KR20140143780A

KR20140143780A - 레지스트 밀착성 향상제 및 구리 배선 제조 방법

Info

Publication number: KR20140143780A
Application number: KR1020147028201A
Authority: KR
Inventors: 사토루 요시자키; 미즈키 다케이; 히데쿠니 야스에
Original assignee: 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤
Priority date: 2012-03-30
Filing date: 2013-02-28
Publication date: 2014-12-17
Also published as: WO2013146060A1; TW201348887A; JP2013211346A; JP5935163B2; CN104246017A

Abstract

유기산을 1.5 ∼ 20 중량％, 염화물 이온을 0.0007 ∼ 0.73 중량％, 암모늄 이온을 0.00003 ∼ 3.7 중량％ 및 잔부의 물을 함유하고, 또한 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.1 ∼ 10 의 범위인 레지스트 밀착성 향상제 ; 및 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성할 때, 그 레지스트 밀착성 향상제를 사용하여, 구리막 표면을 처리한 후, 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성하는 구리 배선 제조 방법. 이것에 의해, 감광성 레지스트의 구리막 표면에 대한 밀착성이 양호해진다.

Description

레지스트 밀착성 향상제 및 구리 배선 제조 방법{RESIST ADHESION IMPROVER AND METHOD FOR PRODUCING COPPER WIRING LINE}

본 발명은, 액정 디스플레이 (LCD) 나 일렉트로 루미네선스 (EL) 디스플레이 등의 표시 장치 제조 등에 있어서, 기판 표면의 구리막으로부터 구리 배선을 형성하는 공정에서, 구리막 표면에 레지스트막을 형성할 때, 레지스트막의 구리막 표면에 대한 밀착성을 양호하게 하기 위해 실시하는 구리막 표면 처리에 바람직한 레지스트 밀착성 향상제 및 구리 배선 제조 방법에 관한 것이다.

고성능 LCD 나 EL 디스플레이에서는, 알루미늄에 대체하는 배선 재료로서 구리가 사용되기 시작하였다. 구리가 바람직한 이유는, 알루미늄과 비교하여 저항률이 낮고, 배선을 미세화하는 것이 가능하고, 그 때문에, 개구부를 넓게 설계할 수 있고, 또한, 스위칭을 고속으로 구동할 수 있는 것 등의 메리트가 있기 때문이다.

구리 배선을 제조하는 방법으로는, 일반적으로는, 기판 표면에 증착 또는 도금 등에 의해 구리막을 형성한 후, 구리막 상에 대한 감광성의 레지스트막의 형성, 레지스트막에 대한 패턴 마스크를 통한 노광, 노광 후의 레지스트막의 현상, 현상에 의해 레지스트막이 제거된 구리막 부분의 에칭, 그 후의 레지스트막 박리 등을 거쳐, 구리 배선을 형성하는 방법이 사용된다.

이 경우에 있어서, 구리막 표면에 레지스트막을 형성할 때에는, 그 후의 에칭 공정에 있어서 정확히 레지스트 패턴대로의 배선을 형성하기 위해, 구리 표면과 레지스트막의 매우 고도의 밀착성이 요구된다. 종래, 레지스트막을 구리막 상에 양호한 밀착성으로 형성하기 위해 이루어지고 있는 기술적 검토로는, 레지스트의 기술적 과제의 검토와, 구리막의 표면 처리 방법의 검토가 있다.

이 중, 구리막의 표면 처리에 대한 검토로는, 예를 들어 구리막 표면의 오염이나 산화 피막의 제거 처리, 및 구리 표면 조화 처리 등을 들 수 있고, 그 때문에 구리막 표면을 물리 연마하거나, 또는 화학 약품에 의한 화학 연마 (소프트 에칭) 가 실시된다. 물리 연마에 있어서는, 연마를 실시한 브러시나 연마된 표면에 부착된 파티클을 제거할 목적으로 유기산 및 암모늄 화합물을 함유하는 세정액 등이 사용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조.). 특허문헌 1 에 개시된 기술은, 구리에 의한 상호 배선을 CMP 기술로 평탄화한 후, 반도체 기판을 세정하고, 오염물을 제거하는 공정을 포함하는 제조 방법에 있어서 적용하는 것을 목적으로 하는 것이고, 이 오염물로서도, 연마로 발생한 파티클을 포함하는 오염물을 대상으로 하고 있고, 레지스트 도포 전의 구리막 표면 처리에 관해서 조금도 언급이 없을 뿐만 아니라, 오염물을 제거하여 연마에 의한 평탄 표면을 확보하는 것을 목표로 하는 것이고, 레지스트의 밀착성 향상을 도모하는 과제는 전혀 의도되어 있지 않고, 그 가능성도 불명확한 상태이다. 더욱이, LCD 나 EL 디스플레이 제조에 있어서는 기판 사이즈가 크기 때문에, 물리 연마의 적용은 곤란하고, 애초부터 대규모 기판에도 적용 가능한 기술을 개시하는 것은 아니다.

