KR102463391B1 - 약액, 기판의 처리 방법 - Google Patents

약액, 기판의 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102463391B1
KR102463391B1 KR1020207020048A KR20207020048A KR102463391B1 KR 102463391 B1 KR102463391 B1 KR 102463391B1 KR 1020207020048 A KR1020207020048 A KR 1020207020048A KR 20207020048 A KR20207020048 A KR 20207020048A KR 102463391 B1 KR102463391 B1 KR 102463391B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acid
substrate
solution
transition metal
chemical
Prior art date
Application number
KR1020207020048A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200093059A (ko
Inventor
토모노리 타카하시
노부아키 스기무라
히로유키 세키
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=67218347&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR102463391(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Priority to KR1020227037871A priority Critical patent/KR102541313B1/ko
Publication of KR20200093059A publication Critical patent/KR20200093059A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102463391B1 publication Critical patent/KR102463391B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C11D11/0047—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0047—Other compounding ingredients characterised by their effect pH regulated compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/042—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02065—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being a planarization of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

본 발명은, 천이 금속 함유물에 대한 우수한 용해능을 갖고, 또한 피처리부의 우수한 평활성을 실현할 수 있는 약액, 및 이것을 이용한 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 약액은, 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하기 위하여 이용되는 약액으로서, 과아이오딘산류와 IO3 -, I-, 및 I3 -으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 음이온을 포함하는 화합물을 포함하고, 음이온을 포함하는 화합물의 함유량이, 약액 전체 질량에 대하여, 5질량ppb~1질량%이다.

Description

약액, 기판의 처리 방법
본 발명은, 약액, 및 기판의 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 제품의 미세화가 진행되는 가운데, 반도체 제품 제조 프로세스 중에 있어서의, 기판 상의 불필요한 천이 금속 함유물을 제거하는 공정을, 고효율이며, 또한 양호한 정밀도로 실시하는 수요가 높아지고 있다.
특허문헌 1에는, "루테늄 함유막이 형성된 기판에 대하여, 기판의 루테늄 함유막이 형성된 면의 외연부(外緣部) 및/또는 이면에 부착된 루테늄 부착물을 제거액에 의하여 제거하는 제거 공정을 포함하고, 제거액이, 오쏘과아이오딘산을, 제거액의 전체 질량에 대하여, 0.05~8질량% 포함하며, 제거액의 pH가, 3.5 이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법(청구항 1)"이 기재되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2016-092101호
한편, 최근, 기판 상의 불필요한 천이 금속 함유물을 제거할 때에, 피처리부의 러프니스(표면 요철)를 작게 하는 것도 요구되고 있다. 피처리부의 러프니스가 크면, 피처리부 상에 적층되는 적층물의 적층성의 악화, 및 반도체 제품 자체의 성능 열화로 이어지는 경우가 있다.
본 발명자들은 특허문헌 1에 개시된 방법을 이용하여 천이 금속 함유물의 제거성에 대하여 검토한바, 천이 금속 함유물의 용해능, 및 피처리부의 평활성의 양립이 반드시 충분하지는 않아, 가일층의 개량이 필요했다.
따라서, 본 발명은, 천이 금속 함유물에 대한 우수한 용해능을 갖고, 또한 피처리부의 우수한 평활성을 실현할 수 있는 약액, 및 이것을 이용한 기판의 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자는, 상기 과제를 달성하기 위하여 예의 검토한 결과, 과아이오딘산류와, 소정량의 화합물을 포함하는 약액에 의하면, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 이하의 구성에 의하여 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다.
〔1〕
기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하기 위하여 이용되는 약액으로서,
과아이오딘산 및 그 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 과아이오딘산류와,
IO3 -, I-, 및 I3 -으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 음이온을 포함하는 화합물을 포함하고,
음이온을 포함하는 화합물의 함유량이, 약액 전체 질량에 대하여, 5질량ppb~1질량%인, 약액.
〔2〕
과아이오딘산류가, 오쏘과아이오딘산, 오쏘과아이오딘산의 염, 메타과아이오딘산, 및 메타과아이오딘산의 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 〔1〕에 기재된 약액.
〔3〕
과아이오딘산류의 함유량이, 약액 전체 질량에 대하여, 37.0질량% 이하인, 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 약액.
〔4〕
과아이오딘산류의 함유량이, 약액 전체 질량에 대하여, 2.0~8.0질량%인, 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 기재된 약액.
〔5〕
과아이오딘산류의 함유량에 대한, 음이온을 포함하는 화합물의 함유량의 비가, 1×100~1×108인, 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 약액.
〔6〕
음이온을 포함하는 화합물이, 아이오딘산, 테트라메틸암모늄아이오딘산, 테트라에틸암모늄아이오딘산, 테트라뷰틸암모늄아이오딘산, 아이오딘산 암모늄, 아이오딘화 수소, 테트라메틸암모늄아이오딘화물, 테트라에틸암모늄아이오딘화물, 테트라뷰틸암모늄아이오딘화물, 아이오딘화 암모늄, 및 삼아이오딘화 질소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 하나에 기재된 약액.
〔7〕
음이온을 포함하는 화합물이, 수소 양이온, 테트라메틸암모늄 양이온, 테트라에틸암모늄 양이온, 및 테트라뷰틸암모늄 양이온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 양이온을 포함하는, 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 기재된 약액.
〔8〕
천이 금속 함유물이, Ru, Ti, Ta, Co, Cr, Hf, Os, Pt, Ni, Mn, Cu, Zr, Mo, La, W, 및 Ir로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 약액.
〔9〕
천이 금속 함유물이, Ru 함유물을 포함하는, 〔1〕 내지 〔8〕 중 어느 하나에 기재된 약액.
〔10〕
pH 조정제를 더 포함하는, 〔1〕 내지 〔9〕 중 어느 하나에 기재된 약액.
〔11〕
pH 조정제가, 테트라메틸암모늄 수산화물, 테트라에틸암모늄 수산화물, 테트라뷰틸암모늄 수산화물, 암모니아수, 수용성 아민, 황산, 염산, 아세트산, 질산, 불산, 과염소산, 및 차아염소산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 〔10〕에 기재된 약액.
〔12〕
pH 조정제가, 테트라메틸암모늄 수산화물, 테트라에틸암모늄 수산화물, 테트라뷰틸암모늄 수산화물, 암모니아수, 및 수용성 아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 〔10〕 또는 〔11항〕에 기재된 약액.
〔13〕
pH가 8.0 미만인, 〔1〕 내지 〔12〕 중 어느 하나에 기재된 약액.
〔14〕
pH가 2.5~5.0인, 〔1〕 내지 〔13〕 중 어느 하나에 기재된 약액.
〔15〕
〔1〕 내지 〔14〕 중 어느 하나에 기재된 약액을 이용하여, 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A를 갖는, 기판의 처리 방법.
〔16〕
천이 금속 함유물이, Ru 함유물을 포함하는, 〔15〕에 기재된 기판의 처리 방법.
〔17〕
공정 A가, 약액을 이용하여 기판 상에 배치된 천이 금속 함유 배선을 리세스 에칭 처리하는 공정 A1, 약액을 이용하여 천이 금속 함유막이 배치된 기판의 외연부의 천이 금속 함유막을 제거하는 공정 A2, 약액을 이용하여 천이 금속 함유막이 배치된 기판의 이면에 부착되는 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A3, 약액을 이용하여 드라이 에칭 후의 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A4, 또는 약액을 이용하여 화학적 기계적 연마 처리 후의 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A5인, 〔15〕 또는 〔16〕에 기재된 기판의 처리 방법.
〔18〕
공정 A가, 공정 A1이며,
공정 A1 후, 추가로, 불산과 과산화 수소수의 혼합액, 황산과 과산화 수소수의 혼합액, 암모니아수와 과산화 수소수의 혼합액, 및 염산과 과산화 수소수의 혼합액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용액을 이용하여, 공정 A1에서 얻어진 기판을 처리하는 공정 B를 더 갖는, 〔17〕에 기재된 기판의 처리 방법.
〔19〕
공정 A1과 공정 B를 교대로 반복하여 행하는, 〔18〕에 기재된 기판의 처리 방법.
〔20〕
공정 A 후, 린스액을 이용하여, 공정 A에서 얻어진 기판에 대하여 린스 처리를 행하는 공정 C를 더 갖는, 〔15〕 내지 〔17〕 중 어느 하나에 기재된 기판의 처리 방법.
〔21〕
린스액이, 불산, 염산, 과산화 수소수, 불산과 과산화 수소수의 혼합액, 황산과 과산화 수소수의 혼합액, 암모니아수와 과산화 수소수의 혼합액, 염산과 과산화 수소수의 혼합액, 이산화 탄소수, 오존수, 수소수, 시트르산 수용액, 황산, 암모니아수, 아이소프로필알코올, 차아염소산 수용액, 왕수(王水), 초순수, 질산, 과염소산, 옥살산 수용액, 및 오쏘과아이오딘산 수용액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용액인, 〔20〕에 기재된 기판의 처리 방법.
〔22〕
약액의 온도가 20~75℃인, 〔15〕 내지 〔21〕 중 어느 하나에 기재된 기판의 처리 방법.
본 발명에 의하면, 천이 금속 함유물에 대한 우수한 용해능을 갖고, 또한 피처리부의 우수한 평활성을 실현할 수 있는 약액, 및 이것을 이용한 처리 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 공정 A1에서 이용되는 피처리물의 일례를 나타내는 단면 상부의 모식도이다.
도 2는 공정 A1을 실시한 후의 피처리물의 일례를 나타내는 단면 상부의 모식도이다.
도 3은 공정 A2에서 이용되는 피처리물의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 4는 공정 A4에서 이용되는 피처리물의 일례를 나타내는 단면 모식도이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시형태에 제한되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서의 기(원자군)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다. 이것은, 각 화합물에 대해서도 동일한 의미이다.
본 명세서 중에 있어서의 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 수은등, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, X선, 및 EUV(Extreme ultraviolet)광 등에 의한 노광 뿐만 아니라, 전자선, 및 이온빔 등의 입자선에 의한 묘화도 노광에 포함시킨다.
또한, 본 명세서에 있어서, "~"를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.
본 명세서에 있어서 드라이 에칭 잔사란, 드라이 에칭(예를 들면, 플라즈마 에칭)을 행함으로써 발생한 부생성물이며, 예를 들면 포토레지스트 유래의 유기물 잔사물, Si 함유 잔사물, 및 금속 함유 잔사물(예를 들면, 천이 금속 함유 잔사물) 등을 말한다.
[약액]
본 발명의 약액은, 과아이오딘산 및 그 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 과아이오딘산류와, IO3 -, I-, 및 I3 -으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 음이온을 포함하는 화합물(이후, "특정 화합물"이라고도 함)을 포함하고, 특정 화합물의 함유량이 소정 범위인 약액이다.
본 발명의 약액을 이용함으로써 본 발명의 과제가 달성되는 메커니즘은 반드시 확실하지는 않지만, 약액이 과아이오딘산류를 포함함으로써 천이 금속에 대한 우수한 용해성을 실현하고, 약액이 소정량의 특정 화합물을 포함함으로써 피처리부의 러프니스가 개선되었다고 본 발명자들은 추측하고 있다.
<과아이오딘산류>
본 발명의 약액은, 과아이오딘산류를 포함한다.
본 명세서에 있어서, 과아이오딘산류란, 과아이오딘산 및 그 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물의 총칭이다.
과아이오딘산류로서는, 특별히 한정되지 않지만, 루테늄으로 대표되는 천이 금속막을 용해할 수 있는 관점에서, 오쏘과아이오딘산(H5IO6), 오쏘과아이오딘산의 염, 메타과아이오딘산(HIO4), 및 메타과아이오딘산의 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물이 바람직하고, 오쏘과아이오딘산 또는 메타과아이오딘산이 보다 바람직하다. 특히, 나트륨(Na)과 같은 알칼리 금속을 포함하지 않는 점, 및 조성이 안정되어 있는 점에서, 오쏘과아이오딘산이 바람직하다.
약액의 용해능이 보다 우수한 점에서, 과아이오딘산류의 함유량(복수의 과아이오딘산류를 포함하는 경우는 그 합계 함유량)은, 약액 전체 질량에 대하여, 0.1질량% 이상이 바람직하고, 0.5질량% 이상이 보다 바람직하며, 2.0질량% 이상이 더 바람직하고, 8.0질량% 이상이 특히 바람직하며, 15.0질량% 이상이 가장 바람직하다.
피처리부의 평활성이 보다 우수한 점에서, 과아이오딘산의 함유량은, 약액 전체 질량에 대하여, 40.0질량% 이하가 바람직하고, 37.0질량% 이하가 보다 바람직하며, 35.0질량% 이하가 더 바람직하고, 15.0질량% 미만이 특히 바람직하며, 8.0질량% 이하가 가장 바람직하다.
약액의 용해능과 피처리부의 평활성이 보다 양호한 밸런스로 우수한 점에서는, 과아이오딘산류의 함유량은, 약액 전체 질량에 대하여, 예를 들면 0.5~35.0질량%가 바람직하고, 2.0~8.0질량%가 보다 바람직하다.
<특정 화합물>
본 발명의 약액은, 특정 화합물을 포함한다.
특정 화합물이란, IO3 -, I-, 및 I3 -으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 음이온을 포함하는 화합물이다. 통상, 특정 화합물은, 상기 음이온과 양이온으로 구성되는 화합물이다. 특정 화합물은 용매 중에 있어서, 해리되어, IO3 -, I- 또는 I3 -을 공급할 수 있는 화합물에 해당한다. 또한, I3 -에 관해서는, 평형에 의하여, I-가 될 수 있다.
본 발명의 약액은, IO3 -을 포함하는 화합물만을 포함해도 되고, I-를 포함하는 화합물만을 포함해도 되며, I3 -을 포함하는 화합물만을 포함해도 되고, 이들을 혼합하여 포함해도 된다. 그 중에서도, 본 발명의 약액은, IO3 -을 포함하는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
약액의 용해능이 보다 우수한 점에서, 특정 화합물의 함유량은, 약액 전체 질량에 대하여, 1질량% 이하이며, 1질량% 미만이 바람직하고, 0.1질량% 이하가 보다 바람직하다.
피처리부의 평활성이 보다 우수한 점에서, 특정 화합물의 함유량은, 약액 전체 질량에 대하여, 5질량ppb 이상이며, 5질량ppb 초과가 바람직하고, 5질량ppm 이상이 보다 바람직하며, 0.1질량% 이상이 더 바람직하다.
약액의 용해능과 피처리부의 평활성이 보다 양호한 밸런스로 우수한 점에서는, 특정 화합물의 함유량은, 약액 전체 질량에 대하여, 예를 들면 5질량ppm~1질량%가 바람직하다.
또, 약액의 용해능과 피처리부의 평활성이 보다 양호한 밸런스로 우수한 점에서는, 과아이오딘산류의 함유량에 대한, 특정 화합물의 함유량의 비(과아이오딘산류의 함유량/특정 화합물의 함유량(질량비))는, 1×100~1×108이 바람직하고, 8×100~1.6×107이 보다 바람직하다.
특정 화합물로서는, 수용액 중에서 해리되는 화합물이 바람직하다.
특정 화합물로서는, XIO3, XI, 또는 XI3으로 나타나는 화합물을 들 수 있다. 여기에서, X는, 화합물 중의 양이온을 나타낸다.
양이온으로서는, 예를 들면 수소 양이온(H+), 테트라알킬암모늄 양이온(예를 들면, 테트라메틸암모늄 양이온(TMA+), 테트라에틸암모늄 양이온(TEA+), 혹은 테트라뷰틸암모늄 양이온(TBA+)), 또는 암모늄 이온(NH4 +)이 바람직하고, 수소 양이온, 테트라메틸암모늄 양이온, 테트라에틸암모늄 양이온, 또는 테트라뷰틸암모늄 양이온이 보다 바람직하며, 수소 양이온이 더 바람직하다.
특정 화합물의 구체예로서는, 아이오딘산(HIO3), 테트라메틸암모늄아이오딘산(TMAIO3), 테트라에틸암모늄아이오딘산(TEAIO3), 테트라뷰틸암모늄아이오딘산(TBAIO3), 아이오딘산 암모늄(NH4IO3), 아이오딘화 수소(HI), 테트라메틸암모늄아이오딘화물(TMAI), 테트라에틸암모늄아이오딘화물(TEAI), 테트라뷰틸암모늄아이오딘화물(TBAI), 아이오딘화 암모늄(NH4I), 및 삼아이오딘화 질소(NI3)를 들 수 있다.
그 중에서도, 특정 화합물로서는, 아이오딘산, 테트라메틸암모늄아이오딘산, 테트라에틸암모늄아이오딘산, 테트라뷰틸암모늄아이오딘산, 또는 아이오딘산 암모늄이 바람직하고, 아이오딘산, 테트라메틸암모늄아이오딘산, 테트라에틸암모늄아이오딘산, 또는 테트라뷰틸암모늄아이오딘산이 보다 바람직하며, 아이오딘산이 더 바람직하다.
특정 화합물로서는, 아이오딘화 수소, 테트라메틸암모늄아이오딘화물, 테트라에틸암모늄아이오딘화물, 테트라뷰틸암모늄아이오딘화물, 또는 아이오딘화 암모늄이 바람직하고, 아이오딘화 수소, 테트라메틸암모늄아이오딘화물, 테트라에틸암모늄아이오딘화물, 또는 테트라뷰틸암모늄아이오딘화물이 보다 바람직하며, 아이오딘화 수소가 더 바람직하다.
특정 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
<임의 성분>
본 발명의 약액은, 상술한 이외에도 그 외의 임의 성분을 포함하고 있어도 된다. 이하, 임의 성분에 대하여 설명한다.
(pH 조정제)
본 발명의 약액은 pH 조정제를 포함하고 있어도 된다.
pH 조정제로서는, 예를 들면 유기 염기, 무기 염기, 유기산, 및 무기산을 들 수 있으며, 그 중에서도, 유기 염기 또는 무기 염기가 바람직하고, 유기 염기가 더 바람직하다.
pH 조정제의 구체예로서는, 제4급 암모늄염 화합물, 암모니아수, 수용성 아민, 황산, 염산, 아세트산, 질산, 불산, 과염소산, 또는 차아염소산이 바람직하다.
상기 제4급 암모늄염 화합물로서는, 하기 식 (1)로 나타나는 화합물이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure 112020071842187-pct00001
식 (1) 중, R4A~R4D는, 각각 독립적으로 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 1~6의 하이드록시알킬기, 벤질기, 또는 아릴기를 나타낸다.
식 (1) 중, R4A~R4D는, 각각 독립적으로 탄소수 1~6의 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 및 뷰틸기 등), 탄소수 1~6의 하이드록시알킬기(예를 들면, 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기, 및 하이드록시뷰틸기 등), 벤질기, 또는 아릴기(예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 및 나프탈렌기 등)를 나타낸다. 그 중에서도, 알킬기, 하이드록시에틸기, 또는 벤질기가 바람직하다.
식 (1)로 나타나는 화합물로서는, 테트라메틸암모늄 수산화물(TMAH), 테트라에틸암모늄 수산화물(TEAH), 테트라뷰틸암모늄 수산화물(TBAH), 트라이메틸하이드록시에틸암모늄 수산화물, 메틸트라이(하이드록시에틸)암모늄 수산화물, 테트라(하이드록시에틸)암모늄 수산화물, 트라이메틸벤질 암모늄 수산화물, 비스하이드록시에틸다이메틸암모늄 수산화물, 및 콜린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 제4급 수산화 암모늄염이 바람직하다. 그 중에서도, 식 (1)로 나타나는 화합물로서는, 테트라메틸암모늄 수산화물, 테트라에틸암모늄 수산화물, 및 테트라뷰틸암모늄 수산화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.
또, 일본 공표특허공보 2015-518068호에 기재된 4급 암모늄하이드록사이드 화합물을 사용해도 된다. 천이 금속 함유물의 제거 효과, 사용 후의 금속 잔류의 적음, 경제성, 및 약액의 안정성 등의 이유에서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄 수산화물, 비스하이드록시에틸다이메틸암모늄 수산화물, 또는 트라이메틸(하이드록시에틸)암모늄 수산화물이 바람직하다.
제4급 암모늄염 화합물은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 사용해도 된다.
수용성 아민의 pka는, 7.5~13.0인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 수용성 아민이란, 1L의 수중에 50g 이상 용해할 수 있는 아민을 의도한다. 또, 수용성 아민으로서 암모니아수는 포함하지 않는다.
pKa가 7.5~13인 수용성 아민으로서는, 예를 들면 다이글라이콜아민(DGA)(pKa=9.80), 메틸아민(pKa=10.6), 에틸아민(pKa=10.6), 프로필아민(pKa=10.6), 뷰틸아민(pKa=10.6), 펜틸아민(pKa=10.0), 에탄올아민(pKa=9.3), 프로판올아민(pKa=9.3), 뷰탄올아민(pKa=9.3), 메톡시에틸아민(pKa=10.0), 메톡시프로필아민(pKa=10.0), 다이메틸아민(pKa=10.8), 다이에틸아민(pKa=10.9), 다이프로필아민(pKa=10.8), 트라이메틸아민(pKa=9.80), 및 트라이에틸아민(pKa=10.72)을 들 수 있다.
또, 수용성 아민으로서 무치환 하이드록실아민 및 하이드록실아민 유도체를 사용해도 된다.
또한, 본 명세서에 있어서의 수용성 아민의 pka는, 수중에 있어서의 산해리 상수이다. 수중에 있어서의 산해리 상수는, 분광계와 전위차 측정의 조합에 의하여 측정할 수 있다.
그 중에서도, pH 조정제로서는, 테트라메틸암모늄 수산화물, 테트라에틸암모늄 수산화물, 테트라뷰틸암모늄 수산화물, 암모니아수, 수용성 아민(다이글라이콜아민(DGA) 등), 황산, 염산, 아세트산, 질산, 불산, 과염소산, 또는 차아염소산이 보다 바람직하며, 테트라메틸암모늄 수산화물, 테트라에틸암모늄 수산화물, 테트라뷰틸암모늄 수산화물, 암모니아수, 또는 수용성 아민이 더 바람직하다.
천이 금속 함유물의 제거 효과, 사용 후의 금속 잔류의 적음, 경제성, 및 약액의 안정성 등의 이유에서는, pH 조정제로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄 수산화물, 비스하이드록시에틸다이메틸암모늄 수산화물, 또는 트라이메틸(하이드록시에틸)암모늄 수산화물이 바람직하다.
(용매)
약액은, 용매를 포함하고 있어도 된다.
용매로서는, 물, 및 유기 용매를 들 수 있으며, 물이 바람직하다.
물로서는, 불가피적인 미량 혼합 성분을 포함하고 있어도 된다. 그 중에서도, 증류수, 이온 교환수, 또는 초순수와 같은 정화 처리가 실시된 물이 바람직하고, 반도체 제조에 사용되는 초순수가 보다 바람직하다
약액 중의 물의 농도는, 특별히 제한되지 않지만, 50질량% 이상이 바람직하고, 60질량% 이상이 보다 바람직하며, 85질량% 이상이 더 바람직하다. 또, 상한값은, 특별히 제한은 없지만, 99.9질량% 이하가 바람직하고, 92질량% 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 약액은, 상술한 이외의 다른 성분을 포함하고 있어도 된다.
다른 성분으로서는, 특별히 제한은 없으며, 공지의 성분을 들 수 있다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 2014-093407호의 단락 0026 등에 기재, 일본 공개특허공보 2013-055087호의 단락 0024~0027 등에 기재, 및 일본 공개특허공보 2013-012614호의 단락 0024~0027 등에 기재된 각 계면활성제를 들 수 있다.
또, 일본 공개특허공보 2014-107434호의 단락 0017~0038, 일본 공개특허공보 2014-103179호의 단락 0033~0047, 및 일본 공개특허공보 2014-093407호의 단락 0017~0049 등에 개시된 각 첨가제(방식제 등)를 들 수 있다.
본 발명의 약액의 pH는 특별히 제한되지 않고, 10.0 이하인 경우가 많다. 그 중에서도, 약액의 용해능과 피처리부의 평활성이 보다 양호한 밸런스로 우수한 점에서, 8.0 미만이 바람직하고, 1.0 초과 6.0 이하가 보다 바람직하며, 2.5~5.0이 더 바람직하고, 3.0~5.0이 특히 바람직하다.
즉, 약액이 pH 조정제를 포함하는 경우, pH 조정제의 함유량은, 약액 전체 질량에 대하여, 약액의 pH가 상기 범위가 되는 양이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 약액의 pH는, 실온(25℃)에 있어서, (주)호리바 세이사쿠쇼제, F-51(상품명)로 측정한 값이다.
본 발명의 약액의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 소정의 원료를 혼합 믹서 등의 교반기를 이용하여 충분히 혼합하는 방법을 들 수 있다.
또, 제조 방법으로서는, 설정 pH에 미리 조제해 두고 나서 혼합하는 방법, 또는 혼합 후에 설정 pH로 조제하는 방법도 들 수 있다. 또한, 농축액을 제조하고, 사용 시에 희석하여 소정의 농도로 조정하는 방법을 이용할 수도 있다. 또, 농축액을 희석 후 설정 pH로 조정하여 이용할 수도 있다. 또, 농축액에 대하여 설정량의 희석용 순수를 첨가할 수도 있으며, 또 희석용 순수에 소정량의 농축액을 첨가할 수도 있다.
<피처리물>
본 발명의 약액은, 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 데에 이용된다.
또한, 본 명세서에 있어서의 "기판 상"이란, 예를 들면 기판의 표리, 측면, 및 홈내 등의 모두를 포함한다. 또, 기판 상의 천이 금속 함유물이란, 기판의 표면 상에 직접 천이 금속 함유물이 있는 경우뿐만 아니라, 기판 상에 다른 층을 통하여 천이 금속 함유물이 있는 경우도 포함한다.
천이 금속 함유물에 포함되는 천이 금속은, 예를 들면 Ru(루테늄), Ti(타이타늄), Ta(탄탈럼), Co(코발트), Cr(크로뮴), Hf(하프늄), Os(오스뮴), Pt(백금), Ni(니켈), Mn(망가니즈), Cu(구리), Zr(지르코늄), Mo(몰리브데넘), La(란타넘), W(텅스텐), 및 Ir(이리듐)로부터 선택되는 금속 M을 들 수 있다.
즉, 천이 금속 함유물로서는, 금속 M 함유물이 바람직하다.
그 중에서도, 천이 금속 함유물은 Ru 함유물인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 약액은, Ru 함유물을 제거하는 데에 이용되는 것이 보다 바람직하다.
Ru 함유물 중의 Ru 원자의 함유량은, Ru 함유물 전체 질량에 대하여, 10질량% 이상이 바람직하고, 30질량% 이상이 보다 바람직하며, 50질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 100질량%를 들 수 있다.
천이 금속 함유물은, 천이 금속(천이 금속 원자)을 포함하는 물질이기만 하면 되고, 예를 들면 천이 금속의 단체, 천이 금속을 포함하는 합금, 천이 금속의 산화물, 천이 금속의 질화물, 및 천이 금속의 산질화물을 들 수 있다. 그 중에서도, 천이 금속 함유물로서는, Ru의 단체, Ru의 합금, Ru의 산화물, Ru의 질화물, 또는 Ru의 산질화물이 바람직하다.
또, 천이 금속 함유물은, 이들 화합물 중의 2종 이상을 포함하는 혼합물이어도 된다.
또한, 상기 산화물, 질화물, 및 산질화물은, 천이 금속을 포함하는, 복합 산화물, 복합 질화물, 및 복합 산질화물이어도 된다.
천이 금속 함유물 중의 천이 금속 원자의 함유량은, 천이 금속 함유물 전체 질량에 대하여, 10질량% 이상이 바람직하고, 30질량% 이상이 보다 바람직하며, 50질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 천이 금속 함유물이 천이 금속 그 자체여도 되는 점에서, 100질량%이다.
피처리물은, 천이 금속 함유물을 갖는 기판이다. 즉, 피처리물은, 기판과 기판 상에 있는 천이 금속 함유물을 적어도 포함한다.
기판의 종류는 특별히 제한은 없지만, 반도체 기판이 바람직하다.
상기 기판에는, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시용 유리 기판, 플라즈마 표시용 유리 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 및 광자기 디스크용 기판 등의 각종 기판을 들 수 있다.
반도체 기판을 구성하는 재료로서는, 규소, 규소산 저마늄, 및 GaAs 등의 제III-V족 화합물, 또는 그들의 임의의 조합을 들 수 있다.
기판 상의 천이 금속 함유물의 종류는, 상술한 바와 같다.
기판 상의 천이 금속 함유물의 형태는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 막 상에 배치된 형태(천이 금속 함유막), 배선상으로 배치된 형태(천이 금속 함유 배선), 및 입자상으로 배치된 형태 중 어느 것이어도 된다. 상술한 바와 같이, 천이 금속으로서는 Ru가 바람직하고, 피처리물로서는, 기판과 기판 상에 배치된 Ru 함유막, Ru 함유 배선, 또는 입자상의 Ru 함유물을 갖는 피처리물이 바람직하다.
또한, 천이 금속 함유물이 입자상으로 배치된 형태로서는, 예를 들면 후술하는 바와 같이, 천이 금속 함유막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 실시한 후에, 잔사로서 입자상의 천이 금속 함유물이 부착되어 있는 기판, 및 천이 금속 함유막에 대하여 CMP(chemical mechanical polishing, 화학적 기계적 연마 처리)를 실시한 후에, 잔사로서 입자상의 천이 금속 함유물이 부착되어 있는 기판을 들 수 있다.
천이 금속 함유막의 두께는 특별히 제한되지 않고, 용도에 따라 적절히 선택하면 되며, 예를 들면 50nm 이하가 바람직하고, 20nm 이하가 보다 바람직하며, 10nm 이하가 더 바람직하다.
천이 금속 함유막은, 기판의 편측의 주면(主面) 상에만 배치되어 있어도 되고, 양측의 주면 상에 배치되어 있어도 된다. 또, 천이 금속 함유막은, 기판의 주면 전체면에 배치되어 있어도 되고, 기판의 주면의 일부에 배치되어 있어도 된다.
또, 상기 기판은, 천이 금속 함유물 이외에, 원하는 것에 따른 다양한 층, 및/또는 구조를 갖고 있어도 된다. 예를 들면, 기판은, 금속 배선, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 절연층, 강자성층, 및/또는 비자성층 등을 갖고 있어도 된다.
