JP2003036511A

JP2003036511A - 磁気検出素子及びその製造方法、磁気ヘッド

Info

Publication number: JP2003036511A
Application number: JP2001217033A
Authority: JP
Inventors: Takashi Takahata; 宇士高畠; Kenichi Hoshino; 健一星野
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2001-05-01
Filing date: 2001-07-17
Publication date: 2003-02-07
Anticipated expiration: 2021-07-17
Also published as: JP3920053B2

Abstract

(57)【要約】【課題】製造過程において基板と下部シールド層、磁気
抵抗素子、上部シールド層間での電位差の発生を防止し
た磁気検出素子及びその製造方法、磁気ヘッドを得る。【解決手段】基板（ウェハ）１に、下部シールド層１１
と、下部ギャップ層（図示略）と、磁気抵抗効果を発揮
する磁気抵抗素子２と、上層ギャップ層（図示略）と、
上部シールド層１６とを有している。磁気抵抗素子２の
両端部に接合して対をなす端子部（３１、３２）が設け
られ、該端子部（３１、３２）は下部シールド層１１の
一部１１ａ、或いは上部シールド層１６の一部１６ａに
電気的に接続され、さらに下部シールド部１１の一部１
１ａが導電性を有する基板１の一部１ａに電気的に接続
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、例えば、磁気ヘッド素子
の製造工程、ウェハ状態の磁気ヘッド素子から製品とし
ての磁気ヘッドを個別に切り出す工程等における静電破
壊（絶縁破壊）対策を講じた磁気ヘッド素子（磁気検出
素子）及びその製造方法、磁気ヘッドに関するものであ
る。

【０００２】

【従来技術及びその問題点】通常、例えば磁気ヘッドの
製造工程では、まず薄板円盤状の基板（ウェハ）上に磁
気ヘッド素子が形成される。この磁気ヘッド素子Ｈは図
３１（Ｂ）に示すように、基板１０１に、下部シールド
層１０２と、前記下部シールド層１０２上に設けられた
下部ギャップ層１０３と、前記下部ギャップ層１０３上
に設けられた磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗素子１０
４と、前記磁気抵抗素子１０４上に設けられた上部ギャ
ップ層１０７と、前記上部ギャップ層１０７上に設けら
れた上部シールド層１０８とを積層形成した構造になっ
ている。

【０００３】そして、基板１０１上に形成された磁気ヘ
ッド素子（以下、ウェハ状態の磁気ヘッド素子という）
Ｈを図３１（Ａ）のｂ´−ｂ´線（媒体対向面となる
面）の位置まで左方向から右方向に切削して単品の磁気
ヘッドを個々に切出し、製品としての磁気ヘッドを完成
させている。

【０００４】磁気ヘッド素子Ｈの製造方法について図３
１を用いて具体的に説明する。図３１（Ａ）〜（Ｃ）に
おいて、先ず基板１０１上に、磁性体の下部シールド層
１０２と、非磁性で、かつ導電性の下部ギャップ層１０
３とを下から順に積層し、前記下部ギャップ層１０３上
に磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗素子１０４を積層形
成し、この磁気抵抗素子１０４を図示しない記録媒体の
トラック幅に対応する寸法にイオンミリング加工等を用
いてパターニングする。

【０００５】次いで、前記パターニングした磁気抵抗素
子１０４の両端部に、軟磁気性材料からなり磁気抵抗素
子１０４にバイアス磁界を印加するバイアス層１０５
と、導電性材料からなり磁気抵抗素子１０４に電流を印
加する電極層１０６とを下から順に積層形成する。引続
いて、前記バイアス層１０５と前記電極層１０６とを所
定の形状にパターニングする。

【０００６】そして、パターニングされた、前記磁気抵
抗素子１０４、前記バイアス層１０５及び前記電極層１
０６上に、非磁性からなる上部ギャップ層１０７と磁性
体材料からなる上部シールド層１０８とを下から順に積
層する。

【０００７】引続いて、上部ギャップ層１０７と上部シ
ールド層１０８とを所定の形状にパターニングし、かつ
上部ギャップ層１０７と上部シールド層１０８とに下層
の電極層１０６に達するスルーホールを形成し、このス
ルーホールに通して外部回路に接続する図示しない端子
を前記電極層１０６に電気的に接続して形成する。この
端子を通してセンス電流が前記電極層１０６に供給さ
れ、前記電極層１０６から電流が磁気抵抗素子１０４に
通電され、前記磁気抵抗素子１０４の抵抗値変化が図示
しない前記端子に電圧変化として検出される。

【０００８】ウェハ状態の磁気ヘッド素子が以上の製造
工程により製造された後に、前述したようにウェハ状態
の磁気ヘッド素子Ｈを図３１（Ａ）のｂ´−ｂ´線の位
置まで左方向から右方向に切削して単品の磁気ヘッドが
個々に切出され、製品としての磁気ヘッドが完成され
る。

【０００９】磁気ヘッドを製造する工程では、プラズマ
を用いた設備でスパッタリング等の成膜、イオンミリン
グ等によるエッチング加工等が行なわれる。プラズマ
は、マイナスの電子とプラス及び中性イオンから成り立
っている。ここで、ウェハ状態の磁気ヘッド素子の構造
について観察すると、磁気抵抗素子１０４を中心として
上下方向に絶縁体すなわち誘電体からなる下部ギャップ
層１０３及び上部ギャップ層１０７が形成されており、
これらの構造はキャパシタの構成となっている。

【００１０】磁気ヘッド素子が形成される基板がプラズ
マ雰囲気中に晒されて帯電すると、これにより、磁気抵
抗素子１０４と下部シールド層１０２、上部シールド層
１０８との間に電位差が生じることとなる。この電位差
により下部ギャップ層１０３と上部ギャップ層１０７に
対する絶縁破壊が引起されると共に、その絶縁破壊時に
生じる大電流によって磁気抵抗素子１０４が破壊される
という問題があった。

【００１１】

【発明の目的】本発明の目的は、製造過程において基板
と下部シールド層、磁気抵抗素子、上部シールド層間で
の電位差の発生を防止した磁気検出素子及びその製造方
法、磁気ヘッドを得ることにある。

【００１２】

【発明の概要】前記目的を達成するため、本発明に係る
磁気検出素子は、基板に、下部シールド層と、前記下部
シールド層上に設けられた下部ギャップ層と、前記下部
ギャップ層上に設けられた磁気抵抗効果を発揮する磁気
抵抗素子と、前記磁気抵抗素子上に設けられた上部ギャ
ップ層と、前記上部ギャップ層上に設けられた上部シー
ルド層とを有し、前記磁気抵抗素子の両端部に接合して
対をなす端子部が設けられ、該端子部は前記下部シール
ド層の一部又は前記上部シールド層の一部に電気的に接
続されたことを特徴とする。

【００１３】なお前記端子部は、前記下部シールド層の
一部及び前記上部シールド層の一部に電気的に接続さ
れ、或いは前記端子部は、前記下部シールド層の一部と
前記上部シールド層の一部とを接合するコンタクト部に
電気的に接続されるようにしてもよいものである。

【００１４】前記下部シールド層の一部、前記上部シー
ルド層の一部に電気的に接続される前記端子部は、対を
なす前記端子部の一方とすることが望ましい。

【００１５】また前記端子部は、前記磁気抵抗素子に電
流を通電する電極と、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界
を印加するバイアス層とを兼用するものであってもよ
く、また前記端子部は、前記磁気抵抗素子に電流を通電
する電極をなすものとし、前記磁気抵抗素子にバイアス
磁界を印加するバイアス層は、前記電極と別体に形成
し、該バイアス層は、前記磁気抵抗素子に接合して設け
るようにしてもよいものである。

【００１６】また前記端子部は、前記磁気抵抗素子が設
けられる層と同層或いは異なる層にて前記下部シールド
層の一部、前記上部シールド層の一部に電気的に接続さ
れることが望ましい。また前記端子部は、前記磁気抵抗
素子と同一材質の引出線をもって前記下部シールド層の
一部、前記上部シールド層の一部に電気的に接続される
ことが望ましいものである。

【００１７】また前記下部シールド層と、前記下部ギャ
ップ層と、前記磁気抵抗素子と、前記上部ギャップ層
と、前記上部シールド層とは、基板の製品形成領域内に
積層形成され、前記端子部が電気的に接続される前記下
部シールド層の一部、前記上部シールド層の一部は、前
記製品形成領域に隣接させて設定した前記基板の切削領
域に形成されるように基板の領域を分離することが望ま
しい。なお、前記端子部が電気的に接続される前記下部
シールド層の一部、前記上部シールド層の一部は、前記
製品形成領域から切離されて除去される。

【００１８】また前記端子部は、前記切削領域内で前記
下部シールド層の一部、前記上部シールド層の一部に電
気的に接続されることが望ましい。また前記磁気検出素
子は、基板上に複数配置されて形成され、前記磁気ヘッ
ド素子毎に前記端子部は前記下部シールド層の一部、前
記上部シールド層の一部に電気的に接続されるようにし
てもよいものである。

【００１９】また前記下部シールド層が、導電性を有す
る前記基板に電気的に接続されるようにしてもよい。

【００２０】さらに本発明に係る磁気検出素子の製造方
法は、基板上に、下部シールド層と、前記下部シールド
層上に設けられた下部ギャップ層と、前記下部ギャップ
層上に設けられた磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗素子
とを形成する工程と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合
して対をなす端子部を形成する端子形成工程と、前記端
子部の少なくとも一方と前記下部ギャップ層とを電気的
に接続する接続工程と、前記磁気抵抗素子上に設けられ
た上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に設けられ
た上部シールド層とを形成する工程とを有し、前記接続
工程は、前記端子部の少なくとも一方と前記下部ギャッ
プ層とを電気的に接続するコンタクト部を形成するに際
し、前記端子部の形成と同時に、コンタクト部の一部が
形成されることを特徴とする。

【００２１】さらに本発明に係る磁気検出素子の製造方
法は、基板上に、下部シールド層と、前記下部シールド
層上に設けられた下部ギャップ層と、前記下部ギャップ
層上に設けられた磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗素子
とを形成する工程と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合
して対をなす端子部を形成する端子形成工程と、前記端
子部の少なくとも一方と前記下部ギャップ層とを電気的
に接続する接続工程と、前記磁気抵抗素子上に設けられ
た上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に設けられ
た上部シールド層とを形成する工程とを有し、前記接続
工程は、前記端子部の少なくとも一方と前記下部ギャッ
プ層とを電気的に接続するコンタクト部を形成するに際
し、前記上部シールド層の形成と同時に、コンタクト部
の一部が形成されることを特徴とする。

【００２２】なお、前記磁気検出素子の製造方法では、
前記下部シールド層を、導電性を有する前記導電性基板
に電気的に接続する工程を含むようにしてもよいもので
ある。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００２４】図１（Ａ）は本発明の実施形態１に係るウ
ェハ状態の磁気ヘッド素子を示す図であって、上部シー
ルド層を形成する前段階での平面図、（Ｂ）は図１
（Ｃ）のｂ−ｂ線断面図、（Ｃ）は図１（Ａ）の状態に
上部シールド層を形成した状態での図１（Ａ）のｃ−ｃ
線断面図、図２は、本発明の実施形態に係るウェハ状態
の磁気ヘッド素子における絶縁（静電）破壊の対策構造
を示す斜視図である。なお、図において、Ｘ方向は図示
しない磁気記録媒体のデータを記録するトラックの幅方
向を示すものであり、ＡＢＳ面（媒体対向面となる面）
は研磨による加工面であり、Ｙ方向はＡＢＳ面（媒体対
向面となる面）に直交するハイト方向を示すものであ
る。

【００２５】図１に示す本発明の実施形態に係る磁気ヘ
ッド素子Ｈは、図１７に示す基板（ウェハ）１に、下部
シールド層１１と、前記下部シールド層１１上に設けら
れた下部ギャップ層１２と、前記下部ギャップ層１２上
に設けられた磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗素子２
と、前記磁気抵抗素子２上に設けられた上部ギャップ層
１３と、前記上部ギャップ１３層上に設けられた上部シ
ールド層１６とを有し、前記磁気抵抗素子２の両端部に
接合して対をなす端子部（３１、３２）が設けられ、図
２に示すように端子部（３１、３２）は前記下部シール
ド層１１の一部１１ａ、前記上部シールド層１６の一部
１６ａに電気的に接続されたことを特徴とするものであ
る。

【００２６】図１に示す実施形態の前記端子部（３１、
３２）は、前記磁気抵抗素子２に電流を通電する電極３
２をなすものであり、前記磁気抵抗素子２にバイアス磁
界を印加するバイアス層３１は、前記電極３２と別体に
形成し、該バイアス層３２は、前記磁気抵抗素子２に接
合して設けているが、また前記端子部（３１、３２）
は、前記磁気抵抗素子２に電流を通電する電極３２と、
前記磁気抵抗素子２にバイアス磁界を印加するバイアス
層３１とを兼用するものであってもよいものである。ま
た端子部（３１、３２）は対をなし、対をなす端子部
（３１、３２）は前記磁気抵抗素子２の両端部に接合し
て設けられる。

【００２７】また図１に示す実施形態においては、前記
端子部として用いる前記電極３２を、前記下部シールド
層１１の一部１１ａ、前記上部シールド層１６の一部１
６ａに電気的に接続したが、前記端子部としての電極３
２を、前記下部シールド層１１の一部１１ａ及び前記上
部シールド層１６の一部１６ａの両方に電気的に接続し
てよく、さらには図２に示すように前記端子部としての
電極３２を、前記下部シールド層１１の一部１１ａと前
記上部シールド層１６の一部１６ａとを接合するコンタ
クト部５ａ、５ｂ（特に接合部５）に電気的に接続する
ようにしてもよいものである。

【００２８】また前記対をなす端子部（３１、３２）は
図１（Ａ）及び図２に示すように、その一方が前記下部
シールド層１１の一部１１ａ、前記上部シールド層１６
の一部１６ａに電気的に接続されることが望ましい。こ
れは、ウェハ状態の磁気ヘッド素子Ｈにおける磁気抵抗
素子２の抵抗変化率の特性を測定する場合に、下部シー
ルド層１１の一部１１ａ、上部シールド層１６の一部１
６ａに分流する電流成分を抑えることにより、磁気抵抗
素子２の抵抗変化の感度に影響を与えるのを抑えるため
である。また前記端子部（３１、３２）は図１（Ａ）及
び図２に示すように、前記磁気抵抗素子２と同一材質の
引出線４をもって前記下部シールド層１１の一部１１
ａ、前記上部シールド層１６の一部１６ａに電気的に接
続されることが望ましいものである。これにより、ウェ
ハ状態の磁気ヘッド素子Ｈにおける磁気抵抗素子２の抵
抗変化率の特性を測定する場合に、引出線４の抵抗値が
大きいことを利用して引出線４を電流制限素子として用
い、引出線４側に電流が流れるのを阻止して、磁気抵抗
素子２の抵抗変化の感度をより高めることが可能とな
る。

【００２９】したがって、図１に示す実施形態によれ
ば、単品の磁気ヘッドを構成する磁気ヘッド素子Ｈの単
位で磁気抵抗素子２に接合して設けた端子部（３１、３
２）を下部シールド層１１の一部１１ａ、上部シールド
層１６の一部１６ａに電気的に接続したため、ウェハ状
態の磁気ヘッド素子Ｈから単品の磁気ヘッドに対応する
磁気ヘッド素子Ｈを個別に切出して取扱う場合にも、そ
の個別化された磁気ヘッド素子Ｈ毎に静電破壊対策が講
じられた状態で個別に切出されることとなり、確実に静
電破壊から磁気ヘッド素子Ｈを保護することができる。

【００３０】さらに前記端子部（３１、３２）は、下部
シールド層１１、上部シールド層１６に電気的に接続す
るのではなく、基板１の切削領域Ｔ内に位置する、下部
シールド層１１の一部１１ａ、上部シールド層１６の一
部１６ａに電気的に接続するため、磁気ヘッドの切出し
を行う工程にて端子部（３１，３２）が接続された下部
シールド層１１の一部１１ａ、上部シールド層１６の一
部１６ａを切削して除去することにより、磁気ヘッドの
内部抵抗を増加させるという問題を発生させることがな
く、磁気抵抗素子２の抵抗変化率の感度を向上させるこ
とができる。

【００３１】また前記端子部（３１、３２）は図１
（Ａ）に示すように、前記磁気抵抗素子２と同一材質の
引出線４をもって前記下部シールド層１１の一部１１
ａ、前記上部シールド層１６の一部１６ａに電気的に接
続させているが、この引出線４は磁気抵抗素子２を形成
する過程で設けることができ、引出線４の製造工程を追
加することがなく、製造コストを廉価にすることができ
る。また図２に示すように前記磁気抵抗素子２と前記下
部シールド層１１の一部１１ａとを電気的に接続させる
には引出線４を用いることが最適であるが、前記磁気抵
抗素子２と前記上部シールド層１６の一部１６ａとを電
気的に接続させるには、電極３２、主電極１４、上部シ
ールド層１６、或いは端子部（３１、３２）に接続形成
されるリード線１４ａ（図１６参照）を形成する工程に
て、これらを構成する導電層の一部を引出線（引出線４
に相当する）として用いて電気的に接続させてよいもの
である。この場合にも、前記磁気抵抗素子２と前記下部
シールド層１１の一部１１ａ、前記上部シールド層１６
の一部１６ａとを電気的に接続させる引出線（引出線４
に相当する）のための工程を別途増加させる必要がな
く、製造コストを廉価にすることができる。

【００３２】また図１及び図２に示す実施形態の前記端
子部（電極３２）は、前記磁気抵抗素子２が設けられる
層と同層の階層で前記下部シールド層１１の一部１１
ａ、前記上部シールド層１６の一部１６ａに電気的に接
続するようにしたが、前記端子部（３１、３２）は、前
記磁気抵抗素子２が設けられる層と異なる階層、例えば
主電極１４、上部シールド層１６、或いは端子部（３
１、３２）に接続形成されるリード線１４ａ（図１６参
照）を形成する階層で前記下部シールド層１１の一部１
１ａ、前記上部シールド層１６の一部１６ａに電気的に
接続するようにしてもよいものである。

【００３３】図１及び図２に示す実施形態のように端子
部（電極３２）は、磁気抵抗素子２が設けられる層と同
層の階層で下部シールド層１１の一部１１ａに電気的に
接続することにより、磁気抵抗素子２上に各種の層を積
層形成する工程にて、下部シールド層１１・下部ギャッ
プ層１２・磁気抵抗素子２の相互間に発生する静電破壊
を防止することができる。

【００３４】また前記端子部（３１、３２）は、前記磁
気抵抗素子２が設けられる層と同層或いは異なる層にて
前記下部シールド層１１の一部１１ａ、前記上部シール
ド層１６の一部１６ａに電気的に接続する構成を選択し
て形成することができ、各層の積層状態に応じて静電破
壊の対策を講じることができるという利点がある。

【００３５】また磁気ヘッド素子Ｈを構成する、前記下
部シールド層１１と、前記下部ギャップ層１２と、前記
磁気抵抗素子２と、前記上部ギャップ層１２と、前記上
部シールド層１６とは図１（Ｃ）及び図２に示すよう
に、基板の製品形成領域Ｓ内に積層形成され、前記端子
部（３１、３２）が電気的に接続される前記下部シール
ド層１１の一部１１ａ、前記上部シールド層１６の一部
１６ａは、前記製品形成領域Ｓに隣接させて設定した切
削領域Ｔに形成されるように基板の領域を分離すること
が望ましい。このように分離形成することにより、ウェ
ハ状態の磁気ヘッド素子Ｈから単品の磁気ヘッドを切出
し加工する際に、製品形成領域Ｓ内の磁気ヘッド素子Ｈ
から切削領域Ｔ内に形成した端子部（３１、３２）と前
記下部シールド層１１の一部１１ａ、前記上部シールド
層１６の一部１６ａとの間の電気的接続により形成され
る静電破壊対策構造を磁気ヘッドから確実に切離すこと
ができ、この静電破壊対策構造を設けたことによる悪影
響を製品形成領域Ｓ内の磁気ヘッド素子Ｈに与えること
を防止することができる。

【００３６】また前記磁気ヘッド素子Ｈは図１７及び図
１８に示すように、基板１上に複数配置されて形成さ
れ、前記磁気ヘッド素子Ｈ毎に前記端子部（３１，３
２）を前記下部シールド層１１の一部１１ａ、前記上部
シールド層１６の一部１６ａに電気的に接続するように
することにより、磁気ヘッド素子Ｈの個々に図１及び図
２に示す実施形態の静電破壊対策を講じるようにしても
よいものである。図１７及び図１８に示すように複数の
磁気ヘッド素子Ｈを一括して基板（ウェハ）１に形成し
たとしても、各磁気ヘッド素子Ｈは個々に図１及び図２
に示すような静電破壊対策が講じられることとなり、基
板１から複数の磁気ヘッド素子Ｈを縦又は横に列状に切
出したとしても、個々の磁気ヘッド素子Ｈを静電破壊か
ら確実に保護することができる。

【００３７】さらに図１及び図２に示す実施形態を詳細
に説明する。下部シールド層１１が形成される基板（ウ
ェハ、図１７の基板１に相当する）は、アルミナチタン
カーバイト（ＡｌＴｉＣ）などのセラミックス材料で構
成される。前記基板１上には、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）な
どの図示しない保護層（アンダコート）が形成され、製
品形成領域Ｓの保護膜上には下部シールド層１１が形成
され、さらに下部シールド層１１の一部１１ａが製品形
成領域Ｓに隣接する切削領域Ｔの図示しない保護膜上に
渡って形成される。下部シールド層１１は、磁気抵抗素
子２の下部側において、磁気シールドを行うためのもの
であって、軟磁性を示す材料、例えばパーマロイ（Ｎｉ
Ｆｅ）から構成される。

【００３８】下部ギャップ層１２は、磁気抵抗素子２、
バイアス層３１及び電極３２と下部シールド層１１との
間を電気的に絶縁するためのものであり、非磁性材料、
例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）から構成される。製品形成
領域Ｓの下部ギャップ層１２上には、磁気抵抗素子２
と、磁気抵抗素子２の両端に設けられ磁気抵抗素子２に
バイアス磁界を印加するバイアス層３１と、バイアス層
３１上に形成され磁気抵抗素子２に電流を通電する電極
３２とがＸ方向に沿って形成される。

【００３９】また対をなす電極（端子部）３２の一方に
引出線４の一端部４ａが接合して設けられ、引出線４の
他端部４ｂが切削領域Ｔの下部ギャップ層１２上に形成
されている。切削領域Ｔの下部ギャップ層１２には下層
の下部シールド層１１に達するスルーホール１２ａが開
口され、このスルーホール１２ａ内には、導電性のコン
タクト部５ａが形成され、かつスルーホール１３ｂとス
ルーホール１２ａとの境界には、導電性の接合部５が形
成され、該接合部５は前記引出線４の他端部４ｂに接合
される。

【００４０】上部ギャップ層１３は、磁気抵抗素子２、
バイアス層３１及び電極３２と上部シールド層１６との
間を電気的に絶縁するものであり、例えば下部ギャップ
層１２と同じ材料、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）から構
成され、上部ギャップ層１３は、磁気抵抗素子２、バイ
アス層３１及び電極３２が形成された製品形成領域Ｓ
と、この製品形成領域Ｓに隣接する切削領域Ｔとに渡っ
て形成される。

【００４１】さらに電極３２を覆う製品形成領域Ｓ内の
上部ギャップ層１３にはスルーホール１３ａが開口さ
れ、上部ギャップ層１３上には対をなす電極３２に対応
する主電極１４が図１（Ａ）に示すように磁気抵抗素子
２に対してＹ方向に略平行に延長して設けられ、そして
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、主電極１４の一部
１４ａは上部ギャップ１３のスルーホール１３ａを介し
て下層の電極３２にそれぞれ接続される。

【００４２】さらに主電極１４が形成された領域上には
絶縁層１５が形成され、製品形成領域Ｓの上部ギャップ
層１３及び絶縁層１５上、及び切削領域Ｔの上部ギャッ
プ層１３上に渡って上部シールド層１６が形成される。
ここに、切削領域Ｔの上部ギャップ層１３上に形成され
た上部シールド層１６の部分は、前記端子部（３１、３
２）が電気的に接合する上部シールド層１６の一部１６
ａを構成するものである。また切削領域Ｔの上部ギャッ
プ層１３には下層の接合部５に達するスルーホール１３
ｂが開口されており、切削領域Ｔの上部ギャップ層１３
上に形成される上部シールド層１６の一部は上部ギャッ
プ層１３のスルーホール１３ｂ内に充填されてコンタク
ト部５ｂが形成される。したがって、磁気抵抗素子２に
接合して設けられた一方の電極（端子部）３１、引出線
４、接合部５、コンタクト部５ａを介して下部シールド
層１１の一部１１ａに電気的に接続されて静電破壊対策
構造を構成するとともに、磁気抵抗素子２に接合して設
けられた一方の電極（端子部）３１、引出線４、接合部
５、コンタクト部５ｂを介して上部シールド層１６の一
部１６ａに電気的に接続されて静電破壊対策構造を構成
し、これらの静電破壊対策構造によりウェハ状態の磁気
ヘッド素子Ｈに対する静電破壊防止が図れる。

【００４３】図１（Ａ）及び（Ｃ）において、図の左側
から切削領域Ｔの基板がＹ方向に切削されてｂ−ｂ線
（ＡＢＳ面）の位置まで除去され、製品形成領域Ｓ内の
積層構造体（１１、１２、１３、１４、１５、１６等）
が製品としての磁気ヘッドとして切出される。このｂ−
ｂ線に沿うＺ方向の面の位置に図示しない磁気記録媒体
のデータ記録面が位置し、磁気記録媒体からの信号磁界
により磁気抵抗素子２の電気抵抗値が変化し、その磁気
抵抗素子２の電気抵抗値の変化が磁気抵抗素子２の両端
に位置する電極３２、３２間の電圧変化として検出さ
れ、図示しない磁気記録媒体に磁気記録されたデータが
再生されることとなる。

【００４４】また図１に示す磁気ヘッド素子は、図１７
及び図１８に示すように基板１上にマトリックス状に形
成されるが、下部シールド層１１、下部ギャップ層１
２、磁気抵抗効果素子２、端子部（３１、３２）、上部
ギャップ層１３、上部シールド層１６を１ユニットとし
て基板１から個々に切り出して製品としての磁気ヘッド
が形成される。この磁気ヘッドは、図示しないハードデ
ィスク装置等の磁気記録装置に設けられた浮上式スライ
ダのトレーリング側端部に取付けられ、図示しない記録
媒体に記録されている記録磁気データを読み出す。な
お、図１に示す磁気ヘッド素子（磁気検出素子）Ｈは、
記録媒体からの記録データを再生する再生用として使用
するが、図１に示す上部シールド層３８上に誘電方式に
より記録データ用の電流で記録媒体にデータを書き込む
記録用のインダクティブ磁気ヘッド素子を形成するよう
にしてもよい。なお、磁気検出素子Ｈを磁気ヘッドに用
いたが、これに限定されるものではなく、磁気センサー
に用いてもよいものである。また上部シールド層１６
は、上段に形成される記録用磁気ヘッドと下段の再生用
磁気ヘッドとの間を磁気的に遮断するシールド機能を発
揮することとなる。

【００４５】磁気抵抗素子２としては、巨大磁気抵抗効
果素子（ＧＭＲ）、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭ
Ｒ）、トンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ）のいずれであっ
てもよいものである。またバイアス層３１としては、Ｃ
ｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などの硬磁性材料が用い
られ、バイアス層３１上に形成される電極３２として
は、Ｔａ（タンタル）又はＣｒ膜等が用いられる。な
お、バイアス層３１としては、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＰｔ
Ｃｒ合金等の硬磁性材料で構成されるハードバイアス
層、ＰｔＭｎ合金等の反強磁性材料、或いは反強磁性材
料と強磁性材料との組合せた材料から形成されるエクス
チェンジバイアス層のいずれのバイアス層であってもよ
い。

【００４６】次に図１及び図２に示す実施形態に係る磁
気ヘッド素子Ｈの製造方法を図３〜図１６を用いて工程
順に説明する。

【００４７】図３〜図１６に示す実施形態に係る磁気ヘ
ッド素子Ｈの製造方法は、基板１（図１７及び図１８参
照）に、下部シールド層１１と、前記下部シールド層１
１上に設けられた下部ギャップ層１２と、前記下部ギャ
ップ層１２上に設けられた磁気抵抗効果を発揮する磁気
抵抗素子２と、前記磁気抵抗素子２上に設けられた上部
ギャップ層１３と、前記上部ギャップ層１３上に設けら
れた上部シールド層１６とを有する磁気ヘッド素子の製
造方法に関するものであり、前記磁気抵抗素子２の両端
部に接合して対をなす端子部（３１、３２）を設け、該
端子部（３１、３２）を前記下部シールド層１１の一部
１１ａ及び前記上部シールド層１６の一部１６ａに電気
的に接続することを特徴とする。なお、前記端子部（３
１、３２）は、前記下部シールド層１１の一部１１ａ又
は前記上部シールド層１６の一部１６ａに電気的に接続
するようにしてもよく、また前記端子部（３１、３２）
は、前記下部シールド層１１の一部１１ａと前記上部シ
ールド層１６の一部１６ａとを接合するコンタクト部５
ａ、５ｂに電気的に接続するようにしてもよい。

【００４８】次に図３〜図１６に示す実施形態に係る磁
気ヘッド素子Ｈの製造方法を具体的に説明する。

【００４９】先ず図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基
板（ウェハ、図１７及び図１８参照）上の全面に、下か
ら順に、下部シールド層１１、下部ギャップ層１２及び
図示しないシード層などを積層し、さらに磁気抵抗素子
２を形成する抵抗層２０を積層形成する。

【００５０】次に図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、抵
抗層２０上にレジスト膜Ｒ１を積層形成し、図示しない
マスクを使って前記レジスト膜Ｒ１にイオンミリング加
工を行い、基板１の切削領域Ｔ内のレジスト膜Ｒ１にス
ルーホール形成用の開口Ｈ０を開口する。このスルーホ
ール形成用の開口Ｈ０は抵抗層２０に達する深さに形成
する。

【００５１】引続いて図５（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、レジスト膜Ｒ１をマスクとして抵抗層２０及び下部
ギャップ層１２にスルーホール２０ａ、１２ａを形成す
る。このスルーホール２０ａ、１２ａは下層の下部シー
ルド層１１に達する深さに形成する。

【００５２】次に図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ス
ルーホール２０ａ以外の抵抗層２０をマスキングしてス
ルーホール２０ａ及び１２ａに渡って抵抗層２０の材料
と異種金属を充填し、上下のスルーホール２０ａ及び１
２ａにコンタクト部５ａを下部シールド層１１に接合し
て形成する。

【００５３】引き続いて図７（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、抵抗層２０上にレジスト膜Ｒ２を積層形成し、図示
しないマスクを使って基板１の切削領域Ｔ内の前記レジ
スト膜Ｒ２にスルーホールＨ１を開口するとともに、基
板１の製品形成領域Ｓ内のレジスト膜Ｒ２にスルーホー
ルＨ２を開口する。スルーホールＨ１の径は前記コンタ
クト部５ａの径より大径とし、スルーホールＨ１の底部
に抵抗層２０からなるリング状の段部２０ｄを露出させ
る。またスルーホールＨ２は、端子部（３１、３２）の
形状にパターニングされて開口されており、図示の実施
形態ではスルーホールＨ２は、端子部としての電極３１
とバイアス層３２との形状にパターニングされて開口さ
れる。端子部（３１、３２）の形状を呈したスルーホー
ルＨ１、Ｈ１は２個形成され、２つのスルーホールＨ
１、Ｈ１は、後工程で磁気抵抗素子２の形状にパターニ
ングして残留させる抵抗層２０の部分２０ｅを挟んでハ
字状に形成される。２つのスルーホールＨ１、Ｈ１を使
って形成される端子部（３１、３２）は図８に示すよう
に、鳩尾状に形成され、かつ、その鳩尾状の先細部３１
ａ、３２ａ間で磁気抵抗素子２の両端部に接合し、この
磁気抵抗素子２の両端部に端子部（３１、３２）が設け
られることとなる。

【００５４】次に図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、前
記レジスト膜Ｒ２を除去し、引続いて図１０（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、抵抗層２０をマスクとして２つの
スルーホールＨ１、Ｈ２内に導電性材料を形成し、スル
ーホールＨ１内に鍔部状の接合部５をコンタクト部５ａ
に接合して形成するとともに、スルーホールＨ２内に端
子部（３１、３２）を抵抗層２０に接合して形成する。
なお、２つのスルーホールＨ１、Ｈ２内の導電材料は、
別々に形成してもよいが、上記のように同時に形成する
ことにより、製造工程を簡略化できる。

【００５５】さらに図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、レジスト膜Ｒ３を塗布した後、このレジスト膜Ｒ３
をパターニングして、接合部５及び端子部（３１、３
２）と、接合部５と端子部（３１、３２）との間を電気
的に接続する引出線４に相当する抵抗層２０と、磁気抵
抗素子２となる部分の抵抗層２０をレジスト膜Ｒ３で被
覆する。引続いて、前記パターニングされたレジスト膜
Ｒ３をマスクとして抵抗層２０をイオンミリング加工す
る。このイオンミリング加工により抵抗層２０のうち、
磁気抵抗素子２に相当する形状の抵抗層２０及び引出線
４に相当する形状の抵抗層２０の部分が残ることとな
り、抵抗層２０から磁気抵抗素子２と引出線４とが下部
ギャップ層１２上に形成される。

【００５６】また引出線４は、磁気抵抗素子２と同一材
質からなり、しかも対をなす一方の端子部（３１、３
２）から導出されるため、対をなす端子部（３１、３
２）から磁気抵抗素子２にセンス電流を通電して磁気抵
抗素子２の電気抵抗値の変化をウェハ状態で検査する際
にセンス電流が接合部５側に分流するのを阻止する電流
制限素子として機能する。

【００５７】次に図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
下部ギャップ層１２、接合部５、引出線４及び端子部
（３１、３２）上に上部ギャップ１３を積層形成する。
引続いて、上部ギャップ層１３上にレジスト膜Ｒ４を塗
布し、図示しないマスクを使ってレジスト膜Ｒ４に、接
合部５と端子部（３１、３２）とに対応するスルーホー
ルＨ３、Ｈ４をそれぞれ形成する。この場合、スルーホ
ールＨ３は前記スルーホールＨ１の径より小径であっ
て、下層のスルーホールＨ０の径と同径に設定し、接合
部５がコンタクト部５ａから鍔部状に張り出す形状に形
成する。

【００５８】次に図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
レジスト膜Ｒ４をマスクとして上部ギャップ層１３に、
接合部５に達するスルーホール１３ｂと端子部（３１、
３２）に達するスルーホール１３ａを開口する。

【００５９】次に図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
パターニングされた上部ギャップ層１３上にレジスト膜
Ｒ５を塗布し、レジスト膜Ｒ５をパターニングし、この
レジスト膜Ｒ５に、上部ギャップ１３のスルーホール１
３ｂに連通するスルーホールＨ５と、上部ギャップ層１
３のスルーホール１３ａに連通し、かつ図の右側に伸び
るスルーホールＨ６を形成する。

【００６０】引続いて図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、パターニングされたレジスト膜Ｒ５をマスクとして
上部ギャップ層１３のスルーホール１３ｂ内に導電体を
充電し、接合部５に接合するコンタクト部５ａを形成す
るとともに、レジスト膜Ｒ５及び上部ギャップ層１３の
スルーホール１３ａ及びＨ６内に導電体を充填して端子
部（３１、３２）から後方に伸びる主電極１４を形成す
る。

【００６１】次に図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
絶縁層１５を塗布した後、図示しないマスクを使って主
電極１４上の絶縁層１５の一部に接合用のスルーホール
１５ａを開口し、さらに主電極１４上にのみパターニン
グされた絶縁層１５を残し、その他の余分な絶縁層を除
去する。

【００６２】次に図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
パターニングされた絶縁層１５をマスクとして上部シー
ルド層１６を積層形成する。この状態では、上部ギャッ
プ層１３のスルーホール内に形成されたコンタクト部５
ｂに上部シールド層１６が接合するとともに、絶縁層１
５のスルーホール１５ａ内に上部シールド層１６をなす
材料が充填されて主電極１４に接合する。

【００６３】引続いて基板の製品形成領域Ｓと切削領域
Ｔとの上部シールド層１６上にレジスト膜等によるマス
クをセットし、基板の製品形成領域Ｓ内のうち、磁気抵
抗素子２の真上の上部シールド層１６を所望の形状にパ
ターニングし、かつ絶縁層１５のスルーホール１５ａに
充填したシールド材をリード線の形状にパターニングす
る。

【００６４】この状態では、端子部（３１、３２）は引
出線４、接合部５、コンタクト部５ａを通して下部シー
ルド層１１に電気的に接続されるとともに、引出線４、
接合部５、コンタクト部５ｂを通して上部シールド層１
６に電気的に接続される。したがって、誘電体としての
下部ギャップ層１２を上下に挟む下部シールド層１１と
磁気抵抗素子２の端子部（３１、３２）が電気的に接続
され、誘電体としての上部ギャップ層１３を上下に挟む
上部シールド層１６と磁気抵抗素子２の端子部（３１、
３２）が電気的に接続されることとなり、これらが静電
破壊対策構造として機能することとなる。

【００６５】そして、この完成された基板（ウェハ、図
１７参照）１上の磁気ヘッド素子は、その後、図１８に
示すように、ラインＸ１−Ｘ１、Ｘ２−Ｘ２、・・・お
よびラインＹ１−Ｙ１、Ｙ２−Ｙ２、・・・から切り出
して個々の製品を取り出すとともに、前述したラインＬ
１、Ｌ２、Ｌ３、・・・（図２のラインＬに相当する）
で磁気抵抗素子２の部分を切り出してＡＢＳ面を形成す
る。これにより、製品としての多数個の磁気ヘッドが完
成する。

【００６６】なお、前述したラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３、
・・・で切断して磁気抵抗素子２の媒体対向面となる面
部分を切り出すことにより、引出線４、接合部５および
コンタクト部５ａ、５ｂを含む下部シールド層１１の部
分が同時に除去される。

【００６７】次に、本発明に係る第２の実施形態の磁気
ヘッド素子Ｈについて説明する。なお、この実施形態に
おいて、先の第１の実施形態と同一部分には同一符号を
付して重複説明を避ける。

【００６８】図１９、図２０は、第２の実施形態の磁気
ヘッド素子を示すものであり、この磁気ヘッド素子が第
１の実施形態と異なるところは、引出線層６と上部シー
ルド層１６とを電気的に導通するリードバイパス層７が
形成されている点である。なお、符号９は、アルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃）などで形成した非磁性絶縁層である。

【００６９】引き出し線層６は、主電極１４と電極８と
を接続するためのものであり、導電材料で形成されてい
る。

【００７０】電極８は、バンプ８ａおよび縦電極８ｂを
介して電極３２（図１参照）に電流を供給するためのも
のであり、このバンプ８ａおよび縦電極８ｂの形成材料
には、Ｎｉ又はＡｕなどが使用されている。

【００７１】リードバイパス層７は、上部シールド層１
６に静電気が流れ込んでも、これがリードバイパス層７
を介して磁気抵抗素子２、ハードバイアス層３１および
電極３２などの静電破壊の可能性のある部位へ流れ込む
のを防止するためのものである。このリードバイパス層
７は、非磁性、かつ、導電性の材料を用いて形成されて
いる。

【００７２】このリードバイパス層７は、上部シールド
層１６又は引き出し線層６の製造工程の際に形成されて
おり、磁気ヘッド素子として製造を完了し、ウェハから
この磁気ヘッド素子を個別に切り出して単品として出来
上がった後にも、そのまま残存している。なお、このリ
ードバイパス層７は、このまま製品中に残余しても、磁
気ヘッドの機能上、格別の問題はない。

【００７３】図２１は、本発明の実施形態３に係るウェ
ハ状態の磁気ヘッド素子Ｈにおける絶縁（静電）破壊の
対策構造を示す斜視図である。なお、図において、Ｘ方
向は図示しない磁気記録媒体のデータを記録するトラッ
クの幅方向を示すものであり、ＡＢＳ面（媒体対向面と
なる面）は研磨による加工面であり、Ｙ方向は（媒体対
向面となる面）に直交するハイト方向を示すものであ
る。なお、図２１において、図１、図２に示す実施形態
と同じ構成については同一符号を付してある。また図２
２〜図３０は、本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素
子Ｈの製造方法の途中までの工程を示す図である。

【００７４】図２１及び図２９に示す本発明の実施形態
に係る磁気ヘッド素子Ｈは、基板（ウェハ）１に、下部
シールド層１１と、下部シールド層１１上に設けられた
下部ギャップ層１２と、下部ギャップ層１２上に設けら
れた磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗素子２と、磁気抵
抗素子２上に設けられた上部ギャップ層（図１参照）
と、該上部ギャップ層上に設けられた上部シールド層１
６とを有し、磁気抵抗素子２の両端部に接合して対をな
す端子部（３１、３２）が設けられ、該端子部（３１、
３２）は下部シールド層１１の一部１１ａ、或いは上部
シールド層１６の一部１６ａに電気的に接続され、さら
に下部シールド部１１の一部１１ａが、例えばアルチッ
ク製のように導電性を有する基板１の一部１ａに電気的
に接続されたことを特徴とするものである。

【００７５】図２１及び図２９に示す実施形態の端子部
（３１、３２）は、磁気抵抗素子２に電流を通電する電
極３２をなすものであり、磁気抵抗素子２にバイアス磁
界を印加するバイアス層３１は、電極３２と別体に形成
し、該バイアス層３２は、磁気抵抗素子２に接合して設
けているが、端子部（３１、３２）は、磁気抵抗素子２
に電流を通電する電極３２と、磁気抵抗素子２にバイア
ス磁界を印加するバイアス層３１とを兼用するものであ
ってもよいものである。また端子部（３１、３２）は対
をなし、対をなす端子部（３１、３２）は磁気抵抗素子
２の両端部に接合して設けられる。

【００７６】また図２１及び図２９に示す実施形態にお
いては、端子部として用いる電極３２を、下部シールド
層１１の一部１１ａ、上部シールド層１６の一部１６ａ
に電気的に接続したが、端子部としての電極３２を、下
部シールド層１１の一部１１ａ及び上部シールド層１６
の一部１６ａの両方に電気的に接続してよく、さらには
図２に示すように端子部としての電極３２を、下部シー
ルド層１１の一部１１ａと上部シールド層１６の一部１
６ａとを接合するコンタクト部５ａ、５ｂ（特に接合部
５）に電気的に接続するようにしてもよいものである。
要は、少なくとも下部シールド部１１の一部１１ａが、
導電性基板１の一部１ａにコンタクト部５ｃを介して電
気的に接続されていればよいものである。なお、下部シ
ールド層１１の一部１１ａ、上部シールド層１６の一部
１６ａ、基板１の一部１ａは導電性基板１の切削領域Ｔ
において電気的に接続されている。

【００７７】また対をなす端子部（３１、３２）は図２
１及び図２９に示すように、その一方が下部シールド層
１１の一部１１ａ、上部シールド層１６の一部１６ａに
電気的に接続されることが望ましい。これは、ウェハ状
態の磁気ヘッド素子Ｈにおける磁気抵抗素子２の抵抗変
化率の特性を測定する場合に、下部シールド層１１の一
部１１ａ、上部シールド層１６の一部１６ａに分流する
電流成分を抑えることにより磁気抵抗素子２の抵抗変化
の感度に影響を与えるのを抑えるためである。また端子
部（３１、３２）は図２１及び図２９に示すように、磁
気抵抗素子２と同一材質の引出線４をもって下部シール
ド層１１の一部１１ａ、上部シールド層１６の一部１６
ａに電気的に接続されることが望ましいものである。こ
れにより、ウェハ状態の磁気ヘッド素子Ｈにおける磁気
抵抗素子２の抵抗変化率の特性を測定する場合に、引出
線４の抵抗値が大きいことを利用して引出線４を電流制
限素子として用い、引出線４側に電流が流れるのを阻止
して、磁気抵抗素子２の抵抗変化の感度をより高めるこ
とが可能となる。

【００７８】したがって、図２１及び２９に示す実施形
態によれば、単品の磁気ヘッドを構成する磁気ヘッド素
子Ｈの単位で磁気抵抗素子２に接合して設けた端子部
（３１、３２）が電気的に接続される下部シールド層１
１の一部１１ａを少なくとも基板１の一部１ａに電気的
に接続したため、ウェハ状態の磁気ヘッド素子Ｈから単
品の磁気ヘッドに対応する磁気ヘッド素子Ｈを個別に切
出して取扱う場合にも、その個別化された磁気ヘッド素
子Ｈ毎に静電破壊対策が講じられた状態で個別に切出さ
れることとなり、確実に静電破壊から磁気ヘッド素子Ｈ
を保護することができる。

【００７９】さらに、磁気ヘッド素子の基礎をなす基板
１の一部１ａに少なくとも下部シールド層１１が電気的
に接続されているため、製造過程の初期の段階で絶縁破
壊対策を施すことができ、しかも下部シールド層上に必
要な層を積層形成する過程でも絶縁破壊対策を施すこと
ができ、製造歩留りを向上させることができる。

【００８０】その他の構成は、図１及び図２に示す実施
形態と同様であり、その構成により、図１及び図２に示
す実施形態と同様の効果を生じるものである。また図２
１及び図２９に示す実施形態における構成部品に用いる
素材についても図１及び図２に示す実施形態と同様であ
る。

【００８１】次に図２１及び図２９に示す実施形態に係
る磁気ヘッド素子Ｈの製造方法を図２２〜図３０を用い
て工程順に説明する。

【００８２】先ず図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
基板１上の全面にフォトレジストＲ６を形成する。次い
で、フォトレジストＲ６に図示しないマスクをして、露
光、現像の処理を行ない、基板１に達するスルーホール
Ｈ６を開口形成する。そして、フォトレジストＲ６のス
ルーホールＨ６内に導電性材料を充填し、コンタクト部
５ｃを形成する。

【００８３】次に図２３に示すように、フォトレジスト
Ｒ６を剥離した後、下部絶縁層３０を形成する。その
後、図２４に示すように、ＣＭＰ（化学機械的研磨）等
の工法を用いて、下部絶縁層３０を研磨することによ
り、コンタクト部５ｃの頭部を露出させると共に、下部
絶縁層３０の上面の高さをコンタクト部５ｃの高さにす
る。

【００８４】次に図２５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
コンタクト部５ｃ及び下部絶縁層３０上に下部シールド
層１１を形成する。下部シールド層１１はコンタクト部
５ｃを介して導電性の基板１に電気的に接続されること
となる。したがって、下部シールド層１１と基板１との
間には電位差が生じることがない。

【００８５】次に図２６に示すように、下部シールド層
１１上に下部ギャップ層１２を形成する。そして図２７
に示すように、下部ギャップ層１２上にフォトレジスト
Ｒ７を成膜する。さらに、フォトレジストＲ７に図示し
ないマスクを施して、露光、現像の処理を行ない、コン
タクト部５ｃの真上で下部ギャップ層１２に達するスル
ーホールＨ７を開口形成する。

【００８６】次に図２７及び図２８に示すように、フォ
トレジストＲ７をマスクとしてイオンミリング加工を下
部ギャップ層１２に対して行なう。この処理によりスル
ーホールＨ７内の下部ギャップ層１２が除去される。な
お、スルーホールＨ７は基板１の切削領域Ｔ内に形成さ
れる。

【００８７】次に図２８に示すように、下部ギャップ層
１２をマスクとして磁気抵抗素子２を形成する抵抗層２
０を基板１の切削領域Ｔ及び製品形成領域Ｓに成膜す
る。

【００８８】次に図２９に示すように、図示しないマス
クを用いることにより、基板１の切削領域Ｔ内の抵抗層
２０にイオンミリング加工を施し、切削領域Ｔ内の抵抗
層２０を、コンタクト部５ｃに接続するコンタクト部５
ａと、該コンタクト部５ａに接続する接合部５と、該接
合部５から延びる引出線４の形状にパターニングする。

【００８９】一方、図２９に示すように、基板１の製品
形成領域Ｓ内の抵抗層２０に対してイオンミリング加工
を施し、該抵抗層２０をパターニングして磁気抵抗素子
２を形成する。

【００９０】さらに図２９に示すように、コンタクト部
５ｃ及び引出線４、磁気抵抗素子２をマスクして、端子
部（３１、３２）を磁気抵抗素子２の両端部に接合して
形成する。

【００９１】次に図３０に示すように、基板１の全面に
フォトレジストＲ８を形成し、基板１の切削領域Ｔ内の
フォトレジストＲ８に接合部５に達するスルーホールＨ
８を開口形成する。

【００９２】この後の製造工程は、図１１の製造工程に
移り、図１１〜図１６の製造工程と同様に行なわれる。

【００９３】この実施形態の製造方法によれば、製造過
程の初期の段階で、導電性を有する基板１と下部シール
ド部１１との間が電気的に接続されるため、絶縁破壊対
策を早期に実施し、製造過程で発生する絶縁破壊を製造
過程の早期の段階から防止することができる。

【００９４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
気抵抗素子に接合して設けた端子部を下部シールド層の
一部、上部シールド層の一部に電気的に接続して静電破
壊から保護することができる。さらに、前記電気的な接
続構造は一連の製造プロセス内で行うことができ、静電
破壊対策が必要が工程で静電対策を施すことができ、最
適な静電（絶縁）破壊対策を行うことができる。

【００９５】さらに製造過程の初期の段階で、導電性を
有する基板と下部シールド部との間が電気的に接続され
るため、絶縁破壊対策を早期に実施し、製造過程で発生
する絶縁破壊を製造過程の早期の段階から防止すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子を示
すものであり、（Ａ）は積層方向の上部から見た平面
図、（Ｂ）は（Ａ）におけるｂ−ｂ線断面図、（Ｃ）は
（Ａ）におけるｃ−ｃ線断面図である。

【図２】図１に示す静電破壊対策構造を示す斜視図であ
る。

【図３】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の製
造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図４】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の製
造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図５】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の製
造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図６】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の製
造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図７】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の製
造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図８】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子にお
ける磁気抵抗素子の部分を拡大した図である。

【図９】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の製
造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図１０】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図１１】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図１２】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図１３】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図１４】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図１５】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図１６】本発明の実施形態１に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は概略断面図である。

【図１７】磁気ヘッドが形成されたウェハを示す説明図
である。

【図１８】ウェハ上に形成された磁気ヘッドの切り出し
位置などを示す説明図である。

【図１９】本発明の実施形態２に係る磁気ヘッド素子を
示す平面図である。

【図２０】図１９におけるＸＸ−ＸＸ線断面図である。

【図２１】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子に
おける静電破壊対策構造を示す斜視図である。

【図２２】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は断面
図、（Ｂ）は斜視図である。

【図２３】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す断面図である。

【図２４】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す断面図である。

【図２５】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す工程図であって、（Ａ）は断面
図、（Ｂ）は斜視図である。

【図２６】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す断面図である。

【図２７】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す断面図である。

【図２８】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す断面図である。

【図２９】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す斜視図である。

【図３０】本発明の実施形態３に係る磁気ヘッド素子の
製造方法を工程順に示す斜視図である。

【図３１】従来例に係る磁気ヘッド素子を示すものであ
り、（Ａ）は積層方向の上部から見た平面図、（Ｂ）は
（Ａ）におけるｂ´−ｂ´線断面図、（Ｃ）は（Ａ）に
おけるｃ´−ｃ´線断面図である。

【符号の説明】

１基板１１下部シールド層１２下部ギャップ層１２ａスルーホール１３ａ上部ギャップ層１３ｂスルーホール１４主電極１５絶縁層１６上部シールド層２磁気抵抗素子３１バイアス層(端子部) ３２電極（端子部）４引出線５接合部５ａコンタクト部５ｂコンタクト部５ｃコンタクト部６引出線層７リードバイパス層８電極８ａバンプ８ｂ縦電極Ｈ磁気ヘッド素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G017 AC01 AD56 AD62 AD65 5D034 BA02 BA08 BA09 BA12 BB01 BB08 CA07 DA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に、下部シールド層と、前記下部シー
ルド層上に設けられた下部ギャップ層と、前記下部ギャ
ップ層上に設けられた磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗
素子と、前記磁気抵抗素子上に設けられた上部ギャップ
層と、前記上部ギャップ層上に設けられた上部シールド
層とを有し、前記磁気抵抗素子の両端部に接合して対をなす端子部が
設けられ、該端子部は前記下部シールド層の一部又は前
記上部シールド層の一部に電気的に接続されたことを特
徴とする磁気検出素子。
【請求項２】請求項１記載の磁気検出素子において、前記端子部は、前記下部シールド層の一部及び前記上部
シールド層の一部に電気的に接続されたことを特徴とす
る磁気検出素子。
【請求項３】請求項２記載の磁気検出素子において、前記端子部は、前記下部シールド層の一部と前記上部シ
ールド層の一部とを接合するコンタクト部に電気的に接
続されたことを特徴とする磁気検出素子。
【請求項４】請求項１、２又は３記載の磁気検出素子に
おいて、前記下部シールド層の一部、前記上部シールド層の一部
に電気的に接続される前記端子部は、対をなす前記端子
部の少なくとも一方であることを特徴とする磁気検出素
子。
【請求項５】請求項１、２、３又は４記載の磁気検出素
子において、前記端子部は、前記磁気抵抗素子に電流を通電する電極
と、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス層とを兼用するものであることを特徴とする磁気検出
素子。
【請求項６】請求項１、２、３又は４記載の磁気検出素
子において、前記端子部は、前記磁気抵抗素子に電流を通電する電極
をなすものであり、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を
印加するバイアス層は、前記電極と別体に形成し、該バ
イアス層は、前記磁気抵抗素子に接合して設けたことを
特徴とする磁気検出素子。
【請求項７】請求項１、２、３、４、５又は６記載の磁
気検出素子において、前記端子部は、前記磁気抵抗素子が設けられる層と同層
或いは異なる層にて前記下部シールド層の一部、前記上
部シールド層の一部に電気的に接続されたことを特徴と
する磁気検出素子。
【請求項８】請求項１、２、３、４、５、６又は７記載
の磁気検出素子において、前記端子部は、前記磁気抵抗素子と同一材質の引出線を
もって前記下部シールド層の一部、前記上部シールド層
の一部に電気的に接続されたことを特徴とする磁気検出
素子。
【請求項９】請求項１、２、３、４、５、６、７又は８
記載の磁気検出素子において、前記下部シールド層と、前記下部ギャップ層と、前記磁
気抵抗素子と、前記上部ギャップと、前記上部シールド
層とは、基板の製品形成領域内に積層形成され、前記端子部が電気的に接続される前記下部シールド層の
一部、前記上部シールド層の一部は、前記製品形成領域
に隣接させて設定した前記基板の切削領域に形成された
ことを特徴とする磁気検出素子。
【請求項１０】請求項９記載の磁気検出素子において、前記端子部が電気的に接続される前記下部シールド層の
一部、前記上部シールド層の一部は、前記製品形成領域
から切離されて除去されることを特徴とする磁気検出素
子。
【請求項１１】請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９又は１０記載の磁気検出素子において、前記端子部は、前記切削領域内で前記下部シールド層の
一部、前記上部シールド層の一部に電気的に接続された
ことを特徴とする磁気検出素子。
【請求項１２】請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０又は１１記載の磁気検出素子において、前記磁気検出素子は、基板上に複数配置されて形成さ
れ、前記磁気検出素子毎に前記端子部は前記下部シール
ド層の一部、前記上部シールド層の一部に電気的に接続
されたことを特徴とする磁気検出素子。
【請求項１３】請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０、１１又は１２記載の磁気検出素子におい
て、前記下部シールド層が、導電性を有する前記基板に電気
的に接続されていることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項１４】請求項１〜１３のいずれか１項に記載の
磁気検出素子を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１５】基板上に、下部シールド層と、前記下部
シールド層上に設けられた下部ギャップ層と、前記下部
ギャップ層上に設けられた磁気抵抗効果を発揮する磁気
抵抗素子とを形成する工程と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合して対をなす端子部を
形成する端子形成工程と、前記端子部の少なくとも一方と前記下部ギャップ層とを
電気的に接続する接続工程と、前記磁気抵抗素子上に設けられた上部ギャップ層と、前
記上部ギャップ層上に設けられた上部シールド層とを形
成する工程とを有し、前記接続工程は、前記端子部の少なくとも一方と前記下
部ギャップ層とを電気的に接続するコンタクト部を形成
するに際し、前記端子部の形成と同時に、コンタクト部
の一部が形成されることを特徴とする磁気検出素子の製
造方法。
【請求項１６】基板上に、下部シールド層と、前記下部
シールド層上に設けられた下部ギャップ層と、前記下部
ギャップ層上に設けられた磁気抵抗効果を発揮する磁気
抵抗素子とを形成する工程と、前記磁気抵抗素子の両端部に接合して対をなす端子部を
形成する端子形成工程と、前記端子部の少なくとも一方と前記下部ギャップ層とを
電気的に接続する接続工程と、前記磁気抵抗素子上に設けられた上部ギャップ層と、前
記上部ギャップ層上に設けられた上部シールド層とを形
成する工程とを有し、前記接続工程は、前記端子部の少なくとも一方と前記下
部ギャップ層とを電気的に接続するコンタクト部を形成
するに際し、前記上部シールド層の形成と同時に、コン
タクト部の一部が形成されることを特徴とする磁気検出
素子の製造方法。
【請求項１７】請求項１５又は１６記載の磁気検出素子
の製造方法において、前記下部シールド層を、導電性を有する前記導電性基板
に電気的に接続する工程を含むことを特徴とする磁気検
出素子の製造方法。