JP3410369B2 - 剥離剤組成物 - Google Patents
剥離剤組成物Info
- Publication number
- JP3410369B2 JP3410369B2 JP20400998A JP20400998A JP3410369B2 JP 3410369 B2 JP3410369 B2 JP 3410369B2 JP 20400998 A JP20400998 A JP 20400998A JP 20400998 A JP20400998 A JP 20400998A JP 3410369 B2 JP3410369 B2 JP 3410369B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- atom
- resist
- release agent
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト用剥離剤
組成物に関する。さらに詳しくは、半導体素子、ＬＣＤ
（液晶表示器）等の微細パターン製造分野におけるリソ
グラフィー技術において用いられるレジストを除去する
ための剥離剤組成物に関する。
組成物に関する。さらに詳しくは、半導体素子、ＬＣＤ
（液晶表示器）等の微細パターン製造分野におけるリソ
グラフィー技術において用いられるレジストを除去する
ための剥離剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子やＬＣＤ等の製造において
は、ＰＶＤ（物理的気相成長）やＣＶＤ（化学的気相成
長）等により導電性膜や絶縁性膜を形成後、リソグラフ
ィーにより薄膜上に所定のレジストパターンを形成し、
これをエッチングレジストとして下層部の薄膜を選択的
にエッチングして除去した後、レジストを完全に除去す
る工程が採られている。この工程には、従来、剥離剤と
して、強酸、フェノール系化合物又は塩素系溶剤が用い
られていたが、作業上の安全の面で劣ったり、毒性や廃
液処理が煩雑であるため、アミン系化合物を配合した剥
離剤が提案されている。
は、ＰＶＤ（物理的気相成長）やＣＶＤ（化学的気相成
長）等により導電性膜や絶縁性膜を形成後、リソグラフ
ィーにより薄膜上に所定のレジストパターンを形成し、
これをエッチングレジストとして下層部の薄膜を選択的
にエッチングして除去した後、レジストを完全に除去す
る工程が採られている。この工程には、従来、剥離剤と
して、強酸、フェノール系化合物又は塩素系溶剤が用い
られていたが、作業上の安全の面で劣ったり、毒性や廃
液処理が煩雑であるため、アミン系化合物を配合した剥
離剤が提案されている。
【０００３】しかしながら、アミン系化合物を配合した
剥離剤では、アミン系化合物又は水の含有量が多くなる
と、剥離剤のｐＨが高くなり、基板上の金属配線や金属
薄膜等に対して腐食がおこりやすくなり、金属表面が変
色したり、一部溶解したりするという欠点があった。
剥離剤では、アミン系化合物又は水の含有量が多くなる
と、剥離剤のｐＨが高くなり、基板上の金属配線や金属
薄膜等に対して腐食がおこりやすくなり、金属表面が変
色したり、一部溶解したりするという欠点があった。
【０００４】これらの欠点を解決する剥離剤として、近
年、アミン系化合物に加えて、アセチレンアルコール及
びそのエチレンオキシド付加物が用いられた剥離液組成
物（特開平７−６４２９７号公報）、芳香族ヒドロキシ
化合物が配合された剥離液（特開平７−２１９２４０号
公報）等が提案されているが、これらは、いずれも腐食
性防止効果が不十分である。
年、アミン系化合物に加えて、アセチレンアルコール及
びそのエチレンオキシド付加物が用いられた剥離液組成
物（特開平７−６４２９７号公報）、芳香族ヒドロキシ
化合物が配合された剥離液（特開平７−２１９２４０号
公報）等が提案されているが、これらは、いずれも腐食
性防止効果が不十分である。
【０００５】一方、回路の微細化と共に、プラズマエッ
チングやドライアッシング等の高エネルギー処理が行わ
れており、硬化又は化学変質したレジスト、サイドウォ
ールポリマー等の剥離に当たっては、剥離性能を向上さ
せるために、剥離剤中のアミン化合物の含有量を増加し
たり、水の含有量を増やしたり、さらに剥離温度を上昇
させたり、又は剥離時間を伸ばしたりなど、レジストの
剥離のための剥離条件は、各種部材にとって益々厳しく
なっている。その結果、これまでの腐食防止剤では前記
各種部材に対する腐食防止効果が益々不十分になってき
ており、このような厳しい剥離条件下でも、各種部材に
対し、優れた腐食防止効果を有する剥離剤組成物及び剥
離方法が必要とされている。
チングやドライアッシング等の高エネルギー処理が行わ
れており、硬化又は化学変質したレジスト、サイドウォ
ールポリマー等の剥離に当たっては、剥離性能を向上さ
せるために、剥離剤中のアミン化合物の含有量を増加し
たり、水の含有量を増やしたり、さらに剥離温度を上昇
させたり、又は剥離時間を伸ばしたりなど、レジストの
剥離のための剥離条件は、各種部材にとって益々厳しく
なっている。その結果、これまでの腐食防止剤では前記
各種部材に対する腐食防止効果が益々不十分になってき
ており、このような厳しい剥離条件下でも、各種部材に
対し、優れた腐食防止効果を有する剥離剤組成物及び剥
離方法が必要とされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、レジスト剥
離性に優れ、半導体素子やＬＣＤ上の金属配線や金属薄
膜等の各種部材に対する腐食防止効果に優れたレジスト
用剥離剤組成物及びレジスト剥離方法を提供することを
目的とする。
離性に優れ、半導体素子やＬＣＤ上の金属配線や金属薄
膜等の各種部材に対する腐食防止効果に優れたレジスト
用剥離剤組成物及びレジスト剥離方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は、
〔１〕 分子中にＳｉ原子を有する化合物を含有してな
り、該分子中にＳｉ原子を含む化合物が分子中にＳｉ−
Ｘ結合〔但し、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜６のアル
コキシ基、水酸基、イオウ原子、アミノ基、水素原子、
酸素原子又はＯＭ基（Ｍはカチオンになりうる原子又は
基）を示す〕を有する分子量４５〜１万の有機ケイ素化
合物である剥離剤組成物、 〔２〕 さらに、アミン化合物、４級アンモニウム塩及
び酸からなる群より選ばれた少なくとも１種を含有して
なる前記〔１〕記載の剥離剤組成物、 〔３〕 さらに、水及び沸点が５０〜４００℃の親水性
有機溶剤からなる群より選ばれた少なくとも１種を含有
してなる前記〔１〕又は〔２〕記載の剥離剤組成物、並
びに 〔４〕 前記剥離剤組成物を用いて基板上のレジストを
除去するレジスト剥離方法に関する。
り、該分子中にＳｉ原子を含む化合物が分子中にＳｉ−
Ｘ結合〔但し、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜６のアル
コキシ基、水酸基、イオウ原子、アミノ基、水素原子、
酸素原子又はＯＭ基（Ｍはカチオンになりうる原子又は
基）を示す〕を有する分子量４５〜１万の有機ケイ素化
合物である剥離剤組成物、 〔２〕 さらに、アミン化合物、４級アンモニウム塩及
び酸からなる群より選ばれた少なくとも１種を含有して
なる前記〔１〕記載の剥離剤組成物、 〔３〕 さらに、水及び沸点が５０〜４００℃の親水性
有機溶剤からなる群より選ばれた少なくとも１種を含有
してなる前記〔１〕又は〔２〕記載の剥離剤組成物、並
びに 〔４〕 前記剥離剤組成物を用いて基板上のレジストを
除去するレジスト剥離方法に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の剥離剤組成物は、分子中
にＳｉ原子を含む化合物を含有する。本明細書におい
て、「分子中にＳｉ原子を含む化合物」とは、１分子中
にＳｉ原子を１個以上を有する化合物を意味し、Ｓｉ原
子を１〜１００個有することが好ましく、１〜１０個有
することがより好ましい。剥離剤組成物中のＳｉ原子の
含有量は、プラズマ発光分析により定量することができ
る。Ｓｉ原子の含有量は腐食防止効果の観点から０．１
ｐｐｍ以上１０万ｐｐｍ以下が好ましく、１ｐｐｍ以上
１万ｐｐｍ以下がより好ましく、５ｐｐｍ以上５０００
ｐｐｍ以下がさらに好ましい。
にＳｉ原子を含む化合物を含有する。本明細書におい
て、「分子中にＳｉ原子を含む化合物」とは、１分子中
にＳｉ原子を１個以上を有する化合物を意味し、Ｓｉ原
子を１〜１００個有することが好ましく、１〜１０個有
することがより好ましい。剥離剤組成物中のＳｉ原子の
含有量は、プラズマ発光分析により定量することができ
る。Ｓｉ原子の含有量は腐食防止効果の観点から０．１
ｐｐｍ以上１０万ｐｐｍ以下が好ましく、１ｐｐｍ以上
１万ｐｐｍ以下がより好ましく、５ｐｐｍ以上５０００
ｐｐｍ以下がさらに好ましい。
【０００９】分子中にＳｉ原子を含む化合物としては、
例えば、ケイ酸やケイ酸塩等の無機ケイ素化合物、アル
ドリッチ ストラクチャー インデックス〔Aldrich St
ructure Index 〕(1992 −1993年版) の４２５〜４３２
頁に記載のＳｉ原子を含む有機ケイ素化合物が挙げられ
る。有機ケイ素化合物の具体例としては、ヘキサメチル
ジシラン、トリメチルシリルメタノール、テトラフェニ
ルシラン、トリメチルシリルアセチレン、プロパギルト
リメチルシラン、分子中にＳｉ−Ｘ結合を有する化合物
等が挙げられる。これらの中では、腐食防止性の観点か
ら、分子中にＳｉ−Ｘ結合を有する化合物がより好まし
い。
例えば、ケイ酸やケイ酸塩等の無機ケイ素化合物、アル
ドリッチ ストラクチャー インデックス〔Aldrich St
ructure Index 〕(1992 −1993年版) の４２５〜４３２
頁に記載のＳｉ原子を含む有機ケイ素化合物が挙げられ
る。有機ケイ素化合物の具体例としては、ヘキサメチル
ジシラン、トリメチルシリルメタノール、テトラフェニ
ルシラン、トリメチルシリルアセチレン、プロパギルト
リメチルシラン、分子中にＳｉ−Ｘ結合を有する化合物
等が挙げられる。これらの中では、腐食防止性の観点か
ら、分子中にＳｉ−Ｘ結合を有する化合物がより好まし
い。
【００１０】Ｓｉ−Ｘ結合において、ＸはＣｌ、Ｂｒ、
Ｉ等のハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基、水
酸基、イオウ原子、アミノ基、水素原子、酸素原子又は
ＯＭ基を示す。なお、Ｍはカチオンになりうる原子又は
基を示し、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属原
子；Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等のアルカリ土類金属原子；アン
モニウムイオン；アンモニウムイオンの水素原子の１〜
４個が炭素数１〜１０の炭化水素基及び／又はヒドロキ
シアルキル基で置換された１〜４級のアルキルアンモニ
ウムイオン等が挙げられる。
Ｉ等のハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基、水
酸基、イオウ原子、アミノ基、水素原子、酸素原子又は
ＯＭ基を示す。なお、Ｍはカチオンになりうる原子又は
基を示し、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属原
子；Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等のアルカリ土類金属原子；アン
モニウムイオン；アンモニウムイオンの水素原子の１〜
４個が炭素数１〜１０の炭化水素基及び／又はヒドロキ
シアルキル基で置換された１〜４級のアルキルアンモニ
ウムイオン等が挙げられる。
【００１１】また、１分子中のＳｉ−Ｘ結合の数は、１
〜１５個が好ましく、１〜４個がより好ましい。
〜１５個が好ましく、１〜４個がより好ましい。
【００１２】分子中にＳｉ−Ｘ結合を有する化合物とし
ては、前記有機ケイ素化合物だけでなく、ケイ酸、ケイ
酸塩等の無機ケイ素化合物であってもよいが、剥離剤組
成物中の他の成分との相溶性が優れる点から、有機ケイ
素化合物が好ましい。有機ケイ素化合物の分子量は、４
５〜１万が好ましく、８０〜２０００がより好ましく、
１００〜１０００がさらに好ましい。有機ケイ素化合物
としては、例えば、アルドリッチ ストラクチャー イ
ンデックス〔Aldrich Structure Index 〕(1992-1993年
版) の４２５〜４３２頁に記載の分子中にＳｉ−Ｘ結合
を有する化合物が挙げられる。これらの中では、腐食防
止効果が高いという観点から、式（Ｉ）〜(III）：
ては、前記有機ケイ素化合物だけでなく、ケイ酸、ケイ
酸塩等の無機ケイ素化合物であってもよいが、剥離剤組
成物中の他の成分との相溶性が優れる点から、有機ケイ
素化合物が好ましい。有機ケイ素化合物の分子量は、４
５〜１万が好ましく、８０〜２０００がより好ましく、
１００〜１０００がさらに好ましい。有機ケイ素化合物
としては、例えば、アルドリッチ ストラクチャー イ
ンデックス〔Aldrich Structure Index 〕(1992-1993年
版) の４２５〜４３２頁に記載の分子中にＳｉ−Ｘ結合
を有する化合物が挙げられる。これらの中では、腐食防
止効果が高いという観点から、式（Ｉ）〜(III）：
【００１３】
【化１】
【００１４】（式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ独立して炭
素数１〜２０の炭化水素基、Ｒ6 は炭素数１〜１０の炭
化水素基、Ｘ1 〜Ｘ3 はそれぞれ独立して前記Ｘ又は炭
素数１〜２０の炭化水素基のうちいずれか１つを示し、
少なくとも１つはＸを示す。Ｘ 4 〜Ｘ12は前記Ｘと同じ
であり、それぞれ同じでもよいし、異なっていてもよ
い。Ｙはｍ価の酸基又は水酸基、ｍは１〜３の整数を示
す）で表される有機ケイ素化合物やヘキサメチルジシラ
チアン、テトラメチルオルトシリケート、テトラエチル
オルトシリケート、１，２−ビス（トリメチルシリロキ
シ）エタン、１，７−ジクロロオクタメチルテトラシロ
キサン、トリス（トリメチルシリル）アミン等が好まし
い。なお、本明細書において、酸基とは、酸の分子から
金属原子又は陽性基と置換しうる水素原子を１個以上除
いた陰性原子団をいう。
素数１〜２０の炭化水素基、Ｒ6 は炭素数１〜１０の炭
化水素基、Ｘ1 〜Ｘ3 はそれぞれ独立して前記Ｘ又は炭
素数１〜２０の炭化水素基のうちいずれか１つを示し、
少なくとも１つはＸを示す。Ｘ 4 〜Ｘ12は前記Ｘと同じ
であり、それぞれ同じでもよいし、異なっていてもよ
い。Ｙはｍ価の酸基又は水酸基、ｍは１〜３の整数を示
す）で表される有機ケイ素化合物やヘキサメチルジシラ
チアン、テトラメチルオルトシリケート、テトラエチル
オルトシリケート、１，２−ビス（トリメチルシリロキ
シ）エタン、１，７−ジクロロオクタメチルテトラシロ
キサン、トリス（トリメチルシリル）アミン等が好まし
い。なお、本明細書において、酸基とは、酸の分子から
金属原子又は陽性基と置換しうる水素原子を１個以上除
いた陰性原子団をいう。
【００１５】式（Ｉ）において、Ｒ1 は、炭素数２〜１
８の炭化水素基であることが好ましく、炭素数２〜１２
の炭化水素基であることがより好ましい。その具体例と
しては、エチル基、ビニル基、プロピル基、イソブチル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、
テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、フ
ェニル基等のアルキル基が挙げられる。また、Ｘ1 〜Ｘ
3 の中では、剥離剤組成物中で加水分解等により最終的
に水酸基になるものが好ましい。Ｘ1 〜Ｘ3 が炭素数１
〜２０の炭化水素基である場合には、その具体例として
は前記Ｒ1 と同様に、炭素数２〜１８の炭化水素基であ
ることが好ましく、炭素数２〜１２の炭化水素基である
ことがより好ましい。
８の炭化水素基であることが好ましく、炭素数２〜１２
の炭化水素基であることがより好ましい。その具体例と
しては、エチル基、ビニル基、プロピル基、イソブチル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、
テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、フ
ェニル基等のアルキル基が挙げられる。また、Ｘ1 〜Ｘ
3 の中では、剥離剤組成物中で加水分解等により最終的
に水酸基になるものが好ましい。Ｘ1 〜Ｘ3 が炭素数１
〜２０の炭化水素基である場合には、その具体例として
は前記Ｒ1 と同様に、炭素数２〜１８の炭化水素基であ
ることが好ましく、炭素数２〜１２の炭化水素基である
ことがより好ましい。
【００１６】式（Ｉ）で表される化合物の具体例として
は、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ヘキシルトリメトキシシラン、アミノプロピルト
リエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェ
ニルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシ
シラン、プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエ
トキシシラン、デシルジメトキシモノエトキシシラン、
オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルメトキシジ
メチルシラン、ビニルトリイオドシラン、プロピルトリ
ブロモシラン、ヘキシルトリクロロシラン、ジデシルジ
クロロシラン、トリフェニルブロモシラン、ビニルトリ
ヒドロキシシラン、プロピルトリヒドロキシシラン、ヘ
キシルヒドロキシジエチルシラン、デシルトリヒドロキ
シシラン、ナフチルトリヒドロキシシラン、ビニルトリ
アミノシラン、プロピルジアミノエチルシラン、ヘキシ
ルトリアミノシラン、デシルジアミノメチルシラン、オ
クタデシルジアミノクロロシラン、フェニルトリアミノ
シラン等が挙げられる。
は、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ヘキシルトリメトキシシラン、アミノプロピルト
リエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェ
ニルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシ
シラン、プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエ
トキシシラン、デシルジメトキシモノエトキシシラン、
オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルメトキシジ
メチルシラン、ビニルトリイオドシラン、プロピルトリ
ブロモシラン、ヘキシルトリクロロシラン、ジデシルジ
クロロシラン、トリフェニルブロモシラン、ビニルトリ
ヒドロキシシラン、プロピルトリヒドロキシシラン、ヘ
キシルヒドロキシジエチルシラン、デシルトリヒドロキ
シシラン、ナフチルトリヒドロキシシラン、ビニルトリ
アミノシラン、プロピルジアミノエチルシラン、ヘキシ
ルトリアミノシラン、デシルジアミノメチルシラン、オ
クタデシルジアミノクロロシラン、フェニルトリアミノ
シラン等が挙げられる。
【００１７】式(II)において、Ｘ4 〜Ｘ9 は前記Ｘと同
じであればよく、それぞれ同じでもよく、異なっていて
もよい。また、Ｒ2 は、炭素数２〜１８の炭化水素基で
あることが好ましく、炭素数２〜１２の炭化水素基であ
ることがより好ましい。式(II)で表される化合物の具体
例としては、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキ
サン、１，６−ビス（トリクロロシリル）ヘキサン、
１，８−ビス（トリヒドロキシシリル）オクタン、１，
１０−ビス（トリアミノシリル）デカン等が挙げられ
る。
じであればよく、それぞれ同じでもよく、異なっていて
もよい。また、Ｒ2 は、炭素数２〜１８の炭化水素基で
あることが好ましく、炭素数２〜１２の炭化水素基であ
ることがより好ましい。式(II)で表される化合物の具体
例としては、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキ
サン、１，６−ビス（トリクロロシリル）ヘキサン、
１，８−ビス（トリヒドロキシシリル）オクタン、１，
１０−ビス（トリアミノシリル）デカン等が挙げられ
る。
【００１８】式(III) において、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は
それぞれ独立して、炭素数６〜１８の炭化水素基である
ことが好ましい。Ｒ6 は、炭素数２〜６の炭化水素基で
あることが好ましい。Ｘ10、Ｘ11及びＸ12は前記Ｘと同
じであればよく、それぞれ同じでもよいし、異なってい
てもよい。Ｙの具体例としては、酸基として、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉ、ＣＯ3 、ＨＣＯ3 、ＮＯ3 、ＳＯ4 、ＨＳ
Ｏ4 、ＰＯ4 、ＨＰＯ4 、Ｈ2 ＰＯ4 等及び水酸基が挙
げられる。これらの中では、絶縁膜や金属膜に対して影
響が少ない点より、ＯＨが好ましい。
それぞれ独立して、炭素数６〜１８の炭化水素基である
ことが好ましい。Ｒ6 は、炭素数２〜６の炭化水素基で
あることが好ましい。Ｘ10、Ｘ11及びＸ12は前記Ｘと同
じであればよく、それぞれ同じでもよいし、異なってい
てもよい。Ｙの具体例としては、酸基として、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉ、ＣＯ3 、ＨＣＯ3 、ＮＯ3 、ＳＯ4 、ＨＳ
Ｏ4 、ＰＯ4 、ＨＰＯ4 、Ｈ2 ＰＯ4 等及び水酸基が挙
げられる。これらの中では、絶縁膜や金属膜に対して影
響が少ない点より、ＯＨが好ましい。
【００１９】式(III) で表される化合物の具体例として
は、オクタデシルジメチル（３−（トリメトキシシリ
ル）プロピル）アンモニウムヒドロキシド、オクタデシ
ルジエチル（３−（トリクロロシリル）プロピル）アン
モニウムヒドロキシド、ヘキサデシルジメチル（３−
（トリヒドロキシシリル）プロピル）アンモニウムヒド
ロキシド、ヘキサデシルジブチル（３−（トリアミノシ
リル）プロピル）アンモニウムヒドロキシド等が挙げら
れる。
は、オクタデシルジメチル（３−（トリメトキシシリ
ル）プロピル）アンモニウムヒドロキシド、オクタデシ
ルジエチル（３−（トリクロロシリル）プロピル）アン
モニウムヒドロキシド、ヘキサデシルジメチル（３−
（トリヒドロキシシリル）プロピル）アンモニウムヒド
ロキシド、ヘキサデシルジブチル（３−（トリアミノシ
リル）プロピル）アンモニウムヒドロキシド等が挙げら
れる。
【００２０】かかる分子中にＳｉ原子を有する化合物の
剥離剤組成物中における含有量は、腐食防止効果の観点
から、０．００１重量％以上であることが好ましく、
０．０１重量％以上であることがより好ましく、０．０
５重量％以上であることがさらに好ましく、また、剥離
剤の剥離性の観点から、５０重量％以下であることが好
ましく、２０重量％以下であることがより好ましく、１
０重量％以下であることがさらに好ましい。
剥離剤組成物中における含有量は、腐食防止効果の観点
から、０．００１重量％以上であることが好ましく、
０．０１重量％以上であることがより好ましく、０．０
５重量％以上であることがさらに好ましく、また、剥離
剤の剥離性の観点から、５０重量％以下であることが好
ましく、２０重量％以下であることがより好ましく、１
０重量％以下であることがさらに好ましい。
【００２１】本発明の剥離剤組成物としては、さらにア
ミン化合物、４級アンモニウム塩及び酸からなる群より
選ばれた少なくとも１種が含有された剥離剤組成物であ
ることが好ましい。本発明の剥離剤組成物にアミン化合
物、４級アンモニウム塩又は酸を含有させることによ
り、エッチング後のレジストに対する高剥離性と各種金
属部材に対する腐食防止効果が両立した剥離剤組成物を
得られるので好ましい。
ミン化合物、４級アンモニウム塩及び酸からなる群より
選ばれた少なくとも１種が含有された剥離剤組成物であ
ることが好ましい。本発明の剥離剤組成物にアミン化合
物、４級アンモニウム塩又は酸を含有させることによ
り、エッチング後のレジストに対する高剥離性と各種金
属部材に対する腐食防止効果が両立した剥離剤組成物を
得られるので好ましい。
【００２２】アミン化合物としては、窒素原子１〜４個
を有するものが挙げられる。その具体例としては、炭素
数１〜２０のモノアルキルアミン、ジアルキルアミン及
びトリアルキルアミン、さらにはベンジルアミン、ジベ
ンジルアミン、トリベンジルアミン、１−アミノナフタ
レン、アルキルベンジルアミン等の窒素原子１個を有す
るアミン；エチレンジアミン、トリエチレンジアミン、
１，３−プロパンジアミン、１，６−ジアミノヘキサ
ン、１，３−ジアミノキシレン、１，３−ビスアミノシ
クロヘキサン、テトラメチルヘキサメチレンジアミン等
の窒素原子２個を有するアミン；ジエチレントリアミン
等の窒素原子３個を有するアミン；トリエチレンテトラ
アミン等の窒素原子４個を有するアミン；それら窒素原
子１〜４個を有するアミン化合物に炭素数２〜４のアル
キレンオキサイドを付加した化合物；モノエタノールア
ミン、モノプロパノールアミン、モノイソプロパノール
アミン、ジエタノールアミン、メチルモノエタノールア
ミン、ブチルモノエタノールアミン、トリエタノールア
ミン、ジメチルモノエタノールアミン、メチルジエタノ
ールアミン等のアルカノールアミン等が挙げられる。こ
れらの中では、窒素原子１〜２個を有するアミン、それ
らに炭素数２〜３のアルキレンオキサイドを付加した化
合物がレジスト剥離性に優れるので好ましい。
を有するものが挙げられる。その具体例としては、炭素
数１〜２０のモノアルキルアミン、ジアルキルアミン及
びトリアルキルアミン、さらにはベンジルアミン、ジベ
ンジルアミン、トリベンジルアミン、１−アミノナフタ
レン、アルキルベンジルアミン等の窒素原子１個を有す
るアミン；エチレンジアミン、トリエチレンジアミン、
１，３−プロパンジアミン、１，６−ジアミノヘキサ
ン、１，３−ジアミノキシレン、１，３−ビスアミノシ
クロヘキサン、テトラメチルヘキサメチレンジアミン等
の窒素原子２個を有するアミン；ジエチレントリアミン
等の窒素原子３個を有するアミン；トリエチレンテトラ
アミン等の窒素原子４個を有するアミン；それら窒素原
子１〜４個を有するアミン化合物に炭素数２〜４のアル
キレンオキサイドを付加した化合物；モノエタノールア
ミン、モノプロパノールアミン、モノイソプロパノール
アミン、ジエタノールアミン、メチルモノエタノールア
ミン、ブチルモノエタノールアミン、トリエタノールア
ミン、ジメチルモノエタノールアミン、メチルジエタノ
ールアミン等のアルカノールアミン等が挙げられる。こ
れらの中では、窒素原子１〜２個を有するアミン、それ
らに炭素数２〜３のアルキレンオキサイドを付加した化
合物がレジスト剥離性に優れるので好ましい。
【００２３】アミン化合物の剥離剤組成物中における含
有量は、良好な剥離性能を発揮させるために、０．５重
量％以上、好ましくは５重量％以上であることが望まし
く、金属部材に対する腐食を抑制する観点から、９０重
量％以下、好ましくは８０重量％以下であることが望ま
しい。
有量は、良好な剥離性能を発揮させるために、０．５重
量％以上、好ましくは５重量％以上であることが望まし
く、金属部材に対する腐食を抑制する観点から、９０重
量％以下、好ましくは８０重量％以下であることが望ま
しい。
【００２４】４級アンモニウム塩としては、式(IＶ）：
【００２５】
【化２】
【００２６】（Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 及びＲ10はそれぞれ独
立して炭素数１〜１０の炭化水素基又はヒドロキシアル
キル基、Ｚはｎ価の酸基又は水酸基、ｎは１〜３の整数
を示す）で表される４級アンモニウム塩が挙げられる。
立して炭素数１〜１０の炭化水素基又はヒドロキシアル
キル基、Ｚはｎ価の酸基又は水酸基、ｎは１〜３の整数
を示す）で表される４級アンモニウム塩が挙げられる。
【００２７】式(IＶ）において、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 及び
Ｒ10としては、剥離性が優れることから炭素数１〜３の
炭化水素基及びヒドロキシアルキル基が好ましい。ま
た、式(IＶ）のＺの具体例としては、例えば、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉ、ＣＯ3 、ＨＣＯ3 、ＯＨ、ＮＯ3 、ＳＯ4 、Ｈ
ＳＯ4 、ＰＯ4 、ＨＰＯ4 、Ｈ2 ＰＯ4 等が挙げられ
る。これらの中では、絶縁膜や金属膜に対して影響が少
ない点からＯＨが好ましい。式(IＶ）で表される４級ア
ンモニウム塩の具体例としては、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド、モノメタノールトリメチルアンモニウムヒドロキ
シド、コリンヒドロキシド等が挙げられ、これらの中で
は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド及びモノメタノールトリ
メチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
Ｒ10としては、剥離性が優れることから炭素数１〜３の
炭化水素基及びヒドロキシアルキル基が好ましい。ま
た、式(IＶ）のＺの具体例としては、例えば、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉ、ＣＯ3 、ＨＣＯ3 、ＯＨ、ＮＯ3 、ＳＯ4 、Ｈ
ＳＯ4 、ＰＯ4 、ＨＰＯ4 、Ｈ2 ＰＯ4 等が挙げられ
る。これらの中では、絶縁膜や金属膜に対して影響が少
ない点からＯＨが好ましい。式(IＶ）で表される４級ア
ンモニウム塩の具体例としては、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド、モノメタノールトリメチルアンモニウムヒドロキ
シド、コリンヒドロキシド等が挙げられ、これらの中で
は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド及びモノメタノールトリ
メチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
【００２８】４級アンモニウム塩の分子中の炭素数の合
計は、４〜１５であることが好ましい。これらの化合物
は、単独で又は２種以上混合して用いることができる。
４級アンモニウム塩の剥離剤組成物中における含有量
は、良好な剥離性能を発揮させるために、２重量％以
上、好ましくは５重量％以上であることが望ましく、金
属部材に対する腐食を抑制する観点から、９５重量％以
下、好ましくは８０重量％以下であることが望ましい。
計は、４〜１５であることが好ましい。これらの化合物
は、単独で又は２種以上混合して用いることができる。
４級アンモニウム塩の剥離剤組成物中における含有量
は、良好な剥離性能を発揮させるために、２重量％以
上、好ましくは５重量％以上であることが望ましく、金
属部材に対する腐食を抑制する観点から、９５重量％以
下、好ましくは８０重量％以下であることが望ましい。
【００２９】酸としては、塩酸、フッ酸、シアン酸、塩
素酸、次亜塩素酸、硫酸、亜硫酸、リン酸、ホウ酸等の
無機酸；カルボン酸、過酸、炭酸エステル、チオカルボ
ン酸、メルカプタン酸、スルホン酸、スルフィン酸、ス
ルフェン酸、硫酸エステル、ホスホン酸、ホスファチジ
ン酸、リン酸エステル、ホスフィン、硼酸エステルの錯
化合物、フェノール等の有機酸等が挙げられる。酸の剥
離剤組成物中における含有量は、良好な剥離性能を発揮
させるために、０．１重量％以上、好ましくは０．５重
量％以上であることが望ましく、金属部材に対する腐食
を抑制する観点から、９５重量％以下、好ましくは５０
重量％以下であることが望ましい。
素酸、次亜塩素酸、硫酸、亜硫酸、リン酸、ホウ酸等の
無機酸；カルボン酸、過酸、炭酸エステル、チオカルボ
ン酸、メルカプタン酸、スルホン酸、スルフィン酸、ス
ルフェン酸、硫酸エステル、ホスホン酸、ホスファチジ
ン酸、リン酸エステル、ホスフィン、硼酸エステルの錯
化合物、フェノール等の有機酸等が挙げられる。酸の剥
離剤組成物中における含有量は、良好な剥離性能を発揮
させるために、０．１重量％以上、好ましくは０．５重
量％以上であることが望ましく、金属部材に対する腐食
を抑制する観点から、９５重量％以下、好ましくは５０
重量％以下であることが望ましい。
【００３０】本発明の剥離剤組成物の好ましい態様とし
ては、優れたレジスト剥離性と半導体素子等の部材、特
に金属部材等に対する腐食防止効果とを併せて発現させ
る観点から、分子中にＳｉ原子を含む化合物と、アミン
化合物及び４級アンモニウム塩からなる群より選ばれた
１種以上を含有する組成物、分子中にＳｉ原子を含む化
合物と酸とを含有する組成物等が挙げられる。
ては、優れたレジスト剥離性と半導体素子等の部材、特
に金属部材等に対する腐食防止効果とを併せて発現させ
る観点から、分子中にＳｉ原子を含む化合物と、アミン
化合物及び４級アンモニウム塩からなる群より選ばれた
１種以上を含有する組成物、分子中にＳｉ原子を含む化
合物と酸とを含有する組成物等が挙げられる。
【００３１】本発明の剥離剤組成物としては、さらに水
及び沸点が５０〜４００℃の親水性有機溶剤からなる群
より選ばれた少なくとも１種が含有された剥離剤組成物
であることが好ましい。本発明の剥離剤組成物におい
て、水及び沸点が５０〜４００℃の親水性有機溶剤を併
用することが、良好な剥離性が得られる観点から、好ま
しい。
及び沸点が５０〜４００℃の親水性有機溶剤からなる群
より選ばれた少なくとも１種が含有された剥離剤組成物
であることが好ましい。本発明の剥離剤組成物におい
て、水及び沸点が５０〜４００℃の親水性有機溶剤を併
用することが、良好な剥離性が得られる観点から、好ま
しい。
【００３２】水としては、本発明の剥離剤組成物が半導
体素子やＬＣＤの製造分野で使用されることを考慮し
て、イオン交換水、純水や超純水等のイオン性物質やパ
ーティクル等を極力低減させたものが好ましい。水の剥
離剤組成物中における含有量は、レジスト剥離性を向上
する観点から、０．１重量％以上、好ましくは０．５重
量％以上であることが望ましく、金属部材に対する腐食
を抑制する観点から、９５重量％以下、好ましくは５０
重量％以下であることが望ましい。
体素子やＬＣＤの製造分野で使用されることを考慮し
て、イオン交換水、純水や超純水等のイオン性物質やパ
ーティクル等を極力低減させたものが好ましい。水の剥
離剤組成物中における含有量は、レジスト剥離性を向上
する観点から、０．１重量％以上、好ましくは０．５重
量％以上であることが望ましく、金属部材に対する腐食
を抑制する観点から、９５重量％以下、好ましくは５０
重量％以下であることが望ましい。
【００３３】親水性有機溶剤としては、分子量が３２〜
３００の１〜６価アルコール、１〜６価アルコール又は
カルボン酸にアルキレンオキサイドを付加した化合物及
びその誘導体で分子量が６０〜３００のポリアルキレン
オキサイド化合物、窒素原子又は硫黄原子を有する極性
溶媒が好ましい。
３００の１〜６価アルコール、１〜６価アルコール又は
カルボン酸にアルキレンオキサイドを付加した化合物及
びその誘導体で分子量が６０〜３００のポリアルキレン
オキサイド化合物、窒素原子又は硫黄原子を有する極性
溶媒が好ましい。
【００３４】アルコールとしては、適度の粘度を有する
点から１〜６価アルコールが好ましい。また適度の粘度
を有し、剥離性に優れる点から、アルコールの分子量は
３２〜３００が好ましい。その具体例としては、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサ
ノール、オクタノール、ヘキサンジオール、オクタンジ
オール、エチレングリコール、プロピレングリコール、
グリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビット、ソル
ビタン等が挙げられる。これらの中では、剥離性が優れ
ることから、エタノール、プロパノール、ブタノール、
ヘキサノール、エチレングリコール及びプロピレングリ
コールが好ましい。
点から１〜６価アルコールが好ましい。また適度の粘度
を有し、剥離性に優れる点から、アルコールの分子量は
３２〜３００が好ましい。その具体例としては、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサ
ノール、オクタノール、ヘキサンジオール、オクタンジ
オール、エチレングリコール、プロピレングリコール、
グリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビット、ソル
ビタン等が挙げられる。これらの中では、剥離性が優れ
ることから、エタノール、プロパノール、ブタノール、
ヘキサノール、エチレングリコール及びプロピレングリ
コールが好ましい。
【００３５】ポリアルキレンオキサイド化合物の分子量
は、適度の粘度を有し、剥離性に優れる点から、６０〜
３００であることが好ましい。その具体例としては、メ
タノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘ
キサノール、オクタノール、ヘキサンジオール、オクタ
ンジオール、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、グリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビット、
ソルビタン等の１〜６価アルコールや該アルコールに対
応するカルボン酸（該アルコールのＯＨ基がＣＯＯＨ基
であるもの）に炭素数２〜４のアルキレンオキサイドで
付加した化合物、並びにそれらの化合物の末端の水酸基
又はカルボキシル基の一部もしくは全部を炭素数１〜１
０の炭化水素基でエーテル化又はエステル化した化合物
が挙げられる。これらの中では、粘度が低く、剥離性能
が優れることから炭素数１〜６の１価アルコールにエチ
レンオキサイドやプロピレンオキサイドを１〜８モル付
加した化合物やそれらに炭素数１〜４のアルキル基でエ
ーテル化した化合物が好ましい。その具体例としては、
エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレング
リコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレング
リコールエチルプロピルエーテル、ジエチレングリコー
ルブチルエチルエーテル、ジエチレングリコールブチル
メチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチ
レングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコ
ールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリ
エチレングリコールモノフェニルエーテル、テトラエチ
レングリコールモノフェニルエーテル、ペンタエチレン
グリコールモノフェニルエーテル、ヘキサエチレングリ
コールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ
ベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジル
エーテル、トリエチレングリコールモノベンジルエーテ
ル、テトラエチレングリコールモノベンジルエーテル、
ペンタエチレングリコールモノベンジルエーテル、ヘキ
サエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリプロ
ピレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。
は、適度の粘度を有し、剥離性に優れる点から、６０〜
３００であることが好ましい。その具体例としては、メ
タノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘ
キサノール、オクタノール、ヘキサンジオール、オクタ
ンジオール、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、グリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビット、
ソルビタン等の１〜６価アルコールや該アルコールに対
応するカルボン酸（該アルコールのＯＨ基がＣＯＯＨ基
であるもの）に炭素数２〜４のアルキレンオキサイドで
付加した化合物、並びにそれらの化合物の末端の水酸基
又はカルボキシル基の一部もしくは全部を炭素数１〜１
０の炭化水素基でエーテル化又はエステル化した化合物
が挙げられる。これらの中では、粘度が低く、剥離性能
が優れることから炭素数１〜６の１価アルコールにエチ
レンオキサイドやプロピレンオキサイドを１〜８モル付
加した化合物やそれらに炭素数１〜４のアルキル基でエ
ーテル化した化合物が好ましい。その具体例としては、
エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレング
リコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレング
リコールエチルプロピルエーテル、ジエチレングリコー
ルブチルエチルエーテル、ジエチレングリコールブチル
メチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチ
レングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコ
ールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリ
エチレングリコールモノフェニルエーテル、テトラエチ
レングリコールモノフェニルエーテル、ペンタエチレン
グリコールモノフェニルエーテル、ヘキサエチレングリ
コールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ
ベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジル
エーテル、トリエチレングリコールモノベンジルエーテ
ル、テトラエチレングリコールモノベンジルエーテル、
ペンタエチレングリコールモノベンジルエーテル、ヘキ
サエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリプロ
ピレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。
【００３６】極性溶媒としては、窒素原子や硫黄原子を
有するものが好ましい。その具体例としては、例えば、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、ジメチルスルホキサイド、スルホラン、ジエチルス
ルホラン、ジメチルスルホン等が挙げられる。これらの
中では、極性が高く剥離性が優れる点から、Ｎ−メチル
ホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びジメチ
ルスルホキサイドがより好ましい。
有するものが好ましい。その具体例としては、例えば、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、ジメチルスルホキサイド、スルホラン、ジエチルス
