JP2000099919A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000099919A JP2000099919A JP10264726A JP26472698A JP2000099919A JP 2000099919 A JP2000099919 A JP 2000099919A JP 10264726 A JP10264726 A JP 10264726A JP 26472698 A JP26472698 A JP 26472698A JP 2000099919 A JP2000099919 A JP 2000099919A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic pole
- tip
- thin
- pole
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好なオーバライト特性と記録にじみ特性を
示す先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドを提供すること 【解決手段】 図７に示すように、下部磁極，上部磁極
及び両磁極間でそれから離間して配置されたコイルを有
する薄膜磁気ヘッドであって、前記上部磁極の前記下部
磁極側で浮上面近傍に形成された先端副磁極を備え、該
先端副磁極は、浮上面のコア幅ＳＷ1 より本体部分のコ
ア幅ＳＷ2 が相対的に大きい形状となっている。ここ
で、図８〜図１１に示すように、先端凸部高さＳＨが
０．３μｍ以上であり、先端磁極コア幅の広がりΔＳＷ
が３．２μｍ以下であり、先端副磁極長ＳＬが３．６μ
ｍ以下である。
示す先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドを提供すること 【解決手段】 図７に示すように、下部磁極，上部磁極
及び両磁極間でそれから離間して配置されたコイルを有
する薄膜磁気ヘッドであって、前記上部磁極の前記下部
磁極側で浮上面近傍に形成された先端副磁極を備え、該
先端副磁極は、浮上面のコア幅ＳＷ1 より本体部分のコ
ア幅ＳＷ2 が相対的に大きい形状となっている。ここ
で、図８〜図１１に示すように、先端凸部高さＳＨが
０．３μｍ以上であり、先端磁極コア幅の広がりΔＳＷ
が３．２μｍ以下であり、先端副磁極長ＳＬが３．６μ
ｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装
置，磁気テープ装置等に用いられる薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関し、更に具体的には独特の形状の先端
副磁極を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関す
る。
置，磁気テープ装置等に用いられる薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関し、更に具体的には独特の形状の先端
副磁極を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】（技術の背景）磁気ディスク装置，磁気
テープ装置等に使用される磁気ヘッドとして、誘導型記
録・再生薄膜ヘッド，誘導型記録ヘッドと磁気抵抗効果
型再生ヘッドを組み合わせた複合型磁気ヘッド等が知ら
れている。
テープ装置等に使用される磁気ヘッドとして、誘導型記
録・再生薄膜ヘッド，誘導型記録ヘッドと磁気抵抗効果
型再生ヘッドを組み合わせた複合型磁気ヘッド等が知ら
れている。
【０００３】図１は、複合型磁気ヘッドの要部を示す分
解斜視図である。この分解斜視図では、磁気ヘッドの内
部を明らかにするため、最上位層の保護層を省略し、ま
た、記録ヘッドＷＲの図で見て左半分を切除している。
この複合型磁気ヘッドは、基板（ウェハ）１と、この基
板の上に形成された基板保護膜２と、この基板保護膜の
上に形成された再生ヘッドＲＥと、この再生ヘッドの上
に形成された記録ヘッドＷＲと、この記録ヘッドの上に
形成された保護層１７（図示せず。）とを備えている。
解斜視図である。この分解斜視図では、磁気ヘッドの内
部を明らかにするため、最上位層の保護層を省略し、ま
た、記録ヘッドＷＲの図で見て左半分を切除している。
この複合型磁気ヘッドは、基板（ウェハ）１と、この基
板の上に形成された基板保護膜２と、この基板保護膜の
上に形成された再生ヘッドＲＥと、この再生ヘッドの上
に形成された記録ヘッドＷＲと、この記録ヘッドの上に
形成された保護層１７（図示せず。）とを備えている。
【０００４】再生ヘッドＲＥは、再生下側磁気シールド
層３と、この下側磁気シールド層の上に形成された第一
の非磁性絶縁層（再生下側ギャップ層）４と、この第一
の非磁性絶縁層上に形成された磁気トランデューサ５
と、この磁気トランデューサの両端に形成された一対の
端子６ａ，６ｂ（一方のみ図示。）と、これら磁気トラ
ンデューサ及び一対の端子の上に形成された第二の非磁
性絶縁層（再生上側ギャップ層）７と、この第二の非磁
性絶縁層の上に形成された再生上側磁気シールド層８と
を有している。
層３と、この下側磁気シールド層の上に形成された第一
の非磁性絶縁層（再生下側ギャップ層）４と、この第一
の非磁性絶縁層上に形成された磁気トランデューサ５
と、この磁気トランデューサの両端に形成された一対の
端子６ａ，６ｂ（一方のみ図示。）と、これら磁気トラ
ンデューサ及び一対の端子の上に形成された第二の非磁
性絶縁層（再生上側ギャップ層）７と、この第二の非磁
性絶縁層の上に形成された再生上側磁気シールド層８と
を有している。
【０００５】この再生上側磁気シールド層８は、次ぎに
説明する記録ヘッドＷＲの下部磁極と兼用されているマ
ージ型であり、再生上側磁気シールド層兼記録下部磁極
となっている。記録ヘッドＷＲは、記録下部磁極８と、
記録ギャップ層９と、このギャップ層に配置された渦巻
き状の記録コイル１２と、この記録コイルを覆う第三及
び第四の非磁性絶縁層１０，１１と、この第三及び第四
の非磁性絶縁層の上に形成された記録上部磁極１６とを
有している。
説明する記録ヘッドＷＲの下部磁極と兼用されているマ
ージ型であり、再生上側磁気シールド層兼記録下部磁極
となっている。記録ヘッドＷＲは、記録下部磁極８と、
記録ギャップ層９と、このギャップ層に配置された渦巻
き状の記録コイル１２と、この記録コイルを覆う第三及
び第四の非磁性絶縁層１０，１１と、この第三及び第四
の非磁性絶縁層の上に形成された記録上部磁極１６とを
有している。
【０００６】なお、記録コイル１２の渦巻き状の中心部
領域１３には記録コイルは存在しなく、この中心部領域
において、上部磁極１６は凹んで下部磁極８に対して接
続している。また、上部磁極１６は、磁気記録媒体２０
に向かって先細り形状となっており、この部分を特にポ
ール１６ａと称している。このように、図３に示す複合
型磁気ヘッドは、再生ヘッドＲＥの背部に記録ヘッドＷ
Ｒを付加するピギーバック構造となっている。なお、図
示するように、磁気ヘッドの各要素の位置関係を明確に
するため、上部磁極１６の浮上面（ＡＢＳ：Air Bearin
g Surface ）をＸ方向、ＡＢＳから見て磁気ヘッドの奥
行き方向をＹ方向、磁気ヘッドの積層方向をＺ方向とす
る。
領域１３には記録コイルは存在しなく、この中心部領域
において、上部磁極１６は凹んで下部磁極８に対して接
続している。また、上部磁極１６は、磁気記録媒体２０
に向かって先細り形状となっており、この部分を特にポ
ール１６ａと称している。このように、図３に示す複合
型磁気ヘッドは、再生ヘッドＲＥの背部に記録ヘッドＷ
Ｒを付加するピギーバック構造となっている。なお、図
示するように、磁気ヘッドの各要素の位置関係を明確に
するため、上部磁極１６の浮上面（ＡＢＳ：Air Bearin
g Surface ）をＸ方向、ＡＢＳから見て磁気ヘッドの奥
行き方向をＹ方向、磁気ヘッドの積層方向をＺ方向とす
る。
【０００７】再生ヘッドＲＥの磁気トランデューサ５と
しては、例えば、異方性磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子），典型的にはスピンバルブ磁気抵抗効果素子のよう
な巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）等が使用でき
る。磁気トランデューサ５の両端には、一対の端子６
ａ，６ｂが接続され、読み取り動作時には一定電流（セ
ンス電流）がこの端子を介して磁気トランデューサ５に
対して流される。
しては、例えば、異方性磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子），典型的にはスピンバルブ磁気抵抗効果素子のよう
な巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）等が使用でき
る。磁気トランデューサ５の両端には、一対の端子６
ａ，６ｂが接続され、読み取り動作時には一定電流（セ
ンス電流）がこの端子を介して磁気トランデューサ５に
対して流される。
【０００８】こうして、複合型磁気ヘッドでは、磁気デ
ィスクのような記録媒体２０に対して僅かな距離（浮上
量）だけ離れて対向して位置決めされ、記録媒体２０に
対してトラック長手方向に向かって相対的に移動しなが
ら、再生ヘッドＲＥによって磁気記録媒体２０に記録さ
れている磁気記録情報を読み取り、また、記録ヘッドＷ
Ｒによって記録媒体２０対して情報を磁気的に書き込ん
でいる。
ィスクのような記録媒体２０に対して僅かな距離（浮上
量）だけ離れて対向して位置決めされ、記録媒体２０に
対してトラック長手方向に向かって相対的に移動しなが
ら、再生ヘッドＲＥによって磁気記録媒体２０に記録さ
れている磁気記録情報を読み取り、また、記録ヘッドＷ
Ｒによって記録媒体２０対して情報を磁気的に書き込ん
でいる。
【０００９】図２は、図１の記録ヘッドＷＲを更に詳し
く説明する図である。図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、再生ヘッドＲＥの上側磁気シールド８が、記録ヘッ
ドＷＲの下側磁気シールド８と兼用されている。図２
（Ｂ）に示すように、記録ヘッドＷＲは、微小な記録ギ
ャップ層９を挟んで二つの磁極（下部磁極８と上部磁極
１６）が相対する構造を持っている。記録媒体２０の走
行方向から、下部磁極８は、最初に記録媒体上のトラッ
クに出会う磁極となるためリーディング側磁極と呼ば
れ、また、上部磁極１６は、記録媒体上のトラックが遠
ざかる方向の磁極となるためトレーリング側磁極と呼ば
れる。下部磁極８と上部磁極１０の間には、非磁性絶縁
層９，１０で取り囲まれた渦巻き状記録コイル１２が存
在する。
く説明する図である。図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、再生ヘッドＲＥの上側磁気シールド８が、記録ヘッ
ドＷＲの下側磁気シールド８と兼用されている。図２
（Ｂ）に示すように、記録ヘッドＷＲは、微小な記録ギ
ャップ層９を挟んで二つの磁極（下部磁極８と上部磁極
１６）が相対する構造を持っている。記録媒体２０の走
行方向から、下部磁極８は、最初に記録媒体上のトラッ
クに出会う磁極となるためリーディング側磁極と呼ば
れ、また、上部磁極１６は、記録媒体上のトラックが遠
ざかる方向の磁極となるためトレーリング側磁極と呼ば
れる。下部磁極８と上部磁極１０の間には、非磁性絶縁
層９，１０で取り囲まれた渦巻き状記録コイル１２が存
在する。
【００１０】（記録ヘッドに要求される特性）記録ヘッ
ドＷＲでは、記録コイル１２に電流を流すと上部磁極１
６及び下部磁極８が磁化され、記録ギャップ層９の両側
の上部磁極のポール１６ａと下部磁極７のＡＢＳ面側
で、記録媒体２０に書き込むための記録磁界が発生す
る。記録ヘッドＷＲでは、この漏れ磁界により記録媒体
２０が磁化され、情報の記録が行われる。
ドＷＲでは、記録コイル１２に電流を流すと上部磁極１
６及び下部磁極８が磁化され、記録ギャップ層９の両側
の上部磁極のポール１６ａと下部磁極７のＡＢＳ面側
で、記録媒体２０に書き込むための記録磁界が発生す
る。記録ヘッドＷＲでは、この漏れ磁界により記録媒体
２０が磁化され、情報の記録が行われる。
【００１１】記録媒体２０に印加される磁界強度Ｈは媒
体抗磁力Ｈｃの２倍程度が適切と考えられており、最近
の記録媒体の媒体抗磁力Ｈｃは３０００ Ｏｅ近いこと
から、記録磁界は６０００ Ｏｅ程度あることが望まし
い。また、一般に記録媒体２０に磁化の反転が起こる下
限の磁界強度は媒体抗磁力Ｈｃの１／２ほどであると考
えられいる。従って、所望の記録トラック範囲外に媒体
抗磁力Ｈｃの１／２を超える磁界（即ち、１５００ Ｏ
ｅ）が存在すると、所望トラックに隣接するトラックで
磁化反転（記録にじみ）が発生し、ヘッド走行方向トレ
ーリング側での磁化反転（記録減磁）が起こり、記録媒
体の高面記録密度化の障害となる。
体抗磁力Ｈｃの２倍程度が適切と考えられており、最近
の記録媒体の媒体抗磁力Ｈｃは３０００ Ｏｅ近いこと
から、記録磁界は６０００ Ｏｅ程度あることが望まし
い。また、一般に記録媒体２０に磁化の反転が起こる下
限の磁界強度は媒体抗磁力Ｈｃの１／２ほどであると考
えられいる。従って、所望の記録トラック範囲外に媒体
抗磁力Ｈｃの１／２を超える磁界（即ち、１５００ Ｏ
ｅ）が存在すると、所望トラックに隣接するトラックで
磁化反転（記録にじみ）が発生し、ヘッド走行方向トレ
ーリング側での磁化反転（記録減磁）が起こり、記録媒
体の高面記録密度化の障害となる。
【００１２】高面記録密度を実現するためにはトラック
密度を上げる必要がある。これに対応して、上部磁極１
６（ポール１６ａ）の端部幅（コア幅）と下部磁極８の
端部幅（コア幅）を狭めて、発生する記録磁界の幅を狭
める必要がある。図１及び図２に示す複合型ヘッドで
は、記録ヘッドＷＲの下部磁極８は、再生ヘッドＲＥの
上部磁気シールド８を兼用していることから、磁気シー
ルドの機能を確保するため形状に一定の制約がある。従
って、下部磁極８のコア幅は、これに対応する上部磁極
１６のコア幅よりもかなり広く形成されていた。このた
め、両磁極８，１６間に形成される記録磁界はトラック
幅方向に広く分布しており、広い記録磁界では記録媒体
２０のトラックピッチを狭めることは困難であった。
密度を上げる必要がある。これに対応して、上部磁極１
６（ポール１６ａ）の端部幅（コア幅）と下部磁極８の
端部幅（コア幅）を狭めて、発生する記録磁界の幅を狭
める必要がある。図１及び図２に示す複合型ヘッドで
は、記録ヘッドＷＲの下部磁極８は、再生ヘッドＲＥの
上部磁気シールド８を兼用していることから、磁気シー
ルドの機能を確保するため形状に一定の制約がある。従
って、下部磁極８のコア幅は、これに対応する上部磁極
１６のコア幅よりもかなり広く形成されていた。このた
め、両磁極８，１６間に形成される記録磁界はトラック
幅方向に広く分布しており、広い記録磁界では記録媒体
２０のトラックピッチを狭めることは困難であった。
【００１３】（従来技術）最近、特開平７−２２５９１
７号（対応米国特許出願番号第１９２６８０号）とし
て、コア幅方向の記録にじみを低減するため、下部磁極
８と上部磁極１６に対して、コア幅の狭い下部磁極端素
子と上部磁極端素子（いずれも「先端副磁極」ともい
う。）を夫々付加形成する技術が紹介されている。
７号（対応米国特許出願番号第１９２６８０号）とし
て、コア幅方向の記録にじみを低減するため、下部磁極
８と上部磁極１６に対して、コア幅の狭い下部磁極端素
子と上部磁極端素子（いずれも「先端副磁極」ともい
う。）を夫々付加形成する技術が紹介されている。
【００１４】図３は、先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッ
ドを説明する図である。図３（Ａ）は図２（Ｂ）に対応
する図であり、図３（Ｂ）は浮上面から見た図である。
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、下部磁極８の上部
磁極側の浮上面近傍に下部先端副磁極（下部磁極端素
子）２１が形成され、また、上部磁極１６の下部磁極側
の浮上面近傍に上部磁極端素子（上部先端副磁極）２２
が形成されている。
ドを説明する図である。図３（Ａ）は図２（Ｂ）に対応
する図であり、図３（Ｂ）は浮上面から見た図である。
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、下部磁極８の上部
磁極側の浮上面近傍に下部先端副磁極（下部磁極端素
子）２１が形成され、また、上部磁極１６の下部磁極側
の浮上面近傍に上部磁極端素子（上部先端副磁極）２２
が形成されている。
【００１５】しかし、前掲特開平７−２２５９１７号で
は、先端副磁極の形状は単に矩形状で示されているだけ
であり、また、先端副磁極の形状，配置場所及び先端副
磁極付き磁気ヘッドの性能・特性については、何等議論
されていない。
は、先端副磁極の形状は単に矩形状で示されているだけ
であり、また、先端副磁極の形状，配置場所及び先端副
磁極付き磁気ヘッドの性能・特性については、何等議論
されていない。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】（磁気ヘッドの要求特
性）このような先端副磁極を有する磁気ヘッドは、下部
磁極８と上部磁極１６に先端副磁極２１，２２を夫々設
け、先端副磁極によってコア幅を実質的に狭く規定し、
狭いコア幅を有する先端副磁極間のギャップ層９を介し
て記録磁界を生じさせるものである。
性）このような先端副磁極を有する磁気ヘッドは、下部
磁極８と上部磁極１６に先端副磁極２１，２２を夫々設
け、先端副磁極によってコア幅を実質的に狭く規定し、
狭いコア幅を有する先端副磁極間のギャップ層９を介し
て記録磁界を生じさせるものである。
【００１７】本発明者等は、この利点に加えて、先端副
磁極は、次の点で将来性のある技術であると判断してい
る。 (1) コア幅を狭くする技術として、精密な寸法精度が得
られる点で優れている。現状では、他の加工技術、例え
ば、イオンミリング法，ＦＩＢ（Focused Ion Beam）法
等を利用した上部磁極のポールの整形では、上部磁極先
端部をサブ・ミクロンのオーダの寸法精度で整形するこ
とが出来ない。
磁極は、次の点で将来性のある技術であると判断してい
る。 (1) コア幅を狭くする技術として、精密な寸法精度が得
られる点で優れている。現状では、他の加工技術、例え
ば、イオンミリング法，ＦＩＢ（Focused Ion Beam）法
等を利用した上部磁極のポールの整形では、上部磁極先
端部をサブ・ミクロンのオーダの寸法精度で整形するこ
とが出来ない。
【００１８】(2) 先端副磁極の材料を、所望に応じて、
上部磁極及び下部磁極と異なる材料にすることもでき
る。しかし、先端副磁極を紹介する前掲特開平７−２５
９１７号において、この先端副磁極を有する薄膜磁気ヘ
ッドについて、ヘッドとして要求される高周波特性等に
関して何等評価又は議論を行っていない。
上部磁極及び下部磁極と異なる材料にすることもでき
る。しかし、先端副磁極を紹介する前掲特開平７−２５
９１７号において、この先端副磁極を有する薄膜磁気ヘ
ッドについて、ヘッドとして要求される高周波特性等に
関して何等評価又は議論を行っていない。
【００１９】高周波特性の良いヘッドとは、「周波数ｆ
が高くなるにつれてヘッドコアの透磁率μが低下した場
合でも、記録媒体にかかる記録磁界Ｈがそれ程減少しな
いヘッド」である。もし、ヘッドコアの透磁率μの低下
とともに記録磁界Ｈが減少すると、ヘッドのオーバーラ
イト特性が悪化することを意味するからである。この場
合、オーバーライト特性は、記録コイルに流す電流を増
加させて起磁力を増加することにより或る程度カバーで
きる。ここで、ヘッドコアの透磁率μが低いときに合わ
せて起磁力Ｈを大きめに設定した状態で、透磁率μが高
くなったとき（即ち、低周波数の書込信号時）、記録磁
界Ｈが必要以上に増大すると、記録にじみ幅や記録減磁
幅（サイド・イレーズ幅）が増大して、記録媒体上の対
象トラックに隣接するトラックに対して悪影響を及ぼす
恐れがある。従って、透磁率μが十分に高いとき（低周
波数のとき）に、記録媒体にかかる磁界強度Ｈがあまり
増大しないことが必要である。
が高くなるにつれてヘッドコアの透磁率μが低下した場
合でも、記録媒体にかかる記録磁界Ｈがそれ程減少しな
いヘッド」である。もし、ヘッドコアの透磁率μの低下
とともに記録磁界Ｈが減少すると、ヘッドのオーバーラ
イト特性が悪化することを意味するからである。この場
合、オーバーライト特性は、記録コイルに流す電流を増
加させて起磁力を増加することにより或る程度カバーで
きる。ここで、ヘッドコアの透磁率μが低いときに合わ
せて起磁力Ｈを大きめに設定した状態で、透磁率μが高
くなったとき（即ち、低周波数の書込信号時）、記録磁
界Ｈが必要以上に増大すると、記録にじみ幅や記録減磁
幅（サイド・イレーズ幅）が増大して、記録媒体上の対
象トラックに隣接するトラックに対して悪影響を及ぼす
恐れがある。従って、透磁率μが十分に高いとき（低周
波数のとき）に、記録媒体にかかる磁界強度Ｈがあまり
増大しないことが必要である。
【００２０】一方、本出願人は、先端副磁極を設けるの
ではなく、他のアプローチによって、コア幅を狭くする
提案を、特願平１０−１８４７８０号（１９９８年６月
３０日出願。本出願時点で未だ出願公開されていな
い。）として、行っている。図３（Ａ）及び（Ｂ）は、
この提案を簡単に説明する図である。この提案では、図
３（Ｂ）に示すように、上部磁極１６のポール１６ａの
両端をＦＩＢ法によりトリミングしてコア幅を狭くして
いる。
ではなく、他のアプローチによって、コア幅を狭くする
提案を、特願平１０−１８４７８０号（１９９８年６月
３０日出願。本出願時点で未だ出願公開されていな
い。）として、行っている。図３（Ａ）及び（Ｂ）は、
この提案を簡単に説明する図である。この提案では、図
３（Ｂ）に示すように、上部磁極１６のポール１６ａの
両端をＦＩＢ法によりトリミングしてコア幅を狭くして
いる。
【００２１】この特許出願でも、上部磁極のコア幅をＦ
ＩＢトリミングによって狭くした磁気ヘッドについて、
高周波特性の議論は行われていない。しかし、特許出願
の後、本発明者等は、この磁気ヘッドについて高周波特
性の評価を行ったところ、後で図５に関連して説明する
ように、良好な特性が得られることが判明した。 （先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドの高周波特性）そ
こで、本出願人等は、技術的に将来性があると判断され
る先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドを評価するため、
高周波特性の評価を行った。比較の対象としては、前掲
特願平１０−１８４７８０号で提案した（先端副磁極無
しの）ＦＩＢトリミングで上部磁極のポールを整形した
薄膜磁気ヘッドとした（以下、「比較例」という。）。
ＩＢトリミングによって狭くした磁気ヘッドについて、
高周波特性の議論は行われていない。しかし、特許出願
の後、本発明者等は、この磁気ヘッドについて高周波特
性の評価を行ったところ、後で図５に関連して説明する
ように、良好な特性が得られることが判明した。 （先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドの高周波特性）そ
こで、本出願人等は、技術的に将来性があると判断され
る先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドを評価するため、
高周波特性の評価を行った。比較の対象としては、前掲
特願平１０−１８４７８０号で提案した（先端副磁極無
しの）ＦＩＢトリミングで上部磁極のポールを整形した
薄膜磁気ヘッドとした（以下、「比較例」という。）。
【００２２】図５は、比較例の評価結果であり、また、
図６は、特開平７−２５９１７号で紹介されたような先
端副磁極付き薄膜磁気ヘッドの評価結果である。この評
価は、横軸に示す記録コイルに流す記録電流（起磁力）
ｍｍｆと、縦軸に示す記録媒体に加わる記録磁界（トラ
ック長手方向磁界成分）Ｈｘとの関係を、三次元の磁界
解析ソフトによってコンピュータ・シミュレーションし
た結果である。三次元の磁界解析ソフトとしては、日本
国所在のエルフ社から商業的に入手し得る磁界解析ソフ
ト「ＭＡＧＩＣ」を利用している。
図６は、特開平７−２５９１７号で紹介されたような先
端副磁極付き薄膜磁気ヘッドの評価結果である。この評
価は、横軸に示す記録コイルに流す記録電流（起磁力）
ｍｍｆと、縦軸に示す記録媒体に加わる記録磁界（トラ
ック長手方向磁界成分）Ｈｘとの関係を、三次元の磁界
解析ソフトによってコンピュータ・シミュレーションし
た結果である。三次元の磁界解析ソフトとしては、日本
国所在のエルフ社から商業的に入手し得る磁界解析ソフ
ト「ＭＡＧＩＣ」を利用している。
【００２３】まず、図５に示す比較例の記録磁界Ｈｘの
起磁力ｍｍｆ依存性を参照願いたい。起磁力ｍｍｆ＝
０．４ＡＴにおいて、透磁率μ＝３００（即ち、高周波
時）の記録磁界（▲データ）と、μ＝１０００（即ち、
低周波時）の記録磁界（●データ）の比Ｒ（μ300 ／μ
1000）は、Ｒ（μ300 ／μ1000）＝０．９４となる。一
方、図６に示す先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドでは、Ｒ
（μ300 ／μ1000）＝０．８８となる。
起磁力ｍｍｆ依存性を参照願いたい。起磁力ｍｍｆ＝
０．４ＡＴにおいて、透磁率μ＝３００（即ち、高周波
時）の記録磁界（▲データ）と、μ＝１０００（即ち、
低周波時）の記録磁界（●データ）の比Ｒ（μ300 ／μ
1000）は、Ｒ（μ300 ／μ1000）＝０．９４となる。一
方、図６に示す先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドでは、Ｒ
（μ300 ／μ1000）＝０．８８となる。
【００２４】上述したように、磁気ヘッドは、周波数ｆ
が高くなるにつれて（ヘッドコアの透磁率μが低下した
場合）、記録媒体にかかる記録磁界がそれ程減少しない
ヘッド。」が良好とされる。比Ｒ（μ300/μ1000）は、
低周波（μ＝１０００）時の記録磁界Ｈｘに対する高周
波（μ＝３００）の記録磁界Ｈｘの比を示している。従
って、比Ｒ（μ300/μ1000）の値は大きい方が好まし
い。ここでは、比較例のＲ（μ300/μ1000）＞先端副磁
極付き薄膜磁気ヘッドのＲ（μ300/μ1000）、という結
果となり、先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドは比較例に比
べて、記録磁界Ｈｘの比（μ300/μ1000）が小さい結果
となった。
が高くなるにつれて（ヘッドコアの透磁率μが低下した
場合）、記録媒体にかかる記録磁界がそれ程減少しない
ヘッド。」が良好とされる。比Ｒ（μ300/μ1000）は、
低周波（μ＝１０００）時の記録磁界Ｈｘに対する高周
波（μ＝３００）の記録磁界Ｈｘの比を示している。従
って、比Ｒ（μ300/μ1000）の値は大きい方が好まし
い。ここでは、比較例のＲ（μ300/μ1000）＞先端副磁
極付き薄膜磁気ヘッドのＲ（μ300/μ1000）、という結
果となり、先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドは比較例に比
べて、記録磁界Ｈｘの比（μ300/μ1000）が小さい結果
となった。
【００２５】次ぎに、図５に示す比較例の透磁率μ＝１
０００（即ち、低周波時）の記録磁界特性（●データ）
において、起磁力ｍｍｆ＝０．２ＡＴと０．４ＡＴにお
ける記録磁界Ｈｘの比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）を求めると、
Ｒ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８８となる。一方、図６に示
す先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドでは、Ｒ（0.2AT/0.4A
T ）＝０．８０５となる。
０００（即ち、低周波時）の記録磁界特性（●データ）
において、起磁力ｍｍｆ＝０．２ＡＴと０．４ＡＴにお
ける記録磁界Ｈｘの比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）を求めると、
Ｒ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８８となる。一方、図６に示
す先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドでは、Ｒ（0.2AT/0.4A
T ）＝０．８０５となる。
【００２６】上述したように、磁気ヘッドは、予め起磁
力ｍｍｆを大きめに設定した状態で低周波数となったと
き、記録磁界Ｈｘが必要以上に増大することは好ましく
ない。従って、μ＝１０００における比Ｒ（0.2AT/0.4A
T ）は、低周波時の起磁力変動に対応する磁界変動の追
従性を表し、比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）は大きい方が好まし
い。ここでは、比較例のＲ（0.2AT/0.4AT ）＞先端副磁
極付き薄膜磁気ヘッドのＲ（0.2AT/0.4AT ）、という結
果となり、先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドは比較例に比
べ、比Ｒ（0.2AT/0.4AT が小さい結果となった。
力ｍｍｆを大きめに設定した状態で低周波数となったと
き、記録磁界Ｈｘが必要以上に増大することは好ましく
ない。従って、μ＝１０００における比Ｒ（0.2AT/0.4A
T ）は、低周波時の起磁力変動に対応する磁界変動の追
従性を表し、比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）は大きい方が好まし
い。ここでは、比較例のＲ（0.2AT/0.4AT ）＞先端副磁
極付き薄膜磁気ヘッドのＲ（0.2AT/0.4AT ）、という結
果となり、先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドは比較例に比
べ、比Ｒ（0.2AT/0.4AT が小さい結果となった。
【００２７】以上により、比Ｒ（μ300/μ1000）及び比
Ｒ（0.2AT/0.4AT ）の何れに関しても、先端副磁極付き
薄膜磁気ヘッド（図６）は比較例（図５）に比べ磁界変
動が大きく、即ち、磁気ヘッド特性に関して悪い傾向に
あることが判明した。先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
は、将来性ある技術でありながら、透磁率μの低下に伴
う記録磁界Ｈｘの低下、及び、起磁力の増加にともなう
記録磁界Ｈｘの変動が大きな問題である。前者は高周波
におけるオーバーライト特性の悪化の原因となり、後者
は低周波における記録にじみ特性の悪化の原因となる。
Ｒ（0.2AT/0.4AT ）の何れに関しても、先端副磁極付き
薄膜磁気ヘッド（図６）は比較例（図５）に比べ磁界変
動が大きく、即ち、磁気ヘッド特性に関して悪い傾向に
あることが判明した。先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
は、将来性ある技術でありながら、透磁率μの低下に伴
う記録磁界Ｈｘの低下、及び、起磁力の増加にともなう
記録磁界Ｈｘの変動が大きな問題である。前者は高周波
におけるオーバーライト特性の悪化の原因となり、後者
は低周波における記録にじみ特性の悪化の原因となる。
【００２８】上述した問題点に鑑みて、本発明は、新規
な先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドを提供することを
目的とする。更に本発明は、良好なオーバライト特性と
記録にじみ特性を示す、先端副磁極を有する薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。更に本発明は、新規
な先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することを目的とする。
な先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドを提供することを
目的とする。更に本発明は、良好なオーバライト特性と
記録にじみ特性を示す、先端副磁極を有する薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。更に本発明は、新規
な先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することを目的とする。
【００２９】更に本発明は、良好なオーバライト特性と
記録にじみ特性を示す、先端副磁極を有する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とする。
記録にじみ特性を示す、先端副磁極を有する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、例えば図７に示すように、少なくとも、下部磁
極，該下部磁極に平行して配置された上部磁極及び両磁
極間で両磁極から離間して配置されたコイルを有する薄
膜磁気ヘッドであって、少なくとも、前記上部磁極の前
記下部磁極側で浮上面近傍に形成された先端副磁極を備
え、該先端副磁極は、浮上面のコア幅ＳＷ1 より本体部
分のコア幅ＳＷ2 が相対的に大きい形状となっている。
ッドは、例えば図７に示すように、少なくとも、下部磁
極，該下部磁極に平行して配置された上部磁極及び両磁
極間で両磁極から離間して配置されたコイルを有する薄
膜磁気ヘッドであって、少なくとも、前記上部磁極の前
記下部磁極側で浮上面近傍に形成された先端副磁極を備
え、該先端副磁極は、浮上面のコア幅ＳＷ1 より本体部
分のコア幅ＳＷ2 が相対的に大きい形状となっている。
【００３１】更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図８に示すよう
に、前記先端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端
凸部高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さＳＨを制御し
て、オーバライト特性及び記録にじみ特性の両方又はい
ずれか一方を改善している。更に本発明に係る薄膜磁気
ヘッドは、上述の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図
８に示すように、前記先端副磁極のコア幅が広がり始め
る位置を先端凸部高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さ
ＳＨが０．１μｍ以上である。
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図８に示すよう
に、前記先端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端
凸部高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さＳＨを制御し
て、オーバライト特性及び記録にじみ特性の両方又はい
ずれか一方を改善している。更に本発明に係る薄膜磁気
ヘッドは、上述の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図
８に示すように、前記先端副磁極のコア幅が広がり始め
る位置を先端凸部高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さ
ＳＨが０．１μｍ以上である。
【００３２】更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図８に示すよう
に、前記先端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端
凸部高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さＳＨが０．３
μｍ以上である。更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、
上述の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図９に示すよ
うに、前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア
幅ＳＷ1の差を先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたと
き、該先端磁極コア幅の広がりΔＳＷを制御して、オー
バライト特性及び記録にじみ特性の両方又はいずれか一
方を改善している。
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図８に示すよう
に、前記先端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端
凸部高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さＳＨが０．３
μｍ以上である。更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、
上述の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図９に示すよ
うに、前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア
幅ＳＷ1の差を先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたと
き、該先端磁極コア幅の広がりΔＳＷを制御して、オー
バライト特性及び記録にじみ特性の両方又はいずれか一
方を改善している。
【００３３】更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図９に示すよう
に、前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅
ＳＷ1の差を先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたと
き、該先端磁極コア幅の広がりΔＳＷが６．２μｍ以下
である。更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述の薄
膜磁気ヘッドであって、例えば、図９に示すように、前
記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅ＳＷ1
の差を、先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたとき、該
先端磁極コア幅の広がりΔＳＷが３．２μｍ以下であ
る。
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図９に示すよう
に、前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅
ＳＷ1の差を先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたと
き、該先端磁極コア幅の広がりΔＳＷが６．２μｍ以下
である。更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述の薄
膜磁気ヘッドであって、例えば、図９に示すように、前
記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅ＳＷ1
の差を、先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたとき、該
先端磁極コア幅の広がりΔＳＷが３．２μｍ以下であ
る。
【００３４】更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図１０に示すよう
に、前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたと
き、該先端副磁極長ＳＬを制御して、オーバライト特性
及び記録にじみ特性の両方又はいずれか一方を改善して
いる。更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述の薄膜
磁気ヘッドであって、例えば、図１０に示すように、前
記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたとき、該
先端副磁極長ＳＬが８．０μｍ以下である。
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図１０に示すよう
に、前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたと
き、該先端副磁極長ＳＬを制御して、オーバライト特性
及び記録にじみ特性の両方又はいずれか一方を改善して
いる。更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述の薄膜
磁気ヘッドであって、例えば、図１０に示すように、前
記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたとき、該
先端副磁極長ＳＬが８．０μｍ以下である。
【００３５】更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図１０に示すよう
に、前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたと
き、該先端副磁極長ＳＬが３．６μｍ以下である。更に
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述の薄膜磁気ヘッド
であって、例えば、図８〜図１１に示すように、前記先
端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端凸部高さＳ
Ｈとしたとき、該先端凸部高さＳＨが０．３μｍ以上で
あり、前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア
幅ＳＷ1 の差を、先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとした
とき、該先端磁極コア幅の広がりΔＳＷが３．２μｍ以
下であり、前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬと
したとき、該先端副磁極長ＳＬが３．６μｍ以下であ
る。
の薄膜磁気ヘッドであって、例えば、図１０に示すよう
に、前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたと
き、該先端副磁極長ＳＬが３．６μｍ以下である。更に
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述の薄膜磁気ヘッド
であって、例えば、図８〜図１１に示すように、前記先
端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端凸部高さＳ
Ｈとしたとき、該先端凸部高さＳＨが０．３μｍ以上で
あり、前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア
幅ＳＷ1 の差を、先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとした
とき、該先端磁極コア幅の広がりΔＳＷが３．２μｍ以
下であり、前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬと
したとき、該先端副磁極長ＳＬが３．６μｍ以下であ
る。
【００３６】更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上述
の薄膜磁気ヘッドであって、更に、前記下部磁極の前記
上部磁極側で浮上面近傍に形成された下部側の先端副磁
極を備え、該下部側の先端副磁極は、上部側の前記先端
副磁極と同形である。更に本発明に係る誘導型記録再生
薄膜磁気ヘッドは、上述の薄膜磁気ヘッドを備えてい
る。
の薄膜磁気ヘッドであって、更に、前記下部磁極の前記
上部磁極側で浮上面近傍に形成された下部側の先端副磁
極を備え、該下部側の先端副磁極は、上部側の前記先端
副磁極と同形である。更に本発明に係る誘導型記録再生
薄膜磁気ヘッドは、上述の薄膜磁気ヘッドを備えてい
る。
【００３７】更に本発明に係る複合型ヘッドは、上述の
薄膜磁気ヘッドから成る記録ヘッドと、磁気抵抗効果型
素子を磁気トランジューサとして使用した再生ヘッドと
を備え、前記記録ヘッドと前記再生ヘッドとを一体化し
ている。更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、例えば図１２〜図１３に示すように、少なくとも、
下部磁極，該下部磁極に平行して配置された上部磁極，
該上部磁極の前記下部磁極側で浮上面近傍に形成された
上部先端副磁極，該下部磁極の前記下部磁極側で浮上面
近傍に形成された下部先端副磁極及び該上部磁極と下部
磁極間で両磁極から離間して配置されたコイルを有する
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、少なくとも、(a)
前記下部磁極を形成し、(b) 前記下部磁極の上に、レジ
ストをパターニングして、コア幅が浮上面から離れるに
つれ拡大する前記上部先端副磁極を形成し、(c) 前記下
部磁極を部分的にトリミングして、前記上部先端下部磁
極を形成し、(d) 前記上部ＳＮ端副磁極及び前記下部磁
極のトリミングされた部分の上に、アルミナを形成し、
(e) 前記アルミナ及び前記上部先端副磁極に対し、膜厚
方向に表面研磨し、(f) その周囲を非磁性絶縁層で囲ん
だ前記コイルを形成し、(g) 表面研磨された前記上部先
端副磁極の上に、レジストをパターニングして、前記上
部磁極を形成し、(h) レジスト除去後、ウェハから各磁
気ヘッドを切り出し、最終仕上がり線まで機械的に研磨
される、諸工程から成る。
薄膜磁気ヘッドから成る記録ヘッドと、磁気抵抗効果型
素子を磁気トランジューサとして使用した再生ヘッドと
を備え、前記記録ヘッドと前記再生ヘッドとを一体化し
ている。更に本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、例えば図１２〜図１３に示すように、少なくとも、
下部磁極，該下部磁極に平行して配置された上部磁極，
該上部磁極の前記下部磁極側で浮上面近傍に形成された
上部先端副磁極，該下部磁極の前記下部磁極側で浮上面
近傍に形成された下部先端副磁極及び該上部磁極と下部
磁極間で両磁極から離間して配置されたコイルを有する
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、少なくとも、(a)
前記下部磁極を形成し、(b) 前記下部磁極の上に、レジ
ストをパターニングして、コア幅が浮上面から離れるに
つれ拡大する前記上部先端副磁極を形成し、(c) 前記下
部磁極を部分的にトリミングして、前記上部先端下部磁
極を形成し、(d) 前記上部ＳＮ端副磁極及び前記下部磁
極のトリミングされた部分の上に、アルミナを形成し、
(e) 前記アルミナ及び前記上部先端副磁極に対し、膜厚
方向に表面研磨し、(f) その周囲を非磁性絶縁層で囲ん
だ前記コイルを形成し、(g) 表面研磨された前記上部先
端副磁極の上に、レジストをパターニングして、前記上
部磁極を形成し、(h) レジスト除去後、ウェハから各磁
気ヘッドを切り出し、最終仕上がり線まで機械的に研磨
される、諸工程から成る。
【００３８】更に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、上述の製造方法であって、前記最終仕上がり線まで
機械的に研磨される工程(h) によって、該先端凸部高さ
ＳＨが画定されることを特徴とする。更に本発明の薄膜
磁気ヘッドの製造方法は、上述の製造方法であって、前
記上部先端副磁極の形成工程(b) によって、前記本体部
分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅ＳＷ1 の差を先
端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたとき、該先端磁極コ
ア幅の広がりΔＳＷが画定されることを特徴とする。
は、上述の製造方法であって、前記最終仕上がり線まで
機械的に研磨される工程(h) によって、該先端凸部高さ
ＳＨが画定されることを特徴とする。更に本発明の薄膜
磁気ヘッドの製造方法は、上述の製造方法であって、前
記上部先端副磁極の形成工程(b) によって、前記本体部
分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅ＳＷ1 の差を先
端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたとき、該先端磁極コ
ア幅の広がりΔＳＷが画定されることを特徴とする。
【００３９】更に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、上述の製造方法であって、前記膜厚方向に表面研磨
する工程(e) によって、前記先端副磁極の膜厚を先端副
磁極長ＳＬとしたとき、該先端副磁極長ＳＬを画定する
ことを特徴とする。更に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、上述の製造方法であって、例えば図１３に示す
ように、前記最終仕上がり線まで機械的に研磨される工
程(h) の後に、更に、前記上部磁極の浮上面となる付近
を除く領域に保護膜又は保護用レジストをパターニング
し、イオンミリングによりウェハ面からトリミング処理
を施す、諸工程から成る。
は、上述の製造方法であって、前記膜厚方向に表面研磨
する工程(e) によって、前記先端副磁極の膜厚を先端副
磁極長ＳＬとしたとき、該先端副磁極長ＳＬを画定する
ことを特徴とする。更に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、上述の製造方法であって、例えば図１３に示す
ように、前記最終仕上がり線まで機械的に研磨される工
程(h) の後に、更に、前記上部磁極の浮上面となる付近
を除く領域に保護膜又は保護用レジストをパターニング
し、イオンミリングによりウェハ面からトリミング処理
を施す、諸工程から成る。
【００４０】更に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、上述の製造方法であって、例えば図１４に示すよう
に、前記上部磁極を形成する工程(g) の後に、更に、ウ
ェハ表面からＦＩＢによりトリミング処理を施す、諸工
程から成る。更に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、上述の製造方法であって、例えば図１５に示すよう
に、前記上部磁極を形成する工程(g) の後に、更に、各
磁気ヘッドをウェハから分離した後、該磁気ヘッドに対
しスライダー加工し、浮上面の前記上部磁極付近を除く
領域に保護膜又は保護用レジストをパターニングして、
イオンミリングにより浮上面からトリミング処理を施
す、諸工程から成る。
は、上述の製造方法であって、例えば図１４に示すよう
に、前記上部磁極を形成する工程(g) の後に、更に、ウ
ェハ表面からＦＩＢによりトリミング処理を施す、諸工
程から成る。更に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、上述の製造方法であって、例えば図１５に示すよう
に、前記上部磁極を形成する工程(g) の後に、更に、各
磁気ヘッドをウェハから分離した後、該磁気ヘッドに対
しスライダー加工し、浮上面の前記上部磁極付近を除く
領域に保護膜又は保護用レジストをパターニングして、
イオンミリングにより浮上面からトリミング処理を施
す、諸工程から成る。
【００４１】更に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、上述の製造方法であって、例えば、図１６に示すよ
うに、前記最終仕上がり線まで機械的に研磨される工程
(h) の後に、更に、各磁気ヘッドをウェハから分離した
後、該磁気ヘッドに対しスライダー加工し、前記上部磁
極に対して、スライダー浮上面からＦＩＢによりトリミ
ング処理を施す、諸工程から成る。
は、上述の製造方法であって、例えば、図１６に示すよ
うに、前記最終仕上がり線まで機械的に研磨される工程
(h) の後に、更に、各磁気ヘッドをウェハから分離した
後、該磁気ヘッドに対しスライダー加工し、前記上部磁
極に対して、スライダー浮上面からＦＩＢによりトリミ
ング処理を施す、諸工程から成る。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドついての実施形態に関し、添付の図面を参照しながら
詳細に説明する。ここで、図面中、同一の要素に対して
は同じ符号を付して重複した説明を省略する。 ［先端副磁極の整形］本発明者等は、先端副磁極を有す
る薄膜磁気ヘッドの先端副磁極の形成位置，形状等を最
適化することにより、高周波特性の改善，記録にじみ特
性を改善し得るか否かを検討した。
ドついての実施形態に関し、添付の図面を参照しながら
詳細に説明する。ここで、図面中、同一の要素に対して
は同じ符号を付して重複した説明を省略する。 ［先端副磁極の整形］本発明者等は、先端副磁極を有す
る薄膜磁気ヘッドの先端副磁極の形成位置，形状等を最
適化することにより、高周波特性の改善，記録にじみ特
性を改善し得るか否かを検討した。
【００４３】ここで、改善の効果の有無の判断基準は、
図６に関連して説明した従来の先端副磁極付き薄膜磁気
ヘッドの評価結果とし、図６に示す結果と比較して、次
の通りとする。 (1) 比Ｒ（μ300/μ1000）が増大しているとき、オーバ
ライト特性に関して、改善の効果有りと判定する。
図６に関連して説明した従来の先端副磁極付き薄膜磁気
ヘッドの評価結果とし、図６に示す結果と比較して、次
の通りとする。 (1) 比Ｒ（μ300/μ1000）が増大しているとき、オーバ
ライト特性に関して、改善の効果有りと判定する。
【００４４】(2) 比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）が増大している
とき、記録にじみ特性に関して、改善の効果有りと判定
する。 (3) 比Ｒ（μ300/μ1000）及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）の
両方が増大しているとき、オーバライト特性及び記録に
じみ特性の両方に関して、改善の効果有りと判定する。
とき、記録にじみ特性に関して、改善の効果有りと判定
する。 (3) 比Ｒ（μ300/μ1000）及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）の
両方が増大しているとき、オーバライト特性及び記録に
じみ特性の両方に関して、改善の効果有りと判定する。
【００４５】また、最終的な目標を、図５に関連して説
明したＦＩＢトリミング薄膜磁気ヘッドの評価結果と
し、これと比較して比Ｒ（μ300/μ1000）及び比Ｒ（0.
2AT/0.4AT ）の両方が減少しているとき、最終目標が達
成されたこととする。次ぎに、本発明者等は、先端副磁
極を有する薄膜磁気ヘッドの先端副磁極の形成位置，形
状等に関し、(1) 記録媒体から上部磁極のみを少し下
げ、先端副磁極を下部磁極と面合わせし、先端副磁極を
少し突出する形状とする、(2) 先端副磁極は、浮上面
（ＡＢＳ）のコア幅は所望の小さい寸法にするが、本体
部分は相対的に大きい寸法とする、(3) 先端副磁極の厚
さの最適値を求める、点を検討することに決定した。
明したＦＩＢトリミング薄膜磁気ヘッドの評価結果と
し、これと比較して比Ｒ（μ300/μ1000）及び比Ｒ（0.
2AT/0.4AT ）の両方が減少しているとき、最終目標が達
成されたこととする。次ぎに、本発明者等は、先端副磁
極を有する薄膜磁気ヘッドの先端副磁極の形成位置，形
状等に関し、(1) 記録媒体から上部磁極のみを少し下
げ、先端副磁極を下部磁極と面合わせし、先端副磁極を
少し突出する形状とする、(2) 先端副磁極は、浮上面
（ＡＢＳ）のコア幅は所望の小さい寸法にするが、本体
部分は相対的に大きい寸法とする、(3) 先端副磁極の厚
さの最適値を求める、点を検討することに決定した。
【００４６】なお、上述したように、下部磁極は再生上
部磁気シールドと兼用されているため、その形状には一
定に制約があり、そのため、従来、ＦＩＢトリミングに
於いても上部磁極の整形を中心に検討されてきた。従っ
て、今回も、上部磁極に形成される先端副磁極の形状等
を中心に検討することとした。その後、必要に応じて、
上部磁極の先端副磁極の最適形状を、下部磁極にも同様
に適用することとした。
部磁気シールドと兼用されているため、その形状には一
定に制約があり、そのため、従来、ＦＩＢトリミングに
於いても上部磁極の整形を中心に検討されてきた。従っ
て、今回も、上部磁極に形成される先端副磁極の形状等
を中心に検討することとした。その後、必要に応じて、
上部磁極の先端副磁極の最適形状を、下部磁極にも同様
に適用することとした。
【００４７】図７（Ａ）は本実施形態に係る独得の形状
の先端副磁極を有する記録ヘッドＷＲを基板上面（ウェ
ハ面）からみた磁極先端付近の平面構造を示したもので
ある。また、図７（Ｂ）は磁極先端付近の断面構造を示
したものである。図７（Ｃ）は浮上面からみた磁極先端
部を示したものである。ここで、記録媒体２０と対向す
る磁極先端面が浮上面（ＡＢＳ）である。上部磁極１６
は先端付近から数μｍ離れたところを境に浮上面側のコ
ア幅ＳＷ1 はほぼ一定で反対側は拡大されたコア幅ＳＷ
2 をもつ平面形状となっている。
の先端副磁極を有する記録ヘッドＷＲを基板上面（ウェ
ハ面）からみた磁極先端付近の平面構造を示したもので
ある。また、図７（Ｂ）は磁極先端付近の断面構造を示
したものである。図７（Ｃ）は浮上面からみた磁極先端
部を示したものである。ここで、記録媒体２０と対向す
る磁極先端面が浮上面（ＡＢＳ）である。上部磁極１６
は先端付近から数μｍ離れたところを境に浮上面側のコ
ア幅ＳＷ1 はほぼ一定で反対側は拡大されたコア幅ＳＷ
2 をもつ平面形状となっている。
【００４８】ここで、上部磁極１６に形成された先端副
磁極２２の形成位置、形状等を定量的に特定するため、
具体的な形状パラメータとして次の項目を選定した。図
７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、制約のある下部磁極
８に対して、制約のない上部磁極１６は少し下げ、上部
磁極上の先端副磁極の効果を最大限に発揮できるように
する。上部磁極１６の先端副磁極２２は下部磁極８に対
し面合わせとする。この先端副磁極２２は浮上面（ＡＢ
Ｓ）から離れるにつれ幅方向が大きくなるように形成す
る。そこで、先端副磁極の浮上面の幅ＳＷ1 を維持する
範囲、即ち、先端副磁極２２の浮上面から幅方向に拡大
するまでの寸法を、「先端凸部高さＳＨ」とする。
磁極２２の形成位置、形状等を定量的に特定するため、
具体的な形状パラメータとして次の項目を選定した。図
７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、制約のある下部磁極
８に対して、制約のない上部磁極１６は少し下げ、上部
磁極上の先端副磁極の効果を最大限に発揮できるように
する。上部磁極１６の先端副磁極２２は下部磁極８に対
し面合わせとする。この先端副磁極２２は浮上面（ＡＢ
Ｓ）から離れるにつれ幅方向が大きくなるように形成す
る。そこで、先端副磁極の浮上面の幅ＳＷ1 を維持する
範囲、即ち、先端副磁極２２の浮上面から幅方向に拡大
するまでの寸法を、「先端凸部高さＳＨ」とする。
【００４９】また、図７（Ａ）及び（Ｃ）に示すよう
に、この先端副磁極２２の浮上面の幅ＳＷ1 と、本体部
分の拡大された幅ＳＷ2 の差を、「先端副磁極コア幅の
広がりΔＳＷ」とする。 また、図７（Ｂ）及び（Ｃ）
に示すように、先端副磁極２２の厚みを「先端副磁極の
長さＳＬ」とする。以上、先端副磁極２２の形成位置及
び形状を特定するため、以上のＳＬ，ＳＨ，ΔＳＷを形
状パラメータとして選定した。 ［副磁極形状パラメータの評価］ （ＳＨの評価）最初に、副磁極形状パラメータ「先端凸
部高さＳＨ」の評価を行った。即ち、先端副磁極の長さ
ＳＬ及び先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷを固定した条
件下で、先端凸部高さＳＨを変えて、その影響を調べ
た。
に、この先端副磁極２２の浮上面の幅ＳＷ1 と、本体部
分の拡大された幅ＳＷ2 の差を、「先端副磁極コア幅の
広がりΔＳＷ」とする。 また、図７（Ｂ）及び（Ｃ）
に示すように、先端副磁極２２の厚みを「先端副磁極の
長さＳＬ」とする。以上、先端副磁極２２の形成位置及
び形状を特定するため、以上のＳＬ，ＳＨ，ΔＳＷを形
状パラメータとして選定した。 ［副磁極形状パラメータの評価］ （ＳＨの評価）最初に、副磁極形状パラメータ「先端凸
部高さＳＨ」の評価を行った。即ち、先端副磁極の長さ
ＳＬ及び先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷを固定した条
件下で、先端凸部高さＳＨを変えて、その影響を調べ
た。
【００５０】固定された先端副磁極の長さはＳＬ＝１．
５μｍであり、先端副磁極コア幅の広がりはΔＳＷ＝
２．０μｍである。図８は、先端凸部高さＳＨをゼロか
ら２μｍまで変化させたとき（横軸）の、記録媒体に加
わる磁界Ｈｘの変化率（縦軸）を示したグラフである。
縦軸の表示は磁界Ｈｘの変化率（Ratio of Hx ）であ
り、磁界Ｈｘがそれ程大きく減少しないためには１００
％に近い方がよい。
５μｍであり、先端副磁極コア幅の広がりはΔＳＷ＝
２．０μｍである。図８は、先端凸部高さＳＨをゼロか
ら２μｍまで変化させたとき（横軸）の、記録媒体に加
わる磁界Ｈｘの変化率（縦軸）を示したグラフである。
縦軸の表示は磁界Ｈｘの変化率（Ratio of Hx ）であ
り、磁界Ｈｘがそれ程大きく減少しないためには１００
％に近い方がよい。
【００５１】図中、破線（●データ）は透磁率μ＝３０
０の記録磁界とμ＝１０００の記録磁界の比Ｒ（μ300
／μ1000）を示し、実線（▲データ）はｍｍｆ＝０．２
ＡＴと０．４ＡＴにおける記録磁界の比Ｒ（0.2AT/0.4A
T ）を示す。図８の評価結果の特性により、形状パラメ
ータＳＨを変化させることによりＲ（μ300 ／μ1000）
及びＲ（0.2AT/0.4AT ）を制御して、オーバライト特性
及び記録にじみ特性を改善し得ることを確認した。
０の記録磁界とμ＝１０００の記録磁界の比Ｒ（μ300
／μ1000）を示し、実線（▲データ）はｍｍｆ＝０．２
ＡＴと０．４ＡＴにおける記録磁界の比Ｒ（0.2AT/0.4A
T ）を示す。図８の評価結果の特性により、形状パラメ
ータＳＨを変化させることによりＲ（μ300 ／μ1000）
及びＲ（0.2AT/0.4AT ）を制御して、オーバライト特性
及び記録にじみ特性を改善し得ることを確認した。
【００５２】効果有無の判断基準は、図８に関連して説
明したように、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドと
し、前者はＲ（μ300 ／μ1000）＝０．８８とし（破線
で表示。）、後者はＲ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８０５と
する（実線で表示）。従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘ
ッドを基準に判断すると、比Ｒ（μ300 ／μ1000）のデ
ータ（●破線データ）は、ＳＨ≧０．３μｍの範囲で、
基準値Ｒ（μ300 ／μ1000）＝０．８８を上回ることが
判明した。一方、比Ｒ（0.2AT/0.4AT）のデータ（▲破
線データ）は、ＳＨ≧０．１μｍの範囲で、基準値Ｒ
（0.2AT/0.4AT ）＝０．８０５を上回ることが判明し
た。
明したように、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドと
し、前者はＲ（μ300 ／μ1000）＝０．８８とし（破線
で表示。）、後者はＲ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８０５と
する（実線で表示）。従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘ
ッドを基準に判断すると、比Ｒ（μ300 ／μ1000）のデ
ータ（●破線データ）は、ＳＨ≧０．３μｍの範囲で、
基準値Ｒ（μ300 ／μ1000）＝０．８８を上回ることが
判明した。一方、比Ｒ（0.2AT/0.4AT）のデータ（▲破
線データ）は、ＳＨ≧０．１μｍの範囲で、基準値Ｒ
（0.2AT/0.4AT ）＝０．８０５を上回ることが判明し
た。
【００５３】従って、比Ｒ（μ300 ／μ1000）のデータ
が、基準値を上回るのはＳＨ≧０．１μｍの範囲であ
る。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
に比較して、先端凸部高さＳＨを０．１μｍ〜２．０μ
ｍの範囲とすることにより、オーバライト特性等に関し
改善されることが判明した。また、比Ｒ（μ300 ／μ10
00）のデータ及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータの両方
が、基準値を上回るのはＳＨ≧０．３μｍの範囲であ
る。従って、先端凸部高さＳＨを０．３μｍ〜２．０μ
ｍの範囲とすることにより、オーバライト特性及び記録
にじみ特性等の両方に関し改善されることが判明した。
が、基準値を上回るのはＳＨ≧０．１μｍの範囲であ
る。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
に比較して、先端凸部高さＳＨを０．１μｍ〜２．０μ
ｍの範囲とすることにより、オーバライト特性等に関し
改善されることが判明した。また、比Ｒ（μ300 ／μ10
00）のデータ及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータの両方
が、基準値を上回るのはＳＨ≧０．３μｍの範囲であ
る。従って、先端凸部高さＳＨを０．３μｍ〜２．０μ
ｍの範囲とすることにより、オーバライト特性及び記録
にじみ特性等の両方に関し改善されることが判明した。
【００５４】（ΔＳＷの評価）次ぎに、副磁極形状パラ
メータ「先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷ」の評価を行
った。即ち、先端副磁極の長さＳＬ及び先端凸部高さＳ
Ｈを固定した条件下で、先端副磁極コア幅の広がりΔＳ
Ｗを変えて、その影響を調べた。固定された先端副磁極
の長さはＳＬ＝１．５μｍであり、先端凸部高さＳＨ＝
１．０μｍである。
メータ「先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷ」の評価を行
った。即ち、先端副磁極の長さＳＬ及び先端凸部高さＳ
Ｈを固定した条件下で、先端副磁極コア幅の広がりΔＳ
Ｗを変えて、その影響を調べた。固定された先端副磁極
の長さはＳＬ＝１．５μｍであり、先端凸部高さＳＨ＝
１．０μｍである。
【００５５】図９は、先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷ
をゼロから８μｍまで変化させたとき（横軸）の、記録
媒体に加わる磁界Ｈｘの変化率（縦軸）を示したグラフ
である。図中、破線（●データ）は比Ｒ（μ300 ／μ10
00）を示し、実線（▲データ）は比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）
を夫々示す。
をゼロから８μｍまで変化させたとき（横軸）の、記録
媒体に加わる磁界Ｈｘの変化率（縦軸）を示したグラフ
である。図中、破線（●データ）は比Ｒ（μ300 ／μ10
00）を示し、実線（▲データ）は比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）
を夫々示す。
【００５６】図９の評価結果の特性により、形状パラメ
ータΔＳＷを変化させることによりＲ（μ300 ／μ100
0）及びＲ（0.2AT/0.4AT ）を制御して、オーバライト
特性及び記録にじみ特性を改善し得ることを確認した。
効果有無の判断基準は、同様に従来の先端副磁極付き薄
膜磁気ヘッドとし、Ｒ（μ300 ／μ1000）＝０．８８と
Ｒ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８０５とする。
ータΔＳＷを変化させることによりＲ（μ300 ／μ100
0）及びＲ（0.2AT/0.4AT ）を制御して、オーバライト
特性及び記録にじみ特性を改善し得ることを確認した。
効果有無の判断基準は、同様に従来の先端副磁極付き薄
膜磁気ヘッドとし、Ｒ（μ300 ／μ1000）＝０．８８と
Ｒ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８０５とする。
【００５７】従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドを基
準に判断すると、比Ｒ（μ300 ／μ1000）のデータ（●
破線データ）は、ΔＳＷ≦３．２μｍの範囲で、基準値
Ｒ（μ300 ／μ1000）＝０．８８を上回ることが判明し
た。一方、比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータ（▲破線デー
タ）は、ΔＳＷ≦６．２μｍの範囲で、基準値Ｒ（0.2A
T/0.4AT ）＝０．８０５を上回ることが判明した。
準に判断すると、比Ｒ（μ300 ／μ1000）のデータ（●
破線データ）は、ΔＳＷ≦３．２μｍの範囲で、基準値
Ｒ（μ300 ／μ1000）＝０．８８を上回ることが判明し
た。一方、比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータ（▲破線デー
タ）は、ΔＳＷ≦６．２μｍの範囲で、基準値Ｒ（0.2A
T/0.4AT ）＝０．８０５を上回ることが判明した。
【００５８】従って、比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータ
が、基準値を上回るのはΔＳＷ≦６．２μｍの範囲であ
る。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
に比較して、先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷを６．２
μｍ以下の範囲とすることにより、記録にじみ特性等に
関し改善されることが判明した。また、比Ｒ（μ300 ／
μ1000）のデータ及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータの
両方が、基準値を上回るのはΔＳＷ≦３．２μｍの範囲
である。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘ
ッドに比較して、先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷを
３．３μｍ以下の範囲とすることにより、オーバライト
特性及び記録にじみ特性等に関し改善されることが判明
した。
が、基準値を上回るのはΔＳＷ≦６．２μｍの範囲であ
る。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
に比較して、先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷを６．２
μｍ以下の範囲とすることにより、記録にじみ特性等に
関し改善されることが判明した。また、比Ｒ（μ300 ／
μ1000）のデータ及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータの
両方が、基準値を上回るのはΔＳＷ≦３．２μｍの範囲
である。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘ
ッドに比較して、先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷを
３．３μｍ以下の範囲とすることにより、オーバライト
特性及び記録にじみ特性等に関し改善されることが判明
した。
【００５９】（ＳＬの評価）更に、副磁極形状パラメー
タ「先端副磁極の長さＳＬ」の評価を行った。即ち、先
端凸部高さＳＨ及び先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷを
固定した条件下で、先端副磁極の長さＳＬを変えて、そ
の影響を調べた。固定された先端凸部高さはＳＨ＝１．
０μｍであり、先端副磁極コア幅の広がりはΔＳＷ＝
２．０μｍである。
タ「先端副磁極の長さＳＬ」の評価を行った。即ち、先
端凸部高さＳＨ及び先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷを
固定した条件下で、先端副磁極の長さＳＬを変えて、そ
の影響を調べた。固定された先端凸部高さはＳＨ＝１．
０μｍであり、先端副磁極コア幅の広がりはΔＳＷ＝
２．０μｍである。
【００６０】図１０は、先端副磁極の長さＳＬをゼロか
ら８．０μｍまで変化させたとき（横軸）の、記録媒体
に加わる磁界Ｈｘの変化率（縦軸）を示したグラフであ
る。図中、破線（●データ）は比Ｒ（μ300 ／μ1000）
を示し、実線（▲データ）は比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）を示
す。図１０の評価結果の特性により、形状パラメータＳ
Ｌを変化させることによりＲ（μ300 ／μ1000）及びＲ
（0.2AT/0.4AT ）を制御して、オーバライト特性及び記
録にじみ特性を改善し得ることを確認した。
ら８．０μｍまで変化させたとき（横軸）の、記録媒体
に加わる磁界Ｈｘの変化率（縦軸）を示したグラフであ
る。図中、破線（●データ）は比Ｒ（μ300 ／μ1000）
を示し、実線（▲データ）は比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）を示
す。図１０の評価結果の特性により、形状パラメータＳ
Ｌを変化させることによりＲ（μ300 ／μ1000）及びＲ
（0.2AT/0.4AT ）を制御して、オーバライト特性及び記
録にじみ特性を改善し得ることを確認した。
【００６１】効果有無の判断基準は、Ｒ（μ300 ／μ10
00）＝０．８８とＲ（0.2AT/0.4AT）＝０．８０５とす
る。従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドを基準に判断
すると、比Ｒ（μ300 ／μ1000）のデータ（●破線デー
タ）は、ＳＬ≦３．６μｍの範囲で、基準値Ｒ（μ300
／μ1000）＝０．８８を上回ることが判明した。一方、
比Ｒ（0.2AT/0.4AT）のデータ（▲破線データ）は、Ｓ
Ｈ≦８．０μｍの範囲で、基準値Ｒ（0.2AT/0.4AT ）＝
０．８０５を上回ることが判明した。
00）＝０．８８とＲ（0.2AT/0.4AT）＝０．８０５とす
る。従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドを基準に判断
すると、比Ｒ（μ300 ／μ1000）のデータ（●破線デー
タ）は、ＳＬ≦３．６μｍの範囲で、基準値Ｒ（μ300
／μ1000）＝０．８８を上回ることが判明した。一方、
比Ｒ（0.2AT/0.4AT）のデータ（▲破線データ）は、Ｓ
Ｈ≦８．０μｍの範囲で、基準値Ｒ（0.2AT/0.4AT ）＝
０．８０５を上回ることが判明した。
【００６２】従って、比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータ
が、基準値を上回るのは０＜ＳＬ≦８．０μｍの範囲で
ある。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッ
ドに比較して、先端副磁極の長さＳＬを８．０μｍ以下
の範囲とすることにより、記録にじみ特性等に関し改善
されることが判明した。また、比Ｒ（μ300 ／μ1000）
のデータ及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータの両方が、
基準値を上回るのは０＜ＳＬ≦３．６μｍの範囲であ
る。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
に比較して、先端副磁極の長さＳＬを３．６μｍ以下の
範囲とすることにより、オーバライト特性及び記録にじ
み特性等に関し改善されることが判明した。
が、基準値を上回るのは０＜ＳＬ≦８．０μｍの範囲で
ある。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッ
ドに比較して、先端副磁極の長さＳＬを８．０μｍ以下
の範囲とすることにより、記録にじみ特性等に関し改善
されることが判明した。また、比Ｒ（μ300 ／μ1000）
のデータ及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータの両方が、
基準値を上回るのは０＜ＳＬ≦３．６μｍの範囲であ
る。換言すれば、従来の先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
に比較して、先端副磁極の長さＳＬを３．６μｍ以下の
範囲とすることにより、オーバライト特性及び記録にじ
み特性等に関し改善されることが判明した。
【００６３】図８〜図１０に関連して、先端副磁極の各
形状パラメータの範囲が、次のように決定された。 (1) 先端凸部高さＳＨ： ０．１μｍ≦ＳＨ≦２．０μ
ｍ。好ましくは、０．３μｍ≦ＳＨ≦２．０μｍ。 (2) 先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷ： ０μｍ＜ΔＳ
Ｗ≦６．２μｍ。好ましくは、０μｍ＜ΔＳＷ≦３．２
μｍ。
形状パラメータの範囲が、次のように決定された。 (1) 先端凸部高さＳＨ： ０．１μｍ≦ＳＨ≦２．０μ
ｍ。好ましくは、０．３μｍ≦ＳＨ≦２．０μｍ。 (2) 先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷ： ０μｍ＜ΔＳ
Ｗ≦６．２μｍ。好ましくは、０μｍ＜ΔＳＷ≦３．２
μｍ。
【００６４】(3) 先端副磁極の長さＳＬ： ０＜ＳＬ≦
８．０μｍ。好ましくは、０＜ＳＬ≦３．６μｍ。 以上により、先端副磁極の形成位置及び形状を特定する
ためのパラメータＳＬ，ＳＨ及びΔＳＷに関し、個別的
に、図６に示す従来の先端副磁極付き磁気ヘッドの特性
を上回る範囲が決定された。パラメータＳＬ，ＳＨ及び
ΔＳＷの各々は、上述した範囲で、従来の副磁極を有す
る薄膜磁気ヘッドと比較して、オーバライト特性，記録
にじみ特性等に関して改善されることが判明した。 ［最良の先端副磁極形状］次の段階で、形状パラメータ
ＳＨ，ΔＳＷ及びＳＬに関し、比Ｒ（μ300 ／μ1000）
のデータ及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータの両方が基
準値を上回るとされた各範囲（上記の「好ましくは」と
する範囲）を全て満足する先端副磁極付き薄膜磁気ヘッ
ドについて、評価した。
８．０μｍ。好ましくは、０＜ＳＬ≦３．６μｍ。 以上により、先端副磁極の形成位置及び形状を特定する
ためのパラメータＳＬ，ＳＨ及びΔＳＷに関し、個別的
に、図６に示す従来の先端副磁極付き磁気ヘッドの特性
を上回る範囲が決定された。パラメータＳＬ，ＳＨ及び
ΔＳＷの各々は、上述した範囲で、従来の副磁極を有す
る薄膜磁気ヘッドと比較して、オーバライト特性，記録
にじみ特性等に関して改善されることが判明した。 ［最良の先端副磁極形状］次の段階で、形状パラメータ
ＳＨ，ΔＳＷ及びＳＬに関し、比Ｒ（μ300 ／μ1000）
のデータ及び比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）のデータの両方が基
準値を上回るとされた各範囲（上記の「好ましくは」と
する範囲）を全て満足する先端副磁極付き薄膜磁気ヘッ
ドについて、評価した。
【００６５】評価した薄膜磁気ヘッドの各形状パラメー
タは、先端凸部高さＳＨ＝１．０μｍ、先端副磁極コア
幅の広がりΔＳＷ＝２．０μｍ、先端副磁極の長さＳＬ
＝１．５μｍである。 図１１は形状パラメータＳＨ，
ΔＳＷ及びＳＬに関し決定された各範囲を全て満足する
先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドの評価結果である。図１
２は、図７及び図８に対応し、横軸は起磁力ｍｍｆであ
り、縦軸は記録磁界Ｈｘである。図中、破線（●デー
タ）は比Ｒ（μ300 ／μ1000）を示し、実線（▲デー
タ）は比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）を示す。
タは、先端凸部高さＳＨ＝１．０μｍ、先端副磁極コア
幅の広がりΔＳＷ＝２．０μｍ、先端副磁極の長さＳＬ
＝１．５μｍである。 図１１は形状パラメータＳＨ，
ΔＳＷ及びＳＬに関し決定された各範囲を全て満足する
先端副磁極付き薄膜磁気ヘッドの評価結果である。図１
２は、図７及び図８に対応し、横軸は起磁力ｍｍｆであ
り、縦軸は記録磁界Ｈｘである。図中、破線（●デー
タ）は比Ｒ（μ300 ／μ1000）を示し、実線（▲デー
タ）は比Ｒ（0.2AT/0.4AT ）を示す。
【００６６】効果有無の判断基準としては、この薄膜磁
気ヘッドは既に図８に関連して説明した基準値、即ち、
従来の先端副磁極付き薄膜ヘッドのＲ（μ300 ／μ100
0）＝０．８８及びＲ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８０５を
満足している範囲内で形成されている。従って、図７に
関連して目標であると説明した（先端副磁極無しの）Ｆ
ＩＢトリミングで上部磁極のポールを整形した薄膜磁気
ヘッド（比較例）との間で、比較することにした。比較
例ではＲ（μ300 ／μ1000）＝０．９４であり、Ｒ（0.
2AT/0.4AT ）＝０．８８である。
気ヘッドは既に図８に関連して説明した基準値、即ち、
従来の先端副磁極付き薄膜ヘッドのＲ（μ300 ／μ100
0）＝０．８８及びＲ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８０５を
満足している範囲内で形成されている。従って、図７に
関連して目標であると説明した（先端副磁極無しの）Ｆ
ＩＢトリミングで上部磁極のポールを整形した薄膜磁気
ヘッド（比較例）との間で、比較することにした。比較
例ではＲ（μ300 ／μ1000）＝０．９４であり、Ｒ（0.
2AT/0.4AT ）＝０．８８である。
【００６７】これに対し、図１１に示す形状パラメータ
ＳＨ，ΔＳＷ及びＳＬの各範囲を全て満足する先端副磁
極付き薄膜磁気ヘッドでは、Ｒ（μ300 ／μ1000）＝
０．９２であり、Ｒ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８６であ
る。結局、図１１に示す先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
は、比較例に比べて、比Ｒ（μ300/μ1000）及び比Ｒ
（0.2AT/0.4AT ）の何れに関しても、磁界変動が小さ
く、即ち、オーバライト特性、記録にじみ特性等に関し
て良い傾向にあることが判明した。 ［製造方法］ （先端副磁極を有する薄膜ヘッド）図１２（Ａ）乃至１
３（Ｄ）は、一連で、本実施形態係る先端副磁極付き薄
膜磁気ヘッドの製造工程のフローを示すものである。こ
れらの図は、図７（Ｂ）に相当し、先端副磁極作成過程
の基板（ウェハ）の側面図である。尚、図１で説明した
す再生ヘッド（ＲＥ）の部分は形成済みの段階から説明
する。
ＳＨ，ΔＳＷ及びＳＬの各範囲を全て満足する先端副磁
極付き薄膜磁気ヘッドでは、Ｒ（μ300 ／μ1000）＝
０．９２であり、Ｒ（0.2AT/0.4AT ）＝０．８６であ
る。結局、図１１に示す先端副磁極付き薄膜磁気ヘッド
は、比較例に比べて、比Ｒ（μ300/μ1000）及び比Ｒ
（0.2AT/0.4AT ）の何れに関しても、磁界変動が小さ
く、即ち、オーバライト特性、記録にじみ特性等に関し
て良い傾向にあることが判明した。 ［製造方法］ （先端副磁極を有する薄膜ヘッド）図１２（Ａ）乃至１
３（Ｄ）は、一連で、本実施形態係る先端副磁極付き薄
膜磁気ヘッドの製造工程のフローを示すものである。こ
れらの図は、図７（Ｂ）に相当し、先端副磁極作成過程
の基板（ウェハ）の側面図である。尚、図１で説明した
す再生ヘッド（ＲＥ）の部分は形成済みの段階から説明
する。
【００６８】図１２（Ａ）に示すように、第二の非磁性
絶縁層７（図１参照）の上に、再生ヘッドＲＥの上側磁
気シールドと兼用される下部磁極８が成膜される。下部
磁極８は、典型的にはNiFe系合金又はCo系合金からな
り、例えば、Ni50Fe50，Ni80Fe20，CoNiFe，FeZrN 等で
あってもよい。予め、スパッタ法或いは蒸着法によりメ
ッキベース層（図示せず。）を形成し、次ぎに電解メッ
キ法により数μｍ程度の膜厚に形成する。下部磁極８を
スパッタリング法で成膜する場合には、Fe系合金，Co系
合金（CoZr等）が用いられ、この場合には、メッキベー
ス層は不要である。
絶縁層７（図１参照）の上に、再生ヘッドＲＥの上側磁
気シールドと兼用される下部磁極８が成膜される。下部
磁極８は、典型的にはNiFe系合金又はCo系合金からな
り、例えば、Ni50Fe50，Ni80Fe20，CoNiFe，FeZrN 等で
あってもよい。予め、スパッタ法或いは蒸着法によりメ
ッキベース層（図示せず。）を形成し、次ぎに電解メッ
キ法により数μｍ程度の膜厚に形成する。下部磁極８を
スパッタリング法で成膜する場合には、Fe系合金，Co系
合金（CoZr等）が用いられ、この場合には、メッキベー
ス層は不要である。
【００６９】下部磁極８の上に、（記録）ギャップ層９
が成膜される。ギャップ層９は、例えば、Al2 Ｏ3 ，Si
Ｏ2 等からなる。その後のエッチング工程でのギャップ
層の膜厚減少を防止するため、必要に応じて、ギャップ
層の上に、ギャップ保護層（図示せず。）を設けてもよ
い。ギャップ層９の上に、例えば、感光性ホトレジスト
３０をスピンコート法で塗布し、その後次工程で成膜さ
れる先端副磁極の形状に対応して形状にパターニングす
る。このとき、先端副磁極の形状パラメータ「先端副磁
極コア幅の広がりΔＳＷ」が画定される。
が成膜される。ギャップ層９は、例えば、Al2 Ｏ3 ，Si
Ｏ2 等からなる。その後のエッチング工程でのギャップ
層の膜厚減少を防止するため、必要に応じて、ギャップ
層の上に、ギャップ保護層（図示せず。）を設けてもよ
い。ギャップ層９の上に、例えば、感光性ホトレジスト
３０をスピンコート法で塗布し、その後次工程で成膜さ
れる先端副磁極の形状に対応して形状にパターニングす
る。このとき、先端副磁極の形状パラメータ「先端副磁
極コア幅の広がりΔＳＷ」が画定される。
【００７０】図１２（Ｂ）に示すように、上部側先端副
磁極２２が成膜される。先端副磁極２２は、典型的に
は、下部磁極８と同じ材料であってよい。予め、スパッ
タ法或いは蒸着法によりメッキベース層（図示せず。）
を形成し、次ぎに電解メッキ法により形成する。先端副
磁極２２をスパッタリング法で成膜する場合には、Fe系
合金，Co系合金（CoZr等）が用いられ、この場合には、
メッキベース層は不要である。その後、レジスト３０は
除去される。 図１２（Ｃ）に示すように、ギャップデ
プス（図７（Ｂ）参照）に基づき、先端副磁極２２の一
端を定め、先端副磁極以外に部分にあるギャップ層及び
下部磁極の一部が、イオンミリング法によりエッチング
される。下部磁極８の凸状に残った部分が、下部側先端
副磁極２１となる。
磁極２２が成膜される。先端副磁極２２は、典型的に
は、下部磁極８と同じ材料であってよい。予め、スパッ
タ法或いは蒸着法によりメッキベース層（図示せず。）
を形成し、次ぎに電解メッキ法により形成する。先端副
磁極２２をスパッタリング法で成膜する場合には、Fe系
合金，Co系合金（CoZr等）が用いられ、この場合には、
メッキベース層は不要である。その後、レジスト３０は
除去される。 図１２（Ｃ）に示すように、ギャップデ
プス（図７（Ｂ）参照）に基づき、先端副磁極２２の一
端を定め、先端副磁極以外に部分にあるギャップ層及び
下部磁極の一部が、イオンミリング法によりエッチング
される。下部磁極８の凸状に残った部分が、下部側先端
副磁極２１となる。
【００７１】図１２（Ｄ）に示すように、上部側先端副
磁極２２及び露出した下部磁極８の上に、アルミナ３２
が成膜される。図１３（Ａ）に示すように、アルミナ表
面から膜厚方向に、ラッピング（lapping ），ポリッシ
ング（polishing ）又はエッチバックにより表面研磨さ
れ、表面が平坦化される。この表面平坦化は、基板上の
凹凸を無くして、次工程におけるレジスト塗布時の位置
合わせ精度を確保し、上部磁極等のパターニングの精度
向上ために行われる。このとき、先端副磁極の形状パラ
メータ「先端副磁極の長さＳＬ」が画定される。
磁極２２及び露出した下部磁極８の上に、アルミナ３２
が成膜される。図１３（Ａ）に示すように、アルミナ表
面から膜厚方向に、ラッピング（lapping ），ポリッシ
ング（polishing ）又はエッチバックにより表面研磨さ
れ、表面が平坦化される。この表面平坦化は、基板上の
凹凸を無くして、次工程におけるレジスト塗布時の位置
合わせ精度を確保し、上部磁極等のパターニングの精度
向上ために行われる。このとき、先端副磁極の形状パラ
メータ「先端副磁極の長さＳＬ」が画定される。
【００７２】図１３（Ｂ）に示すように、アルミナ３２
の上に、絶縁層で包囲された（記録）コイル１２が形成
される。この工程は、発明に直接関係がないため、簡単
に説明する。例えばフォトレジストが塗布され、パター
ニング、熱硬化されて、記録コイルより下方部分の絶縁
層１０が形成される。その後、渦巻き状の記録コイル１
２が形成される。更に、記録コイルの周囲及び上方の絶
縁層１１が、例えばフォトレジストの塗布、パターニン
グ、熱硬化により形成される。このとき、渦巻き状の記
録コイル１２の中心領域（図示せず。）に相当する部分
が除去され孔が形成され、この孔１３（図１参照）は、
次工程で上部磁極１６が形成されたとき、この孔１３を
介して下部磁極８と接続されるためのものである。
の上に、絶縁層で包囲された（記録）コイル１２が形成
される。この工程は、発明に直接関係がないため、簡単
に説明する。例えばフォトレジストが塗布され、パター
ニング、熱硬化されて、記録コイルより下方部分の絶縁
層１０が形成される。その後、渦巻き状の記録コイル１
２が形成される。更に、記録コイルの周囲及び上方の絶
縁層１１が、例えばフォトレジストの塗布、パターニン
グ、熱硬化により形成される。このとき、渦巻き状の記
録コイル１２の中心領域（図示せず。）に相当する部分
が除去され孔が形成され、この孔１３（図１参照）は、
次工程で上部磁極１６が形成されたとき、この孔１３を
介して下部磁極８と接続されるためのものである。
【００７３】図１３（Ｃ）に示すように、先端副磁極２
２の上に、フォトレジスト３３が塗布され、上部磁極の
先端部を位置決めしてパターニングされる。その後、非
磁性絶縁層１１及び先端副磁極２２の上に、上部磁極１
６が形成される。具体的には、メッキベース層（図示せ
ず。）が形成され、フォトレジスト３３が塗布され、こ
れを露光・現像した後、上部磁極１６が、電気メッキ法
により数μｍの厚さに形成される。
２の上に、フォトレジスト３３が塗布され、上部磁極の
先端部を位置決めしてパターニングされる。その後、非
磁性絶縁層１１及び先端副磁極２２の上に、上部磁極１
６が形成される。具体的には、メッキベース層（図示せ
ず。）が形成され、フォトレジスト３３が塗布され、こ
れを露光・現像した後、上部磁極１６が、電気メッキ法
により数μｍの厚さに形成される。
【００７４】更に、レジスト３３除去後、上部磁極１６
以外で露出しているメッキベース層をイオンミリング法
によって、除去する。その後、磁気トランジューサ５両
端の端子に接続する電極パッド（図示せず。）や記録コ
イルの電極パッド（図示せず。）が形成される。最後
に、複数の磁気ヘッドが同時に形成されたウェハから切
り出し、各磁気ヘッドは、浮上面（ＡＢＳ）側から、最
終仕上がり線まで機械的に研磨される。仕上がり線は、
ギャップデプス（図７（Ｃ）参照）により決められ、こ
のとき、先端副磁極の形状パラメータ「先端凸部高さＳ
Ｈ」が画定される。
以外で露出しているメッキベース層をイオンミリング法
によって、除去する。その後、磁気トランジューサ５両
端の端子に接続する電極パッド（図示せず。）や記録コ
イルの電極パッド（図示せず。）が形成される。最後
に、複数の磁気ヘッドが同時に形成されたウェハから切
り出し、各磁気ヘッドは、浮上面（ＡＢＳ）側から、最
終仕上がり線まで機械的に研磨される。仕上がり線は、
ギャップデプス（図７（Ｃ）参照）により決められ、こ
のとき、先端副磁極の形状パラメータ「先端凸部高さＳ
Ｈ」が画定される。
【００７５】以上の製造工程により、独特の形状の先端
副磁極をもつ薄膜磁気ヘッドを製造することが出来る。 （追加的な上部磁極自体の成型方法）図１２及び図１３
で説明した先端副磁極付きの薄膜磁気ヘッドに対し、所
望により、特願平１０−１８４７８０号で提案したよう
に、上部磁極１６のポール１６ａを、イオンミリングに
よりトリミングして所望の形状に整形して、更に特性を
向上することもできる。 図１４は、イオンミリング法
によって、トリミングする方法を説明する。図１４
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、基板（ウェハ）上に上
部磁極まで形成した後に、上部磁極トレーリング・エッ
ジ近傍のみに窓が空くように保護レジストあるいはその
他の保護膜３４を付け、イオンミリングによりトリミン
グを行う。このイオンミリングは、図１４（Ｃ）に示す
ように、ウェハを回転させながら所定の角度揺動させ
て、浮上面側から研磨加工するものである。この方法に
より、上部磁極の上面（頂面）がそれ程削られることな
く、側面を所望の程度研磨することが可能となる。図１
４（Ｄ）に示すように、保護レジストを除去した後、ウ
ェハから切り出し、浮上面から最終仕上がり線まで研磨
加工する。
副磁極をもつ薄膜磁気ヘッドを製造することが出来る。 （追加的な上部磁極自体の成型方法）図１２及び図１３
で説明した先端副磁極付きの薄膜磁気ヘッドに対し、所
望により、特願平１０−１８４７８０号で提案したよう
に、上部磁極１６のポール１６ａを、イオンミリングに
よりトリミングして所望の形状に整形して、更に特性を
向上することもできる。 図１４は、イオンミリング法
によって、トリミングする方法を説明する。図１４
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、基板（ウェハ）上に上
部磁極まで形成した後に、上部磁極トレーリング・エッ
ジ近傍のみに窓が空くように保護レジストあるいはその
他の保護膜３４を付け、イオンミリングによりトリミン
グを行う。このイオンミリングは、図１４（Ｃ）に示す
ように、ウェハを回転させながら所定の角度揺動させ
て、浮上面側から研磨加工するものである。この方法に
より、上部磁極の上面（頂面）がそれ程削られることな
く、側面を所望の程度研磨することが可能となる。図１
４（Ｄ）に示すように、保護レジストを除去した後、ウ
ェハから切り出し、浮上面から最終仕上がり線まで研磨
加工する。
【００７６】図１５は、膜厚方向に向けたＦＩＢ（Focu
sed Ion Beam）法によって、トリミングする方法を説明
する。図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ウェハ上
に上部磁極まで形成した後に、上部磁極トレーリング・
エッジ付近に焦点を定めたイオンビーム（ＦＩＢ）によ
りトリミングを行うものである。その後、図１５（Ｃ）
に示すように、保護レジストを除去した後、ウェハから
切り出し、浮上面から最終仕上がり線まで研磨加工す
る。
sed Ion Beam）法によって、トリミングする方法を説明
する。図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ウェハ上
に上部磁極まで形成した後に、上部磁極トレーリング・
エッジ付近に焦点を定めたイオンビーム（ＦＩＢ）によ
りトリミングを行うものである。その後、図１５（Ｃ）
に示すように、保護レジストを除去した後、ウェハから
切り出し、浮上面から最終仕上がり線まで研磨加工す
る。
【００７７】図１６は、浮上面からのイオンミリング法
によって、トリミングする方法を説明する。図１６
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ウェハから磁気ヘッド
を切り出し、浮上面からの研磨加工も施した後、浮上面
上において上部磁極トレーリング・エッジ近傍のみに窓
が開いた保護レジスト又はその他の保護膜を付け、イオ
ンミリングによりトリミングを行うものである。
によって、トリミングする方法を説明する。図１６
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ウェハから磁気ヘッド
を切り出し、浮上面からの研磨加工も施した後、浮上面
上において上部磁極トレーリング・エッジ近傍のみに窓
が開いた保護レジスト又はその他の保護膜を付け、イオ
ンミリングによりトリミングを行うものである。
【００７８】図１７は、浮上面からＦＩＢ（集束イオン
ビームFocused Ion Beam）法によって、トリミングする
方法を説明する。図１７（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、ウェハからヘッドを切り出して浮上面からの研磨加
工も施した後に、浮上面上から上部磁極サイドエッジ部
に焦点を定めたＦＩＢ法によりトリミングを行うもので
ある。
ビームFocused Ion Beam）法によって、トリミングする
方法を説明する。図１７（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、ウェハからヘッドを切り出して浮上面からの研磨加
工も施した後に、浮上面上から上部磁極サイドエッジ部
に焦点を定めたＦＩＢ法によりトリミングを行うもので
ある。
【００７９】（実施形態の効果）以上説明したように、
本発明によれば、先端副磁極を有する複合型ＭＲヘッド
あるいは誘導型薄膜ヘッドなどにおいて、高周波オーバ
ーライト特性の悪化の原因となる透磁率低下に伴う記録
磁界の低下、及び、低周波記録にじみ特性の悪化の原因
となる起磁力増加にともなう記録磁界の増大といった問
題点を改善することができる。これにより、良好な高周
波特性と記録にじみ特性を持っ薄膜磁気ヘッドの作成が
可能となり、先端副磁極型ヘッドの当初の目的である、
トラック幅の規定、記録にじみの低減が達成でき、高ト
ラック密度化が実現できる。
本発明によれば、先端副磁極を有する複合型ＭＲヘッド
あるいは誘導型薄膜ヘッドなどにおいて、高周波オーバ
ーライト特性の悪化の原因となる透磁率低下に伴う記録
磁界の低下、及び、低周波記録にじみ特性の悪化の原因
となる起磁力増加にともなう記録磁界の増大といった問
題点を改善することができる。これにより、良好な高周
波特性と記録にじみ特性を持っ薄膜磁気ヘッドの作成が
可能となり、先端副磁極型ヘッドの当初の目的である、
トラック幅の規定、記録にじみの低減が達成でき、高ト
ラック密度化が実現できる。
【００８０】
【発明の効果】本発明によれば、新規な先端副磁極を有
する薄膜磁気ヘッドを提供することが出来る。 更に本
発明によれば、良好なオーバライト特性と記録にじみ特
性を示す、先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドを提供す
ることが出来る。更に本発明によれば、新規な先端副磁
極を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することが
出来る。
する薄膜磁気ヘッドを提供することが出来る。 更に本
発明によれば、良好なオーバライト特性と記録にじみ特
性を示す、先端副磁極を有する薄膜磁気ヘッドを提供す
ることが出来る。更に本発明によれば、新規な先端副磁
極を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することが
出来る。
【００８１】更に本発明によれば、良好なオーバライト
特性と記録にじみ特性を示す、先端副磁極を有する薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することが出来る。
特性と記録にじみ特性を示す、先端副磁極を有する薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することが出来る。
【図１】図１は、複合型磁気ヘッドの分解斜視断面図で
ある。
ある。
【図２】図２は、図１の複合型ヘッドの記録ヘッドを更
に詳しく説明する図である。
に詳しく説明する図である。
【図３】図３は、従来の先端副磁極付き薄膜ヘッドを説
明する図である。
明する図である。
【図４】図４は、先に提案した上部磁極をＦＩＢトリミ
ングする薄膜磁気ヘッドを説明する図である。
ングする薄膜磁気ヘッドを説明する図である。
【図５】図５は、図４の上部磁極をＦＩＢトリミングす
る薄膜磁気ヘッドの評価結果を示すグラフである。
る薄膜磁気ヘッドの評価結果を示すグラフである。
【図６】図６は、図３の従来の先端副磁極付き薄膜ヘッ
ドの評価結果を示すグラフである。
ドの評価結果を示すグラフである。
【図７】図７は、本発明に係る先端副磁極を独特の形状
にした薄膜磁気ヘッドを説明する図である。
にした薄膜磁気ヘッドを説明する図である。
【図８】図８は、図７の本発明に係る先端副磁極を独特
の形状にした薄膜磁気ヘッドにおいて、副磁極形状パラ
メータ「先端凸部高さＳＨ」の評価結果を示すグラフで
ある。
の形状にした薄膜磁気ヘッドにおいて、副磁極形状パラ
メータ「先端凸部高さＳＨ」の評価結果を示すグラフで
ある。
【図９】図９は、図７の本発明に係る先端副磁極を独特
の形状にした薄膜磁気ヘッドにおいて、副磁極形状パラ
メータ「先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷ」の評価結果
を示すグラフである。
の形状にした薄膜磁気ヘッドにおいて、副磁極形状パラ
メータ「先端副磁極コア幅の広がりΔＳＷ」の評価結果
を示すグラフである。
【図１０】図１０は、図７の本発明に係る先端副磁極を
独特の形状にした薄膜磁気ヘッドにおいて、副磁極形状
パラメータ「先端副磁極の長さＳＬ」の評価結果を示す
グラフである。
独特の形状にした薄膜磁気ヘッドにおいて、副磁極形状
パラメータ「先端副磁極の長さＳＬ」の評価結果を示す
グラフである。
【図１１】図１１は、図７の本発明に係る先端副磁極を
独特の形状にした薄膜磁気ヘッドにおいて、副磁極形状
パラメータ「先端凸部高さＳＨ」，「先端副磁極コア幅
の広がりΔＳＷ」及び「先端副磁極の長さＳＬ」を好ま
しい範囲内としたときの評価結果を示すグラフである。
独特の形状にした薄膜磁気ヘッドにおいて、副磁極形状
パラメータ「先端凸部高さＳＨ」，「先端副磁極コア幅
の広がりΔＳＷ」及び「先端副磁極の長さＳＬ」を好ま
しい範囲内としたときの評価結果を示すグラフである。
【図１２】図１２は、図１３と共に一連で、図７の本発
明に係る先端副磁極を独特の形状にした薄膜磁気ヘッド
の製造方法のフローである。
明に係る先端副磁極を独特の形状にした薄膜磁気ヘッド
の製造方法のフローである。
【図１３】図１３は、図１２と共に一連で、図７の本発
明に係る先端副磁極を独特の形状にした薄膜磁気ヘッド
の製造方法のフローである。
明に係る先端副磁極を独特の形状にした薄膜磁気ヘッド
の製造方法のフローである。
【図１４】図１４は、更に、ウェハ面からイオンミルト
リミングを行う製造方法を説明する図である。
リミングを行う製造方法を説明する図である。
【図１５】図１５は、更に、ウェハ面からＦＩＢトリミ
ングを行う製造方法を説明する図である。
ングを行う製造方法を説明する図である。
【図１６】図１６は、更に、上面からイオンミルトリミ
ングを行う製造方法を説明する図である。
ングを行う製造方法を説明する図である。
【図１７】図１７は、更に、浮上面からＦ１Ｂトリミン
グを行う製造方法を説明する図である。
グを行う製造方法を説明する図である。
８： 上部磁極 １６： 下部磁極 ２１： 下部側先端副磁極 ２２： 上部側先端副磁極
Claims (22)
- 【請求項１】 少なくとも、下部磁極，該下部磁極に平
行して配置された上部磁極及び両磁極間で両磁極から離
間して配置されたコイルを有する薄膜磁気ヘッドに於い
て、 少なくとも、前記上部磁極の前記下部磁極側で浮上面近
傍に形成された先端副磁極を備え、該先端副磁極は、浮
上面のコア幅ＳＷ1 より本体部分のコア幅ＳＷ2 が相対
的に大きい形状となっている、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於い
て、 前記先端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端凸部
高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さＳＨを制御して、
オーバライト特性及び記録にじみ特性の両方又はいずれ
か一方を改善している、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於い
て、 前記先端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端凸部
高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さＳＨが０．１μｍ
以上である、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於い
て、 前記先端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端凸部
高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さＳＨが０．３μｍ
以上である、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於い
て、 前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅ＳＷ
1 の差を先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたとき、該
先端磁極コア幅の広がりΔＳＷを制御して、オーバライ
ト特性及び記録にじみ特性の両方又はいずれか一方を改
善している、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於い
て、 前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅ＳＷ
1 の差を先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたとき、該
先端磁極コア幅の広がりΔＳＷが６．２μｍ以下であ
る、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於い
て、 前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅ＳＷ
1 の差を、先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたとき、
該先端磁極コア幅の広がりΔＳＷが３．２μｍ以下であ
る、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於い
て、 前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたとき、
該先端副磁極長ＳＬを制御して、オーバライト特性及び
記録にじみ特性の両方又はいずれか一方を改善してい
る、薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於い
て、 前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたとき、
該先端副磁極長ＳＬが８．０μｍ以下である、薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於
いて、 前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたとき、
該先端副磁極長ＳＬが３．６μｍ以下である、薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドに於
いて、 前記先端副磁極のコア幅が広がり始める位置を先端凸部
高さＳＨとしたとき、該先端凸部高さＳＨが０．３μｍ
以上であり、 前記本体部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅ＳＷ
1 の差を、先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたとき、
該先端磁極コア幅の広がりΔＳＷが３．２μｍ以下であ
り、 前記先端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたとき、
該先端副磁極長ＳＬが３．６μｍ以下である、薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１のいずれか一項に記
載の薄膜磁気ヘッドに於いて、更に、 前記下部磁極の前記上部磁極側で浮上面近傍に形成され
た下部側の先端副磁極を備え、該下部側の先端副磁極
は、上部側の前記先端副磁極と同形である、薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１３】 請求項１乃至１１の何れか一項記載の
薄膜磁気ヘッドを備えた誘導型記録再生薄膜ヘッド。 - 【請求項１４】 請求項１乃至１１の何れか一項記載の
薄膜磁気ヘッドから成る記録ヘッドと、 磁気抵抗効果型素子を磁気トランジューサとして使用し
た再生ヘッドとを備え、 前記記録ヘッドと前記再生ヘッドとを一体化した複合型
ヘッド。 - 【請求項１５】 少なくとも、下部磁極，該下部磁極に
平行して配置された上部磁極，該上部磁極の前記下部磁
極側で浮上面近傍に形成された上部先端副磁極，該下部
磁極の前記下部磁極側で浮上面近傍に形成された下部先
端副磁極及び該上部磁極と下部磁極間で両磁極から離間
して配置されたコイルを有する薄膜磁気ヘッドの製造方
法に於いて、少なくとも、 (a) 前記下部磁極を形成し、 (b) 前記下部磁極の上に、レジストをパターニングし
て、コア幅が浮上面から離れるにつれ拡大する前記上部
先端副磁極を形成し、 (c) 前記下部磁極を部分的にトリミングして、前記上部
先端下部磁極を形成し、 (d) 前記上部ＳＮ端副磁極及び前記下部磁極のトリミン
グされた部分の上に、アルミナを形成し、 (e) 前記アルミナ及び前記上部先端副磁極に対し、膜厚
方向に表面研磨し、 (f) その周囲を非磁性絶縁層で囲んだ前記コイルを形成
し、 (g) 表面研磨された前記上部先端副磁極の上に、レジス
トをパターニングして、前記上部磁極を形成し、 (h) レジスト除去後、ウェハから各磁気ヘッドを切り出
し、最終仕上がり線まで機械的に研磨される、諸工程か
ら成る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、 前記最終仕上がり線まで機械的に研磨される工程(h) に
よって、該先端凸部高さＳＨが画定されることを特徴と
する、薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、 前記上部先端副磁極の形成工程(b) によって、前記本体
部分のコア幅ＳＷ2 と前記浮上面のコア幅ＳＷ1 の差を
先端磁極コア幅の広がりΔＳＷとしたとき、該先端磁極
コア幅の広がりΔＳＷが画定されることを特徴とする、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、 前記膜厚方向に表面研磨する工程(e) によって、前記先
端副磁極の膜厚を先端副磁極長ＳＬとしたとき、該先端
副磁極長ＳＬを画定することを特徴とする、薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記最終仕上がり線まで機械的に研
磨される工程(h) の後に、更に、 前記上部磁極の浮上面となる付近を除く領域に保護膜又
は保護用レジストをパターニングし、 イオンミリングによりウェハ面からトリミング処理を施
す、諸工程から成る、薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記上部磁極を形成する工程(g) の
後に、更に、 ウェハ表面からＦＩＢによりトリミング処理を施す、諸
工程から成る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記上部磁極を形成する工程(g) の
後に、更に、 各磁気ヘッドをウェハから分離した後、該磁気ヘッドに
対しスライダー加工し、 浮上面の前記上部磁極付近を除く領域に保護膜又は保護
用レジストをパターニングして、イオンミリングにより
浮上面からトリミング処理を施す、諸工程から成る薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２２】 請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記最終仕上がり線まで機械的に研
磨される工程(h) の後に、更に、 各磁気ヘッドをウェハから分離した後、該磁気ヘッドに
対しスライダー加工し、 前記上部磁極に対して、スライダー浮上面からＦＩＢに
よりトリミング処理を施す、諸工程から成る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10264726A JP2000099919A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| PCT/JP1999/000738 WO2000017862A1 (fr) | 1998-09-18 | 1999-02-19 | Tete magnetique a couche mince a pole sous-magnetique de pointe, et procede de fabrication correspondant |
| KR1020017003291A KR20010075105A (ko) | 1998-09-18 | 1999-02-19 | 선단 부자극을 갖는 박막자기헤드 및 그 제조방법 |
| US09/802,390 US20010013992A1 (en) | 1998-09-18 | 2001-03-09 | Thin film magnetic head with tip sub-magnetic pole and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10264726A JP2000099919A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000099919A true JP2000099919A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17407333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10264726A Withdrawn JP2000099919A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010013992A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000099919A (ja) |
| KR (1) | KR20010075105A (ja) |
| WO (1) | WO2000017862A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6330127B1 (en) | 1998-07-30 | 2001-12-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing same |
| US6614620B2 (en) | 2000-10-19 | 2003-09-02 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head |
| US7248435B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-07-24 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with gap and pole portion layers having cross sections of the same shapes and predetermined parameter ranges |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030127424A1 (en) * | 2002-01-08 | 2003-07-10 | Seagate Technology Llc | Method of fabricating magnetic recording heads using asymmetric focused-Ion-beam trimming |
| JP2003272111A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Fujitsu Ltd | 記録用磁気ヘッド及び磁気記憶装置 |
| US7099121B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-08-29 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording head having a reduced field under the return pole and minimal eddy current losses |
| JPWO2004061827A1 (ja) * | 2003-01-07 | 2006-05-18 | 富士通株式会社 | 磁気ヘッド |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5285340A (en) * | 1992-02-28 | 1994-02-08 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic head with conformable pole tips |
| JP2727915B2 (ja) * | 1993-04-30 | 1998-03-18 | 日本ビクター株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| JP2914343B2 (ja) * | 1997-04-07 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置 |
| JPH117608A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US6239948B1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-05-29 | Headway Technologies, Inc. | Non-magnetic nickel containing conductor alloys for magnetic transducer element fabrication |
-
1998
- 1998-09-18 JP JP10264726A patent/JP2000099919A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-02-19 KR KR1020017003291A patent/KR20010075105A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-02-19 WO PCT/JP1999/000738 patent/WO2000017862A1/ja not_active Application Discontinuation
-
2001
- 2001-03-09 US US09/802,390 patent/US20010013992A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6330127B1 (en) | 1998-07-30 | 2001-12-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing same |
| US6614620B2 (en) | 2000-10-19 | 2003-09-02 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head |
| US7248435B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-07-24 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with gap and pole portion layers having cross sections of the same shapes and predetermined parameter ranges |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000017862A1 (fr) | 2000-03-30 |
| US20010013992A1 (en) | 2001-08-16 |
| KR20010075105A (ko) | 2001-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7433152B2 (en) | Perpendicular magnetic recording head, method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus | |
| US7070698B2 (en) | Methods of fabricating magnetic write heads with side and trailing shield structures | |
| US7436628B2 (en) | Perpendicular magnetic recording head for reducing the width of magnetization reversal between recording patterns on a recording medium and method of manufacturing the same | |
| US6091582A (en) | Thin film magnetic recording head with very narrow track width performing high density recording at high driving frequency | |
| US7841067B2 (en) | Method for manufacturing a trailing shield structure for a perpendicular magnetic write head | |
| US6791795B2 (en) | Thin film magnetic head having inductive write portion features that provide high recording field strength | |
| US20060262453A1 (en) | Magnetic recording head and magnetic disk storage apparatus mounting the magnetic head | |
| JP2002298309A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2007172816A (ja) | 垂直磁気記録ヘッド及びサイドシールドの作製方法 | |
| JP2003036506A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気ディスク装置 | |
| US7054106B2 (en) | Magnetic head and magnetic storage apparatus | |
| US5774308A (en) | Thin film inductive head and magnetic writing/reading drive including the same | |
| US7085100B2 (en) | Magnetic head having a bilayer pole tip | |
| US6541065B1 (en) | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same | |
| US7372667B2 (en) | Thin-film magnetic head, head gimbal assembly with thin-film magnetic head, head arm assembly with head gimbal assembly, magnetic disk drive apparatus with head gimbal assembly and manufacturing method of thin-film magnetic head | |
| JP2000099919A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| US20060176614A1 (en) | Thin film magnetic head, method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus | |
| US7110218B2 (en) | Inductive head and magnetic disk apparatus | |
| JP3362034B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| US6654203B2 (en) | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same, head gimbal assembly and hard disk drive | |
| US20010043445A1 (en) | Thin film magnetic head with tip sub-magnetic pole and method of manufacturing the same | |
| US7321480B2 (en) | Thin-film magnetic head having magnetic layers of different thicknesses and fabrication method for same | |
| US6665142B2 (en) | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same | |
| JP4079427B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 | |
| JP3474533B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |