JPS5816555A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS5816555A
JPS5816555A JP11466081A JP11466081A JPS5816555A JP S5816555 A JPS5816555 A JP S5816555A JP 11466081 A JP11466081 A JP 11466081A JP 11466081 A JP11466081 A JP 11466081A JP S5816555 A JPS5816555 A JP S5816555A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
leads
lead frame
lead
contact
device hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11466081A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Nakamori
中森　晋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP11466081A priority Critical patent/JPS5816555A/ja
Publication of JPS5816555A publication Critical patent/JPS5816555A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15173—Fan-out arrangement of the internal vias in a single layer of the multilayer substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、テープ−キャリア方式によって製造される半
導体集積回路に用いるリードフレームに関するものであ
る。
テープ−キャリア方式は、ポリイミド樹脂等でできた絶
縁性の７レキシプルなフィルム上に密着して設けられた
導電性のリードを有するリードフレームど半導体装置に
設けられた凸起電極とを直接に熱圧着する組み立て方式
である。
このテープ拳キャリア方式では、長尺状のフィルムに同
一のり−ド・パターンを連続して形成できる本で、半導
体装置をリード・フレームに熱圧着した後は半導体装置
の電気的試験が自動的にできる。
従来のテープ・キャリア方式用のリード・フレームは第
１図のようにテープ状のポリイミド等の絶縁性フィルム
１０両側に等間隔のスプロケット−ホール２を開は中央
部にデバイス・ホールヲ開けてリードフレーム、３を金
属屑触法および電気鍍金法等によって連続的に形成する
。
リードフレームの半導体装置搭載側はデバイス・ホール
４に突き出したものとなっており、リードフレームの先
端部３ａにおいて半導体装置５の電極に熱圧着されリー
ドフレームの他端３ｃに探針な接触させて半導体装置の
電気的な特性を測定することができる。
リードフレームは絶縁性フィルム上に等間隔に形成され
ているので、フィルム両側のスプロケットホールな使っ
てテープを次々に送ることにより連続して自動的に作業
をおこなえた。
電気的な良品を選別後は、リードフレームをＢ部におい
て切断し成形後半導体装置なセラミ、り等の絶縁基板上
に接着後電極リードを絶縁基板上の導電部に直接接続す
ることによって実装密度をあげ装置の小型化を可能にし
ている。しかしこの形状のリードフレームでは、デバイ
スホールに突き出した部分のリード部が導電性材質であ
りかつとした機械的ストレスによって容易に変形し、リ
ードとリードが直接接触したりリードとリードが近接す
るため導電性のゴミにより容易にリード間の短絡をもた
らし半導体装置を不良となしていた。
本発明は、従来のテープキャリア方式のリードフレーム
の上記の欠点を解消することを目的としその特徴はデバ
イス・ホールに突き出したリード部が絶縁性樹脂等によ
り被覆されていることである。
この方式のリードフレームを用いることによって、リー
ドが機械的ストレスによって変形してもリード間の接触
による不良を完全に無くすることができ信頼性および作
業性を一段と向上することができる。
以下に一実施例を説明する。
本発明によるテープ・キャリア方式のり−ド・フレーム
は第２図のようにテープ状のポリイミド等の絶縁性フィ
ルム１の両側に等間隔のスプルケラトホール２を開は中
央部にデバイス−ホールを開はリードフレームがデバイ
スホールに突き出したリード部を有し、この部分が絶縁
性の材質６によって被覆されたものとなっている。
このような本発明により、接触および導電性異物による
リード間短絡を完全に無くすことができ作業の容易性、
および歩留の向上、品質の向上をはかることが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のチップ・キャリア方式のリードフレー
ムの平面図であり、第２図は、本発明の実施例によるチ
ップ会キャリア方式のリード・フレームの平面図である
。 尚、図において、１はテープ、２はスプロケット・ホー
ル、３はリード、４はデバイスホール、５は半導体装置
、６は本発明に関れる絶縁材である。 Ｂ　　　　　　　　　　　　ｆ３ と 第　１　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 長尺状の絶縁性フィルム上に密着した電極用リードパタ
    ーンが形成され、該リードパターンが絶縁性の材質によ
    って被覆されたことを特徴とするム リードフレー。
JP11466081A 1981-07-22 1981-07-22 リ−ドフレ−ム Pending JPS5816555A (ja)

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JP11466081A JPS5816555A (ja) 1981-07-22 1981-07-22 リ−ドフレ−ム

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JP11466081A JPS5816555A (ja) 1981-07-22 1981-07-22 リ−ドフレ−ム

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JPS5816555A true JPS5816555A (ja) 1983-01-31

Family

ID=14643369

Family Applications (1)

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JP11466081A Pending JPS5816555A (ja) 1981-07-22 1981-07-22 リ−ドフレ−ム

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4807018A (en) * 1985-10-10 1989-02-21 Sgs Microelettronica S.P.A. Method and package for dissipating heat generated by an integrated circuit chip
US4999700A (en) * 1989-04-20 1991-03-12 Honeywell Inc. Package to board variable pitch tab
JPH04359443A (ja) * 1991-06-05 1992-12-11 Hitachi Cable Ltd Ｔａｂ用テープキャリア

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5346276A (en) * 1976-10-08 1978-04-25 Hitachi Ltd Carrier tape

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5346276A (en) * 1976-10-08 1978-04-25 Hitachi Ltd Carrier tape

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4807018A (en) * 1985-10-10 1989-02-21 Sgs Microelettronica S.P.A. Method and package for dissipating heat generated by an integrated circuit chip
US4999700A (en) * 1989-04-20 1991-03-12 Honeywell Inc. Package to board variable pitch tab
JPH04359443A (ja) * 1991-06-05 1992-12-11 Hitachi Cable Ltd Ｔａｂ用テープキャリア

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