JPH06103524A - 磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH06103524A JPH06103524A JP25285492A JP25285492A JPH06103524A JP H06103524 A JPH06103524 A JP H06103524A JP 25285492 A JP25285492 A JP 25285492A JP 25285492 A JP25285492 A JP 25285492A JP H06103524 A JPH06103524 A JP H06103524A
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- magnetoresistive effect
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、磁気抵
抗効果膜を形成する前の平坦化研磨面の面粗さを、磁気
抵抗効果膜の膜厚の５０％以下あるいは０．０１μｍ以
下にすることにより、磁気ヘッドの性能を良くすること
にある。 【構成】基板１上に磁気ギャップを介して上下二つの磁
極２，８を形成し、この二つの磁極２，８間に絶縁層
３，６を介して電磁コイル７を形成した電磁変換素子
と、前記磁気ギャップ部あるいはその近傍に磁気抵抗効
果膜５を形成した磁気抵抗効果素子とを有する複合型の
磁気ヘッドであって、下部磁極２の磁気ギャップ部２ａ
あるいはその近傍の絶縁層上に磁気抵抗効果膜５を形成
する前に、その絶縁層上の面粗さが磁気抵抗効果膜５の
膜厚の５０％以下あるいは０．０１μｍ以下にしたもの
である。
抗効果膜を形成する前の平坦化研磨面の面粗さを、磁気
抵抗効果膜の膜厚の５０％以下あるいは０．０１μｍ以
下にすることにより、磁気ヘッドの性能を良くすること
にある。 【構成】基板１上に磁気ギャップを介して上下二つの磁
極２，８を形成し、この二つの磁極２，８間に絶縁層
３，６を介して電磁コイル７を形成した電磁変換素子
と、前記磁気ギャップ部あるいはその近傍に磁気抵抗効
果膜５を形成した磁気抵抗効果素子とを有する複合型の
磁気ヘッドであって、下部磁極２の磁気ギャップ部２ａ
あるいはその近傍の絶縁層上に磁気抵抗効果膜５を形成
する前に、その絶縁層上の面粗さが磁気抵抗効果膜５の
膜厚の５０％以下あるいは０．０１μｍ以下にしたもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスク装置あ
るいは磁気テープ装置などに用いられる、情報の読取用
の磁気抵抗効果素子と情報の記録用の電磁変換素子とを
有する複合型の磁気ヘッドとその製造方法に関するもの
である。
るいは磁気テープ装置などに用いられる、情報の読取用
の磁気抵抗効果素子と情報の記録用の電磁変換素子とを
有する複合型の磁気ヘッドとその製造方法に関するもの
である。
【０００２】近年、磁気ディスク装置の小型化、大容量
化に伴い、高性能な磁気ヘッドが要求されている。この
要求を満足するものとして、磁気記録媒体の速度に依存
せず、小型の磁気ディスク装置に対しても利用でき、高
出力が得られる情報の読取用の磁気抵抗効果素子と、情
報の記録用の電磁変換素子とを有する複合型の磁気ヘッ
ドが注目されている。
化に伴い、高性能な磁気ヘッドが要求されている。この
要求を満足するものとして、磁気記録媒体の速度に依存
せず、小型の磁気ディスク装置に対しても利用でき、高
出力が得られる情報の読取用の磁気抵抗効果素子と、情
報の記録用の電磁変換素子とを有する複合型の磁気ヘッ
ドが注目されている。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種の磁気抵抗効果素子と電磁
変換素子とを有する複合型の磁気ヘッドの製造方法を図
６に示す製造工程に従って詳細に説明する。先ず、工程
（１）に示すように、アルミナ（Al2O3 ）などの基板１
に、後述する電磁変換素子の形成における上下磁極（磁
気抵抗効果素子の形成における磁気シールド）の間隔
（インナーギャップ部）を大きくするための凹部１ａを
形成する。
変換素子とを有する複合型の磁気ヘッドの製造方法を図
６に示す製造工程に従って詳細に説明する。先ず、工程
（１）に示すように、アルミナ（Al2O3 ）などの基板１
に、後述する電磁変換素子の形成における上下磁極（磁
気抵抗効果素子の形成における磁気シールド）の間隔
（インナーギャップ部）を大きくするための凹部１ａを
形成する。
【０００４】次に、工程（２）に示すように、この凹部
１ａを形成した基板１の上にNiFe膜よりなる下部磁極
（下部磁気シールド）２を形成し、次に、工程（３）に
示すように、この下部磁極２の上に、Al2O3 などの絶縁
層３を形成し、次に、工程（４）に示すように、この絶
縁層３を下部磁極２の上面が露出するまで平坦化研磨を
行う。
１ａを形成した基板１の上にNiFe膜よりなる下部磁極
（下部磁気シールド）２を形成し、次に、工程（３）に
示すように、この下部磁極２の上に、Al2O3 などの絶縁
層３を形成し、次に、工程（４）に示すように、この絶
縁層３を下部磁極２の上面が露出するまで平坦化研磨を
行う。
【０００５】次に、工程（５）に示すように、下部磁極
２の磁気ギャップ部２ａおよび絶縁層３の上に、Al2O3
などの薄い絶縁層４を被膜した後に、その上にNiFe膜よ
りなる磁気抵抗効果膜５およびこの磁気抵抗効果膜５に
センス電流を流すための引き出し導体（図示しない）を
形成する。
２の磁気ギャップ部２ａおよび絶縁層３の上に、Al2O3
などの薄い絶縁層４を被膜した後に、その上にNiFe膜よ
りなる磁気抵抗効果膜５およびこの磁気抵抗効果膜５に
センス電流を流すための引き出し導体（図示しない）を
形成する。
【０００６】次に、工程（６）に示すように下部磁極２
のインナーギャップ部２ｂにAl2O3などの絶縁層６を介
して電磁コイル７を形成し、さらに磁気抵抗効果膜５お
よび電磁コイル７の上にAl2O3 などの絶縁層６′を介し
て上部磁極８を形成し、この上部磁極８の上に図示しな
い絶縁保護層を形成し、基板１より個々の磁気ヘッドを
切り出し、磁気ギャップ部２ａを接断研磨して磁気ヘッ
ドが完成する。
のインナーギャップ部２ｂにAl2O3などの絶縁層６を介
して電磁コイル７を形成し、さらに磁気抵抗効果膜５お
よび電磁コイル７の上にAl2O3 などの絶縁層６′を介し
て上部磁極８を形成し、この上部磁極８の上に図示しな
い絶縁保護層を形成し、基板１より個々の磁気ヘッドを
切り出し、磁気ギャップ部２ａを接断研磨して磁気ヘッ
ドが完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記のような
磁気抵抗効果素子と電磁変換素子とを有する複合型の磁
気ヘッドの製造方法においては、前記工程（４）に示す
ように、Al2O3 などの絶縁層３を下部磁極２の上面が露
出するまで平坦化研磨したときに、図７に誇張して示す
ように、研磨面に磁気抵抗効果膜５の膜厚より大きい
０．２μｍ位の傷２ｃなどの面粗さがが生じる。
磁気抵抗効果素子と電磁変換素子とを有する複合型の磁
気ヘッドの製造方法においては、前記工程（４）に示す
ように、Al2O3 などの絶縁層３を下部磁極２の上面が露
出するまで平坦化研磨したときに、図７に誇張して示す
ように、研磨面に磁気抵抗効果膜５の膜厚より大きい
０．２μｍ位の傷２ｃなどの面粗さがが生じる。
【０００８】前記磁気抵抗効果膜５の厚さは０．０２μ
ｍ程度で非常に薄いため、図７に示すように、この下部
磁極２の傷２ｃのある平坦化研磨面および絶縁層３の上
に、スパッタリングなどにより薄いAl2O3 などの絶縁層
４を被膜したとしても、前記傷２ｃなどの面粗さを無く
すことができず、このようなAl2O3 などの薄い絶縁層４
を被膜した上に磁気抵抗効果膜５を形成した場合、磁区
の乱れが生じる。
ｍ程度で非常に薄いため、図７に示すように、この下部
磁極２の傷２ｃのある平坦化研磨面および絶縁層３の上
に、スパッタリングなどにより薄いAl2O3 などの絶縁層
４を被膜したとしても、前記傷２ｃなどの面粗さを無く
すことができず、このようなAl2O3 などの薄い絶縁層４
を被膜した上に磁気抵抗効果膜５を形成した場合、磁区
の乱れが生じる。
【０００９】また、下部磁極２の平坦化研磨面をAl2O3
などの薄い絶縁層４で完全に絶縁することができず、磁
気抵抗効果膜５や図示しないセンス電流の引き出し導体
などが下部磁極２と接触して、磁気抵抗効果膜５に流れ
るべきセンス電流が下部磁極２に漏洩し、再生信号が急
に小さくなったり、または全く信号が検出できない状態
になる、という致命的な問題があった。
などの薄い絶縁層４で完全に絶縁することができず、磁
気抵抗効果膜５や図示しないセンス電流の引き出し導体
などが下部磁極２と接触して、磁気抵抗効果膜５に流れ
るべきセンス電流が下部磁極２に漏洩し、再生信号が急
に小さくなったり、または全く信号が検出できない状態
になる、という致命的な問題があった。
【００１０】この発明は、磁気抵抗効果膜を形成する前
の平坦化研磨面の面粗さを、磁気抵抗効果膜の膜厚の５
０％以下あるいは０．０１μｍ以下にすることにより、
前記のような問題をなくすことを目的としたものであ
る。
の平坦化研磨面の面粗さを、磁気抵抗効果膜の膜厚の５
０％以下あるいは０．０１μｍ以下にすることにより、
前記のような問題をなくすことを目的としたものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項（１）に記載の発明は、基板１上に磁気ギャ
ップを介して上下二つの磁極２，８を形成し、この二つ
の磁極２，８間に絶縁層３，６を介して電磁コイル７を
形成した電磁変換素子と、前記磁気ギャップ部２ａある
いはその近傍に磁気抵抗効果膜５を形成した磁気抵抗効
果素子とを有する複合型の磁気ヘッドであって、下部磁
極２の磁気ギャップ部２ａあるいはその近傍の絶縁層上
に磁気抵抗効果膜５を形成する前に、その絶縁層上の面
粗さが磁気抵抗効果膜５の膜厚の５０％以下にした磁気
ヘッドとしたものである。
に、請求項（１）に記載の発明は、基板１上に磁気ギャ
ップを介して上下二つの磁極２，８を形成し、この二つ
の磁極２，８間に絶縁層３，６を介して電磁コイル７を
形成した電磁変換素子と、前記磁気ギャップ部２ａある
いはその近傍に磁気抵抗効果膜５を形成した磁気抵抗効
果素子とを有する複合型の磁気ヘッドであって、下部磁
極２の磁気ギャップ部２ａあるいはその近傍の絶縁層上
に磁気抵抗効果膜５を形成する前に、その絶縁層上の面
粗さが磁気抵抗効果膜５の膜厚の５０％以下にした磁気
ヘッドとしたものである。
【００１２】また、請求項（２）に記載の発明は、下部
磁極２の磁気ギャップ部２ａの絶縁層上に磁気抵抗効果
膜５を形成する前に、その絶縁層上の面粗さが０．０１
μｍ以下にした磁気ヘッドとしたものである。
磁極２の磁気ギャップ部２ａの絶縁層上に磁気抵抗効果
膜５を形成する前に、その絶縁層上の面粗さが０．０１
μｍ以下にした磁気ヘッドとしたものである。
【００１３】また、請求項（３）に記載の発明は、基板
１上に磁気ギャップを介して上下二つの磁極２，８を形
成し、この上下二つの磁極２，８間に絶縁層を介して電
磁コイル７を形成した電磁変換素子と、前記磁気ギャッ
プ部２ａあるいはその近傍に磁気抵抗効果膜５を形成し
た磁気抵抗効果素子とを有する複合型の磁気ヘッドの製
造方法であって、基板１上に下部磁極２を形成し、その
上に絶縁層３を形成してその上を下部磁極２の上面が露
出するまで平坦化研磨する工程と、その平坦化研磨面に
他の絶縁層４およびさらに他の絶縁層９を順次形成する
工程と、前記他の絶縁層４とさらに他の絶縁層９とのド
ライエッチング速度比が同じになるイオン入射角度でイ
オンミリングを行い平坦化する工程と、その平坦化面に
磁気抵抗効果膜５を形成する工程を含む磁気ヘッドの製
造方法としたものである。
１上に磁気ギャップを介して上下二つの磁極２，８を形
成し、この上下二つの磁極２，８間に絶縁層を介して電
磁コイル７を形成した電磁変換素子と、前記磁気ギャッ
プ部２ａあるいはその近傍に磁気抵抗効果膜５を形成し
た磁気抵抗効果素子とを有する複合型の磁気ヘッドの製
造方法であって、基板１上に下部磁極２を形成し、その
上に絶縁層３を形成してその上を下部磁極２の上面が露
出するまで平坦化研磨する工程と、その平坦化研磨面に
他の絶縁層４およびさらに他の絶縁層９を順次形成する
工程と、前記他の絶縁層４とさらに他の絶縁層９とのド
ライエッチング速度比が同じになるイオン入射角度でイ
オンミリングを行い平坦化する工程と、その平坦化面に
磁気抵抗効果膜５を形成する工程を含む磁気ヘッドの製
造方法としたものである。
【００１４】
【作用】この発明のように、下部磁極の上に薄く形成し
た絶縁層の上の面粗さを、磁気抵抗効果膜の膜厚の５０
％以下あるいは０．０１μｍ以下に平坦化することで、
研磨傷が原因で起きる下部磁極２と磁気抵抗効果膜５と
上部磁極８とのショートや磁気抵抗効果膜５の磁区の乱
れによる情報の読取り特性の劣化を解消することができ
る。
た絶縁層の上の面粗さを、磁気抵抗効果膜の膜厚の５０
％以下あるいは０．０１μｍ以下に平坦化することで、
研磨傷が原因で起きる下部磁極２と磁気抵抗効果膜５と
上部磁極８とのショートや磁気抵抗効果膜５の磁区の乱
れによる情報の読取り特性の劣化を解消することができ
る。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の電磁変換素子と磁気抵抗効
果素子とを有する複合型の磁気ヘッドおよびその製造方
法の各実施例を、図６に示す従来例と同一部には同一符
号を付けて説明する。
果素子とを有する複合型の磁気ヘッドおよびその製造方
法の各実施例を、図６に示す従来例と同一部には同一符
号を付けて説明する。
【００１６】図１はこの発明の第一の実施例の概略図
で、基板１上に磁気ギャップ部２ａを介して上下二つの
磁極２，８を形成し、この二つの磁極２，８間に絶縁層
６を介して電磁コイル７を形成した電磁変換素子と、前
記磁気ギャップ部２ａあるいはその近傍に磁気抵抗効果
膜５を形成した磁気抵抗効果素子とを有する複合型の磁
気ヘッドである点は従来例と同じである。
で、基板１上に磁気ギャップ部２ａを介して上下二つの
磁極２，８を形成し、この二つの磁極２，８間に絶縁層
６を介して電磁コイル７を形成した電磁変換素子と、前
記磁気ギャップ部２ａあるいはその近傍に磁気抵抗効果
膜５を形成した磁気抵抗効果素子とを有する複合型の磁
気ヘッドである点は従来例と同じである。
【００１７】この発明が従来例と相違する点は、下部磁
極２の磁気ギャップ部２ａあるいはその近傍の絶縁層上
に磁気抵抗効果膜５を形成する前に、その絶縁層上の面
粗さが磁気抵抗効果膜５の膜厚の５０％以下あるいはそ
の絶縁層上の面粗さが０．０１μｍ以下であるようにし
たものである。
極２の磁気ギャップ部２ａあるいはその近傍の絶縁層上
に磁気抵抗効果膜５を形成する前に、その絶縁層上の面
粗さが磁気抵抗効果膜５の膜厚の５０％以下あるいはそ
の絶縁層上の面粗さが０．０１μｍ以下であるようにし
たものである。
【００１８】この発明のように、下部磁極２の上に薄く
形成した絶縁層の上の面粗さを、磁気抵抗効果膜の膜厚
の５０％以下あるいは０．０１μｍ以下に平坦化するこ
とで、研磨傷が原因で起きる下部磁極２と磁気抵抗効果
膜５と上部磁極８とのショートや磁気抵抗効果膜５の磁
区の乱れによる情報の読取り特性の劣化を解消すること
ができる。
形成した絶縁層の上の面粗さを、磁気抵抗効果膜の膜厚
の５０％以下あるいは０．０１μｍ以下に平坦化するこ
とで、研磨傷が原因で起きる下部磁極２と磁気抵抗効果
膜５と上部磁極８とのショートや磁気抵抗効果膜５の磁
区の乱れによる情報の読取り特性の劣化を解消すること
ができる。
【００１９】また、この発明の電磁変換素子と磁気抵抗
効果素子とを有する複合型の磁気ヘッドの製造方法を図
２に示す工程に従って詳細に説明する。この発明の磁気
ヘッドの製造方法において、図６に示す従来例の製造工
程（１）〜（４）まで、すなわち、図２に示す工程
（１）のように、基板１上に下部磁極２およびその上に
絶縁層３を形成して、その上を下部磁極２の上面が露出
するまで平坦化研磨する工程は従来例と同じである。こ
の平坦化研磨面には、誇張して示したように面粗さ、す
なわち、傷２ｃが生じる。
効果素子とを有する複合型の磁気ヘッドの製造方法を図
２に示す工程に従って詳細に説明する。この発明の磁気
ヘッドの製造方法において、図６に示す従来例の製造工
程（１）〜（４）まで、すなわち、図２に示す工程
（１）のように、基板１上に下部磁極２およびその上に
絶縁層３を形成して、その上を下部磁極２の上面が露出
するまで平坦化研磨する工程は従来例と同じである。こ
の平坦化研磨面には、誇張して示したように面粗さ、す
なわち、傷２ｃが生じる。
【００２０】次に、図２の工程（２）に示すように、前
記平坦化研磨した後に、スパッタリングなどにより薄い
Al2O3 などの絶縁層４を形成する。この際に誇張して描
いてある前記平坦化研磨面に生じている傷２ｃの上にも
前記絶縁層４が形成される。さらに、前記絶縁層４が形
成された上に、絶縁性のレジストなどの絶縁層９を被膜
する。この絶縁層９は上面が水平になるように形成され
る。
記平坦化研磨した後に、スパッタリングなどにより薄い
Al2O3 などの絶縁層４を形成する。この際に誇張して描
いてある前記平坦化研磨面に生じている傷２ｃの上にも
前記絶縁層４が形成される。さらに、前記絶縁層４が形
成された上に、絶縁性のレジストなどの絶縁層９を被膜
する。この絶縁層９は上面が水平になるように形成され
る。
【００２１】次に、工程（３）に示すように、前記Al2O
3 などの絶縁層４と絶縁性のレジストなどの絶縁層９と
のドライエッチング速度比が同じになるイオン入射角度
でイオンミリングを行い平坦化する。このようなイオン
ミリングを、いわゆるエッチバック法という。この詳細
な説明を図３および図４に従って行う。
3 などの絶縁層４と絶縁性のレジストなどの絶縁層９と
のドライエッチング速度比が同じになるイオン入射角度
でイオンミリングを行い平坦化する。このようなイオン
ミリングを、いわゆるエッチバック法という。この詳細
な説明を図３および図４に従って行う。
【００２２】図３は横軸にイオン入射角度θ、縦軸にド
ライエッチング速度比Å／分をとって、前記Al2O3 など
の絶縁層４と絶縁性のレジストなどの絶縁層９とのドラ
イエッチング速度比Å／分の状態を示したものであり、
イオン入射角度θ′において前記絶縁層４と絶縁層９と
のドライエッチング速度比Å／分が同じとなる。
ライエッチング速度比Å／分をとって、前記Al2O3 など
の絶縁層４と絶縁性のレジストなどの絶縁層９とのドラ
イエッチング速度比Å／分の状態を示したものであり、
イオン入射角度θ′において前記絶縁層４と絶縁層９と
のドライエッチング速度比Å／分が同じとなる。
【００２３】このイオン入射角度θ′で、図４に示すよ
うに、下部磁極２の平坦化研磨面に生じている傷２ｃの
上にAl2O3 などの絶縁層４と絶縁性のレジストなどの絶
縁層９とを順次被膜した上を、一点鎖線Ｌで示す位置ま
でエッチングを行うと、前記傷２ｃの上のAl2O3 などの
絶縁層４の尖った部分も、絶縁性のレジストなどの絶縁
層９と同じエッチング速度でエッチングされるので、そ
のエッチング面の面粗さが０．０１μｍ以下となる。
うに、下部磁極２の平坦化研磨面に生じている傷２ｃの
上にAl2O3 などの絶縁層４と絶縁性のレジストなどの絶
縁層９とを順次被膜した上を、一点鎖線Ｌで示す位置ま
でエッチングを行うと、前記傷２ｃの上のAl2O3 などの
絶縁層４の尖った部分も、絶縁性のレジストなどの絶縁
層９と同じエッチング速度でエッチングされるので、そ
のエッチング面の面粗さが０．０１μｍ以下となる。
【００２４】次に、図２の工程（４）に示すように、面
粗さが０．０１μｍ以下となったエッチング面の上に、
磁気抵抗効果膜５を形成し、その後、磁気ギャップ部２
ａの磁気抵抗効果膜５′を残し、その他の部分をエッチ
ングして除去する。
粗さが０．０１μｍ以下となったエッチング面の上に、
磁気抵抗効果膜５を形成し、その後、磁気ギャップ部２
ａの磁気抵抗効果膜５′を残し、その他の部分をエッチ
ングして除去する。
【００２５】この発明の製造方法によって、図５に示す
ようなフラックスガイド型の情報の読取用の磁気抵抗効
果素子と情報の記録用の電磁変換素子とを有する複合型
の磁気ヘッドを製造することもできる。図５において、
１０は磁気ギャップ部２ａに形成したフラックスガイド
で、磁気抵抗効果膜５はこのフラックスガイド１０から
のフラックスを受けるようにインナーギャップ部２ｂに
形成されている。
ようなフラックスガイド型の情報の読取用の磁気抵抗効
果素子と情報の記録用の電磁変換素子とを有する複合型
の磁気ヘッドを製造することもできる。図５において、
１０は磁気ギャップ部２ａに形成したフラックスガイド
で、磁気抵抗効果膜５はこのフラックスガイド１０から
のフラックスを受けるようにインナーギャップ部２ｂに
形成されている。
【００２６】
【発明の効果】この発明のように、下部磁極の上に薄く
形成した絶縁層の上の面粗さを、磁気抵抗効果膜の膜厚
の５０％以下あるいは０．０１μｍ以下に平坦化するこ
とで、研磨傷が原因で起きる下部磁極と磁気抵抗効果膜
と上部磁極とのショートや磁気抵抗効果膜の磁区の乱れ
による情報の読取り特性の劣化を解消することができ、
製品の歩留りの向上を図ることができる。
形成した絶縁層の上の面粗さを、磁気抵抗効果膜の膜厚
の５０％以下あるいは０．０１μｍ以下に平坦化するこ
とで、研磨傷が原因で起きる下部磁極と磁気抵抗効果膜
と上部磁極とのショートや磁気抵抗効果膜の磁区の乱れ
による情報の読取り特性の劣化を解消することができ、
製品の歩留りの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の磁気ヘッドの要部の拡大断面図で
る。
る。
【図２】この発明の磁気ヘッドの製造工程を示す図であ
る。
る。
【図３】この発明の磁気ヘッドの製造工程の要部の説明
図でる。
図でる。
【図４】この発明の磁気ヘッドの製造工程の要部の説明
図でる。
図でる。
【図５】この発明の他の磁気ヘッドの要部の拡大断面図
でる。
でる。
【図６】従来の磁気ヘッドの製造工程を示す図である。
【図７】従来の磁気ヘッドの問題点の説明図である。
１ 基板 １ａ 凹部 ２ 下部磁極 ２ａ 磁気ギャップ部 ２ｂ インナーギャップ部 ２ｃ 傷 ３ 絶縁層 ４ 絶縁層 ５ 磁気抵抗効果膜 ６ 絶縁層 ６′ 絶縁層 ７ 電磁コイル ８ 上部磁極 ９ 絶縁層 １０ フラックスガイド
Claims (3)
- 【請求項１】基板（１）上に磁気ギャップを介して上下
二つの磁極（２），（８）を形成し、この二つの磁極
（２），（８）間に絶縁層（３），（６）を介して電磁
コイル（７）を形成した電磁変換素子と、前記磁気ギャ
ップ部あるいはその近傍に磁気抵抗効果膜（５）を形成
した磁気抵抗効果素子とを有する複合型の磁気ヘッドで
あって、 下部磁極（２）の磁気ギャップ部（２ａ）あるいはその
近傍の絶縁層上に磁気抵抗効果膜（５）を形成する前
に、その絶縁層上の面粗さが磁気抵抗効果膜（５）の膜
厚の５０％以下であることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】下部磁極（２）の磁気ギャップ部（２ａ）
の絶縁層上に磁気抵抗効果膜（５）を形成する前に、そ
の絶縁層上の面粗さが０．０１μｍ以下であることを特
徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】基板（１）上に磁気ギャップを介して上下
二つの磁極（２），（８）を形成し、この上下二つの磁
極（２），（８）間に絶縁層を介して電磁コイル（７）
を形成した電磁変換素子と、前記磁気ギャップ部（２
ａ）あるいはその近傍に磁気抵抗効果膜（５）を形成し
た磁気抵抗効果素子とを有する複合型の磁気ヘッドの製
造方法であって、 基板（１）上に下部磁極（２）を形成し、その上に絶縁
層（３）を形成してその上を下部磁極（２）の上面が露
出するまで平坦化研磨する工程と、 その平坦化研磨面に他の絶縁層（４）およびさらに他の
絶縁層（９）を順次形成する工程と、 前記他の絶縁層（４）とさらに他の絶縁層（９）とのド
ライエッチング速度比が同じになるイオン入射角度でイ
オンミリングを行い平坦化する工程と、 その平坦化面に磁気抵抗効果膜（５）を形成する工程を
含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25285492A JPH06103524A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25285492A JPH06103524A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103524A true JPH06103524A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17243101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25285492A Withdrawn JPH06103524A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103524A (ja) |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP25285492A patent/JPH06103524A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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