JP2017078594A - 磁気センサ、磁界の測定方法、電流センサ、および電流の測定方法 - Google Patents
磁気センサ、磁界の測定方法、電流センサ、および電流の測定方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】外部磁界の変化に応じて抵抗値が変化する4つの磁気抵抗効果素子GMR1,GMR2,GMR3,GMR4でブリッジ構成される磁気センサ10であって、各磁気抵抗効果素子は、等しい抵抗変化率特性を有し、帯状の長尺パターンが折り返されたミアンダ形状であって、出力を与える2つの磁気抵抗効果素子GMR1,GMR2の強磁性固定層は、帯状の長尺パターンの幅方向に沿った方向で互いに反対向きに磁化され、磁気抵抗効果素子GMR1,GMR2の軟磁性自由層は、被測定磁界が印加されていない状態において、帯状の長尺パターンの長手方向に沿った方向で互いに反対向きの第1成分と、帯状の長尺パターンの幅方向に沿った一方の向きの第2成分とを有するように磁化され、第2成分の向きは、磁気センサ10の感度軸に沿った向きである。
【選択図】図1
Description
図1に示される磁界検出ブリッジ回路およびコイルを備える磁気センサを基板上に製造した。磁界検出ブリッジ回路が備える4つの磁気抵抗効果素子は、いずれも帯状の長尺パターンを複数備えるミアンダ形状を有し、長尺パターンの積層構造は、いずれも、絶縁層を有する基板上に、下からシード層;NiFeCr(42)/強磁性固定層[第1の強磁性膜;Co40Fe60(19)/反平行結合膜;Ru(3.6)/第2の強磁性膜;Co90Fe10(24)]/非磁性中間層;Cu(20)/軟磁性自由層[Co90Fe10(10)/Ni82.5Fe17.5(50)/Co90Fe10(10)]/反強磁性層;Ir22Mn78(60)/保護層;Ta(100)の順にスパッタリングにより積層されたものであった。なお、括弧内の数値は層厚を示し単位はÅである。
実施例1と同様であるが、制御ICを介さず、磁界検出ブリッジ回路の中間電位差を磁気センサの出力とした場合の印加磁場に対する応答性プロファイルを、図20において細線で示した。実施例1(太線)と対比すると、印加磁場が0mTの場合における出力値が0mVでない点で相違するが、印加磁場が0mTから4mTの範囲で、磁気センサの出力は印加磁場に対して線形的に応答する点は共通した。
実施例2と同様であるが、コイルに通電せず、軟磁性自由層は第1成分のみからなるようにした。磁界検出ブリッジ回路の中間電位差からなる磁気センサの出力の印加磁場に対する応答性プロファイルを、図21において破線で示した。図20に示されるように、応答性プロファイルにおける線形応答領域は−2mVから2mVの範囲であり、被測定磁界が印加されていない場合(印加磁場が0mTの場合)を中心として対称となった。
比較例1と同様であるが、磁気検出ブリッジ回路が備える4つの磁気抵抗効果素子の素子抵抗が均一でない場合における、磁界検出ブリッジ回路の中間電位差からなる磁気センサの出力の印加磁場に対する応答性プロファイルを、図21において一点鎖線で示した。図20に示されるように、応答性プロファイルにおける線形応答領域は−2mVから2mVの範囲であるが、被測定磁界が印加されていない場合(印加磁場が0mTの場合)でも出力が0mVとならず、オフセットが確認された。
11,11’,11”・・・磁界検出ブリッジ回路
12・・・コイル
GMR1・・・第1の磁気抵抗効果素子
GMR2・・・第2の磁気抵抗効果素子
Vdd・・・電源端子
Out1・・・直列に接続された第1の磁気抵抗効果素子GMR1と第2の磁気抵抗効果素子GMR2との間に設けられた出力
Out2・・・直列に接続された第2の磁気抵抗効果素子GMR2と第1の磁気抵抗効果素子GMR1との間に設けられた出力
Gnd1・・・第1の磁気抵抗効果素子GMR1と第2の磁気抵抗効果素子GMR2との直列接続における第2の磁気抵抗効果素子GMR2側端部に設けられたグランド
Gnd2・・・第2の磁気抵抗効果素子GMR1と第1の磁気抵抗効果素子GMR2との直列接続における第1の磁気抵抗効果素子GMR1側端部に設けられたグランド
SP・・・長尺パターン
EL・・・電極
20・・・シード層
21・・・強磁性固定層
21a・・・第1の強磁性膜
21b・・・反平行結合膜
21c・・・第2の強磁性膜
22・・・非磁性中間層
23・・・軟磁性自由層(フリー磁性層)
24・・・反強磁性層
25・・・保護層
29・・・基板
Claims (9)
- 外部磁界の変化に応じて抵抗値が変化する4つの磁気抵抗効果素子で構成され、2つの磁気抵抗効果素子間の出力を2つ備える磁界検出ブリッジ回路を有する磁気センサであって、
前記4つの磁気抵抗効果素子は、等しい抵抗変化率特性を有し、セルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、帯状の長尺パターンが折り返されたミアンダ形状であって、
前記出力を与える2つの磁気抵抗効果素子の強磁性固定層は、前記帯状の長尺パターンの幅方向に沿った方向であって互いに反対向きに磁化され、
前記出力を与える2つの磁気抵抗効果素子の軟磁性自由層は、被測定磁界が印加されていない状態において、前記帯状の長尺パターンの長手方向に沿った方向であって互いに反対向きの第1成分と、前記帯状の長尺パターンの幅方向に沿った一方の向きの第2成分とを有するように磁化され、
前記第2成分の向きは、前記磁気センサの感度軸に沿った向きであることを特徴とする磁気センサ。 - 前記4つの磁気抵抗効果素子は、前記軟磁性自由層の磁化における前記第2成分の大きさが等しく、
前記2つの出力間の電位差の前記被測定磁界に対する応答プロファイルは、前記2つの出力間の電位差が前記被測定磁界に対して線形応答する線形領域を備え、前記線形領域は、前記被測定磁界が印加されていない場合に対して非対称に位置する、請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記第2成分は、前記磁界検出ブリッジ回路の近傍に配置されるコイルを流れる電流により生じた誘導磁界に由来する、請求項1または2に記載の磁気センサ。
- 前記第2成分は、前記軟磁性自由層の前記非磁性中間層に対向する側とは反対側に設けられた反強磁性層と前記軟磁性自由層との交換結合磁界に由来する、請求項1または2に記載の磁気センサ。
- 前記第2成分は、前記セルフピン止め型の強磁性固定層と前記非磁性中間層を介して配置された前記軟磁性自由層との層間結合磁界に由来する、請求項1または2に記載の磁気センサ。
- 前記帯状の長尺パターンの幅方向に沿った前記第2成分の向きは、前記被測定磁界が印加される向きに対して反対向きである、請求項1から5のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載される磁気センサを用いて、前記第2成分の向きに対して反対向きに印加された磁界を被測定磁界として測定する、磁界の測定方法。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載される磁気センサを備え、前記磁気センサの被測定磁界は、被測定電流により生じた誘導磁界である、電流センサ。
- 被測定電流により生じた誘導磁界を、請求項7に記載される方法における被測定磁界として、前記被測定電流を定量的に測定する、電流の測定方法。
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