ルホラン、ジメチルスルホン等が挙げられる。これらの
中では、極性が高く剥離性が優れる点から、Ｎ−メチル
ホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びジメチ
ルスルホキサイドがより好ましい。
【００３７】かかる親水性有機溶剤の沸点は、５０〜４
００℃、好ましくは８０〜３００℃であることが望まし
い。
００℃、好ましくは８０〜３００℃であることが望まし
い。
【００３８】また、親水性有機溶剤の剥離剤組成物中に
おける含有量は、レジスト剥離性を向上する観点から１
重量％以上、好ましくは５重量％以上であることが望ま
しく、アミン化合物、４級アンモニウム塩等の配合量を
確保し、剥離性能の低下を抑制する観点から、９０重量
％以下、好ましくは７０重量％以下であることが望まし
い。
おける含有量は、レジスト剥離性を向上する観点から１
重量％以上、好ましくは５重量％以上であることが望ま
しく、アミン化合物、４級アンモニウム塩等の配合量を
確保し、剥離性能の低下を抑制する観点から、９０重量
％以下、好ましくは７０重量％以下であることが望まし
い。
【００３９】本発明の剥離剤組成物のより好ましい態様
としては、分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−Ｘ
結合を有する化合物と、アミン化合物及び４級アンモニ
ウム塩からなる群より選ばれた１種以上と、水とを含有
する組成物；分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−
Ｘ結合を有する化合物と酸と水とを含有する組成物、又
は分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−Ｘ結合を有
する化合物とアミン化合物及び４級アンモニウム塩から
なる群より選ばれた１種以上と沸点が５０〜４００℃の
親水性有機溶剤を含有する組成物；分子中にＳｉ原子、
より好ましくはＳｉ−Ｘ結合を有する化合物と酸と沸点
が５０〜４００℃の親水性有機溶剤を含有する組成物等
が挙げられる。本発明の剥離剤組成物の最も好ましい態
様としては、分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−
Ｘ結合を有する化合物と、アミン化合物及び４級アンモ
ニウム塩からなる群より選ばれた１種以上と、沸点が５
０〜４００℃の親水性有機溶剤と水とを含有する組成
物；分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−Ｘ結合を
有する化合物と酸と沸点が５０〜４００℃の親水性有機
溶剤と水を含有する組成物等が挙げられる。
としては、分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−Ｘ
結合を有する化合物と、アミン化合物及び４級アンモニ
ウム塩からなる群より選ばれた１種以上と、水とを含有
する組成物；分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−
Ｘ結合を有する化合物と酸と水とを含有する組成物、又
は分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−Ｘ結合を有
する化合物とアミン化合物及び４級アンモニウム塩から
なる群より選ばれた１種以上と沸点が５０〜４００℃の
親水性有機溶剤を含有する組成物；分子中にＳｉ原子、
より好ましくはＳｉ−Ｘ結合を有する化合物と酸と沸点
が５０〜４００℃の親水性有機溶剤を含有する組成物等
が挙げられる。本発明の剥離剤組成物の最も好ましい態
様としては、分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−
Ｘ結合を有する化合物と、アミン化合物及び４級アンモ
ニウム塩からなる群より選ばれた１種以上と、沸点が５
０〜４００℃の親水性有機溶剤と水とを含有する組成
物；分子中にＳｉ原子、より好ましくはＳｉ−Ｘ結合を
有する化合物と酸と沸点が５０〜４００℃の親水性有機
溶剤と水を含有する組成物等が挙げられる。
【００４０】本発明の剥離剤組成物は、半導体素子やＬ
ＣＤ等の金属部材であるアルミニウム、チタン、銅、タ
ングステン、インジウム−スズ酸化物等の腐食防止に優
れた効果を有し、さらにこれら金属部材上に付着したレ
ジストを容易に剥離することができるため、特に半導体
素子やＬＣＤ等を製造する際のレジストの剥離剤として
好適に用いることができる。
ＣＤ等の金属部材であるアルミニウム、チタン、銅、タ
ングステン、インジウム−スズ酸化物等の腐食防止に優
れた効果を有し、さらにこれら金属部材上に付着したレ
ジストを容易に剥離することができるため、特に半導体
素子やＬＣＤ等を製造する際のレジストの剥離剤として
好適に用いることができる。
【００４１】本発明の剥離剤組成物を用いて基板上のレ
ジストを除去するレジストの剥離方法としては、特に限
定はなく、その具体例としては、例えば、基板を複数枚
まとめて処理する複数処理する剥離方法及び１枚づつ処
理する枚葉処理する剥離方法が挙げられる。
ジストを除去するレジストの剥離方法としては、特に限
定はなく、その具体例としては、例えば、基板を複数枚
まとめて処理する複数処理する剥離方法及び１枚づつ処
理する枚葉処理する剥離方法が挙げられる。
【００４２】複数処理に適した処理方法としては、剥離
剤中に剥離すべきレジストを有する基板を一定時間浸漬
する浸漬剥離法が好ましく、剥離時間の短縮の観点か
ら、レジストへ剥離剤をスプレーで供給するスプレー方
式の剥離方法がより好ましい。また、剥離時間の大幅な
短縮の観点から、浸漬剥離中に超音波を加える超音波剥
離方法がさらに好ましい。
剤中に剥離すべきレジストを有する基板を一定時間浸漬
する浸漬剥離法が好ましく、剥離時間の短縮の観点か
ら、レジストへ剥離剤をスプレーで供給するスプレー方
式の剥離方法がより好ましい。また、剥離時間の大幅な
短縮の観点から、浸漬剥離中に超音波を加える超音波剥
離方法がさらに好ましい。
【００４３】枚葉処理に適した剥離方法としては、スプ
レー方式、高速回転可能なスピンナー上に基板を固定し
て上から剥離剤組成物をかけて均一に分散させて剥離す
るスピン枚葉式の剥離方法等が好ましい。
レー方式、高速回転可能なスピンナー上に基板を固定し
て上から剥離剤組成物をかけて均一に分散させて剥離す
るスピン枚葉式の剥離方法等が好ましい。
【００４４】
【実施例】実施例１〜４３（実施例２５〜２７は参考例
である） アルミニウム、チタン、タングステン、銅の金属膜又は
ＳｉＯ2 等の絶縁膜を形成した８インチシリコンウエハ
ー上にポジ型フォトレジストをスピンナーを用いて塗布
した。ついでホットプレートを用いて、このウエハーを
１１０℃で９０秒間プリベークして１．５μｍの膜厚を
有するフォトレジスト膜を得た。
である） アルミニウム、チタン、タングステン、銅の金属膜又は
ＳｉＯ2 等の絶縁膜を形成した８インチシリコンウエハ
ー上にポジ型フォトレジストをスピンナーを用いて塗布
した。ついでホットプレートを用いて、このウエハーを
１１０℃で９０秒間プリベークして１．５μｍの膜厚を
有するフォトレジスト膜を得た。
【００４５】このフォトレジスト膜を縮小投影露光装置
にフォトマスクを介して露光した。この後、現像液
（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液）を用いて一定時間パドル現像を行った。現像後の
フォトレジスト膜を純水で３０秒間すすいだ後、窒素気
流下で乾燥した。次に１４０℃、２０分間ポストベーキ
ング処理を施し、このレジストパターンをマスクとして
下地層をドライエッチングを行ないレジストを変質硬化
させた。そして得られたシリコンウエハーをダイヤモン
ドカッターで２ｃｍ×２ｃｍに切断し、ピースを得た。
にフォトマスクを介して露光した。この後、現像液
（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液）を用いて一定時間パドル現像を行った。現像後の
フォトレジスト膜を純水で３０秒間すすいだ後、窒素気
流下で乾燥した。次に１４０℃、２０分間ポストベーキ
ング処理を施し、このレジストパターンをマスクとして
下地層をドライエッチングを行ないレジストを変質硬化
させた。そして得られたシリコンウエハーをダイヤモン
ドカッターで２ｃｍ×２ｃｍに切断し、ピースを得た。
【００４６】表１〜３に示した組成を有する剥離剤組成
物を３０〜８０℃に加温しておき、その中に得られたピ
ースを５〜２０分間浸漬した後（なお、剥離剤３、実施
例４２及び比較例９の酸を含有する剥離剤を用いた場合
は３０℃、５分間浸漬、それ以外は８０℃、２０分間浸
漬）、取り出し、イソプロピルアルコールで１回、次い
