를 가속시키고, 따라서 레지스트를 박리하는 능력을 개선하는 관점에서 25 ℃ 에서 수중에 0.5 중량 % 이상, 바람직하게는 4 중량 % 이상, 더욱 바람직하게는 7 중량 % 이상의 양을 용해시킬 수 있는 것이 바람직하다.
본 구현예 a 의 박리제 조성물 내의 유기 용매의 함량은 폴리카르복실산 및/또는 그의 염 및 물의 100 중량부의 총량에 대해 바람직하게는 0.5 내지 900 중량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 300 중량부이다. 또한, 유기 용매의 함량은 높은 침투성의 관점에서 바람직하게는 0.5 중량부 이상, 레지스트를 박리하는 탁월한 능력의 관점에서 바람직하게는 900 중량부 이하이다.
이어서, 구현예 b 에서 사용된 유기산의 예로는 유기 화합물, 예컨대 카르복실산, 과산, 카르본산에스테르, 티오카르복실산, 메르캅탄, 술폰산, 술핀산, 술펜산, 황산에스테르, 포스폰산, 포스파티드산, 인산에스테르, 포스핀, 붕산에스테르의 착화합물 등이 있다. 이들 중에서, 레지스트를 박리하는 능력 및 금속 물질에 대한 부식 억제 능력의 관점에서 카르복실산이 바람직하다. 카르복실산의 예로는 직쇄, 포화 모노카르복실산, 직쇄, 불포화 모노카르복실산, 분지쇄, 포화 모노카르복실산, 분지쇄, 불포화 모노카르복실산, 불포화 폴리카르복실산, 불포화 폴리카르복실산, 히드록시카르복실산, 아미노카르복실산, 알콕시카르복실산, 방향족 고리를 갖는 카르복실산, 지환족 고리 또는 헤테로고리형 고리를 갖는 카르복실산 등이 있다.
또한, 카르복실산은 바람직하게는 하기 화학식 3 으로 나타내어진다 :
[식중, R4 는 수소 원자, 또는 1 내지 5 개의 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자를 가질 수 있는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형, 포화 또는 불포화 C1-40 탄화수소기이고, R4 의 탄소 원자에 결합된 수소 원자는 -OH 기, -NH2 기, -SH 기 또는 -NO2 기로 치환될 수 있으며; -COOH 기의 하나 이상은 R4 내의 동일한 탄소 원자에 결합될 수 있고; e 는 0 또는 1 이고; f 는 1 내지 40 의 정수이며; g 는 1 내지 3 의 정수이고; B 는 없거나 -O-, -CO-, -NH-, -S- 또는 
기이다].
화학식 3 에서, R4 는 레지스트의 박리 능력 및 금속 물질에 대한 부식 방지 능력의 관점에서 수소 원자, 직쇄, 포화 C1-18 탄화수소기, 분지쇄, 포화 C3-18 탄화수소기, 직쇄, 불포화 C2-18 탄화수소기, 분지쇄, 불포화 C3-18 탄화수소기, 포화 또는 불포화 C3-18 지환족 고리를 갖는 탄화수소기, 또는 포화 또는 불포화, 방향족 고리를 갖는 C6-18 탄화수소기인 것이 바람직하다. 또한, R4 이 직쇄, 포화 C1-12 탄화수소기, 분지쇄, 포화 C3-12 탄화수소기, 직쇄, 불포화 C2-12 탄화수소기, 분지쇄, 불포화 C3-12 탄화수소기, 포화 또는 불포화, 지환족 고리를 갖는 C3-12 탄화수소기, 또는 포화 또는 불포화, 방향족 고리를 갖는 C6-12 탄화수소기인 것이 더욱 바람직하다. 특히, R4 가 직쇄, 포화 C1-6 탄화수소기, 분지쇄, 포화 C3-6 탄화수소기, 직쇄, 불포화 C2-6 탄화수소기, 분지쇄, 불포화 C3-6 탄화수소기, 포화 또는 불포화, 지환족 고리를 갖는 C3-6 탄화수소기, 또는 포화 또는 불포화, 방향족 고리를 갖는 C6-8 탄화수소기가 가장 바람직하다. 또한, R4 의 탄화수소기가 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자를 함유하는 경우, 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자각각의 수는 1 내지 2 가 더욱 바람직하다.
또한, 화학식 3 에서, f 는 레지스트의 박리 능력 및 금속 물질에 대한 부식 방지 능력의 관점에서 바람직하게는 1 내지 18, 더욱 바람직하게는 1 내지 12, 더욱 더 바람직하게는 1 내지 6 이다.
구현예 b 에서, 카르복실산은 모노카르복실산 또는 폴리카르복실산일 수 있고, 바람직한 폴리카르복실산은 화학식 1 로 표시되는 폴리카르복실산이다.
화학식 3 으로 표시되는 카르복실산의 구체적인 예로는 포화 C1-18 모노카르복실산, 예컨대 포름산, 아세트산 및 프로피온산; 직쇄, 불포화 모노카르복실산, 예컨대 아크릴산, 크로톤산, 비닐아세트산, 4-펜타논산, 6-헵테논산, 2-옥테논산, 운데실렌산 및 올레산; 분지쇄, 포화 모노카르복실산, 예컨대 이소부티르산, 이소발레르산, 피발산, 2-메틸부티르산, 2-메틸발레르산, 2,2-디메틸부티르산, 2-에틸부티르산, tert-부틸부티르산, 2,2-디메틸펜타논산, 2-에틸펜타논산, 2-메틸헥사논산, 2-에틸헥사논산, 2,4-디메틸헥사논산, 2-메틸헵타논산, 2-프로필펜타논산, 3,5,5-트리메틸헥사논산, 2-메틸옥타논산, 2-에틸헵타논산, 2-에틸-2,3,3-트리메틸부티르산, 2,2,4,4-테트라메틸펜타논산 및 2,2-디이소프로필프로피온산; 분지쇄, 불포화 모노카르복실산, 예컨대 메트아크릴산, 티그르산, 3,3-디메틸아크릴산, 2,2-디메틸-4-펜테논산, 2-에틸-2-헥세논산 및 시트로네르산; 포화 폴리카르복실산, 예컨대 옥살산, 말론산, 메틸말론산, 에틸말론산, 디메틸말론산, 숙신산, 메틸숙신산, 2,2-디메틸숙신산, 글루타르산, 아디프산, 3-메틸아디프산, 세박산, 헥사데칸디온산, 1,2,3-프로판트리카르복실산, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산, 폴리아크릴산 및 폴리말레산; 불포화 폴리카르복실산, 예컨대 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 시스-아코니트산 및 트랜스-아코니트산; 히드록시카르복실산, 예컨대 락트산, 글루콘산, 타르타르산, 사과산 및 시트르산; 아미노카르복실산, 예컨대 글리신, DL-알라닌, 4-아미노부티르산, DL-3-아미노부티르산 및 살코신; 알콕시카르복실산, 예컨대 메톡시아세트산 및 에톡시아세트산; 방향족 고리를 갖는 카르복실산, 예컨대 벤조산, 테레프탈산, 트리멜리트산 및 나프토산; 지환족 고리를 갖는 카르복실산, 예컨대 시클로헥산카르복실산, 시클로헥산프로핀온산, 시클로헥산부티르산 및 시클로펜탄카르복실산; 및 헤테로고리형 고리를 갖는 카르복실산, 예컨대 푸로산, 테노산, 니코틴산이 있다.
이들 중에서, 더욱 바람직한 것들로는, 직쇄 포화 C1-6 모노카르복실산, 예컨대 포름산, 아세트산 및 프로피온산; 포화 폴리카르복실산, 예컨대 옥살산, 말론산 및 숙신산; 히드록시카르복실산, 예컨대 락트산, 글루콘산, 타르타르산, 사과산 및 시트르산; 아미노카르복실산, 예컨대 글리신, DL-알라닌, 4-아미노부티르산, DL-3-아미노부티르산, 및 살코신; 및 알콕시카르복실산, 예컨대 메톡시아세트산 및 에톡시아세트산이 있다. 특히, 포름산, 아세트산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 락트산, 글루콘산, 타르타르산, 사과산 및 시트르산이 바람직하다.
상기 카르복실산의 분자량은 특별히 제한되지는 않으나, 레지스트를 박리하는 능력 및 금속 물질에 대한 부식 억제 능력의 관점에서 바람직하게는 46 내지 400, 더욱 바람직하게는 46 내지 200 이다.
상기 유기산의 염으로는 유기산 및 염기성 유기 화합물 또는 염기성 무기 화합물로 수득한 염이 있다. 염기성 유기 화합물로는 1차 아민, 2차 아민, 3차 아민, 이민, 알칸올아민, 아미드, 염기성 헤테로고리형 화합물, 4차 암모늄 히드록시드 등이 있다. 염기성 무기 화합물로는 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘 등이 있다. 이들 중에서, 금속 이온의 함입 방지의 관점에서, 유기산의 암모늄염 및 유기산 및 염기성 유기 화합물로부터 수득한 염이 바람직하다. 유기산의 염은 단독으로 또는 둘 이상의 화합물의 혼합물로 사용될 수 있다.
또한, 유기산 및/또는 그의 염은 단독으로 또는 둘 이상의 화합물의 혼합물로 사용될 수 있다.
본 구현예 b 의 박리제 조성물의 유기산 및/또는 그의 염의 함량은 레지스트를 박리하는 탁월한 능력을 얻는 관점에서 0.01 내지 90 중량 % 인 것이 요구되며, 함량은 레지스트의 박리 능력 및 금속 물질에 대한 부식 방지 능력의 관점에서 바람직하게는 0.05 내지 70 중량 %, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 50 중량 % 이다.
본 구현예 b 에 사용된 물은 상기 구현예 b 에 사용된 것과 동일할 수 있다. 본 구현예 b 의 박리제 조성물 내의 물의 함량은 레지스트의 박리 능력의 개선의 관점에서 2 내지 74 중량 % 가 요구된다. 본 구현예의 우수한 양태의 하나는 물의 함량이 2 내지 74 중량 % 인 것이다. 물의 함량이 박리제 조성물 내에서 상기 특정 범위로 조절되기 때문에, 레지스트의 탁월한 박리 능력 및 금속 물질에 대한 탁월한 부식 억제 능력을 나타낼 수 있다. 또한, 물의 함량은 레지스트의 박리 능력 및 금속 물질에 대한 부식 억제 능력의 관점에서 바람직하게는 5 내지 70 중량 %, 더욱 바람직하게는 10 내지 60 중량 % 이고, 더욱 더 바람직하게는 15 내지 50 중량 % 이다.
본 구현예 b 에서 사용된 유기 용매는 상기 구현예 a 에 사용된 것과 동일할 수 있다. 유기 용매는 단독으로 또는 둘 이상의 화합물의 혼합물로서 사용될 수 있다.
본 구현예 b 의 박리제 조성물의 유기 용매의 함량은 레지스트의 탁월한 박리 능력 및 높은 침투성을 얻는 관점에서 0.5 내지 90 중량 %, 바람직하게는 5 내지 80 중량 %, 더욱 바람직하게는 10 내지 50 중량 % 이다.
상기 세 가지 필수 성분을 함유한 본 구현예 b 의 박리제 조성물의 pH 는 8 미만, 바람직하게는 0.1 내지 7, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 5, 더욱 더 바람직하게는 0.5 내지 3 이다.
또한, 본 구현예 b 의 박리제 조성물은 분자 내에 Si 원자를 함유한 화합물을 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 분자 내에 Si 원자를 함유한 화합물은 상기 구현예 a 의 화합물과 동일할 수 있다. 본 구현예 b 의 박리제 조성물 내의 분자 내에 Si 원자를 함유하는 화합물의 함량은 바람직하게는 0.001 내지 10 중량 %, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 5 중량 %, 더욱 더 바람직하게는 0.01 내지 1 중량 % 이다. 상기 함량의 최저 한도는 부식 방지 능력의 관점에서 0.001 중량 % 이상, 최고 한도는 박리제가 갖는 박리 능력의 관점에서 10 중량 % 이하인 것이 바람직하다.
구현예 a 및 구현예 b 에 주어진 본 발명의 박리제 조성물은 상기 화합물을 혼합하여 수득할 수 있다.
상기 본 발명의 박리제 조성물이 반도체 소자 및 LCD 상의 무기 부품과 같은 부품에 결합된 레지스트를 이러한 부품에 손상을 가하지 않고 용이하게 박리하는 것이 가능하기 때문에, 상기 박리제 조성물은 반도체 소자, LCD 등의 제조 공정에 레지스트를 박리하기 위해 바람직하게 사용될 수 있다.
레지스트를 박리함에 의해 기판상에 본 발명의 박리제 조성물을 가하여 레지스트를 박리하는 방법의 바람직한 예로는, 처리할 웨이퍼각각의 단편 또는 집합적으로 처리할 복수개의 웨이퍼를 지그(jig)로 조절하고, 조절된 웨이퍼(들)를 본 발명의 박리제 조성물에 침지시키고, 지그를 흔들거나 초음파 또는 제트 스트림과 같은 기계적인 힘을 박리제 조성물에 가하여 박리 처리하는 것으로 이루어진 방법; 및 처리할 웨이퍼상에 본 발명의 박리제 조성물을 제팅 또는 스프레이하고, 박리 처리하는 것으로 이루어진 방법을 포함한다. 상기 박리 처리 도중 박리제 조성물의 온도는 작업성의 관점에서 바람직하게는 10 내지 100 ℃, 더욱 바람직하게는 15 내지 70 ℃ 이다. 부수적으로, 상기 박리 처리 이후, 웨이퍼상에 잔류하는 박리제 조성물은 물 또는 이소프로필 알콜과 같은 용매로 세척하여 바람직하게 제거된다.
실시예
실시예 1 내지 6, 및 실시예 8 내지 26 및 비교예 1 내지 8
스퍼터링법에 의해 규소 웨이퍼상에 알루미늄-실리카-구리로 제조한 합금 필름 [중량비 98.5 : 1.0 : 0.5] 을 형성하여 두께 약 0.5 ㎛ 의 필름을 준비한다. 이어서, 나프토퀴논 디아지드 i-라인용 양성 포토레지스트를 스피너를 사용하여 상기 합금 필름에 가한다. 이어서, 웨이퍼를 110 ℃의 온도에서 90 초 동안 핫플레이트에서 예비 소성하여 필름 두께 1.5 ㎛ 의 포토레지스트 필름을 형성한다.
상기 포토레지스트 필름을 축소 투영 노광장치의 포토마스크를 통해 노출시킨다. 이어서, 레지스트 필름을 디벨로퍼 (2.38 % 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액) 로 소정 기간 동안 패들 현상한다. 현상된 포토레지스트 필름을 순수로 30 초간 세척하고, 질소 가스 스트림에서 건조한다. 이어서, 생성되는 포토레지스트 필름을 140 ℃ 에서 20 분간 후소성한다. 틈에서의 금속 층을 상기 레지스트 패턴으로 마스크로서 염소 가스로 건조 에칭하여 금속 전선을 형성하는 동시에 잔여의 레지스트를 경화로 개질한다. 이어서, 약 70 % 의 잔여 레지스트를 건조 애싱으로 제거하여 향상된 개질 및 경화된 레지스트를 제조한다. 상기 규소 웨이퍼를 박리 시험에 사용한다.
표 1 내지 5 에 나타낸 조성을 갖는 실시예 1 내지 6 및 실시예 8 내지 26, 및 비교예 1 내지 8 에서 수득한 각각의 박리제 조성물을 60 ℃ 에서 예비 가열한다. 규소 웨이퍼를 20 분간 침지시킨 후 꺼내고, 이소프로필알콜로 세척하고 순수로 다시 세척한다. 건조 후, 레지스트 패턴을 스캐닝 전자 현미경으로 약 10,000 배로 확대하고, 형성된 2 ㎛ × 2 ㎛ 의 레지스트 패턴을 100 곳에서 관찰하고, 레지스트의 박리 능력을 박리율로서 평가한다. 또한, 실시예 8 내지 26 및 비교예 3 내지 8 에서, 알루미늄-실리카-구리로 제조한 합금 전선의 레지스트 패턴의 부식 상태를 부식율로서 평가하였다. 결과를 표 1 내지 5 에 나타내었다. 여기서, 박리율 및 부식율을 하기 방정식에 따라 계산하였다 :
또한, 표 1 내지 4 에서, 물의 용해성의 "∞" 는 물 및 유기 용매가 무제한 혼합 가능한 것을 나타내며, 실시예 14 및 15 에 사용된 유기 용매의 특성은 두 가지 이상의 혼합 용매의 특성이다. 또한, 표 4 에서, "Si 원자-함유 화합물" 은 분자 내에 Si 원자를 함유하는 화합물을 지칭한다.
표 1 및 표 2 의 결과로부터, 실시예 1 내지 6 에서 수득한 박리제 조성물의 모두는 비교예 1 및 2 에서 수득한 박리제 조성물과 비교하여 높은 박리율을 갖는 것이 명백하다.
실시예 7
박리 온도가 25 ℃ 이고 박리 시간이 5 분인 것을 제외하면 실시예 1 과 동일한 방법으로 실시예 1 에서 수득한 박리제 조성물을 박리율을 측정하기 위해 사용하였다. 결과로서, 박리율은 95 % 로서 바람직하였다.
표 3 내지 5 의 결과로부터, 실시예 8 내지 26 에서 수득한 박리제 조성물의 모두가 비교예 3 내지 8 에서 수득한 박리제 조성물과 비교하여 높은 박리율와 낮은 부식율을 갖는다는 것이 명백하다.
또한, 생성되는 규소 웨이퍼를 순수로 직접 세척한 것을 제외하면 실시예 8 과 동일한 방법으로 실시예 8 에서 수득한 박리제 조성물을 박리율을 측정하기 위해 사용하였다. 결과로서, 박리율 100 % 및 부식율 0 % 의 바람직한 결과를 얻었다.
또한, 박리 온도가 25 ℃ 이고 박리 시간이 5 분인 것을 제외하면 실시예 8 과 동일한 방법으로 실시예 10 에서 수득한 박리제 조성물을 박리율을 측정하기 위해 사용하였다. 결과로서, 박리율 100 % 및 부식율 0 % 의 바람직한 결과를 얻었다.
또한, 분자 내에 Si 원자를 함유하는 화합물의 실시예 20, 22 내지 26, 이러한 화합물이 없는 실시예 10 내지 13 의 비교로부터, 분자 내에 Si 원자를 함유하는 화합물의 존재로 부식 억제 효과가 더욱 개선되었다.
본 발명의 레지스트용 박리제 조성물은 단기간 내에 높은 에너지 처리를 가하여 개질된 레지스트를 용이하게 박리할 수 있고, 알루미늄 및 텅스텐과 같은 배선 재료에 대한 부식을 억제할 수 있다. 결과로서, 박리제 조성물은 반도체 소자, LCD 등의 품질 및 생산성의 개선에 크게 기여할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 높은 에너지 처리를 가하여 개질된 레지스트가 단기간 내에 용이하게 박리되는 효과를 나타낼 수 있다.
Claims (11)
- 폴리카르복실산 및/또는 그의 염, 및 물로 이루어진 레지스트용 박리제 조성물로서, 상기 박리제 조성물의 pH 는 8 미만이고, 불소함유 화합물을 포함하지 않는 박리제 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 폴리카르복실산이 하기 화학식 1 로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 박리제 조성물 :[화학식 1]B-[(R1)p-(COOH)q]r[상기 식중, R1 은 1 내지 5 개의 산소, 질소 또는 황 원자를 가질 수 있는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형, 포화 또는 불포화 C1-20 탄화수소기이고, R1 의 탄소 원자에 결합한 수소 원자는 -OH 기, -NH2 기, -SH 기 또는 -NO2 기로 치환될 수 있고; 하나 이상의 -COOH 기는 R1 내의 동일한 탄소 원자에 결합할 수 있고; p 는 0 또는 1 이고; q 는 1 내지 40 의 정수이며; r 은 1 내지 3 의 정수이고; q 및 r 의 합은 3 이상이며; B 는 없거나 -O-, -CO-, -NH-, -S- 또는기이다].
- 제 1 항에 있어서, 폴리카르복실산이 제 1 단계에서 3.6 이하의 해리 지수 pK1을 갖는 것을 특징으로 하는 박리제 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 분자 내에 Si 원자를 함유하는 화합물을 추가로 함유하는 박리제 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 하기 화학식 2 로 표시되는 산화알킬렌 화합물, 알콜, 에테르, 카르보닐 화합물, 에스테르, 페놀, 질소 함유 화합물 및 황 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매를 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 박리제 조성물 :[화학식 2]R2[(X)(AO)kR3]m[상기 식중, R2 는 수소 원자 또는 C1-8 탄화수소기이고; X 는 -O-, -COO-, -NH- 또는 -N((AO)nH)- 기이며; k 및 n 각각은 독립적으로 1 내지 20 의 정수이고; A 는 2 또는 3 개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌기이며; R3 은 수소 원자 또는 C1-8 탄화수소기이고; m 은 1 내지 8 의 정수이다].
- 하기로 이루어진 레지스트용 박리제 조성물로서, 상기 박리제 조성물의 pH 는 8 미만이고, 불소함유 화합물을 포함하지 않는 레지스트용 박리제 조성물 :0.01 내지 90 중량 % 의 유기산 및/또는 그의 염,2 내지 74 중량 % 의 물, 및0.5 내지 90 중량 % 의 유기 용매.
- 제 6 항에 있어서, 분자 내에 Si 원자를 함유하는 화합물을 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 박리제 조성물.
- 제 6 항에 있어서, 유기산 및/또는 그의 염이 카르복실산 및/또는 그의 염인 것을 특징으로 하는 박리제 조성물.
- 제 8 항에 있어서, 카르복실산이 하기 화학식 3 으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 박리제 조성물 :[화학식 3]B-[(R4)e-(COOH)f]g[식중, R4 는 수소 원자, 또는 1 내지 5 개의 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자를 가질 수 있는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형, 포화 또는 불포화 C1-40 탄화수소기이고, R4 의 탄소 원자에 결합된 수소 원자는 -OH, -NH2, -SH 또는 -NO2 기로 치환될 수 있으며; -COOH 기의 하나 이상은 R4 내의 동일한 탄소 원자에 결합될 수 있고; e 는 0 또는 1 이고; f 는 1 내지 40 의 정수이며; g 는 1 내지 3 의 정수이고; B 는 없거나 -O-, -CO-, -NH-, -S- 또는기이다].
- 제 6 항에 있어서, 유기 용매가 하기 화학식 2 로 표시되는 산화알킬렌 화합물, 알콜, 에테르, 카르보닐 화합물, 에스테르, 페놀, 질소 함유 화합물 및 황 함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 박리제 조성물 :[화학식 2]R2[(X)(AO)kR3]m[상기 식중, R2 는 수소 원자 또는 C1-8 탄화수소기이고; X 는 -O-, -COO-, -NH- 또는 -N((AO)nH)- 기이며; k 및 n 각각은 독립적으로 1 내지 20 의 정수이고; A 는 2 또는 3 개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌기이며; R3 은 수소 원자 또는 C1-8 탄화수소기이고; m 은 1 내지 8 의 정수이다].
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 박리제 조성물을 기판에 도포하는 것으로 이루어진 기판으로부터 레지스트를 박리하는 방법.
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Payment date: 20100719 Year of fee payment: 5 |
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