CN103409753B - 金属蚀刻剂及其制备方法 - Google Patents
金属蚀刻剂及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103409753B CN103409753B CN201310310025.7A CN201310310025A CN103409753B CN 103409753 B CN103409753 B CN 103409753B CN 201310310025 A CN201310310025 A CN 201310310025A CN 103409753 B CN103409753 B CN 103409753B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sodium
- parts
- metal etchants
- preparation
- etch rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- IAFBRPFISOTXSO-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-chloro-4-[3-chloro-4-[[1-(2,4-dimethylanilino)-1,3-dioxobutan-2-yl]diazenyl]phenyl]phenyl]diazenyl]-n-(2,4-dimethylphenyl)-3-oxobutanamide Chemical compound C=1C=C(C)C=C(C)C=1NC(=O)C(C(=O)C)N=NC(C(=C1)Cl)=CC=C1C(C=C1Cl)=CC=C1N=NC(C(C)=O)C(=O)NC1=CC=C(C)C=C1C IAFBRPFISOTXSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- VUYFJZVCVCYCJT-UHFFFAOYSA-N 4-methylbenzenesulfonamide;sodium Chemical compound [Na].CC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 VUYFJZVCVCYCJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- JGFBQFKZKSSODQ-UHFFFAOYSA-N Isothiocyanatocyclopropane Chemical compound S=C=NC1CC1 JGFBQFKZKSSODQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000001744 Sodium fumarate Substances 0.000 claims abstract description 11
- AGXUVMPSUKZYDT-UHFFFAOYSA-L barium(2+);octadecanoate Chemical compound [Ba+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O AGXUVMPSUKZYDT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 11
- PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N benzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1 PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims abstract description 11
- PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N butyric acid octyl ester Natural products CCCCCCCCOC(=O)CCC PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N chembl1408157 Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2C(C(=O)O)=CC=1C1=CC=C(O)C=C1 KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- MSJMDZAOKORVFC-SEPHDYHBSA-L disodium fumarate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)\C=C\C([O-])=O MSJMDZAOKORVFC-SEPHDYHBSA-L 0.000 claims abstract description 11
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N n-butyric acid methyl ester Natural products CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- VVWRJUBEIPHGQF-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl n-propan-2-yloxycarbonyliminocarbamate Chemical compound CC(C)OC(=O)N=NC(=O)OC(C)C VVWRJUBEIPHGQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229940005573 sodium fumarate Drugs 0.000 claims abstract description 11
- 235000019294 sodium fumarate Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002519 antifouling agent Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明公开了一种金属蚀刻剂及其制备方法。金属蚀刻剂包括以下重量份计的原料：羧甲基纤维素钠10-20份、硼酸30-40份、富马酸钠20-30份、甲基丁酸酯10-20份、氰化钠10-20份、氯化苯甲酰4-10份、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠10-15份、联苯胺黄2-10份、硬脂酸钡10-20份、偶氮二异丁腈20-25份。本发明的刻蚀速率高达70nm/min以上，而一般的碱性氯化铜蚀刻液的刻蚀速率仅为2nm/min，因此，本发明的金属蚀刻剂的刻蚀速率远远高于一般的刻蚀液，提高了工作效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种蚀刻剂，尤其涉及一种金属蚀刻剂及其制备方法。
背景技术
蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。例如，用氢氟酸对玻璃制品的局部表面进行腐蚀，在其表面刻画出各种花纹、图案、刻度、格子等。化学蚀刻过程是现在需蚀刻的玻璃表面涂上保护漆或石蜡。然后放入氢氟酸和少量NH4F组成的蚀刻液，玻璃表面层与氢氟酸作用，生成的氟化物溶解在蚀刻液中或沉积在玻璃表面。化学蚀刻就是将需要蚀刻的金属制件浸泡在由各种化学成分组成的蚀刻溶液中，在室温或加热的情况下，经过一定时间的反应后，需要蚀刻部分的金属慢慢溶解，最终达到所需要的蚀刻深度，使金属制件表面显露出具有凹凸立体感的装饰文字或图纹。化学蚀刻的过程实际上是金属在化学溶液中的自溶解，也就是腐蚀过程。这种溶解的过程可按化学机理也可以按电化学机理进行，但由于金属蚀刻的溶液都是一般的酸、碱、电解质溶液。因此，金属的化学蚀刻应该按电化学溶解机理进行。但是一般的刻蚀剂的刻蚀速率不高，速度较慢。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种刻蚀速率高的金属蚀刻剂及其制备方法。
本发明采用以下技术方案解决技术问题：
一种金属蚀刻剂，包括以下重量份计的原料：羧甲基纤维素钠10-20份、硼酸30-40份、富马酸钠20-30份、甲基丁酸酯10-20份、氰化钠10-20份、氯化苯甲酰4-10份、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠10-15份、联苯胺黄2-10份、硬脂酸钡10-20份、偶氮二异丁腈20-25份。
金属蚀刻剂的制备方法，包括以下步骤：将羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠、甲基丁酸酯、氰化钠、氯化苯甲酰、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠、联苯胺黄混合均匀，然后依次加入硬脂酸钡和偶氮二异丁腈，搅拌均匀即可。
本发明的有益效果是，本发明的刻蚀速率高达70nm/min以上，而一般的碱性氯化铜蚀刻液的刻蚀速率仅为2nm/min，因此，本发明的金属蚀刻剂的刻蚀速率远远高于一般的刻蚀液，提高了工作效率。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明作进一步详细介绍。
实施例1
一种金属蚀刻剂，包括以下重量份计的原料：羧甲基纤维素钠10份、硼酸30份、富马酸钠20份、甲基丁酸酯10份、氰化钠10份、氯化苯甲酰4份、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠10份、联苯胺黄2份、硬脂酸钡10份、偶氮二异丁腈20份。
上述的金属蚀刻剂的制备方法包括以下步骤：将羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠、甲基丁酸酯、氰化钠、氯化苯甲酰、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠、联苯胺黄混合均匀，然后依次加入硬脂酸钡和偶氮二异丁腈，搅拌均匀即可。
实施例2
一种金属蚀刻剂，包括以下重量份计的原料：羧甲基纤维素钠20份、硼酸40份、富马酸钠30份、甲基丁酸酯20份、氰化钠20份、氯化苯甲酰10份、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠15份、联苯胺黄10份、硬脂酸钡20份、偶氮二异丁腈25份。
上述的金属蚀刻剂的制备方法包括以下步骤：将羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠、甲基丁酸酯、氰化钠、氯化苯甲酰、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠、联苯胺黄混合均匀，然后依次加入硬脂酸钡和偶氮二异丁腈，搅拌均匀即可。
实施例3
一种金属蚀刻剂，包括以下重量份计的原料：羧甲基纤维素钠15份、硼酸35份、富马酸钠25份、甲基丁酸酯15份、氰化钠15份、氯化苯甲酰6份、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠13份、联苯胺黄8份、硬脂酸钡15份、偶氮二异丁腈23份。
上述的金属蚀刻剂的制备方法包括以下步骤：将羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠、甲基丁酸酯、氰化钠、氯化苯甲酰、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠、联苯胺黄混合均匀，然后依次加入硬脂酸钡和偶氮二异丁腈，搅拌均匀即可。
下面通过试验测试本发明的性能：
| 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | |
| 蚀刻速率nm/min | 70 | 78 | 80 |
另外，本发明不限于上述实施方式，只要在不超出本发明的范围内，可以采取各种方式实施本发明。
Claims (2)
1.一种金属蚀刻剂，其特征在于包括以下重量份计的原料：羧甲基纤维素钠10-20份、硼酸30-40份、富马酸钠20-30份、甲基丁酸酯10-20份、氰化钠10-20份、氯化苯甲酰4-10份、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠10-15份、联苯胺黄2-10份、硬脂酸钡10-20份、偶氮二异丁腈20-25份。
2.权利要求1所述的金属蚀刻剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：将羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠、甲基丁酸酯、氰化钠、氯化苯甲酰、N-氯化对甲基苯磺酰胺钠、联苯胺黄混合均匀，然后依次加入硬脂酸钡和偶氮二异丁腈，搅拌均匀即可。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310310025.7A CN103409753B (zh) | 2013-07-23 | 2013-07-23 | 金属蚀刻剂及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310310025.7A CN103409753B (zh) | 2013-07-23 | 2013-07-23 | 金属蚀刻剂及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103409753A CN103409753A (zh) | 2013-11-27 |
| CN103409753B true CN103409753B (zh) | 2015-08-19 |
Family
ID=49602791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310310025.7A Expired - Fee Related CN103409753B (zh) | 2013-07-23 | 2013-07-23 | 金属蚀刻剂及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103409753B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103980905B (zh) * | 2014-05-07 | 2017-04-05 | 佛山市中山大学研究院 | 一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用 |
| CN105386056A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-03-09 | 宁波东盛集成电路元件有限公司 | 一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂及其制备方法 |
| JP2017193749A (ja) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | 勝規 瀬川 | ステンレス鋼の脱スケール用電解液および脱スケール法 |
| CN107099799A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-08-29 | 李世华 | 一种氯化铜蚀刻液及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1575509A (zh) * | 2001-10-22 | 2005-02-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 铝/钼层叠膜的蚀刻方法 |
| CN101233601A (zh) * | 2005-06-13 | 2008-07-30 | 高级技术材料公司 | 在金属硅化物形成后用于选择性除去金属或金属合金的组合物及方法 |
| CN102939407A (zh) * | 2010-03-18 | 2013-02-20 | 三星显示有限公司 | 用于金属线的蚀刻剂和使用其来制造金属线的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7497967B2 (en) * | 2004-03-24 | 2009-03-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Compositions and methods for polishing copper |
| WO2008048240A2 (en) * | 2005-09-22 | 2008-04-24 | Pantheon Chemical, Inc. | Copper chelating agent, composition including the agent, and methods of forming and using the agent and composition |
-
2013
- 2013-07-23 CN CN201310310025.7A patent/CN103409753B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1575509A (zh) * | 2001-10-22 | 2005-02-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 铝/钼层叠膜的蚀刻方法 |
| CN101233601A (zh) * | 2005-06-13 | 2008-07-30 | 高级技术材料公司 | 在金属硅化物形成后用于选择性除去金属或金属合金的组合物及方法 |
| CN102939407A (zh) * | 2010-03-18 | 2013-02-20 | 三星显示有限公司 | 用于金属线的蚀刻剂和使用其来制造金属线的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103409753A (zh) | 2013-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103409753B (zh) | 金属蚀刻剂及其制备方法 | |
| TWI243801B (en) | Etching pastes for inorganic surfaces | |
| CN101423942B (zh) | 一种制备单晶硅绒面的碱腐蚀溶液及方法 | |
| CN111233339B (zh) | 一种玻璃蚀刻液、高铝硅玻璃蚀刻方法及表面具有纹理的高铝硅玻璃 | |
| CN101709459B (zh) | 铝合金的表面处理方法与处理液 | |
| JP2011517731A5 (zh) | ||
| CN103046052B (zh) | 环保型含钛膜层的退除液及其使用方法 | |
| CN104005026A (zh) | 一种在镁合金表面制备耐腐蚀超疏水膜层的方法 | |
| CN101210340B (zh) | 一种电化学蚀刻液及蚀刻方法 | |
| CN107954608A (zh) | 一种玻璃基板蚀刻液 | |
| CN104762622A (zh) | 一种铜镍合金管材表面光亮化的处理方法 | |
| CN109750346A (zh) | 一种中高压腐蚀箔的制作工艺 | |
| CN103805970A (zh) | 胎圈钢丝镀前表面处理方法 | |
| CN104060325A (zh) | 一种多晶硅制绒溶液及制绒方法 | |
| CN102899703A (zh) | 一种硅酸盐电解液及其在制备镁合金微弧氧化膜中的应用 | |
| CN115193666A (zh) | 一种用于防冰的微纳米尺度梯级结构超疏水表面制备方法 | |
| CN104313565B (zh) | 一种超疏水铜箔的制备方法 | |
| CN103614714B (zh) | 一种钢铁除锈防锈液及其制备方法 | |
| CN102345126A (zh) | 金属工件的表面处理方法 | |
| CN101818347A (zh) | 低温定釉工艺前的处理剂及用处理剂制作产品的工艺方法 | |
| CN105386056A (zh) | 一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂及其制备方法 | |
| CN102534596A (zh) | 一种采用硅烷剂对金属件表面进行单独防护的工艺 | |
| CN105880136A (zh) | 针对氯离子腐蚀和碳酸钙垢的铜基超疏水防腐防垢膜的制备方法 | |
| TW201617295A (zh) | 使用於玻璃基材之蝕刻溶液 | |
| CN108165965B (zh) | 一种镁合金防腐蚀复合膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SUZHOU YUFAN NEW MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: WUJIANG LONGSHUO METAL PRODUCTS CO., LTD. Effective date: 20150626 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Dai Xiaochen Inventor after: Zhang Qitu Inventor before: Xu Zhijian |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: XU ZHIJIAN TO: DAI XIAOCHEN ZHANG QITU |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20150626 Address after: 215200 No. 18 Suzhou Road, Wujiang District, Jiangsu, Suzhou Applicant after: SUZHOU YUFAN NEW MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 215212 Puxi Industrial Zone, No. 17 traffic West Road, Fen town, Suzhou City, Jiangsu, Wujiang Applicant before: Wujiang Longshuo Metal Products Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150819 Termination date: 20170723 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |