JPH09153206A - Thin film magnetic head - Google Patents

Thin film magnetic head

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JPH09153206A
JPH09153206A JP31336495A JP31336495A JPH09153206A JP H09153206 A JPH09153206 A JP H09153206A JP 31336495 A JP31336495 A JP 31336495A JP 31336495 A JP31336495 A JP 31336495A JP H09153206 A JPH09153206 A JP H09153206A
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JP
Japan
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magnetic
head
insulating layer
end electrode
rear end
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP31336495A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kosuke Narisawa
浩亮 成沢
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH09153206A publication Critical patent/JPH09153206A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the reproducing output by enhancing the intensity of a signal magnetic field entering the effective magnetic sensitive part of a magnetoresistive element. SOLUTION: This head has an MR element disposed in such a manner that its longitudinal direction is almost perpendicular to the travelling direction of a magnetic recording medium 20, a front electrode 10 and a rear electrode 8 disposed on both edges in the longitudinal direction of the MR element 5, and an upper magnetic layer 11 and a lower magnetic layer 3 which hold the MR element 5, the front electrode 10 and the rear electrode 8. The area (a) of the MR element 5 between the front electrode 10 and the rear electrode 8 is the effective magnetic sensitive part. The thickness of the area (b) where the front electrode 10 is formed is larger than the thickness of the effective magnetic sensitive part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク薄
膜磁気ヘッド等に好適な、磁気抵抗効果によって再生信
号を検出する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive effect type thin film magnetic head suitable for a hard disk thin film magnetic head or the like and detecting a reproduction signal by the magnetoresistive effect.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ハードディスク薄膜磁気ヘッド等
のような磁気記録薄膜磁気ヘッドにおいては、大容量化
を図るために、更なる高密度記録が求められ、狭トラッ
ク化に適した磁気ヘッドである磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド(以下、MRヘッドという。)が採用されるよう
になってきている。
2. Description of the Related Art In recent years, in a magnetic recording thin film magnetic head such as a hard disk thin film magnetic head, further high density recording is required in order to increase the capacity, and it is a magnetic head suitable for a narrow track. Magnetoresistive thin film magnetic heads (hereinafter referred to as MR heads) have been adopted.

【0003】このMRヘッドには、図33に示すよう
に、センス電流が磁気記録媒体70走行方向と直交する
方向に流れるいわゆる縦型のMRヘッド50がある。こ
の縦型のMRヘッド50は、非磁性基板51上に順次積
層された下部磁性層52及び絶縁層53と、この絶縁層
53上に設けられたMR素子54と、MR素子54の後
端部54Bに接続された後端部電極57と、MR素子5
4上に絶縁層55を介して設けられたバイアス導体56
と、後端部電極57及びバイアス導体56上に絶縁層5
8を介して設けられてMR素子54の前端部54Aに接
続された前端電極59と、前端電極59上に順次積層さ
れた上部磁性層60及び保護層61とを備えている。
As shown in FIG. 33, this MR head includes a so-called vertical MR head 50 in which a sense current flows in a direction orthogonal to the traveling direction of the magnetic recording medium 70. The vertical MR head 50 includes a lower magnetic layer 52 and an insulating layer 53 which are sequentially stacked on a non-magnetic substrate 51, an MR element 54 provided on the insulating layer 53, and a rear end portion of the MR element 54. The rear end electrode 57 connected to 54B and the MR element 5
Bias conductor 56 provided on top of the insulating layer 55 via the insulating layer 55.
And the insulating layer 5 on the rear end electrode 57 and the bias conductor 56.
A front end electrode 59 connected to the front end portion 54A of the MR element 54, and an upper magnetic layer 60 and a protective layer 61 sequentially stacked on the front end electrode 59.

【0004】この縦型のMRヘッド50は、このMR素
子54に対して前端電極59及び後端電極57からセン
ス電流を供給することにより、磁気記録媒体70からの
信号磁界によるMR素子54の抵抗変化を検出し、この
抵抗変化に基づいて再生出力を得る。このとき、MR素
子54は、前端電極59と後端電極57との間の領域a
が有効感磁部となり、有効感磁部を除く他の領域bが磁
気抵抗効果を妨げる不感磁部となっており、この前端部
5Cの不感磁部をギャップデプス部としている。前端電
極59に接続された前端部54Aと後端電極57に接続
された後端部54Bが磁気抵抗効果を妨げる不感磁部と
なっており、この前端部54Aの不感磁部をギャップデ
プス部としている。このような縦型のMRヘッド50
は、再生出力が媒体速度に依存せず、媒体速度が遅くて
も高再生力が得られるという特徴を有している。
The vertical MR head 50 supplies a sense current from the front end electrode 59 and the rear end electrode 57 to the MR element 54, whereby the resistance of the MR element 54 due to the signal magnetic field from the magnetic recording medium 70. A change is detected and a reproduction output is obtained based on this resistance change. At this time, the MR element 54 has a region a between the front end electrode 59 and the rear end electrode 57.
Is an effective magnetic sensitive portion, and the other region b excluding the effective magnetic sensitive portion is a non-magnetic sensitive portion that interferes with the magnetoresistive effect. The non-magnetic sensitive portion of the front end portion 5C is a gap depth portion. A front end portion 54A connected to the front end electrode 59 and a rear end portion 54B connected to the rear end electrode 57 serve as a demagnetizing portion that obstructs the magnetoresistive effect. There is. Such a vertical MR head 50
Has a characteristic that the reproduction output does not depend on the medium speed and a high reproducing power can be obtained even if the medium speed is low.

【0005】以下、上記縦型のMRヘッド50におい
て、MR素子54の機能について説明する。このMR素
子54は、入力される磁気記録媒体70の磁束強度(磁
束量)に応じて電気抵抗値が変化して磁気抵抗効果を生
じる。縦型のMRヘッド50は、MR素子54の電気抵
抗値の変化量に応じて生じる前端電極10及び後端電極
8の間の電圧変化が検出される。したがって、縦型のM
Rヘッド50は、この電圧変化を電圧信号として再生出
力を得る。
The function of the MR element 54 in the vertical MR head 50 will be described below. The MR element 54 produces a magnetoresistive effect by changing its electric resistance value according to the magnetic flux intensity (magnetic flux amount) of the input magnetic recording medium 70. The vertical MR head 50 detects a voltage change between the front end electrode 10 and the rear end electrode 8 that occurs according to the amount of change in the electric resistance value of the MR element 54. Therefore, the vertical M
The R head 50 obtains a reproduction output by using this voltage change as a voltage signal.

【0006】上述した縦型のMRヘッド50において
は、上記MR素子54を上部磁性層60及び下部磁性層
52で挟持する構造とされているために、分解能が向上
し、これら上部磁性層60、下部磁性層52のないもの
と比較して再生出力のS/N及び記録密度が向上する。
また、この縦型のMRヘッド50は、横型のMRヘッド
50に比してオフトラック特性に優れており、今後MR
ヘッド50の主流となりつつある。
In the vertical MR head 50 described above, since the MR element 54 is sandwiched between the upper magnetic layer 60 and the lower magnetic layer 52, the resolution is improved, and the upper magnetic layer 60, The S / N of the reproduction output and the recording density are improved as compared with the case without the lower magnetic layer 52.
Further, the vertical MR head 50 has excellent off-track characteristics as compared with the horizontal MR head 50.
The head 50 is becoming the mainstream.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の縦型のMRヘッド50においては、横型のMRヘッ
ド50と異なり、有効感磁部がギャップデプス部よりも
奥に位置している。このため、従来の縦型のMRヘッド
50は、ギャップデプス部で磁気的飽和を生じて、磁気
記録媒体70からの信号磁界の有効感磁部への入力が妨
げられ、有効感磁部に入力する信号磁界の強度が減少す
るといった問題点があった。そして、従来の縦型のMR
ヘッド50は、再生出力を向上させることが困難とな
り、この点が狭ギャップ化、MR薄膜化等による記録密
度の向上に対する大きな弊害となっている。
In the conventional vertical MR head 50 described above, the effective magnetic sensing portion is located deeper than the gap depth portion, unlike the horizontal MR head 50. Therefore, in the conventional vertical MR head 50, magnetic saturation occurs in the gap depth portion, and the input of the signal magnetic field from the magnetic recording medium 70 to the effective magnetic sensitive portion is hindered, and the magnetic field is input to the effective magnetic sensitive portion. However, there is a problem that the strength of the signal magnetic field is reduced. And the conventional vertical MR
It becomes difficult for the head 50 to improve the reproduction output, and this point is a great obstacle to the improvement of the recording density due to the narrowing of the gap, the thinning of the MR film, and the like.

【0008】したがって、本発明は、磁気的飽和を防止
するとともに、磁気抵抗効果素子の有効感磁部に入力す
る信号磁界の強度を増大化して再生出力の向上を図った
薄型磁気ヘッドを提供することを目的に提案されたもの
である。
Therefore, the present invention provides a thin magnetic head which prevents magnetic saturation and increases the strength of the signal magnetic field input to the effective magnetic sensitive portion of the magnetoresistive effect element to improve the reproduction output. It was proposed for that purpose.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この目的を達成した本発
明に係る薄膜磁気ヘッドは、長手方向が磁気記録媒体の
走行方向と略々直交するように設けられた磁気抵抗効果
素子と、この磁気抵抗効果素子の長手方向両端部にそれ
ぞれ設けられた前端電極及び後端電極と、磁気抵抗効果
素子、前端電極及び後端電極を挟持する上部磁性層と下
部磁性層とを備える。上記磁気抵抗効果素子は、前端電
極と後端電極とにより狭持された領域が有効感磁部とさ
れ、前端電極が設けられた領域、つまり不感磁部である
ギャップデプス部の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法よ
り大とされている。
A thin film magnetic head according to the present invention, which has achieved this object, has a magnetoresistive effect element provided so that its longitudinal direction is substantially perpendicular to the running direction of a magnetic recording medium, and a magnetic resistance effect element. The resistance effect element includes a front end electrode and a rear end electrode provided at both ends in the longitudinal direction, and an upper magnetic layer and a lower magnetic layer sandwiching the magnetoresistive effect element, the front end electrode and the rear end electrode. In the magnetoresistive effect element, the region sandwiched by the front end electrode and the rear end electrode is an effective magnetic sensing part, and the region where the front end electrode is provided, that is, the thickness dimension of the gap depth part which is the non-sensitive part is It is made larger than the thickness of the effective magnetic sensing part.

【0010】以上のように構成された本発明に係る薄膜
磁気ヘッドによれば、この磁気抵抗効果素子に対して前
端電極及び後端電極からセンス電流を供給することによ
り、磁気抵抗効果素子の前端電極が設けられた領域で磁
気的飽和を生じずに、磁気記録媒体からの信号磁界が妨
げられることなく有効感磁部まで入力される。薄膜磁気
ヘッドは、磁気記録媒体からの信号磁界による磁気抵抗
効果素子の抵抗変化を前端電極及び後端電極が検出し、
この抵抗変化に基づいて再生出力を得る。
According to the thin-film magnetic head of the present invention having the above-mentioned structure, the front end of the magnetoresistive effect element is supplied by supplying the sense current from the front end electrode and the rear end electrode to the magnetoresistive effect element. The signal magnetic field from the magnetic recording medium is input to the effective magnetic sensing section without causing magnetic saturation in the area where the electrodes are provided and without being disturbed. The thin-film magnetic head detects the resistance change of the magnetoresistive effect element due to the signal magnetic field from the magnetic recording medium by the front end electrode and the rear end electrode,
A reproduction output is obtained based on this resistance change.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について、図1乃至図25の図面を参照して詳細に説
明する。本発明の実施の形態として示すMRヘッド1
は、図1に示すように、非磁性基板2と、この非磁性基
板2上に積層された下部磁性層3と、この下部磁性層3
上に積層された下部絶縁層4と、この下部絶縁層4上に
設けられたMR素子5とを備えている。また、MRヘッ
ド1は、このMR素子5の前端部5C及び後端部5Dを
除く領域a上に積層された中間絶縁層6と、中間絶縁層
6上に設けられたバイアス導体7と、MR素子5の後端
部5Dに接続されてMR素子5の後端部5D上から下部
絶縁層4上に亘って設けられた後端電極8と、バイアス
導体7及び後端電極8上に積層された上部絶縁層9とを
備えている。さらに、MRヘッド1は、MR素子5の前
端部5Cに接続されてMR素子5の前端部5C上から上
部絶縁層9上に亘って設けられた前端電極10と、この
前端電極10上に積層された上部磁性層11と、この上
部磁性層11上に積層された保護層12とを備えてい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 25. MR head 1 shown as an embodiment of the present invention
As shown in FIG. 1, the non-magnetic substrate 2, the lower magnetic layer 3 laminated on the non-magnetic substrate 2, and the lower magnetic layer 3 are
It comprises a lower insulating layer 4 laminated on top and an MR element 5 provided on this lower insulating layer 4. Also, the MR head 1 includes an intermediate insulating layer 6 laminated on a region a of the MR element 5 excluding the front end portion 5C and the rear end portion 5D, a bias conductor 7 provided on the intermediate insulating layer 6, and an MR A rear end electrode 8 connected to the rear end portion 5D of the element 5 and provided over the rear end portion 5D of the MR element 5 and the lower insulating layer 4, and is laminated on the bias conductor 7 and the rear end electrode 8. And an upper insulating layer 9. Further, the MR head 1 is connected to the front end portion 5C of the MR element 5 and is provided on the front end portion 5C of the MR element 5 and over the upper insulating layer 9, and is laminated on the front end electrode 10. The upper magnetic layer 11 and the protective layer 12 laminated on the upper magnetic layer 11.

【0012】非磁性基板2は、セラミクスやガラス等に
より形成されている。保護層12は、非磁性及び非導電
性を有するAl2 3 やSiO2 等により形成されてい
る。
The nonmagnetic substrate 2 is made of ceramics, glass or the like. The protective layer 12 is made of non-magnetic and non-conductive Al 2 O 3 or SiO 2 .

【0013】下部磁性層3及び上部磁性層11は、Fe
−Al−Si、Ni−Fe等の磁性材料によりなる磁気
シールド磁性膜である。下部磁性層3及び上部磁性層1
1は、磁気記録媒体20からの信号磁界のうち再生対象
以外の磁界を引き込んで、MR素子5に再生対象だけの
磁界を引き込ませる。上部絶縁層9、中間絶縁層6及び
下部絶縁層4は、Al2 3 やSiO2 等により形成さ
れている。下部磁性層3は、後述するMR素子5の有効
感磁部に対応した位置に溝部13が形成されるととも
に、この溝部13内に熱伝導性に優れた非磁性材14が
埋め込まれている。非磁性材14としては、Al2 3
やTi或はTa等の非磁性金属を用いることが好適であ
り、熱伝導性に優れた非磁性材14であれば非金属を用
いても好ましい。
The lower magnetic layer 3 and the upper magnetic layer 11 are made of Fe.
A magnetic shield magnetic film made of a magnetic material such as -Al-Si and Ni-Fe. Lower magnetic layer 3 and upper magnetic layer 1
1 draws in a magnetic field of the signal magnetic field from the magnetic recording medium 20 other than the reproduction target, and causes the MR element 5 to draw only the reproduction target magnetic field. The upper insulating layer 9, the intermediate insulating layer 6, and the lower insulating layer 4 are formed of Al 2 O 3 , SiO 2, or the like. In the lower magnetic layer 3, a groove portion 13 is formed at a position corresponding to an effective magnetic sensing portion of the MR element 5 described later, and a nonmagnetic material 14 having excellent thermal conductivity is embedded in the groove portion 13. As the non-magnetic material 14, Al 2 O 3 is used.
It is preferable to use a non-magnetic metal such as Ti, Ta or Ta, and it is also preferable to use a non-metal as long as the non-magnetic material 14 has excellent thermal conductivity.

【0014】MR素子5は、Fe−Al−Si、Ni−
Fe等の磁性材料により形成されている。MR素子5
は、長手方向が磁気記録媒体20との対向面、即ち磁気
記録媒体20走行面と垂直になるように配置されてい
る。MR素子5は、一方の端面が当該磁気記録媒体20
走行面に露出されたかたちとされている。
The MR element 5 comprises Fe-Al-Si and Ni-
It is made of a magnetic material such as Fe. MR element 5
Are arranged such that the longitudinal direction is perpendicular to the surface facing the magnetic recording medium 20, that is, the running surface of the magnetic recording medium 20. One end face of the MR element 5 is the magnetic recording medium 20.
It is said to be exposed on the running surface.

【0015】前端電極10及び後端電極8は、Cu等の
非磁性金属で形成されている。前端電極10及び後端電
極8は、MR素子5の両端部5C、5Dにそれぞれ電気
的に接続された一対の電極とされ、MR素子5を挟持し
ている。前端電極10及び後端電極8の間には、MR素
子5の長手方向に沿ってセンス電流が供給される。磁気
記録媒体20からの信号磁界によるMR素子5の抵抗変
化は、前端電極10及び後端電極8の間の電圧変化とし
て検出される。
The front end electrode 10 and the rear end electrode 8 are formed of a non-magnetic metal such as Cu. The front end electrode 10 and the rear end electrode 8 are a pair of electrodes electrically connected to both ends 5C and 5D of the MR element 5, respectively, and sandwich the MR element 5. A sense current is supplied between the front end electrode 10 and the rear end electrode 8 along the longitudinal direction of the MR element 5. The resistance change of the MR element 5 due to the signal magnetic field from the magnetic recording medium 20 is detected as a voltage change between the front end electrode 10 and the rear end electrode 8.

【0016】MR素子5は、前端電極10に接続された
前端部5Cと後端電極8に接続された後端部5Dとの間
の領域aが磁気抵抗効果を生じる有効感磁部となってい
る。また、MR素子5は、有効感磁部を除く他の領域
b、すなわち、前端電極10に接続された前端部5Cと
後端電極8に接続された後端部5Dとが磁気抵抗効果を
妨げる不感磁部となっており、この前端部5Cの不感磁
部をギャップデプス部としている。MR素子5のギャッ
プデプス部は、有効感磁部の厚さ寸法dより約2倍大と
された厚さ寸法cを有している。また、MR素子5のギ
ャップデプス部は、有効感磁部の厚さ寸法dより略2倍
大とされた厚さ寸法cを有するために2層構造とされて
もよい。
In the MR element 5, a region a between a front end portion 5C connected to the front end electrode 10 and a rear end portion 5D connected to the rear end electrode 8 serves as an effective magnetic sensing portion which produces a magnetoresistive effect. There is. In the MR element 5, the region b other than the effective magnetic sensitive portion, that is, the front end portion 5C connected to the front end electrode 10 and the rear end portion 5D connected to the rear end electrode 8 prevent the magnetoresistive effect. It is a non-magnetic portion, and the non-magnetic portion of the front end portion 5C is a gap depth portion. The gap depth portion of the MR element 5 has a thickness dimension c that is about twice as large as the thickness dimension d of the effective magnetic sensing portion. The gap depth portion of the MR element 5 may have a two-layer structure because it has a thickness dimension c that is approximately twice as large as the thickness dimension d of the effective magnetic sensing portion.

【0017】バイアス導体7は、前端電極10及び後端
電極8の間のMR素子5の抵抗変化が検出される際に、
電流が流されMR素子5に対して所定のバイアス磁界を
印加する。このため、MR素子5は、バイアス導体7に
より抵抗変化の検出を容易にされ、より高い磁気抵抗効
果を生じた状態で前端電極10及び後端電極8に検出さ
れる。
The bias conductor 7 receives the change in resistance of the MR element 5 between the front end electrode 10 and the rear end electrode 8 when it is detected.
A current is passed and a predetermined bias magnetic field is applied to the MR element 5. Therefore, in the MR element 5, the resistance change is easily detected by the bias conductor 7, and the MR element 5 is detected by the front end electrode 10 and the rear end electrode 8 in a state where a higher magnetoresistive effect is generated.

【0018】以上のように構成された実施の形態MRヘ
ッド1は、MR素子5に対して前端電極10及び後端電
極8からセンス電流を供給する。MRヘッド1は、MR
素子5のギャップデプス部である前端部5Cで磁気的飽
和を生じずに、磁気記録媒体20からの信号磁界が妨げ
られることなく有効感磁部まで入力される。
The MR head 1 of the embodiment configured as described above supplies a sense current to the MR element 5 from the front end electrode 10 and the rear end electrode 8. MR head 1 is an MR
The signal magnetic field from the magnetic recording medium 20 is input to the effective magnetic sensing section without being disturbed by the magnetic saturation at the front end portion 5C which is the gap depth portion of the element 5.

【0019】MRヘッド1は、磁気記録媒体20からの
信号磁界を上記MR素子5が入力すると、この信号磁界
により上記MR素子5の磁化の向きが反転され、MR素
子5内部に流れるセンス電流の向きに対して磁性量に応
じた角度をもつようになる。このため、MRヘッド1
は、MR素子5の電気抵抗値が変化し、図2に示すよう
に、電気抵抗値Rの外部磁界依存性が曲線で表される。
In the MR head 1, when a signal magnetic field from the magnetic recording medium 20 is input to the MR element 5, the direction of magnetization of the MR element 5 is reversed by the signal magnetic field, and a sense current flowing inside the MR element 5 is generated. It has an angle corresponding to the magnetic amount with respect to the direction. Therefore, the MR head 1
2, the electric resistance value of the MR element 5 changes, and as shown in FIG. 2, the external magnetic field dependence of the electric resistance value R is represented by a curve.

【0020】上記MR素子5は、駆動される際に、先
ず、外部磁界に対する線形性に優れ且つ最も電気抵抗値
Rの変化の大きい動作点Pの箇所まで予めバイアス磁界
Hbが加えられる。このときMR素子5では、磁気記録
媒体20から信号磁界ΔHsが入力されると、この信号
磁界ΔHsが抵抗変化ΔRsに変換される。この抵抗変
化ΔRsは、MR素子5に所定のセンス電流Isを流し
ておけば、オームの法則:ΔVs=ΔRs×Isに基づ
いて出力電圧ΔVsとして取り出されることになる。
When the MR element 5 is driven, first, a bias magnetic field Hb is applied in advance to a position of an operating point P which is excellent in linearity with respect to an external magnetic field and has the largest change in electric resistance R. At this time, in the MR element 5, when the signal magnetic field ΔHs is input from the magnetic recording medium 20, the signal magnetic field ΔHs is converted into a resistance change ΔRs. This resistance change ΔRs can be extracted as an output voltage ΔVs based on Ohm's law: ΔVs = ΔRs × Is if a predetermined sense current Is is passed through the MR element 5.

【0021】MRヘッド1は、MR素子5の電気抵抗値
の変化量に応じて生じる前端電極10及び後端電極8の
間の電圧変化が検出される。したがって、MRヘッド1
は、この電圧変化を電圧信号として再生出力を得る。
The MR head 1 detects a voltage change between the front end electrode 10 and the rear end electrode 8 which occurs according to the amount of change in the electric resistance value of the MR element 5. Therefore, the MR head 1
Produces a reproduction output by using this voltage change as a voltage signal.

【0022】上述した実施の形態MRヘッド1によれ
ば、MR素子5のギャップデプス部の厚さ寸法cが有効
感磁部の厚さ寸法dより大とされたことにより、磁気的
飽和が防止され、MR素子5の有効感磁部に入力する信
号磁界の強度の増大化が図られる。したがって、MRヘ
ッド1は、磁気記録媒体20からの信号磁界の入力感度
の向上が図られ、再生出力の向上が図られる。
According to the MR head 1 of the above-described embodiment, the thickness dimension c of the gap depth portion of the MR element 5 is made larger than the thickness dimension d of the effective magnetic sensitive portion, so that magnetic saturation is prevented. As a result, the strength of the signal magnetic field input to the effective magnetic sensing section of the MR element 5 is increased. Therefore, in the MR head 1, the input sensitivity of the signal magnetic field from the magnetic recording medium 20 is improved, and the reproduction output is improved.

【0023】上述した実施の形態MRヘッド1の第1乃
至第4の製造方法について詳細に説明する。上記MRヘ
ッド1を製造する第1の製造方法は、まず、図3に示す
ように、非磁性基板2上に下部磁性層3を積層する。そ
の後、下部磁性層3の表面に、フォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィー技術により所定形状のレジス
トマスクを形成する。そして、このレジストマスクに形
成されたパターンに倣って下部磁性層3をエッチングす
ることにより、MR素子5の有効感磁部に対応する位置
に溝部13を形成する。その後、溝部13内に非磁性材
14をスパッタ法等の真空薄膜形成技術により充填成膜
する。
The first to fourth manufacturing methods of the MR head 1 of the above-described embodiment will be described in detail. In the first manufacturing method for manufacturing the MR head 1, first, as shown in FIG. 3, the lower magnetic layer 3 is laminated on the non-magnetic substrate 2. After that, a photoresist is applied to the surface of the lower magnetic layer 3 and a resist mask having a predetermined shape is formed by photolithography. Then, the lower magnetic layer 3 is etched in accordance with the pattern formed on the resist mask to form the groove portion 13 at a position corresponding to the effective magnetic sensitive portion of the MR element 5. After that, the non-magnetic material 14 is filled and formed in the groove 13 by a vacuum thin film forming technique such as a sputtering method.

【0024】次に、この下部磁性層3及び非磁性材14
上に下部絶縁層4を積層する。ここで、下部絶縁層4
は、後工程で配設するMR素子5の下部を電気的に絶縁
するとともに、MR素子5の下部に磁気的ギャップを形
成する。そして、図4に示すように、下部絶縁層4上に
第1のMR素子5Aを設ける。
Next, the lower magnetic layer 3 and the non-magnetic material 14 are formed.
The lower insulating layer 4 is laminated on top. Here, the lower insulating layer 4
Electrically insulates the lower part of the MR element 5 to be arranged in a later step and forms a magnetic gap under the MR element 5. Then, as shown in FIG. 4, the first MR element 5A is provided on the lower insulating layer 4.

【0025】次に、図5に示すように、第1のMR素子
5Aの表面に、レジスト18を塗布し、フォトリソグラ
フィー技術によりレジスト18に溝部19を形成する。
そして、図6に示すように、このレジスト18の表面に
第2のMR素子5Bをスパッタ法等の真空薄膜形成技術
により充填成膜する。その後、図7に示すように、リフ
トオフ法により、レジスト18及び第2のMR素子5B
をエッチングする。
Next, as shown in FIG. 5, a resist 18 is applied to the surface of the first MR element 5A, and a groove portion 19 is formed in the resist 18 by a photolithography technique.
Then, as shown in FIG. 6, the second MR element 5B is filled and formed on the surface of the resist 18 by a vacuum thin film forming technique such as a sputtering method. After that, as shown in FIG. 7, the resist 18 and the second MR element 5B are formed by the lift-off method.
Is etched.

【0026】そして、図8に示すように、MR素子5上
に中間絶縁層6を積層し、図9に示すように、MR素子
5の前端部5C上の中間絶縁層6をエッチングしてMR
素子5の前端部5Cが露出する溝部15を設ける。さら
に、図10に示すように、中間絶縁層6及びMR素子5
をエッチングする。
Then, as shown in FIG. 8, an intermediate insulating layer 6 is laminated on the MR element 5, and as shown in FIG. 9, the intermediate insulating layer 6 on the front end portion 5C of the MR element 5 is etched to form an MR.
A groove 15 is provided to expose the front end 5C of the element 5. Further, as shown in FIG. 10, the intermediate insulating layer 6 and the MR element 5 are
Is etched.

【0027】次に、図11に示すように、中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の後端部5Dが露出する接
続孔16を設ける。そして、図12に示すように、この
接続孔16を通じてMR素子5の後端部5Dと接続する
ように、中間絶縁層6及び下部絶縁層4上に後端電極8
を設ける。また、中間絶縁層6上にバイアス導体7を設
ける。
Next, as shown in FIG. 11, the intermediate insulating layer 6
Is etched to form a connection hole 16 through which the rear end 5D of the MR element 5 is exposed. Then, as shown in FIG. 12, the rear end electrode 8 is formed on the intermediate insulating layer 6 and the lower insulating layer 4 so as to be connected to the rear end portion 5D of the MR element 5 through the connection hole 16.
Is provided. Further, the bias conductor 7 is provided on the intermediate insulating layer 6.

【0028】次に、図13に示すように、これら後端電
極8及びバイアス導体7上に上部絶縁層9を積層し、図
14に示すように、この上部絶縁層9及び中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の前端部5Cが露出する接
続孔17を設ける。その後、図15に示すように、この
接続孔17を通じてMR素子5の前端部5Cと接続する
ように、上部絶縁層9上に前端電極10を設ける。
Next, as shown in FIG. 13, an upper insulating layer 9 is laminated on the rear end electrode 8 and the bias conductor 7, and as shown in FIG. 14, the upper insulating layer 9 and the intermediate insulating layer 6 are stacked.
Is etched to form a connection hole 17 through which the front end portion 5C of the MR element 5 is exposed. Thereafter, as shown in FIG. 15, a front end electrode 10 is provided on the upper insulating layer 9 so as to be connected to the front end portion 5C of the MR element 5 through the connection hole 17.

【0029】次に、図16に示すように、この前端電極
10上に上部磁性層11を積層し、この上部磁性層11
上に保護層12を積層する。以上の工程の後、所定の形
状に切り出すことによって、MRヘッド1が完成する。
なお、このMRヘッド1は、再生専用磁気ヘッドである
が、記録再生用磁気ヘッドとするために、さらに記録用
のインダクティブヘッドを積層しても良い。
Next, as shown in FIG. 16, an upper magnetic layer 11 is laminated on the front end electrode 10, and the upper magnetic layer 11 is formed.
The protective layer 12 is laminated on top. After the above steps, the MR head 1 is completed by cutting into a predetermined shape.
The MR head 1 is a read-only magnetic head, but an inductive head for recording may be further stacked in order to serve as a read / write magnetic head.

【0030】上記MRヘッド1を製造する第2の製造方
法は、まず、第1の製造方法と同様に、図2乃至図4に
示すように、非磁性基板2上に下部磁性層3、非磁性材
14、下部絶縁層4を順次に積層し、下部絶縁層4上に
第1のMR素子5Aを設ける。そして、図17に示すよ
うに、この第1のMR素子5A上に中間絶縁層6を積層
する。
In the second manufacturing method for manufacturing the MR head 1, first, as in the first manufacturing method, as shown in FIGS. 2 to 4, the lower magnetic layer 3 and the non-magnetic layer 3 are formed on the non-magnetic substrate 2. The magnetic material 14 and the lower insulating layer 4 are sequentially laminated, and the first MR element 5A is provided on the lower insulating layer 4. Then, as shown in FIG. 17, the intermediate insulating layer 6 is laminated on the first MR element 5A.

【0031】次に、図18に示すように、中間絶縁層6
をエッチングして第1のMR素子5Aの前端部5Cが露
出する溝部15を設ける。その後、第1のMR素子5A
の露出した前端部5C上及び中間絶縁層6上に第2のM
R素子5Bを設け、図19に示すように、中間絶縁層6
上の第2のMR素子5Bをエッチングする。
Next, as shown in FIG. 18, the intermediate insulating layer 6
Is etched to form a groove portion 15 in which the front end portion 5C of the first MR element 5A is exposed. Then, the first MR element 5A
Of the second M on the exposed front end portion 5C and on the intermediate insulating layer 6 of
The R element 5B is provided, and as shown in FIG.
The upper second MR element 5B is etched.

【0032】次に、第1の製造方法と同様に、図10乃
至図16に示すように、後端電極8及びバイアス導体7
を設け、上部絶縁層9を積層し、前端電極10を設け、
上部磁性層11及び保護層12を積層する。以上の工程
の後、所定の形状に切り出すことによって、MRヘッド
1が完成する。なお、このMRヘッド1は、再生専用磁
気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとするため
に、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層しても
良い。
Next, as in the first manufacturing method, as shown in FIGS. 10 to 16, the rear end electrode 8 and the bias conductor 7 are formed.
Is provided, the upper insulating layer 9 is laminated, the front end electrode 10 is provided,
The upper magnetic layer 11 and the protective layer 12 are laminated. After the above steps, the MR head 1 is completed by cutting into a predetermined shape. The MR head 1 is a read-only magnetic head, but an inductive head for recording may be further stacked in order to serve as a read / write magnetic head.

【0033】上記MRヘッド1を製造する第3の製造方
法は、まず、第2の製造方法と同様に、図17に示すよ
うに、非磁性基板2上に下部磁性層3、非磁性材14、
下部絶縁層4を順次に積層し、第1のMR素子5Aを設
け、中間絶縁層6を積層する。
In the third manufacturing method for manufacturing the MR head 1, first, as in the second manufacturing method, as shown in FIG. 17, the lower magnetic layer 3 and the nonmagnetic material 14 are formed on the nonmagnetic substrate 2. ,
The lower insulating layer 4 is sequentially laminated, the first MR element 5A is provided, and the intermediate insulating layer 6 is laminated.

【0034】次に、図20に示すように、この中間絶縁
層6及び第1のMR素子5Aをエッチングし、さらに図
21に示すように、中間絶縁層6をエッチングして第1
のMR素子5Aの前端部5Cが露出する溝部15を設け
る。その後、図22に示すように、第1のMR素子5A
の露出した前端部5C上及び中間絶縁層6上に第2のM
R素子5Bを設け、図23に示すように、中間絶縁層6
上の第2のMR素子5Bをエッチングする。
Next, as shown in FIG. 20, the intermediate insulating layer 6 and the first MR element 5A are etched, and as shown in FIG. 21, the intermediate insulating layer 6 is etched to form the first MR element 5A.
The groove 15 is formed so that the front end 5C of the MR element 5A is exposed. Then, as shown in FIG. 22, the first MR element 5A
Of the second M on the exposed front end portion 5C and on the intermediate insulating layer 6 of
The R element 5B is provided, and as shown in FIG.
The upper second MR element 5B is etched.

【0035】次に、第1の製造方法と同様に、図11乃
至図16に示すように、後端電極8及びバイアス導体7
を設け、上部絶縁層9を積層し、前端電極10を設け、
上部磁性層11及び保護層12を積層する。以上の工程
の後、所定の形状に切り出すことによって、MRヘッド
1が完成する。なお、このMRヘッド1は、再生専用磁
気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとするため
に、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層しても
良い。
Next, as in the first manufacturing method, as shown in FIGS. 11 to 16, the rear end electrode 8 and the bias conductor 7 are formed.
Is provided, the upper insulating layer 9 is laminated, the front end electrode 10 is provided,
The upper magnetic layer 11 and the protective layer 12 are laminated. After the above steps, the MR head 1 is completed by cutting into a predetermined shape. The MR head 1 is a read-only magnetic head, but an inductive head for recording may be further stacked in order to serve as a read / write magnetic head.

【0036】上記MRヘッド1を製造する第4の製造方
法は、まず、第1の製造方法と同様に、図3に示すよう
に、非磁性基板2上に下部磁性層3、非磁性材14、下
部絶縁層4を順次に積層する。次に、図25に示すよう
に、下部絶縁層4上にMR素子5を設け、図26に示す
ように、MR素子5における前端部5Cを除く他の領域
の厚さ寸法の約1/2程度をエッチングする。
In the fourth manufacturing method for manufacturing the MR head 1, first, as in the first manufacturing method, as shown in FIG. 3, the lower magnetic layer 3 and the nonmagnetic material 14 are formed on the nonmagnetic substrate 2. , The lower insulating layer 4 is sequentially laminated. Next, as shown in FIG. 25, the MR element 5 is provided on the lower insulating layer 4, and as shown in FIG. 26, about half the thickness of the MR element 5 except for the front end portion 5C. Etching degree.

【0037】次に、第1の製造方法と同様に、図8乃至
図16に示すように、中間絶縁層6を積層し、後端電極
8及びバイアス導体7を設け、上部絶縁層9を積層し、
前端電極10を設け、上部磁性層11及び保護層12を
積層する。以上の工程の後、所定の形状に切り出すこと
によって、MRヘッド1が完成する。なお、このMRヘ
ッド1は、再生専用磁気ヘッドであるが、記録再生用磁
気ヘッドとするために、さらに記録用のインダクティブ
ヘッドを積層しても良い。
Next, as in the first manufacturing method, as shown in FIGS. 8 to 16, the intermediate insulating layer 6 is laminated, the rear end electrode 8 and the bias conductor 7 are provided, and the upper insulating layer 9 is laminated. Then
The front electrode 10 is provided, and the upper magnetic layer 11 and the protective layer 12 are laminated. After the above steps, the MR head 1 is completed by cutting into a predetermined shape. The MR head 1 is a read-only magnetic head, but an inductive head for recording may be further stacked in order to serve as a read / write magnetic head.

【0038】本発明の他の実施の形態として示すMRヘ
ッド30は、図26乃至図32に示すように、基本的な
構成を実施の形態MRヘッド1と同様とし、以下の説明
において、実施の形態MRヘッド1と同一部材、同一構
成部について、同一符号を付すことにより説明を省略す
る。
An MR head 30 shown as another embodiment of the present invention has a basic structure similar to that of the MR head 1 of the embodiment, as shown in FIGS. 26 to 32. The same members and the same components as those of the form MR head 1 are designated by the same reference numerals and the description thereof is omitted.

【0039】MR素子5は、図26に示すように、ギャ
ップデプス部が、有効感磁部の厚さ寸法dと略等しい厚
さ寸法cを有している。前端電極10は、Fe−Al−
Si、Ni−Fe等の磁性金属により形成されている。
また、前端電極10と上部磁性層11との間には、Ti
或はTa等の非磁性金属からなる金属ギャップ31が設
けられている。
In the MR element 5, as shown in FIG. 26, the gap depth portion has a thickness dimension c substantially equal to the thickness dimension d of the effective magnetic sensitive portion. The front end electrode 10 is made of Fe-Al-
It is made of a magnetic metal such as Si or Ni-Fe.
In addition, Ti is formed between the front electrode 10 and the upper magnetic layer 11.
Alternatively, a metal gap 31 made of a non-magnetic metal such as Ta is provided.

【0040】上述した他の実施の形態MRヘッド30に
よれば、磁性金属よりなる前端電極10がMR素子5の
ギャップデプス部上に設けられたことにより、磁気的飽
和が防止され、MR素子5の有効感磁部に入力する信号
磁界の強度の増大化が図られる。したがって、MRヘッ
ド30は、磁気記録媒体20からの信号磁界の入力感度
の向上が図られ、再生出力の向上が図られる。
According to the MR head 30 of another embodiment described above, since the front end electrode 10 made of magnetic metal is provided on the gap depth portion of the MR element 5, magnetic saturation is prevented and the MR element 5 is prevented. It is possible to increase the strength of the signal magnetic field input to the effective magnetic sensing unit. Therefore, in the MR head 30, the input sensitivity of the signal magnetic field from the magnetic recording medium 20 is improved, and the reproduction output is improved.

【0041】上述した他の実施の形態MRヘッド30の
製造方法について詳細に説明する。上記MRヘッド30
を製造する製造方法は、まず、MRヘッド1の第3の製
造方法と同様に、図20及び図21に示すように、非磁
性基板2上に下部磁性層3、非磁性材14、下部絶縁層
4を順次に積層し、MR素子5を設け、中間絶縁層6を
積層し、中間絶縁層6にMR素子5の前端部5Cが露出
する溝部15を設ける。
A method of manufacturing the MR head 30 of the other embodiment described above will be described in detail. The MR head 30
First, as in the third manufacturing method of the MR head 1, as shown in FIGS. 20 and 21, the lower magnetic layer 3, the nonmagnetic material 14, and the lower insulating layer are formed on the nonmagnetic substrate 2. The layers 4 are sequentially laminated, the MR element 5 is provided, the intermediate insulating layer 6 is laminated, and the groove portion 15 exposing the front end portion 5C of the MR element 5 is provided in the intermediate insulating layer 6.

【0042】次に、図27に示すように、中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の後端部5Dが露出する接
続孔16を設ける。そして、図28に示すように、この
接続孔16を通じてMR素子5の後端部5Dと接続する
ように、中間絶縁層6及び下部絶縁層4上に後端電極8
を設ける。また、中間絶縁層6上にバイアス導体7を設
ける。
Next, as shown in FIG. 27, the intermediate insulating layer 6
Is etched to form a connection hole 16 through which the rear end 5D of the MR element 5 is exposed. Then, as shown in FIG. 28, the rear end electrode 8 is formed on the intermediate insulating layer 6 and the lower insulating layer 4 so as to be connected to the rear end portion 5D of the MR element 5 through the connection hole 16.
Is provided. Further, the bias conductor 7 is provided on the intermediate insulating layer 6.

【0043】次に、図29に示すように、これら後端電
極8及びバイアス導体7上に上部絶縁層9を積層し、図
30に示すように、この上部絶縁層9及び中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の前端部5Cが露出する接
続孔17を設ける。その後、図31に示すように、この
接続孔17を通じてMR素子5の前端部5Cと接続する
ように、上部絶縁層9上に前端電極10を設ける。
Next, as shown in FIG. 29, an upper insulating layer 9 is laminated on the rear end electrode 8 and the bias conductor 7, and as shown in FIG. 30, the upper insulating layer 9 and the intermediate insulating layer 6 are stacked.
Is etched to form a connection hole 17 through which the front end portion 5C of the MR element 5 is exposed. Thereafter, as shown in FIG. 31, a front end electrode 10 is provided on the upper insulating layer 9 so as to be connected to the front end portion 5C of the MR element 5 through the connection hole 17.

【0044】次に、図32に示すように、この前端電極
10上に金属ギャップ31を設け、この金属ギャップ3
1上に上部磁性層11、保護層12を順次積層する。以
上の工程の後、所定の形状に切り出すことによって、M
Rヘッド1が完成する。なお、このMRヘッド1は、再
生専用磁気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとす
るために、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層
しても良い。
Next, as shown in FIG. 32, a metal gap 31 is provided on the front end electrode 10, and the metal gap 3 is formed.
An upper magnetic layer 11 and a protective layer 12 are sequentially stacked on the first layer 1. After the above steps, by cutting into a predetermined shape, M
The R head 1 is completed. The MR head 1 is a read-only magnetic head, but an inductive head for recording may be further stacked in order to serve as a read / write magnetic head.

【0045】[0045]

【発明の効果】上述したように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子の前端電極が設けら
れた領域の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法より大とさ
れたことにより、磁気的飽和が防止され、磁気抵抗効果
素子の有効感磁部に入力する信号磁界の強度の増大化が
図られる。したがって、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒
体からの信号磁界の入力感度の向上が図られ、再生出力
の向上が図られる。
As described above, according to the thin film magnetic head of the present invention, the thickness of the region where the front end electrode of the magnetoresistive effect element is provided is made larger than the thickness of the effective magnetic sensitive portion. As a result, magnetic saturation is prevented, and the strength of the signal magnetic field input to the effective magnetic sensing section of the magnetoresistive effect element is increased. Therefore, in the thin-film magnetic head, the input sensitivity of the signal magnetic field from the magnetic recording medium is improved, and the reproduction output is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る実施の形態MRヘッドを示す要部
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of essential parts showing an MR head according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記従来のMR素子のMR特性を示す特性図で
ある。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing an MR characteristic of the conventional MR element.

【図3】第1の製造方法において、非磁性基板上に下部
磁性層、非磁性材及び下部絶縁層を積層した状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head showing a state in which a lower magnetic layer, a non-magnetic material and a lower insulating layer are laminated on a non-magnetic substrate in the first manufacturing method.

【図4】下部絶縁層上にMR素子を設けた状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an essential part of the MR head showing a state where an MR element is provided on a lower insulating layer.

【図5】第1のMR素子上にレジストを塗布した状態を
示す上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a resist is applied on the first MR element.

【図6】第1のMR素子上に第2のMR素子を設けた状
態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a second MR element is provided on the first MR element.

【図7】第2のMR素子をエッチングした状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a second MR element is etched.

【図8】MR素子上に中間絶縁層を積層した状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which an intermediate insulating layer is laminated on the MR element.

【図9】MR素子の前端部が露出する接続孔を設けた状
態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of an essential part of the MR head, showing a state in which a connection hole exposing the front end of the MR element is provided.

【図10】中間絶縁層及びMR素子をエッチングした状
態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of an essential part of the MR head, showing a state where the intermediate insulating layer and the MR element are etched.

【図11】中間絶縁層をエッチングしてMR素子の後端
部が露出する接続孔を設けた状態を示す上記MRヘッド
の要部断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view of an essential part of the MR head, showing a state in which a connection hole exposing the rear end of the MR element is provided by etching the intermediate insulating layer.

【図12】中間絶縁層及び下部絶縁層上に後端電極を設
け、中間絶縁層上にバイアス導体を設けた状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a rear end electrode is provided on the intermediate insulating layer and the lower insulating layer, and a bias conductor is provided on the intermediate insulating layer.

【図13】後端電極及びバイアス導体上に上部絶縁層を
積層した状態を示す上記MRヘッドの要部断面図であ
る。
FIG. 13 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which an upper insulating layer is laminated on the rear end electrode and the bias conductor.

【図14】上部絶縁層及び中間絶縁層をエッチングして
MR素子の前端部が露出する接続孔を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which an upper insulating layer and an intermediate insulating layer are etched to form a connection hole exposing the front end of the MR element.

【図15】上部絶縁層上に前端電極を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view of an essential part of the MR head showing a state in which a front end electrode is provided on the upper insulating layer.

【図16】前端電極上に上部磁性層、保護層を積層した
状態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which an upper magnetic layer and a protective layer are laminated on the front end electrode.

【図17】第2の製造方法において、下部絶縁層上に第
1のMR素子を設け、中間絶縁層を積層した状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a first MR element is provided on a lower insulating layer and an intermediate insulating layer is laminated in the second manufacturing method.

【図18】第1のMR素子の前端部が露出する溝部を設
け、第1のMR素子の前端部上に第2のMR素子を設け
た状態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 18 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a groove portion exposing the front end portion of the first MR element is provided and a second MR element is provided on the front end portion of the first MR element. .

【図19】第2のMR素子をエッチングした状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which the second MR element is etched.

【図20】第3の製造方法において、中間絶縁層及び第
1のMR素子をエッチングした状態を示す上記MR素子
の要部断面図である。
FIG. 20 is a fragmentary cross-sectional view of the MR element showing a state where the intermediate insulating layer and the first MR element are etched in the third manufacturing method.

【図21】第1のMR素子の前端部が露出する溝部を設
けた状態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 21 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a groove portion exposing the front end portion of the first MR element is provided.

【図22】第1のMR素子の前端部上に第2のMR素子
を設けた状態を示す上記MRヘッドの要部断面図であ
る。
FIG. 22 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a second MR element is provided on the front end of the first MR element.

【図23】第2のMR素子をエッチングした状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 23 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which the second MR element is etched.

【図24】第4の製造方法において、下部絶縁層上にM
R素子を設けた状態を示す上記MRヘッドの要部断面図
である。
FIG. 24 is a plan view of the fourth manufacturing method, in which M is formed on the lower insulating layer
FIG. 6 is a cross-sectional view of a main part of the MR head showing a state where an R element is provided.

【図25】MR素子をエッチングした状態を示す上記M
Rヘッドの要部断面図である。
FIG. 25 is the above M showing a state in which the MR element is etched.
It is a principal part sectional view of an R head.

【図26】本発明に係る他の実施の形態MRヘッドを示
す要部断面図である。
FIG. 26 is a cross-sectional view of essential parts showing an MR head according to another embodiment of the invention.

【図27】中間絶縁層をエッチングしてMR素子の後端
部が露出する接続孔を設けた状態を示す上記MRヘッド
の要部断面図である。
FIG. 27 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a connection hole exposing the rear end of the MR element is provided by etching the intermediate insulating layer.

【図28】中間絶縁層及び下部絶縁層上に後端電極を設
け、中間絶縁層上にバイアス導体を設けた状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 28 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a rear end electrode is provided on the intermediate insulating layer and the lower insulating layer, and a bias conductor is provided on the intermediate insulating layer.

【図29】後端電極及びバイアス導体上に上部絶縁層を
積層した状態を示す上記MRヘッドの要部断面図であ
る。
FIG. 29 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which an upper insulating layer is laminated on the rear end electrode and the bias conductor.

【図30】上部絶縁層及び中間絶縁層をエッチングして
MR素子の前端部が露出する接続孔を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 30 is a cross-sectional view of an essential part of the MR head, showing a state where the upper insulating layer and the intermediate insulating layer are etched to form a connection hole exposing the front end of the MR element.

【図31】上部絶縁層上に前端電極を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
FIG. 31 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a front end electrode is provided on the upper insulating layer.

【図32】前端電極上に金属ギャップ、上部磁性層、保
護層を積層した状態を示す上記MRヘッドの要部断面図
である。
FIG. 32 is a cross-sectional view of essential parts of the MR head, showing a state in which a metal gap, an upper magnetic layer, and a protective layer are stacked on the front end electrode.

【図33】従来のMR素子を示す要部断面図である。FIG. 33 is a cross-sectional view of essential parts showing a conventional MR element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 MRヘッド 3 下部磁性層 5 MR素子 8 後端電極 10 前端電極 11 上部磁性層 20 磁気記録媒体 a MR素子の前端電極と後端電極とにより狭持された
領域 b MR素子の前端電極が設けられた領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 MR head 3 Lower magnetic layer 5 MR element 8 Rear end electrode 10 Front end electrode 11 Upper magnetic layer 20 Magnetic recording medium a Region sandwiched by front end electrode and rear end electrode of MR element b Front end electrode of MR element is provided Area

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 長手方向が磁気記録媒体の走行方向と略
々直交するように設けられた磁気抵抗効果素子と、 この磁気抵抗効果素子の長手方向両端部にそれぞれ設け
られた前端電極及び後端電極と、 磁気抵抗効果素子、前端電極及び後端電極を挟持する上
部磁性層と下部磁性層とを備え、 上記磁気抵抗効果素子は、前端電極と後端電極とにより
狭持された領域が有効感磁部とされ、前端電極が設けら
れた領域の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法より大とさ
れたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
1. A magnetoresistive effect element provided so that its longitudinal direction is substantially orthogonal to a running direction of a magnetic recording medium, and front end electrodes and rear ends provided at both longitudinal ends of the magnetoresistive effect element. An electrode, a magnetoresistive effect element, and an upper magnetic layer and a lower magnetic layer that sandwich the front end electrode and the rear end electrode, respectively.The magnetoresistive effect element has an effective region sandwiched by the front end electrode and the rear end electrode. A thin-film magnetic head, characterized in that the thickness of the region where the front end electrode is provided is set to be larger than the thickness of the effective magnetic sensing part.
【請求項2】 磁気抵抗効果素子は、前端電極が設けら
れた領域が2層構造とされたことを特徴とする請求項1
に記載の薄膜磁気ヘッド。
2. The magnetoresistive effect element is characterized in that the region where the front end electrode is provided has a two-layer structure.
2. The thin-film magnetic head according to 1.
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