JP2013211346A - レジスト密着性向上剤及び銅配線製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機酸を1.5〜20重量%、塩化物イオンを0.0007〜0.73重量%、アンモニウムイオンを0.00003〜3.7重量%及び残部の水を含有し、かつ、アンモニウムイオンに対する塩化物イオンのモル濃度比が、0.1〜10の範囲であるレジスト密着性向上剤、これを用いた銅配線製造方法において、銅膜表面を処理した後、銅膜上に感光性レジスト膜を形成することにより感光性レジストの銅膜表面への密着性を良好にする。
【選択図】図1
Description
本発明はまた、基板表面に形成した銅膜上に感光性レジスト膜を形成する工程、及び、感光性レジスト膜へパターンマスクを介して露光し、現像してなる、レジスト膜が除去された銅膜部分を、エッチング液でエッチングする工程、を含む銅配線製造方法において、銅膜上に感光性レジスト膜を形成する際、上記レジスト密着性向上剤を用いて、銅膜表面を処理した後、銅膜上に感光性レジスト膜を形成することを特徴とする銅配線製造方法である。
界面活性剤等を挙げることができる。
(1)有機酸が1.5重量%以上20重量%以下、塩化物イオンが0.0007重量%以上0.73重量%以下、アンモニウムイオンが0.00003重量%以上3.7重量%以下、及び残部の水を含有し、アンモニウムイオンに対する塩化物イオンのモル濃度比が0.1以上10以下の範囲であるレジスト密着性向上剤。
(2)有機酸が1.5重量%以上20重量%以下、塩化物イオンが0.0007重量%以上0.73重量%以下、アンモニウムイオンが0.00003重量%以上0.74重量%以下、及び残部の水を含有し、アンモニウムイオンに対する塩化物イオンのモル濃度比が0.5以上5以下であるレジスト密着性向上剤。
(3)有機酸が1.5重量%以上17重量%以下、塩化物イオンが0.0007重量%以上0.73重量%以下、アンモニウムイオンが0.00003重量%以上3.7重量%以下、及び残部の水を含有し、アンモニウムイオンに対する塩化物イオンのモル濃度比が0.1以上10以下であるレジスト密着性向上剤。
(4)有機酸が3重量%以上7重量%以下であり、塩化物イオンとアンモニウムイオンの合計量が0.00076〜1.07重量%であり、アンモニウムイオンに対する塩化物イオンのモル濃度比が0.6以上4.9以下であるレジスト密着性向上剤。
(5)有機酸が1.5重量%以上17重量%以下であり、塩化物イオンとアンモニウムイオンの合計量が0.00077〜4.42重量%であり、アンモニウムイオンに対する塩化物イオンのモル濃度比が0.1以上5以下であるレジスト密着性向上剤。
Si基板上にTi膜を形成し、さらに銅膜(1000Å)を形成した基板を、2カ月間、23℃で静置し、銅表面に汚染を付与した。その基板を35℃の評価液に2分間浸漬させた後、常法によって、感光性レジスト膜を形成し、マスクを介して露光後、レジストの現像を行い、レジストが除去された銅膜部分のエッチング液によるエッチングを施した。得られたエッチング形状について、走査型電子顕微鏡を用いた断面形状観察により、エッチングによるサイドエッチング量を比較した。なお、サイドエッチング量は比較例1(評価液は純水)と比較して相対的な数値を以下記号で記載した。
AAA:比較例1の60%未満のサイドエッチング量
AA:比較例1の60%以上、80%未満のサイドエッチング量
A:比較例1の80%以上、100%未満のサイドエッチング量
B:比較例1の100%以上、120%未満のサイドエッチング量
C:比較例1の120%以上のサイドエッチング量
Claims (11)
- 有機酸を1.5〜20重量%、塩化物イオンを0.0007〜0.73重量%、アンモニウムイオンを0.00003〜3.7重量%及び残部の水を含有し、かつ、アンモニウムイオンに対する塩化物イオンのモル濃度比が、0.1〜10の範囲であるレジスト密着性向上剤。
- アンモニウムイオンに対する塩化物イオンのモル濃度比が、0.5〜5の範囲である請求項1記載のレジスト密着性向上剤。
- 有機酸の含有量は、1.5〜17重量%である請求項1又は2記載のレジスト密着性向上剤。
- 有機酸の含有量は、3〜7重量%である請求項3記載のレジスト密着性向上剤。
- アンモニウムイオンに対する塩化物イオンのモル濃度比が0.6〜4.9の範囲であり、塩化物イオン及びアンモニウムイオンの合計含有量が0.00076〜1.07重量%である請求項4記載のレジスト密着性向上剤。
- 有機酸は、1価カルボン酸又は多価カルボン酸である請求項1〜5のいずれか記載のレジスト密着性向上剤。
- 有機酸は、酢酸、蟻酸、酪酸、クエン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる群から選択される少なくとも1種である請求項6記載のレジスト密着性向上剤。
- 塩化物イオン源は、塩酸及び塩化アンモニウムからなる群から選択される少なくとも1種である請求項1〜7のいずれか記載のレジスト密着性向上剤。
- アンモニウムイオン源は、アンモニア水及び塩化アンモニウムからなる群から選択される少なくとも1種である請求項1〜8のいずれか記載のレジスト密着性向上剤。
- 塩化物イオン及びアンモニウムイオンの供給源として、塩化アンモニウムを用いる請求項1〜7のいずれか記載のレジスト密着性向上剤。
- 基板表面に形成した銅膜上に感光性レジスト膜を形成する工程、及び、感光性レジスト膜へパターンマスクを介して露光し、現像してなる、レジスト膜が除去された銅膜部分を、エッチング液でエッチングする工程、を含む銅配線製造方法において、銅膜上に感光性レジスト膜を形成する際、請求項1〜10のいずれか記載のレジスト密着性向上剤を用いて、銅膜表面を処理した後、銅膜上に感光性レジスト膜を形成することを特徴とする銅配線製造方法。
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