한편, 화학 연마에 있어서는, 불화암모늄 및 아세트산암모늄 등을 함유하는 세정액 (예를 들어, 특허문헌 2 참조.), 황산계 세정액, 염산계 세정액 (예를 들어, 특허문헌 3 참조.) 등의 세정액을 사용하여 화학 처리를 하는 방법 등이 알려져 있다. 특허문헌 2 에 개시된 기술에 있어서는, 드라이 에칭 후의 생성물을 제거할 목적으로 세정액이 사용되고 있고, 에칭 전의 레지스트 패턴 형성 공정에 있어서 사용하는 것을 조금도 의도한 것은 아니며, 그 가능성도 불명확한 상태이다. 또한 특허문헌 3 에 개시된 기술에 있어서는, 구리 표면을 산화하여 형성한 산화 구리층을 개재하여 수지와 접착하는 수지 패키지 제조에 있어서, 도전성을 확보하기 위해 리드 단자의 구리 표면의 산화 구리층을 제거할 목적으로 세정액이 사용되고 있고, 수지와의 접착 강도를 높이기 위해 오히려 산화 구리층을 형성하고 있고, 세정에 의해 레지스트의 밀착성 향상을 도모하는 과제는 전혀 의도되어 있지 않다.

일본 공표특허공보 2002-506295호 일본 공개특허공보 2004-342632호 일본 공개특허공보 2009-260280호

본 발명자에 의한 검토 결과, 이러한 세정액을 사용하여 구리막의 표면 처리를 실시한 기판에 감광성 레지스트막을 형성한 경우, 에칭에 있어서의 사이드 에칭량은, 표면 처리를 실시하지 않은 것과 거의 차이가 없고, 따라서, 레지스트막의 구리 표면에 대한 밀착성 향상에는 기여하지 않는 것으로 판명되었다.

본 발명은, 기판 표면의 구리막 표면 처리에 있어서, 특히, LCD 나 EL 디스플레이 등의 표시 장치 제조 등에 있어서의 구리막으로부터 구리 배선을 형성하는 공정에서, 구리막 표면에 레지스트막을 형성할 때, 레지스트막의 구리막 표면에 대한 밀착성을 양호하게 하고, 에칭액에 의한 에칭시의 사이드 에칭량을 저감시키고, 레지스트 패턴에 충실한 구리 배선을 형성하기 위해 실시하는 구리막 표면 처리를 위한 레지스트 밀착성 향상제 및 구리 배선 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 유기산을 1.5 ∼ 20 중량％, 염화물 이온을 0.0007 ∼ 0.73 중량％, 암모늄 이온을 0.00003 ∼ 3.7 중량％ 및 잔부의 물을 함유하고, 또한, 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.1 ∼ 10 의 범위인 레지스트 밀착성 향상제이다.

본 발명은 또, 기판 표면에 형성한 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성하는 공정, 및 감광성 레지스트막에 패턴 마스크를 통해 노광하고, 현상하여 이루어지는, 레지스트막이 제거된 구리막 부분을, 에칭액으로 에칭하는 공정을 포함하는 구리 배선 제조 방법에 있어서, 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성할 때, 상기 레지스트 밀착성 향상제를 사용하여, 구리막 표면을 처리한 후, 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성하는 것을 특징으로 하는 구리 배선 제조 방법이다.

