JPH1083520A

JPH1083520A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1083520A
Application number: JP25786296A
Authority: JP
Inventors: Tsuneo Kobayashi; 常雄小林; Yoshihiro Sugano; 佳弘菅野; Nozomi Chiyokubo; 望千代窪
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-09-06
Filing date: 1996-09-06
Publication date: 1998-03-31

Abstract

(57)【要約】【課題】均一な厚さのフォトレジスト膜により所定パ
ターンのレジストマスクを形成し、これにより所定規格
の導体コイルが形成された高信頼性、高歩留り、高品質
の磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること。【解決手段】導体コイル７の下部に設ける第２平坦化
膜５を、導体コイル７の端子下部にも局部的に５ａとし
て延設して導体コイル７の領域全体に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッド（例え
ば、再生ヘッド部と記録ヘッド部とが一体化した複合磁
気ヘッド）及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶
縁膜等の薄膜層が多層に積層され、さらに導体コイルや
リード線が形成されてなる磁気ヘッドである。

【０００３】この薄膜磁気ヘッドは、真空薄膜形成技術
により形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等
の微細寸法化が容易であり、また高分解能記録が可能で
あるという特徴を有しており、高密度記録化に対応した
磁気ヘッドとして注目されている。

【０００４】例えば、磁気記録媒体に情報信号の記録、
再生を行うタイプの薄膜磁気ヘッドとしては、フェライ
ト等の酸化物磁性材料からなる基板上に、真空薄膜形成
技術によって導体コイル及び磁性体膜が形成されて構成
されたものがある。

【０００５】具体的には、例えば、記録用の薄膜磁気ヘ
ッドとして好適なものとしては、いわゆるインダクティ
ブ型の磁気ヘッドがある。このインダクティブヘッドに
おいては、フェライト等の酸化物磁性材料からなる基板
上に軟磁性体層よりなる下層コアが形成され、この上に
下層コアと導体コイルとの絶縁を図るための絶縁層又は
平坦化層が成膜され、さらにこの表面上に導体コイルが
スパイラル状に形成されている。

【０００６】そして、表面の平坦化を図るために上記の
平坦化層がレジスト等の高分子材料によって成膜され、
平坦化された前記平坦化層の上に軟磁性体層よりなる上
層コアが形成されて、上記インダクティブヘッドが構成
されている。

【０００７】このようなインダクティブ型磁気ヘッドは
記録用として、例えば再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド（薄膜ＭＲヘッド又は薄膜磁気抵抗効果ヘッド）
と共に複合型の薄膜磁気ヘッドを構成し、ハードディス
クドライブに搭載され、利用されている。

【０００８】この薄膜磁気ヘッドにおいては、レジスト
等の高分子材料からなる平坦化層の表面に導体コイルを
Ｃｕめっきにより形成するが、めっきの下地膜としてＣ
ｒ／Ｃｕをスパッタで成膜し、この下地膜上に導体コイ
ルをスパイラル状に形成する。即ち、この下地膜上にフ
ォトレジストを塗布してレジスト層を形成し、これをマ
スクに加工して、所定形状のレジストパターンのマスク
を形成し、これを用いて上記の導体コイルをめっきによ
り形成する。これは、再生用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドの複合ヘッドの場合も同じである。

【０００９】しかし、この薄膜磁気ヘッドには、以下に
述べる問題点があることが分かった。図１４〜図２７に
より、従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程についてその問
題点を明らかにする。但し、図１４〜図２３は、後述す
る再生ヘッド部を図示省略し、この上に積層される記録
ヘッド部（インダクティブヘッド）について図示したも
のであって、後述する図２６のＤ−Ｄ線断面に対応する
ものである。

【００１０】まず、図１４のように、中間コア１１上の
中心部を除く全面に磁気ギャップ材１２を成膜し、この
上に有機高分子材料（例えばポジ型のフォトレジスト）
からなる第２平坦化膜５’を形成し、中間コア１１と後
述する導体コイルとの絶縁及びその表面の平坦化を図っ
ている。なお、ここでは図示されないが、第２平坦化膜
の下方には第１平坦化膜を形成している（後述の図２４
参照）。このような平坦化膜５’等は、再生ＭＲヘッド
部が下部に設けられるためにその上面に凹凸や段差が生
じ易く、これを平坦化するために必ず設ける必要があ
る。

【００１１】即ち、再生ヘッド部上を平坦化しなけれ
ば、記録ヘッドの各部分、特に導体コイルを精度良く形
成することが困難となる。第２平坦化膜５’上には、導
体コイルのめっき形成のための下地膜１８をスパッタ又
は蒸着するが、図中、中央部と左端の凹部は導体コイル
端子形成部となるものである。

【００１２】次いで、図１５のように、下地膜１８にフ
ォトレジスト膜１９を全面に成膜（約３μｍ厚）する
が、図示の如く、フォトレジスト膜１９の厚さが第２平
坦化膜５’の上部の厚さｔ₁と端子部の厚さｔ₂とで互
いに異なり、後者が平坦化膜５’による段差６０に対応
して厚くなっている。この厚みの差が後述する問題点の
主因となっている。

【００１３】次いで、図１６のように、フォトレジスト
膜１９の上に導体コイルのパターンの露光マスク２０を
かけて、パターン露光する。この露光により、マスク２
０のコイル用の透光部２０ａとコイル端子部用の透光部
２０ｂを通してフォトレジスト膜１９が照射光Ｌによっ
て選択的に露光される。

【００１４】次いで、露光終了後、マスク２０を外して
現像処理すれば、図１７のようにフォトレジスト膜１９
に孔部（除去部）１９ａ及び残存部１９ｂからなるレジ
ストパターンが形成される（ここでは、レジストはポジ
型）。

【００１５】この場合、通常の露光であれば、孔部１９
ａの幅ｗ₁及び残存部１９ｂの幅ｗ₂は所定の規格に形
成されるが、端子部においてフォトレジスト膜の厚さｔ
₂とｔ₁との差によってコイル端子部においてレジスト
の除去残り１９ｃとなって残ってしまう。即ち、平坦化
膜５’の真上位置では、レジスト１９が選択的に除去さ
れるだけの露光量で正確に露光しなければ、めっきで形
成されるコイルの幅が設計値より変化してしまうので、
必要以上には露光できないという条件下では、厚みの大
きいコイル端子部のレジスト露光量は不足し、現像によ
っても除去しきれずに残ってしまうのである。

【００１６】従って、このレジスト除去残り１９ｃを除
去しようとすれば、露光量が多すぎること（オーバー露
光）になり、平坦化膜５’上のレジスト１９ｂ間の間隔
（又は孔部１９ａの幅）が拡くなり、パターンの細りが
生じるので、この状態のまま図１８のように、次の工程
でＣｕを電気めっきして導体コイル７を形成すれば、コ
イル幅が拡くなり、望ましくない。

【００１７】即ち、インダクティブヘッドにおいて導体
コイル７の幅が拡すぎ、コイル間の絶縁性が悪い場合、
インダクタンスや、導体コイル間のショート等の問題が
発生する。その原因と考えられるのが、スパイラル状に
形成されたレジストパターンの上記した如き細りであ
る。細りが生じた所にめっきを形成すると、導体コイル
の幅が太くなり、隣合う導体コイルの間隔が狭くなる。
その結果、次の図１９及び図２０に示すレジスト剥離後
に実施するイオンミリングによる下地膜１２の除去の際
に、下地膜が十分に除去されずにエッチング残りが発生
し、その部分でコイル間が連なり、導通状態となり易
い。

【００１８】なお、上記とは逆に、ネガ型のレジストを
用いる場合、露光量を増やすと、レジスト孔部１９ａの
幅が細くなってコイル幅が狭くなってしまう。これも、
設計通りのコイル幅が得られず、コイルの電気抵抗の増
大又は断線のおそれがある。

【００１９】なお、Ｃｕめっき後は、図１９のように、
有機溶剤を用いてフォトレジスト膜１９を除去し、その
後、図２０のように、イオンミリング装置により不要部
分の下地膜１８を除去する。しかし、導体コイル７を設
計通りの幅となるように露光量を制御したときに、コイ
ル端子７ａ’の下部には依然としてフォトレジスト膜の
除去残り１９ｃが存在することになるから、これがそれ
以後の製造工程に持ち込まれて製品化され、品質劣化若
しくは不良品とならざるを得ない。

【００２０】以上に説明したことから明らかなように、
上記の如きフォトレジスト膜１９（例えばポジ型）の除
去残り１９ｃが無くなるまで露光すれば、図２１のよう
に露光オーバーとなり、レジストパターンの孔１９ａの
幅ｗ₁が拡くなり、レジストパターンの細りが生じる。
そして、このレジストパターンによりＣｕの電気めっき
を行い、このレジスト膜１９を除去すれば、図２２のよ
うに、コイル幅もコイル間隔も不均一な導体コイル７が
形成され、これに図２３のようにイオンミリング装置に
よって下地膜１８の不要部分のエッチングを行っても、
コイル幅が必要以上に拡大し、上記した如き不良状態と
なり易い。

【００２１】上記した製造工程の終了後、常法に従った
工程を経て複合型の薄膜磁気ヘッドを完成する。図２４
は完成後の磁気ヘッドの概略断面図（図２６のｃ−ｃ線
断面に対応）である。

【００２２】図２４に示すように、磁気ヘッドは、酸化
物系基板１上に下層シールドコア２及び非磁性層３（再
生ギャップ材）が積層され、左端のメディア対向面３９
に面して、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１４が形成され
る。そして、この上に絶縁層、バイアス電極、リード電
極、絶縁層及び共通コアとしての中間コア等が積層され
るが、これらの層を省略し一括して層１５として簡略に
表す。この層１５の上に前記した製造工程を施す。

【００２３】従って、図２４においては、この図と直交
する断面で示した前記の製造工程には現れない部分（図
２４右半分）が示されている。即ち、中間コア１１と対
向して対向面３９とは反対側には、中間コア１１の厚み
を吸収してその上面を平坦化するために第１平坦化膜４
が設けられ、この上に上記した第２平坦化膜５’が形成
され、この上に導体コイル７が形成されており、これら
は前記した製造工程により順次形成されたものである。

【００２４】そして、これらの工程の後に第３平坦化膜
６が形成され、この上に、第４平坦化膜８、更には対向
面３９側（図２４の左半分側）には記録コア１３が中間
コア１１に接続して形成される。第４平坦化膜８上に
は、第３平坦化膜６を介してコイル巻始側７ｂと接続し
たリード線９がスルーホールを介して導出されている。

【００２５】このように構成することにより、図２４に
示すように、磁気記録媒体の記録トラックに対向する対
向面３９において、上記した共通コアとなる中間コア１
１を境に下方がＭＲ再生ヘッド部２８、上方がインダク
ティブ型記録ヘッド部２９をなし、複合磁気ヘッド３０
が構成される。

【００２６】図２５は、上記した磁気ヘッドに、斜線で
表した第２平坦化膜５’が形成された段階の平面図であ
り、この上に導体コイル５を形成した状態を示した平面
図が図２６である。なお、図中の２５は一方のリード電
極、２６は他方のリード電極用の端子電極である。

【００２７】しかし、上記したように、導体コイル７が
形成されてなる上記の如き磁気ヘッドの作製時に、オー
バー露光によって導体コイル間のショートやインダクタ
ンス不良が発生し易くなる。また、再生用ヘッドと共に
複合型ヘッドとして上記インダクティブ磁気ヘッドを組
み込んだ場合、ＭＲヘッドと共に特性不良となることも
ある。

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な事情に鑑みてなされたものであって、所定パターンの
マスクにより設計通りに導体コイルが形成され、信頼性
や歩留りが高く、高品質な磁気ヘッド及びこのような磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするもので
ある。

【００２９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、効果的な手段を見
出し、本発明に到達したものである。

【００３０】即ち、本発明による磁気ヘッドは、第１の
磁気ヘッド部（特に薄膜磁気ヘッド部）と、この第１の
磁気ヘッド部に平坦化膜を介して積層された導体コイル
を有する第２の磁気ヘッド部（特に薄膜磁気ヘッド部）
とによって複合型磁気ヘッドとして構成され、少なくと
も前記導体コイルの存在領域に亘って前記平坦化膜が形
成されている磁気ヘッドに係るものである。

【００３１】また、本発明は、第１の磁気ヘッド部（特
に薄膜再生ヘッド部）と、この第１の磁気ヘッド部に平
坦化膜を介して積層された導体コイルを有する第２の磁
気ヘッド部（特に薄膜記録ヘッド部）とによって複合型
磁気ヘッドとして構成された磁気ヘッドを製造するに際
し、少なくとも前記導体コイルの存在領域に亘って前記
平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜上に感光性材
料層を形成する工程と、この感光性材料層を所定パター
ンに加工してマスクを形成する工程と、このマスクを用
いて非マスク部に導体コイルを選択的に形成する工程と
を有する、磁気ヘッドの製造方法に係るものである。

【００３２】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法
は上記の如く、平坦化膜を導体コイルの少なくとも存在
領域全体に形成することにより、導体コイルの存在領域
は段差がなく、平坦となるため、導体コイルを形成する
際に使用する感光性材料のマスクを常に設定された露光
量で所定パターンに形成することができる。つまり、オ
ーバー露光をなくし若しくは減少させることによって、
導体のショートや細り等を防止し、信頼性、歩留り、品
質の大幅な向上を図ることが可能となる。

【００３３】

【発明の実施の形態】本発明による磁気ヘッド及びその
製造方法においては、具体的には、端子領域を含めて導
体コイルの全領域の下部に平坦化膜が形成されている。

【００３４】この場合、平坦化膜上に導電膜を形成し、
この上に感光性材料層を形成し、この感光性材料層を選
択露光及び現像処理によりパターニングして形成したマ
スクを用いて、このマスクの非マスク部に露出した前記
導電膜上に電気めっき膜を選択的に被着し、これによっ
て導体コイルを所定パターンに形成し、更に前記感光性
材料層とこの下部の前記導電膜とをそれぞれ除去するこ
とが望ましい。

【００３５】また、上記の磁気ヘッドは、導電膜をスパ
ッタリング法により形成し、感光性材料としてフォトレ
ジストを用い、イオンミリング装置により導電膜の不要
部分をエッチングして除去することが望ましい。

【００３６】これにより、第１の磁気ヘッド部としての
薄膜磁気ヘッド部が、磁気抵抗効果素子を有する再生ヘ
ッド部として構成され、第２の磁気ヘッド部としての薄
膜磁気ヘッド部が、前記再生ヘッド部上の下層コアと導
体コイルと上層コアとからなる記録ヘッド部として前記
再生ヘッド部と一体化された複合型の薄膜磁気ヘッドが
得られる。

【００３７】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
が以下の実施例に限定されるものでないことは勿論であ
る。

【００３８】図１〜図７は、本実施例による薄膜磁気ヘ
ッド（主にインダクティブ型の薄膜磁気ヘッド）をその
製造工程に従って説明するものであり、後述の図１２の
Ｂ−Ｂ線断面に対応している。

【００３９】この薄膜磁気ヘッドは、実際には、インダ
クティブ型の記録ヘッド部とその下方のＭＲヘッドから
なる再生ヘッド部とを一体化した複合型ヘッドであって
よいが、図面では再生ヘッド部及びその下部の構造は省
略している。なお、前記した従来例と共通の部分には共
通符号を付し、その説明を省略することがある。

【００４０】本実施例の磁気ヘッドを作製するには、ま
ず図１に示すように、図示省略したＭＲ素子からなる再
生ヘッド部の上部に軟磁性材よりなる中間コア１１を成
膜した後、磁気ギャップ１２を介してこの中間コア１１
上に、中間コア１１と後述する導体コイルとの絶縁を図
りかつ表面の平坦化により導体コイルを正確に形成する
ための有機高分子材料よりなる第２平坦化膜５を形成
し、更にこの上に、導体コイルのめっき下地膜１８とし
て例えばＣｒ／Ｃｕをスパッタ成膜する。図中、中央の
凹部４０は導体コイルの端子形成位置付近に存在する。

【００４１】そして次に、図２に示すように、上記の下
地膜１８上に例えばポジ型のフォトレジスト膜１９を全
面に塗布する。ここで本発明に基づいて、図示の如く、
前述した従来例と根本的に異なって第２平坦化膜５が中
間コア１１の端部近傍（即ち、導体コイルの端子部下
に）まで延設されていることが特徴的である。従って、
後述する導体コイルの端子部においても、フォトレジス
ト膜１９の厚さｔ₁'が導体コイルの主部における厚さｔ
₁と同じ厚さに形成されることになる。

【００４２】次いで、図３に示すように、フォトレジス
ト膜１９上にマスク２０をかけて導体コイルに対応した
パターンに露光する。これにより、マスク２０の孔２０
ａ及び２０ｂの下部にあるフォトレジスト膜１９が照射
光Ｌで選択的に露光されて硬化する。この場合、上記し
たように、平坦化膜５がコイルの存在領域の全域に形成
されているので、この全域においてフォトレジスト膜１
９が均一な厚みを呈し、露光量が同等となる。なお、ネ
ガ型のフォトレジスト膜を用いると、残されるパターン
は逆となる。

【００４３】次いで、図４に示すように、上記のマスク
２０を外し、フォトレジスト１９を現像処理すれば、所
定形状のレジストパターンが全域において設計通りに残
され、前述した従来例の如きフォトレジスト膜１９の除
去残りが導体コイルの端子部において発生しない。従っ
て、従来例における如きオーバー露光によるフォトレジ
ストパターンの太りが生じない。

【００４４】しかも、上記の如き第２平坦化膜５上にコ
イル用のレジストマスク１９をパターニングすると、フ
ォトレジスト膜１９の厚さに差がないために露光時間を
短くできる。その結果、露光時間は従来の３５０ｍｓｅ
ｃから２８０ｍｓｅｃに減少し、また、３５０ｍｓｅｃ
が細りが生じる露光時間の上限であることから、少なく
とも７０ｍｓｅｃの露光マージンが得られるメリットも
ある。

【００４５】次いで、図５に示すように、上記のレジス
トパターン１９ｂをマスクとして、例えばＣｕを電気め
っきする。これにより、フォトレジスト膜１９の遮蔽部
１９ｂ以外の孔部１９ａにおいて下地膜１８の表面上に
導体コイル７が例えば幅２μｍ、２μｍのピッチでスパ
イラル状に形成され、外側の端部には端子７ａが平坦化
膜５上に平坦に形成される。

【００４６】次いで、図６に示すように、有機溶剤を用
いてレジストパターンを除去する。更に、図７に示すよ
うにイオンミリング装置によりエッチングして、不要部
分の下地膜１８を除去する。

【００４７】以上の工程により、本実施例における導体
コイル７は所定の寸法に設計通りに作製される。

【００４８】上記した本実施例の製造工程は全工程のう
ちの一部を示したものであるが、更にそれ以後の工程を
経て薄膜磁気ヘッドを完成する。図８は完成した薄膜磁
気ヘッドの概略断面図（図１２のＡ−Ａ線断面に対応）
である。

【００４９】図８に示すように、本実施例の薄膜磁気ヘ
ッドは、例えばガラス基板１上に例えばＦｅ−Ｎｉの混
合物からなる下層シールドコア２及び例えばアルミナか
らなる非磁性再生ギャップ材３が積層され、メディア対
向面３９に臨むように設けた再生ヘッド部２８を構成す
るＮｉ−Ｆｅ系等のＭＲ膜１４及びその他の層１５が形
成され、この上に中間コア１１を形成し、更に上記した
製造工程が実施されて、第２平坦化膜５上に導体コイル
７が形成される。

【００５０】図８において、ＭＲ膜１４上の符号１５
は、例えばＳｉＯ₂からなる絶縁層、Ｃｕからなるリー
ド電極やバイアス媒体及びＳｉＯ₂からなる絶縁層の積
層体からなり、更に中間コア１１、Ｔｉからなる記録ギ
ャップ材１２、第２平坦化膜５、導体コイル７、第３平
坦化膜６、第４平坦化膜８、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる共
通コアとなる上層コア１３がこの順に、積層したもので
ある。

【００５１】上記コアの材質としては、軟磁性を示すも
のであれば、従来公知の材料が使用可能であるが、特
に、Ｎｉ−Ｆｅ系合金から構成されるのがよい。

【００５２】また、上記したような各膜の成膜方法とし
ては、従来公知のものがいずれも使用可能である。例え
ば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等が挙げられるが、合金膜を成膜する場合には、
この合金の組成比に等しいターゲットを使用したスパッ
タリング法によって成膜することが好ましい。このスパ
ッタリング法としては、ＲＦマグネトロン方式、ＤＣマ
グネトロン方式、対向ターゲット方式等が有効である。

【００５３】前記した製造工程（図１〜図７）は、図８
と直交する断面を示したものであるため、図８において
は、図１〜図７に現れない部分（即ち、図８の右半分）
が示されている。即ち、中間コア１１のギャップとは反
対側では、非磁性層３上に第１平坦化膜４が形成され、
この上に第２平坦化膜５及び導体コイル７が前記した製
造工程の際に同時に形成されたものである。

【００５４】つまり、本実施例の磁気ヘッドは中間コア
１１上に磁気ギャップ材１２を介して中間コア１１と導
体コイル７との間の絶縁を図り、かつ表面の平坦化を図
って、導体コイル７を正確に形成するためのレジスト材
料よりなる第２平坦化膜５が形成され、さらにその上に
磁気ヘッドに電磁変換作用によって信号を供給するため
の導体コイル７がスパイラル状に形成されている。

【００５５】そして、更に、表面の平坦化を図るための
レジスト材料からなる第３平坦化膜６、第４平坦化膜８
が形成され、この第４平坦化膜８上に軟磁性体よりなる
上層コア１３とコイルのリード線９が形成されて上記イ
ンダクティブ型記録ヘッド部が構成されている。

【００５６】このように構成することにより、図８のよ
うに、磁気記録媒体の記録トラックに対向する対向面３
９において、上記した中間コア１１を境に下側の再生ヘ
ッド２８と上側の記録ヘッド２９とが一体化された複合
型の薄膜磁気ヘッド３０を形成している。

【００５７】そして、再生ヘッド２８においては、セン
ス電流がトラック幅方向と直交する方向に流れる、いわ
ゆる縦型のＭＲヘッドとして、その長手方向が磁気記録
媒体との対向面（磁気記録媒体摺動面）に対して垂直に
なり、かつその一方の端面が対向面に露出する状態にな
っている。

【００５８】さらに、ＭＲ膜１４の両端部上に、このＭ
Ｒ膜１４にセンス電流を提供するための先端リード電極
及び後端リード電極が設けられ、上記ＭＲヘッド２８上
に中間コア１１が形成されている。そして、上記ＭＲヘ
ッド２８の上部にこの中間コア１１が下層コアの役割を
果たす上記記録ヘッド２９が形成されている。

【００５９】図９は、本実施例による磁気ヘッドの一部
を破断又は省略して示した要部の概略分解斜視図であ
る。

【００６０】図示の如く、再生ヘッド部２８には、Ｂ部
の抽出詳細図のように、ＭＲ膜１４にセンス電流を流す
ためのリード電極２２とリード電極２５との間に接続さ
れているＭＲ膜１４上をリード電極２５の一部であるバ
イアス導体２５ａがブリッジを形成して立体交差し、リ
ード電極２２は上記の交差部の上を跨ぐように折り返し
ている。そして、この折り返したリード電極２２Ａと端
子電極２６とが接続部２２ａ−２２ｂ間の導体（図示省
略）によって接続される。

【００６１】これにより、リード電極からＭＲ膜１４に
センス電流を流し、対向面３９に直交（図９においては
上から下へ）して走行する磁気記録媒体の記録トラック
に記録された磁界の変化によって生じる磁気抵抗の変化
をリード電極２５−２２間の電圧変化として検出する。

【００６２】記録ヘッド部２９には、図示の如く、中間
コア１１上に導体コイル７がスパイラル状に形成（磁気
ギャップ、第２平坦化膜は図示省略）され、この上に上
層コア１３が形成される。そして、導体コイル７は複数
が絶縁体を介して積み重ねて直列に接続してもよい。

【００６３】図１０〜図１２は、上記した本実施例によ
る磁気ヘッドの製造工程における主要な３段階の平面図
を示すものである。

【００６４】図１０は、リード電極２５の一部分とし
て、ＭＲ膜１４上にバイアス導体２５ａが形成された状
態を示す。ＭＲ膜１４の一端は一方のリード電極２５
に、他端は他方のリード電極２２（図９参照）に接続さ
れている。

【００６５】図１１は、第２平坦化膜５の形成領域を斜
線で示すものであり、その一部５ａは図１〜図７に示し
たように、導体コイル端子部７ａの直下にまで局部的に
延設されている。

【００６６】そして、図１２は、この第２平坦化膜５上
に形成された導体コイル７を示している。即ち、第２平
坦化膜５は導体コイル７の形成領域の全域に（その端子
部７ａも含めて）形成されており、そのＢ−Ｂ線断面は
図７に明示した。なお、図１０〜図１２においては、第
２平坦化膜５と導体コイル７との位置関係を明示するた
めに、これらの間に存在する他の薄膜等は省略してあ
る。

【００６７】上述の如く、本実施例の磁気ヘッドによれ
ば、図１〜図２に示したように、第２平坦化膜５を導体
コイル７の下部領域の全体に亘って設けたので、フォト
レジスト膜１９をコイル領域の全域で均一な厚さに成膜
することができる。

【００６８】従って、図３の工程において、規定の露光
量により（オーバー露光なしに）フォトレジスト膜１９
が一様に露光され、図４のように常に所定寸法のフォト
レジストマスク１９が所定パターンに形成されるため、
図５〜図７のようにこのマスク１９により、導体コイル
７は幅細りやパターン太りを生じることなしに目的とす
る幅寸法に形成できることになる。

【００６９】更に、フォトレジスト膜１９の厚さが一定
であるため、露光オーバーすることがなく、露光時間を
短縮することができ、大幅な露光マージンが得られると
共に、高品質で信頼性の高い製品が提供され、歩留りの
高い生産性の向上が実現できる。

【００７０】特に、ＭＲヘッド２８の部分の層構成がそ
の上面に段差又は凹凸を生じ易いものであるために、上
記した第２平坦化膜５による効果は著しいものとなる。

【００７１】本実施例によれば、上記の第２平坦化膜５
を導体コイル７の領域全体に亘って形成しているが、そ
の端部５ａはコイル端子部７ａ下に局所的に存在するよ
うにしている。これは、次に述べる理由により好ましい
配置である。

【００７２】図１３は、第２平坦化膜５を図１１のよう
に形成するのではなく基板１（具体的には非磁性層３）
上にその縁部付近まで広い面積に設けられた場合を示
す、図１２のＡ−Ａ線に沿う要部の断面図である。

【００７３】このように第２平坦化膜５の領域が必要以
上に広すぎた場合、図１３のようにカッティングにより
対向面３９が形成された際に、第２平坦化膜５が対向面
３９に露出した状態になると、上層シールドコア１３と
下層コアを兼ねる中間コア１１との距離が拡大するため
にギャップ長が拡がってしまう。また、両コア１３−１
１間の段差が大きくなるため、コア１３をめっきで形成
する際に縁部からめっき材がはみ出て他方のコア１１と
連なり、ショートし易くなる。

【００７４】但し、こうした問題点があまり生じなけれ
ば、第２平坦化膜５の領域は図１１のものに限定される
ことはなく、より広い面積に亘って形成することも勿論
可能である。

【００７５】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
の実施例は本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可
能である。

【００７６】例えば、上述の実施例における使用材料や
構成は種々であってよく、また製造工程や成膜方法も上
述した実施例以外の工程や成膜方法を採用することもで
きる。

【００７７】また、導体コイルを形成する際のレジスト
は、ポジ型、ネガ型のいずれでもよいし、その加工サイ
ズやパターンも上述したものに限定されることはない。

【００７８】また、上述した実施例の複合型薄膜磁気ヘ
ッド以外に、ＧＭＲヘッド（巨大磁気抵抗効果素子を有
する磁気ヘッド）又はスピンバルブ型再生ヘッドを組み
込むことが可能である。

【００７９】

【発明の作用効果】本発明は、上述した如く、第１の磁
気ヘッド部と、この第１の薄膜磁気ヘッド部に平坦化膜
を介して積層された導体コイルを有する第２の薄膜磁気
ヘッド部とによって複合型磁気ヘッドとして構成され、
少なくとも前記導体コイルの存在領域に亘って前記平坦
化膜が形成されているので、導体コイルの存在領域は段
差がなく、平坦となるため、導体コイルを形成する際に
使用する感光性材料のマスクを常に設定された露光量で
所定パターンに形成することができる。つまり、オーバ
ー露光をなくし若しくは減少させることによって、導体
のショートや細り等を防止し、信頼性、歩留り、品質の
大幅な向上を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による薄膜磁気ヘッドの製造方
法の一工程を示す概略断面図（図１２のＢ−Ｂ線に沿う
断面図：以下、同様）である。

【図２】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図３】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図４】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図５】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図６】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図７】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図８】同、薄膜磁気ヘッドの断面図（図１２のＡ−Ａ
線断面図）である。

【図９】同、薄膜磁気ヘッドの概略分解斜視図である。

【図１０】同、薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程にお
ける平面図である。

【図１１】同、薄膜磁気ヘッドの他の一工程における平
面図である。

【図１２】同、薄膜磁気ヘッドの他の一工程における平
面図である。

【図１３】同、薄膜磁気ヘッドの変形例の要部断面図で
ある。

【図１４】従来例による薄膜磁気ヘッドの製造方法の一
工程を示す概略断面図（図２６のＤ−Ｄ線断面図：以
下、同様）である。

【図１５】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１６】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１７】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１８】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図１９】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図２０】同、他の一工程を示す概略断面図である。

【図２１】同、製造工程においてオーバー露光した状態
を示す概略断面図である。

【図２２】同状態で行った次の工程を示す概略断面図で
ある。

【図２３】同、更に次の工程を示す概略断面図である。

【図２４】従来例による磁気ヘッドの断面図（図２６の
Ｃ−Ｃ線断面図）である。

【図２５】同、磁気ヘッドの一製造工程における平面図
である。

【図２６】同、磁気ヘッドの他の製造工程における平面
図である。

【符号の説明】

１…ガラス基板、２…下層シールドコア、３…非磁性層
（再生ギャップ材）、４…第１平坦化膜、５、５’…第
２平坦化膜、５ａ…コイル端子部、６…第３平坦化膜、
７…導体コイル、７ａ、７ａ’、７ｂ…端子、８…第４
平坦化膜、９…リード線、１０…磁気ヘッド、１１…中
間コア、１２…磁気ギャップ（記録ギャップ材）、１３
…上層コア、１４…ＭＲ膜、１５…リード電極等、１８
…下地膜、１９…フォトレジスト、１９ａ、２３ａ…
孔、１９ｂ、２３ｂ…遮蔽部、２０…マスク、２０ａ、
２０ｂ…透光部、２２、２５…リード電極、２５ａ…バ
イアス導体、２８…再生ヘッド、２９…記録ヘッド、３
０…複合型薄膜磁気ヘッド、３９…メディア対向面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の磁気ヘッド部と、この第１の磁気
ヘッド部に平坦化膜を介して積層された導体コイルを有
する第２の磁気ヘッド部とによって複合型磁気ヘッドと
して構成され、少なくとも前記導体コイルの存在領域に
亘って前記平坦化膜が形成されている磁気ヘッド。
【請求項２】端子領域を含めて導体コイルの全領域の
下部に平坦化膜が形成されている、請求項１に記載した
磁気ヘッド。
【請求項３】第１の磁気ヘッド部としての薄膜磁気ヘ
ッド部が、磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッド部とし
て構成され、第２の磁気ヘッド部としての薄膜磁気ヘッ
ド部が、前記再生ヘッド部上の下層コアと導体コイルと
上層コアとからなる記録ヘッド部として前記再生ヘッド
部と一体化されている、請求項１に記載した磁気ヘッ
ド。
【請求項４】第１の磁気ヘッド部と、この第１の磁気
ヘッド部に平坦化膜を介して積層された導体コイルを有
する第２の磁気ヘッド部とによって複合型磁気ヘッドと
して構成された磁気ヘッドを製造するに際し、少なくとも前記導体コイルの存在領域に亘って前記平坦
化膜を形成する工程と、前記平坦化膜上に感光性材料層を形成する工程と、この感光性材料層を所定パターンに加工してマスクを形
成する工程と、このマスクを用いて非マスク部に導体コイルを選択的に
形成する工程とを有する、磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】端子領域を含めて導体コイルの全領域の
下部に平坦化膜を形成する、請求項４に記載した方法。
【請求項６】平坦化膜上に導電膜を形成し、この上に
感光性材料層を形成し、この感光性材料層を選択露光及
び現像処理によりパターニングして形成したマスクを用
いて、このマスクの非マスク部に露出した前記導電膜上
に電気めっき膜を選択的に被着し、これによって導体コ
イルを所定パターンに形成し、更に前記感光性材料層と
この下部の前記導電膜とをそれぞれ除去する、請求項４
に記載した方法。
【請求項７】導電膜をスパッタリング法により形成す
る、請求項５に記載した方法。
【請求項８】感光性材料としてフォトレジストを用い
る、請求項５に記載した方法。
【請求項９】イオンミリングにより導電膜の不要部分
をエッチングして除去する、請求項５に記載した方法。
【請求項１０】第１の磁気ヘッド部としての薄膜磁気
ヘッド部を、磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッド部と
して構成し、第２の磁気ヘッド部としての薄膜磁気ヘッ
ド部を前記磁気抵抗効果ヘッド上の下層コアと導体コイ
ルの上層コアとからなる記録ヘッド部として前記再生ヘ
ッド部と一体化する、請求項４に記載した方法。