で純水で１回すすいだ。その後、ピースを乾燥させ、走
査型電子顕微鏡（日立製作所（株）製）で５０００〜２
万倍に拡大して観察し、各種金属膜等に対する腐食性と
レジストの剥離性について検討した。その結果を表１〜
３に示す。
物を３０〜８０℃に加温しておき、その中に得られたピ
ースを５〜２０分間浸漬した後（なお、剥離剤３、実施
例４２及び比較例９の酸を含有する剥離剤を用いた場合
は３０℃、５分間浸漬、それ以外は８０℃、２０分間浸
漬）、取り出し、イソプロピルアルコールで１回、次い
で純水で１回すすいだ。その後、ピースを乾燥させ、走
査型電子顕微鏡（日立製作所（株）製）で５０００〜２
万倍に拡大して観察し、各種金属膜等に対する腐食性と
レジストの剥離性について検討した。その結果を表１〜
３に示す。
【００４７】なお、表１に示す実施例１〜２７及び比較
例１〜３で用いた剥離剤組成物は、ブチルカルビトール
７０重量％とモノエタノールアミン３０重量％とからな
る剥離剤１、ブチルカルビトール５０重量％とモノエタ
ノールアミン３０重量％と水２０重量％とからなる剥離
剤２、又はブチルカルビトール５０重量％とドデシルベ
ンゼンスルホン酸３０重量％と水２０重量％とからなる
剥離剤３の１００重量部に対して、表１に示す化合物を
表１に示す割合で添加し調整した。なお、表２に示す実
施例１３、１９、２１及び比較例１〜３には、剥離剤２
を使用した。
例１〜３で用いた剥離剤組成物は、ブチルカルビトール
７０重量％とモノエタノールアミン３０重量％とからな
る剥離剤１、ブチルカルビトール５０重量％とモノエタ
ノールアミン３０重量％と水２０重量％とからなる剥離
剤２、又はブチルカルビトール５０重量％とドデシルベ
ンゼンスルホン酸３０重量％と水２０重量％とからなる
剥離剤３の１００重量部に対して、表１に示す化合物を
表１に示す割合で添加し調整した。なお、表２に示す実
施例１３、１９、２１及び比較例１〜３には、剥離剤２
を使用した。
【００４８】また、表３に示す実施例２８〜４３及び比
較例４〜１０で用いた剥離剤組成物は、表３に示す組成
を用いた。
較例４〜１０で用いた剥離剤組成物は、表３に示す組成
を用いた。
【００４９】表１と表３は、アルミニウム配線に対する
各剥離剤組成物の評価、表２は各種金属膜及び絶縁膜に
対する各剥離剤組成物の評価を示す。
各剥離剤組成物の評価、表２は各種金属膜及び絶縁膜に
対する各剥離剤組成物の評価を示す。
【００５０】表１〜３において、腐食性について、１は
腐食全くなし、２はわずかにシミあり、３はわずかに孔
食あり、４は変色あり、５は腐食あり及び６は腐食が激
しいことを示す。また、剥離性について、◎はレジスト
が完全に剥離している、○は微小なレジスト残渣がわず
かに残っている、△はレジストが少し残っている及び×
はレジストがほとんど残っていることを示す。なお、腐
食性の評価が２より良く、かつ剥離性の評価が○より良
い剥離剤組成物を合格品とする。
腐食全くなし、２はわずかにシミあり、３はわずかに孔
食あり、４は変色あり、５は腐食あり及び６は腐食が激
しいことを示す。また、剥離性について、◎はレジスト
が完全に剥離している、○は微小なレジスト残渣がわず
かに残っている、△はレジストが少し残っている及び×
はレジストがほとんど残っていることを示す。なお、腐
食性の評価が２より良く、かつ剥離性の評価が○より良
い剥離剤組成物を合格品とする。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【表２】
【００５３】
【表３】
【００５４】表１〜３に示された結果から、実施例１〜
４３で得られた剥離剤組成物は、比較例１〜１０で得ら
れた剥離剤組成物と比べて、ピースを剥離剤組成物に３
０〜８０℃で浸漬させたところ、いずれも十分な剥離性
を示し、さらに非常に顕著な腐食性防止効果を示すた
め、実施例１〜４３で得られた剥離剤組成物は、いずれ
も硬化又は化学変化したレジストを容易に剥離し、さら
に非常に優れた腐食防止性を有することがわかる。
４３で得られた剥離剤組成物は、比較例１〜１０で得ら
れた剥離剤組成物と比べて、ピースを剥離剤組成物に３
０〜８０℃で浸漬させたところ、いずれも十分な剥離性
を示し、さらに非常に顕著な腐食性防止効果を示すた
め、実施例１〜４３で得られた剥離剤組成物は、いずれ
も硬化又は化学変化したレジストを容易に剥離し、さら
に非常に優れた腐食防止性を有することがわかる。
【００５５】
【発明の効果】本発明のレジスト用剥離剤組成物を用い
たレジスト剥離方法により、半導体素子やＬＣＤ等の技
術分野においてリソグラフィー技術に用いられるレジス
トを容易に除去でき、さらに、半導体素子やＬＣＤ上の
金属配線や金属薄膜等の各種部材の腐食が生じ易い条件
下でも、各種部材に対する腐食を顕著に防止することが
できるという効果が奏される。
たレジスト剥離方法により、半導体素子やＬＣＤ等の技
術分野においてリソグラフィー技術に用いられるレジス
トを容易に除去でき、さらに、半導体素子やＬＣＤ上の
金属配線や金属薄膜等の各種部材の腐食が生じ易い条件
下でも、各種部材に対する腐食を顕著に防止することが
できるという効果が奏される。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 北澤 宏造
和歌山市湊1334番地 花王株式会社研究
所内
(56)参考文献 特開 平10−97082（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−120552（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−359257（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−259066（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−45894（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (4)
- 【請求項１】 分子中にＳｉ原子を含む化合物を含有し
てなり、該分子中にＳｉ原子を含む化合物が分子中にＳ
ｉ−Ｘ結合〔但し、Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜６の
アルコキシ基、水酸基、イオウ原子、アミノ基、水素原
子、酸素原子又はＯＭ基（Ｍはカチオンになりうる原子
又は基）を示す〕を有する分子量４５〜１万の有機ケイ
素化合物であるレジスト用剥離剤組成物。 - 【請求項２】 さらに、アミン化合物、４級アンモニウ
ム塩及び酸からなる群より選ばれた少なくとも１種を含
有してなる請求項１記載の剥離剤組成物。 - 【請求項３】 さらに、水及び沸点が５０〜４００℃の
親水性有機溶剤からなる群より選ばれた少なくとも１種
を含有してなる請求項１又は２記載の剥離剤組成物。 - 【請求項４】 請求項１〜３いずれか記載の剥離剤組成
物を用いて基板上のレジストを除去するレジスト剥離方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20400998A JP3410369B2 (ja) | 1998-04-28 | 1998-07-17 | 剥離剤組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-119094 | 1998-04-28 | ||
| JP11909498 | 1998-04-28 | ||
| JP20400998A JP3410369B2 (ja) | 1998-04-28 | 1998-07-17 | 剥離剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000019744A JP2000019744A (ja) | 2000-01-21 |
| JP3410369B2 true JP3410369B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=26456892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20400998A Expired - Fee Related JP3410369B2 (ja) | 1998-04-28 | 1998-07-17 | 剥離剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3410369B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070121845A (ko) * | 2005-04-15 | 2007-12-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 용매계 내 자기 조립 단층을 이용한 고용량 이온 주입포토레지스트의 제거 |
| JP5143379B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2013-02-13 | ナガセケムテックス株式会社 | アルカリ洗浄液 |
| KR101579846B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2015-12-24 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 |
| WO2010084826A1 (ja) * | 2009-01-21 | 2010-07-29 | セントラル硝子株式会社 | シリコンウェハ用洗浄剤 |
| JP5446848B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2014-03-19 | セントラル硝子株式会社 | シリコンウェハ用洗浄剤 |
| JP5482192B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2014-04-23 | セントラル硝子株式会社 | シリコンウェハ用洗浄剤 |
| KR101075200B1 (ko) | 2009-01-21 | 2011-10-19 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 실리콘 웨이퍼용 세정제, 실리콘 웨이퍼의 세정과정 중에 사용되는 발수성 세정제, 실리콘 웨이퍼 표면의 세정방법 |
| JP5565551B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2014-08-06 | 石原ケミカル株式会社 | レジスト除去剤 |
| JP5894779B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2016-03-30 | 東邦化学工業株式会社 | 液晶配向膜の剥離液 |
| KR101880308B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2018-07-19 | 동우 화인켐 주식회사 | Ｔｆｔ 제조용 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 ｔｆｔ의 제조방법 |
| JP2014133855A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-07-24 | Fujifilm Corp | シロキサン樹脂の除去剤、それを用いたシロキサン樹脂の除去方法並びに半導体基板製品及び半導体素子の製造方法 |
| KR102599378B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2023-11-08 | 솔브레인 주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| KR102636960B1 (ko) * | 2018-02-21 | 2024-02-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| KR102084164B1 (ko) * | 2018-03-06 | 2020-05-27 | 에스케이씨 주식회사 | 반도체 공정용 조성물 및 반도체 공정 |
-
1998
- 1998-07-17 JP JP20400998A patent/JP3410369B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000019744A (ja) | 2000-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI304525B (ja) | ||
| KR100323326B1 (ko) | 플라즈마 에칭 잔류물 제거용 비부식성 세정 조성물 | |
| TWI315030B (en) | Photoresist stripper composition, and exfoliation method of a photoresist using it | |
| JP3410369B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| JP3797541B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液 | |
| JP4741315B2 (ja) | ポリマー除去組成物 | |
| CN102124414B (zh) | 光致抗蚀剂剥离剂组合物以及光致抗蚀剂剥离方法 | |
| KR20060115896A (ko) | 레지스트, ｂａｒｃ 및 갭 필 재료 스트리핑 케미칼 및방법 | |
| JP2002184743A (ja) | ストリッピング組成物 | |
| KR101999641B1 (ko) | 구리/아졸 중합체 억제를 갖는 마이크로일렉트로닉 기판 세정 조성물 | |
| JP6412143B2 (ja) | フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを利用したフォトレジストの剥離方法 | |
| CN112558434A (zh) | 一种光刻胶清洗剂组合物 | |
| JP2007003617A (ja) | 剥離液組成物 | |
| KR20090121650A (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
| JP2003114540A (ja) | 剥離剤組成物 | |
| JP2006085017A (ja) | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法 | |
| JP4698123B2 (ja) | レジスト除去剤組成物 | |
| JP3474127B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| JPH11311867A (ja) | 剥離剤組成物 | |
| KR101366957B1 (ko) | 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법 | |
| JP2004287288A (ja) | レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法 | |
| TW200927998A (en) | Compositions and method for treating a copper surface | |
| KR20040037643A (ko) | 후-스트립 세정제 조성물 및 그를 이용한 포토레지스트스트립 공정 후의 반도체 소자 또는 액정표시소자의 세정방법 | |
| KR101292497B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 | |
| JP4731406B2 (ja) | 剥離剤組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080320 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090320 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090320 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110320 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110320 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120320 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120320 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130320 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130320 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140320 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |