JPH0581611A

JPH0581611A - 磁気ヘツド

Info

Publication number: JPH0581611A
Application number: JP23914491A
Authority: JP
Inventors: Fujihiro Itou; 富士弘伊藤; Norifumi Makino; 憲史牧野; Toru Matsuda; 徹松田; Yutaka Kusano; 豊草野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-09-19
Filing date: 1991-09-19
Publication date: 1993-04-02

Abstract

(57)【要約】【目的】狭トラック幅の形成が容易な磁気ヘッドの提
供。【構成】トラック幅に相当する凸部２，７を設けた水
平表面に金属磁性薄膜３，６を形成した２つの磁性基板
１，８を、それぞれの凸部２，７の金属磁性薄膜３，６
の間に磁気ギャップ層９を設けてつき合わせて接合した
構造のもの。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度磁気記録再生を
行う記録再生装置に用いる磁気ヘッド、特に、コイルと
磁極を薄膜で形成した基板を磁気ギャップ層を介して接
合してなる磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録密度の向上はめざまし
く、磁気テープの高保磁力化がそのための主流の技術に
なりつつある。このため、コア材としては高飽和磁束密
度の金属材料を用いたものの開発が盛んになっている。
特に高周波領域で用いられる磁気ヘッドの分野では、こ
れを薄膜で形成する技術が主流になっており、性能およ
び生産性で薄膜プロセスが有望とされている。

【０００３】しかし、薄膜磁気ヘッドでは、その構造
上、記録時に磁気飽和が起こりやすく、コアの体積を含
め構造上の改善を必要とする。

【０００４】この点を考慮した磁気コアの構造として
は、たとえば、特開昭６２−６４１６号公報に記載され
たものがある。これは、金属磁性薄膜で形成された磁気
コアの磁束絞り効果を図るものである。すなわち、図１
１に示すように、磁極２１の幅をトラック幅よりも大き
くすることにより、磁極２１の断面積を大きくし、等価
的に磁極厚を大きくしたことと同様の効果が得られるよ
うにしたものである。なお、図中、２２は金属磁性薄膜
よりなる磁極、２３はガラス接合層、２４は磁気ギャッ
プ層である。また、バルクヘッドにおいても、図１２〜
図１５に示すように、高飽和磁束密度の金属材料よりな
る磁極２１，２２を薄膜により形成したフェライト基板
２０を、磁極２１，２２の間に磁気ギャップ層２４を介
してガラス接合した、所謂メタルインギャップ型のヘッ
ドも種々実用化されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気ヘッドは、更なる高密度磁気記録、すなわち近年の
トラック幅の狭トラック化という点からみれば、なお、
以下のような欠点を有していた。

【０００６】（１）狭トラック幅（たとえば５μｍ以
下）の形成が困難である。すなわち、図１１の例におい
ては、絶縁層で囲まれた凹部に磁極２１を成膜するが、
シャドーイング効果の影響により磁極２１が成膜されに
くく、従って狭トラックの形成が困難である。図１２〜
図１５の例においては、切削，研磨などの機械加工によ
りトラック幅を形成するが、加工時のフェライト基板２
０と磁極２１，２２のカケやトラックピッチの誤差など
により、狭トラック幅の形成と基板のつき合わせ接合が
困難である。

【０００７】（２）図１２〜図１５の例の場合、狭トラ
ック幅（たとえば５μｍ以下）で基板のつき合わせ接合
をすると、１μｍ程度のトラックずれであっても２〜３
ｄＢの特性の低下が生ずるが、このトラックずれを０に
することは現実的に不可能である。

【０００８】（３）図１１〜図１５のような構成の場
合、磁極のはみ出し（図１１）、あるいは磁気ギャップ
層２４以外の磁性層（図１３，１４）の影響によりサイ
ドフリンジが大きく、隣接トラックとのクロストークが
発生しやすい。

【０００９】（４）図１２〜図１５のバルクヘッドの場
合、インダクタンスが大きいため、高周波領域での特性
の低下が大きい。

【００１０】（５）狭トラック幅の形成が困難であるた
め、製造歩留が低下し、コストの大幅な増加となる。

【００１１】この発明は、このような従来の問題点を解
決するためになされたもので、トラック幅の狭トラック
化が可能であり、したがって上記問題点を解決すること
ができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明が提供する磁気ヘ
ッドは、トラック幅に相当する凸部を設けた水平表面に
磁性膜を形成した２つの基板を、それぞれの凸部の磁性
膜の間に磁気ギャップ層を設けて接合してなるものであ
る。

【００１３】また、本発明が提供する他の磁気ヘッド
は、水平表面に磁性膜を形成した第１基板とトラック幅
に相当する凸部を設けた水平表面に磁性膜を形成した第
２基板とを、第１基板の磁性膜と第２基板の凸部の磁性
膜との間に磁気ギャップ層を設けて接合してなるもので
ある。

【００１４】

【作用】本発明においては、薄膜技術で磁極を形成し、
つき合わせ接合で基板と基板を接合するので、狭トラッ
ク幅の形成が容易である。

【００１５】

【実施例】（第１実施例）図１は本発明の第１実施例を
示す図であり、図２は図１における、記録媒体との摺動
面を示す図である。

【００１６】図１において、１はフェライトなどよりな
る磁性基板、２は磁性基板１の表面に形成されたトラッ
ク幅に相当する凸部、３は高飽和磁束密度の金属磁性薄
膜、４は磁性基板１の表面に形成した磁気コンタクト部
に相当する凸部、５はコイル、６は高飽和磁束密度の金
属磁性薄膜、７は後述する磁性基板８の表面に形成され
たトラック幅及び磁極に相当する凸部である。８はフェ
ライトよりなる磁性基板、９は磁気ギャップ層、１０は
ガラス接合層である。

【００１７】上記構成の磁気ヘッドは、次の手順で製造
される。

【００１８】まず、磁性基板１の上にフォトリソエッチ
ングによりトラック幅に相当する凸部２と磁気コンタク
ト部に相当する凸部４を１０μｍ程度以上の厚みで形成
する。また、一方の磁性基板８の上にも、同様にして、
トラック幅と磁極に相当する凸部７を１０μｍ程度以上
の厚みで形成する。各凸部２，４，７の形成は、それぞ
れをフォトレジストでマスキングし、イオンミーリング
法により他の部位をエッチングすることにより行う。

【００１９】次に、磁性基板１，８の前記凸部側の表面
に高飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜３，６を、５０
〜３００オングストロームのＣｒ₂ Ｏ₃ 等による下引層
（図示せず）を介して５μｍ程度のスパッタリング法に
より成膜する。そして、金属磁性薄膜３の上に絶縁層
（図示せず）を介してコイル５を薄膜で形成し、さらに
コイル５の上に絶縁層（図示せず）を形成する。上記コ
イル５はＴａまたはＴｉとＣｕの積層体、またはＣｒと
Ｃｕの積層体等からなる。

【００２０】ついで、凸部２の上に形成された金属磁性
薄膜３の上の絶縁層を、リアクティブイオンエッチング
により選択的に除去し、除去後のギャップ形成部位にＳ
ｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の非磁性材からなる磁気ギャップ
層９を０．１５μｍ〜０．３μｍ程度の厚みで成膜す
る。これら金属磁性薄膜３，６、絶縁層、コイル５はウ
ェハー上に、順次、薄膜技術により形成される。

【００２１】このように金属磁性薄膜３，コイル５，磁
気ギャップ層９などが形成された磁性基板１と金属磁性
薄膜６などが形成された磁性基板８を２０〜３０程度の
ブロックに切断加工し、ガラス接合用の溝を形成した
後、つき合わせてガラスで接合する。接合後、適宜、切
断，組み立て等の工程を経てヘッドチップが完成する。

【００２２】図２は、完成したヘッドチップの記録媒体
との摺動面を示したものである。同図に示すように、磁
気ギャップ部に磁気ギャップ層９と平行な金属磁性薄膜
３，６を有し、また磁気ギャップ層９と平行な段差部分
にも金属磁性薄膜３，６を有する構成となる。

【００２３】このように、第１実施例の磁気ヘッドは、
ウェハーの上に薄膜技術により磁極，コイル，磁気ギャ
ップ層を形成し、つき合わせ接合することにより製造さ
れるので、狭トラック幅の磁気ヘッドの製造が容易とな
る。

【００２４】また、磁気ギャップ層９の近傍と摺動面内
に、磁気ギャップ層９と平行な金属磁性薄膜３，６が存
在しても、その間隔が磁気ギャップ層９の部位よりも広
いため、記録電流により発生する磁界はほとんどが磁気
ギャップ層９を通過し、他の平行な磁性薄膜３，６の存
在する部分に磁界が発生することはなく、疑似ギャップ
によるコンターの発生を低減することが可能となる。

【００２５】また、トラック幅を形成する金属磁性薄膜
３，６の斜面の形成角度の制御が容易であるので、サイ
ドフリンジによる隣接トラックのクロストークの低減も
可能となる。

【００２６】（第２実施例）図３は本発明の第２実施例
を示す図である。図において、１１は非磁性フェライ
ト，セラミクス，または結晶化ガラス等の非磁性基板、
１２は非磁性基板１１の表面に形成されたトラック幅に
相当する凸部、１３は高飽和磁束密度の金属磁性薄膜、
１４は非磁性基板１１の上に形成され磁気コンタクト部
に相当する凸部、１５はコイル、１６は高飽和磁束密度
の金属磁性薄膜、１７は非磁性基板に形成されたトラッ
ク幅及び磁極に相当する凸部、１８は非磁性フェライ
ト，セラミクス，または結晶化ガラス等の非磁性基板、
１９は磁気ギャップ層、２０はガラス接合層である。

【００２７】第２実施例は、どちらか一方または両方の
基板に非磁性材を用いている点で第１実施例と異なる。

【００２８】第２実施例によれば、基板に非磁性材を用
いるので、金属磁性薄膜の成膜界面における疑似ギャッ
プによるコンターの発生がない。

【００２９】また、インダクタンスの低下に伴い単位イ
ンダクタンスあたりの出力が向上し、かつ摺動ノイズレ
ベルの低い、良好なＳ／Ｎを有する磁気ヘッドを提供で
きる。

【００３０】さらに、基板に高耐摩耗性の非磁性材を用
いるので、耐摩耗特性が改善され、ギャップデプスの短
縮が可能となり、記録再生特性に優れ、かつ高耐摩耗性
を有する狭トラックの磁気ヘッドを供給することができ
る。

【００３１】（第３実施例）図４は本発明の第３実施例
を表す図である。図において、２１と２８は磁性基板
で、多結晶フェライト部２１ａ，２８ａと単結晶フェラ
イト部２１ｂ，２８ｂとの複合材で構成されている。２
３，２６は高飽和磁束密度の金属磁性薄膜、２９は磁気
ギャップ層、３０はガラス接合層である。

【００３２】本実施例は、磁性基板として単結晶フェラ
イトと多結晶フェライトとの複合材を用い、磁気ギャッ
プ層２９の近傍に単結晶フェライトを配し、磁気ギャッ
プ層２９の近傍以外の部分に多結晶フェライトを配した
ものである。すなわち、図４に示すように、単結晶フェ
ライト部２１ｂ，２８ｂでトラック幅に相当する凸部を
形成し、多結晶フェライト部２１ａ，２８ａをその支持
基板として構成したところに特徴がある。第３実施例
は、この点で第１実施例と異なる。

【００３３】第３実施例によれば、前記第１実施例の効
果に加え、次の効果を奏する。

【００３４】（１）単結晶フェライト部２１ｂ，２８ｂ
でトラック幅に相当する凸部を形成するので、エッジ部
がシャープに形成され、狭トラック幅の形成が容易にな
る。

【００３５】（２）磁気ギャップ近傍に単結晶フェライ
トを用いるので、コンターの発生を低減することができ
る。

【００３６】（３）磁気ギャップ近傍以外に多結晶フェ
ライトを用いるので、摺動ノイズの発生が少ない。

【００３７】（第４実施例）図５は本発明の第４実施例
を示す図であり、図６は図５における記録媒体との摺動
面を示す図である。

【００３８】図において、３１はフェライトなどにより
なる磁性基板、３２は磁性基板３１の表面に形成された
トラック幅及びギャップデプスに相当する凸部、３３は
高飽和磁束密度の金属磁性薄膜、３４は磁性基板１の表
面に形成した磁気コンタクト部に相当する凸部、３５は
コイル、３６は高飽和磁束密度の金属磁性薄膜、３７は
フェライトなどよりなる磁性基板、３８は磁気ギャップ
層、３９はガラス接合層である。

【００３９】上記構成の磁気ヘッドは、次の手順で製造
される。

【００４０】まず、磁性基板３１の上にフォトリソエッ
チングによりトラック幅及びギャップデプスに相当する
凸部３２と磁気コンタクト部に相当する凸部３４を１０
μｍ程度以上の厚みで形成する。各凸部３２，３４の形
成は、各凸部に相当する部位をフォトレジストでマスキ
ングし、イオンミーリング法により他の部位をエッチン
グすることにより行う。

【００４１】次に、磁性基板３１，３７の表面に高飽和
磁束密度を有する金属磁性薄膜３３，３６を、５０〜３
００オングストロームのＣｒ₂ Ｏ₃ 等による下引層（図
示せず）を介して５μｍ程度スパッタリング法により成
膜する。そして、金属磁性薄膜３３上に絶縁層（図示せ
ず）を介してコイル３６を薄膜で形成し、さらに、コイ
ル３５の上に絶縁層（図示せず）を形成する。上記コイ
ル３６はＴａまたはＴｉとＣｕの積層体、またはＣｒと
Ｃｕの積層体等からなる。ついで、凸部３２の上に形成
された金属磁性薄膜３３の上の絶縁層を、リアクティブ
イオンエッチングにより選択的に除去し、除去後のギャ
ップ形成部位にＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の非磁性材から
なる磁気ギャップ層３８を０．１５μｍ〜０．３μｍ程
度の厚みで成膜する。なお、磁気ギャップ層３８を形成
する非磁性材は磁性基板３７の上に成膜しても良い。こ
れら金属磁性薄膜３３，３６、絶縁層、コイル３５はウ
ェハー上に、順次、薄膜技術により形成される。

【００４２】このように、金属磁性薄膜３３，コイル３
５，磁気ギャップ層３８などが形成された磁性基板３１
と金属磁性薄膜３６などが形成された磁性基板３７を２
０〜３０程度のブロックに切断加工し、ガラス接合用の
溝を形成した後、つき合わせてガラスで接合する。接合
後、適宜、切断，組立等の工程を経てヘッドチップが完
成する。

【００４３】図６は、完成したヘッドチップの記録媒体
との摺動面を示したものである。同図に示すように、磁
気ギャップ部にこれと平行な金属磁性薄膜３３，３６を
有し、また磁気ギャップ部と平行な段差部分にも金属磁
性薄膜３３，３６を有する構成となる。

【００４４】上述のように、第４実施例においては、金
属磁性薄膜３６が磁性基板３７の平面上に形成されてい
るので、磁気ギャップのトラック幅は磁性基板３１の凸
部３２の上に形成される金属磁性薄膜３３のトラック幅
で決定される。したがって、両磁性基板３１，３７のつ
き合わせ接合時に、トラック幅の位置合わせが不要とな
る。

【００４５】また、ウェハー上に薄膜技術により磁極，
コイル，磁気ギャップ層を形成し、つき合わせ接合する
ことにより製造されるので、狭トラック幅の磁気ヘッド
の製造が容易になる。

【００４６】また、磁気ギャップ層３８の近傍摺動面内
に、磁気ギャップ層３８と平行な金属磁性薄膜３３，３
６が存在しても、その間隔が磁気ギャップ層３８よりも
広いため、記録電流により発生する磁界はほとんどが磁
気ギャップ層３８を通過し、他の平行な金属磁性薄膜３
３，３６の存在する部位に磁界が発生することはなく、
またＣｒ₂ Ｏ₃ 等の下引層により金属磁性層と磁性基板
相互の拡散が抑制され、疑似ギャップによるコンターの
発生を低減することが可能となる。

【００４７】また、トラックを形成する金属磁性薄膜３
３の斜面の形成角度の制御が容易であるので、サイドフ
リンジによる隣接トラックのクロストークの低減も可能
となる。

【００４８】さらに、第４実施例にあっては、磁性基板
３１の平面上に磁極が形成され、もう一方の磁性基板３
７に形成された凸部３２の上に形成される磁極の幅が磁
気ヘッドのトラック幅を形成するので、つき合わせ接合
におけるトラックずれが発生しない。このため、トラッ
クずれによる出力低下が生じない。

【００４９】（第５実施例）図７は本発明の第５実施例
を表す図である。図において、４１は非磁性フェライ
ト，セラミクス，または結晶化ガラス等の非磁性基板、
４２は非磁性基板４１の表面に形成されたトラック幅に
相当する凸部、４３は高飽和磁束密度の金属磁性薄膜、
４４は非磁性基板４１の上に形成され磁気コンタクト部
に相当する凸部、４５はコイル、４６は高飽和磁束密度
の金属磁性薄膜、４７は非磁性フェライト，セラミク
ス，または結晶化ガラス等の非磁性基板、４８は磁気ギ
ャップ層、４９はガラス接合層である。

【００５０】第５実施例は、どちらか一方または両方の
基板に非磁性材を用いている点で第４実施例と異なる。

【００５１】第５実施例によれば、基板に非磁性材を用
いるので、金属磁性薄膜との成膜界面における疑似ギャ
ップによるコンターの発生がない。

【００５２】また、インダクタンスの低下に伴い単位イ
ンダクタンスあたりの出力が向上し、かつ摺動ノイズレ
ベルの低い良好なＳ／Ｎを有する磁気ヘッドを得ること
ができる。さらに、基板に高耐摩耗性基板を用いるの
で、耐摩耗特性が改善され、ギャップデプスの短縮が可
能となり、記録再生特性に優れ、かつ高耐摩耗性を有す
る狭トラックの磁気ヘッドを得ることができる。

【００５３】（第６実施例）図８は本発明の第６実施例
を表す図である。図において、５１と５７は、磁性基板
で、多結晶フェライト部５１ａ，５７ａと単結晶フェラ
イト部５１ｂ，５７ｂとの複合材で構成されている。５
３，５６は高飽和磁束密度の金属磁性薄膜、５８は磁気
ギャップ層、５９はガラス接合層である。

【００５４】本実施例は、磁性基板として単結晶フェラ
イトと多結晶フェライトとの複合材を用い、磁気ギャッ
プ層５８の近傍に単結晶フェライトを配し、磁気ギャッ
プ層５８の近傍以外の部分に多結晶フェライトを配する
とともに、両フェライトの成長界面を磁気ギャップ層５
８と平行にしたものである。すなわち、図８に示すよう
に、単結晶フェライト部５１ｂ，５７ｂでトラック幅に
相当する凸部を形成し、多結晶フェライト部５１ａ，５
７ａを支持基板として構成したところに特徴がある。第
６実施例は、この点で第４実施例と異なる。

【００５５】第６実施例によれば、第４実施例の効果に
加え、次の効果を奏する。

【００５６】（１）単結晶フェライト部５１ｂ，５７ｂ
でトラック幅に相当する凸部を形成するので、エッジ部
がシャープに形成され、かつつき合わされる一方の磁性
基板５７の表面の金属磁性薄膜５６が平面上に形成され
るので、つき合わせ接合によるトラックずれの発生がな
く、狭トラック幅の形成が容易である。

【００５７】（２）磁気ギャップ近傍部に単結晶フェラ
イトを用いるので、コンターの発生を低減することがで
きる。また、結晶粒界を通じての基板と金属磁性膜との
相互拡散が抑制される。

【００５８】（３）磁気ギャップ近傍以外に多結晶フェ
ライトを用いるので、摺動ノイズの発生が少ない。

【００５９】（第７実施例）図９は本発明の第７実施例
を示す断面図である。同図（ａ）は一方の基板の断面
図、同図（ｂ）は２つの基板をつき合わせて接合した状
態を示す断面図である。

【００６０】本実施例は、第１実施例において形成され
るコイルについての実施例であるが、第２〜第６実施例
についても同様に説明できる。

【００６１】図において、図１及び図２におけると同一
の部分には同一符号が付し、その説明は省略する。６１
はＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ などからなる絶縁層、６２はＳ
ｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ などからなるコイルコンタクト部の
台座（絶縁層）、６３はＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ からなる
絶縁層、６４はコイルコンタクト部である。

【００６２】上記構成の磁気ヘッドは、次の手順でつく
られる。まず、磁性基板１，８の上に金属磁性薄膜３，
６を成膜し、絶縁層６１，台座６２を介してコイル５を
成膜する。そして、コイル５を絶縁層６３で絶縁する。
ついで、磁気ギャップ形成面、磁気コンタクト部上の絶
縁層をエッチングし、一方の基板１または８または両基
板１，８に磁気ギャップ層９を成膜し、つき合わせてガ
ラスで接合する。

【００６３】このようにすると、磁気コンタクト部にお
いて磁気的に結合され、かつコイルコンタクト部６４に
より電気的に結合された磁気ヘッドが形成される。

【００６４】また、上記構成において、絶縁層６１の厚
みをＴ１、絶縁層６２の厚みをＴ２、絶縁層６３の厚み
をＴ３、磁性基板上の凸部の高さをＴｈ、コイル５の厚
みをＴｃとすると、これらは、Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔｃ＝Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔｃ＝Ｔｈの関係になっている。すなわち、ギャップ形成面、コイ
ル上の絶縁層上面、磁気コンタクト部、コイルコンタク
ト部が同一平面上に形成されるように、各凸部、各層の
厚みが設定されている。

【００６５】ヘッドチップの小型化が進み、コイルを形
成するスペースが減少する中で、従来は、（１）絶縁層
を平坦にしてコイルを多層構成にする、（２）コイルを
微細なものにしてコイルの巻き数を多くする、などの手
法によりコイルの巻き数を確保してきたが、製造工程が
複雑になり製造コストが上昇するとか、ヘッドとしての
信頼性が低下するなどの問題が顕在化してきた。

【００６６】しかるに、第７実施例においては、両基板
１，８にコイル５を薄膜で形成するため、コイル形成工
程の簡略化、コイルの巻き数の増加、記録再生特性の向
上、Ｓ／Ｎの改善などを実現することができる。

【００６７】（第８実施例）図１０図の本発明の第８実
施例を示す図である。本実施例の磁気ヘッドは、第１実
施例のブロック状のヘッドをギャップ面に対し８０〜９
０度の角度θをつけて１チップ単位にスライスし、ヘッ
ドベースに接合固定することにより構成したものであ
る。この磁気ヘッドは、０度〜１０度程度のいわゆるア
ジマス角度を有するので、記録再生特性に優れたものと
なる。なお、第２〜第６実施例についても同様に説明で
きる。

【００６８】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、次の効果を奏する。

【００６９】（１）薄膜プロセスとパルクヘッドのつき
合わせプロセスとの結合によりつくるので、狭トラック
幅の形成が容易である。

【００７０】（２）磁極が基板の平面上に成膜されるた
め、つき合わせ接合が容易であり、またつき合わせ接合
時にトラックずれが発生しないので、トラックずれによ
る出力低下が生じない。

【００７１】（３）トラック幅形成斜面の形成角度の制
御が容易であるので、サイドフリンジの影響による隣接
トラックとのクロストークを低減することができる。

【００７２】（４）薄膜技術により磁極、コイルを形成
するため、チップの高密度化が可能であり、またインダ
クタンスが小さく高周波領域での磁気特性が良好であ
る。

【００７３】（５）磁性基板上に薄膜技術を用いて磁極
を形成するので、金属磁性薄膜と磁性基板の界面の劣化
層が少なく、摺動面内に磁気ギャップと平行な磁性層を
有しても、疑似ギャップによるコンターの発生を低減で
きる。

【００７４】（６）耐摩耗性に優れる非磁性材を基板に
用いた場合には、特に耐摩耗性に優れ、かつ摺動ノイズ
の低い良好なＳ／Ｎを有する磁気ヘッドを提供できる。

【００７５】（７）狭トラック幅の形成が容易であるた
め、製造歩留が低下し、コストが大幅に低下する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の斜視図

【図２】図１の要部正面図

【図３】第２実施例の斜視図

【図４】第３実施例の要部正面図

【図５】第４実施例の斜視図

【図６】図５の要部正面図

【図７】第５実施例の斜視図

【図８】第６実施例の要部正面図

【図９】第７実施例の断面図

【図１０】第８実施例の斜視図

【図１１】従来例の薄膜磁気ヘッドの断面図

【図１２】従来のバルクヘッドの断面図

【図１３】従来のバルクヘッドの断面図

【図１４】従来のバルクヘッドの断面図

【図１５】従来のバルクヘッドの断面図

【符号の説明】

１，８，２１，２８，３１，３７，５１，５７磁性基
板２，１２，３２，４２トラック幅に相当する凸部３，６，１３，１６，２３，２６，３３，３６，４３，
４６，５３，５６金属磁性薄膜４，１４，３４，４４磁気コンタクト部に相当する凸
部５，１５，３５，４５コイル７，１７トラック幅及び磁極に相当する凸部９，１９，２９，３８，４８，５８磁気ギャップ層１０，２０，３０，３９，４９，５９ガラス接合層１１，１８，４１，４７非磁性基板６１，６２，６３絶縁層６４コイルコンタクト部２１ａ，２８ａ，５１ａ，５７ａ多結晶フェライト部２１ｂ，２８ｂ，５１ｂ，５７ｂ単結晶フェライト部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者草野豊東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】トラック幅に相当する凸部を設けた水平
表面に磁性膜を形成した２つの基板を、それぞれの凸部
の磁性膜の間に磁気ギャップ層を設けて接合してなる磁
気ヘッド。
【請求項２】水平表面に磁性膜を形成した第１基板と
トラック幅に相当する凸部を設けた水平表面に磁性膜を
形成した第２基板とを、第１基板の磁性膜と第２基板の
凸部の磁性膜との間に磁気ギャップ層を設けて接合して
なる磁気ヘッド。
【請求項３】少なくとも一方の基板が磁性材でつくら
れていることを特徴とする請求項１または請求項２記載
の磁気ヘッド。
【請求項４】少なくとも一方の基板が非磁性材でつく
られていることを特徴とする請求項１または請求項２記
載の磁気ヘッド。
【請求項５】少なくとも一方の基板が単結晶フェライ
トと多結晶フェライトの複合材でつくられ、かつ両フェ
ライトの成長界面が磁気ギャップ層と平行であることを
特徴とする請求項１または請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項６】磁性膜の上に、絶縁層を介してコイルが
薄膜で形成されていることを特徴とする請求項１ないし
請求項５のいずれか記載の磁気ヘッド。
【請求項７】磁気ギャップ層に対して８０度〜９０度
の角度で切断されていることを特徴とする請求項１ない
し請求項６のいずれか記載の磁気ヘッド。