JP6842741B2 - 磁気センサ - Google Patents
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Description
また本発明は、リセットコイルなどを設けることなく、フリー磁性層の磁化状態をリセットできる磁気センサの提供を目的としている。
前記磁気抵抗効果素子はそれぞれ、磁化方向が固定された固定磁性層と、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層と、前記固定磁性層と前記フリー磁性層との間に位置する非磁性材料層とを有し、
前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加部と、
前記フリー磁性層に、前記バイアス磁界と交差する向きの交番磁界を印加する交番磁界印加部と、を備えていることを特徴とするものである。
前記バイアス磁界印加部は、前記素子部の延在方向に前記バイアス磁界を印加し、
前記交番磁界印加部は、前記交番磁界を、前記素子部の延在方向と直交する前記磁気抵抗効果素子の感度軸方向に印加する、ものであっても良い。
本発明の磁気センサは、素子部のバイアス磁界の印加方向に直交する方向に交番磁界を印加することにより、効率よくフリー磁性層を初期の磁化状態にリセットすることができる。
前記フィードバックコイルが前記交番磁界印加部として使用されるものである。
フィードバックコイルを交番磁界印加部として用いることにより、交番磁界を印加するために別のコイルを設ける必要がなくなり、磁気センサのサイズを小さくすることができる。
前記磁気シールドは、前記被測定磁界を減衰させ、前記キャンセル磁界と前記交番磁界を増強するものが好ましい。
また、本発明は、フィードバックコイルを備え、このフィードバックコイルを交番磁界印加部として使用することで、リセットコイルなどを別途に設ける必要がなくなる。
図1は、本発明の実施形態に係る磁気センサの構成の概略を示す概念図である。磁気センサ1は、フルブリッジ回路110と、フィードバックコイル121とを備えている。フルブリッジ回路110は、磁気抵抗効果素子122bと磁気抵抗効果素子122aからなるハーフブリッジ回路111Aと、磁気抵抗効果素子122cと磁気抵抗効果素子122dからなるハーフブリッジ回路111Bとが並列に接続された構成である。ハーフブリッジ回路111Aおよびハーフブリッジ回路111Bはそれぞれ、一端が電源電圧Vddに接続され、他端が接地電位GNDに接続されている。磁気抵抗効果素子122aおよび磁気抵抗効果素子122cのPin方向(X1方向)と、磁気抵抗効果素子122bおよび磁気抵抗効果素子122dのPin方向(X2方向)とは、180度異なっている。
フリー磁性層44は、その材料および構造が限定されるものではない。例えば、材料としてCoFe合金(コバルト・鉄合金)、NiFe合金(ニッケル・鉄合金)などを用いて、単層構造、積層構造、積層フェリ構造などとして形成することができる。
保護層45は、Ta(タンタル)などで形成される。
<測定条件>
Vdd:5V
印加した大きな磁界:バイアス磁界と逆方向に20mT
繰り返し測定した磁界(フリー磁性層の初期化するための交番磁界):感度軸方向すなわちバイアス磁界と交差する方向に±2mT
<GMR素子の膜構成(Å)>
下地層:NiFeCr(42Å)/第1磁性層:60FeCo(19Å)/非磁性中間層:Ru(3.6Å)/第2磁性層:90CoFe(24Å)/非磁性材料層:Cu(20Å)/フリー磁性層:90CoFe(10Å)/82.5NiFe(70Å)/反強磁性層:IrMn(80Å)/保護層:Ta(100Å)
<形状>
4μm幅×80μm長さ×9本 のミアンダ形状
なお、磁気シールド30は設けていない。
同図に示すように、交番磁界を1回与えた状態では、フリー磁性層反転後のヒステリシスの影響によってオフセット変動量が大きい。しかし、交番磁界を2回以上与えることで、オフセット変動量が急激に減少し、3回目以降はオフセット変動量がゼロ近傍で安定した。
110:フルブリッジ回路
111A,111B:ハーフブリッジ回路
12:フィードバック回路
121:フィードバックコイル
122a〜122d:磁気抵抗効果素子(素子部)
131,132:中点端子
140:発振器
21:基板
22:熱シリコン酸化膜
23:アルミニウム酸化膜
24:電極
25,29:ポリイミド層
26,32:電極パッド
27,31:シリコン酸化膜
28:コイル電極
30:磁気シールド
40:基板
41:下地層
42:固定磁性層、42a:第1磁性層、42c:第2磁性層、42b:非磁性中間層
43:非磁性材料層
44:フリー磁性層
45:保護層
46:反強磁性層(バイアス磁界印加部)
53:ハードバイアス層(バイアス磁界印加部)
57,66:素子部
58,67:導電部
A:誘導磁界
B:キャンセル磁界
Vdd:電源電圧
GND:接地電位
H:外部磁界
Claims (7)
- 基板に、ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗効果素子が設けられている磁気センサにおいて、
前記磁気抵抗効果素子はそれぞれ、磁化方向が固定された固定磁性層と、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層と、前記固定磁性層と前記フリー磁性層との間に位置する非磁性材料層とを有し、
前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加部と、
前記フリー磁性層に、前記バイアス磁界と交差する向きの交番磁界を印加する交番磁界印加部と、を備えていることを特徴とする磁気センサ。 - 前記磁気抵抗効果素子は、帯状に延在する複数の素子部がミアンダ形状に接続されており、
前記バイアス磁界印加部は、前記素子部の延在方向に前記バイアス磁界を印加し、
前記交番磁界印加部は、前記交番磁界を、前記素子部の延在方向と直交する前記磁気抵抗効果素子の感度軸方向に印加する、請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記ブリッジ回路は、第1のハーフブリッジ回路および第2のハーフブリッジ回路を有するフルブリッジ回路である請求項1または2記載の磁気センサ。
- 前記バイアス磁界が、ハードバイアス磁界またはエクスチェンジバイアス磁界である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子に与えられる被測定磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバックコイルと、前記フィードバックコイルに与えられるキャンセル電流を制御するとともにそのキャンセル電流を検知する検知回路とを備えており、
前記フィードバックコイルが前記交番磁界印加部として使用される請求項1ないし4のいずれか1項に記載の磁気センサ。 - 前記フィードバックコイルは、前記キャンセル電流が与えられない時間に前記交番磁界を発生する交番磁界印加部として使用される請求項5記載の磁気センサ。
- 磁気シールドをさらに備えており、
前記磁気シールドは、前記被測定磁界を減衰させ、前記キャンセル磁界と前記交番磁界を増強する請求項5または6記載の磁気センサ。
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