JP2001067613A

JP2001067613A - 磁気ヘッド作成方法

Info

Publication number: JP2001067613A
Application number: JP24770299A
Authority: JP
Inventors: Teruo Kiyomiya; 照夫清宮; Yuji Uehara; 裕二上原
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1999-09-01
Filing date: 1999-09-01
Publication date: 2001-03-16
Also published as: US6436200B1

Abstract

(57)【要約】【課題】高速な磁気記録の能力が高い磁気ヘッドを作
成する。【解決手段】コイル上にレジスト絶縁層７０を形成
し、レジスト絶縁層７０上に磁極層４１を形成し、レジ
スト絶縁層７０および磁極層４１を含む積層体１０を加
熱してレジスト絶縁層７０を収縮させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に用いられる記録用磁気ヘッドの作成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
て用いられる磁気ディスク装置の大容量化が進んでお
り、大容量化に伴って、磁気ディスク装置の記録媒体の
データ記録密度が向上し、記録媒体と記録用磁気ヘッド
との間でのデータ転送速度が高速化している。このた
め、高速な磁気記録が可能な磁気ヘッドが求められてい
る。

【０００３】通常磁気ヘッドは、いわゆる薄膜技術を用
いて作成されており、磁気ヘッドの磁極は、ニッケル鉄
（ＮｉＦｅ）合金の膜が電気めっき法などによってめっ
きされることによって形成されている。めっき法によっ
て形成されたＮｉＦｅ合金の膜には内部応力として引っ
張り応力が生じていることが知られており、このため、
磁極を形成するＮｉＦｅ合金としては、内部応力による
磁区構造の乱れを回避することを目的として、磁歪が小
さくて内部応力の影響を受け難い、Ｎｉが８０％でＦｅ
が２０％の合金（Ｎｉ８０Ｆｅ２０合金）が用いられる
のが一般的である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｎｉ８０Ｆｅ
２０合金で磁極が形成された磁気ヘッドは、Ｎｉ８０Ｆ
ｅ２０合金の飽和磁束密度が１Ｔ程度と小さく非抵抗も
２０μΩｃｍ程度と小さいため、記録周波数が大きい
と、磁極内での渦電流損失による記録磁界強度の低下に
より記録能力が不足する。

【０００５】このため、比抵抗が大きくかつ飽和磁束密
度も大きい、Ｎｉの率が３５％以上７０％以下であるＮ
ｉＦｅ合金（高Ｂｓ−ＮｉＦｅ合金）を用いることが提
案されている。この高Ｂｓ−ＮｉＦｅ合金は、比抵抗が
２０〜７０μΩｃｍと大きく、飽和磁束密度も１．３〜
１．６Ｔと大きいので、高速な磁気記録の能力が高いと
期待される。

【０００６】しかし、このような高Ｂｓ−ＮｉＦｅ材料
は正磁歪であり、磁歪定数が１〜３×１０^-5と、Ｎｉ８
０Ｆｅ２０合金に較べて大きいため、めっき膜内部に残
留する引張り応力により、磁極の磁区構造が、本来望ま
しい磁区構造である還流磁区から、「縦割れ」と称され
る、回避すべき磁区構造へと劣化しがちである。この磁
区構造の劣化が原因となって高周波領域での記録能力が
かえって低下してしまい、高Ｂｓ−ＮｉＦｅ材料本来の
高いポテンシャルを引き出せないという問題がある。

【０００７】本発明は、上記事情に鑑み、高速な磁気記
録の能力が高い磁気ヘッドを作成することができる磁気
ヘッド作成方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の磁気ヘッド作成方法は、コイルを構成する導体層を
形成するコイル形成工程と、熱収縮性の物質からなる熱
収縮層を、導体層よりも積層順で後に積層する熱収縮層
形成工程と、正の磁歪を示す磁性体からなる磁極層を、
熱収縮層よりも積層順で後に積層する磁極層形成工程
と、熱収縮層および磁極層を含む複数の層が積層されて
なる積層体を加熱することによりその熱収縮層を収縮さ
せる熱処理工程とを含むことを特徴とする。

【０００９】ここで、上記磁極層上には、その磁極層を
構成している磁性体とは異なる他の磁性体からなる他の
磁極層が積層されてもよい。また、上記磁極層を構成す
る磁性体は正の磁歪を示す磁性体であればよく、ＮｉＦ
ｅ合金であってもよく、あるいは、ＮｉＦｅ合金をベー
スに種々の元素が添加された、ＮｉＦｅＭｏ合金等とい
った磁性体であってもよい。また、磁極層の形成方法
は、電気めっき法であってもよく、無電界めっき法であ
ってもよく、スパッタ法や蒸着法であってもよい。

【００１０】また、上記導体層は、単層コイルを構成す
るものであってもよく、あるいは多層コイルを構成する
ものであってもよい。

【００１１】本発明の磁気ヘッド作成方法によれば、熱
処理工程によって熱収縮層が収縮するので、磁極層の内
部応力が圧縮応力となり、磁極層の磁区構造が改善す
る。その結果、高速な磁気記録が可能な磁気ヘッドが作
成される。

【００１２】また、本発明の磁気ヘッド作成方法におけ
る熱処理工程は外部磁場を必要とせず、無磁場中の熱処
理であっても磁区構造が改善されるので、本発明の磁気
ヘッド作成方法は、スピンバルブを磁気抵抗効果（ｍａ
ｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ：ＭＲ）膜として用いる
ＭＲヘッドにも適用することができる。

【００１３】本発明の磁気ヘッド作成方法では、上記磁
極層を構成する磁性体は、ニッケルの比率が重量パーセ
ントで３５％以上７０％以下の、ニッケルと鉄との合金
であることが望ましい。

【００１４】ニッケルの比率が重量パーセントで３５％
以上７０％以下のＮｉＦｅ合金は、正の磁歪を示すとと
もに磁歪定数が１〜３×１０^-5であるので、このＮｉＦ
ｅ合金からなる磁極層の磁区構造は熱処理工程によって
確実に改善される。

【００１５】また、このような合金を用いる本発明の磁
気ヘッド作成方法は、上記熱処理工程が、熱収縮層の厚
さを１％以上収縮させるものであることが望ましく、さ
らには、上記熱処理工程が、熱収縮層の厚さを２％以上
収縮させるものであることがより望ましい。

【００１６】熱処理工程で熱収縮層の厚さを１％以上収
縮させることにより磁極層の磁区構造を確実に改善する
ことができる。また、熱収縮層の厚さを２％以上収縮さ
せることにより磁極層の異方性磁界を４Ｏｅよりも大き
くすることができ、高速な磁気記録を行う際に生じる、
磁界と自発磁化との間の自然共鳴を防止することができ
る。

【００１７】また、本発明の磁気ヘッド作成方法は、上
記熱収縮層形成工程が、熱収縮層として、上記導体層を
覆う熱収縮性の絶縁体からなる絶縁層を形成するもので
あることが望ましく、さらには、上記絶縁体が、熱硬化
性のレジストであって、上記熱収縮層形成工程が、上記
導体層にレジストを塗布し、塗布されたレジストを所定
温度で加熱することによりレジスト絶縁層を形成するも
のであることが好適である。

【００１８】磁気ヘッドは、コイルを構成する導体層を
覆う絶縁層を有しており、その絶縁層上に磁極層が積層
されている。この絶縁層を、熱収縮層として形成するこ
とにより、磁気ヘッド構造の複雑化を避けることができ
る。また、導体層を覆う絶縁層は一般にレジストで形成
されており、熱硬化性のレジストは熱収縮性も示すこと
が知られている。このためレジスト絶縁層を熱収縮層と
して利用することができ、これにより本発明の磁気ヘッ
ド作成方法を容易に実現することができる。

【００１９】このようなレジスト絶縁層を熱収縮層とし
て利用する場合には、上記熱収縮層形成工程が、１８０
℃以上３００℃以下の温度でレジストを加熱するもので
あることが好ましく、また、上記熱処理工程が、２００
℃以上３５０℃以下の温度で上記積層体を加熱するもの
であることも好ましい。

【００２０】上記熱収縮層形成工程でレジストを１８０
℃未満の温度で加熱した場合には、レジストの強度が不
足し、スライダなどを作成するプロセスでクラックを生
じるおそれがある。一方、上記熱収縮層形成工程でレジ
ストを３００℃よりも高い温度で加熱した場合には、熱
処理工程でのレジスト絶縁層の収縮が不十分となる。

【００２１】また、上記熱処理工程で上記積層体を２０
０℃未満の温度で加熱した場合にはレジスト絶縁層の収
縮は不十分となり、３５０℃よりも高い温度で加熱した
場合には磁気ヘッドに損傷を与える可能性が高い。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００２３】図１は、本発明の磁気ヘッド作成方法を適
用して作成する磁気ヘッドの一例を示す図である。

【００２４】この図１にはインダクティブヘッド１０の
構造が示されている。また、ＭＲヘッドは、この図１に
示されるインダクティブヘッド１０と同等な記録ヘッド
と、外部磁界に応じて磁性薄膜の電気抵抗が変化する磁
気抵抗効果を利用した再生ヘッドが組み合わされて構成
される。そして、本発明の磁気ヘッド作成方法は、イン
ダクティブヘッドの作成およびＭＲヘッドの記録ヘッド
の作成の双方に適用される。以下、インダクティブヘッ
ドの構造について説明するインダクティブヘッド１０
は、薄膜形成と、フォトエッチングによる微細加工とを
用いる薄膜技術により基板２０上に形成され、記録磁界
を発生させる平面スパイラルコイル３０と、記録磁界の
磁束を導く磁極４０とを備えている。ここには２層の平
面スパイラルコイル３０が示されており、磁極４０は上
部磁極４１と下部磁極４２で構成されている。このコイ
ル３０に電流が流されることによって記録磁界が発生
し、発生した記録磁界の磁束は磁極４０に導かれて、上
部磁極４１と下部磁極４２とのギャップ４３から外部に
漏れる。そして、漏れた磁束によって磁気記録媒体に情
報が記録される。磁極４０の先端部の幅が即ちトラック
幅であり、ハードディスク装置の面記録密度が向上する
のに伴ってトラック幅は狭くなる。

【００２５】次に、このインダクティブヘッド１０を本
発明の磁気ヘッド作成方法の一実施形態で作成する手順
を説明する。

【００２６】図２〜図８は、インダクティブヘッドの作
成手順の説明図である。

【００２７】まず下部磁極層４２を基板２０上に形成す
る（図２）。基板２０としては、一般的に、スライダ材
料として適したＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ基板が用いられる。

【００２８】次に、下部磁極層４２上にＡｌ₂Ｏ₃等の非
磁性膜５０をギャップ長に相当する厚さだけスパッタ法
などで成膜する（図３）。この時、下部磁極層４２の表
面のうち、後で形成する上部磁極層と接する部分４２ａ
には非磁性膜５０を成膜しない。

【００２９】次に、コイル形成領域にフォトレジスト６
０を塗布し、加熱硬化させる（図４）。硬化したフォト
レジスト６０はそれ自体が絶縁層として用いられる。

【００３０】この絶縁層６０上に、コイルを構成する銅
の層（導体層）３０を積層する（図５）。そして、この
導体層３０上にフォトレジストを再び塗布し加熱硬化さ
せて絶縁層７０を形成し（図６）、その絶縁層７０上に
上部磁極層４１を形成する（図７）。これにより、本発
明にいう積層体に相当するインダクティブヘッド素子１
０が作成される。そして、インダクティブヘッド素子１
０を基板２０ごと加熱して絶縁層７０を収縮させること
により上部磁極層４１の磁区構造を改善する。一旦硬化
したレジスト絶縁層７０でも、再度熱処理を加えるとレ
ジストが収縮するため、この収縮により上部磁極層４１
に圧縮応力を発生させ、これにより上部磁極層４１の磁
区構造を還流磁区に改善することができる。

【００３１】その後、インダクティブヘッド素子１０上
に、基板２０をスライダに加工する際の衝撃等からヘッ
ド素子１０を保護するＡｌ₂Ｏ₃の保護膜８０を形成し、
さらに、基板２０の切断、ギャップ深さの調整、研削、
研磨などというスライダ加工を行い、磁気ヘッドとして
仕上げる（図８）。これにより、高速な磁気記録の能力
が高い磁気ヘッドが作成される。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００３３】第１実施例では、磁気ヘッドの絶縁層およ
び磁極層のモデルとして、ストライプ状のレジスト絶縁
層と、レジスト絶縁層に直交するストライプ状のめっき
膜とを形成した。

【００３４】図９は、ストライプ状のレジスト絶縁層と
めっき膜の正面図であり、図１０は側面図である。

【００３５】先ず基板上に幅１００μｍ厚さ約１０μｍ
のストライプ状のレジスト絶縁層７１を形成した。形成
されたレジスト絶縁層７１の断面はレンズ型である。レ
ジスト絶縁層７１は、以下の表１に示す４種類の試料そ
れぞれを用いて作成した。

【００３６】

【表１】

【００３７】表１の左欄には試料名が示されており、中
央の欄にはレジストの種類とレジスト膜形成時における
基板の回転数が示されており、右欄にはレジストの硬化
条件が示されている。例えば、試料Ｂは、「ＡＺＰ４６
２０」という種類のレジストを基板上に塗布した後、基
板を１分間に１５００回転させて成膜し、ストライプ状
に露光して現像した後、２３０℃の大気中で１時間加熱
し、更に、２３０℃の窒素雰囲気中で窒素を１分間に１
０リットル流しながら１時間加熱して作成した。

【００３８】図９に戻って説明を続ける。

【００３９】表１に示す４種類の試料Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄそ
れぞれのレジスト絶縁層７１の上に、Ｎｉが５０％でＦ
ｅが５０％であるＮｉＦｅ合金を、約５００Ｏｅの磁界
中で、レジスト絶縁層７１に対して直交するように長さ
８ｍｍに亘ってストライプ状にめっきしてめっき膜４４
を作成した。めっき膜４４の厚さは約３μｍであり、め
っき膜４４の幅は、３０μｍ、５０μｍ、１００μｍの
３種類を形成した。このように形成した直後のめっき膜
４４の磁区構造をビッター法で観察した。

【００４０】また、レジスト絶縁層７１およびめっき膜
４４を所定条件下で加熱し、加熱後のめっき膜４４の磁
区構造もビッター法で観察した。

【００４１】図１１（Ａ）〜図１１（Ｆ）は、観察され
た磁区構造の類型を示す図である。

【００４２】これらの図１１（Ａ）〜図１１（Ｆ）に示
す矢印Ｍの方向が記録磁界の方向に相当する。尚、めっ
き膜４４を作成した時の印加磁界の方向は矢印Ｍと直交
する方向である。

【００４３】図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）には、記
録磁界の方向に磁壁９０が走る、「縦割れ」と称される
磁区構造が示されている。このような磁区構造では、磁
化の反転速度が遅いため、このような磁区構造を有する
磁極は、高速な磁気記録の能力が低い。

【００４４】図１１（Ｃ）および図１１（Ｄ）には、磁
壁９０が短くて磁区が入り組んだ磁区構造が示されてい
る。このような磁区構造は「縦割れ」の磁区構造よりは
ましな磁区構造であり、図１１（Ｃ）および図１１
（Ｄ）に示すような磁区構造を有する磁極の、高速な磁
気記録の能力は、「縦割れ」の磁区構造を有する磁極の
能力よりも高い。

【００４５】図１１（Ｅ）および図１１（Ｆ）には、記
録磁界の方向とは直交する方向の磁壁９０が長い磁区構
造が示されており、特に図１１（Ｆ）に示す磁区構造は
「還流磁区」と称される磁区構造である。図１１（Ｅ）
および図１１（Ｆ）に示すような磁区構造の場合は、磁
化回転が可能であるため、磁化の反転速度が速い。この
ため、図１１（Ｅ）および図１１（Ｆ）に示すような磁
区構造を有する磁極は、高速な磁気記録の能力が高い。

【００４６】以下に示す表２は、図９および図１０に示
すストライプめっき膜４４の磁区構造を観察した結果を
示す表である。

【００４７】

【表２】

【００４８】表２の左端の欄にはレジスト絶縁層７１の
試料名が示されており、「ストライプ幅」欄には、スト
ライプ状のめっき膜４４の幅が示されている。また、こ
の表２には、レジスト絶縁層７１の各試料上に形成され
た各ストライプ幅のめっき膜４４について、めっき直後
と、無磁場の真空中で２００℃で１時間加熱した後と、
更に２５０℃で１時間加熱した後と、また更に２７５℃
で１時間加熱した後とのそれぞれについて磁区構造を観
察した結果が示されている。表２中のマーク「×」，
「（×）」，「△」，「○」は、磁区構造の観察結果を
表しており、マーク「×」は図１１（Ａ）に示す磁区構
造が観察されたことを表している。同様に、マーク
「（×）」，「△」，「○」は、それぞれ、図１１
（Ｂ），図１１（Ｃ）および図１１（Ｄ），図１１
（Ｅ）および図１１（Ｆ）に示す磁区構造が観察された
ことを表している。

【００４９】表２に示す観察結果から、めっき直後の磁
区構造はいずれも「縦割れ」であり、２００℃での熱処
理後には一部の試料について磁区構造の改善傾向が現
れ、２７５℃での熱処理後には、殆どの試料で望ましい
磁区構造が実現することが分かった。

【００５０】このように、めっき膜形成後の加熱処理に
よって磁区構造が十分に改善されることが分かった。

【００５１】次に、絶縁層７１の膜厚変化と磁区構造の
改善との関係について説明する。

【００５２】図１２は、ストライプ絶縁層の膜厚変化を
示すグラフである。

【００５３】この図１２の縦軸は、熱処理により絶縁層
の膜厚が収縮した量を、形成直後の絶縁層の膜厚を１０
０％として示しており、横軸は熱処理温度を示してい
る。また、試料Ａについての膜厚変化は、菱形のマーク
が付された折れ線グラフＧ１で示されており、試料Ｂ，
Ｃ，Ｄについての膜厚変化は、それぞれ、四角、三角、
丸のマークが付された折れ線グラフＧ２，Ｇ３，Ｇ４で
示されている。

【００５４】２００℃での熱処理後の膜厚は、４種類の
試料Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのいずれについても絶縁層形成時と
殆ど変わらなかった。また、３００℃での熱処理後の膜
厚を絶縁層形成時の膜厚と比較すると、試料Ａは約２．
７％収縮し、試料Ｂは約４％、試料Ｃは約８％、試料Ｄ
は約９．２％収縮した。

【００５５】更に、表２に示す観察結果と図１２のグラ
フとを併せて検討すると、試料Ａについては、２５０℃
の熱処理で膜厚が約０．８％収縮したが磁区構造は改善
されず、２７５℃の熱処理で膜厚が約１．１％収縮し磁
区構造の改善傾向が観察された。試料Ｂについては、２
５０℃の熱処理で膜厚が約０．８％収縮したが磁区構造
は改善されず、２７５℃の熱処理で膜厚が約２％収縮し
磁区構造が改善された。試料Ｃおよび試料Ｄについて
は、２５０℃の熱処理で膜厚が約１．５％および約３．
３％収縮し磁区構造が改善された。

【００５６】これらの検討結果から、絶縁層の膜厚が１
％以上収縮するとめっき膜の磁区構造が改善されること
が分かった。

【００５７】ところで、めっき膜の異方性磁界が小さい
と、自発磁化と記録磁界との間で自然共鳴を生じて高速
の磁気記録の能力が低くなることが知られている。そこ
で、上記各試料上のめっき膜の異方性磁界を調べたとこ
ろ、膜厚が２％以上収縮するとめっき膜の異方性磁界が
４Ｏｅ以上となって自然共鳴が防止されることが分かっ
た。

【００５８】以上で第１実施例についての説明を終了
し、以下では第２実施例について説明する。

【００５９】第２実施例では、スピンバルブをＭＲ膜と
して用いたＭＲヘッドを、本発明の磁気ヘッド作成方法
を用いて作成した。

【００６０】以下に示す表３は、第２実施例で作成した
ＭＲヘッドの諸元を示す表である。

【００６１】

【表３】

【００６２】ここでヨーク長とは、上部磁極が絶縁層を
跨いでいる距離のことであり、キャップ長とは、磁極の
先端において上部磁極と下部磁極が離れている距離のこ
とである。第２実施例で作成したＭＲヘッドのコイルは
単層のスパイラルコイルであり、コイルの巻数は１０回
である。

【００６３】この表３に示す諸元のＭＲヘッド素子をウ
ェハ上に形成した後、そのウェハを無磁場の真空中で２
００℃１時間の熱処理を施した。また、比較例として、
熱処理を施さないウェハも用意した。そして、第２実施
例と比較例とのそれぞれで作成されたＭＲヘッドの上部
磁極の磁区構造をビッター法で観察した。

【００６４】図１３および図１４は、ＭＲヘッドの上部
磁極の磁区構造を観察した結果を示す図であり、図１３
には比較例で作成されたＭＲヘッドの観察結果が示さ
れ、図１４には第２実施例で作成されたＭＲヘッドの観
察結果が示されている。また、図１３および図１４の縦
方向が記録磁界の方向である。

【００６５】図１３に示すように、比較例で作成された
ＭＲヘッドの磁極４５では、記録磁界の方向を向いた矢
印状の磁壁９１が観察され、比較例で作成されたＭＲヘ
ッドでの磁区構造は「縦割れ」であることが分かった。

【００６６】また、図１４に示すように、第２実施例で
作成されたＭＲヘッドの磁極４６では、記録磁界に対し
て直交する方向に走る磁壁９２が観察され、第２実施例
で作成されたＭＲヘッドでの磁区構造は還流磁区に改善
されていることが分かった。

【００６７】このように作成されたＭＲヘッドを用い
て、毎分７２００回転している円盤状の、保磁力が２２
００ＯｅでありＢｒ・ｔ（残留磁化と膜厚との積）が８
０Ｇμｍである磁気記録媒体上の、中心から３６．８ｍ
ｍの円周上に記録電流３０ｍＡでデータを記録した。そ
して、記録されたデータを４ｍＡの検出電流を用いて検
出することにより記録能力を測定した。

【００６８】図１５は、記録能力の測定結果を示すグラ
フである。

【００６９】この図１５の横軸は磁気記録の周波数を示
しており、縦軸は、スピンバルブヘッドによる読み出し
出力を示している。

【００７０】菱形のマークが付されたグラフＧ５は、比
較例で作成された、熱処理無しのＭＲヘッドの記録能力
を示しており、三角のマークが付されたグラフＧ６は、
第２実施例で作成された、熱処理有りのＭＲヘッドの記
録能力を示している。これらのグラフＧ５，Ｇ６から、
熱処理有りのＭＲヘッドの記録能力の方が熱処理無しの
ＭＲヘッドの記録能力よりも、特に高周波領域で優れて
いることが分かる。

【００７１】

【発明の効果】本発明の磁気ヘッド作成方法によれば、
高速な磁気記録の能力が高い磁気ヘッドを作成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッド作成方法を適用して作成す
る磁気ヘッドの一例を示す図である。

【図２】インダクティブヘッドを作成する第１の手順を
示す図である。

【図３】インダクティブヘッドを作成する第２の手順を
示す図である。

【図４】インダクティブヘッドを作成する第３の手順を
示す図である。

【図５】インダクティブヘッドを作成する第４の手順を
示す図である。

【図６】インダクティブヘッドを作成する第５の手順を
示す図である。

【図７】インダクティブヘッドを作成する第６の手順を
示す図である。

【図８】インダクティブヘッドを作成する第７の手順を
示す図である。

【図９】ストライプ状のレジスト絶縁層とめっき膜の正
面図である。

【図１０】ストライプ状のレジスト絶縁層とめっき膜の
側面図である。

【図１１】観察された磁区構造の類型を示す図である。

【図１２】ストライプ絶縁層の膜厚変化を示すグラフで
ある。

【図１３】比較例で作成されたＭＲヘッドの上部磁極の
磁区構造の観察結果を示す図である。

【図１４】第２実施例で作成されたＭＲヘッドの上部磁
極の磁区構造の観察結果を示す図である。

【図１５】記録能力の測定結果を示すグラフである。

【符号の説明】

１０インダクティブヘッド２０基板３０平面スパイラルコイル（導体層）４０，４５，４６磁極４１上部磁極４２下部磁極４３ギャップ４４めっき膜５０非磁性膜６０，７０，７１フォトレジスト（絶縁層）８０保護膜９０，９１，９２磁壁

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コイルを構成する導体層を形成するコイ
ル形成工程と、熱収縮性の物質からなる熱収縮層を、前記導体層よりも
積層順で後に積層する熱収縮層形成工程と、正の磁歪を示す磁性体からなる磁極層を、前記熱収縮層
よりも積層順で後に積層する磁極層形成工程と、前記熱収縮層および前記磁極層を含む複数の層が積層さ
れてなる積層体を加熱することにより該熱収縮層を収縮
させる熱処理工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッド
作成方法。
【請求項２】前記磁極層を構成する磁性体は、ニッケ
ルの比率が重量パーセントで３５％以上７０％以下の、
ニッケルと鉄との合金であることを特徴とする請求項１
記載の磁気ヘッド作成方法。
【請求項３】前記熱処理工程が、前記熱収縮層の厚さ
を１％以上収縮させるものであることを特徴とする請求
項１記載の磁気ヘッド作成方法。
【請求項４】前記熱収縮層形成工程が、前記導体層に
熱硬化性のレジストを塗布し、塗布されたレジストを所
定温度で加熱することにより、前記熱収縮層としてレジ
スト絶縁層を形成するものであることを特徴とする請求
項１記載の磁気ヘッド作成方法。