JPH11250424A

JPH11250424A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH11250424A
Application number: JP4696598A
Authority: JP
Inventors: Yasusuke Irie; 庸介入江; Kazuo Yokoyama; 和夫横山; Osamu Kusumoto; 修楠本; Toshio Fukazawa; 利雄深澤; Hiroyasu Tsuji; 弘恭辻
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-02-27
Filing date: 1998-02-27
Publication date: 1999-09-17

Abstract

(57)【要約】【課題】記録・再生ができるＭＲヘッドを提供するこ
と。【解決手段】リング型の磁気コア１１は、基板１０上
に形成され、磁気ギャップ１２がリングを形成する磁気
コア１１の膜面に対して垂直に形成され、磁気ギャップ
１２が記録・再生ギャップを共用する構成をとる。ま
た、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子１３に媒体１５から誘導
された磁界を誘導する磁気コア１１が低磁界における透
磁率が大きい強磁性体で構成し、一方、媒体に記録する
ために形成されたコイル側の磁気コアの一部を強磁界に
おける透磁率が大きい強磁性体で構成する。さらに、磁
気ギャップとその近傍において、記録・再生時に磁気回
路を構成する磁気コア１１を積層する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、記録・再生可能
な磁気ヘッドに関し、特に薄膜のＭＲ素子を用いた再生
ヘッドを用いた磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果（ＭＲ）を用いた再生ヘッ
ドは、再生出力が大きく低速でも出力が低下しないこと
から、比較的相対速度の小さい装置で利用されている。

【０００３】しかしながら、ＭＲヘッドは再生専用のた
め、記録・再生磁気ヘッドの装置構成として、記録ヘッ
ドと一体化した録再兼用のヘッドの実現が期待されてい
る。

【０００４】この形のヘッドとしては、ＭＲ膜の両側に
シールド膜を配した両側シールド型のヘッドにおいて、
両側のシールド膜を磁気コアとして兼用して後部で接続
し、これを鎖交してコイルを形成したヘッドが提案され
ている（例えば米国特許第５、４４６、６１３号明細
書）。

【０００５】しかしながら、このタイプのヘッドでは再
生特性を向上させるため、両側のシールドの間隔を小さ
くするとＭＲ膜との間の絶縁が困難になる欠点があっ
た。

【０００６】また、このタイプのヘッドは高密度記録化
にともなう挟トラック化において、記録ヘッドの磁極部
と再生ヘッドのトラックを形成するＭＲ素子の幅の中心
の位置ずれが生じ易く、記録・再生時のトラックずれが
生じ、再生時のエラーが増加するという欠点があった。

【０００７】一方、これらの欠点を解消して、短波長特
性を向上したヘッドとしてリング型の磁気コアと並列ま
たは直列にＭＲ膜を挿入したヨーク型のＭＲヘッドもあ
る。

【０００８】図６に従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドの構
成を示す。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】シールド型ＭＲヘッド
は高密度記録化にともなう挟トラック化において、記録
ヘッドの磁極部と再生ヘッドのトラックを形成するＭＲ
素子の幅の中心の位置ずれが生じ易く、記録・再生時の
トラックずれが生じ、再生時のエラーが増加する。

【００１０】また、ヨーク型ＭＲヘッドの磁気コアと平
行にＭＲ膜を配したヘッドでは、記録効率を向上するた
めにＭＲ膜と並列に形成された磁気コアの磁気抵抗を下
げると、ＭＲ膜に流れる信号磁束が減少して再生効率が
低下する問題があった。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、この発明の磁気抵抗効果素子、及び磁気抵抗効果
型ヘッドは以下のように構成されてる。

【００１２】図１（ａ）に示すように、リング型の磁気
コア１１は非磁性基板１０の基板面に対して平行に形成
され、磁気ギャップ１２が前記リングを形成する磁気コ
ア１１の膜面に対して主に垂直方向に形成され、前記磁
気ギャップ１２が記録・再生ギャップを共用する構成を
とる。

【００１３】この構成により、高密度記録化にともなう
挟トラック化において、記録ヘッドの磁極部と再生ヘッ
ドのトラックを形成するＭＲ素子の幅の中心の位置ずれ
（トラックずれ）を低減できる。

【００１４】また、図２（ａ）に示すように、リングを
形成する磁気コア２１において、磁気抵抗効果（ＭＲ）
素子に媒体から誘導された磁界を誘導する磁気コア２１
ａが強磁界よりも低磁界における透磁率が大きい強磁性
体で構成し、一方、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子に媒体か
ら誘導された磁界を誘導する磁気コア２１ａよりも媒体
に記録するために形成されたコイル側の磁気コア２１ｂ
の一部を低磁界より強磁界における透磁率が大きい強磁
性体で構成する。この構成により、再生時には磁気媒体
からの再生磁束は記録コイル側には殆ど流れず、大部分
はＭＲ膜に流入し、高い再生効率を実現するとともに、
記録時に前記強磁性体部分は強磁界において大きな透磁
率を有するため、高い記録効率を実現することができ
る。

【００１５】さらに、図３（ａ）に示すように、リング
を形成する磁気コア３１の磁気ギャップ３２とその近傍
において、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子に媒体から誘導さ
れた磁界を誘導する磁気コア３１ａを構成する強磁性体
と媒体に記録するために形成されたコイル側の磁気コア
３１ｂを構成する強磁性体を積層する。この構成によっ
て、記録時には前記磁気コア３１ａと前記磁気コア３１
ｂの積層膜厚が記録トラック幅となり、再生時には前記
磁気コア３１ｂの膜厚が再生トラック幅となるため、ト
ラックずれの低減が可能となる。

【００１６】なお、出力をさらに向上させるために、従
来使用されていた異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）の変わ
りに、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）、あるいはスピンバ
ルブ型磁気抵抗効果、トンネル型磁気抵抗効果（ＴＭ
Ｒ）を用いる。これにより、従来の磁気抵抗変化率の２
から６倍程度の磁気抵抗変化率が得られ、再生効率の向
上が可能となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例の形態につ
いて、図１から図４を用いて説明する。

【００１８】（実施の形態１）図１（ａ）は本発明の薄
膜磁気ヘッドの構成を示している。非磁性基板１０上に
再生時に媒体からの磁束を伝達するリングを構成する磁
気コア１１ａ、磁気コア１１ａから伝達された磁束を検
出する磁気抵抗効果（ＭＲ）素子１３と記録時にコイル
１４から発生した磁束を媒体まで伝達するリングを構成
する磁気コア１１ｂからなる。つまりリング型の磁気コ
ア１１を記録時用の磁路を形成する磁気コア１１ｂと、
再生時用の磁気コア１１ａとに分岐させて構成する。磁
気ギャップ１２は基板面に対して主に垂直方向に形成さ
れ、記録・再生共用として用いられる。この薄膜ヘッド
の場合、前記磁気ギャップ１２の膜厚がトラック幅に相
当し、トラック幅を膜厚で制御できるため、高密度化に
ともなう挟トラック化が可能となる。また、前記磁気ギ
ャップ１２は記録・再生兼用であるため挟トラック化に
ともなう記録・再生時のトラックずれも低減される。な
お、前記磁気ギャップ１２を形成するにあたって、前記
磁気ギャップ１２の材料としては、非磁性材料あるいは
磁性材料であってもリングを構成する磁気コア１１ａの
透磁率よりも極端に透磁率の低い材料であればよい。

【００１９】また、本実施の形態では再生時の磁界検出
手段としてＭＲ素子１３を用いたが、この部分は、ホー
ル素子など他のＭＲ素子と同等の機能・性能を有する磁
界検出手段を用いても良い。

【００２０】（実施の形態２）図２（ａ）に示すよう
に、実施の形態１と基本構成は同様で非磁性基板２０上
に再生時に媒体からの磁束を伝達するリングを構成する
磁気コア２１ａ、前記磁気コアから伝達された磁束を検
出する磁気抵抗効果（ＭＲ）素子２３と記録時にコイル
２４から発生した磁束を媒体まで伝達するリングを構成
する磁気コア２１ｂからなる。磁気ギャップ２２は基板
面に対して主に垂直方向に形成され、記録・再生共用と
して用いられる。再生効率を向上させるため前記再生時
に媒体からの磁束を磁気抵抗効果（ＭＲ）素子２３に伝
達するリングを構成する磁気コア２１ａを強磁界よりも
低磁界における透磁率が大きい強磁性体で構成する。ま
た、前記磁気ギャップ２２から前記磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）素子２３に近づくにつれ、前記磁気コア２１によっ
て形成される磁気回路の断面積を大きくすることによっ
て更に再生効率は向上する。この構成により、高再生効
率が実現された。

【００２１】記録効率向上については、前記磁気抵抗効
果（ＭＲ）素子２３に媒体から誘導された磁界を誘導す
る磁気コア２１ａよりも媒体に記録するために形成され
たコイル側の磁気コア２１ｂの一部を低磁界より強磁界
における透磁率が大きい強磁性体で構成する。この構成
により、再生時には磁気媒体からの再生磁束は記録コイ
ル側には殆ど流れず、大部分はＭＲ膜に流入し、高い再
生効率を実現するとともに、記録時に前記強磁性体部分
は強磁界において大きな透磁率を有するため、高い記録
効率を実現することができた。

【００２２】なお、前記磁気ギャップ２２を形成するに
あたって、前記磁気ギャップ２２の材料としては、非磁
性材料あるいは磁性材料であってもリングを構成する磁
気コア２１ａの透磁率よりも極端に透磁率の低い材料で
あればよい。

【００２３】（実施の形態３）図３（ａ）に示すよう
に、実施の形態１と基本構成は同様で非磁性基板３０上
に再生時に媒体からの磁束を伝達するリングを構成する
磁気コア３１ａ、前記磁気コアから伝達された磁束を検
出する磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３３と記録時にコイル
３４から発生した磁束を媒体まで伝達するリングを構成
する磁気コア３１ｂからなる。磁気ギャップ３２は基板
面に対して主に垂直方向に形成され、記録・再生共用と
して用いられる。前記磁気ギャップ３２とその近傍にお
いて、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３３に媒体から誘導さ
れた磁界を誘導する磁気コア３１ａを構成する強磁性体
と媒体に記録するために形成されたコイル側の磁気コア
３１ｂを構成する強磁性体を積層する。前記磁気抵抗効
果（ＭＲ）素子３３に媒体から誘導された磁界を誘導す
る磁気コア３１ａを構成する強磁性体よりも前記媒体に
記録するために形成されたコイル側の磁気コア３１ｂを
構成する強磁性体を低磁界より強磁界における透磁率が
大きい強磁性体で構成する。

【００２４】この構成によって、再生時には磁気媒体か
らの再生磁束は記録コイル側には殆ど流れず、大部分は
ＭＲ膜に流入し、高い再生効率を実現するとともに、記
録時に前記強磁性体部分は強磁界において大きな透磁率
を有するため、高い記録効率を実現することができた。
また、記録時には前記磁気コア３１ａと前記磁気コア３
１ｂの積層膜厚が記録トラック幅となり、再生時には前
記磁気コア３１ｂの膜厚が再生トラック幅となるため、
トラックずれの低減が可能となった。

【００２５】なお、前記磁気ギャップ３２を形成するに
あたって、前記磁気ギャップ３２の材料としては、非磁
性材料あるいは磁性材料であってもリングを構成する前
記磁気コア３１ａ、３１ｂの透磁率よりも極端に透磁率
の低い材料であればよい。

【００２６】（実施の形態４）図４（ａ）、（ｂ）に示
すような構成の巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子、スピ
ンバルブ素子を従来型の異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）
素子の変わりに用いる。薄膜ヘッドの基本構成は実施例
１と同様である。これらの素子を用いることで、従来の
２〜３倍以上の抵抗変化率が得られ、高再生効率が得ら
れる。

【００２７】（実施の形態５）図５に示すような構成の
トンネル型の磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子を従来型の異
方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子の変わりに用いる。薄
膜ヘッドの基本構成は実施例１と同様である。この素子
を用いることで、従来の１０倍以上の抵抗変化率が得ら
れ、高再生効率が得られる。

【００２８】

【実施例】以下具体的な実施例により、この発明の効果
の説明を行う。

【００２９】（実施例１）図１（ａ）において本発明の
薄膜磁気ヘッドの構成を示している。非磁性基板１０上
に再生時に媒体からの磁束を伝達するリングを構成する
磁気コア１１ａ、前記磁気コアから伝達された磁束を検
出する磁気抵抗効果（ＭＲ）素子１３と記録時にコイル
１４から発生した磁束を媒体まで伝達するリングを構成
する磁気コア１１ｂからなる。磁気ギャップ１２は基板
面に対して主に垂直方向に形成され、記録・再生共用と
して用いられる。

【００３０】各部の主要な寸法は例えば、前記再生時に
媒体からの磁束を伝達するリングを構成する磁気コア１
１ａ、記録時にコイル１４から発生した磁束を媒体まで
伝達するリングを構成する磁気コア１１ｂの膜厚は０．
５μｍ、前記磁気コアから伝達された磁束を検出する磁
気抵抗効果（ＭＲ）素子１３の膜厚は０．０３μｍ、前
記磁気ギャップ１２の長さは０．１μｍ、ギャップの深
さは０．５μｍである。

【００３１】次に動作について説明する。図１（ｂ）は
再生時の動作を示したものである。１５は記録媒体、１
６は再生磁束の流れである。再生時には記録媒体１５か
ら発生した再生磁束は前記磁気ギャップ１２より流入す
る。図１（ｃ）は記録時の動作を示したものである。１
７は記録磁束の流れを示したものである。記録時にはコ
イル１４に印可された記録電流により記録磁界が発生す
る。この時、磁気ギャップ１２側の磁気回路を形成する
磁気コアがＭＲ素子１３側の磁気回路を形成する磁気コ
アより磁気抵抗が小さくなるように構成する。すなわ
ち、記録磁束１７の殆どがＭＲ素子１３よりも磁気ギャ
ップ１２に流れ込むように構成する。これによって高い
記録効率を実現できた。

【００３２】また、これらの構成をとることによって、
高密度記録にともなう挟トラック化、挟ギャップ化が可
能であるとともに再生・記録共に高効率の動作を可能と
した。

【００３３】（実施例２）図２（ａ）において本発明の
薄膜磁気ヘッドの構成を示している。非磁性基板２０上
に再生時に媒体からの磁束を伝達するリングを構成する
磁気コア２１ａ、前記磁気コアから伝達された磁束を検
出する磁気抵抗効果（ＭＲ）素子２３と記録時にコイル
２４から発生した磁束を媒体まで伝達するリングを構成
する磁気コア２１ｂからなる。磁気ギャップ２２は基板
面に対して主に垂直方向に形成され、記録・再生共用と
して用いられる。各部の主要な寸法は例えば、前記再生
時に媒体からの磁束を伝達するリングを構成する磁気コ
ア２１ａ、記録時にコイル２４から発生した磁束を媒体
まで伝達するリングを構成する磁気コア２１ｂの膜厚は
０．５μｍ、前記磁気コアから伝達された磁束を検出す
る磁気抵抗効果（ＭＲ）素子１３の膜厚は０．０３μ
ｍ、前記磁気ギャップ２２の長さは０．１μｍ、ギャッ
プの深さは０．５μｍである。

【００３４】再生効率を向上させるため前記再生時に媒
体からの磁束を磁気抵抗効果（ＭＲ）素子２３に伝達す
るリングを構成する磁気コア２１ａを強磁界よりも低磁
界における透磁率が大きい強磁性体で構成した。

【００３５】記録効率向上については、前記磁気抵抗効
果（ＭＲ）素子２３に媒体から誘導された磁界を誘導す
る磁気コア２１ａよりも媒体に記録するために形成され
たコイル側の磁気コア２１ｂの一部を低磁界より強磁界
における透磁率が大きい強磁性体で構成した。

【００３６】次に動作について説明する。図２（ｂ）は
再生時の動作を示したものである。２５は記録媒体、２
６は再生磁束の流れである。再生時には記録媒体２５か
ら発生した再生磁束は前記磁気ギャップ２２より流入す
る。この時、この磁束を生じる再生磁界は小さく、磁気
コア２１ｂを構成する強磁性体の透磁率は低いために再
生磁束は磁気コア２１ｂを殆ど流れず、再生磁束の流れ
２６が示すように磁気コア２１ａとＭＲ素子２３から構
成される磁気回路を流れ、効率よく電気信号に変換され
る。図２（ｃ）は記録時の動作を示したものである。２
７は記録磁束の流れを示したものである。記録時にはコ
イル２４に印可された記録電流により記録磁界が発生す
る。この時、磁気ギャップ２２側の磁気回路を形成する
磁気コアがＭＲ素子２３側の磁気回路を形成する磁気コ
アより磁気抵抗が小さくなるように構成する。すなわ
ち、記録磁束２７の殆どがＭＲ素子２３よりも磁気ギャ
ップ２５に流れ込むように構成する。これによって高い
記録効率を実現できた。

【００３７】すなわち、磁気コアの一部に低磁界で透磁
率の低い強磁性体を用いることで再生と記録の磁束の流
れを異ならしめ、再生記録共に高効率の動作を可能にし
たものである。また、このような構成をとることで、高
密度記録にともなう挟トラック化、挟ギャップ化が可能
である。

【００３８】（実施例３）図３（ａ）において本発明の
薄膜磁気ヘッドの構成を示している。非磁性基板３０上
に再生時に媒体からの磁束を伝達するリングを構成する
磁気コア３１ａ、前記磁気コアから伝達された磁束を検
出する磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３３と記録時にコイル
３４から発生した磁束を媒体まで伝達するリングを構成
する磁気コア３１ｂからなる。また、磁気コア３１ａ、
３１ｂは磁気ギャップ３２およびその付近で積層されて
いる。磁気ギャップ３２は基板面に対して主に垂直方向
に形成され、記録・再生共用として用いられる。各部の
主要な寸法は例えば、前記再生時に媒体からの磁束を伝
達するリングを構成する磁気コア３１ａ、記録時にコイ
ル３４から発生した磁束を媒体まで伝達するリングを構
成する磁気コア３１ｂの膜厚はそれぞれ０．３μｍ、前
記磁気コアから伝達された磁束を検出する磁気抵抗効果
（ＭＲ）素子３３の膜厚は０．０３μｍ、前記磁気ギャ
ップ３２の長さは０．１μｍ、ギャップの深さは０．５
μｍである。

【００３９】再生効率を向上させるため前記再生時に媒
体からの磁束を磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３３に伝達す
るリングを構成する磁気コア３１ａを強磁界よりも低磁
界における透磁率が大きい強磁性体で構成した。

【００４０】記録効率向上については、前記磁気抵抗効
果（ＭＲ）素子３３に媒体から誘導された磁界を誘導す
る磁気コア３１ａよりも媒体に記録するために形成され
たコイル側の磁気コア３１ｂの一部を低磁界より強磁界
における透磁率が大きい強磁性体で構成した。

【００４１】次に動作について説明する。図３（ｂ）は
再生時の動作を示したものである。３５は記録媒体、３
６は再生磁束の流れである。再生時には記録媒体３５か
ら発生した再生磁束は前記磁気ギャップ３２より流入す
る。この時、この磁束を生じる再生磁界は小さく、磁気
コア３１ｂを構成する強磁性体の透磁率は低いために再
生磁束は磁気コア３１ｂを殆ど流れず、再生磁束の流れ
３６が示すように磁気コア３１ａとＭＲ素子３３から構
成される磁気回路を流れ、効率よく電気信号に変換され
る。また、この場合再生トラック幅は記録時のトラック
幅よりも狭いトラック幅であるので、多少トラック制御
の精度が低下しても十分再生が可能となる。

【００４２】図３（ｃ）は記録時の動作を示したもので
ある。３７は記録磁束の流れを示したものである。記録
時にはコイル３４に印可された記録電流により記録磁界
が発生する。この時、磁気ギャップ３２側の磁気回路を
形成する磁気コアがＭＲ素子３３側の磁気回路を形成す
る磁気コアより磁気抵抗が小さくなるように構成する。
すなわち、記録磁束３７の殆どがＭＲ素子３３よりも磁
気ギャップ３２に流れ込むように構成する。これによっ
て高い記録効率を実現できた。

【００４３】すなわち、磁気コアの一部に低磁界で透磁
率の低い強磁性体を用いることで再生と記録の磁束の流
れを異ならしめ、再生記録共に高効率の動作を可能にし
たものである。また、このような構成をとることで、高
密度記録にともなう挟トラック化、挟ギャップ化が可能
である。

【００４４】（実施例４）基本的な薄膜磁気ヘッド構成
は実施例３と同様で、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を以下
のスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子に変えた。

【００４５】素子構成としては CoFe(100)/Cu(25)/CoFe(100)/IrMn(150) （ただし( )内はオングストロームである。）この構成の素子を従来型の異方性磁気抵抗効果（ＡＭ
Ｒ）と比較すると磁気抵抗変化率において３倍程度、感
度では４倍程度の向上がみられた。

【００４６】従って、この構成の磁気抵抗効果素子を用
いることで再生効率の向上が得られた。

【００４７】（実施例５）基本的な薄膜磁気ヘッド構成
は実施例３と同様で、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を以下
のトンネル型の磁気抵抗効果素子に変えた。

【００４８】素子構成としては Fe(100)/Al₂O₃(15)/Co₉₀Fe₁₀(100)/IrMn(150) （ただし( )内はオングストロームである。）この構成の素子を従来型の異方性磁気抵抗効果（ＡＭ
Ｒ）と比較すると磁気抵抗変化率において６倍程度、感
度では８倍程度の向上がみられた。

【００４９】従って、この構成の磁気抵抗効果素子を用
いることで再生効率の向上が得られた。

【００５０】

【発明の効果】この発明によれば、リング型の磁気コア
の一部に低磁界よりも高磁界において透磁率の高い強磁
性材料を用いることにより、記録と再生の磁束の通り道
を異ならしめることで録再可能な単一ギャップを有し、
磁気コアの膜厚方向がトラック幅に相当するため膜厚で
トラック幅を制御でき狭トラック化が可能である。ま
た、記録トラックが広く再生トラックが狭いという構成
がとれることから高密度記録における狭トラック化によ
るトラック制御エラーが低減できる。さらに、磁気抵抗
効果（ＭＲ）素子が摺動面に露出していない形状なの
で、狭ギャップ長にしてもＭＲ膜と磁気コアが短絡する
事もなく、またディスクとの接触から起こるサーマルア
スペリティーやディスクからの放電による素子破壊も防
ぐことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の薄膜磁気ヘッドの構成図（ｂ）本発明の薄膜磁気ヘッドの再生状態を示す図（ｃ）本発明の薄膜磁気ヘッドの記録状態を示す図

【図２】（ａ）本発明の薄膜磁気ヘッドの構成図（ｂ）本発明の薄膜磁気ヘッドの再生状態を示す図（ｃ）本発明の薄膜磁気ヘッドの記録状態を示す図

【図３】（ａ）本発明の薄膜磁気ヘッドの構成図（ｂ）本発明の薄膜磁気ヘッドの再生状態を示す図（ｃ）本発明の薄膜磁気ヘッドの記録状態を示す図

【図４】（ａ）巨大時期抵抗効果（ＧＭＲ）素子の素子
構成を示す図（ｂ）スピンバルブ型の磁気抵抗効果素子の素子構成を
示す図

【図５】トンネル型の磁気抵抗効果素子の素子構成を示
す図

【図６】従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドを示す構成図

【符号の説明】

１０非磁性基板１１磁気コア１１ａ磁気コア１１ｂ磁気コア１２磁気ギャップ１３磁気抵抗効果（ＭＲ）素子１４コイル１５記録媒体１６再生磁束１７記録磁束２０非磁性基板２１磁気コア２１ａ磁気コア２１ｂ磁気コア２２磁気ギャップ２３磁気抵抗効果（ＭＲ）素子２４コイル２５記録媒体２６再生磁束２７記録磁束３０非磁性基板３１磁気コア３１ａ磁気コア３１ｂ磁気コア３２磁気ギャップ３３磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３４コイル３５記録媒体３６再生磁束３７記録磁束

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者深澤利雄大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者辻弘恭大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気ギャップを有するリング型の磁気ヘ
ッドにおいて、前記磁気ヘッドのリングを形成する磁気
コアを分岐させて少なくとも２つの磁路を形成し、一方
の磁路に信号印加手段を備えて記録用の磁路とし、他の
磁路に信号検出手段を備えて再生用の磁路とし、前記磁
気ギャップが記録・再生ギャップを共用することを特徴
とする磁気ヘッド。
【請求項２】再生用の磁路に備えた信号検出手段とし
て磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を用いることを特徴とする
請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】磁気ヘッドのリングを形成する磁気コア
において、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子に媒体から誘導さ
れた磁界を誘導する磁気コアよりも媒体に記録するため
に形成されたコイル側の磁気コアの一部を低磁界より強
磁界における透磁率が大きい強磁性体で構成したことを
特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】磁気ヘッドのリングを形成する磁気コア
の磁気ギャップとその近傍において、磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）素子に媒体から誘導された磁界を誘導する磁気コア
を構成する強磁性体と媒体に記録するために形成された
コイル側の磁気コアを構成する強磁性体が積層されてい
ることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項５】磁気ヘッドのリングを形成する磁気コア
の磁気ギャップ長が０．０１μｍ以下であることを特徴
とする請求項１〜３記載の磁気ヘッド。
【請求項６】磁気抵抗効果（ＭＲ）素子が巨大磁気抵
抗効果型磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子あるいはスピンバ
ルブ型磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項
２に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】磁気抵抗効果（ＭＲ）素子がトンネル型
の磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項２に
記載の磁気ヘッド。