본 발명은 상기 서술한 구성에 의해, LCD 나 EL 디스플레이 등의 표시 장치 등에 있어서의 에칭에 의한 구리 배선 형성에 적용한 경우에, 구리막과 레지스트의 밀착성을 향상시키기 때문에, 에칭액에서의 에칭시의 사이드 에칭량을 저감시킬 수 있고, 레지스트 패턴에 충실한 구리 배선을 제조하는 것이 가능하다.

도 1 은 염화물 이온 0.066 중량％, 암모늄 이온 0.034 중량％ 로 고정시키고, 유기산 (시트르산) 농도를 변화시킨 레지스트 밀착성 향상제에 있어서의 사이드 에칭량의 변화를 나타낸 그래프이다.

본 발명의 레지스트 밀착성 향상제는, 유기산을 1.5 ∼ 20 중량％, 염화물 이온을 0.0007 ∼ 0.73 중량％, 암모늄 이온을 0.00003 ∼ 3.7 중량％ 및 물을 함유하고, 또한 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비, 즉 [염화물 이온 몰 농도]/[암모늄 이온 몰 농도] 로 나타내는 비의 값이 0.1 ∼ 10 의 범위이다.

상기 유기산으로는, 수용성의 유기산이면 되고, 예를 들어 아세트산, 포름산, 부티르산 등에서 선택되는 1 가 카르복실산, 시트르산, 옥살산, 말론산, 숙신산 등에서 선택되는 다가 카르복실산 등을 들 수 있고, 이들 중에는, 아크릴산, 메타크릴산, 말레산 등에서 선택되는 불포화 결합을 함유하는 카르복실산이 함유된다. 이들 유기산은, 1 종류만이어도 되고, 복수 종류를 병용해도 된다. 이들 중, 바람직하게는 시트르산이다.

상기 유기산의 배합량으로는, 레지스트 밀착성 향상제에 대하여 1.5 ∼ 20 중량％ 이고, 바람직하게는 1.5 ∼ 17 중량％ 이고, 보다 바람직하게는 3 ∼ 7 중량％ 이다. 1.5 중량％ 미만 및 20 중량％ 를 초과하는 경우에 있어서는, 사이드 에칭량의 저감에 기여하지 않고, 구리막과 레지스트의 밀착성 향상 효과는 얻어지지 않는다.

상기 염화물 이온에 있어서, 그 공급원으로는, 예를 들어 염산, 알칼리 화합물의 염산염 등을 들 수 있다. 상기 알칼리 화합물의 염산염으로는, 예를 들어 염화암모늄, 염화나트륨, 염화칼륨 등의 무기 알칼리 화합물 염산염, 에틸아민 염산염, 디에틸아민 염산염 등의 유기 알칼리 화합물 염산염 등을 들 수 있다. 이들 염화물 이온 공급원은, 1 종류만이어도 되고, 복수 종류를 병용해도 된다. 이들 중, 바람직하게는 금속에 의한 오염 문제나 비용면을 고려하여, 염산, 염화암모늄이다.

상기 염화물 이온 공급원의 배합량으로는, 레지스트 밀착성 향상제에 대하여 염화물 이온이 0.0007 ∼ 0.73 중량％ 가 되는 배합량이고, 바람직하게는 0.0007 ∼ 0.066 중량％ 이다.

상기 암모늄 이온에 있어서, 그 공급원으로는, 예를 들어 암모니아수, 염화암모늄, 브롬화암모늄 등의 할로겐화암모늄 등을 들 수 있다. 이들 암모늄 이온 공급원은, 1 종류만이어도 되고, 복수 종류를 병용해도 된다. 이들 중, 바람직하게는 암모니아수, 염화암모늄이다.

상기 암모늄 이온 공급원의 배합량으로는, 레지스트 밀착성 향상제에 대하여 암모늄 이온이 0.00003 ∼ 3.7 중량％ 가 되는 배합량이고, 바람직하게는 0.00003 ∼ 0.74 중량％ 이다.

상기 염화물 이온 및 상기 암모늄 이온의 공급원으로는, 염화암모늄이 바람직하게 사용된다.

암모늄 이온 및 염화물 이온이, 상기 범위 미만 및 상기 범위를 초과하는 경우에 있어서는, 사이드 에칭량의 저감에 기여하지 않고, 구리막과 레지스트의 밀착성 향상 효과는 얻어지지 않는다.

본 발명의 레지스트 밀착성 향상제에 있어서, 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.1 ∼ 10 의 범위이고, 바람직하게는 0.1 ∼ 5 의 범위이고, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 5 의 범위이다. 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.1 ∼ 10 을 벗어나는 범위에서 염화물 이온 또는 암모늄 이온이 함유되는 경우에는, 사이드 에칭량의 저감에 기여하지 않고, 구리막과 레지스트의 밀착성 향상 효과는 얻어지지 않는다.

또한 본 발명의 레지스트 밀착성 향상제에 있어서는, 유기산이 3 ∼ 7 중량％ 이고, 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.6 ∼ 4.9 이고, 염화물 이온 및 암모늄 이온의 합계 함유량이 0.00076 ∼ 1.07 중량％ 로 하는 것이 바람직하다.

본 발명의 레지스트 밀착성 향상제에 있어서는, 상기 서술한 필수 성분 이외에, 본 발명의 목적을 달성하는 범위에서, 기타 성분을 배합해도 된다. 상기 기타 성분으로는, 예를 들어 계면 활성제 등을 들 수 있다.

본 발명의 레지스트 밀착성 향상제에 있어서, 물의 배합량은, 레지스트 밀착성 향상제에 대하여 상기 유기산, 염화물 이온, 암모늄 이온, 해당하는 경우에는 추가로 그 밖의 성분의 배합량의 잔부이다. 물로는, 불순물의 함유량이 가능한 한 적은 것이 바람직하고, 일반적으로는 순수가 사용된다.

바람직한 배합예로는, 예를 들어 이하와 같다.

(1) 유기산이 1.5 중량％ 이상 20 중량％ 이하, 염화물 이온이 0.0007 중량％ 이상 0.73 중량％ 이하, 암모늄 이온이 0.00003 중량％ 이상 3.7 중량％ 이하, 및 잔부의 물을 함유하고, 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.1 이상 10 이하의 범위인 레지스트 밀착성 향상제.

(2) 유기산이 1.5 중량％ 이상 20 중량％ 이하, 염화물 이온이 0.0007 중량％ 이상 0.73 중량％ 이하, 암모늄 이온이 0.00003 중량％ 이상 0.74 중량％ 이하, 및 잔부의 물을 함유하고, 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.5 이상 5 이하인 레지스트 밀착성 향상제.

(3) 유기산이 1.5 중량％ 이상 17 중량％ 이하, 염화물 이온이 0.0007 중량％ 이상 0.73 중량％ 이하, 암모늄 이온이 0.00003 중량％ 이상 3.7 중량％ 이하, 및 잔부의 물을 함유하고, 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.1 이상 10 이하인 레지스트 밀착성 향상제.

(4) 유기산이 3 중량％ 이상 7 중량％ 이하이고, 염화물 이온과 암모늄 이온의 합계량이 0.00076 ∼ 1.07 중량％ 이고, 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.6 이상 4.9 이하인 레지스트 밀착성 향상제.

(5) 유기산이 1.5 중량％ 이상 17 중량％ 이하이고, 염화물 이온과 암모늄 이온의 합계량이 0.00077 ∼ 4.42 중량％ 이고, 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.1 이상 5 이하인 레지스트 밀착성 향상제.

본 발명의 레지스트 밀착성 향상제는, 상기 각 성분의 소요량을 통상적인 방법에 의해 혼합, 예를 들어 상온 (예를 들어, 25 ℃) 에서 교반 혼합함으로써 조제할 수 있다.

본 발명의 레지스트 밀착성 향상제는, 구리 표면의 레지스트 밀착성 향상을 목적으로 하는 용도에 사용 가능하다. 구체적으로는, 예를 들어 기판 표면에 형성한 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성하는 공정, 및 감광성 레지스트막에 패턴 마스크를 통해 노광하고, 현상하여 이루어지는, 레지스트막이 제거된 구리막 부분을 에칭액으로 에칭하는 공정을 포함하는 구리 배선 제조 방법, 상세하게는, 예를 들어 기판 표면에 형성한 구리막 상에 대한 감광성 레지스트막의 형성 공정, 감광성 레지스트막에 대한 패턴 마스크를 통한 노광 공정, 노광 후의 레지스트막의 현상 공정, 및 현상에 의해 레지스트막이 제거된 구리막 부분의 에칭액에 의한 에칭 공정을 포함하는 구리 배선 제조 방법에 있어서, 구리막 상에 대한 감광성 레지스트막을 형성하기 전에 사용하여, 구리막 표면을 세정한 후, 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성함으로써, 기판에 패터닝할 때에 레지스트와 구리막의 밀착성을 향상시키고, 에칭에 의한 사이드 에칭량을 저감시킴으로써 레지스트 패턴을 충실히 재현한 구리 배선 제조 방법을 구성할 수 있다. 이 경우에 있어서, 기판 표면에 형성한 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성하는 공정, 및 감광성 레지스트막에 패턴 마스크를 통해 노광한 후, 현상하여 이루어지는, 레지스트막이 제거된 구리막 부분을 에칭액으로 에칭하는 공정 등은, 각각 공지된 공정을 채용할 수 있다.

또한, 본 발명의 레지스트 밀착성 향상제를 사용하여, 표면 처리를 한 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성하고, 에칭액으로 에칭함으로써 구리 배선을 형성하는 구리 배선 형성 방법에 있어서, 감광성 레지스트의 구리막 표면에 대한 밀착성을 양호하게 하기 위해, 구리막 표면에 감광성 레지스트를 도포하기 전에 미리 실시하는 구리막 표면 처리를, 레지스트 밀착성 향상제로 구리막 표면을 처리함으로써, 밀착성을 향상시킨 구리 배선 형성 방법을 구성할 수 있다. 감광성 레지스트의 구리막 표면에 대한 밀착성을 양호하게 하기 위해 미리 실시하는 구리막 표면 처리 방법으로서, 본 발명의 레지스트 밀착성 향상제를 사용하는 것은, 본 발명자에 의해 처음으로 달성된 수법이다.

이들의 경우에 있어서, 구리막의 처리 조건으로는, 레지스트 밀착성 향상제의 온도는, 실온 (예를 들어 25 ℃) 이어도 되고 또는 가열 (예를 들어 30 ∼ 40 ℃) 해도 되며, 기판 처리 시간은, 일반적으로 예를 들어 1 ∼ 10 분이다. 처리는, 침지 방법, 침지 교반 방법, 샤워 방법 등의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 처리가 종료 후, 필요에 따라 순수에 의한 린스 공정에서 레지스트 밀착성 향상제를 세정해도 된다.

본 발명의 레지스트 밀착성 향상제, 그것을 사용한 본 발명의 구리 배선 제조 방법, 구리 배선 형성 방법은, 모두 LCD 나 EL 디스플레이 등의 표시 장치 제조 등에 있어서의 대형 기판의 구리 배선 형성에 바람직하게 적용할 수 있다.

실시예

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 이하의 기재는 오로지 설명을 위해서이며, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

표 1 에 실시예 1 ∼ 19 및 표 2 에 비교예 1 ∼ 20 에 사용한 각 평가액의 조성을 나타냈다. 또한, 이들 평가액을 사용하여 이하의 평가를 실시하고, 그 결과를 나타냈다.

1. 사이드 에칭량 측정

Si 기판 상에 Ti 막을 형성하고, 추가로 구리막 (1000 Å) 을 형성한 기판을, 2 개월간, 23 ℃ 에서 정치 (靜置) 시키고, 구리 표면에 오염을 부여하였다. 그 기판을 35 ℃ 의 평가액에 2 분간 침지시킨 후, 통상적인 방법에 의해, 감광성 레지스트막을 형성하고, 마스크를 통해 노광 후, 레지스트의 현상을 실시하고, 레지스트가 제거된 구리막 부분의 에칭액에 의한 에칭을 실시하였다. 얻어진 에칭 형상에 대해서, 주사형 전자 현미경을 사용한 단면 형상 관찰에 의해, 에칭에 의한 사이드 에칭량을 비교하였다. 또, 사이드 에칭량은 비교예 1 (평가액은 순수) 과 비교하여 상대적인 수치를 이하 기호로 기재하였다.

AAA : 비교예 1 의 60 ％ 미만의 사이드 에칭량

AA : 비교예 1 의 60 ％ 이상, 80 ％ 미만의 사이드 에칭량

A : 비교예 1 의 80 ％ 이상, 100 ％ 미만의 사이드 에칭량

B : 비교예 1 의 100 ％ 이상, 120 ％ 미만의 사이드 에칭량

C : 비교예 1 의 120 ％ 이상의 사이드 에칭량

실시예 1 ∼ 19 의 결과로부터, 본 발명의 레지스트 밀착성 향상제는, 비교예 1 과 비교하면 사이드 에칭의 양이 저감되므로, 구리막과 레지스트의 밀착성 향상에 기여하는 것으로 판명되었다. 한편, 비교예 2 ∼ 20 에 나타내는 조성물에 있어서는, 어느 경우에 있어서도, 비교예 1 과 비교하면 사이드 에칭량이 거의 동일한 정도 또는 보다 커진 점에서, 구리막과 레지스트의 밀착성에 영향이 없거나 또는 구리막과 레지스트의 밀착성을 악화시키는 것으로 판명되었다.

또한, 도 1 에 염화물 이온 0.066 중량％, 암모늄 이온 0.034 중량％ 로 고정시키고, 유기산 (시트르산) 농도를 변화시킨 경우에 있어서의 사이드 에칭량의 변화를 나타냈다. 도 1 로부터 시트르산 농도가 1.5 중량％ 이상 20 중량％ 이하, 염화물 이온 농도가 0.066 중량％, 암모늄 이온 농도가 0.034 중량％ 에 있어서, 사이드 에칭량이 비교예 1 (평가액은 순수) 과 비교하여 상대적으로 저감되므로, 레지스트 밀착성이 향상된 것을 알았다.

산업상 이용가능성

본 발명의 레지스트 밀착성 향상제는, 구리막과 레지스트의 밀착성을 향상시킴으로써 에칭에 있어서의 사이드 에칭량을 저감시키는 것이 가능하기 때문에, LCD 나 EL 디스플레이 등의 제조 공정에 있어서, 오버 에칭이나 레지스트의 박리에서 기인하는 제품 불량을 억제할 수 있고, 수율을 향상시킨다.

Claims

유기산을 1.5 ∼ 20 중량％, 염화물 이온을 0.0007 ∼ 0.73 중량％, 암모늄 이온을 0.00003 ∼ 3.7 중량％ 및 잔부의 물을 함유하고, 또한 암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.1 ∼ 10 의 범위인, 레지스트 밀착성 향상제.
제 1 항에 있어서,
암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.5 ∼ 5 의 범위인, 레지스트 밀착성 향상제.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
유기산의 함유량은 1.5 ∼ 17 중량％ 인, 레지스트 밀착성 향상제.
제 3 항에 있어서,
유기산의 함유량은 3 ∼ 7 중량％ 인, 레지스트 밀착성 향상제.
제 4 항에 있어서,
암모늄 이온에 대한 염화물 이온의 몰 농도비가 0.6 ∼ 4.9 의 범위이고, 염화물 이온 및 암모늄 이온의 합계 함유량이 0.00076 ∼ 1.07 중량％ 인, 레지스트 밀착성 향상제.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
유기산은, 1 가 카르복실산 또는 다가 카르복실산인, 레지스트 밀착성 향상제.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
유기산은, 아세트산, 포름산, 부티르산, 시트르산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 아크릴산, 메타크릴산 및 말레산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 레지스트 밀착성 향상제.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
염화물 이온원은, 염산 및 염화암모늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 레지스트 밀착성 향상제.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
암모늄 이온원은, 암모니아수 및 염화암모늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 레지스트 밀착성 향상제.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
염화물 이온 및 암모늄 이온의 공급원으로서 염화암모늄을 사용하는, 레지스트 밀착성 향상제.
기판 표면에 형성한 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성하는 공정, 및 감광성 레지스트막에 패턴 마스크를 통해 노광하고, 현상하여 이루어지는, 레지스트막이 제거된 구리막 부분을, 에칭액으로 에칭하는 공정을 포함하는 구리 배선 제조 방법에 있어서, 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성할 때, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 밀착성 향상제를 사용하여, 구리막 표면을 처리한 후, 구리막 상에 감광성 레지스트막을 형성하는 것을 특징으로 하는 구리 배선 제조 방법.