KR102084164B1 - 반도체 공정용 조성물 및 반도체 공정 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 172
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 165
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 125000000923 (C1-C30) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000739 C2-C30 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 7
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004366 heterocycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005724 cycloalkenylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000006588 heterocycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N imidazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCN1 YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract description 6
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- -1 -I) Chemical group 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006833 (C1-C5) alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVVYFQLJYLAREK-UHFFFAOYSA-N Cl.Cl.Cl.C=C Chemical compound Cl.Cl.Cl.C=C SVVYFQLJYLAREK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- HSZCIIHXQDBPOI-UHFFFAOYSA-N fluorourea Chemical compound NC(=O)NF HSZCIIHXQDBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine group Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005597 hydrazone group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003112 potassium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
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- C11D3/042—Acids
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/162—Organic compounds containing Si
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C11D7/22—Organic compounds
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
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Abstract
무기산 또는 유기산을 포함하는 제1 성분; 및 화학식 1로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 제2 성분을 포함하는 반도체 공정용 조성물과 이를 이용하여 유기물 또는 무기물을 선택적으로 세정하는 단계; 또는 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 공정을 제공한다.
Description
반도체 공정에 적용되는 조성물과 이를 이용한 반도체 공정에 관한 것이다.
반도체는 실리콘(Si) 또는 갈륨비소(GaAs) 등을 기본 재료로 하여 만들어진 웨이퍼 상에 다양한 공정으로 패턴을 형성하여 제조된다. 이러한 반도체가 제조되는 공정은 다단계로 이루어지며, 그 과정에서 다양한 유기물 또는 무기물이 사용된다. 구체적으로, 반도체 공정은 웨이퍼 제조 공정, 산화 공정, 노광 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 증착 공정, 연마 공정, 세정 공정 등의 단계들을 포함한다.
구체적으로, 웨이퍼 제조 공정은 규석이나 규산염 형태로 존재하는 실리콘을 다결정 실리콘으로 가공한 후, 물리적 정제 방법을 사용하여 단결정 실리콘으로 가공한다. 이러한 단결정 실리콘을 성장시켜 원기둥 형태의 잉곳(ingot)을 제조하고, 이를 얇게 잘라 표면을 연마해주면 원판 형태의 웨이퍼가 제조된다.
산화 공정은 웨이퍼를 산화시켜 표면에 실리콘 산화막을 형성하는 공정이다. 웨이퍼 표면에 형성된 산화막은 확산 공정에서 보호막의 역할을 수행하고, 표면의 보호와 안정화 역할을 수행하며, 표면의 전기적 절연성을 확보시키는 등의 역할을 수행한다.
노광 공정은 회로의 이미지를 가진 마스크(mask)를 이용하여 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 형성하는 공정이다. 웨이퍼 표면에 포토레지스트(Photoresist)를 얇게 도포하여 감광막을 형성하고, 노광 장비를 사용해 빛을 쐬어주어 웨이퍼 상에 회로를 형성한다. 감광막은 식각 공정, 이온 주입 공정 등에서 보호막의 역할을 수행할 수도 있다. 이러한 노광 공정은 빛을 이용하는 것 이외에, 전자빔을 이용하거나 X 광선을 이용하여 수행될 수도 있다.
식각 공정은 노광 공정에서 감광막 패턴을 형성한 웨이퍼 표면을 선택적으로 제거하는 공정이다. 식각 공정은 습식(wet) 공정과 건식(dry) 공정으로 구분되며, 습식(wet) 공정은 식각액을 이용해 식각하는 공정이고, 건식(dry) 공정은 플라즈마, 스퍼터, 이온빔 등을 이용하여 식각하는 공정이다.
이온 주입 공정은 웨이퍼에 도펀트(dopant) 이온을 주입하여 반도체 상태로 만드는 공정이다. 웨이퍼는 순수한 상태에서 전기가 흐르지 않으나, 이온 주입 공정을 통해 이온이 주입되면 전기가 흐르는 성질을 갖게 된다.
증착 공정은 웨이퍼에 전기적 특성을 띄는 물질을 증착하는 공정이다. 증착 방법으로는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 또는 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 등의 방법이 사용될 수 있다.
연마 공정은 거친 웨이퍼 표면을 연마하여 경면 평탄화 영역을 형성하는 공정이다. 연마 공정은 화학적 및/또는 기계적 방법을 이용하여 수행되며, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 지칭되기도 한다. CMP 공정 중에는 화학적인 작용과 물리적인 작용이 동시에 적용되어 웨이퍼 표면이 연마된다.
세정 공정은 웨이퍼의 불순물을 제거하는 일체의 공정을 지칭한다. 세정 공정을 통해 웨이퍼 표면에서 불필요한 유기물 또는 무기물이 제거되며, 이로써 후속 공정을 용이하게 수행할 수 있다.
이와 같은 다양한 반도체 공정들을 필요에 따라 적절한 순서로 설계하여 다양한 기능을 가진 양질의 반도체를 제조할 수 있다. 또한, 이러한 반도체 공정 중에 각종 조성물이 사용되며, 이러한 조성물에 따라 공정 효율, 최종 물성 등이 달라지기 때문에, 각 목적에 적합한 조성물을 설계하는 것이 중요한 과제 중 하나이다.
본 발명의 일 구현예는 반도체 공정에 적용되어 우수한 표면 물성을 나타내는 웨이퍼를 제공하기 위한 반도체 공정용 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 구현예는 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 수행되는 반도체 공정을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에서, 무기산 또는 유기산을 포함하는 제1 성분; 및 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 제2 성분을 포함하고,
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, A는 C1-C30 지방족 모이어티(moiety), C6-C30 방향족 모이어티, 보론(B) 모이어티, 아민 모이어티 중에서 선택되고, R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 지방족 고리기, 치환 또는 비치환된 C4-C30 헤테로 지방족 고리기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C4-C30 헤테로 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐기 중에서 선택되며,
R1 내지 R3 중 적어도 하나는 C1-C30 알콕시기이고,
n은 2 내지 6의 정수인, 반도체 공정용 조성물을 제공한다.
상기 반도체 공정용 조성물은 특정 성분을 적절히 배합한 조성물로서 제조 목적에 부합하는 반도체 공정에 적용되어 우수한 기능을 수행할 수 있고, 이를 통해 제조된 반도체는 향상된 품질을 나타낼 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 후술하는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 '모이어티(moiety)'는 해당 화학 구조 또는 해당 원소를 적어도 일부 포함하는 전체 구조를 지칭한다.
또한, 본 명세서에 기재된 구성성분의 양, 반응 조건 등을 나타내는 모든 숫자 및 표현은 특별한 기재가 없는 한 모든 경우에 "약"이라는 용어로써 수식되는 것으로 이해하여야 한다.
또한, 본 명세서에서 "치환된"이라는 것은 특별한 기재가 없는 한, 중수소, 할로겐기(-F, -Cl, -Br, -I), 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 에스테르기, 케톤기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 지환족 유기기, 치환 또는 비치환된 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 아릴기 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미하고, 상기 열거된 치환기들은 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위해 사용되는 것이고, 상기 구성 요소들은 상기 용어에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로 구별하는 목적으로만 사용된다.
일 구현예에서, 무기산 또는 유기산을 포함하는 제1 성분; 및 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 제2 성분을 포함하는 반도체 공정용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
이때, 화학식 1에서, A는 C1-C30 지방족 모이어티(moiety), C6-C30 방향족 모이어티, 보론(B) 모이어티, 아민 모이어티 중에서 선택된다.
또한, R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 지방족 고리기, 치환 또는 비치환된 C4-C30 헤테로 지방족 고리기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C4-C30 헤테로 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐기 중에서 선택된다.
또한, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 C1-C30 알콕시기이고, n은 2 내지 6의 정수이다.
상기 반도체 공정용 조성물은 상기 제1 성분 및 상기 제2 성분을 포함함으로써 특정 재질의 성분에 대한 식각, 제거, 또는 세정 기능을 확보할 수 있고, 그 결과, 이를 적절한 반도체 공정에 적용하여 향상된 품질의 반도체를 제조할 수 있다.
상기 화학식 1의 A는 발라스트(ballast) 구조의 코어이다. 상기 '발라스트(ballast)' 구조란, 2 이상의 작용기가 치환될 수 있는 화학적 구조를 의미한다.
상기 화학식 1에 있어서, 상기 A가 지방족 모이어티(moiety)인 경우, 상기 A는 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐기 중에서 선택될 수 있다.
즉, 상기 화학식 1에서 n이 2 내지 6의 정수이므로, 상기 A가 지방족 모이어티인 경우, 상기 화학식 1의 실리콘 화합물은 C1-C30 알칸(alkane), C3-C30 시클로알칸(cycloalkane), C2-C30 헤테로시클로알칸(hetero cycloalkane), C2-C30 알켄(alkene), C3-C30 시클로알켄(cycloalkane), C2-C30 헤테로시클로알켄(hetero cycloalkane), C2-C30 알킨(alkyne) 중에서 선택된 하나의 화합물에 있어서, 적어도 2 내지 6개의 수소가 하기 화학식 2의 작용기로 치환된 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서, *는 A와의 결합 위치를 나타내며, 상기 R1 내지 R3 는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
또한, 상기 시클로알킬기, 상기 시클로알케닐기, 상기 헤테로시클로알킬기 및 상기 헤테로시클로알케닐기의 경우에는 접합 고리(fused ring) 형태, 스파이로 고리(spiro ring) 형태, 다리 걸침 고리 (bridged ring) 형태 등의 다환 고리(polycyclic ring) 형태를 모두 포함하는 개념으로 이해되어야 한다.
상기 화학식 1에 있어서, A가 방향족 모이어티(moiety)인 경우, 상기 A는 치환 또는 비치환된 C6-C30 방향족 고리기; 치환 또는 비치환된 C4-C30 헤테로 방향족 고리기 중에서 선택될 수 있다.
즉, 상기 화학식 1에서 n이 2 내지 6의 정수이므로, 상기 A가 방향족 모이어티인 경우, 상기 화학식 1의 실리콘 화합물은 C6-C30 방향족 화합물 또는 C4-C30 헤테로 방향족 화합물에 있어서, 적어도 2 내지 6개의 수소가 상기 화학식 2의 작용기로 치환된 화합물일 수 있다.
또한, 상기 방향족 고리기 및 상기 헤테로 방향족 고리기의 경우에는 접합 고리(fused ring) 형태 등의 (polycyclic ring) 형태를 모두 포함하는 개념으로 이해되어야 한다.
상기 화학식 1에 있어서, 상기 A가 보론(B) 모이어티인 경우 상기 n은 2 내지 3의 정수일 수 있다. 즉, 상기 화학식 1의 실리콘 화합물은 보론에 상기 화학식 2의 작용기가 2개 또는 3개 결합된 화합물일 수 있다.
상기 화학식 1에서, 상기 A가 아민 모이어티이고, 상기 n은 2 내지 3의 정수일 수 있다. 즉, 상기 화학식 1의 실리콘 화합물은 아민 화합물의 말단에 상기 화학식 2의 작용기가 2개 또는 3개 결합된 화합물일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 화학식 1의 A는 하기 식 1-1 내지 1-5로 표시되는 화학 구조를 가질 수 있다. 즉, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 식 1-1 내지 1-5로 표시되는 화학 구조에서 *로 표시되는 위치 중 적어도 2 이상의 위치에 상기 화학식 2의 작용기가 결합된 구조일 수 있다.
상기 식 1-5에서 R5 및 R6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐렌기 중에서 선택될 수 있다.
또한, 상기 식 1-5에서 R4는 수소; 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐기 중에서 선택될 수 있다.
또한, 상기 식 1-5에서 x 및 y는 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수, 예를 들어, 1 내지 10의 정수, 예를 들어, 1 내지 5의 정수일 수 있다.
이때, 상기 A의 *로 표시되는 위치 중에서 상기 화학식 2의 작용기와 결합하지 않은 위치에는 수소; 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐기; 및 아민기 중에서 선택된 하나가 위치할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 화학식 1에 있어서, A는 상기 화학식 2의 작용기와 결합함에 있어서 -O- 결합을 매개로 하지 않는다. 즉, 상기 화학식 1에서, A는 Si가 연결되는 부분에 -O- 구조를 갖지 않는다. 이로써, 상기 화학식 1의 실리콘 화합물은 조성물 내에서 벌크(bulk)한 구조를 유지할 수 있고, 그 결과, 상기 반도체 공정용 조성물은 우수한 반응성을 나타낼 수 있다.
일 구현예에서, 상기 실리콘 화합물은 상기 화학식 1에서 A가 상기 식 1-3의 구조이고, R1 내지 R3는 각각 C1-C5 알콕시기 중에서 선택되며, n이 2 또는 3인 화합물일 수 있다.
다른 구현예에서, 상기 실리콘 화합물은 상기 화학식 1에서 A가 식 1-2의 구조이고, R1 내지 R3는 각각 C1-C5 알콕시기 중에서 선택되며, n이 2 또는 3인 화합물일 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 실리콘 화합물은 상기 화학식 1에서 A가 식 1-1의 구조이고, R1 내지 R3는 각각 C1-C5 알콕시기 중에서 선택되며, n은 2 또는 3인 화합물일 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 실리콘 화합물은 상기 화학식 1에서 A가 식 1-1의 구조이고, R1 내지 R3는 각각 할로겐기 중에서 선택되며, n은 2 또는 3인 화합물일 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 실리콘 화합물은 상기 화학식 1에서 A가 식 1-1의 구조이고, R1 및 R2가 C1-C5 알콕시기 중에서 선택되고, R3가 C1-C10 알킬기이고, n은 2 또는 3인 화합물일 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 실리콘 화합물은 상기 화학식 1에서 A가 식 1-5의 구조이고, n이 2이며, R1 내지 R3는 각각 C1-C5 알콕시기 중에서 선택되고, R4는 수소이고, R5 및 R6는 각각 C1-C5 알킬렌기 중에서 선택되는 화합물일 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 실리콘 화합물은 상기 화학식 1에서 A가 식 1-4의 구조이고, R1 및 R2가 C1-C5 알콕시기 중에서 선택되고, n은 2 또는 3인 화합물일 수 있다.
상기 반도체 공정용 조성물은 상기 제1 성분과 상기 제2 성분이 서로 반응하여 생성된 반응 생성물을 더 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 반도체 공정용 조성물을 반도체 공정에 적용함에 있어서, 상기 제1 성분과 상기 제2 성분을 각각 순차적으로 적용할 수도 있고, 상기 제1 성분과 상기 제2 성분을 우선적으로 혼합한 후에 적용할 수도 있다.
상기 제1 성분과 상기 제2 성분이 각각 순차적으로 반도체 공정에 적용된 경우에는, 두 성분의 반응 생성물이 반도체 공정 중에 형성되어 상기 반도체 공정용 조성물 내에 포함되게 된다. 한편, 상기 제1 성분과 상기 제2 성분이 우선적으로 혼합된 후에 반도체 공정에 적용된 경우에는, 두 성분의 반응 생성물이 반도체 공정 적용 전에 이미 상기 반도체 공정용 조성물 내에 형성된 상태일 수도 있고, 상기 반도체 공정용 조성물을 반도체 공정에 적용한 후에 특정 온도 조건에서 반응 생성물이 형성될 수도 있다.
한편, 상기 반도체 공정용 조성물이 반도체 공정에 적용되는 경우, 상기 반도체 공정의 구체적인 공정 조건에 따라, 상기 제1 성분끼리 반응하거나, 상기 제2 성분끼리 반응하는 것이 가능할 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 공정용 조성물은 상기 제1 성분끼리 반응한 반응 생성물; 또는 상기 제2 성분끼리 반응한 반응 생성물을 더 포함할 수도 있다.
상기 반도체 공정용 조성물은 용도에 따라 용매를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 용매는 물 또는 극성 유기 용매를 포함할 수 있다. 이때, 상기 반도체 공정용 조성물은 비극성 유기 용매를 사용하는 경우에 비하여, 세정 또는 제거 효과가 높은 이점을 갖는다.
일 구현예에서, 상기 극성 유기 용매는 알코올(alcohol), 글리콜(glycol), 락톤(lactone), 락탐(lactam), 설폭사이드(sulfoxide), 설폰(sulfone), 아미드(amide), 우레아(urea),이미다졸리디논(imidazolidinone), 니트릴(nitrile), 피롤리돈(pyrrolidone) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 반도체 공정용 조성물 중의 상기 용매의 함량은, 용매를 제외한 성분들의 전체 함량과 용매의 함량의 합이 총 100중량%가 되는 범위에서 결정될 수 있다.
상기 제1 성분은 상기 반도체 공정용 조성물에 있어서 산화 작용을 수행하는 산 성분으로서, 무기산, 유기산 또는 이들 모두를 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 반도체 공정용 조성물 중의 상기 제1 성분은 약 50중량% 내지 약 99중량%, 예를 들어, 약 50중량% 내지 약 90중량%, 예를 들어, 약 70중량% 내지 약 90중량%, 예를 들어, 약 75중량% 내지 약 90중량%, 예를 들어, 약 75중량% 내지 약 85중량%일 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 공정용 조성물은 식각 및 제거 용도로 사용되기에 적합할 수 있다.
다른 구현예에서, 상기 반도체 공정용 조성물 중의 상기 제1 성분은 약 0.5중량% 내지 약 30중량%, 예를 들어, 약 0.5 중량% 내지 약 10중량%, 예를 들어, 약 0.5중량% 내지 약 5중량%일 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 공정용 조성물은 세정 용도로 사용되기에 적합할 수 있다.
구체적으로, 상기 무기산은 황산, 질산, 인산, 규산, 붕산, 염산, 불산 과염소산 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기산은 아세트산, 포름산, 글루콘산, 젖산, 옥살산, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 제1 성분은 황산, 인산, 불산 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 상기 제1 성분이 황산을 포함하는 경우 유기물의 제거 기능이 향상될 수 있고, 불산을 포함하는 경우 세정 기능이 향상될 수 있으며, 인산을 포함하는 경우 금속 질화막 제거 기능이 향상될 수 있다.
상기 제2 성분은 상기 반도체 공정 중에 특정 성분에 대한 보호막을 형성하거나, 특정 성분의 식각 또는 제거를 돕는 역할을 한다.
상기 반도체 공정용 조성물 중의 상기 제2 성분은 약 0.001중량% 초과, 약 2 중량% 미만일 수 있고, 예를 들어, 약 0.01중량% 내지 약 1중량%일 수 있다.
상기 반도체 공정용 조성물은, 용도 및 목적에 따라, 각종 첨가제를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 첨가제는 계면활성제, 부식방지제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
보다 구체적으로, 상기 반도체 공정용 조성물은 첨가제로서 과산화수소, 과황산염, 고리형 아민 화합물, 불화암모늄 화합물, 전이금속염, 칼륨 화합물, 우레아 플루오라이드 등을 포함할 수 있다.
상기 반도체 공정용 조성물은 전술한 바에 따른 조성에 따라 반도체 공정에 적용하기 적합한 물성을 갖는다. 구체적으로, 상기 반도체 공정용 조성물은 금속막 또는 금속 산화물막에 대한 활성이 특정 조건을 만족할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 반도체 공정용 조성물은 금속산화막에 대한 금속질화막의 식각 선택비가 100 이상일 수 있고, 예를 들어, 100 내지 700일 수 있고, 예를 들어, 200 내지 700일 수 있고, 예를 들어, 300 내지 700일 수 있다. 이에 따라, 상기 반도체 공정용 조성물은 반도체 공정 중에 이러한 선택적 활성이 필요한 곳에 다양하게 활용될 수 있다.
또한, 상기 반도체 공정용 조성물은 금속막에 대한 금속질화막의 식각 선택비가 200 이상일 수 있고, 예를 들어, 200 내지 700일 수 있고, 예를 들어, 300 내지 700일 수 있다.
상기 '식각 선택비'는 후술하는 바와 같이, 약 150℃ 내지 약 200℃의 온도 조건에서 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 금속막, 금속산화막, 금속질화막 각각에 대해 식각 공정을 수행하였을 때 식각 속도의 상호 비를 의미한다.
다른 구현예에서, 상기 반도체 공정용 조성물을 이용한 반도체 공정을 제공한다.
구체적으로, 상기 반도체 공정은 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 유기물 또는 무기물을 선택적으로 세정하는 세정 공정; 또는 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 유기물 또는 무기물을 선택적으로 제거하는 제거 공정;을 포함한다.
상기 반도체 공정은 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하는 세정 공정; 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하는 제거 공정; 또는 이들 모두를 포함할 수 있다.
상기 반도체 공정용 조성물은 상기 세정 공정 또는 상기 제거 공정에서 특정 유기물 또는 특정 무기물을 선택적으로 세정하거나 제거하는 용도로 사용될 수 있다. 상기 반도체 공정용 조성물은 특정 유기물 또는 특정 무기물에 대해 특징적인 반응성을 나타내기 때문에 이를 이용하여 선택적인 세정/제거가 가능할 수 있다.
구체적으로, 상기 세정 공정 또는 상기 제거 공정은 각각 금속; 상기 금속을 함유하는 유기물; 또는 상기 금속의 산화물을 제외한 성분을 선택적으로 세정하거나 제거하는 공정일 수 있다.
이때, 상기 금속은 게르마늄(Ge), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 반도체 공정용 조성물은 상기 금속으로 이루어진 막질, 상기 금속을 함유하는 유기물로 이루어진 막질 또는 상기 금속의 산화물로 이루어진 막질에 대하여 보호막을 형성하므로 이를 제외한 주변의 다른 성분들을 제거하거나 세정할 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 선택적으로 제거되는 무기물은 금속 질화막 또는 금속 질화막의 변성물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 선택적으로 제거되는 유기물은 아크릴 수지, 우레탄 수지 등을 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 반도체 공정은 반도체의 제조 공정일 수 있다. 상기 반도체 제조 공정은, 일반적으로, 산화 공정, 노광 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 증착 공정, 연마 공정, 세정 공정, 애싱(ashing) 공정 등을 포함한다.
이때, 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 상기 유기물 또는 무기물을 선택적으로 세정하는 단계는, 이온 주입 공정, 식각 공정, 애싱 공정 중 선택된 적어도 하나의 공정 중에 수행될 수 있다.
즉, 반도체를 제조하는 과정에서 이온 주입 공정, 식각 공정 및 애싱 공정 각각의 전, 후 및/또는 중에 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 유기물 또는 무기물을 세정하는 공정을 수행할 수 있다.
상기 이온 주입 공정은 웨이퍼에 도펀트(dopant) 이온을 주입하여 반도체 상태로 만드는 공정이고, 상기 식각 공정은 노광 공정에서 감광막 패턴을 형성한 웨이퍼 표면을 선택적으로 제거하는 공정이며, 상기 애싱 공정은 포토레지스트를 제거할 때, 변성된 레지스트 물질을 탄화시킨 후 제거하는 공정이다.
각 공정에 있어서, 불필요한 성분을 세정하되 상기 금속, 금속을 포함하는 유기물 또는 금속의 산화물 등으로 이루어진 부분은 손상시키지 않을 필요가 있는 경우 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 세정 공정을 수행할 수 있다.
또한, 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 상기 유기물 또는 무기물을 선택적으로 제거하는 단계는, 노광 공정, 증착 공정 또는 식각 공정 중 선택된 적어도 하나의 공정 중에 수행될 수 있다.
즉, 반도체를 제조하는 과정에서 노광 공정, 증착 공정 및 식각 공정 각각의 전, 후 및/또는 중에 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 유기물 또는 무기물을 제거하는 공정을 수행할 수 있다.
상기 노광 공정은 회로의 이미지를 가진 마스크(mask)를 이용하여 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 형성하는 공정이고, 상기 증착 공정은 웨이퍼 상에 전기적 특성을 띄는 물질을 증착하는 공정이다.
각 공정에 있어서, 불필요한 성분을 제거하되 상기 금속, 금속을 포함하는 유기물 또는 금속의 산화물 등으로 이루어진 부분은 손상시키지 않을 필요가 있는 경우 상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 제거 공정을 수행할 수 있다.
상기 반도체 공정용 조성물을 이용하여 상기 유기물 또는 무기물을 선택적으로 세정하거나, 제거하는 단계는 각각 약 20℃ 내지 약 300℃, 예를 들어, 약 20℃ 내지 약 70℃, 예를 들어, 약 150℃ 내지 약 180℃의 온도에서 수행될 수 있다. 이러한 공정 온도는 상기 반도체 공정용 조성물의 제1 성분 및 제2 성분의 비점 등에 의해 적절히 설정될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
<
실시예
및
비교예
>
마그네틱 바(magnetic bar)가 설치되어 있는 각각의 실험용 비커에 상기 제1 성분, 제2 성분, 용매 및 첨가제를 하기 표 1에 기재한 바와 같은 조성으로 첨가한 후, 상온에서 4시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 반도체 공정용 조성물을 제조하였다.
제1 성분 | 제2 성분 | 첨가제 | 용매 | |||||
종류 | 함량 | 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | |
실시예 1 | A-1 | 0.5 | B-1 | 0.01 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 2 | A-1 | 0.5 | B-1 | 0.5 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 3 | A-1 | 0.5 | B-2 | 0.02 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 4 | A-1 | 0.5 | B-2 | 0.1 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 5 | A-1 | 0.5 | B-2 | 0.1 | C-1 | 2.5 | D-1 | Balance |
실시예 6 | A-2 | 1 | B-3 | 0.05 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 7 | A-2 | 1 | B-4 | 0.05 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 8 | A-2 | 5 | B-5 | 0.05 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 9 | A-2 | 5 | B-6 | 0.05 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 10 | A-2 | 5 | B-7 | 0.05 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 11 | A-2 | 5 | B-8 | 0.05 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 12 | A-3 | 5 | B-6 | 0.01 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 13 | A-3 | 10 | B-7 | 0.01 | - | - | D-2 | Balance |
실시예 14 | A-3 | 30 | B-8 | 0.01 | - | - | D-3 | Balance |
실시예 15 | A-4 | 5 | B-3 | 0.01 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 16 | A-4 | 10 | B-4 | 0.01 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 17 | A-4 | 10 | B-5 | 0.01 | C-1 | 1 | D-1 | Balance |
실시예 18 | A-5 | 85 | B-1 | 0.01 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 19 | A-5 | 85 | B-1 | 0.1 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 20 | A-5 | 85 | B-2 | 0.1 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 21 | A-5 | 85 | B-6 | 0.1 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 22 | A-5 | 85 | B-6 | 1 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 23 | A-5 | 85 | B-7 | 0.1 | - | - | D-1 | Balance |
실시예 24 | A-5 | 85 | B-8 | 0.1 | - | - | D-1 | Balance |
비교예 1 | A-1 | 0.5 | - | - | - | - | D-1 | Balance |
비교예 2 | A-1 | 0.5 | B-1 | 0.001 | - | - | D-1 | Balance |
비교예 3 | A-1 | 0.5 | B-2 | 2 | - | - | D-1 | Balance |
비교예 4 | A-2 | 1 | - | - | - | - | D-1 | Balance |
비교예 5 | A-2 | 5 | - | - | - | - | D-1 | Balance |
비교예 6 | A-5 | 85 | - | - | - | - | D-1 | Balance |
비교예 7 | A-5 | 85 | B-1 | 0.001 | - | - | D-1 | Balance |
비교예 8 | A-5 | 85 | B-2 | 2 | - | - | D-1 | Balance |
<
제1 성분
>
A-1: 불산
A-2: 황산
A-3: 초산
A-4: 옥살산
A-5: 인산
<
제2 성분
>
각각의 제2 성분의 경우, 하기 화학식 1에서 A, R1, R2, R3 및 n이 각각 하기 표 2와 같다.
<첨가제>
C-1: 불화암모늄
<용매>
D-1: 물
D-2: 디메틸설폭사이드
D-3: NMP
A | R1 | R2 | R3 | n | [화학식 1] |
|
B-1 | Benzene | Ethoxy | Ethoxy | Ethoxy | 2 | |
B-2 | Boron | Ethoxy | Ethoxy | Ethoxy | 3 | |
B-3 | Ethylene | Ethoxy | Ethoxy | Methyl | 2 | |
B-4 | Ethylene | Ethoxy | Ethoxy | Ethoxy | 2 | |
B-5 | Ethylene | chloride | chloride | chloride | 2 | |
B-6 | Bispropylamine | Ethoxy | Ethoxy | Ethoxy | 2 | |
B-7 | Biphenyl | Ethoxy | Ethoxy | Ethoxy | 2 | |
B-8 | Biphenyl | Ethoxy | Ethoxy | Ethoxy | 3 |
<평가>
실험예
1:
세정성
평가
상기 실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 5에서 제조된 각각의 반도체 공정용 조성물을 이용하여 세정성을 평가하였다.
구체적으로, 실리콘 웨이퍼 상에 게르마늄(Ge) 1000Å 두께의 막과 하프늄산화물(HfO2) 500Å 두께의 막을 형성하였다. 이어서, 포토레지스트를 균일하게 코팅한 후 150℃에서 10분 동안 유지하여 박막을 형성하였다. 이어서, 대기 분위기 하에서 초고압 수은 램프(우시오덴끼社, USH-250D)를 이용하여, 상기 박막 위에 365nm 파장의 200mJ/㎠ 광을 조사하였으며, 별도의 광학 필터는 사용하지 않았다.
상기에서 자외선이 조사된 박막을 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액 현상 용액에 80초 동안 담가 현상하였다. 이어서, 증류수를 사용하여 세척한 다음, 질소 가스를 가해 건조시키고, 150℃의 가열 오븐에서 10분 동안 가열하여 패턴을 형성하였다. 이어서, 이온 주입 공정, 식각 공정 및 애싱 공정을 차례로 처리하여 시편을 준비하였다.
상기 실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 5 각각의 반도체 공정용 조성물을 60℃ 온도로 일정하게 유지시킨 후, 준비한 시편을 2분 동안 침적하였다. 이어서, 시편을 꺼내 물로 1분 동안 세정하고. 질소 가스를 이용하여 완전히 건조시킨 후, 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 세정 효과를 확인하였다.
이때 평가 기준은 하기와 같고, 그 결과는 하기 표 3에 기재한 바와 같다.
<평가 기준>
◎: 99% 이상 제거됨
○: 90 내지 99% 미만 제거됨
△: 80 내지 90% 미만 제거됨
×: 80% 미만으로 제거됨
실험예
2: 부식성 평가
상기 실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 5 각각의 반도체 공정용 조성물을 이용하여 부식성을 평가하였다.
상기 실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 5 각각의 반도체 공정용 조성물을 60℃ 온도로 일정하게 유지시킨 후, 상기 실험예 1과 같이 준비한 시편을 10분 동안 침적하였다. 이어서, 시편을 꺼내 물로 1분 동안 세정하고. 질소 가스를 이용하여 완전히 건조시킨 후, 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 부식 효과를 확인하였다. 각 막질에 대하여 막 두께 변화 정도를 시간으로 나누어 식각 속도를 산출하였으며, 그 결과는 하기 표 3과 같다.
세정성 | 부식성 (Å/min) | ||
Ge | HfO2 | ||
실시예 1 | ◎ | 2.5 | 2.7 |
실시예 2 | ◎ | - | - |
실시예 3 | ◎ | 1.9 | 0.8 |
실시예 4 | ◎ | 1.5 | 0.5 |
실시예 5 | ◎ | 2.0 | 0.8 |
실시예 6 | ◎ | 2.1 | - |
실시예 7 | ◎ | 1.7 | - |
실시예 8 | ◎ | 1.6 | - |
실시예 9 | ◎ | 1.7 | - |
실시예 10 | ◎ | 1.0 | - |
실시예 11 | ○ | 1.4 | - |
실시예 12 | ○ | - | - |
실시예 13 | ○ | - | - |
실시예 14 | ○ | 0.4 | 0.2 |
실시예 15 | ○ | 0.3 | 0.2 |
실시예 16 | ○ | 0.2 | 0.1 |
실시예 17 | ◎ | 0.5 | 0.2 |
비교예 1 | ◎ | 100 초과 | 100 초과 |
비교예 2 | ◎ | 100 초과 | 100 초과 |
비교예 3 | × | - | - |
비교예 4 | ◎ | 34 | 1.2 |
비교예 5 | ◎ | 67 | 1.6 |
실험예
3:
식각성
평가
상기 실시예 18 내지 24 및 비교예 6 내지 8 각각의 반도체 공정용 조성물을 이용하여 질화막 식각성을 평가하였다.
실리콘 웨이퍼 상에 화학기상증착(CVD) 방법을 이용하여 2000Å 두께의 실리콘 질화막(Si3N4)을 형성한 샘플; 실리콘 웨이퍼 상에 화학기상증착(CVD) 방법을 이용하여 200Å 두께의 실리콘 산화막(SiOx)을 형성한 샘플; 및 1500Å 두께의 실리콘 단결정 샘플을 준비하였다.
이어서, 500rpm 속도로 교반되는 석영 재질의 교반조에서, 160℃로 유지되고 있는 상기 실시예 18-24 및 비교예 6-8 각각의 반도체 공정용 조성물에 각 샘플을 침지하여 10분 동안 식각 공정을 진행하였고, 식각이 완료된 이후에 초순수로 세정한 후 건조 장치를 이용하여 건조시켰다.
이후, 주사전자현미경(SEM)과 타원계측장비(Ellipsometer)를 이용하여 식각 이후의 각 샘플의 두께를 측정하였고, 이를 이용해 식각 공정 전후의 박막 두께 변화에 대한 식각 속도를 측정하였다. 그 결과는 하기 표 4에 기재된 바와 같다.
실리콘 질화막, 실리콘 산화막 및 실리콘 단결정 샘플 각각에 대한 식각 속도의 비를 산출하여 식각 선택비를 확인하였고, 그 결과는 하기 표 4에 기재된 바와 같다.
부식성 (Å/min) | 식각 선택비 | ||||
SiOx | Si3N4 | Si | Si3N4 / Si | Si3N4 / SiOx | |
실시예 18 | 0.5 | 63 | 0.1 | 630 | 126 |
실시예 19 | 0.1 | 67 | 0.3 | 223 | 670 |
실시예 20 | 0.2 | 61 | 0.2 | 305 | 305 |
실시예 21 | 0.2 | 65 | 0.1 | 650 | 325 |
실시예 22 | 0.3 | 65 | 0.1 | 650 | 217 |
실시예 23 | 0.2 | 62 | 0.2 | 310 | 310 |
실시예 24 | 0.2 | 64 | 0.3 | 213 | 320 |
비교예 6 | 4.3 | 66 | 2.7 | 24 | 15 |
비교예 7 | 3.7 | 65 | 2.5 | 26 | 18 |
비교예 8 | 0.1 | 36 | 0.2 | 180 | 360 |
전술한 바와 같이, 상기 실시예 1 내지 24의 반도체 공정용 조성물은, 상기 비교예 1 내지 8의 반도체 공정용 조성물에 비하여 금속이나 금속산화막에 대한 보호 측면에서 유리한 효과를 구현함을 알 수 있다. 또한, 금속질화막의 제거 및 식각에 있어서 우수한 효과를 구현함을 알 수 있다.
Claims (17)
- 유기산을 포함하는 제1 성분; 및
하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 제2 성분을 포함하고,
상기 유기산은 아세트산, 옥살산, 또는 이들의 조합을 포함하는 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
A는 C1-C30 지방족 모이어티(moiety), C6-C30 방향족 모이어티, 보론(B) 모이어티, 아민 모이어티 중에서 선택되고,
R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 지방족 고리기, 치환 또는 비치환된 C4-C30 헤테로 지방족 고리기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C4-C30 헤테로 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐기 중에서 선택되며,
R1 내지 R3 중 적어도 하나는 C1-C30 알콕시기 또는 할로겐기이고,
n은 2 내지 6의 정수이다.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 성분과 상기 제2 성분의 반응 생성물을 더 포함하는 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 지방족 모이어티(moiety)는 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐기 중에서 선택되는 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 방향족 모이어티(moiety)는 치환 또는 비치환된 C6-C30 방향족 고리기; 치환 또는 비치환된 C4-C30 헤테로 방향족 고리기 중에서 선택되는 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 1에서 A는 하기 식 1-1 내지 식1-5 중에서 선택된 하나인 조성물:
상기 식 1-5에서, R5 및 R6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐렌기 중에서 선택되고,
R4는 수소; 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로시클로알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 알키닐기 중에서 선택되고,
x 및 y는 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이다.
- 제1항에 있어서,
물 또는 극성 유기 용매를 포함하는 용매를 더 포함하는 조성물.
- 제6항에 있어서,
상기 극성 유기 용매는 알코올, 글리콜, 락톤, 락탐, 설폭사이드, 설폰, 아미드(amide), 우레아(urea),이미다졸리디논(imidazolidinone), 니트릴(nitrile) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제2 성분을 0.001중량% 초과, 2중량% 미만으로 포함하는 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 성분을 50중량% 내지 99중량% 포함하는 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 성분을 0.5중량% 내지 30중량% 포함하는 조성물.
- 제1항에 있어서,
금속막에 대한 금속질화막의 식각 선택비가 200 이상이고,
금속산화막에 대한 금속질화막의 식각 선택비가 100 이상인 조성물.
- 제13항에 있어서,
상기 금속막 및 상기 금속 산화막의 금속은 각각 게르마늄(Ge), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 조성물.
- 제1항 내지 제7항 및 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 이용하여 유기물 또는 무기물을 선택적으로 세정하는 세정 공정; 상기 조성물을 이용하여 유기물 또는 무기물을 선택적으로 제거하는 제거 공정; 또는 이들 모두를 포함하는 반도체 공정.
- 제15항에 있어서,
상기 세정 공정 또는 상기 제거 공정은 각각 20℃ 내지 300℃의 온도에서 수행되는
반도체 공정.
- 제15항에 있어서,
상기 세정 공정 또는 상기 제거 공정은 각각,
금속; 상기 금속을 함유하는 유기물; 또는 상기 금속의 산화물을 제외한 성분을 선택적으로 세정하거나 제거하는 공정이고,
상기 금속은 게르마늄(Ge), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는
반도체 공정.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180026276A KR102084164B1 (ko) | 2018-03-06 | 2018-03-06 | 반도체 공정용 조성물 및 반도체 공정 |
CN201910161444.6A CN110229720B (zh) | 2018-03-06 | 2019-03-04 | 半导体工艺用组合物及半导体工艺 |
JP2019039331A JP6839726B2 (ja) | 2018-03-06 | 2019-03-05 | 半導体プロセス用組成物および半導体プロセス |
TW108107298A TWI746935B (zh) | 2018-03-06 | 2019-03-05 | 用於半導體製程之組成物及半導體製程 |
US16/293,476 US10968390B2 (en) | 2018-03-06 | 2019-03-05 | Composition for semiconductor process and semiconductor process |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180026276A KR102084164B1 (ko) | 2018-03-06 | 2018-03-06 | 반도체 공정용 조성물 및 반도체 공정 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190105770A KR20190105770A (ko) | 2019-09-18 |
KR102084164B1 true KR102084164B1 (ko) | 2020-05-27 |
Family
ID=67842353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180026276A KR102084164B1 (ko) | 2018-03-06 | 2018-03-06 | 반도체 공정용 조성물 및 반도체 공정 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10968390B2 (ko) |
JP (1) | JP6839726B2 (ko) |
KR (1) | KR102084164B1 (ko) |
CN (1) | CN110229720B (ko) |
TW (1) | TWI746935B (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102457243B1 (ko) * | 2017-12-21 | 2022-10-21 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 질화막 식각 조성물 |
KR102577164B1 (ko) | 2020-12-29 | 2023-09-08 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 반도체 공정용 연마 조성물 및 연마 조성물을 적용한 기판의 연마방법 |
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2018
- 2018-03-06 KR KR1020180026276A patent/KR102084164B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-04 CN CN201910161444.6A patent/CN110229720B/zh active Active
- 2019-03-05 JP JP2019039331A patent/JP6839726B2/ja active Active
- 2019-03-05 TW TW108107298A patent/TWI746935B/zh active
- 2019-03-05 US US16/293,476 patent/US10968390B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20190276740A1 (en) | 2019-09-12 |
JP6839726B2 (ja) | 2021-03-10 |
CN110229720B (zh) | 2022-05-27 |
JP2019169705A (ja) | 2019-10-03 |
TW201938623A (zh) | 2019-10-01 |
KR20190105770A (ko) | 2019-09-18 |
CN110229720A (zh) | 2019-09-13 |
TWI746935B (zh) | 2021-11-21 |
US10968390B2 (en) | 2021-04-06 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |