JP2000315303A - 分離容易な静電破壊防止用短絡部を有する薄膜磁気ヘッド装置及びその製造方法 - Google Patents
分離容易な静電破壊防止用短絡部を有する薄膜磁気ヘッド装置及びその製造方法Info
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- JP2000315303A JP2000315303A JP11124960A JP12496099A JP2000315303A JP 2000315303 A JP2000315303 A JP 2000315303A JP 11124960 A JP11124960 A JP 11124960A JP 12496099 A JP12496099 A JP 12496099A JP 2000315303 A JP2000315303 A JP 2000315303A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッド装置において、リードプリン
ト配線の適所に簡単な操作で静電破壊防止用の短絡部を
形成し得るようにすると共に同短絡部をプリン配線基板
を損傷することなく容易に分離又は切り離し得るように
する。 【解決手段】 ＭＲ型ヘッド素子又はＧＭＲ型ヘッド素
子等の磁気抵抗効果型ヘッド素子１１に設けたスライダ
１１ａから引き出した出力配線１５の一部にて互いに近
接した配列した導体部分に変形による接合が可能な間隔
にて一対の導電性物質（例えば、一対の半田バンプ）を
予め固着して、これら導電性物質を圧縮変形させて接合
することにより形成した短絡部を有し、同短絡部を加熱
又は切断により分離して使用に供するようにした薄膜磁
気ヘッド装置。
ト配線の適所に簡単な操作で静電破壊防止用の短絡部を
形成し得るようにすると共に同短絡部をプリン配線基板
を損傷することなく容易に分離又は切り離し得るように
する。 【解決手段】 ＭＲ型ヘッド素子又はＧＭＲ型ヘッド素
子等の磁気抵抗効果型ヘッド素子１１に設けたスライダ
１１ａから引き出した出力配線１５の一部にて互いに近
接した配列した導体部分に変形による接合が可能な間隔
にて一対の導電性物質（例えば、一対の半田バンプ）を
予め固着して、これら導電性物質を圧縮変形させて接合
することにより形成した短絡部を有し、同短絡部を加熱
又は切断により分離して使用に供するようにした薄膜磁
気ヘッド装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型ヘッド素
子（ＭＲ型ヘッド素子）又は巨大磁気抵抗効果型ヘッド
素子（ＧＭＲ型ヘッド素子）を備えた薄膜磁気ヘッド装
置及びその製造方法、特に分離容易な静電破壊防止用短
絡部を有する薄膜磁気ヘッド装置及びその製造方法に関
するものである。
子（ＭＲ型ヘッド素子）又は巨大磁気抵抗効果型ヘッド
素子（ＧＭＲ型ヘッド素子）を備えた薄膜磁気ヘッド装
置及びその製造方法、特に分離容易な静電破壊防止用短
絡部を有する薄膜磁気ヘッド装置及びその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、再生用のＭＲ型ヘッド素子と共に
書込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気
ヘッド装置においては、そのＭＲ型ヘッド素子の加工工
程にて静電気が生じると素子の端子間に電位差が生じて
同素子の磁気抵抗部分に過大電流が流れて、同素子の磁
気抵抗材料が発熱により一部溶ける等により破壊し、磁
気抵抗層の抵抗値が変化して特性が劣化することが問題
をなっていた。特に、近年需要が高まってきたＭＲ型ヘ
ッド素子に比べて出力が３〜４倍高いＧＭＲ型ヘッド素
子を備えた薄膜磁気ヘッド装置においては、静電気によ
ってヘッド素子を構成している反強磁性膜に固着した固
着層（ピン層）が発熱により一部周囲の磁界の影響をう
ける等により破壊し、磁化の向きが反強磁性層に揃わず
乱される。この結果、磁気抵抗変化を正しく感知できな
いという特性の劣化をもたらす。
書込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気
ヘッド装置においては、そのＭＲ型ヘッド素子の加工工
程にて静電気が生じると素子の端子間に電位差が生じて
同素子の磁気抵抗部分に過大電流が流れて、同素子の磁
気抵抗材料が発熱により一部溶ける等により破壊し、磁
気抵抗層の抵抗値が変化して特性が劣化することが問題
をなっていた。特に、近年需要が高まってきたＭＲ型ヘ
ッド素子に比べて出力が３〜４倍高いＧＭＲ型ヘッド素
子を備えた薄膜磁気ヘッド装置においては、静電気によ
ってヘッド素子を構成している反強磁性膜に固着した固
着層（ピン層）が発熱により一部周囲の磁界の影響をう
ける等により破壊し、磁化の向きが反強磁性層に揃わず
乱される。この結果、磁気抵抗変化を正しく感知できな
いという特性の劣化をもたらす。
【０００３】上記静電破壊に対処するため、特開平９−
１８０１３０号公報においては、磁気抵抗効果型ヘッド
素子を構成している磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流
すための一対の電極を感磁部以外の部分に塗布した導電
性樹脂により短絡しておき、加工後にアセトン等の有機
系溶剤で導電性樹脂を除去する方法が提案されてきた。
また、特開平８−２２１７２１号公報においては、磁気
抵抗効果型ヘッドおよび記録再生分離型複合ヘッド素子
の構成において、磁気抵抗効果型ヘッドを構成する一対
の電極を短絡することにより、製造工程中の静電気によ
る素子の絶縁破壊を防止する方法が提案されてきた。さ
らに、特開平１０−２３３０１１号公報においては、磁
気抵抗効果型ヘッド素子に接続した一方のリード又はパ
ッドと他方のリード又はパッドとの間にヘッド素子と並
列に配列される抵抗体をスライダに固定して、パッドの
両端に大きな電位差が生じるのを防止する方法が提案さ
れてきた。
１８０１３０号公報においては、磁気抵抗効果型ヘッド
素子を構成している磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流
すための一対の電極を感磁部以外の部分に塗布した導電
性樹脂により短絡しておき、加工後にアセトン等の有機
系溶剤で導電性樹脂を除去する方法が提案されてきた。
また、特開平８−２２１７２１号公報においては、磁気
抵抗効果型ヘッドおよび記録再生分離型複合ヘッド素子
の構成において、磁気抵抗効果型ヘッドを構成する一対
の電極を短絡することにより、製造工程中の静電気によ
る素子の絶縁破壊を防止する方法が提案されてきた。さ
らに、特開平１０−２３３０１１号公報においては、磁
気抵抗効果型ヘッド素子に接続した一方のリード又はパ
ッドと他方のリード又はパッドとの間にヘッド素子と並
列に配列される抵抗体をスライダに固定して、パッドの
両端に大きな電位差が生じるのを防止する方法が提案さ
れてきた。
【０００４】上述した静電破壊の防止対策は、いずれも
ＭＲ型ヘッド素子及びＧＭＲ型ヘッド素子の製造上の歩
留りを高めるのに役立つものであるが、ヘッド素子の完
成後における薄膜磁気ヘッド装置の組立工程にては作業
者に帯電した静電気によりヘッド素子の静電破壊が生じ
るおそれがあるため、作業者がアームバンドをして常に
静電気を接地部に逃がしたり、ヘッド素子の端子間に静
電気の短絡用抵抗又はダイオードを設けてヘッド素子の
静電破壊を防止する対策がとられている。しかして、薄
膜磁気ヘッド装置の完成後、個々の製品の特性を検査し
ているが、納入製品が最終製品に組込まれる過程にて作
業者に帯電した静電気によりヘッド素子の静電破壊が生
じるという不都合が頻発してきた。
ＭＲ型ヘッド素子及びＧＭＲ型ヘッド素子の製造上の歩
留りを高めるのに役立つものであるが、ヘッド素子の完
成後における薄膜磁気ヘッド装置の組立工程にては作業
者に帯電した静電気によりヘッド素子の静電破壊が生じ
るおそれがあるため、作業者がアームバンドをして常に
静電気を接地部に逃がしたり、ヘッド素子の端子間に静
電気の短絡用抵抗又はダイオードを設けてヘッド素子の
静電破壊を防止する対策がとられている。しかして、薄
膜磁気ヘッド装置の完成後、個々の製品の特性を検査し
ているが、納入製品が最終製品に組込まれる過程にて作
業者に帯電した静電気によりヘッド素子の静電破壊が生
じるという不都合が頻発してきた。
【０００５】この問題を解消するため、ヘッド素子のス
ライダから引き出したリードプリント配線上に設けた出
力用のリード端子とヘッド素子の特性測定用の端子の間
にて互いに近接して配列したプリント配線の導体間に半
田付け又は金ボンドにより短絡部を設けた状態で薄膜磁
気ヘッド装置の完成品を出荷し、製品の購入者が各自の
最終製品の組立工程にて当該薄膜磁気ヘッド装置の出力
用リード端子に増幅器等を接続した後、上記の短絡部を
切断する方法が採用されてきた。
ライダから引き出したリードプリント配線上に設けた出
力用のリード端子とヘッド素子の特性測定用の端子の間
にて互いに近接して配列したプリント配線の導体間に半
田付け又は金ボンドにより短絡部を設けた状態で薄膜磁
気ヘッド装置の完成品を出荷し、製品の購入者が各自の
最終製品の組立工程にて当該薄膜磁気ヘッド装置の出力
用リード端子に増幅器等を接続した後、上記の短絡部を
切断する方法が採用されてきた。
【０００６】
【発明が解決しょうとする課題】上述したリードプリン
ト配線上の短絡部は半田付け又は金ボンドにより設けら
れているため、半田付け又は金ボンドの作業時に短絡部
に微塵が付着したり、プリント配線基板の素材である合
成樹脂（ポリイミド樹脂）からガスが発生してプリント
配線に悪影響を与える欠点があり、また短絡部の切断作
業が困難となる。
ト配線上の短絡部は半田付け又は金ボンドにより設けら
れているため、半田付け又は金ボンドの作業時に短絡部
に微塵が付着したり、プリント配線基板の素材である合
成樹脂（ポリイミド樹脂）からガスが発生してプリント
配線に悪影響を与える欠点があり、また短絡部の切断作
業が困難となる。
【０００７】よって、本発明の目的は、上記したリード
プリント配線の適所に簡単な操作で静電破壊防止用の短
絡部を形成し得ると共にプリント配線基板を損傷するこ
となく同短絡部を製品の購入者が各自の最終製品の組立
時に容易に分離又は切り離すことができる薄膜磁気ヘッ
ド装置を提供することにある。
プリント配線の適所に簡単な操作で静電破壊防止用の短
絡部を形成し得ると共にプリント配線基板を損傷するこ
となく同短絡部を製品の購入者が各自の最終製品の組立
時に容易に分離又は切り離すことができる薄膜磁気ヘッ
ド装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目的は、ＭＲ型ヘッド素子、ＧＭＲ型ヘッド素子等の磁
気抵抗効果型ヘッド素子のスライダから引き出したリー
ドプリント配線の適所にて互いに近接して配列した導体
部分に塑性変形可能で加熱により溶断分離される一対の
導電性物質を予め固着して、これら導電性物質を圧力に
より変形させて接合することにより形成した短絡部を有
する薄膜磁気ヘッド装置を提供することにより達成され
る。
目的は、ＭＲ型ヘッド素子、ＧＭＲ型ヘッド素子等の磁
気抵抗効果型ヘッド素子のスライダから引き出したリー
ドプリント配線の適所にて互いに近接して配列した導体
部分に塑性変形可能で加熱により溶断分離される一対の
導電性物質を予め固着して、これら導電性物質を圧力に
より変形させて接合することにより形成した短絡部を有
する薄膜磁気ヘッド装置を提供することにより達成され
る。
【０００９】上記の構成を備えた本発明の薄膜磁気ヘッ
ド装置によれば、製品の検査後に上記一対の導電性物質
を機械的な圧縮又は超音波振動圧接等により変形させて
接合することにより上記の短絡部を簡単に形成すること
ができ、当該製品が最終製品に組付けられそのリードプ
リント配線上に設けた出力用リード端子に増幅器などが
接続された後、上記短絡部を適宜な加熱手段によって加
熱することによりリードプリント配線の基板を損傷する
ことなく容易に分離又は切り離して使用に供することが
できる。
ド装置によれば、製品の検査後に上記一対の導電性物質
を機械的な圧縮又は超音波振動圧接等により変形させて
接合することにより上記の短絡部を簡単に形成すること
ができ、当該製品が最終製品に組付けられそのリードプ
リント配線上に設けた出力用リード端子に増幅器などが
接続された後、上記短絡部を適宜な加熱手段によって加
熱することによりリードプリント配線の基板を損傷する
ことなく容易に分離又は切り離して使用に供することが
できる。
【００１０】本発明の実施にあたっては、上記の導電性
物質として一対の半田バンプ（Ｎｉ、Ａｎ等を核に半田
を球状又は半球状に覆った突起状接続電極）を形成し、
これら半田バンプをその酸化被膜を除去し得る窒素雰囲
気などの非酸化性雰囲気にて機械的に圧縮して押しつぶ
し接合することにより上記の短絡部を形成するのが望ま
しい。また、上記導電性物質として、ＮｉＡｇ、銀ペー
スト等の導電性物質を含有するエポキシ樹脂などの合成
樹脂を使用し、上記の半田と同様に押しつぶして接合す
ることにより上記の短絡部を形成してもよい。
物質として一対の半田バンプ（Ｎｉ、Ａｎ等を核に半田
を球状又は半球状に覆った突起状接続電極）を形成し、
これら半田バンプをその酸化被膜を除去し得る窒素雰囲
気などの非酸化性雰囲気にて機械的に圧縮して押しつぶ
し接合することにより上記の短絡部を形成するのが望ま
しい。また、上記導電性物質として、ＮｉＡｇ、銀ペー
スト等の導電性物質を含有するエポキシ樹脂などの合成
樹脂を使用し、上記の半田と同様に押しつぶして接合す
ることにより上記の短絡部を形成してもよい。
【００１１】また、上記短絡部を分離又は切り離すにあ
たっては、当該短絡部を温風加熱、赤外線加熱等により
加熱して溶断してもよく、或いはレーザー光線により切
断してもよい。この場合、短絡部の溶断又は切断作業は
窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気、水素の還元性ガス雰囲
気、又は窒素と水素の混合ガス雰囲気にて実行するのが
望ましい。
たっては、当該短絡部を温風加熱、赤外線加熱等により
加熱して溶断してもよく、或いはレーザー光線により切
断してもよい。この場合、短絡部の溶断又は切断作業は
窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気、水素の還元性ガス雰囲
気、又は窒素と水素の混合ガス雰囲気にて実行するのが
望ましい。
【００１２】
【発明の実施の態様】以下に本発明による薄膜磁気ヘッ
ド装置の一実施態様を図面を参照して説明する。図１は
本発明による薄膜磁気ヘッド装置のトレース・サスペン
ション・アッセンブリ（Trace suspension assembly）
１０を示している。このトレース・サスペンション・ア
ッセンブリ１０は平板状サスペンション１４の先端部分
に金属製基板からなるジンバル１３を介して固着したＭ
Ｒ型ヘッド素子又はＧＭＲ型ヘッド素子１１を搭載した
スライダ１１ａと、このスライダ１１ａの前端に設けた
端子１２からボールボンディングを介して引き出してサ
スペンション１４の上面に沿って固着したリードプリン
ト配線１５と、サスペンション１４の基端部分に固着し
たベースプレート１６を備えている。リードプリント配
線１５は合成樹脂（ポリイミド樹脂製）の薄い基板上に
一体的に形成され図示のようにサスペンション１４の基
端部分から外部に延出されている。リードプリント配線
１５の外部に延出した部分には、図２（Ａ）にて拡大し
て示したように、出力用のリード端子１５ａと測定用の
端子１５ｂが所定の間隔にて設けられている。
ド装置の一実施態様を図面を参照して説明する。図１は
本発明による薄膜磁気ヘッド装置のトレース・サスペン
ション・アッセンブリ（Trace suspension assembly）
１０を示している。このトレース・サスペンション・ア
ッセンブリ１０は平板状サスペンション１４の先端部分
に金属製基板からなるジンバル１３を介して固着したＭ
Ｒ型ヘッド素子又はＧＭＲ型ヘッド素子１１を搭載した
スライダ１１ａと、このスライダ１１ａの前端に設けた
端子１２からボールボンディングを介して引き出してサ
スペンション１４の上面に沿って固着したリードプリン
ト配線１５と、サスペンション１４の基端部分に固着し
たベースプレート１６を備えている。リードプリント配
線１５は合成樹脂（ポリイミド樹脂製）の薄い基板上に
一体的に形成され図示のようにサスペンション１４の基
端部分から外部に延出されている。リードプリント配線
１５の外部に延出した部分には、図２（Ａ）にて拡大し
て示したように、出力用のリード端子１５ａと測定用の
端子１５ｂが所定の間隔にて設けられている。
【００１３】しかして、この実施態様においては、図２
（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示したように、ＭＲ型ヘッド素
子又はＧＭＲ型ヘッド素子１１のスライダ１１ａから引
き出した一対のリードプリント配線１５が出力用のリー
ド端子１５ａと測定用の端子１５ｂの間にて互いに近接
して配列された導体部分に一対の拡大部１５ｃを微小な
隙間を介して形成し、これら各拡大部１５ｃの上面に一
対の半田バンプ２１を配置し、これら半田バンプ２１を
機械的に圧縮して押しつぶし、図２（Ｄ）及び図２
（Ｅ）に示したように接合させて短絡部２０を形成した
ことに構成上の特徴がある。（図３（Ａ）の写真参照）
上記した半田バンプ２１の圧縮作業は、特性測定用の端
子１５ｂに測定器を接続して当該製品の特性を測定し所
定の特性が得られたことを確認した後実行される。この
場合、半田バンプ２１の圧縮作業は、半田バンプの接合
強度の観点から半田バンプの酸化被膜を除去及び防止す
る窒素雰囲気などの非酸化性雰囲気にて実行するのが望
ましい。
（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示したように、ＭＲ型ヘッド素
子又はＧＭＲ型ヘッド素子１１のスライダ１１ａから引
き出した一対のリードプリント配線１５が出力用のリー
ド端子１５ａと測定用の端子１５ｂの間にて互いに近接
して配列された導体部分に一対の拡大部１５ｃを微小な
隙間を介して形成し、これら各拡大部１５ｃの上面に一
対の半田バンプ２１を配置し、これら半田バンプ２１を
機械的に圧縮して押しつぶし、図２（Ｄ）及び図２
（Ｅ）に示したように接合させて短絡部２０を形成した
ことに構成上の特徴がある。（図３（Ａ）の写真参照）
上記した半田バンプ２１の圧縮作業は、特性測定用の端
子１５ｂに測定器を接続して当該製品の特性を測定し所
定の特性が得られたことを確認した後実行される。この
場合、半田バンプ２１の圧縮作業は、半田バンプの接合
強度の観点から半田バンプの酸化被膜を除去及び防止す
る窒素雰囲気などの非酸化性雰囲気にて実行するのが望
ましい。
【００１４】かくして、リードプリント配線に上記短絡
部１６を形成した製品を使用して最終製品を組立てる過
程にて、作業者に帯電した静電気が納入製品に付与され
ても短絡部２０の存在により当該製品のヘッド素子の端
子間に電位差が生じることはなく、ヘッド素子の静電破
壊を確実に防止することができる。
部１６を形成した製品を使用して最終製品を組立てる過
程にて、作業者に帯電した静電気が納入製品に付与され
ても短絡部２０の存在により当該製品のヘッド素子の端
子間に電位差が生じることはなく、ヘッド素子の静電破
壊を確実に防止することができる。
【００１５】また、最終製品の組立時に当該製品の出力
用のリード端子１５ａに増幅器等を接続した後上記短絡
部２０を分離するときには、短絡部２０をノズルの先端
から吹き出す温風によりプリント配線基板を損わない温
度（２５０〜１８０℃）にて加熱すれば出荷の前に押し
つぶしによって接合した半田バンプ２１が溶断されその
表面張力によって容易に分離される。（図３（Ｂ）の写
真参照） この場合、上記短絡部の分離は、温風による加熱以外
に、赤外線加熱によっても実行することができる。この
分離作業は、半田の酸化を防止するため窒素雰囲気等の
非酸化性雰囲気、水素の還元性ガス雰囲気、又は窒素と
水素の混合ガス雰囲気にて行うことが望ましい。
用のリード端子１５ａに増幅器等を接続した後上記短絡
部２０を分離するときには、短絡部２０をノズルの先端
から吹き出す温風によりプリント配線基板を損わない温
度（２５０〜１８０℃）にて加熱すれば出荷の前に押し
つぶしによって接合した半田バンプ２１が溶断されその
表面張力によって容易に分離される。（図３（Ｂ）の写
真参照） この場合、上記短絡部の分離は、温風による加熱以外
に、赤外線加熱によっても実行することができる。この
分離作業は、半田の酸化を防止するため窒素雰囲気等の
非酸化性雰囲気、水素の還元性ガス雰囲気、又は窒素と
水素の混合ガス雰囲気にて行うことが望ましい。
【００１６】また、上記短絡部の温風による分離作業に
おいては、温風の吹付け角度を真上から以外に斜め方向
等適宜に調節することにより半田バンプ２１を容易に分
離することができる。なお、上記短絡部は、非酸化性雰
囲気にてレーザー光線によっても容易に切り離すことが
できる。
おいては、温風の吹付け角度を真上から以外に斜め方向
等適宜に調節することにより半田バンプ２１を容易に分
離することができる。なお、上記短絡部は、非酸化性雰
囲気にてレーザー光線によっても容易に切り離すことが
できる。
【００１７】また、上述した半田バンプ２１の接合と短
絡部２０の加熱による分離を容易にするには、半田バン
プ２１の間隔を各半田バンプの直径の１／１０〜２倍の
範囲に定めるのが望ましい。
絡部２０の加熱による分離を容易にするには、半田バン
プ２１の間隔を各半田バンプの直径の１／１０〜２倍の
範囲に定めるのが望ましい。
【００１８】さらに、短絡部２０の加熱による分離を容
易にするため、図２（Ｂ）に示した拡大部１５ｃの形態
を図４（Ａ）に示したようにその内側端面を平行にした
もの、図４（Ｂ）に示したようにその内側を切欠したも
の、或いは図４（Ｃ）に示したようにその内側に互いに
対向する溝を形成したものに変更してもよい。さらに、
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示したように、半田バンプ２
１のために設けた穴に半径方向の溝を形成したり、図５
（Ｄ）に示したように拡大部１５ｃの表面を半田が拡が
る方向の粗面としてもよい。また、半田バンプ２１に用
いる半田に酸化防止剤、光沢剤、界面活性剤等を含有さ
せて、短絡部２０の酸化を防止し表面張力を高めてもよ
い。
易にするため、図２（Ｂ）に示した拡大部１５ｃの形態
を図４（Ａ）に示したようにその内側端面を平行にした
もの、図４（Ｂ）に示したようにその内側を切欠したも
の、或いは図４（Ｃ）に示したようにその内側に互いに
対向する溝を形成したものに変更してもよい。さらに、
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示したように、半田バンプ２
１のために設けた穴に半径方向の溝を形成したり、図５
（Ｄ）に示したように拡大部１５ｃの表面を半田が拡が
る方向の粗面としてもよい。また、半田バンプ２１に用
いる半田に酸化防止剤、光沢剤、界面活性剤等を含有さ
せて、短絡部２０の酸化を防止し表面張力を高めてもよ
い。
【００１９】以上詳述した実施態様においては、上記短
絡部の形成にあたって、半田を使用したが、本発明の実
施にあたっては、半田に代えてＮｉＡｇ、銀ペースト等
の導電性物質を含有するエポキシ樹脂などの合成樹脂を
使用してもよい。
絡部の形成にあたって、半田を使用したが、本発明の実
施にあたっては、半田に代えてＮｉＡｇ、銀ペースト等
の導電性物質を含有するエポキシ樹脂などの合成樹脂を
使用してもよい。
【００２０】また、上記実施態様においては、出力用リ
ード端子１５ａと特性測定用端子１５ｂの間にて互いに
近接して配列されたプリント配線の導体部分に短絡部２
０を設けたが、この短絡部２０はリードプリント配線１
５の適宜な箇所（例えば、ベースプレート１６と出力用
リード端子１５ａの間）に設けて実施してもよい。
ード端子１５ａと特性測定用端子１５ｂの間にて互いに
近接して配列されたプリント配線の導体部分に短絡部２
０を設けたが、この短絡部２０はリードプリント配線１
５の適宜な箇所（例えば、ベースプレート１６と出力用
リード端子１５ａの間）に設けて実施してもよい。
【００２１】
【発明の効果】上記事項から理解されるとおり、本発明
の薄膜磁気ヘッド装置においては、ＭＲ型ヘッド素子又
はＧＭＲ型ヘッド素子等の磁気抵抗効果型ヘッド素子１
１のスライダ１１ａから引き出したリードプリント配線
１５の適所にて互いに近接した配列した導体部分に塑性
変形可能で加熱により溶断分離される一対の導電性物質
（例えば、一対の半田バンプ）を予め固着して、これら
導電性物質を圧力により変形させて接合することにより
形成した短絡部を設けたことに構成上の特徴がある。か
かる構成によれば、製品の検査により当該製品が所定の
特性を有することを確認した後、出荷の前に上記一対の
導電性物質を機械的な圧縮又は超音波振動圧接等により
変形させて接合することにより上記の短絡部を簡単に形
成することができ、当該製品が購入者の下にて最終製品
に組付けられそのリードプリント配線上に設けたリード
端子に増幅器などが接続された後、上記短絡部を適宜な
加熱手段によって加熱することによりリードプリント配
線の基板を損傷することなく容易に分離又は切り離して
使用に供することができる。
の薄膜磁気ヘッド装置においては、ＭＲ型ヘッド素子又
はＧＭＲ型ヘッド素子等の磁気抵抗効果型ヘッド素子１
１のスライダ１１ａから引き出したリードプリント配線
１５の適所にて互いに近接した配列した導体部分に塑性
変形可能で加熱により溶断分離される一対の導電性物質
（例えば、一対の半田バンプ）を予め固着して、これら
導電性物質を圧力により変形させて接合することにより
形成した短絡部を設けたことに構成上の特徴がある。か
かる構成によれば、製品の検査により当該製品が所定の
特性を有することを確認した後、出荷の前に上記一対の
導電性物質を機械的な圧縮又は超音波振動圧接等により
変形させて接合することにより上記の短絡部を簡単に形
成することができ、当該製品が購入者の下にて最終製品
に組付けられそのリードプリント配線上に設けたリード
端子に増幅器などが接続された後、上記短絡部を適宜な
加熱手段によって加熱することによりリードプリント配
線の基板を損傷することなく容易に分離又は切り離して
使用に供することができる。
【図１】 本発明による薄膜磁気ヘッド装置のトレース
・サスペンション・アッセンブリの斜視図。
・サスペンション・アッセンブリの斜視図。
【図２】 （Ａ）：図１に示したリードプリント配線の
延長部分の部分拡大平面図。 （Ｂ）：（Ａ）の部分拡大平面図。 （Ｃ）：（Ｂ）のＡ−Ａ線における断面図。 （Ｄ）：（Ａ）に示した一対の半田バンプを圧縮して押
しつぶした状態を示す平面図。 （Ｅ）：（Ｄ）のＢ−Ｂ線における断面図。
延長部分の部分拡大平面図。 （Ｂ）：（Ａ）の部分拡大平面図。 （Ｃ）：（Ｂ）のＡ−Ａ線における断面図。 （Ｄ）：（Ａ）に示した一対の半田バンプを圧縮して押
しつぶした状態を示す平面図。 （Ｅ）：（Ｄ）のＢ−Ｂ線における断面図。
【図３】 （Ａ）：図１に示した薄膜磁気ヘッド装置の
実際の製品において、そのリードプリント配線に設けた
一対の半田バンプを押しつぶして短絡部を形成した状態
を示す実物写真。 （Ｂ）：（Ａ）に示した短絡部を加熱して分離した状態
を示す実物写真。
実際の製品において、そのリードプリント配線に設けた
一対の半田バンプを押しつぶして短絡部を形成した状態
を示す実物写真。 （Ｂ）：（Ａ）に示した短絡部を加熱して分離した状態
を示す実物写真。
【図４】 （Ａ）〜（Ｃ）：図２（Ｂ）に示した導体部
分の拡大部の変形例を示す平面図。
分の拡大部の変形例を示す平面図。
【図５】 （Ａ）〜（Ｄ）：図２（Ｂ）に示した導体部
分の拡大部の他の変形例を示す平面図。
分の拡大部の他の変形例を示す平面図。
１０…薄膜磁気ヘッド装置のトレース・サスペンション
・アッセンブリ、１１…ＭＲ型ヘッド素子又はＧＭＲ型
ヘッド素子、１１ａ…スライダ、１２…端子、１３…ジ
ンバル、１４…サスペンション、１５…リードプリント
配線、１６…ベースプレート、１５ａ…出力用のリード
端子、１５ｂ…特性測定用端子、２０…短絡部、２１…
一対の半田バンプ。
・アッセンブリ、１１…ＭＲ型ヘッド素子又はＧＭＲ型
ヘッド素子、１１ａ…スライダ、１２…端子、１３…ジ
ンバル、１４…サスペンション、１５…リードプリント
配線、１６…ベースプレート、１５ａ…出力用のリード
端子、１５ｂ…特性測定用端子、２０…短絡部、２１…
一対の半田バンプ。
Claims (12)
- 【請求項１】 ＭＲ型ヘッド素子、ＧＭＲ型ヘッド素子
等の磁気抵抗効果型ヘッド素子を設けたスライダから引
き出した出力配線の一部にて互いに近接して配列した導
体部分に短絡部を設けた薄膜磁気ヘッド装置において、
前記短絡部を変形による接合が可能な間隔にて前記導体
部分に予め固着した一対の導電性物質を圧縮変形させて
接合することにより形成し、該短絡部を加熱又は切断に
より分離して使用に供するようにした薄膜磁気ヘッド装
置。 - 【請求項２】 ＭＲ型ヘッド素子、ＧＭＲ型ヘッド素子
等の磁気抵抗効果型ヘッド素子を設けたスライダから引
き出した出力配線の一部にて互いに近接して配列した導
体部分に変形による接合が可能な間隔にて一対の導電性
物質を予め固着して、同導電性物質を圧縮変形させて接
合することにより使用時に加熱又は切断により分離され
る短絡部を形成するようにした薄膜磁気ヘッド装置の製
造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の導電性物質として、一
対の半田バンプを設け、これら半田バンプを機械的に圧
縮して押しつぶし接合することにより加熱によって分離
可能な短絡部を形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の短絡部を、前記出力配
線の延長部分に所定間隔離間して設けた出力用リード端
子と特性測定用端子の間に設けたことを特徴とする薄膜
磁気ヘッド装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の導電性物質として、導
電性金属を含有する合成樹脂を使用し、同合成樹脂を前
記出力配線の互いに近接して配列した導体部分にそれぞ
れ盛り上げて一対の接点を形成し、これら接点を圧縮し
て押しつぶし接合することにより加熱によって分離可能
な短絡部を形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド装
置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の一対の導電性物質を固
着した導体部分の間隔を各導体部分に盛り上げた各導電
性物質の直径の１／１０〜２倍の範囲に設定したことを
特徴とする薄膜磁気ヘッド装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載の一対の導電性物質を固
着した導体部分の対向端面の間隔を略中央部にて狭くし
たことを特徴とする薄膜磁気ヘッド装置。 - 【請求項８】 請求項１に記載の一対の導電性物質を固
着した導体部分の対向端面を互いに平行にしたことを特
徴とする薄膜磁気ヘッド装置。 - 【請求項９】 請求項１に記載の一対の導電性物質を固
着した導体部分の対向部分の間隔を略中央部にて広くし
たことを特徴とする薄膜磁気ヘッド装置。 - 【請求項１０】 請求項１に記載の一対の導電性物質を
固着した各導体部分に各導電性物質の半径方向の溝を形
成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド装置。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の一対の導電性物質を
固着した各導体部分の上面を粗面としたことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド装置。 - 【請求項１２】 請求項２に記載の圧縮変形による接合
と加熱による分離の少なくとも一方を窒素等の非酸化性
ガス雰囲気又は少なくとも水素を含む還元性ガス雰囲気
で処理したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12496099A JP4028130B2 (ja) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | 分離容易な静電破壊防止用短絡部を有する薄膜磁気ヘッド装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12496099A JP4028130B2 (ja) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | 分離容易な静電破壊防止用短絡部を有する薄膜磁気ヘッド装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000315303A true JP2000315303A (ja) | 2000-11-14 |
| JP4028130B2 JP4028130B2 (ja) | 2007-12-26 |
Family
ID=14898490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12496099A Expired - Fee Related JP4028130B2 (ja) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | 分離容易な静電破壊防止用短絡部を有する薄膜磁気ヘッド装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4028130B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005339782A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Shinka Jitsugyo Kk | 磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびヘッドジンバルアセンブリの製造方法 |
| CN100351902C (zh) * | 2001-12-29 | 2007-11-28 | 易拓控股公司 | 硬盘驱动器读写磁传感器排除过电流冲击装置 |
| US7538986B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-05-26 | International Business Machines Corporation | Multi-port cable for removable ESD/EOD protection for electronic devices |
| US20170178669A1 (en) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | Seagate Technology Llc | ESD Protection Surface Charge Control Recording Head |
-
1999
- 1999-04-30 JP JP12496099A patent/JP4028130B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100351902C (zh) * | 2001-12-29 | 2007-11-28 | 易拓控股公司 | 硬盘驱动器读写磁传感器排除过电流冲击装置 |
| JP2005339782A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Shinka Jitsugyo Kk | 磁気記録再生トランスデューサの製造方法およびヘッドジンバルアセンブリの製造方法 |
| US7538986B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-05-26 | International Business Machines Corporation | Multi-port cable for removable ESD/EOD protection for electronic devices |
| US8085510B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Multi-port cable for removable ESD/EOD protection for electronic devices |
| US20170178669A1 (en) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | Seagate Technology Llc | ESD Protection Surface Charge Control Recording Head |
| US9691419B1 (en) * | 2015-12-17 | 2017-06-27 | Seagate Technology Llc | ESD protection surface charge control recording head |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4028130B2 (ja) | 2007-12-26 |
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