JP2005339782A - 磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびヘッドジンバルアセンブリの製造方法 - Google Patents

磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびヘッドジンバルアセンブリの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 静電気を効率的に除去し、静電気の放電による損傷を伴うことなく容易に実施可能な磁気記録再生トランスデューサの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、熱可塑性導電樹脂を用いて一対の再生ヘッド端子６０同士および一対の記録ヘッド端子５０同士をそれぞれ接続する伝導路としての導電性ボール７０，７４を少なくとも形成したのち、これを所定条件でキュアリングするようにしたので、その後のラッピング操作やバー３２を切断して複数のスライダ２０に分割する操作などに伴って生ずる静電気が、導電性ボール７０，７４を介して短絡して再生ヘッド２や記録ヘッド４に蓄積されることなく外部へ放出される。したがって、静電気を効率的に除去することができ、静電気放電による損傷を伴うことなく、磁気記録再生トランスデューサを容易に得ることができる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、磁気抵抗効果膜を備えた磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびヘッドジンバルアセンブリの製造方法に関する。
磁気情報の記録および再生を行うハードディスクドライブは、一般的に、磁気記録媒体と対向する電磁気変換器（トランスデューサ）を各々搭載した複数のスライダを備えている。図４は、従来の一般的なトランスデューサ１０１の概略構成を表すものである。トランスデューサ１０１は、アルティック（Ａｌ・ＴｉＣ）などからなるスライダ１２０の一端面に設けられており、磁気抵抗効果型の再生ヘッド１０２および誘導型の記録ヘッド１０４を有している。再生ヘッド１０２および記録ヘッド１０４は、酸化アルミニウムなどの絶縁材料からなる充填層１１２を介して一体となり、複合ヘッドを形成している。
トランスデューサ１０１を形成する際には、同一構成を有する多くの複合ヘッドが円形のウェハ（図示せず）の上に一括して形成される。このウェハを、断面が弦を形成するように直線状に切断することにより、複数のバー（row-bar）を形成する。そののち、所定の工程を経ることにより、スライダ上に１つずつ形成された完成品としてのトランスデューサ１０１となる。
再生ヘッド１０２は、積層体からなる磁気センサであり、その動作は巨大磁気抵抗効果に従う。再生ヘッド１０２としての積層体は、その厚みが極めて薄いことから、静電気放電（ＥＳＤ：electrostatic discharge）に非常に敏感である。一方、記録ヘッド１０４は、一対の磁極１１８の間に誘導コイル１０６を備えるようにしたものであり、ＥＳＤに対してある程度の耐性（immune）を示すものである。再生ヘッド１０２は、信号磁場の検出を行う磁気抵抗効果素子１１３と、この磁気抵抗効果素子１１３の両面を覆うように形成された一対の誘電体層１１１とを有している。この再生ヘッド１０２は、シールド層１０８とシールド層１１０とによって挟まれている。このため、磁気抵抗効果素子１１３は、動作時において、シールド層１０８およびシールド層１１０によって不要な漏洩（stray）磁場から保護される。誘電体層１１１は、例えば酸化アルミニウムから形成され、磁気抵抗効果素子１１３をシールド層１０８およびシールド層１１０から電気的に絶縁するものである。シールド層１０８およびシールド層１１０、誘電体層１１１、磁気抵抗効果素子１１３および充填層１１２は、ウェハ上に順次形成され、適切な形状となるようにパターニングされたのち、ウェハごと分割されることにより、トランスデューサ１０１を備えたスライダ１２０が形成されることとなる。再生ヘッド１０２と記録ヘッド１０４とはそれらを取り囲む充填層１１２によって互いに絶縁されている。磁気抵抗効果素子１１３からの導電リード層（図示せず）および記録ヘッド１０４は、充填層１１２の表面であるトレーリング端面１１５に設けられた（例えば金などの高導電率材料からなる）ターミナル群１１４を構成する各々の端子と接続されている。ここで、「トレーリング」とは、磁気記録媒体（磁気ディスク）の流出する方向に対応する側を意味する。ターミナル群１１４には外部回路が接続されている。この外部回路は、記録ヘッド１０４に対して書込磁場を形成するエネルギーを供給すると共に、再生ヘッド１０２に対してセンス電流を供給し、磁気ディスクに格納された磁気信号を読み出すように機能する。
図５は、図４における矢視方向Ｖから眺めたトレーリング端面１１５の平面図である。図５に示したように、トレーリング端面１１５には、一対の再生ヘッド端子１６０と、一対の記録ヘッド端子１５０と、スライダ１２０と接続されたスライダ端子１６７と、上部シールド層１０８および下部シールド層１１０と連結されたシールド端子１６５とが設けられている。なお、図５には、充填層１１２に埋設された再生ヘッド１０２および記録ヘッド１０４からなる複合ヘッド１８０を波線で示している。
図４に示したように、一対の磁極１１８および磁気抵抗効果素子１１３は、充填層１１２の記録媒体対向面（ＡＢＳ；air-bearing surface）１１２Ｓに露出している。ＡＢＳ１１２Ｓはスライダ１２０の表面１２２と共平面を形成している。動作時においては、ＡＢＳ１１２Ｓがディスクの表面から浮上することとなる。厳密には、保護層１２１によって表面１２２およびＡＢＳ１１２Ｓが覆われている。保護層１２１の表面は、研磨されて平滑となっている。このような構成のトランスデューサ１０１を有するスライダ１２０は、ステンレススチールなどからなるサスペンション１００の先端部に取り付けられており、全体としてヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を構成している。
上記のような、スライダ１２０に搭載されたトランスデューサ１０１を形成する際には、多くの工程において、再生ヘッド１０２に損傷を与える可能性のある静電気放電の原因となる静電気の帯電が生じることとなる。例えば、ウェハ上に、のちにトランスデューサとなる複数の磁気変換構造を一括形成する段階では、イオンビームによるデポジッション工程やプラズマエッチング工程など真空状態で行う多くの工程（これらはウェハ表面に電荷をチャージすることとなる）がある。ウェハは、トランスデューサごとに切断されるが、その際にも静電気がチャージされる。さらに、ラッピング処理によりＡＢＳ１１２Ｓが形成される際にも静電気のチャージが生ずる。
そこで、従来より、静電気放電の問題を解決するための多くの試みが過去になされてきた。例えば、Bajorek等は、磁気抵抗効果素子のリード端子をスライダ端面において半田付けすることで、一時的に迂回する電流経路を形成し、その電流経路を利用して放電させて静電気を再生ヘッドから除去する方法を開示している（例えば、特許文献１参照）。
また、関連する従来技術としては、例えば以下のものがある。例えばHughbanks等は、記録再生ヘッドの複数のリード層を短絡させ、それらのリード層を、ＡＢＳ上に形成したタングステンなどからなる導電層を通じてスライダと接続するようにしている（例えば、特許文献２参照）。
また、Erpelding等は、再生ヘッドにおける互いに隣接するリード層を横切るように半田付けされた分岐路を開示している（例えば、特許文献３参照）。
また、Girard等は、導電性の経路の上に静電気放電に敏感な構成要素を設けるようにしたものを開示している（例えば、特許文献４参照）。
また、Lam等は、導電性部材とダイオードとを通じてサスペンションと接続されたセンサを開示している（例えば、特許文献５参照）。
また、Bougtaghou等は、半田からなる分岐路の構成を開示している（例えば、特許文献６参照）。
Zakは、ディスクドライブの動作中に、スライダと電気的に接続されたジンバルを利用して、累積された静電気をスライダから放出する方法を開示している（例えば、特許文献７参照）。
Zarouriは、トランスデューサと接続されたパッドの上に形成されるテストクリップやヒンジ型のバーについて開示している（例えば、特許文献８参照）。
米国特許第５４６５１８６号明細書 米国特許第５４９１６０５号明細書 米国特許第５６９９２１２号明細書 米国特許第６６３１０５２号明細書 米国特許第６７０４１７３号明細書 米国特許第６６４３１０６号明細書 米国特許第５０２１９０７号明細書 米国特許第６０３４８５１号明細書
ところが、上記の発明は、手段やプロセス、あるいはトランスデューサ自体の大幅な改良を必要とする。このような改良はコストを増大させることにつながりやすく、製造プロセスの煩雑さを招く原因ともなりやすい。例えば外付けの短絡用リードや半田からなるコネクション、あるいはクリップなどの形成および除去は製造工程を煩雑にするうえ、トランスデューサにおける静電放電現象や破壊を生み出す原因ともなる可能性がある。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、その目的は、静電気を効率的に除去し、静電気の放電による損傷を伴うことなく容易に実施可能な磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびそのような磁気記録再生トランスデューサを備えたヘッドジンバルアセンブリの製造方法を提供することにある。
本発明における第１のヘッドジンバルアセンブリの製造方法は、以下の（Ａ１）〜（Ａ４）の各工程を含むようにしたものである。
（Ａ１）基体の一端面上に、絶縁体に埋設された磁気再生ヘッド、誘導型記録ヘッドおよび一対のシールド層を形成すると共に、その絶縁体の表面に、磁気再生ヘッドと接続された一対の再生ヘッド端子および誘導型記録ヘッドと接続された一対の記録ヘッド端子を含む導電性端子を形成することにより、磁気記録再生トランスデューサを備えたスライダを形成する工程。
（Ａ２）一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続するように熱可塑性導電樹脂を塗布する工程。
（Ａ３）所定の温度で所定時間に亘って熱可塑性導電樹脂をキュアリングすることにより、一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成する工程。
（Ａ４）複数の導電性ボールを残したままサスペンションの先端にスライダを取り付けることにより、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を形成する工程。
本発明における第１のヘッドジンバルアセンブリの製造方法では、熱可塑性導電樹脂を用いて、一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成するようにしたので、その後の工程、例えば記録媒体対向面を形成するためのラッピング操作や、記録媒体対向面を保護する保護層の形成などに伴って生ずる静電気が複数の導電性ボールを介して短絡し、再生ヘッドや記録ヘッドに蓄積されることなく外部へ放出される。
本発明における第１のヘッドジンバルアセンブリの製造方法では、ヘッドジンバルアセンブリの形成を終えたのち、複数の導電性ボールを除去する工程をさらに含むようにするとよい。さらに、一対のシールド層と接続されたシールド端子および基体と接続された基体端子を導電性端子としてそれぞれ絶縁体の表面に形成すると共に、一対の再生ヘッド端子、基体端子およびシールド端子を互いに電気的に連結するように複数の導電性ボールを形成すると、より効率的に静電気が除去される。また、熱可塑性導電樹脂として、金（Ａｕ）の粒子および銀（Ａｇ）の粒子の少なくとも一方を含むエポキシ樹脂を用いることができる。また、複数の導電性ボールのキュアリングは、１２０℃の温度下において１５分間に亘っておこなうことが望ましい。さらに、複数の導電性ボールを除去する際には、キュアリングされた熱可塑性導電樹脂を溶解可能な溶剤を用いるとよい。あるいは、この溶剤と併せて超音波エネルギーとを利用することにより、複数の導電性ボールを除去するようにしてもよい。
本発明における磁気記録再生トランスデューサの製造方法は、以下の（Ｂ１）〜（Ｂ４）の各工程を含むようにしたものである。
（Ｂ１）基体の一端面上に、絶縁体に埋設された磁気再生ヘッド、誘導型記録ヘッドおよび一対のシールド層を形成すると共に、その絶縁体の表面に、磁気再生ヘッドと接続された一対の再生ヘッド端子および前記誘導型記録ヘッドと接続された一対の記録ヘッド端子を含む導電性端子を形成することにより、複数の磁気記録再生トランスデューサを備えたバーを形成する工程。
（Ｂ２）一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続するように熱可塑性導電樹脂を塗布する工程。
（Ｂ３）所定の温度で所定時間に亘って熱可塑性導電樹脂をキュアリングすることにより、一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成する工程。
（Ｂ３）複数の導電性ボールを形成したのち、複数の導電性ボールを残したままバーをラッピングすることにより記録媒体対向面を形成する工程。
（Ｂ４）記録媒体対向面を形成したのち、複数の導電性ボールを残したまま磁気記録再生トランスデューサごとにバーを切断して分割することにより複数のスライダを形成する工程。
本発明における磁気記録再生トランスデューサの製造方法では、熱可塑性導電樹脂を用いて、一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成するようにしたので、その後の記録媒体対向面を形成するためのラッピング操作や、バーを切断して複数のスライダに分割する操作などに伴って生ずる静電気が複数の導電性ボールを介して短絡し、再生ヘッドや記録ヘッドに蓄積されることなく外部へ放出される。
本発明における磁気記録再生トランスデューサの製造方法では、複数のスライダの形成を終えたのち、複数の導電性ボールを除去する工程をさらに含むことが望ましい。さらに、一対のシールド層と接続されたシールド端子および基体と接続された基体端子を導電性端子としてそれぞれ絶縁体の表面に形成すると共に、一対の再生ヘッド端子、基体端子およびシールド端子を互いに電気的に連結するように複数の導電性ボールを形成するとよい。また、熱可塑性導電樹脂として、金（Ａｕ）の粒子および銀（Ａｇ）の粒子の少なくとも一方を含むエポキシ樹脂を用いることができる。また、複数の導電性ボールのキュアリングは、１２０℃の温度下において１５分間に亘っておこなうことが望ましい。さらに、複数の導電性ボールを除去する際には、キュアリングされた熱可塑性導電樹脂を溶解可能な溶剤を用いるとよい。あるいは、この溶剤と併せて超音波エネルギーとを利用することにより、複数の導電性ボールを除去するようにしてもよい。
本発明における第２のヘッドジンバルアセンブリの製造方法は、以下の（Ｃ１）〜（Ｃ６）の各工程を含むようにしたものである。
（Ｃ１）基体の一端面上に、絶縁体に埋設された磁気再生ヘッド、誘導型記録ヘッドおよび一対のシールド層を形成すると共に、その絶縁体の表面に、磁気再生ヘッドと接続された一対の再生ヘッド端子および誘導型記録ヘッドと接続された一対の記録ヘッド端子を含む導電性端子を形成することにより、複数の磁気記録再生トランスデューサを備えたバーを形成する工程。
（Ｃ２）一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続するように熱可塑性導電樹脂を塗布する工程。
（Ｃ３）所定の温度で所定時間に亘って熱可塑性導電樹脂をキュアリングすることにより、一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成する工程。
（Ｃ４）複数の導電性ボールを形成したのち、複数の導電性ボールを残したままバーをラッピングすることにより記録媒体対向面を形成する工程。
（Ｃ５）記録媒体対向面を形成したのち、複数の導電性ボールを残したまま磁気記録再生トランスデューサごとにバーを切断して分割することにより複数のスライダを形成する工程。
（Ｃ６）複数の導電性ボールを残したままサスペンションの先端にスライダを取り付けることにより、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を形成する工程。
本発明における第２のヘッドジンバルアセンブリの製造方法では、熱可塑性導電樹脂を用いて、一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成するようにしたので、その後の記録媒体対向面を形成するためのラッピング操作や、バーを切断して複数のスライダに分割する操作、あるいはなどに伴って生ずる静電気が複数の導電性ボールを介して短絡し、再生ヘッドや記録ヘッドに蓄積されることなく外部へ放出される。
本発明における第１もしくは第２のヘッドジンバルアセンブリの製造方法または磁気記録再生トランスデューサの製造方法によれば、熱可塑性導電樹脂を用いて、少なくとも一対の再生ヘッド端子同士および一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成するようにしたので、製造工程中に発生する静電気を複数の導電性ボールを介して短絡させ、再生ヘッドや記録ヘッドに蓄積させることなく外部へ放出することができる。そのうえ、キュアリングされた複数の導電性ボールは、周囲に対する特性上の悪影響を与えることなく簡便に除去可能なものである。したがって、静電気を効率的に除去し、静電気の放電による損傷を伴うことなく、良好な磁気特性を示す磁気記録再生トランスデューサや、これを備えたヘッドジンバルアセンブリを容易に得ることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
最初に、図１および図２（Ａ）を参照して、本発明の一実施の形態に係る磁気記録再生トランスデューサを備えたヘッドジンバルアセンブリの構成について以下に説明する。本実施の形態のヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：）は、例えばハードディスク装置などに搭載されて、磁気記録媒体としての磁気ディスクに記録された磁気情報を読み出すように機能するもの磁気デバイスである。
図１は、本実施の形態のＨＧＡの構成を表す概略図である。図１に示したように、本実施の形態のＨＧＡは、サスペンション１００の先端部にスライダ２０が取り付けられたものである。スライダ２０は、例えばアルティック（Ａｌ・ＴｉＣ）により構成され、その一端面にはトランスデューサ１が設けられている。
トランスデューサ１は、磁気抵抗効果型の再生ヘッド２および誘導型の記録ヘッド４を有している。再生ヘッド２および記録ヘッド４は、酸化アルミニウムなどの絶縁材料からなる充填層１２を介して一体となり、複合ヘッドを形成している。
再生ヘッド２は、積層体からなる磁気センサであり、その動作は巨大磁気抵抗効果に従う。再生ヘッド２としての積層体は、その厚みが極めて薄いことから、静電気放電（ＥＳＤ：electrostatic discharge）に非常に敏感である。一方、記録ヘッド４は、一対の磁極１８の間に誘導コイル６を備えるようにしたものであり、ＥＳＤに対してある程度の耐性を示す。再生ヘッド２は、信号磁場の検出を行う磁気抵抗効果素子１３と、この磁気抵抗効果素子１３の両面を覆うように形成された一対の誘電体層１１とを有している。この再生ヘッド２は、シールド層８とシールド層１０とによって挟まれている。このため、磁気抵抗効果素子１３が、動作時において、シールド層８およびシールド層１０によって不要な漏洩（stray）磁場から保護される。誘電体層１１は、例えば酸化アルミニウムから形成され、磁気抵抗効果素子１３をシールド層８およびシールド層１０から電気的に絶縁するものである。再生ヘッド２、記録ヘッド４、シールド層８，１０は、それらを取り囲む充填層１２によって互いに絶縁されている。磁気抵抗効果素子１３、シールド層８，１０および記録ヘッド４は、それぞれ、充填層１２の一表面であるトレーリング端面１５に設けられた（例えば金（Ａｕ）などの高導電率材料からなる）ターミナル群１４を構成する各端子（詳細は後述）と接続されている。ここで、「トレーリング」とは、磁気記録媒体（磁気ディスク）の流出する方向に対応する側を意味する。ターミナル群１４には外部回路が接続されている。この外部回路は、記録ヘッド４に対して書込磁場を形成するエネルギーを供給すると共に、再生ヘッド２に対してセンス電流を供給し、磁気ディスクに格納された磁気信号を読み出すように機能するものである。
また、記録ヘッド４における一対の磁極１８および再生ヘッド２は、磁気ディスクと対向することとなる記録媒体対向面（ＡＢＳ；air-bearing surface）１Ｓに露出している。ＡＢＳ１Ｓはスライダ２０の表面２２と共平面を形成している。動作時においては、ＡＢＳ１Ｓが磁気ディスクの表面から浮上することとなる。厳密には、表面２２およびＡＢＳ１Ｓは、例えばカーボンを含む高い耐摩耗性を示す保護層２１によって覆われている。保護層２１の表面は、研磨処理により平滑となっている。
図２（Ａ）は、図１における矢視方向IIから眺めたトレーリング端面１５の平面図である。但し、図２は、トランスデューサ１を製造する際の一工程を表しており、完成品としてのトランスデューサ１は、導電性ボール７０，７２，７４（後出）がいずれも除去された状態となっている。図２に示したように、トレーリング端面１５にはターミナル群１４、すなわち一対の再生ヘッド端子６０と、一対の記録ヘッド端子５０と、スライダ２０と接続されたスライダ端子６７と、シールド層８，１０と連結されたシールド端子６５とが設けられている。なお、図２には、充填層１２に埋設された再生ヘッド２および記録ヘッド４からなる複合ヘッド８０を（トレーリング端面１５には露出していないので）波線で示している。一対の再生ヘッド端子６０は導電層（図示せず）を介して再生ヘッド２と接続され、一対の記録ヘッド端子５０は他の導電層（図示せず）を介して記録ヘッド４と接続されている。
続いて、図１および図２（Ａ）に加え、図２（Ｂ）を参照して、本実施の形態のＨＧＡの製造方法について説明する。
図２（Ｂ）は、本実施の形態としてのＨＧＡの製造工程における初期段階の一工程を示すものである。
まずはじめに、例えば直径６インチ（２５．４×６ｍｍ）程度のウェハ３０（図２（Ｂ））を用意し、複数の磁気変換構造および複数の導電性ターミナル端子群を、ウェハ３０上において列をなすように一括して形成する。具体的には、充填層１２によって埋設された再生ヘッド１と記録ヘッド４とシールド層８，１０とを各々含む複数の磁気変換構造をウェハ３０の上に形成したのち、充填層１２の表面に一対の再生ヘッド端子６０、一対の記録ヘッド端子５０、シールド端子６５およびスライダ端子６７を含む複数のターミナル群１４を形成する。
そののち、ウェハ３０を、複数の磁気変換構造および複数のターミナル群１４からなる列ごとに切断することにより、バー３２（図２（Ｂ））を形成する。ウェハ３０は、その円形の輪郭における弦に相当する直線に沿って切断されることでバー３２となる。バー３２においては、図２（Ｂ）の波線の囲み３１の中に拡大して示したように、のちにトレーリング端面１５となる上面に複数のターミナル群１４が規則的に配置される。
バー３２を形成したのち、熱可塑性導電樹脂を用いて、一対の再生ヘッド端子６０同士とシールド端子６５とを連結する伝導路としての導電性ボール７０と、一対の再生ヘッド端子６０のうちの一方とスライダ端子６７とをそれぞれ連結する伝導路としての導電性ボール７４と、一対の記録ヘッド端子５０同士を連結する伝導路としての導電性ボール７６とをそれぞれ形成する。熱可塑性導電樹脂としては、例えば金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）の粒子を含むエポキシ樹脂を用いることができる。このような熱可塑性導電樹脂は、ターミナル群１４や複合ヘッド８０の劣化を引き起こすことなく容易に塗布でき、かつ容易に除去可能である。熱可塑性導電樹脂を塗布する方法としては、例えばスクリーン印刷や、自動のディスペンサユニットを利用する方法など、いくつかの手法がある。これらの手法は、いずれもコスト面での大きな負担や製造工程における混乱を伴うものではなく、簡素なものである。導電性ボール７０，７４，７６の寸法は各端子同士の間隔に依存するものであるが、例えば最大で１００μｍ程度の長さとなるように形成される。形状については、例えば断面形状が図２（Ａ）に示したように楕円形でもよいし、円形であってもよい。
導電性ボール７０，７４，７６の形成ののち、バー３２を例えば１２０℃に保持されたオーブンの中に投入し、１５分間に亘ってキュアリングする。キュアリングの最適条件は、導電性ボール７０，７４，７６の寸法や材質に依存する。
キュアリング操作ののち、バー３２の所定の一端面をラッピング処理（研磨処理）することにより、ＡＢＳ１Ｓを形成する。ＡＢＳ１Ｓを形成したのち、磁気変換構造ごとにバー３２を切断して複数のスライダ２０に分割することにより、各スライダ２０上に１つずつ搭載されたトランスデューサ１が形成される。
こののち、各トランスデューサ１のＡＢＳ１Ｓと、スライダ２０の表面２２とを覆うように、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などを用いて保護層２１を形成する。
さらに、キュアリングされた導電性ボール７０，７４，７６を残したままサスペンション１００の先端にトランスデューサ１を搭載したスライダ２０を取り付けることにより、ＨＧＡの形成が一応完了する。
静電気放電の発生が問題となる工程を終了したのち、キュアリングされた導電性ボール７０，７４，７６を除去する。例えばアセトンや熱したＣＭ１０（商品名）のような、キュアリング後の熱可塑性導電樹脂を溶解可能な溶剤をクリーニングタンクに満たし、その中にバー３２を投入することによって、導電性ボール７０，７４，７６を簡単に除去することができる。その際、併せて超音波エネルギーを付与するようにすると、より効率的にキュアリングされた導電性ボール７０，７４，７６を除去することができる。このように、ターミナル群１４における各端子に対する損傷を与えずに、かつ、残留物を発生させることなく容易に導電性ボール７０，７４，７６を除去することが可能である。この結果、静電気放電による損傷を受けることなく、比較的簡便にＨＧＡの形成が完了する。なお、導電性ボール７０，７４，７６は、製造工程におけるどの段階でも除去可能であると共に、のちに必要に応じて再形成することも可能である。
以上説明したように、本実施の形態のトランスデューサ１を備えたＨＧＡの製造方法によれば、熱可塑性導電樹脂を用いて、一対の再生ヘッド端子６０同士とシールド端子６５とを接続する導電性ボール７０と、一対の再生ヘッド端子６０のうちの一方とスライダ端子６７とをそれぞれ接続する導電性ボール７２と、一対の記録ヘッド端子５０同士を接続する導電性ボール７４とをそれぞれ形成し、これを所定条件でキュアリングするようにしたので、製造工程中に発生する静電気を、キュアリングされた導電性ボール７０，７２，７４を介して短絡させ、再生ヘッド２や記録ヘッド４に蓄積させることなく効率的に外部へ放出することができる。
具体的には、各々のスライダ２０に分割する前の状態、すなわちバー３２の状態において所定箇所に導電性ボール７０，７４，７６を一括して形成するようにしたことにより、製造上の効率化を図りつつ、バー３２を切断して複数のスライダ２０へ分割する際に生じる静電気の帯電を防止することができる。さらに、バー３２に対して記録媒体対向面１Ｓを形成するためのラッピング処理を施す前に導電性ボール７０，７４，７６をそれぞれ形成するようにしたので、ラッピング処理に伴う静電気の帯電をも防止することができる。なお、バー３２を形成する以前の段階において、ウェハ３０の上に複数の磁気変換構造、複数のターミナル群１４および複数の導電性ボール７０，７２，７４を一括して形成するようにしてもよい。この場合には、ウェハ３０から複数のバー３２を切り出す際に生ずる静電気についても帯電させることなく除去可能である。
次に、本発明の磁気記録再生トランスデューサの製造方法に対応した実施例について説明する。
ここでは、複数の導電性ボールを設けることによってスライダへ短絡する伝導路が形成されることを確認するため、ＡＢＳ形成のためのラッピングを行う前にバーの表面に銀の粒子を含むエポキシ樹脂からなる複数の導電性ボールを形成し、一対の再生ヘッド端子どうしの間の抵抗値（ＭＲＲ）を測定した。その結果を図３に示す。図３には、導電性ボールを形成する前のバーにおけるＭＲＲについても併せて示す。なお、図３では、横軸がサンプル数を表し、縦軸がＭＲＲ（Ω）を表す。この結果、導電性ボールを形成した後（短絡後）のサンプルでは、静電荷が再生ヘッドに蓄積されることなくスライダへ短絡しているので、ＭＲＲはほぼ零となることが確認できた。一方、導電性ボールを形成する前（短絡前）のサンプルでは、ＭＲＲの測定値が高い上、その広がり（ばらつき）が大きい。このばらつきは磁気特性の劣化につながるものである。
さらに、ラッピング処理ののち導電性ボールの除去をおこない、磁気特性に関する準静的試験（ＱＳＴ）を実施した。ここでは、導電性ボールの形成をせずにラッピング処理を行ったサンプルについても同様の試験を行い、磁化曲線（ヒステリシス曲線）および最大出力を比較した。その結果、静電気放電の見られるサンプルでは、出力の減少およびヒステリシス曲線の劣化（形状の変化や反転）が見られた。
これらの結果は、製造工程中において短絡路（導電性ボール）を形成して静電気の帯電を抑制することによって、製品出来高および長期信頼性がかなり改善されるという明確な現れ（indication）であり重要である。磁気記録再生トランスデューサの製造にあたっては、静電気の蓄積や、静電気放電を伴う他の多くの工程が存在するので、工程全体に亘って短絡が行われるようにしておくことにより、より大きな改善効果の獲得が十分に期待される。
以上、実施の形態および実施例（以下、実施の形態等という。）を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。すなわち当技術分野を熟知した当業者であれば理解できるように、上記実施の形態は本願発明の一具体例であり、本願発明は、上記の内容に限定されるものではない。製造方法、構造および寸法などの修正および変更は、本発明と一致する限り、好ましい具体例に対応して行われる。
例えば、本実施の形態では、１つのウェハ上に複数の磁気変換構造および複数のターミナル群を一括して形成したのち、これを複数のバーに分割して所定箇所に導電性ボールを一括して形成し、さらに各バーから複数のスライダを切り出すようにしたが、先にウェハから複数のスライダを切り出したのち、各スライダに磁気変換構造、ターミナル群および導電性ボールを形成するようにしてもよい。その場合、スライダごとに行うＡＢＳの研磨形成および保護層の形成に伴い静電気が発生することとなるが、導電性ボールによって短絡されるので帯電が防止される。したがって、この場合においても、静電気放電による再生ヘッドなどの損傷を伴うことなく良好な特性を示す磁気記録再生トランスデューサや、これを備えたヘッドジンバルアセンブリを容易に得ることができる。
本発明の一実施の形態に係るトランスデューサを備えたＨＧＡの構成を表す断面図である。 図１に示したトランスデューサを製造するための一工程を表す構成図である。 図１に示したトランスデューサのＭＲＲ特性を表す特性図である。 従来の製造方法によって形成されたトランスデューサを備えたＨＧＡの構成を表す断面図である。 図４に示した従来のトランスデューサの構成を表す平面図である。
符号の説明
１…トランスデューサ、１Ｓ…記録媒体対向面（ＡＢＳ）、２…再生ヘッド、４…記録ヘッド、６…誘導コイル、８，１０…シールド層、１１…誘電体層、１２…充填層、１３…磁気抵抗効果素子、１４…ターミナル群、１５…トレーリング端面、１８…磁極、２０…スライダ、２１…保護層、２２…表面、３０…ウェハ、３２…バー、５０…記録ヘッド端子、６０…再生ヘッド端子、６５…シールド端子、６７…スライダ端子、７０，７２，７４…導電性ボール、８０…複合ヘッド、１００…サスペンション。

Claims (15)

  1. 基体の一端面上に、絶縁体に埋設された磁気再生ヘッド、誘導型記録ヘッドおよび一対のシールド層を形成すると共に、その絶縁体の表面に、前記磁気再生ヘッドと接続された一対の再生ヘッド端子および前記誘導型記録ヘッドと接続された一対の記録ヘッド端子を含む導電性端子を形成することにより、磁気記録再生トランスデューサを備えたスライダを形成する工程と、
    前記一対の再生ヘッド端子同士および前記一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続するように熱可塑性導電樹脂を塗布する工程と、
    所定の温度で所定時間に亘って前記熱可塑性導電樹脂をキュアリングすることにより、前記一対の再生ヘッド端子同士および前記一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成する工程と、
    前記複数の導電性ボールを残したままサスペンションの先端に前記スライダを取り付けることにより、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を形成する工程と
    を含むことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
  2. 前記ヘッドジンバルアセンブリの形成を終えたのち、前記複数の導電性ボールを除去する工程をさらに含む
    ことを特徴とする請求項１に記載のヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
  3. さらに、前記一対のシールド層と接続されたシールド端子および前記基体と接続された基体端子を前記導電性端子としてそれぞれ前記絶縁体の表面に形成すると共に、前記一対の再生ヘッド端子、前記基体端子および前記シールド端子を互いに電気的に連結するように前記複数の導電性ボールを形成する
    ことを特徴とする請求項１に記載のヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
  4. 前記熱可塑性導電樹脂として、金（Ａｕ）の粒子および銀（Ａｇ）の粒子の少なくとも一方を含むエポキシ樹脂を用いる
    ことを特徴とする請求項１に記載のヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
  5. １２０℃の温度下において１５分間に亘り前記熱可塑性導電樹脂をキュアリングすることにより前記複数の導電性ボールを形成する
    ことを特徴とする請求項１に記載のヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
  6. 前記導電性ボールを溶解可能な溶剤を用いて、前記複数の導電性ボールを除去する
    ことを特徴とする請求項１に記載のヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
  7. 前記導電性ボールを溶解可能な溶剤と、超音波エネルギーとを利用することにより、前記複数の導電性ボールを除去する
    ことを特徴とする請求項１に記載のヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
  8. 基体の一端面上に、絶縁体に埋設された磁気再生ヘッド、誘導型記録ヘッドおよび一対のシールド層を形成すると共に、その絶縁体の表面に、前記磁気再生ヘッドと接続された一対の再生ヘッド端子および前記誘導型記録ヘッドと接続された一対の記録ヘッド端子を含む導電性端子を形成することにより、複数の磁気記録再生トランスデューサを備えたバーを形成する工程と、
    前記一対の再生ヘッド端子同士および前記一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続するように熱可塑性導電樹脂を塗布する工程と、
    所定の温度で所定時間に亘って前記熱可塑性導電樹脂をキュアリングすることにより、前記一対の再生ヘッド端子同士および前記一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成する工程と、
    前記複数の導電性ボールを形成したのち、前記複数の導電性ボールを残したまま前記バーをラッピングすることにより記録媒体対向面を形成する工程と、
    前記記録媒体対向面を形成したのち、前記複数の導電性ボールを残したまま前記磁気記録再生トランスデューサごとに前記バーを切断して分割することにより複数のスライダを形成する工程と
    を含むことを特徴とする磁気記録再生トランスデューサの製造方法。
  9. 前記複数のスライダの形成を終えたのち、前記複数の導電性ボールを除去する工程をさらに含む
    ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録再生トランスデューサの製造方法。
  10. さらに、前記一対のシールド層と接続されたシールド端子および前記基体と接続された基体端子を前記導電性端子としてそれぞれ前記絶縁体の表面に形成すると共に、前記一対の再生ヘッド端子、前記基体端子および前記シールド端子を互いに電気的に連結するように前記複数の導電性ボールを形成する
    ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録再生トランスデューサの製造方法。
  11. 前記熱可塑性導電樹脂として、金（Ａｕ）の粒子および銀（Ａｇ）の粒子の少なくとも一方を含むエポキシ樹脂を用いる
    ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録再生トランスデューサの製造方法。
  12. １２０℃の温度下において１５分間に亘り前記熱可塑性導電樹脂をキュアリングすることにより前記複数の導電性ボールを形成する
    ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録再生トランスデューサの製造方法。
  13. 前記導電性ボールを溶解可能な溶剤を用いて、前記複数の導電性ボールを除去する
    ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録再生トランスデューサの製造方法。
  14. 前記導電性ボールを溶解可能な溶剤と、超音波エネルギーとを利用することにより、前記複数の導電性ボールを除去する
    ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録再生トランスデューサの製造方法。
  15. 基体の一端面上に、絶縁体に埋設された磁気再生ヘッド、誘導型記録ヘッドおよび一対のシールド層を形成すると共に、その絶縁体の表面に、前記磁気再生ヘッドと接続された一対の再生ヘッド端子および前記誘導型記録ヘッドと接続された一対の記録ヘッド端子を含む導電性端子を形成することにより、複数の磁気記録再生トランスデューサを備えたバーを形成する工程と、
    前記一対の再生ヘッド端子同士および前記一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続するように熱可塑性導電樹脂を塗布する工程と、
    所定の温度で所定時間に亘って前記熱可塑性導電樹脂をキュアリングすることにより、前記一対の再生ヘッド端子同士および前記一対の記録ヘッド端子同士をそれぞれ接続する伝導路としての複数の導電性ボールを形成する工程と、
    前記複数の導電性ボールを形成したのち、前記複数の導電性ボールを残したまま前記バーをラッピングすることにより記録媒体対向面を形成する工程と、
    前記記録媒体対向面を形成したのち、前記複数の導電性ボールを残したまま前記磁気記録再生トランスデューサごとに前記バーを切断して分割することにより複数のスライダを形成する工程と、
    前記複数の導電性ボールを残したままサスペンションの先端に前記スライダを取り付けることにより、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を形成する工程と
    を含むことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
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