기판은, 폭로된 집적회로 구조, 예를 들면 금속 배선 및 유전 재료 등의 상호 접속 기구를 갖고 있어도 된다. 상호 접속 기구에 사용하는 금속 및 합금으로서는, 예를 들면 알루미늄, 구리 알루미늄 합금, 구리, 타이타늄, 탄탈럼, 코발트, 규소, 질화 타이타늄, 질화 탄탈럼, 및 텅스텐을 들 수 있다. 기판은, 산화 규소, 질화 규소, 탄화 규소, 및/또는 탄소 도프 산화 규소의 층을 갖고 있어도 된다.
기판의 크기, 두께, 형상, 및 층 구조 등은, 특별히 제한은 없으며, 원하는 것에 따라 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 처리 방법에 이용하는 피처리물은, 상술한 바와 같이, 기판 상에 천이 금속 함유물을 갖는다.
천이 금속 함유물을 갖는 기판의 제조 방법은, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 스퍼터링법, 화학 기상 성장(CVD: Chemical Vapor Deposition)법, 분자선 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)법 등으로, 기판 상에 천이 금속 함유막을 형성할 수 있다. 또한, 스퍼터링법 및 CVD법 등에 의하여 천이 금속 함유막을 형성한 경우, 천이 금속 함유막을 갖는 기판의 이면(천이 금속 함유막 측과는 반대 측의 표면)에도, 천이 금속 함유물이 부착되는 경우가 있다.
또, 소정의 마스크를 통하여 상기 방법을 실시하여, 기판 상에 천이 금속 함유 배선을 형성해도 된다.
또, 기판 상에 천이 금속 함유막 또는 천이 금속 함유 배선을 형성한 후, 또한 이 기판을 다른 공정 또는 처리에 제공하고 나서, 본 발명의 처리 방법의 피처리물로서 이용해도 된다.
예를 들면, 천이 금속 함유막 또는 천이 금속 함유 배선을 갖는 기판을 드라이 에칭에 제공하고, 천이 금속을 포함하는 드라이 에칭 잔사를 갖는 기판을 제조해도 된다. 또, 천이 금속 함유막 또는 천이 금속 함유 배선을 갖는 기판을 CMP에 제공하여, 천이 금속 함유물을 갖는 기판을 제조해도 된다.
[기판의 처리 방법]
본 발명의 기판의 처리 방법(이후, "본 처리 방법"이라고도 함)은, 상술한 약액을 이용하여, 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A를 갖는다.
상술한 바와 같이, 특히, 천이 금속 함유물이 Ru 함유물을 포함하는 경우에, 본 발명의 기판의 처리 방법이 적절히 이용된다.
본 처리 방법에서 이용되는 약액은, 상술한 바와 같다.
또, 본 처리 방법의 피처리물인, 천이 금속 함유물을 갖는 기판에 관해서도, 상술한 바와 같다.
공정 A의 구체적인 방법으로서는, 약액과 피처리물인 천이 금속 함유물을 갖는 기판을 접촉시키는 방법을 들 수 있다.
접촉시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 탱크에 넣은 약액 중에 피처리물을 침지하는 방법, 기판 상에 약액을 분무하는 방법, 기판 상에 약액을 흘려보내는 방법, 또는 그들의 임의의 조합을 들 수 있다. 그 중에서도, 피처리물인 천이 금속 함유물을 갖는 기판을 약액에 침지하는 방법이 바람직하다.
또한, 약액의 세정 능력을 보다 증진시키기 위하여, 기계식 교반 방법을 이용해도 된다.
기계식 교반 방법으로서는, 예를 들면 기판 상에서 약액을 순환시키는 방법, 기판 상에서 약액을 유과(流過) 또는 분무시키는 방법, 및 초음파 또는 메가 소닉으로 약액을 교반하는 방법 등을 들 수 있다.
공정 A의 처리 시간은, 기판에 약액을 접촉시키는 방법 및 약액의 온도 등에 따라 조정할 수 있다. 처리 시간(약액과 피처리물의 접촉 시간)은 특별히 제한되지 않지만, 0.25~10분이 바람직하고, 0.5~2분이 보다 바람직하다.
처리 시의 약액의 온도는 특별히 제한되지 않지만, 20~75℃가 바람직하고, 20~60℃가 보다 바람직하다.
공정 A에 있어서는, 약액 중의 과아이오딘산류, 및/또는 특정 화합물의 농도를 측정하면서, 필요에 따라, 약액 중에 용매(바람직하게는, 물)를 첨가하는 처리를 실시해도 된다. 본 처리를 실시함으로써, 약액 중의 성분 농도를 소정의 범위에 안정적으로 유지할 수 있다.
약액 중의 과아이오딘산류, 및/또는 특정 화합물의 농도를 측정하는 방법으로서는, 이온 크로마토그래프법을 들 수 있다. 구체적인 장치로서는, 예를 들면 서모피셔사의 Dionex ICS-2100을 들 수 있다.
공정 A의 구체적인 적합 양태로서는, 약액을 이용하여 기판 상에 배치된 천이 금속 함유 배선을 리세스 에칭 처리하는 공정 A1, 약액을 이용하여 천이 금속 함유막이 배치된 기판의 외연부의 천이 금속 함유막을 제거하는 공정 A2, 약액을 이용하여 천이 금속 함유막이 배치된 기판의 이면에 부착되는 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A3, 약액을 이용하여 드라이 에칭 후의 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A4, 또는 약액을 이용하여 화학적 기계적 연마 처리 후의 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A5를 들 수 있다.
그 중에서도, 공정 A는, 공정 A2 또는 공정 A3인 것이 보다 바람직하다.
이하, 상기 각 처리에 이용되는 본 발명의 처리 방법에 대하여 설명한다.
<공정 A1>
공정 A로서는, 약액을 이용하여 기판 상에 배치된 천이 금속 함유 배선을 리세스 에칭 처리하는 공정 A1을 들 수 있다.
도 1에, 공정 A1의 리세스 에칭 처리의 피처리물인 천이 금속 함유 배선을 갖는 기판(이후, "배선 기판"이라고도 함)의 일례를 나타내는 단면 상부의 모식도를 나타낸다.
도 1에 나타내는 배선 기판(10a)은, 도시하지 않은 기판과, 기판 상에 배치된 홈을 갖는 절연막(12)과, 홈의 내벽을 따라 배치된 배리어 메탈층(14)과, 홈 내부에 충전된 천이 금속 함유 배선(16)을 갖는다.
배선 기판 중의 기판 및 천이 금속 함유 배선은, 상술한 바와 같다.
천이 금속 함유 배선으로서는, Ru 함유 배선(Ru를 포함하는 배선)이 바람직하다. Ru 함유 배선은, Ru의 단체, Ru의 합금, Ru의 산화물, Ru의 질화물, 또는 Ru의 산질화물을 포함하는 것이 바람직하다.
배선 기판 중의 배리어 메탈층을 구성하는 재료는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 TiN 및 TaN을 들 수 있다.
또한, 도 1에 있어서는, 배선 기판이 배리어 메탈층을 갖는 양태에 대하여 설명했지만, 배리어 메탈층을 갖지 않는 배선 기판이어도 된다.
배선 기판의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 기판 상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막에 홈을 형성하는 공정과, 절연막 상에 배리어 메탈층을 형성하는 공정과, 상기 홈을 충전하도록 천이 금속 함유막을 형성하는 공정과 천이 금속 함유막에 대하여 평탄화 처리를 실시하는 공정을 포함하는 방법을 들 수 있다.
공정 A1에 있어서는, 상술한 약액을 이용하여, 배선 기판 중의 천이 금속 함유 배선에 대하여 리세스 에칭 처리를 행함으로써, 상기 천이 금속 함유 배선의 일부를 제거하여, 오목부를 형성할 수 있다.
보다 구체적으로는, 공정 A1을 실시하면, 도 2의 배선 기판(10b)에 나타내는 바와 같이, 배리어 메탈층(14) 및 천이 금속 함유 배선(16)의 일부가 제거되어, 오목부(18)가 형성된다.
공정 A1의 구체적인 방법으로서는, 약액과 배선 기판을 접촉시키는 방법을 들 수 있다.
약액과 배선 기판의 접촉 방법은, 상술한 바와 같다.
약액과 배선 기판의 접촉 시간 및 약액의 온도의 적합 범위는, 상술한 바와 같다.
또한, 공정 A1 후에, 필요에 따라, 소정의 용액(이후, "특정 용액"이라고도 함)을 이용하여, 공정 A1에서 얻어진 기판을 처리하는 공정 B를 실시해도 된다.
특히, 상술한 바와 같이, 기판 상에 배리어 메탈층이 배치되어 있는 경우, 천이 금속 함유 배선을 구성하는 성분과 배리어 메탈층을 구성하는 성분에서는, 그 종류에 따라 본 발명의 약액에 대한 용해성이 다른 경우가 있다. 그와 같은 경우, 배리어 메탈층에 대하여 보다 용해성이 우수한 용액을 이용하여, 천이 금속 함유 배선과 배리어 메탈층과의 용해의 정도를 조정하는 것이 바람직하다.
이와 같은 점에서, 특정 용액은, 천이 금속 함유 배선에 대한 용해성이 부족하고, 배리어 메탈층을 구성하는 물질에 대하여 용해성이 우수한 용액이 바람직하다.
특정 용액으로서는, 불산과 과산화 수소수의 혼합액(FPM), 황산과 과산화 수소수의 혼합액(SPM), 암모니아수와 과산화 수소수의 혼합액(APM), 및 염산과 과산화 수소수의 혼합액(HPM)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용액을 들 수 있다.
FPM의 조성은, 예를 들면 "불산:과산화 수소수:물=1:1:1"~"불산:과산화 수소수:물=1:1:200"의 범위 내(체적비)가 바람직하다.
SPM의 조성은, 예를 들면 "황산:과산화 수소수:물=3:1:0"~"황산:과산화 수소수:물=1:1:10"의 범위 내(체적비)가 바람직하다.
APM의 조성은, 예를 들면 "암모니아수:과산화 수소수:물=1:1:1"~"암모니아수:과산화 수소수:물=1:1:30"의 범위 내(체적비)가 바람직하다.
HPM의 조성은, 예를 들면 "염산:과산화 수소수:물=1:1:1"~"염산:과산화 수소수:물=1:1:30"의 범위 내(체적비)가 바람직하다.
또한, 이들의 바람직한 조성비의 기재는, 불산은 49질량% 불산, 황산은 98질량% 황산, 암모니아수는 28질량% 암모니아수, 염산은 37질량% 염산, 과산화 수소수는 31질량% 과산화 수소수인 경우에 있어서의 조성비를 의도한다.
그 중에서도, 배리어 메탈층의 용해능의 점에서, SPM, APM, 또는 HPM이 바람직하다.
러프니스의 저감의 점에서는, APM, HPM, 또는 FPM이 바람직하고, APM이 보다 바람직하다.
성능이, 양호한 밸런스로 우수한 점에서는, APM 또는 HPM이 바람직하다.
공정 B에 있어서, 특정 용액을 이용하여, 공정 A1에서 얻어진 기판을 처리하는 방법으로서는, 특정 용액과 공정 A1에서 얻어진 기판을 접촉시키는 방법이 바람직하다.
특정 용액과 공정 A1에서 얻어진 기판을 접촉시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 약액을 기판에 접촉시키는 것과 동일한 방법을 들 수 있다.
특정 용액과 공정 A1에서 얻어진 기판과 접촉 시간은, 예를 들면 0.25~10분이 바람직하고, 0.5~5분이 보다 바람직하다.
본 처리 방법에 있어서는, 공정 A1과 공정 B를 교대로 실시해도 된다.
교대로 행하는 경우는, 공정 A1 및 공정 B는 각각 1~10회 실시되는 것이 바람직하다.
<공정 A2>
공정 A로서는, 약액을 이용하여 천이 금속 함유막이 배치된 기판의 외연부의 천이 금속 함유막을 제거하는 공정 A2를 들 수 있다.
도 3에, 공정 A2의 피처리물인 천이 금속 함유막이 배치된 기판의 일례를 나타내는 모식도(상면도)를 나타낸다.
도 3에 나타내는, 공정 A2의 피처리물(20)은, 기판(22)과, 기판(22)의 편측의 주면 상(실선으로 둘러싸인 전체 영역)에 배치된 천이 금속 함유막(24)을 갖는 적층체이다. 후술하는 바와 같이, 공정 A2에서는, 피처리물(20)의 외연부(26)(파선의 외측의 영역)에 위치하는 천이 금속 함유막(24)이 제거된다.
피처리물 중의 기판 및 천이 금속 함유막은, 상술한 바와 같다.
또한, 천이 금속 함유막으로서는, Ru 함유막(Ru를 포함하는 막)이 바람직하다. Ru 함유막은, Ru의 단체, Ru의 합금, Ru의 산화물, Ru의 질화물, 또는 Ru의 산질화물을 포함하는 것이 바람직하다.
공정 A2의 구체적인 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 상기 기판의 외연부의 천이 금속 함유막에만 약액이 접촉하도록, 노즐로부터 약액을 공급하는 방법을 들 수 있다.
공정 A2의 처리 시에는, 일본 공개특허공보 2010-267690호, 일본 공개특허공보 2008-080288호, 일본 공개특허공보 2006-100368호, 및 일본 공개특허공보 2002-299305호에 기재된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 바람직하게 적용할 수 있다.
약액과 피처리물의 접촉 방법은, 상술한 바와 같다.
약액과 피처리물의 접촉 시간 및 약액의 온도의 적합 범위는, 상술한 바와 같다.
<공정 A3>
공정 A로서는, 약액을 이용하여 천이 금속 함유막이 배치된 기판의 이면에 부착되는 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A3을 들 수 있다.
공정 A3의 피처리물로서는, 공정 A2에서 이용된 피처리물을 들 수 있다. 공정 A2에서 이용되는, 기판과 기판의 편측의 주면 상에 천이 금속 함유막이 배치된 피처리물을 형성하려면, 스퍼터링 및 CVD 등으로 천이 금속 함유막이 형성된다. 그 때, 기판의 천이 금속 함유막 측과는 반대 측의 표면 상(이면 상)에는, 천이 금속 함유물이 부착되는 경우가 있다. 이와 같은 피처리물 중의 천이 금속 함유물을 제거하기 위하여, 공정 A3이 실시된다.
공정 A3의 구체적인 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 상기 기판의 이면에게만 약액이 접촉하도록, 약액을 분사하는 방법을 들 수 있다.
약액과 피처리물의 접촉 방법은, 상술한 바와 같다.
약액과 피처리물의 접촉 시간 및 약액의 온도의 적합 범위는, 상술한 바와 같다.
<공정 A4>
공정 A로서는, 약액을 이용하여 드라이 에칭 후의 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A4를 들 수 있다.
도 4에, 공정 A4의 피처리물의 일례를 나타내는 모식도를 나타낸다.
도 4에 나타내는 피처리물(30)은, 기판(32) 상에, 천이 금속 함유막(34), 에칭 정지층(36), 층간 절연막(38), 메탈 하드 마스크(40)를 이 순서로 구비하고, 드라이 에칭 공정 등을 거침으로 소정 위치에 천이 금속 함유막(34)이 노출되는 홀(42)이 형성되어 있다. 즉, 도 4에 나타내는 피처리물은, 기판(32)와 천이 금속 함유막(34)와 에칭 정지층(36)과, 층간 절연막(38)과, 메탈 하드 마스크(40)를 이 순서로 구비하고, 메탈 하드 마스크(40)의 개구부의 위치에 있어서, 그 표면으로부터 천이 금속 함유막(34)의 표면까지 관통하는 홀(42)을 구비하는 적층물이다. 홀(42)의 내벽(44)은, 에칭 정지층(36), 층간 절연막(38) 및 메탈 하드 마스크(40)로 이루어지는 단면벽(44a)과, 노출된 천이 금속 함유막(34)으로 이루어지는 바닥벽(44b)으로 구성되며, 드라이 에칭 잔사(46)가 부착되어 있다.
드라이 에칭 잔사는, 천이 금속 함유물을 포함한다.
천이 금속 함유막으로서는, Ru 함유막(Ru를 포함하는 막)이 바람직하다. Ru 함유막은, Ru의 단체, Ru의 합금, Ru의 산화물, Ru의 질화물, 또는 Ru의 산질화물을 포함하는 것이 바람직하다.
천이 금속 함유물로서는, Ru 함유물이 바람직하다. Ru 함유물은, Ru의 단체, Ru의 합금, Ru의 산화물, Ru의 질화물, 또는 Ru의 산질화물을 포함하는 것이 바람직하다.
층간 절연막 및 메탈 하드 마스크로서는, 공지의 재료가 선택된다.
또한, 도 4에 있어서는, 메탈 하드 마스크를 이용하는 양태에 대하여 설명했지만, 공지의 포토레지스트 재료를 이용하여 형성되는 레지스트 마스크를 이용해도 된다.
공정 A4의 구체적인 방법으로서는, 약액과 상기 피처리물을 접촉시키는 방법을 들 수 있다.
약액과 배선 기판의 접촉 방법은, 상술한 바와 같다.
약액과 배선 기판의 접촉 시간 및 약액의 온도의 적합 범위는, 상술한 바와 같다.
<공정 A5>
공정 A로서는, 약액을 이용하여 화학적 기계적 연마 처리(CMP: chemical mechanical polishing) 후의 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A5를 들 수 있다.
절연막의 평탄화, 접속 구멍의 평탄화, 및 다마신 배선 등의 제조 공정에 CMP 기술이 도입되어 있다. CMP 후의 기판은, 다량으로 연마 입자에 이용되는 입자 및 금속 불순물 등에 의하여 오염되는 경우가 있다. 그 때문에, 다음의 가공 단계에 들어가기 전에 이들의 오염물을 제거하고, 세정할 필요가 있다. 따라서, 공정 A5를 실시함으로써, CMP의 피처리물이 천이 금속 함유 배선 또는 천이 금속 함유막을 갖는 경우에 발생하여 기판 상에 부착되는 천이 금속 함유물을 제거할 수 있다.
공정 A5의 피처리물은, 상술한 바와 같이, CMP 후의, 천이 금속 함유물을 갖는 기판을 들 수 있다.
천이 금속 함유물로서는, Ru 함유물이 바람직하다. Ru 함유물은, Ru의 단체, Ru의 합금, Ru의 산화물, Ru의 질화물, 또는 Ru의 산질화물을 포함하는 것이 바람직하다.
공정 A5의 구체적인 방법으로서는, 약액과 상기 피처리물을 접촉시키는 방법을 들 수 있다.
약액과 배선 기판의 접촉 방법은, 상술한 바와 같다.
약액과 배선 기판의 접촉 시간 및 약액의 온도의 적합 범위는, 상술한 바와 같다.
<공정 C>
본 처리 공정은, 상기 공정 A 후에, 필요에 따라, 린스액을 이용하여, 공정 A에서 얻어지는 기판에 대하여 린스 처리를 행하는 공정 C를 갖고 있어도 된다.
본 발명의 약액을 기판과 접촉시킴으로써, 본 발명의 약액에서 유래하는 아이오딘 화합물이 기판의 표면 상에 잔존 아이오딘(I 잔사)으로서 부착되는 경우가 있다. 이러한 잔존 아이오딘(I 잔사)이 이후의 프로세스 및/또는 최종 제품에 악영향을 줄 우려가 있다. 린스 공정을 행함으로써, 기판의 표면으로부터 잔존 아이오딘(I 잔사)을 제거할 수 있다.
린스액으로서는, 예를 들면 불산, 염산, 과산화 수소수, 불산과 과산화 수소수의 혼합액, 황산과 과산화 수소수의 혼합액, 암모니아수와 과산화 수소수의 혼합액, 염산과 과산화 수소수의 혼합액, 이산화 탄소수, 오존수, 수소수, 시트르산 수용액, 황산, 암모니아수, 아이소프로필알코올, 차아염소산 수용액, 왕수, 초순수, 질산, 과염소산, 옥살산 수용액, 또는 오쏘과아이오딘산 수용액이 바람직하다. 린스 공정의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 이들의 린스액을 혼합하여 사용해도 된다.
또한, 불산, 질산, 과염소산, 및 염산은, 각각 HF, HNO3, HClO4, 및 HCl이, 물에 용해된 수용액을 의도한다.
황산은, H2SO4가 물에 용해된 수용액이어도 된다.
오존수, 이산화 탄소수, 및 수소수는, 각각 O3, CO2, 및 H2를 물에 용해시킨 수용액을 의도한다.
그 중에서도, 린스액으로서는, 린스 공정 후의 기판 표면에 있어서의 잔존 아이오딘을 보다 감소시키는 점에서, 이산화 탄소수, 오존수, 수소수, 불산, 시트르산 수용액, 염산, 황산, 암모니아수, 과산화 수소수, SPM, APM, HPM, IPA, 차아염소산 수용액, 왕수, 또는 FPM이 바람직하고, 불산, 염산, 과산화 수소수, SPM, APM, HPM, 또는 FPM이 보다 바람직하다.
공정 C의 구체적인 방법으로서는, 린스액과, 피처리물인 공정 A에서 얻어지는 기판을 접촉시키는 방법을 들 수 있다.
접촉시키는 방법으로서는, 탱크에 넣은 린스액 중에 기판을 침지하는 방법, 기판 상에 린스액을 분무하는 방법, 기판 상에 린스액을 흘려보내는 방법, 또는 그들의 임의로 조합한 방법으로 실시된다.
처리 시간(린스액과 피처리물과의 접촉 시간)은 특별히 제한되지 않지만, 5초~5분간이다.
처리 시의 린스액의 온도는 특별히 제한되지 않지만, 16~60이 바람직하고, 18~40℃가 보다 바람직하다.
또, 본 처리 방법은, 공정 C 후에, 필요에 따라, 건조 처리를 실시하는 공정 D를 갖고 있어도 된다. 건조 처리의 방법은 특별히 제한되지 않지만, 스핀 건조, 기판 상에서의 건조 가스의 유동, 기판의 가열 수단 예를 들면 핫플레이트 또는 적외선 램프에 의한 가열, IPA(아이소프로필알코올) 증기 건조, 마랑고니 건조, 로터고니 건조, 또는 그들의 조합을 들 수 있다.
건조 시간은, 이용하는 특정 방법에 따라 바뀌지만, 통례는 30초~몇분 정도이다.
본 처리 방법은, 기판에 대하여 행해지는 그 외의 공정의 전 또는 후에 조합하여 실시해도 된다. 본 처리 방법을 실시하는 중에 그 외의 공정에 도입해도 되고, 그 외의 공정 중에 본 발명의 처리 방법을 도입하여 실시해도 된다.
그 외의 공정으로서는, 예를 들면 금속 배선, 게이트 구조, 소스 구조, 드레인 구조, 절연층, 강자성층 및/또는 비자성층 등의 각 구조의 형성 공정(층 형성, 에칭, 화학 기계 연마, 변성 등), 레지스트의 형성 공정, 노광 공정 및 제거 공정, 열처리 공정, 세정 공정, 및 검사 공정 등을 들 수 있다.
본 처리 방법에 있어서, 연구 최종 단계 프로세스(BEOL: Back end of the line) 중에서 행해도 되고, 프런트 엔드 프로세스(FEOL: Front end of the line) 중에서 행해도 되지만, 본 발명의 효과를 보다 발휘할 수 있는 관점에서, 프런트 엔드 프로세스 중에서 행하는 것이 바람직하다.
실시예
이하에 실시예에 근거하여 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 및 처리 절차 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 실시예에 의하여 제한적으로 해석되어서는 안된다.
<<실시예 A>>
[약액의 조제]
하기 표 1에 기재된 배합으로 각 시험에 적용하는 약액을 각각 조제했다.
이하에, 약액의 조제에 이용한 과아이오딘산, 특정 화합물, 및 pH 조정제에 대하여, 표 1 중에서 사용한 약호의 의미를 나타낸다.
(과아이오딘산)
오쏘: 오쏘과아이오딘산
메타: 메타과아이오딘산
(특정 화합물)
TMAI: 테트라메틸암모늄아이오딘화물
TEAI: 테트라에틸암모늄아이오딘화물
TBAI: 테트라뷰틸암모늄아이오딘화물
TMAIO3: 테트라메틸암모늄아이오딘산
TEAIO3: 테트라에틸암모늄아이오딘산
TBAIO3: 테트라뷰틸암모늄아이오딘산
(pH 조정제)
TMAH: 테트라메틸암모늄 수산화물
TEAH: 테트라에틸암모늄 수산화물
TBAH: 테트라뷰틸암모늄 수산화물
DGA: 다이글라이콜아민
AH212: 비스하이드록시에틸다이메틸암모늄 수산화물(욧카이치 합성 주식회사제)
[시험]
시판의 실리콘 웨이퍼(직경: 12인치)의 한쪽의 표면 상에, CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의하여 루테늄층을 형성한 기판을 각각 준비했다. 루테늄층의 두께는 15nm로 했다.
얻어지는 기판을, 약액을 채운 용기에 넣고, 약액을 교반하여 루테늄층의 제거 처리를 실시했다. 약액의 온도는 60℃로 했다.
[평가]
<용해능>
루테늄층이 소실되기까지 필요로 한 시간(제거 소요 시간)을 측정하고, 하기 기준에 적용시켜 약액의 용해능을 평가했다.
또한, 제거 소요 시간이 짧을수록, 약액의 용해능이 우수하다.
A: 제거 소요 시간≤30초
B: 30초<제거 소요 시간≤45초
C: 45초<제거 소요 시간≤60초
D: 60초<제거 소요 시간≤120초
E: 120초<제거 소요 시간
<평활성>
용해능의 평가에서 확인된 제거 소요 시간의 절반의 시간만큼 제거 처리를 실시한 시점에서 제거 처리를 중단하고, 루테늄층의 표면을 주사형 전자 현미경으로 관찰하여, 피처리부의 평활성을 하기 기준으로 평가했다.
또한, 용해능의 평가가 E인 약액을 이용한 경우는, 120초간 제거 처리를 행한 시점에서의, 루테늄층의 표면을 주사형 전자 현미경으로 관찰하여 평활성을 평가했다.
A: 루테늄층의 표면이 매끄럽고, 러프니스가 없다.
B: 루테늄층의 표면이 매끄럽고, 거의 러프니스가 없다.
C: 루테늄층의 표면이 매끄럽고, 약간 러프니스가 있다(B보다 러프니스가 많다).
D: 루테늄층의 표면에 거침이 있지만, 허용 레벨.
E: 루테늄층의 표면이 거칠다.
결과를 하기 표에 나타낸다.
"특정 화합물의 함유량"의 란에 기재된 숫자는 약액의 전체 질량에 대한, 특정 화합물의 함유량의 질량 백분율을 나타낸다.
pH 조정제는, 각 pH 조정제를, 약액이 목적으로 하는 pH가 되는 양을 첨가했다.
약액의 잔부는 물이다.
[표 1]
Figure 112020071842187-pct00002
표에 나타내는 결과로부터, 본 발명의 약액은, 천이 금속 함유물에 대한 우수한 용해능을 갖고, 또한 피처리부의 우수한 평활성을 실현할 수 있는 것이 확인되었다.
약액의 용해능이 보다 우수한 점에서는, 과아이오딘산류의 함유량(합계 함유량)은, 0.1질량% 초과가 바람직하고, 0.5질량% 초과가 보다 바람직하며, 2.0질량% 초과가 더 바람직하고, 8.0질량% 초과가 특히 바람직한 것이 확인되었다(실시예 A3, A4, A21, 및 A25~27의 비교).
피처리부의 평활성이 보다 우수한 점에서는, 과아이오딘산의 함유량은, 35.0질량% 이하가 바람직하고, 15.0질량% 미만이 보다 바람직한 것이 확인되었다(실시예 A2~6의 비교).
약액의 평활성이 보다 우수한 점에서, 특정 화합물의 함유량은, 0.01질량% 초과가 바람직한 것이 확인되었다(실시예 A3과 A7과의 비교).
약액의 용해능과 피처리부의 평활성이 보다 양호한 밸런스로 우수한 점에서, 특정 화합물로서 IO3 -을 포함하는 화합물이 바람직한 것이 확인되었다(실시예 A1과 A3의 비교 등).
피처리부의 평활성이 보다 우수한 점에서는, 특정 화합물에 포함되는 양이온이, H+, TMA+, TEA+, 및 TBA+(보다 바람직하게는 H+)인 것이 바람직한 것이 확인되었다(실시예 A2, A3, 및 A16~A19의 비교).
또, 약액의 용해능이 보다 우수한 점에서, 약액의 pH가 8.0 미만인 것이 바람직한 것이 확인되었다(실시예 A22와 A23의 비교).
그 중에서도, 약액의 pH가 1.0초 6.0 이하(보다 바람직하게는 3.0 이상 5.0 이하)인 경우, 약액의 용해능과 피처리부의 평활성이 보다 양호한 밸런스로 우수한 것이 확인되었다(실시예 A2, A3, 및 A20~A22의 비교. 실시예 A24, A25, 및 A28의 비교).
약액의 용해능이 보다 우수한 점에서, pH 조정제로서 TMAH, TEAH, TBAH, 암모니아수, 및 DGA가 바람직한 것이 확인되었다(실시예 A25 및 A30~A37의 비교).
또한, 피처리부의 평활성이 보다 우수한 점에서는, pH 조정제로서 TEAH 및 AH212(비스하이드록시에틸다이메틸암모늄 수산화물)가 바람직하고, AH212가 보다 바람직한 것이 확인되었다(실시예 A25 및 A30~A37의 비교. 실시예 A20 및 A40의 비교).
<<실시예 B>>
[시험]
실시예 A3의 약액을 이용하여, 실시예 A와 동일한 방법으로, 루테늄층이 소실될 때까지 루테늄층의 제거 처리를 실시했다.
루테늄층의 제거 처리의 실시 후의 기판을, 또한 하기 표에 나타내는 린스액을 채운 용기에 넣고, 0.5분간 린스액을 교반하여 린스 공정을 실시했다. 린스액의 온도는 25℃로 했다.
이하에, 린스액에 대하여 표 중에서 사용한 약호와 함유량의 의미를 나타낸다.
실시예 B에 있어서,
이산화 탄소수, 오존수, 및 수소수는, 각각 물에, CO2, 오존, 및 H2를 50질량ppm, 30질량ppm, 및 15질량ppm 용해시킨 수용액을 의미한다.
불산, 시트르산 수용액, 염산, 황산, 암모니아수, 과산화 수소수, 및 차아염소산 수용액은, 린스액전체 질량에 대한, HF, 시트르산, HCl, H2SO4, NH3, H2O2, 및 HClO의 함유량이, 각각 "함유량"의 란에 기재한 값의 질량 백분율(질량%)이 되도록, 각 화합물을 물에 용해시킨 수용액을 의미한다.
IPA는, 아이소프로필알코올을 의미한다.
왕수는, 37질량% 염산:60질량% 질산=3:1(체적비)의 배합으로 얻어지는 왕수인 것을 의미한다.
SPM은, 98질량% 황산:31질량% 과산화 수소수=3:1(체적비)의 배합으로 얻어지는 혼합액을 의미한다.
APM은, 28질량% 암모니아 수용액:31질량% 과산화 수소수: 수=1:1:5(체적비)의 배합으로 얻어지는 혼합액을 의미한다.
HPM은, 37질량% 염산 수용액:31질량% 과산화 수소수: 수=1:1:5(체적비)의 배합으로 얻어지는 혼합액을 의미한다.
FPM은, 49질량% 불산:31질량% 과산화 수소수: 수=1:1:5(체적비)의 배합으로 얻어지는 혼합액을 의미한다.
[평가]
<I 잔사>
린스 공정을 실시한 후의 기판 표면을 전반사 형광 X선 장치(장치명; TREX-610 Tecnos(주)제)로 측정하고, 표면의 아이오딘 원자 농도(I 원자 농도)를 측정하여, 이하의 기준에 따라 평가했다.
A: I 원자 농도≤1.0×108원자/cm2
B: 1.0×108원자/cm2<I 원자 농도≤1.0×1010원자/cm2
C: 1.0×1010원자/cm2<I 원자 농도
결과를 하기 표에 나타낸다.
[표 2]
Figure 112020071842187-pct00003
표에 나타내는 결과로부터, 린스 공정 후의 기판 표면에 있어서의 잔존 아이오딘 원자를 감소시키는 점에서, 린스액으로서 이산화 탄소수, 오존수, 수소수, 불산, 시트르산 수용액, 염산, 황산, 암모니아수, 과산화 수소수, SPM, APM, HPM, IPA, 차아염소산 수용액, 왕수, 또는 FPM이 바람직하고, 불산, 염산, 과산화 수소수, SPM, APM, HPM, 또는 FPM이 보다 바람직한 것이 확인되었다.
<<실시예 C>>
[시험]
8인치 실리콘 웨이퍼 상에, 스토퍼막, 및 층간 절연막(SiO2)을, 이 순서로 형성했다. 이 실리콘 웨이퍼의 층간 절연막에 배선 홈(폭: 50nm, 깊이: 400nm)을 형성한 후, 전체면에 질화 타이타늄(TiN)막으로 이루어지는 배리어 메탈층을 스퍼터링법에 의하여 5nm 퇴적하고, 또한 배선 홈을 충전할 때까지 루테늄층을 퇴적시켰다. 그 후, 루테늄층 및 배리어 메탈층에 대하여, 층간 절연막이 노출될 때까지 CMP 처리했다. 얻어진 기판은, 층간 절연막의 배선 홈의 내벽을 따라 배리어 메탈층을 갖고, 더 그 내측이 루테늄층으로 충전된 기판이다.
이 기판을, 실시예 A3의 약액을 채운 용기에 넣고, 약액을 교반하여 루테늄층의 제거 처리(배선의 리세스 에칭 처리)를 실시했다. 제거 처리는, 루테늄이 배선 홈의 절반의 높이까지 충전되어 있는 상태가 될 때까지 행했다.
그 후, 기판을, 하기 표에 기재된 특정 용액을 채운 용기에 넣고, 액을 교반하여, 루테늄층이 제거됨으로써 표면에 노출된 배리어 메탈층의 제거 처리(특정 용액을 이용한 처리 공정)를 행했다. 이때의, 특정 용액의 온도는 60℃였다.
또한, 특정 용액에 대하여 사용한, FPM, SPM, APM, 및 HPM은, 실시예 B에서 사용한 그것들과 동일하다.
[평가]
<TiN 용해능>
표면에 노출된 배리어 메탈층이 소실되기까지 필요로 한 시간(제거 소요 시간)을 측정하고, 하기 기준에 적용시켜 특정 용액의 TiN 용해능을 평가했다.
또한, 제거 소요 시간이 짧을수록, 특정 용액의 TiN 용해능이 우수하다.
A: 제거 소요 시간≤1분
B: 1분<제거 소요 시간≤3분
C: 3분<제거 소요 시간
<계면 러프니스>
표면에 노출된 배리어 메탈층의 제거 처리를 행한 후의 기판에 있어서의, 루테늄층과 배리어 메탈층의 계면(경계선)을, 기판의 법선 방향으로부터 주사형 전자 현미경을 이용하여 관찰하고, 계면의 러프니스(경계선에 있어서의 함몰 등)를 하기 기준으로 평가했다.
A: 계면에 결함이 없고, 러프니스가 없다.
B: 계면에 결함이 없고, 거의 러프니스가 없다.
C: 계면에 약간의 결함을 볼 수 있으며, 약간 러프니스가 있다(B보다 러프니스가 많지만 허용 레벨).
결과를 하기 표에 나타낸다.
[표 3]
Figure 112020071842187-pct00004
표에 나타내는 결과로부터, TiN 용해능의 점에서, SPM, APM, 또는 HPM이 바람직한 것이 확인되었다.
루테늄층과 배리어 메탈층과의 계면의 러프니스의 점에서는, APM, HPM, 또는 FPM이 바람직하고, APM이 보다 바람직한 것이 확인되었다.
<<실시예 D>>
[시험]
루테늄층 대신에, 표 4에 나타내는 각종 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 층을 형성한 기판에 대하여, 실시예 A에 있어서의 실시예 21의 약액과 동일한 배합의 약액을 이용하여, 실시예 A와 동일한 시험을 행했다.
[평가]
<용해능>
각종 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 층이 소실되기까지 필요로 한 시간(제거 소요 시간)을 측정하고, 실시예 A와 동일한 기준에 적용시켜 약액의 용해능을 평가했다.
결과를 하기 표에 나타낸다.
[표 4]
Figure 112020071842187-pct00005
표에 나타내는 결과로부터, 본 발명의 약액은 폭넓은 천이 금속 및 천이 금속 화합물에 대하여 적용할 수 있는 것이 확인되었다.
<<실시예 E>>
[실시예 E1]
실리콘 웨이퍼 상에, 루테늄층, SiOC계 층간 절연막, SiO2막, 및 개구부를 갖는 메탈 하드 마스크(TiN)를 순차로 성막하고, 메탈 하드 마스크를 마스크로서 드라이 에칭을 행하여, 바닥부에 루테늄층이 노출된 비아 홀을 형성하고, 패턴 포함 기판을 얻었다.
얻어지는 패턴 포함 기판을 실시예 A에 있어서의 실시예 21의 약액에 60℃하에서, 1분 침지 처리를 실시했다. 침지 후, 패턴 포함 기판을, 즉시 초순수로 수세, N2 건조를 행했다. 패턴 포함 기판의 단면 및 표면을 주사형 전자 현미경으로 확인한바, 비아 홀 내부에는 드라이 에칭 잔사는 확인되지 않았다.
한편, 상기 처리를 행하지 않은 패턴 포함 기판을, 주사형 전자 현미경 및 형광 X선 분석 장치를 이용하여 확인한바, 비아 홀 내벽에 루테늄을 포함하는 드라이 에칭 잔사가 확인되었다.
[실시예 E2]
실시예 A에서 사용한 루테늄층을 형성한 기판을 회전시켜, 실시예 A에 있어서의 실시예 21의 약액을, 회전하는 기판의 기판 단연(端緣)으로부터 5mm의 위치에 배치한 노즐로부터 60초간 분사하는 처리를 행했다.
처리 후의 기판을 확인한바, 기판의 외연부에 형성되어 있던 루테늄층이 소실되어 있는 것이 확인되었다.
[실시예 E3]
실시예 A에서 사용한 루테늄층을 형성한 기판을 회전시켜, 실시예 A에 있어서의 실시예 21의 약액을, 회전하는 기판의 루테늄층 측과는 반대 측에 배치한 노즐로부터 60초간 분사하는 처리를 행했다.
처리 후의 기판을 확인한바, 기판의 이면에는 루테늄 함유물은 존재하고 있지 않았다.
10a 배선의 리세스 에칭 처리 전의 배선 기판
10b 배선의 리세스 에칭 처리 후의 배선 기판
12 층간 절연막
14 배리어 메탈층
16 천이 금속 함유 배선
18 오목부
20, 30 피처리물
22 기판
24 천이 금속 함유막
26 외연부
32 기판
34 천이 금속 함유막
36 에칭 정지층
38 층간 절연막
40 메탈 하드 마스크
42 홀
44 내벽
44a 단면벽
44b 바닥벽
46 드라이 에칭 잔사

Claims (24)

  1. 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하기 위하여 이용되는 약액으로서,
    과아이오딘산 및 그 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 과아이오딘산류와,
    IO3 -, I-, 및 I3 -으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 음이온을 포함하는 화합물을 포함하고,
    상기 과아이오딘산류가, 오쏘과아이오딘산, 오쏘과아이오딘산의 염, 메타과아이오딘산, 및 메타과아이오딘산의 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하고,
    상기 음이온을 포함하는 화합물의 함유량이, 상기 약액 전체 질량에 대하여, 5질량ppb~1질량%인, 약액.
  2. 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하기 위하여 이용되는 약액으로서,
    과아이오딘산 및 그 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 과아이오딘산류와,
    IO3 -, I-, 및 I3 -으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 음이온을 포함하는 화합물을 포함하고,
    상기 음이온을 포함하는 화합물의 함유량이, 상기 약액 전체 질량에 대하여, 5질량ppb~1질량%이고,
    상기 천이 금속 함유물이, Ru, Ti, Ta, Co, Cr, Hf, Os, Pt, Ni, Mn, Cu, Zr, Mo, La, W, 및 Ir로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는,약액.
  3. 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하기 위하여 이용되는 약액으로서,
    과아이오딘산 및 그 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 과아이오딘산류와,
    IO3 -, I-, 및 I3 -으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 음이온을 포함하는 화합물을 포함하고,
    상기 음이온을 포함하는 화합물의 함유량이, 상기 약액 전체 질량에 대하여, 5질량ppb~1질량%이고,
    pH 조정제를 더 포함하는, 약액.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 과아이오딘산류의 함유량이, 상기 약액 전체 질량에 대하여, 37.0질량% 이하인, 약액.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 과아이오딘산류의 함유량이, 상기 약액 전체 질량에 대하여, 2.0~8.0질량%인, 약액.
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 과아이오딘산류의 함유량에 대한, 상기 음이온을 포함하는 화합물의 함유량의 비가, 1×100~1×108인, 약액.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 음이온을 포함하는 화합물이, 아이오딘산, 테트라메틸암모늄아이오딘산, 테트라에틸암모늄아이오딘산, 테트라뷰틸암모늄아이오딘산, 아이오딘산 암모늄, 아이오딘화 수소, 테트라메틸암모늄아이오딘화물, 테트라에틸암모늄아이오딘화물, 테트라뷰틸암모늄아이오딘화물, 아이오딘화 암모늄, 및 삼아이오딘화 질소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 약액.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 음이온을 포함하는 화합물이, 수소 양이온, 테트라메틸암모늄 양이온, 테트라에틸암모늄 양이온, 및 테트라뷰틸암모늄 양이온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 양이온을 포함하는, 약액.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 천이 금속 함유물이, Ru, Ti, Ta, Co, Cr, Hf, Os, Pt, Ni, Mn, Cu, Zr, Mo, La, W, 및 Ir로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 약액.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 천이 금속 함유물이, Ru 함유물을 포함하는, 약액.
  11. 청구항 1에 있어서,
    pH 조정제를 더 포함하는, 약액.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 pH 조정제가, 테트라메틸암모늄 수산화물, 테트라에틸암모늄 수산화물, 테트라뷰틸암모늄 수산화물, 암모니아수, 수용성 아민, 황산, 염산, 아세트산, 질산, 불산, 과염소산, 및 차아염소산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 약액.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 pH 조정제가, 테트라메틸암모늄 수산화물, 테트라에틸암모늄 수산화물, 테트라뷰틸암모늄 수산화물, 암모니아수, 및 수용성 아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 약액.
  14. 청구항 1에 있어서,
    pH가 8.0 미만인, 약액.
  15. 청구항 1에 있어서,
    pH가 2.5~5.0인, 약액.
  16. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 약액을 이용하여, 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A를 갖는, 기판의 처리 방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 천이 금속 함유물이, Ru 함유물을 포함하는, 기판의 처리 방법.
  18. 청구항 16에 있어서,
    상기 공정 A가, 상기 약액을 이용하여 기판 상에 배치된 천이 금속 함유 배선을 리세스 에칭 처리하는 공정 A1, 상기 약액을 이용하여 천이 금속 함유막이 배치된 기판의 외연부의 상기 천이 금속 함유막을 제거하는 공정 A2, 상기 약액을 이용하여 천이 금속 함유막이 배치된 기판의 이면에 부착되는 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A3, 상기 약액을 이용하여 드라이 에칭 후의 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A4, 또는 상기 약액을 이용하여 화학적 기계적 연마 처리 후의 기판 상의 천이 금속 함유물을 제거하는 공정 A5인, 기판의 처리 방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 공정 A가, 상기 공정 A1이며,
    상기 공정 A1 후, 불산과 과산화 수소수의 혼합액, 황산과 과산화 수소수의 혼합액, 암모니아수와 과산화 수소수의 혼합액, 및 염산과 과산화 수소수의 혼합액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용액을 이용하여, 상기 공정 A1에서 얻어진 상기 기판을 처리하는 공정 B를 더 갖는, 기판의 처리 방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 공정 A1과 상기 공정 B를 교대로 반복하여 행하는, 기판의 처리 방법.
  21. 청구항 16에 있어서,
    상기 공정 A 후, 린스액을 이용하여, 상기 공정 A에서 얻어진 상기 기판에 대하여 린스 처리를 행하는 공정 C를 더 갖는, 기판의 처리 방법.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 린스액이, 불산, 염산, 과산화 수소수, 불산과 과산화 수소수의 혼합액, 황산과 과산화 수소수의 혼합액, 암모니아수와 과산화 수소수의 혼합액, 염산과 과산화 수소수의 혼합액, 이산화 탄소수, 오존수, 수소수, 시트르산 수용액, 황산, 암모니아수, 아이소프로필알코올, 차아염소산 수용액, 왕수, 초순수, 질산, 과염소산, 옥살산 수용액, 및 오쏘과아이오딘산 수용액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 용액인, 기판의 처리 방법.
  23. 청구항 16에 있어서,
    상기 약액의 온도가 20~75℃인, 기판의 처리 방법.
  24. 청구항 16에 기재된 기판의 처리 방법을 이용한, 반도체 제품의 제조 방법.
KR1020207020048A 2018-01-12 2018-12-19 약액, 기판의 처리 방법 KR102463391B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227037871A KR102541313B1 (ko) 2018-01-12 2018-12-19 약액, 기판의 처리 방법

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-003471 2018-01-12
JP2018003471 2018-01-12
PCT/JP2018/046714 WO2019138814A1 (ja) 2018-01-12 2018-12-19 薬液、基板の処理方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227037871A Division KR102541313B1 (ko) 2018-01-12 2018-12-19 약액, 기판의 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200093059A KR20200093059A (ko) 2020-08-04
KR102463391B1 true KR102463391B1 (ko) 2022-11-04

Family

ID=67218347

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207020048A KR102463391B1 (ko) 2018-01-12 2018-12-19 약액, 기판의 처리 방법
KR1020227037871A KR102541313B1 (ko) 2018-01-12 2018-12-19 약액, 기판의 처리 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227037871A KR102541313B1 (ko) 2018-01-12 2018-12-19 약액, 기판의 처리 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11274250B2 (ko)
JP (3) JP6916306B2 (ko)
KR (2) KR102463391B1 (ko)
CN (1) CN111630632B (ko)
IL (1) IL275776B2 (ko)
SG (1) SG11202006176YA (ko)
TW (1) TWI806952B (ko)
WO (1) WO2019138814A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020123126A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-18 Entegris, Inc. Ruthenium etching composition and method
JP6670917B1 (ja) * 2018-12-18 2020-03-25 東京応化工業株式会社 エッチング液、被処理体の処理方法、及び半導体素子の製造方法。
US11898081B2 (en) 2019-11-21 2024-02-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Ruthenium-etching solution, method for manufacturing ruthenium-etching solution, method for processing object to be processed, and method for manufacturing ruthenium-containing wiring
KR20220088897A (ko) 2020-01-28 2022-06-28 후지필름 가부시키가이샤 조성물, 기판의 처리 방법
KR20230008748A (ko) * 2020-05-15 2023-01-16 후지필름 가부시키가이샤 세정액, 반도체 기판의 세정 방법
KR20230043911A (ko) 2020-08-24 2023-03-31 후지필름 가부시키가이샤 처리액, 기판의 처리 방법
KR20230142800A (ko) * 2021-03-17 2023-10-11 후지필름 가부시키가이샤 조성물, 기판의 처리 방법
WO2023054233A1 (ja) * 2021-09-30 2023-04-06 富士フイルム株式会社 組成物および被処理物の処理方法
JP2023090381A (ja) * 2021-12-17 2023-06-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004042473A2 (en) 2002-11-01 2004-05-21 3M Innovative Properties Company Ionic photoacid generators with segmented hydrocarbon-fluorocarbon sulfonate anions
KR100907767B1 (ko) * 1999-08-31 2009-07-15 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 집적 회로 장치의 양산 방법 및 전자 디바이스의제조 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2792550B2 (ja) * 1994-03-31 1998-09-03 株式会社フロンテック エッチング剤
JP4094110B2 (ja) * 1998-04-14 2008-06-04 エルジー．フィリップス エルシーデー カンパニー，リミテッド エッチング剤
JP4306827B2 (ja) * 1998-04-14 2009-08-05 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド エッチング剤
JP3619745B2 (ja) * 1999-12-20 2005-02-16 株式会社日立製作所 固体表面の処理方法及び処理液並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法
JP2002016053A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US20050165073A1 (en) * 2002-05-29 2005-07-28 Wan-Pyo Hong Isothiazolone composition and method for stabilizing isothiazolone
EP1507771A4 (en) 2002-05-29 2006-08-30 Sk Chemicals Co Ltd ISOTHIAZOLON COMPOSITION AND METHOD FOR STABILIZING ISOTHIAZOLONE
US20050070109A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Feller A. Daniel Novel slurry for chemical mechanical polishing of metals
CN101233601A (zh) * 2005-06-13 2008-07-30 高级技术材料公司 在金属硅化物形成后用于选择性除去金属或金属合金的组合物及方法
EP2833392B1 (en) * 2012-03-30 2017-07-05 Nitta Haas Incorporated Polishing composition
JPWO2016052384A1 (ja) * 2014-09-30 2017-05-25 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、上層膜形成用組成物、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法
JP6460729B2 (ja) * 2014-10-31 2019-01-30 富士フイルム株式会社 基板処理方法、及び、半導体素子の製造方法
WO2016068183A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 富士フイルム株式会社 ルテニウム除去組成物、及び、磁気抵抗メモリの製造方法
US9505952B2 (en) * 2015-03-05 2016-11-29 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing ceria abrasive

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100907767B1 (ko) * 1999-08-31 2009-07-15 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 집적 회로 장치의 양산 방법 및 전자 디바이스의제조 방법
WO2004042473A2 (en) 2002-11-01 2004-05-21 3M Innovative Properties Company Ionic photoacid generators with segmented hydrocarbon-fluorocarbon sulfonate anions

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021170664A (ja) 2021-10-28
US20200347299A1 (en) 2020-11-05
JP6916306B2 (ja) 2021-08-11
CN111630632B (zh) 2023-09-08
IL275776A (en) 2020-08-31
IL275776B1 (en) 2023-01-01
KR20200093059A (ko) 2020-08-04
SG11202006176YA (en) 2020-07-29
IL275776B2 (en) 2023-05-01
JP7247277B2 (ja) 2023-03-28
KR20220151221A (ko) 2022-11-14
TWI806952B (zh) 2023-07-01
CN111630632A (zh) 2020-09-04
US11274250B2 (en) 2022-03-15
KR102541313B1 (ko) 2023-06-13
JP2023078285A (ja) 2023-06-06
WO2019138814A1 (ja) 2019-07-18
TW201930581A (zh) 2019-08-01
JPWO2019138814A1 (ja) 2020-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102463391B1 (ko) 약액, 기판의 처리 방법
JP7301055B2 (ja) 薬液、基板の処理方法
US11479863B2 (en) Chemical solution and method for treating substrate
WO2022049973A1 (ja) 組成物、基板の処理方法
US11239093B2 (en) Method for treating substrate, method for manufacturing semiconductor device, and kit for treating substrate
JP7405872B2 (ja) 組成物、基板の処理方法
TW202108753A (zh) 清洗劑組成物
TWI837170B (zh) 藥液、基板的處理方法
WO2022050273A1 (ja) 組成物、基板の処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant