JP2001052310A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来における薄膜磁気ヘッドでは、狭トラッ
ク化を実現できても、磁路長を短くしてインダクタンス
のより適切な低減を図ることができなかった。 【解決手段】 第１層目となるコイル層１７を、トラッ
ク幅規制部１４の後方であって、前記トラック幅規制部
１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたと
きに、前記基準平面Ａと同一面上に前記コイル層１７の
上面１７ｂを位置せしめることで、コイル層を２層構造
にして、コイル層１７の幅を小さくできると同時に、下
部コア層１０上から第２のコイル層２３を覆う第２コイ
ル絶縁層２４までの高さを小さくできる。また本発明で
はコイル層１７の厚さを大きくできるから、よりコイル
層１７の幅寸法Ｔ４を小さくできる。よって本発明で
は、短磁路化を図り、インダクタンスを低減させること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係
り、特にインダクタンスの低減を図り、高記録周波数化
に対応可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図１８は、従来における薄膜磁気ヘッド
（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図
１９は、図１８に示す１９−１９線から切断された薄膜
磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。

【０００３】図１８及び図１９に示す符号１は、パーマ
ロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、こ
の下部コア層１の上に、絶縁層９が形成されている。

【０００４】前記絶縁層９には、記録媒体との対向面
（以下、ＡＢＳ面と呼ぶ）からハイト方向（図示Ｙ方
向）にかけて、内幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された
溝部９ａが形成されている。

【０００５】この溝部９ａ内には、下から順に、下部コ
ア層１に磁気的に接続する下部磁極層３、ギャップ層
４、及び上部コア層６に磁気的に接続する上部磁極層５
がメッキ形成されている。

【０００６】また図１９に示すように、絶縁層９に形成
された溝部９ａよりもハイト方向（図示Ｙ方向）におけ
る前記絶縁層９の上には、螺旋状にパターン形成された
コイル層７が設けられている。

【０００７】そして前記コイル層７は、レジストなどの
コイル絶縁層８により覆われており、前記コイル絶縁層
８の上に、上部コア層６が形成されている。前記上部コ
ア層６は、その先端部６ａにて上部磁極層５と、また基
端部６ｂにて下部コア層１と磁気的に接続された状態に
なっている。

【０００８】図１８および図１９に示すインダクティブ
ヘッドでは、コイル層７に記録電流が与えられると、下
部コア層１及び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下
部コア層１と磁気的に接続する下部磁極層３及び上部コ
ア層６と磁気的に接続する上部磁極層５間からの洩れ磁
界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が
記録される。

【０００９】図１８および図１９に示すインダクティブ
ヘッドでは、ＡＢＳ面（記録媒体との対向面）付近に、
局部的にトラック幅Ｔｗで形成された下部磁極層３、ギ
ャップ層４、および上部磁極層５を形成しており、この
タイプのインダクティブヘッドは、狭トラック化に対応
可能となっている。

【００１０】図１８および図１９に示すインダクティブ
ヘッドの製造方法について説明すると、まず下部コア層
１上に絶縁層９を形成し、前記絶縁層９に、トラック幅
Ｔｗの溝部９ａをＡＢＳ面からハイト方向に所定の長さ
で形成する。

【００１１】次に前記溝部９ａ内に、下部磁極層３、ギ
ャップ層４および上部磁極層５を連続メッキして形成
し、その後、絶縁層９に形成された溝部９ａよりも後方
（ハイト方向）の絶縁層９上に、コイル層７をパターン
形成する。

【００１２】さらに前記コイル層７上を、コイル絶縁層
８によって覆い、上部磁極層５上から前記コイル絶縁層
８上にかけて上部コア層６を、フレームメッキ法で形成
すると、図１８および図１９に示すインダクティブヘッ
ドが完成する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、今後の高記
録密度化・高記録周波数化に伴い、狭トラック化ととも
に、インダクティブヘッドのインダクタンスを低減させ
る必要性がある。

【００１４】インダクタンスの低減を図るためには、下
部コア層１から上部コア層６を経て形成される磁路長を
短くしなければならず、そのために、上部コア層６の先
端部６ａから基端部６ｂまでの間に形成されるコイル層
７の幅寸法Ｔ１を小さくする必要性がある。コイル層７
の幅寸法Ｔ１を小さくすれば、上部コア層６の長さを短
くでき、短磁路化を実現できる。

【００１５】前記コイル層７のターン数を変えずに、前
記コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくするには、前記コイ
ル層７を２層の積層構造にする方法が考えられる。

【００１６】しかしながら、図１８および図１９に示す
薄膜磁気ヘッドの構造では、コイル層７を単純に２層の
積層構造にしても、磁路長を今後の高記録周波数化に対
応できるほど、磁路長を短くできず、インダクタンスの
より適切な低減を図ることは難しい。

【００１７】その理由は、前記コイル層７が、膜厚の厚
い絶縁層９の上に形成されるからである。図１８に示す
ように、前記絶縁層９はその膜厚がＨ５で形成され、前
記膜厚Ｈ５は下部磁極層３、ギャップ層４および上部磁
極層５の総合膜厚であるＨ６よりも大きい。このため図
１９に示すように、前記絶縁層９上に形成されるコイル
層７は、上部磁極層５と上部コア層６との接合面を基準
平面としたときに、この基準平面よりも上部コア層６側
に形成されることになる。

【００１８】従って単純にコイル層７を２層の積層構造
にすると、前記コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくできて
も、下部コア層１上からコイル層７を覆うコイル絶縁層
８上までの高さは非常に大きくなってしまい、結局磁路
長をそれほど短くすることはできず、インダクタンスの
適切な低減を図ることはできない。

【００１９】また図１９に示す構造のインダクティブヘ
ッドにて、単純にコイル層７を２層の積層構造にしたの
では、前記コイル層７を覆うコイル絶縁層８の厚さ寸法
Ｈ１は大きくなり、上部磁極層５の表面を基準平面とし
た場合における前記コイル絶縁層８の盛り上がりは非常
に大きくなってしまう。

【００２０】このため、前記上部磁極層５上からコイル
絶縁層８上にかけて形成される上部コア層６をフレーム
メッキ法でパターン形成しずらくなり、前記上部コア層
６の、特に先端部６ａ付近の形状を所定形状に形成でき
ないといった問題が発生する。

【００２１】またコイル層７の各導体部の幅寸法Ｔ２を
小さくして、各導体部の高さ寸法Ｈ２を厚くすれば、コ
イル層の体積に変化がないことから、コイル抵抗値の増
大を招くことはなく、しかもこの場合、前記各導体部の
幅寸法Ｔ２を小さくできるから、コイル層７全体の幅寸
法Ｔ１を小さくでき、さらなる短磁路化によりインダク
タンスの低減を図ることが可能になる。

【００２２】しかしながら、各導体部の高さＨ２は高く
なるので、益々前記コイル層７を覆うコイル絶縁層８の
盛り上がりは大きくなってしまい、上記したパターン精
度良く上部コア層６を形成できないという問題が顕著に
表れる。

【００２３】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、特に狭トラック化と共に、磁路長を短くし
てインダクタンスの低減を図ることが可能な薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明における薄膜磁気
ヘッドは、下部コア層と、上部コア層と、記録媒体との
対向面で前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且
つトラック幅方向の寸法が規制されたトラック幅規制部
とを有し、前記トラック幅規制部は、下部コア層と連続
する下部磁極層と上部コア層と連続する上部磁極層との
少なくとも一方と、前記各磁性層の間またはいずれか一
方の前記コア層と前記いずれかの磁極層とを磁気的に絶
縁するギャップ層とを有し、前記トラック幅規制部と上
部コア層との接合面を基準平面としたときに、前記下部
コア層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層が、
前記トラック幅規制部のハイト方向の後方に位置し、且
つ前記コイル層の上面が前記基準平面と同一面上に位置
し、前記コイル層を構成する各導体部のピッチ間が、下
部コイル絶縁層によって埋められ、さらに前記コイル層
上には上部コイル絶縁層が形成されており、前記上部コ
ア層は、トラック幅規制部上から前記上部コイル絶縁層
上にかけて形成され、さらに前記上部コア層の基端部が
下部コア層上に磁気的に接続されていることを特徴とす
るものである。

【００２５】本発明では、今後の高記録密度化・高記録
周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造すべく、特
にコイル層の形成位置を従来と異ならしめ、短磁路化を
実現できインダクタンスの低減を図ることを本発明の目
的としている。

【００２６】上記のように本発明におけるコイル層は、
下部コア層および上部コア層間に形成されたトラック幅
規制部のハイト側後方であって、前記トラック幅規制部
と上部コア層との接合面を基準平面としたときに前記基
準平面と同一平面上に、前記コイル層の表面が表れるよ
うに形成されている。

【００２７】すなわち本発明では図１９に示す薄膜磁気
ヘッドに比べ、コイル層の形成位置を、より下部コア層
側に位置せしめ、よって本発明では、図１９の薄膜磁気
ヘッドに比べて、下部コア層上から前記コイル層を覆う
絶縁層（上部コイル絶縁層）上までの高さ寸法を小さく
できるから、従来に比べ上部コア層の長さを小さくで
き、よって、より適切な短磁路化を実現でき、インダク
タンスの低減を図ることが可能になっている。

【００２８】特に本発明では前記コイル層をその上面
が、前記基準平面と同一面上となるように形成すること
で、前記コイル層の厚さ寸法を最大限に大きく形成する
ことができる。従って前記コイル層の各導体部の幅寸法
を小さくしても、断面積に比例するコイル抵抗値の増大
を招くことはなく、従って上部コア層の先端部から基端
部までの前記コイル層全体の幅寸法を小さくすることが
でき、さらなる短磁路長化を実現できてインダクタンス
の低下を図ることが可能である。

【００２９】また本発明では前記コイル層は、導電性材
料層とその上に積層された保護層とで構成され、前記保
護層が、前記基準平面と同一面上に現れていることが好
ましい。

【００３０】これにより、前記コイル層を構成する導電
性材料層を酸化から保護でき、しかも前記コイル層のコ
イル抵抗値を所定数値内に設定することが可能になる。

【００３１】また本発明では、前記導電性材料層は、Ｃ
ｕ、Ａｕのうちのいずれか一方または両方の元素を含む
単層構造または多層構造の非磁性導電層であり、前記保
護層は、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから
選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造また
は多層構造の耐酸化性に優れた導電層であることが好ま
しい。

【００３２】また本発明では、コイル層を構成する各導
体部のピッチ間に埋められる下部コイル絶縁層は、無機
材料で形成された無機絶縁層であることが好ましい。

【００３３】また本発明では、前記上部コイル絶縁層上
には、前記コイル層と電気的に接続された第２のコイル
層が形成されており、前記第２のコイル層を覆う第２コ
イル絶縁層上に、トラック幅規制部上から延びる上部コ
ア層が形成されていることが好ましい。これによりさら
にコイル層の幅寸法を小さくでき、さらなる短磁路化の
実現によりインダクタンスの低減を図ることが可能にな
る。

【００３４】また本発明では、前記コイル層の巻き中心
部の上面は、前記基準平面と同一面上に位置し、前記巻
き中心部上に、第２のコイル層の巻き中心部が電気的に
接続されていることが好ましい。

【００３５】さらに本発明では、前記ギャップ層は、メ
ッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが
好ましく、この場合、前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、
ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択され
たものであることが好ましい。

【００３６】また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、（ａ）前記下部コア層の上に、下部磁極層と非
磁性のギャップ層と上部磁極層から成るトラック幅規制
部、または前記下部磁極層と非磁性のギャップ層から成
るトラック幅規制部、あるいは非磁性のギャップ層と上
部磁極層からなるトラック幅規制部を、所定の幅寸法で
且つ記録媒体との対向面からハイト方向へ向けて所定の
長さに形成する工程と、（ｂ）前記いずれかのトラック
幅規制部のハイト側後方で、前記下部コア層上に、絶縁
下地層を形成し、この絶縁下地層の上にコイル層を形成
する工程と、（ｃ）前記トラック幅規制部および前記コ
イル層を覆うようにして下部コイル絶縁層を形成する工
程と、（ｄ）前記下部コイル絶縁層の上面を平坦化する
とともに、トラック幅規制部の上面と前記コイル層の上
面とを互いに同一面とし、且つトラック幅規制部の上面
と前記コイル層の上面とを前記下部コイル絶縁層の表面
に露出させる工程と、（ｅ）前記露出したコイル層上
に、上部コイル絶縁層を形成する工程と、（ｆ）前記ト
ラック幅規制部の上から前記上部コイル絶縁層の上にか
けて上部コア層を形成する工程と、を有することを特徴
とするものである。

【００３７】このように本発明では、まず最初に下部コ
ア層上に、磁極層およびギャップ層から成るトラック幅
規制部を、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の
長さ寸法にて形成しているので、前記トラック幅規制部
の後方には、図１８および図１９に示す絶縁層９は存在
せず、従ってコイル層を、前記トラック幅規制部の後方
の下部コア層上に、膜厚の薄い絶縁下地層を介して形成
することができる。

【００３８】よって本発明では、下部コア層上から前記
コイル層上を覆う上部コイル絶縁層上までの高さ寸法を
小さくすることができ、短磁路化の実現によりインダク
タンスの低減を図ることが可能である。

【００３９】また本発明における製造方法では、（ｄ）
工程後における前記トラック幅規制部の上面よりも高い
位置まで、コイル層を絶縁下地層上にパターン形成し、
その後前記トラック幅規制部上からコイル層上にかけて
形成された下部コイル絶縁層を、ＣＭＰ技術などを用い
て削り、この際前記トラック幅規制部と前記コイル層の
上面を露出させている。

【００４０】すなわち本発明の製造方法のように、下部
コア層上に絶縁下地層を介してコイル層を形成する工程
と、ＣＭＰ技術などにより前記コイル層を覆う下部コイ
ル絶縁層を研磨して、前記下部コイル絶縁層の上面を、
トラック幅規制部の上面と同一面上に位置せしめる工程
と、を含む場合に、本発明によれば、下部コア層上に絶
縁下地層を介して形成されるコイル層の膜厚を最大限に
大きくして形成することが可能である。このようにコイ
ル層の膜厚を大きくできれば、コイル層の各導体部の幅
寸法を小さくしても、コイル抵抗値の増大を招かないか
ら、前記コイル層の幅寸法を小さくしてさらなる短磁路
化を図ることが可能である。

【００４１】また本発明では、前記コイル層を導電性材
料層とその上に積層された保護層とで構成し、前記
（ｄ）工程で、前記保護層を下部コイル絶縁層の表面に
露出させることが好ましい。

【００４２】また前記導電性材料層を、Ｃｕ、Ａｕのう
ちのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造また
は多層構造で形成し、前記保護層を、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以
上の元素を含む単層構造または多層構造で形成すること
が好ましい。

【００４３】さらに本発明では、前記（ｃ）工程での絶
縁層として無機絶縁層を形成し、前記（ｄ）工程で、前
記トラック幅規制部と前記コイル層および前記無機絶縁
層が同一面となるように研磨することが好ましい。

【００４４】また本発明では、前記（ｅ）工程の後に、
前記上部コイル絶縁層の上に、前記コイル層と磁気的に
接続される第２のコイル層を形成する工程を含み、前記
（ｆ）工程で、前記第２のコイル層を覆う第２コイル絶
縁層上に、上部コア層を形成することが好ましい。これ
によりさらにコイル層の幅寸法を小さくできて、さらな
る短磁路化によりインダクタンスの低減を図ることが可
能である。

【００４５】また前記（ｄ）工程では、前記コイル層の
巻き中心部を露出させ、前記巻き中心部上に、第２のコ
イル層の巻き中心部を積層することが好ましい。これに
より製造方法の簡略化を実現することができる。

【００４６】また本発明では、前記（ａ）工程では、前
記ギャップ層を磁極層と共にメッキ形成することが好ま
しく、この場合、前記ギャップ層を形成するメッキ形成
可能な前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、Ｎ
ｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ
のうち１種または２種以上を選択することが好ましい。

【００４７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明における薄膜磁気
ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す２−
２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部
分断面図である。

【００４８】図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のイ
ンダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダ
クティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用
ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。

【００４９】図１及び図２に示す符号１０は、例えばパ
ーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であ
る。なお、前記下部コア層１０の下側に再生用ヘッドが
積層される場合、前記下部コア層１０とは別個に、磁気
抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けて
もよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下
部コア層１０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層と
して機能させてもよい。

【００５０】また図１に示すように、後述する下部磁極
層１１の基端から延びる下部コア層１０の上面１０ａは
トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びて形
成されていてもよく、あるいは、前記上部コア層１６か
ら離れる方向に傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂが形成さ
れていてもよい。前記下部コア層１０の上面に傾斜面１
０ｂ，１０ｂが形成されることで、よりいっそうライト
フリンジングを適切に防止することができる。

【００５１】図１に示すように、下部コア層１０の上に
は、トラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制部１４
が形成されている。前記トラック幅Ｔｗは、０．７μｍ
以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．
５μｍ以下である。これにより狭トラック化に対応可能
な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【００５２】図１および図２に示す実施例では、前記ト
ラック幅規制部１４は、下部磁極層１１、ギャップ層１
２、および上部磁極層１３の３層膜の積層構造で構成さ
れている。以下、前記磁極層１１、１３およびギャップ
層１２について説明する。

【００５３】図１および図２に示すように、前記下部コ
ア層１０上には、トラック幅規制部１４の最下層となる
下部磁極層１１がメッキ形成されている。前記下部磁極
層１１は、下部コア層１０と磁気的に接続されており、
前記下部磁極層１１は、前記下部コア層１０と同じ材質
でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。ま
た単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよ
い。

【００５４】また図１及び図２に示すように、前記下部
磁極層１１上には、非磁性のギャップ層１２が積層され
ている。

【００５５】本発明では、前記ギャップ層１２は、非磁
性金属材料で形成されて、下部磁極層１１上にメッキ形
成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性
金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭ
ｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの
うち１種または２種以上を選択することが好ましく、前
記ギャップ層１２は、単層膜で形成されていても多層膜
で形成されていてもどちらであってもよい。

【００５６】次に前記ギャップ層１２上には、後述する
上部コア層１６と磁気的に接続する上部磁極層１３がメ
ッキ形成されている。なお前記上部磁極層１３は、上部
コア層１６と同じ材質で形成されていてもよいし、異な
る材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜
で形成されていてもどちらでもよい。

【００５７】上記したようにギャップ層１２が、非磁性
金属材料で形成されていれば、下部磁極層１１、ギャッ
プ層１２および上部磁極層１３を連続してメッキ形成す
ることが可能になる。

【００５８】なお本発明では、前記トラック幅規制部１
４は、上記３層膜の積層構造に限られない。すなわち、
前記トラック幅規制部１４は、下部コア層１０と連続す
る下部磁極層１１と上部コア層と連続する上部磁極層１
３との少なくとも一方と、前記各磁極層の間を磁気的に
絶縁しまたはいずれか一方の前記コア層と前記いずれか
の磁極層とを磁気的に絶縁するギャップ層１２とで構成
されれば、どのような膜構成であってもかまわない。

【００５９】また上記したように、トラック幅規制部１
４を構成する下部磁極層１１および上部磁極層１３は、
それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材
質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記
録密度を向上させるためには、ギャップ層１２に対向す
る下部磁極層１１および上部磁極層１３は、それぞれの
磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度より
も高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。この
ように下部磁極層１１および上部磁極層１３が高い飽和
磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録
磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能にな
る。

【００６０】また図１に示すように、前記トラック幅規
制部１４の厚さ寸法はＨ４で形成されている。例えば一
例として、下部磁極層１１の膜厚は０．４μｍ程度、ギ
ャップ層１２の膜厚は０．２μｍ程度、上部磁極層１３
の膜厚は２μｍ程度である。

【００６１】また前記トラック幅規制部１４は、図２に
示すように、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイ
ト方向（図示Ｙ方向）にかけて長さ寸法Ｌ１で形成され
ている。

【００６２】前記長さ寸法Ｌ１は、ギャップデプスＧｄ
として規制されており、前記ギャップデプスＧｄは、薄
膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えることか
ら、予め所定の長さに設定される。

【００６３】ところで本発明では、図１に示すように下
部コア層１０上であって、トラック幅規制部１４の両側
には、下部コイル絶縁層１５が記録媒体との対向面（Ａ
ＢＳ面）に露出している。この下部コイル絶縁層１５
は、トラック幅規制部１４のハイト方向後方（図示Ｙ方
向）に形成されたコイル層１７を構成する各導体部のピ
ッチ間を埋めるために用いられるものであり、図１８に
示す薄膜磁気ヘッドの絶縁層９とは、異なる役割（機
能）を有していることに留意すべきである。

【００６４】すなわち図１８に示す記録媒体との対向面
に露出する絶縁層９は、狭トラック化に対応するために
用いられるものであり、前記絶縁層９には、記録媒体と
の対向面に、内幅寸法をトラック幅Ｔｗとして規定する
溝部９ａが形成されている。そして前記溝部９ａ内に、
下部磁極層３、ギャップ層４および上部磁極層５がメッ
キ形成され、さらに図１９に示すように、前記絶縁層９
上にコイル層７がパターン形成されている。

【００６５】本発明では、図２に示すように前記コイル
層１７は、トラック幅規制部１４のハイト側後方（図示
Ｙ方向）であって、前記トラック幅規制部１４と上部コ
ア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに、前記基
準平面Ａと同一面上に前記コイル層１７の上面１７ｂが
位置している。

【００６６】本発明では図２に示すように、前記下部コ
ア層１０とコイル層１７との間には、下部コア層・コイ
ル層間の絶縁確保のための絶縁下地層１８が形成されて
おり、この絶縁下地層１８は、例えば、ＡｌＯ、Ａｌ₂
Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種か
らなる絶縁材料で形成されていることが好ましい。

【００６７】そして図２に示すように、前記下地絶縁層
１８上には、巻き中心部１７ａを中心として螺旋状にパ
ターン形成された、例えばＣｕなどのコイル層１７が形
成されている。また図２に示すように前記コイル層１７
の各導体部のピッチ間は、下部コイル絶縁層１５によっ
て埋められ、この下部コイル絶縁層１５は、前述したよ
うに記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）にまで露出して形
成されている（図１参照）。

【００６８】また前記下部コイル絶縁層１５の上面もま
た、前記コイル層１７の上面１７ｂと同様に、トラック
幅規制部１４と上部コア層１６との接合面（基準平面
Ａ）と同一面上で形成されており、前記下部コイル絶縁
層１５上面とコイル層１７の上面１７ｂとが連続した平
坦化面となっている。

【００６９】また図１および図２に示す実施例の前記下
部コイル絶縁層１５は、無機材料で形成された無機絶縁
層であり、前記無機材料には、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｓ
ｉＮから１種または２種以上が選択されることが好まし
い。

【００７０】また他の形態としては、前記コイル層１７
の各導体部のピッチ間に、下部コア層１０上から所定の
高さまで有機材料で形成された有機絶縁層（図示しな
い）が充填され、前記有機絶縁層の上から、コイル層１
７の上面１７ｂと同一面上まで無機材料製の下部コイル
絶縁層１５が形成されていてもよい。

【００７１】前記のように有機絶縁層を充填する理由
は、図２に示すように、前記無機材料製の下部コイル絶
縁層１５のみで前記コイル層１７の各導体部のピッチ間
を埋めようとしても、スパッタの際にシャドー効果等に
より、前記コイル層１７のピッチ間を下部コイル絶縁層
１５で適切に埋めることができず、前記下部コイル絶縁
層１５に空洞部が形成されやすいからである。

【００７２】このように前記下部コイル絶縁層１５に空
洞部が形成されると、前記空洞部に溜まったガスが、磁
気ヘッド駆動の際の発熱により膨張するなどして、薄膜
磁気ヘッドの形状を変形させるなどの悪影響を及ぼす可
能性がある。

【００７３】よって、まずレジストなどの有機材料によ
ってコイル層１７の各導体部のピッチ間をある程度埋め
てから、前記有機絶縁層上にスパッタ等により下部コイ
ル絶縁層１５を形成することが好ましい。

【００７４】図２に示すように、前記コイル層１７上に
は、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成された
上部コイル絶縁層２２が形成されており、前記上部コイ
ル絶縁層２２上に第２のコイル層２３が螺旋状にパター
ン形成されている。前記第２のコイル層２３の巻き中心
部２３ａは、トラック幅規制部１４と上部コア層１６と
の接合面（基準平面Ａ）と同一面上に形成されたコイル
層１７の巻き中心部１７ａ上に直接磁気的に接続された
状態になっている。

【００７５】図２に示すように、前記第２のコイル層２
３は、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成され
た第２コイル絶縁層２４によって覆われ、前記第２コイ
ル絶縁層２４上には、パーマロイなどの磁性材料で形成
された上部コア層１６がフレームメッキ法などにより形
成されている。

【００７６】図２に示すように前記上部コア層１６は、
その先端部１６ａが、トラック幅規制部１４上に接して
形成されており、また基端部１６ｂは、下部コア層１０
上に形成された磁性材料製の持ち上げ層（バックギャッ
プ層）２５上に磁気的に接続された状態となっている。
なお前記持ち上げ層２５は形成されていなくてもよく、
この場合、前記上部コア層１６の基端部１６ｂが、下部
コア層１０上にまで延びて、下部コア層１０上に直接磁
気的に接続された状態となる。また図１に示すように前
記上部コア層１６の先端部１６ａの幅寸法Ｔ３は、トラ
ック幅Ｔｗよりも大きく形成される。

【００７７】ところで本発明におけるインダクティブヘ
ッドでは、コイルが２層の積層構造となっているが、コ
イルを２層の積層構造とした理由は、コイル層１７の幅
寸法Ｔ４を小さくして、上部コア層１６の先端部１６ａ
から基端部１６ｂまでの長さを短くすることで、下部コ
ア層１０から上部コア層１６を経て形成される磁路長を
短くし、インダクタンスの低減を図り、今後のさらなる
高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造する
ことにある。例えば図２に示すように第１層目となるコ
イル層１７を５ターンで形成し、第２のコイル層２３を
４ターンで形成した場合、前記コイル層１７の幅寸法Ｔ
４を２０μｍ程度にまで小さくできることが確認されて
いる。

【００７８】さらに本発明では図２に示すように、第１
層目となるコイル層１７が、トラック幅規制部１４のハ
イト側後方であって、前記トラック幅規制部１４と上部
コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに、前記
コイル層１７の上面１７ｂを、前記基準平面Ａと同一面
上に位置せしめているので、下部コア層１０上から第２
のコイル層２３を覆う第２コイル絶縁層２４上までの高
さを、従来の薄膜磁気ヘッド（図１９参照）のコイル層
を２層の積層構造にした場合に比べて小さくすることが
できる。

【００７９】従って本発明では、コイル層の幅寸法を小
さくできると同時に、下部コア層１０上から図示Ｚ方向
における高さ寸法をも小さくできるから、前記上部コア
層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂまでの長さを適
切に小さくできて、さらなる短磁路化を実現でき、イン
ダクタンスは低減され、今後の高記録周波数化に対応可
能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【００８０】しかも本発明では、上記のようにコイル層
１７の上面１７ｂが、前記基準平面Ａと同一面上に位置
するようにしているが、これにより前記コイル層１７を
構成する各導体部の厚さ寸法Ｈ５を大きくすることがで
きる。

【００８１】図２に示す構造の薄膜磁気ヘッドであれ
ば、前記コイル層１７の上面１７ｂを、前記基準平面Ａ
よりも下部コア層１０側に位置せしめることも可能であ
るが、本発明では、あえて前記上部コア層１７の上面１
７ｂを、前記基準平面Ａと同一面上にまで延ばして形成
し、前記コイル層１７の厚さ寸法Ｈ５を大きくしている
のである。

【００８２】コイル抵抗値の増大を防止するには、前記
コイル層の断面積をある一定値に保つことが必要である
が、本発明では上記のようにコイル層１７の厚さ寸法Ｈ
５を大きくできるから、その分だけ前記コイル層１７を
構成する各導体部の幅寸法Ｔ５を小さくすることがで
き、前記上部コア層１６の先端部１６ａから基端部１６
ｂ間の前記コイル層１７の幅寸法Ｔ４をさらに小さくす
ることができ、さらなる短磁路化によりインダクタンス
の低減をより適切に図ることが可能である。

【００８３】しかも本発明における薄膜磁気ヘッドは、
狭トラック化に対応することもできる。トラック幅規制
部１４のトラック幅Ｔｗの調整方法については、後の製
造方法で詳述することとするが、本発明では、前述した
ように前記トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗを
０．７μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下に形成する
ことができ、この寸法は、レジストを露光現像した際の
分解能の限界値以下の数値である。

【００８４】また本発明では、コイル層１７の上面１７
ｂが、トラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合
面を基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａと同一面上
に位置し、しかも前記コイル層１７を構成する各導体部
のピッチ間を埋める下部コイル絶縁層１５の上面もまた
前記基準平面Ａと同一面上に形成されるので、前記基準
平面Ａからハイト方向にかけては、平坦化面が広がって
おり、従って前記平坦化面上に上部コイル絶縁層２２を
平坦化して形成しやすい。

【００８５】よって平坦化された前記上部コイル絶縁層
２２上に第２のコイル層２３をパターン精度良く形成す
ることが可能である。

【００８６】しかも図２に示すように基準平面Ａからコ
イル層を覆う絶縁層の盛り上がりは、上部コイル絶縁層
２２と前記第２のコイル層２３を覆う第２コイル絶縁層
２４の厚み分しかないので、基準平面Ａと第２コイル絶
縁層２４との間の段差は小さく、よってトラック幅規制
部１４上から第２コイル絶縁層２４上にかけて形成され
る上部コア層１６を、パターン精度良く形成することが
可能である。

【００８７】なお図２に示す実施例では、コイルを２層
構造で形成しているが前記コイルを１層構造で形成して
もよい。すなわち図２では、第１層目となるコイル層１
７のターン数と第２層目となる第２のコイル層２３のタ
ーン数を合わせたターン数は９であるが、このターン数
をコイル層１７の１層で形成してもよい。

【００８８】なお１層のコイル層１７のみとする場合に
は、前記コイル層１７を覆う上部コイル絶縁層２２上に
上部コア層１６がパターン形成されることになる。

【００８９】１層のコイル層１７のみが形成される場
合、上部コア層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂ間
に形成されるコイル層１７の幅寸法Ｔ４は長くなるの
で、コイルを２層の積層構造にした場合に比べて、磁路
長が長くなり従ってインダクタンスは増大するが、図１
９に示すコイル層が１層で形成されたインダクティブヘ
ッドの場合に比べれば、インダクタンスは低減される。

【００９０】すなわち本発明では前述したように、トラ
ック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平
面Ａとしたときに前記基準平面Ａよりも上部コア層１６
の先端部１６ａが前記基準平面Ａと同一面上に位置する
ようにしているのに対し、図１９に示すインダクティブ
ヘッドの場合では、コイル層７が、絶縁層９の上に形成
され、上部磁極層５と上部コア層６との接合面を基準平
面としたときに前記基準平面よりも前記コイル層７は上
部コア層６側に形成されている。

【００９１】従って本発明の方が、図１９に示すインダ
クティブヘッドの場合よりも下部コア層１０上からコイ
ル層１７を覆う上部コイル絶縁層２２上までの高さを小
さくでき、よって上部コア層１６の長さを短くできて短
磁路化を実現でき、インダクタンスをより適切に低減さ
せることが可能である。

【００９２】ところで本発明では、図２に示すように、
コイル層１７は、Ｃｕなどから成る導電性材料層２６
と、その上に積層されたＮｉなどから成る導電性保護層
２７とで構成されることが好ましい。

【００９３】前記導電性材料層２６がＣｕで形成されれ
ば、コイル抵抗値を低くでき、また許容電流を大きくす
ることができる。なお前記導電性材料層２６は、Ｃｕに
限らず、Ｃｕ、Ａｕのうちのいずれか一方または両方の
元素を含む単層構造または多層構造であってもよい。

【００９４】また前記導電性保護層２７は、Ｎｉに限ら
ず、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ば
れる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多
層構造の耐酸化性に優れた導電層であることが好まし
い。

【００９５】そして本発明では図２に示すように、コイ
ル層１７を構成する導電性材料層２６の上面を、トラッ
ク幅規制部１４と上部コア層１６との接合面（基準平面
Ａ）の高さ位置よりも若干低く形成し、前記基準平面Ａ
と同一面上に、導電性保護層２７を露出させている。そ
の理由は、前記導電性材料層２６を酸化から未然に防止
することと、コイル層１７の許容電流やコイル抵抗値を
一定にすることにある。

【００９６】図２に示すように、前記コイル層１７上に
は上部コイル絶縁層２２が形成されるが、この上部コイ
ル絶縁層２２が形成されるまでの間に、トラック幅規制
部１４と上部コア層１６との接合面と同一面上に形成さ
れたコイル層１７の上面１７ｂは大気中に曝されること
があり、この際、前記コイル層１７がＣｕなどの導電性
材料層２６単層で形成されていると、前記導電性材料層
２６の表面は酸化され、例えば図２に示す上部コイル絶
縁層２２との密着性や、あるいはコイル層１７の巻き中
心部１７ａと第２のコイル層２３の巻き中心部２３ａと
の密着性が悪化し、膜剥れなどが生じる。

【００９７】また上記した酸化層の形成は、インダクテ
ィブヘッドのコイル抵抗値を不安定化させ、記録特性を
低下させる原因となる。

【００９８】このため本発明では、Ｃｕなどで形成され
た導電性材料層２６の上に、前記導電性材料層２６を酸
化から防止する例えばＮｉから成る導電性保護層２７を
設け、上部コイル絶縁層２２を形成する際に露出するコ
イル層１７を、前記導電性保護層２７とすることで、前
記導電性材料層２６の酸化を適切に防止することが可能
になっている。

【００９９】なお前記導電性保護層２７の膜厚は０．１
〜０．５μｍ程度であることが好ましい。なおＮｉなど
で形成された導電性保護層２７も大気に曝されると、酸
化する虞があるが、前記導電性保護層２７が、例えばＮ
ｉで形成されている場合、前記導電性保護層２７に形成
される酸化層は、３．０ｎｍ程度であるので、上記のよ
うに導電性保護層２７を０．１〜０．５μｍ程度の膜厚
で形成すれば、前記酸化層をイオンミリング等で除去し
ても、直接前記イオンミリングの影響を導電性材料層２
６が受けることはなく、よって前記導電性材料層２６の
断面積の変化を防ぐことが可能である。

【０１００】なおコイル層が、導電性材料層と導電性保
護層との積層構造となる構成は、第２のコイル層２３に
も適用可能である。

【０１０１】また前記導電性材料層２６と導電性保護層
２７は、連続してメッキ形成されることが好ましい。

【０１０２】次に図３に示す薄膜磁気ヘッドは他の実施
形態を示す部分断面図であり、図３に示す薄膜磁気ヘッ
ドでは、Ｇｄ決め絶縁層２８を設けている点で、図１に
示す薄膜磁気ヘッドと異なるだけで、その他の構成は、
図１に示す薄膜磁気ヘッドの構成と同じである。

【０１０３】図３に示す薄膜磁気ヘッドにおいても、下
部コア層１０上の記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）から
ハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法にて、トラ
ック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制部１４が形成さ
れている。

【０１０４】前記トラック幅規制部１４には、下部コア
層１０と連続する下部磁極層１１と上部コア層１６と連
続する上部磁極層１３との少なくとも一方と、前記各磁
性層の間を絶縁しまたはいずれか一方の前記コア層と前
記いずれかの磁極層とを絶縁するギャップ層１２とを有
していれば、どのような膜構成であってもかまわない。
また各磁極層１１，１３及びギャップ層１２は、単層で
形成されていてもよいし、多層で形成されていてもよ
い。なお図３に示す実施例では、上部磁極層１３が２層
構造で形成されている。

【０１０５】図３に示すように、トラック幅規制部１４
の後方には絶縁材料製のＧｄ決め絶縁層２８が形成され
ている。

【０１０６】この実施例では前記Ｇｄ決め絶縁層２８の
前端面から記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）までのギャ
ップ層１２の長さ寸法Ｌ２で、ギャップデプスＧｄが規
制される。

【０１０７】図３に示すようにＧｄ決め絶縁層２８は、
その上面が丸みを帯びて形成され、下部コア層１０から
図示Ｚ方向に向かうにつれて、前記Ｇｄ決め絶縁層２８
の前端面はハイト方向（図示Ｙ方向）に傾いて形成され
ている。すなわち図示Ｚ方向に向かうほど、前記Ｇｄ決
め絶縁層２８の前端面からＡＢＳ面までの長さは長くな
っている。

【０１０８】本発明では図３に示すように、上部磁極層
１３が、ちょうど前記Ｇｄ決め絶縁層２８の中腹付近か
ら上面にかけて形成されており前記上部磁極層１３の長
さ寸法は、ギャップ層１２や下部磁極層１１に比べて長
く形成されている。

【０１０９】このように縦断面における上部磁極層１３
の長さを長く形成することで、前記上部磁極層１３の体
積をかせぐことができ磁気飽和を防止でき、磁気効率の
向上を図ることが可能になる。

【０１１０】また図３に示すように、前記トラック幅規
制部１４のハイト側後方（図示Ｙ方向）であって、トラ
ック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を基準平
面Ａとしたときに前記基準平面Ａと同一面上に、コイル
層１７の上面１７ｂが位置している。

【０１１１】前記コイル層１７は、下部コア層１０上
に、下部コア層・コイル層間の絶縁確保のための絶縁下
地層１８を介して形成されており、前記コイル層１７を
構成する各導体部のピッチ間は、下部コイル絶縁層１５
で埋められている。前記絶縁層１５は、無機材料で形成
されることが好ましく、前記無機材料には、前述したよ
うに、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＳｉＮから１種または２種
以上が選択される。

【０１１２】なお下部コイル絶縁層１５を構成する各導
体部のピッチ間は、まずレジストなどの有機材料からな
る絶縁層によってある程度埋められ、その上に無機材料
からなる下部コイル絶縁層１５が埋められていてもかま
わない。

【０１１３】図３に示す実施例においても前記下部コイ
ル絶縁層１５上に、上部コイル絶縁層２２を介して第２
のコイル層２３が螺旋状にパターン形成されている。な
おトラック幅規制部１４と上部コア層１６との接合面を
基準平面Ａとしたときに、前記基準平面Ａと同一面上
に、コイル層１７および下部コイル絶縁層１５の上面が
位置し、前記基準平面Ａからハイト方向（図示Ｙ方向）
には、平坦化面が広がっているので、前記平坦化面上
に、上部コイル絶縁層２２を介して第２のコイル層２３
をパターン精度良く形成することができる。

【０１１４】図３に示すように前記第２のコイル層２３
は、レジストやポリイミドなどの有機材料製の第２コイ
ル絶縁層２４で覆われ、前記第２コイル絶縁層２４上に
は、上部コア層１６がパターン形成されている。前記上
部コア層１６の先端部１６ａは、トラック幅規制部１４
上に接して形成され、さらに基端部１６ｂは、下部コア
層１０上に形成された磁性材料製の持ち上げ層２５上に
接して形成されている。

【０１１５】また前記コイル層１７の巻き中心部１７ａ
の上面もまた、トラック幅規制部１４と上部コア層１６
との接合面を基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａと
同一面上に位置し、前記巻き中心部１７ａ上に、第２の
コイル層２３の巻き中心部２３ａが電気的に接続された
状態になっている。

【０１１６】この実施例においても、コイルが２層の積
層構造で形成され、しかも前記２層のうち第１層目とな
るコイル層１７が、トラック幅規制部１４のハイト側後
方であって、前記トラック幅規制部１４と上部コア層１
６との接合面を基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａ
と同一平面上にコイル層１７の上面１７ｂが位置するよ
うになっている。

【０１１７】このため前記コイル層１７の幅寸法Ｔ４を
小さくできると同時に、下部コア層１０上から第２のコ
イル層２３を覆う第２コイル絶縁層２４上までの高さを
小さくできる。従って、上部コア層１６の先端部１６ａ
から基端部１６ｂまでの長さ寸法を小さくでき、短磁路
化によってインダクタンスの低減を図ることができる。

【０１１８】特にコイル層１７の上面１７ｂを、基準平
面Ａと同一面上で形成することで、前記コイル層１７の
厚さ寸法を最大限に大きくすることができるから、その
分だけ前記コイル層１７を構成する各導体部の幅寸法を
小さくでき、よって前記コイル層１７の全体の幅寸法Ｔ
４を小さくすることができる。

【０１１９】このためさらに、下部コア層１０から上部
コア層１６を経て形成される磁路長を短くすることがで
き、より適切にインダクタンスの低減を図ることができ
る。

【０１２０】またこの実施例においても図２に示す薄膜
磁気ヘッドと同様に狭トラック化に対応可能なものとな
っている。

【０１２１】さらに、トラック幅規制部１４と上部コア
層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに、前記基準
平面Ａから突出するコイル層を覆う絶縁層は、上部コイ
ル絶縁層２２と第２のコイル層２３を覆う第２コイル絶
縁層２４の厚さ分しかないので、前記基準平面Ａと第２
コイル絶縁層２４上面との間の段差を小さくでき、よっ
て上部コア層１６をパターン精度良く形成することがで
きる。

【０１２２】また前記コイル層１７をＣｕなどからなる
導電性材料層２６とその上に積層された導電性保護層２
７とで構成し、前記導電性保護層２７を、前記基準平面
Ａと同一面上で形成することで、前記導電性材料層２６
を酸化から防止し、前記コイル層の許容電流やコイル抵
抗値を一定値に保つことが可能である。

【０１２３】図４から図１１は、図２に示す本発明にお
ける薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一連の製造工程図
である。なおこの製造工程は、上部コア層１６の先端部
１６ａから基端部１６ｂまでの製造方法を示し、前記基
端部１６ｂよりもハイト側における部分の製造方法を示
していない。それについては次の図３に示す薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の際に説明することとする。

【０１２４】まず図４では、下部コア層１０上に、パー
マロイなどの磁性材料からなる磁性下地膜３０を形成
し、その上にレジスト層３１を塗布形成している。前記
レジスト層３１の厚さ寸法Ｈ７は、少なくとも図１に示
す完成した薄膜磁気ヘッドにおけるトラック幅規制部１
４の厚さ寸法Ｈ４よりも厚く形成されていなければなら
ない。

【０１２５】次に前記レジスト層３１に露光現像によっ
て、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）
に所定の長さ寸法であって、且つトラック幅方向（図示
Ｘ方向）に所定の幅寸法で形成される溝３１ａを形成
し、前記溝３１ａ内に、トラック幅規制部１４を形成す
る。

【０１２６】図４に示すように前記トラック幅規制部１
４は、下から下部磁極層１１、ギャップ層１２、および
上部磁極層１３で構成され、これら各層は、連続してメ
ッキ形成されている。

【０１２７】なお前記溝３１ａ内に形成されるトラック
幅規制部１４の膜構成は、上記３層の構成に限られな
い。すなわち、前記トラック幅規制部１４は、下部磁極
層１１と非磁性のギャップ層１２から成り、あるいは非
磁性のギャップ層１２と上部磁極層１３とから成ってい
てもよい。また各磁極層１１，１３およびギャップ層１
２は単層で形成されていてもよいし、多層で形成されて
いてもよい。

【０１２８】また前記ギャップ層１２を、前記磁極層１
１，１３と共にメッキ形成することが好ましく、前記ギ
ャップ層１２を形成するメッキ形成可能な前記非磁性金
属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２
種以上を選択することが好ましい。

【０１２９】また前記レジスト層３１のハイト方向（図
示Ｙ方向）後端には、露光現像によって穴部３１ｂを形
成し、この穴部３１ｂ内に、磁性材料製の持ち上げ層２
５をメッキ形成する。

【０１３０】図５に示す工程では前記レジスト層３１を
除去した状態を示しており、前記下部コア層１０上に
は、ＡＢＳ面付近にトラック幅規制部１４が形成され、
前記トラック幅規制部１４からハイト方向に離れた位置
に持ち上げ層２５が形成されている。

【０１３１】なお図５に示すトラック幅規制部１４の両
側面（図示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向
（図示Ｘ方向）からイオンミリングで削り、前記トラッ
ク幅規制部１４の幅寸法を小さくすることも可能であ
る。このイオンミリングによって削られたトラック幅規
制部１４の幅寸法がトラック幅Ｔｗとして規定される。

【０１３２】なお前記イオンミリングによって、下部磁
極層１１の基端から延びるトラック幅方向（図示Ｘ方
向）の下部コア層１０の上面も削れていき、図１に示す
ような傾斜面１０ｂ，１０ｂが前記下部コア層１０上面
に形成される。

【０１３３】次に図６に示す工程では、トラック幅規制
部１４上から下部コア層１０上、さらには持ち上げ層２
５上からハイト方向にかけて、絶縁材料で形成された絶
縁下地層１８をスパッタ形成する。

【０１３４】そして図６に示すように、前記絶縁下地層
１８上にコイル層１７を螺旋状にパターン形成する。

【０１３５】なおこのパターン形成の際、予め前記コイ
ル層１７の上面１７ｂが、後の図８に示す工程の際にお
けるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも高い位置
に形成しておく必要性がある。

【０１３６】また本発明では図６に示すように、前記コ
イル層１７を、Ｃｕ、Ａｕのうちのいずれか一方または
両方の元素を含む単層構造または多層構造で形成された
導電性材料層２６と前記導電性材料層２６の上に積層さ
れたＮｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ば
れる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多
層構造で形成される導電性保護層２７とで構成すること
が好ましい。

【０１３７】この場合本発明では、前記導電性材料層２
６を絶縁下地層１８上に形成する際に前記導電性材料層
２６の上面が、後の図８工程におけるトラック幅規制部
１４の上面１４ａよりも低い位置となるように形成し、
さらに前記導電性保護層２７を導電性材料層２６上に形
成する際に、前記導電性保護層２７の上面（上面１７
ｂ）が、後の図８工程におけるトラック幅規制部１４の
上面１４ａよりも高い位置となるように形成することが
好ましい。

【０１３８】次に図７に示す工程では、コイル層１７上
を下部コイル絶縁層１５により覆う。なおこの際、トラ
ック幅規制部１４上および持ち上げ層２５上も前記下部
コイル絶縁層１５によって覆われる。

【０１３９】なお本発明では前記下部コイル絶縁層１５
を無機材料によってスパッタ形成する。前記無機材料に
は、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＳｉＮのうちから１種または
２種以上を選択することが好ましい。

【０１４０】そして図７に示すように、前記下部コイル
絶縁層１５の上面をＣＭＰ技術などを利用してＢ−Ｂ線
上まで削っていく。その状態を示すのが図８である。

【０１４１】前記下部コイル絶縁層１５がＢ−Ｂ線まで
削られることにより、図８に示すように、トラック幅規
制部１４の上面１４ａが露出し、しかもこの上面１４ａ
と同一面上にコイル層１７の上面１７ｂまでもが露出し
た状態になる。

【０１４２】このようにトラック幅規制部１４の上面１
４ａと同一面上にコイル層１７の上面１７ｂが露出する
理由は、図６に示す工程で、コイル層１７の上面１７ｂ
を、図８工程後のトラック幅規制部１４の上面１４ａよ
りも高い位置で形成しているからである。

【０１４３】従って図７に示す工程で、下部コイル絶縁
層１５の上面を削っていくと、コイル層１７の上面１７
ｂも削れていき、研磨工程を終了すると、前記トラック
幅規制部１４の上面１４ａと同一面上にコイル層１７の
上面１７ｂを位置させることができる。

【０１４４】ところで図６に示す工程で、コイル層１７
の高さ位置を、図８工程後のトラック幅規制部１４の上
面１４ａよりも低い位置で形成すれば、研磨工程後にお
ける図８では、前記コイル層１７の上面１７ｂは外部に
露出せず、前記コイル層１７は、下部コイル絶縁層１５
の内部に完全に埋められた状態になる。このようにコイ
ル層１７を下部コイル絶縁層１５内に完全に埋めてしま
えば、例えば次工程で第２のコイル層２３を形成する際
に、前記下部コイル絶縁層１５上に直接、前記第２のコ
イル２３を形成でき、図９に示すように、コイル層１７
と第２のコイル層２３との電気的な絶縁を確保するため
に必要な上部コイル絶縁層２２の形成が不必要になると
いう利点がある。

【０１４５】しかしながら本発明ではあえて、前記コイ
ル層１７の高さを延ばしてコイル層１７の上面１７ｂ
を、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上に位
置せしめるように形成した理由は、前記コイル層１７の
厚さ寸法Ｈ５を最大限に大きくしようとしたからであ
る。

【０１４６】すなわち前記コイル層１７の上面１７ｂ
を、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上まで
延ばして厚さ寸法Ｈ５を大きくできれば、その分だけ前
記コイル層１７を構成する各導体部の幅寸法Ｔ５を小さ
くしても、前記コイル層１７の断面積は大きくならない
から前記コイル層の断面積に比例するコイル抵抗値が増
大することはない。

【０１４７】そして本発明では上記のように、前記コイ
ル層１７を構成する各導体部の幅寸法Ｔ５を小さくでき
ることで、トラック幅規制部１４から持ち上げ層２５間
におけるコイル層１７全体の幅寸法をより小さくするこ
とが可能になる。コイル層１７の幅寸法を小さくできれ
ば、短磁路化を適切に実現することができる。

【０１４８】また本発明では前述したように、コイル層
１７を、導電性材料層２６とその上に積層された導電性
保護層２７とで構成し、図６に示す工程では、前記導電
性材料層２６を、図８工程におけるトラック幅規制部１
４の上面１４ａよりも低い位置まで形成し、さらに前記
導電性保護層２７を導電性材料層２６上に、図８工程に
おけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも高い位
置まで形成している。

【０１４９】このためＣＭＰ法などにより下部コイル絶
縁層１５を削った状態における図８では、前記コイル層
１７のうち導電性保護層２７が露出した状態になってい
る。なお図８の状態における前記導電性保護層２７の膜
厚は、０．１〜０．５μｍ程度であることが好ましい。

【０１５０】このように前記導電性保護層２７を露出さ
せる理由は、前記コイル層１７を構成する導電性材料層
２６を酸化から防止するためである。なお露出した前記
導電性保護層２７は、大気に曝されることによりその表
面は酸化されるが、前記酸化層は３．０ｎｍ程度と非常
に薄い。このためイオンミリング法などにより前記導電
性保護層２７の酸化層を削っても、前記導電性保護層２
７の膜厚は０．１〜０．５μｍ程度であることから、前
記イオンミリングの影響を導電性材料層２６が受けるこ
とはなく、前記導電性材料層２６の体積を変化させるこ
とがない。従って前記コイル層１７のコイル抵抗値や許
容電流を一定値に保つことが可能である。

【０１５１】次に図９に示すように、前記コイル層１７
上および下部コイル絶縁層１５上に、上部コイル絶縁層
２２を形成する。この上部コイル絶縁層２２は、例えば
レジストやポリイミドなどの有機材料で形成される。

【０１５２】本発明では、トラック幅規制部１４の上面
１４ａと同一面上に、コイル層１７の上面１７ｂおよび
下部コイル絶縁層１５の上面が位置し、前記トラック幅
規制部１４の上面１４ａからハイト方向（図示Ｙ方向）
にかけて、平坦化された面が広がっており、前記平坦化
面上に上部コイル絶縁層２２を形成することができるの
で、前記上部コイル絶縁層２２の上面を平坦化して形成
することができ、さらに前記上部コイル絶縁層２２上に
形成される第２のコイル層２３をパターン精度良く形成
することができる。

【０１５３】なお前記第２のコイル層２３をパターン精
度良く形成できることで、前記第２のコイル層２３を構
成する各導体部のピッチ間の距離を小さくすることがで
きるから、実質的に前記第２のコイル層２３の幅寸法を
小さくすることができる。

【０１５４】なお前記第２のコイル層２３を、コイル層
１７と同様に、Ｃｕ、Ａｕのうちのいずれか一方または
両方の元素を含む単層構造または多層構造で形成された
導電性材料層２６と、前記導電性材料層２６上に積層さ
れる、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選
ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または
多層構造で形成された導電性保護層２７とで構成しても
よい。

【０１５５】さらに図１１に示す工程では、前記第２コ
イル絶縁層２４上に上部コア層１６を、フレームメッキ
法などの既存の方法でパターン形成する。図１０に示す
ように前記上部コア層１６は、その先端部１６ａにてト
ラック幅規制部１４上に接して形成され、また基端部１
６ｂにて下部コア層１０上に形成された持ち上げ層２５
上に磁気的に接して形成される。

【０１５６】次に図１２ないし図１７に示す一連の工程
図を用いて、図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて以下に説明する。

【０１５７】まず図１２では、下部コア層１０上に、パ
ーマロイなどの磁性材料で形成された磁性下地層３０を
形成し、さらに前記磁性下地層３０上の所定部分に、レ
ジストなどで形成されるＧｄ決め絶縁層２８を形成す
る。

【０１５８】例えば前記Ｇｄ決め絶縁層２８は、レジス
ト層を矩形上に形成した後、ポストベーク（熱処理）す
ることで、前記レジスト層にだれを生じさせ、図１２に
示すように、前記レジスト層で形成されたＧｄ決め絶縁
層２８の前端面２８ａに下部コア層１０から図示Ｚ方向
に向かうに従って徐々にハイト方向（図示Ｙ方向）に傾
斜する面を形成する。なお前記Ｇｄ決め絶縁層２８の前
端面２８ａから記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）までの
ギャップ層１２が形成されるべき部分の長さ寸法Ｌ２
で、ギャップデプスＧｄが決定される。

【０１５９】次に図４に示す工程と同様に、前記下部コ
ア層１０上にレジスト層３１を塗布形成し、さらに前記
レジスト層３１に、露光現像によって、記録媒体との対
向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で
あって、且つトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の幅
寸法で形成される溝３１ａを形成し、前記溝３１ａ内
に、トラック幅規制部１４を形成する。

【０１６０】前記トラック幅規制部１４は、下から下部
磁極層１１、ギャップ層１２、および上部磁極層１３で
構成され、これら各層は、連続してメッキ形成されてい
る。

【０１６１】なお前記溝３１ａ内に形成されるトラック
幅規制部１４の膜構成は、上記３層の構成に限られな
い。すなわち、前記トラック幅規制部１４は、下部コア
層１０と連続する下部磁極層１１及び／または上部コア
層と連続する上部磁極層１３、ならびに前記一方のコア
層とこれに対向する前記一方の磁極層または両磁極層の
間に位置するギャップ層１２で構成されれば、どのよう
な膜構成であってもかまわない。

【０１６２】その状態を示すのが図１３である。図１３
では下部コア層１０上には、ＡＢＳ面付近にトラック幅
規制部１４が形成され、前記トラック幅規制部１４から
ハイト方向に離れた位置に持ち上げ層２５が形成されて
いる。

【０１６３】なお図１２に示すトラック幅規制部１４の
両側面（図示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向
（図示Ｘ方向）からイオンミリングで削り、前記トラッ
ク幅規制部１４の幅寸法を小さくすることも可能であ
る。このイオンミリングによって削られたトラック幅規
制部１４の幅寸法がトラック幅Ｔｗとして規定される。

【０１６４】なお前記イオンミリングによって、下部磁
極層１１の基端から延びるトラック幅方向（図示Ｘ方
向）の下部コア層１０の上面も削れていき、図１に示す
ような傾斜面１０ｂ，１０ｂが前記下部コア層１０上面
に形成される。

【０１６５】次に図１４に示す工程では、まずトラック
幅規制部１４上から下部コア層１０上、さらには持ち上
げ層２５上からハイト方向にかけて、絶縁材料で形成さ
れた絶縁下地層１８をスパッタ形成する。

【０１６６】そして図１４に示すように、コイル層１７
の巻き中心部１７ａを形成し、前記巻き中心部１７ａを
中心として、コイル層１７を螺旋状にパターン形成す
る。

【０１６７】なお本発明では、前記コイル層１７をパタ
ーン形成する際、前記コイル層１７をその上面１７ｂ
が、後の図１５に示す工程の際におけるトラック幅規制
部１４の上面１４ａよりも高く位置するように形成す
る。

【０１６８】また本発明では図１４に示すように、前記
コイル層１７を、Ｃｕ、Ａｕのうちのいずれか一方また
は両方の元素を含む単層構造または多層構造で形成され
た導電性材料層２６と前記導電性材料層２６の上に積層
されたＮｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選
ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または
多層構造で形成される導電性保護層２７とで構成するこ
とが好ましい。

【０１６９】この場合本発明では、前記導電性材料層２
６を絶縁下地層１８上に、後の図８工程におけるトラッ
ク幅規制部１４の上面１４ａよりも低い位置まで形成
し、さらに前記導電性保護層２７を導電性材料層２６上
に、後の図８工程におけるトラック幅規制部１４の上面
１４ａよりも高い位置まで形成することが好ましい。

【０１７０】次にコイル層１７上を下部コイル絶縁層１
５により覆う。なおこの際、トラック幅規制部１４上お
よび持ち上げ層２５上も前記下部コイル絶縁層１５によ
って覆われる。

【０１７１】なお本発明では前記下部コイル絶縁層１５
を無機材料によってスパッタ形成する。前記無機材料に
は、Ａｌ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＮのうちから１種または
２種以上を選択することが好ましい。

【０１７２】そして図１４に示すように、前記下部コイ
ル絶縁層１５の上面をＣＭＰ技術などを利用してＢ−Ｂ
線上まで削っていく。その状態を示すのが図１５であ
る。

【０１７３】前記下部コイル絶縁層１５がＢ−Ｂ線まで
削られることにより（図１４参照）、図１５に示すよう
に、トラック幅規制部１４の上面１４ａが露出し、しか
もこの上面１４ａと同一面上にコイル層１７の上面１７
ｂまでもが露出した状態になる。

【０１７４】また前記コイル層１７の上面１７ｂを、ト
ラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上に位置する
ように形成したことで、前記コイル層１７の厚さ寸法Ｈ
５を最大限に大きくすることができる。

【０１７５】また前記コイル層１７の厚さ寸法Ｈ５を大
きくできることで、その分前記コイル層１７を構成する
各導体部の幅寸法Ｔ５を小さくしても、コイル抵抗値の
増大を招く虞はなく、よって本発明ではトラック幅規制
部１４から持ち上げ層２５間に形成される前記コイル層
１７全体の幅寸法を小さくすることが可能である。

【０１７６】また本発明では前述したように、コイル層
１７を、導電性材料層２６とその上に積層された導電性
保護層２７とで構成し、図１４に示す工程では、前記導
電性材料層２６を、図１５工程におけるトラック幅規制
部１４の上面１４ａよりも低い位置まで形成し、さらに
前記導電性保護層２７を導電性材料層２６上に、図１５
工程におけるトラック幅規制部１４の上面１４ａよりも
高い位置まで形成している。

【０１７７】このためＣＭＰ法などにより下部コイル絶
縁層１５を削った状態における図１５では、前記コイル
層１７のうち導電性保護層２７が露出した状態になって
いる。なお図１５の状態における前記導電性保護層２７
の膜厚は、０．１〜０．５μｍ程度であることが好まし
い。

【０１７８】このように前記導電性保護層２７を露出さ
せる理由は、前記コイル層１７を構成する導電性材料層
２６を酸化から防止するためである。なお露出した前記
導電性保護層２７は、大気に曝されることによりその表
面は、酸化されるが前記酸化層は３．０ｎｍ程度と非常
に薄い。このためイオンミリング法などにより前記導電
性保護層２７の酸化層を削っても、前記導電性保護層２
７の膜厚は０．１〜０．５μｍ程度であることから、前
記イオンミリングの影響を導電性材料層２６が受けるこ
とはなく、前記導電性材料層２６の体積を変化させるこ
とがない。従って前記コイル層１７のコイル抵抗値や許
容電流を一定値に保つことが可能である。

【０１７９】また図１５に示すように、コイル層１７の
巻き中心部１７ａの上面１７ｂも、トラック幅規制部１
４の上面１４ａと同一面上に位置し、前記巻き中心部１
７ａの上面１７ｂは外部に露出した状態にされる。

【０１８０】次に図１６に示すように、前記コイル層１
７上および下部コイル絶縁層１５上に、上部コイル絶縁
層２２を形成する。この上部コイル絶縁層２２は、例え
ばレジストやポリイミドなどの有機材料で形成される。

【０１８１】本発明では、トラック幅規制部１４の上面
１４ａと同一面上に、コイル層１７の上面１７ｂおよび
下部コイル絶縁層１５の上面が位置し、前記トラック幅
規制部１４の上面１４ａからハイト方向（図示Ｙ方向）
にかけて、平坦化された面が広がっており、前記平坦化
面上に上部コイル絶縁層２２を形成することができるの
で、前記上部コイル絶縁層２２の上面を平坦化して形成
することができ、さらに前記上部コイル絶縁層２２上に
形成される第２のコイル層２３をパターン精度良く形成
することができる。

【０１８２】なお前記第２のコイル層２３をパターン精
度良く形成できることで、前記第２のコイル層２３を構
成する各導体部のピッチ間の距離を小さくすることがで
きるから、実質的に前記第２のコイル層２３の幅寸法を
小さくすることができる。

【０１８３】なお前記第２のコイル層２３を、コイル層
１７と同様に、Ｃｕ、Ａｕのうちのいずれか一方または
両方の元素を含む単層構造または多層構造で形成された
導電性材料層２６と、前記導電性材料層２６上に積層さ
れる、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選
ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または
多層構造で形成された導電性保護層２７とで構成しても
よい。

【０１８４】また本発明では、第２のコイル層２３の巻
き中心部２３ａを、コイル層１７の巻き中心部１７ａ上
に直接、電気的に接続させることが可能である。

【０１８５】仮に前記巻き中心部１７ａが、下部コイル
絶縁層１５の内部に埋められて形成され、前記巻き中心
部１７ａが外部に露出しない場合には、前記巻き中心部
１７ａ上を覆う下部コイル絶縁層１５をエッチング等に
より削って穴部を形成する必要性がある。

【０１８６】しかしながら本発明では、前述したように
コイル層１７の巻き中心部１７ａは、その上面１７ｂが
トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一面上に位置
し、前記巻き中心部１７ａは外部に露出した状態にされ
るから、前記第２のコイル層２３をパターン形成する際
に、前記第２のコイル層２３の巻き中心部２３ａを、コ
イル層１７の巻き中心部１７ａ上に直接積層することが
でき、製造工程を簡略化することが可能になる。

【０１８７】次に図１７に示す工程では、前記第２のコ
イル層２３を、例えばレジストやポリイミドなどの有機
絶縁材料から形成された第２コイル絶縁層２４で覆い、
さらに前記第２コイル絶縁層２４上に上部コア層１６
を、フレームメッキ法などの既存の方法でパターン形成
する。図１７に示すように前記上部コア層１６は、その
先端部１６ａにてトラック幅規制部１４上に接して形成
され、また基端部１６ｂにて下部コア層１０上に形成さ
れた持ち上げ層２５上に磁気的に接して形成される。

【０１８８】以上、図２および図３に示す本発明の薄膜
磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本発明で
は、上記のようにまず下部コア層１０上にレジスト層３
１を用いてトラック幅規制部１４を形成しているので、
後の工程でコイル層１７を形成する際に、前記コイル層
１７を形成すべき下部コア層１０上には何も形成されて
いない状態になっている。

【０１８９】このため本発明では、前記コイル層１７を
下部コア層１０上に、薄い膜厚の絶縁下地層１８を介し
て形成することができ、前記コイル層１７の上面１７ｂ
を、トラック幅規制部１４よりもハイト側後方であっ
て、前記トラック幅規制部１４の上面１４ａを基準平面
Ａとしたときに前記基準平面Ａと同一面上に位置せしめ
ることができる。

【０１９０】従って本発明のようにコイルを２層の積層
構造で形成すれば、前記コイル層の幅寸法を小さくでき
ると同時に、下部コア層１０上から第２のコイル層２３
を覆う第２コイル絶縁層２４上までの高さを小さくで
き、適切に短磁路化を図ることができる。

【０１９１】特に本発明では、コイル層１７の上面１７
ｂを、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同一の高さ
位置まで形成している。すなわち、図４ないし図１１お
よび図１２ないし１７に示す製造方法を用いた場合に、
本発明では、第１層目となるコイル層１７の高さを最大
限に大きく形成し、前記コイル層１７の高さをかせぐ代
わりに前記コイル層１７の幅寸法を小さくしているので
ある。

【０１９２】このようにコイル層１７の幅寸法をより小
さく形成することで、さらに短磁路化を実現でき、より
適切にインダクタンスの低減を図ることができる。

【０１９３】また本発明では、コイル層１７の巻き中心
部１７ａをも、トラック幅規制部１４の上面１４ａと同
一の高さ位置まで形成し、前記巻き中心部１７ａを外部
に露出させているから、第２のコイル層２３の巻き中心
部２３ａを、前記コイル層１７の巻き中心部１７ａ上に
直接積層することができ、製造工程を簡略化することが
できる。

【０１９４】またトラック幅規制部１４の上面１４ａを
基準平面Ａとしたときの、前記コイル層の盛り上がりは
それほど大きくは成らず、従って本発明では、磁路長を
短くしてインダクタンスの低減を図ると同時に、上部コ
ア層１６をパターン精度良く形成することができる。

【０１９５】なお本発明では、コイルを１層構造で形成
してもよい。この場合、コイル層１７を所定のターン数
で形成した後、図９または図１７に示す上部コイル絶縁
層２２を形成した次に、上部コア層１６を形成すれば、
薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０１９６】また本発明では、図５および図１３に示す
工程で、下部コア層１０上に形成されたトラック幅規制
部１４のトラック幅方向の両側端面を、イオンミリング
法によって削ることも可能である。従って本発明では、
前記トラック幅規制部１４の幅寸法（＝トラック幅Ｔ
ｗ）を小さく形成して、狭トラック化に対応可能な薄膜
磁気ヘッドを製造することができる。なお前記トラック
幅規制部１４のトラック幅Ｔｗを、具体的には０．７μ
ｍ以下で形成することが好ましく、より好ましくは０．
５μｍ以下である。

【０１９７】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、コイル層
を、トラック幅規制部よりもハイト方向後方であって、
前記トラック幅規制部と上部コア層との接合面を基準平
面としたときに、前記基準平面と同一面上にコイル層の
上面を形成しているので、下部コア層上から前記コイル
層を覆う絶縁層上までの高さ寸法を小さくでき、磁路長
を短くしてインダクタンスの低減を図ると同時に、上部
コア層をパターン精度良く形成することが可能になる。

【０１９８】また本発明では前記コイル層の上面を前記
基準平面と同一面上にまで形成することにより、前記コ
イル層の厚さを大きくできるので、前記コイル層を構成
する各導体部の幅寸法を小さくすることができ、よって
前記コイル層全体の幅寸法を小さくできる。従って本発
明によれば、より単磁路化を実現でき、さらなるインダ
クタンスの低減を図ることができる。

【０１９９】また本発明では、前記コイル層を２層の積
層構造とすることが好ましく、２層の積層構造とするこ
とで、さらにコイル層の幅寸法を小さくでき、より磁路
長を短くできてインダクタンスを低減させることができ
る。

【０２００】また２層の積層構造にした場合であって
も、１層目のコイル層の上面は、前記のように前記トラ
ック幅規制部の表面を基準平面としたときに、前記基準
平面と同一面上に形成されるので、下部コア層上から第
２のコイル層を覆う第２コイル絶縁層上までの高さ寸法
を小さくでき、より磁路長を短くできると同時に、前記
基準平面からコイル層を覆う絶縁層の盛り上がりはそれ
ほど大きくはならず、上部コア層をパターン精度良く形
成することができる。

【０２０１】さらに本発明における薄膜磁気ヘッドで
は、トラック幅規制部のトラック幅Ｔｗを狭トラック化
に対応可能に形成でき、このように本発明では、高記録
密度化と同時に、インダクタンスの低減によって高記録
周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分正面図、

【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、

【図３】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す部分断面図、

【図４】本発明の図２に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す一工程図、

【図５】図４に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図６】図５に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図７】図６に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図８】図７に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図９】図８に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図１０】図９に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図１１】図１０に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１２】本発明の図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方
法を示す一工程図、

【図１３】図１２に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１５】図１４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１８】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分正面図、

【図１９】図１８に示す１９−１９線から切断した薄膜
磁気ヘッドの部分断面図、

【符号の説明】

１０ 下部コア層 １１ 下部磁極層 １２ ギャップ層 １３ 上部磁極層 １４ トラック幅規制部 １５ 下部コイル絶縁層 １６ 上部コア層 １７ コイル層 １８ 絶縁下地層 ２３ 第２のコイル層 ２４ 第２コイル絶縁層 ２６ 導電性材料層 ２７ 導電性保護層 ３１ レジスト層 Ａ 基準平面（トラック幅規制部１４と上部コア層１６
との接合面）

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下部コア層と、上部コア層と、記録媒体
   との対向面で前記下部コア層と上部コア層との間に位置
   し且つトラック幅方向の寸法が規制されたトラック幅規
   制部とを有し、 前記トラック幅規制部は、下部コア層と連続する下部磁
   極層と上部コア層と連続する上部磁極層との少なくとも
   一方と、前記各磁性層の間またはいずれか一方の前記コ
   ア層と前記いずれかの磁極層とを磁気的に絶縁するギャ
   ップ層とを有し、 前記トラック幅規制部と上部コア層との接合面を基準平
   面としたときに、前記下部コア層と上部コア層に記録磁
   界を誘導するコイル層が、前記トラック幅規制部のハイ
   ト方向の後方に位置し、且つ前記コイル層の上面が前記
   基準平面と同一面上に位置し、 前記コイル層を構成する各導体部のピッチ間が、下部コ
   イル絶縁層によって埋められ、さらに前記コイル層上に
   は上部コイル絶縁層が形成されており、 前記上部コア層は、トラック幅規制部上から前記上部コ
   イル絶縁層上にかけて形成され、さらに前記上部コア層
   の基端部が下部コア層上に磁気的に接続されていること
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記コイル層は、導電性材料層とその上
   に積層された保護層とで構成され、前記保護層が、前記
   基準平面と同一面上に現れている請求項１記載の薄膜磁
   気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記導電性材料層は、Ｃｕ、Ａｕのうち
   のいずれか一方または両方の元素を含む単層構造または
   多層構造の非磁性導電層であり、前記保護層は、Ｎｉ、
   Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種ま
   たは２種以上の元素を含む単層構造または多層構造の非
   磁性導電層である請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 コイル層を構成する各導体部のピッチ間
   に埋められる下部コイル絶縁層は、無機材料で形成され
   た無機絶縁層である請求項１ないし３のいずれかに記載
   の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記上部コイル絶縁層上には、前記コイ
   ル層と電気的に接続された第２のコイル層が形成されて
   おり、前記第２のコイル層を覆う第２コイル絶縁層上
   に、トラック幅規制部上から延びる上部コア層が形成さ
   れている請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気
   ヘッド。
6. 【請求項６】 前記コイル層の巻き中心部の上面は、前
   記基準平面と同一面上に位置し、前記巻き中心部上に、
   第２のコイル層の巻き中心部が電気的に接続されている
   請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記ギャップ層は、メッキ形成可能な非
   磁性金属材料で形成されている請求項１ないし６のいず
   れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰ
   ｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
   ｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたもの
   である請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
9. 【請求項９】 （ａ）前記下部コア層の上に、下部磁極
   層と非磁性のギャップ層と上部磁極層から成るトラック
   幅規制部、または前記下部磁極層と非磁性のギャップ層
   から成るトラック幅規制部、あるいは非磁性のギャップ
   層と上部磁極層からなるトラック幅規制部を、所定の幅
   寸法で且つ記録媒体との対向面からハイト方向へ向けて
   所定の長さに形成する工程と、 （ｂ）前記いずれかのトラック幅規制部のハイト側後方
   で、前記下部コア層上に、絶縁下地層を形成し、この絶
   縁下地層の上にコイル層を形成する工程と、 （ｃ）前記トラック幅規制部および前記コイル層を覆う
   ようにして下部コイル絶縁層を形成する工程と、 （ｄ）前記下部コイル絶縁層の上面を平坦化するととも
   に、トラック幅規制部の上面と前記コイル層の上面とを
   互いに同一面とし、且つトラック幅規制部の上面と前記
   コイル層の上面とを前記下部コイル絶縁層の表面に露出
   させる工程と、 （ｅ）前記露出したコイル層上に、上部コイル絶縁層を
   形成する工程と、 （ｆ）前記トラック幅規制部の上から前記上部コイル絶
   縁層の上にかけて上部コア層を形成する工程と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記コイル層を導電性材料層とその上
    に積層された保護層とで構成し、 前記（ｄ）工程で、前記保護層を下部コイル絶縁層の表
    面に露出させる請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
11. 【請求項１１】 前記導電性材料層を、Ｃｕ、Ａｕのう
    ちのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造また
    は多層構造で形成し、前記保護層を、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、
    Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以
    上の元素を含む単層構造または多層構造で形成する請求
    項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記（ｃ）工程での絶縁層として無機
    絶縁層を形成し、前記（ｄ）工程で、前記トラック幅規
    制部と前記コイル層および前記無機絶縁層が同一面とな
    るように研磨する請求項９ないし１１のいずれかに記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 前記（ｅ）工程の後に、前記上部コイ
    ル絶縁層の上に、前記コイル層と磁気的に接続される第
    ２のコイル層を形成する工程を含み、前記（ｆ）工程
    で、前記第２のコイル層を覆う第２コイル絶縁層上に、
    上部コア層を形成する請求項９ないし１２のいずれかに
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
14. 【請求項１４】 前記（ｄ）工程では、前記コイル層の
    巻き中心部を露出させ、前記巻き中心部上に、第２のコ
    イル層の巻き中心部を積層する請求項１３記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
15. 【請求項１５】 前記（ａ）工程では、前記ギャップ層
    を磁極層と共にメッキ形成する請求項９ないし１４のい
    ずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
16. 【請求項１６】 前記ギャップ層を形成するメッキ形成
    可能な前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、Ｎ
    ｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ
    のうち１種または２種以上を選択する請求項１５記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。