JPH08508105A - 磁気抵抗素子を利用したセンサ - Google Patents

磁気抵抗素子を利用したセンサ

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JPH08508105A JP7518707A JP51870795A JPH08508105A JP H08508105 A JPH08508105 A JP H08508105A JP 7518707 A JP7518707 A JP 7518707A JP 51870795 A JP51870795 A JP 51870795A JP H08508105 A JPH08508105 A JP H08508105A
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    • G01V3/00Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation
    • G01V3/08Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with magnetic or electric fields produced or modified by objects or geological structures or by detecting devices

Abstract

(57)【要約】 近接センサを、共通の平面内に配置され、永久磁石の側面から離間された2つの磁気抵抗素子で構成する。磁気抵抗素子の共通の検出平面は、永久磁石のN極とS極の間に延びるその磁石の磁軸とほぼ平行な方向に形成される。あらかじめ選択した磁極面を基準として検出ゾーンが画定され、上記磁気抵抗素子は第1及び第2の信号を発生し、これらの信号を比較することによって、検出ゾーン内の透磁性物体の有無を表す第3の信号を形成することができる。上記磁気抵抗素子は、各々、上記第1及び第2の信号を発生するためのホィーストン・ブリッジの形に配列された複数の磁気抵抗器で構成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】 磁気抵抗素子を利用したセンサ 発明の背景 発明の分野 本発明は、一般に、近接センサに関し、より詳しくは磁気抵抗素子を用いて、 永久磁石の一方の磁極の近傍における所定の画定された検出ゾーンの内の透磁性 材料の有無を決定するためのセンサに関する。 従来技術の説明 当業者には、種々異なる形態の近接センサが周知である。これらのセンサの一 部には、永久磁石を用いて、センサに対して所定の検出ゾーン内の透磁性物体の 有無を検出するものがある。また、この種のセンサの中には、永久磁石と共に、 永久磁石に対し特定の位置に配置されたホール素子を利用するものや、他のセン サが永久磁石に対して好都合な位置に配置された磁気抵抗素子を利用するものが ある。この種の近接センサは、ホール素子を用いたものでも、磁気抵抗素子を用 いたものでも、永久磁石の中心軸に垂直な方向に検出ゾーンを通過する透磁性物 体の有無を検出するよう構成することができ、あるいは、磁石の中心軸と平行な 経路に沿って永久磁石の磁極面に向かう向きまたはその磁極面から遠ざかる向き に移動する透磁性物体までの距離を検出するよう構成することができる。 1990年11月13日付でウルフ(Wolf)等に交付された米国特許第4 ,970,463号には、永久磁石の側面から発する磁束を検出する温度安定性 を持つ近接センサが記載されている。この鉄系物体センサは、鉄製ホィールに回 転可能に取り付けられた歯または切欠部(ノッチ)のような高い透磁率の物体の 有無を速度ゼロ時及びパワーアップ後直ちに検出することが可能である。従って 、このデバイスは近接センサとして使用することができる。このセンサは、永久 磁石と、検出平面を有して磁束密度の変化の関数として変化する電気出力信号を 発生する磁束応動センサとからなる。この鉄系物体センサアセンブリは、一部の 従来周知のセンサのように、磁極面の磁気に基づくものではなく、磁石の対向磁 極 面の側面から発する磁束密度の放射状成分に基づいて動作する。この鉄系物体セ ンサアセンブリは磁極面の磁気に依拠しないから、比較的広い温度範囲にわたっ て比較的安定した電気出力信号が得られる。 1985年3月19日付でロスレー(Rothley)等へ交付された米国特 許第4,506,217号には、ブリッジ回路を構成するよう接続された4つの 磁気抵抗トラックを有する歯車の歯位置・速度センサが開示されている。磁界プ レート効果速度及び位置センサを簡単化するために、4つのミアンダ・パーマロ イ抵抗トラックが基板上の長方形のコーナー部に配置されている。これらのトラ ックは、周方向に歯車の歯のピッチ距離の約半分の距離だけ互いに離間されてい る。抵抗は、分圧器を構成するよう接続するか、あるいは温度変化の影響をなく すために定電流源に接続されたブリッジ回路の形に接続することができる。一実 施の形態においては、抵抗は、シリコン基板上に蒸着されたミアンダ形薄膜トラ ックとして形成される。また、バイアス磁化を行うために永久磁石が用いられる 。 上に述べたような一般的な形の近接センサにおいては、通常、感磁性コンポー ネントを用いて、特定方向における磁界の強さ(磁界強度)を表す信号を得るよ うになっている。ホール素子を永久磁石と組み合わせて使用する場合は、ホール 素子からの信号は、ホール素子の検出平面に垂直な方向の磁界強度成分を表す。 これに対して、磁気抵抗素子を永久磁石と組み合わせて使用する場合は、磁気抵 抗素子からの信号は、磁気抵抗素子の検出平面内で該素子の最も薄い次元に垂直 な方向における磁界強度を表す。センサの各特定の用途及び性能要件に応じて、 ホール素子または磁気抵抗器のいずれかを使用することができる。先行技術を記 載した多くの文献を通して、上記の一般的な形のセンサは、各センサを使用しよ うとする用途に応じて、ある場合は近接センサとして説明され、他の場合は歯車 の歯センサとして説明されている。 大方の近接センサには、それぞれ望ましい属性がある。例えば、内燃機関と共 に使用される歯センサにおいては、1つの望ましい特徴として、所定の検出ゾー ンにおける歯の有無を歯車を動かすことなく指示する信号を始動時に供給するこ とができる性能が挙げられる。これは、パワーアップ認識能力として知られてい る。歯センサまたは近接センサのその他の望ましい特徴は、サイズが小さいこと である。近接センサの大きさは、通常、永久磁石の大きさ及び感磁性コンポーネ ントと永久磁石との相対的位置関係によって左右される。 発明の概要 本発明の一実施の形態は、磁軸を挟んでN極とS極を有する永久磁石を具備す る。この永久磁石は、断面が矩形でも円形でもよく、全体として磁軸と平行に広 がる側面を有する。検出ゾーンは、永久磁石の外部に設けられ、N極及びS極の うちあらかじめ選択した一方の極から離してある。磁軸は、全体的に検出ゾーン を貫通して延びる。総じて磁軸と平行な検出平面内に第1の磁気抵抗素子が配置 される。また、検出平面内には、第2の磁気抵抗素子も配置され、該検出平面は 永久磁石の側面から離間されている。本発明の一実施の形態においては、第1及 び第2の磁気抵抗素子は、N極またはS極のうちあらかじめ選択された検出ゾー ンの方に離間されている。本発明の特に好適な実施の形態においては、第1及び 第2の磁気抵抗素子からの第1の信号と第2の信号を比較するとともに、検出ゾ ーン内の透磁性材料の量を表す第3の信号を発生する手段が設けられている。こ の第3の信号は、第1及び第2の信号の関数として与えられる。 本発明の第1及び第2の磁気抵抗素子は、パーマロイ材を用いることができる 。第1及び第2の磁気抵抗素子からの第1の信号と第2の信号を比較するための 手段は、ホィーストン・ブリッジで構成することができる。さらに、第1及び第 2の各磁気抵抗素子は、それぞれ2つ以上の磁気抵抗器で構成することができる 。例えば、第1の磁気抵抗素子を第1及び第3の磁気抵抗器で構成し、第2の磁 気抵抗素子を第2及び第4の磁気抵抗器で構成するやり方で、これら2つの磁気 抵抗素子を4つの磁気抵抗器で構成することができる。この場合、例えば、第1 と第4の磁気抵抗器を電気的に直列に接続してホィーストン・ブリッジの第1の 分岐を形成し、第2と第3の磁気抵抗器を電気的に直列に接続してホィーストン ・ブリッジの第2の分岐を形成することができる。次に、ホィーストン・ブリッ ジの第1と第2の分岐を互いに電気的に並列に接続すれば、第1及び第2の磁気 抵抗素子からの第1と第2の信号とを比較するための手段を得ることができる。 本発明のある特定の実施の形態においては、第1と第3の磁気抵抗器は互いに層 状をなして配置され、また第2と第4の磁気抵抗器も互いに層状をなして配置さ れる。これらの磁気抵抗器が層状をなすよう互いに他方の上に直接重ねられた関 係になっていれば、磁界の作用は、第1と第3の磁気抵抗器上では実質的に同じ であり、また、第2と第4の磁気抵抗器上でも実質的に同じである。これらの対 をなす磁気抵抗器の検出平面における磁界強度がほぼ同じであることは、好都合 である。 透磁性物体がセンサの検出ゾーンに入ったり、そこから出るときは、永久磁石 によって作り出される磁界の形状が影響を受け、磁束線と磁気抵抗素子がある検 出平面との間の正確な角度が変化する。この変化は、磁気抵抗素子の抵抗の変化 として反映される。本発明の一実施の形態におけるようなホィーストン・ブリッ ジ中の磁気抵抗器の永久磁石に対する物理的位置によれば、永久磁石より生じる 磁束線の比較的小さい歪みでも、検出ゾーンにおける透磁性物体の有無を決定す るのに認職可能な信号をホィーストン・ブリッジから発生させることができる。 また、透磁性物体の永久磁石のあらかじめ選択した磁極面に対する距離もある程 度求めることができる。 図面の簡単な説明 以下、本発明を、下記の図面を参照しつつ実施の形態に基づき詳細に説明する 。 図1は、磁気抵抗素子の概略図である。 図2は、サーペンティン模様(蛇行状)に配置され、2つの磁気抵抗素子を形 成するよう対をなす4つの磁気抵抗器を示す模式図である。 図3は、4つの磁気抵抗器からなるホィーストン・ブリッジの概略模式図であ る。 図4は、本発明の一実施の形態の説明図である。 図5は、磁気抵抗素子の応答曲線を示すグラフである。 図6及び7は、磁界の磁気抵抗器に対する作用を永久磁石の磁極面からの距離 の関数として示すグラフである。 図8は、本発明を回転可能な歯車と組み合わせた応用例を示す説明図である。 図9は、磁気抵抗器を層状に対をなすよう配置した本発明の一実施の形態を示 す斜視図である。 図10は、永久磁石から発し、磁気抵抗素子を通過する2本の代表磁束線を示 す説明図である。 図11は、円筒ハウジング内に配置された本発明の一特定の物理的形状を示す 断面図である。 図12は、ホィーストン・ブリッジの出力信号と永久磁石の磁極面から鉄製タ ーゲットまでの距離との間の関係を示すグラフである。 図13は、ホィーストン・ブリッジからの出力信号を本発明の検出ゾーンを通 過する複数の歯及びスロットの回転の関数として示すグラフである。 図14は、センサを磁軸の回りに回転させるようにした以外は、図8とほぼ同 様の応用例を示す説明図である。 図15は、ホィーストン・ブリッジからの2つの信号をセンサの検出ゾーンに おける透磁性物体の有無を表す第3の信号に変換する本発明の一実施の形態を示 す一例の電気回路である。 実施の形態の説明 以下の実施の形態の説明を通して、同じ構成部分または要素は、同じ参照符号 で示してある。 図1においては、磁気抵抗素子10が検出平面内に配置されている状態が示さ れている。矢印Mによって表されるような検出平面の方向の成分を有する磁束は 、磁気抵抗素子10の電気抵抗を変化させる。検出回路に磁気抵抗素子を適切に 接続することによって、その抵抗の変化を測定することができ、この変化を利用 して検出平面における磁界の強さを表す信号を得ることができる。 図2は、4つの磁気抵抗器を配置する物理的形状構成の一例を示す。第1の磁 気抵抗器11は、サーペンティン状またはミアンダ形の形状に配置されている。 第1の磁気抵抗器11の2つの端部は、導電パッド21及び21′を具備する。 第2の磁気抵抗器12も、同様の形に構成され、端部に導電パッド22及び22 ′を有する。第3の磁気抵抗器13は、図2に示すように、第1の磁気抵抗器1 1に並んで配置され、端部に導電パッド23及び23′が設けられている。同様 にして、第4の磁気抵抗器14は、第2の磁気抵抗器12に並べられ、端部導電 パッド24及び24′が設けられている。図2には、磁気抵抗器11、12、1 3及び14は線として描かれているが、これらの磁気抵抗器は、実際にはあらか じめ選択された幅と厚さで図2に示す形状に被着され、これらの幅及び厚さは、 各特定用途で要求される回路特性の関数として決定することができる。磁気抵抗 器の端部の導電パッドは、これらの磁気抵抗器を相互に接続して、図3に示すよ うなホィーストン・ブリッジを構成するために使用される。 図2に及び3に示すデバイスの基本動作原理は、永久磁石から発する磁束線の 形状と方向の変化は、磁気抵抗器11及び13にほぼ同様に作用を及ぼし、かつ 磁気抵抗器12及び14にもほぼ同様に作用を及ぼす効果を有することに基づく ものである。しかしながら、第1の磁気抵抗素子31に対する作用は、第2の磁 気抵抗素子32に対する作用とは著しく異なり得る。このような磁界の形状及び 方向の変化が起こるとき、磁気抵抗器11及び13に対する影響はほぼ同様であ るが、この影響は、磁気抵抗器12及び14に対する影響とは少なくとも測定可 能な程度に異なる。図3に示すように、ホィーストン・ブリッジの端子間に電源 電圧Vsが供給されていると、磁気抵抗器の相対的抵抗値の変化によって、VOUT で示す出力電圧に変化が生じる。例えば、磁気抵抗器11及び13の抵抗が磁気 抵抗器12及び14の抵抗に対して増加すると、ポイント34の電位がポイント 36の電位に対して相対的に増加する。逆に、磁気抵抗器12及び14の抵抗が 磁気抵抗器11及び13の抵抗に対して増加すると、ポイント34及び36で逆 の効果が検出されるはずである。従って、このブリッジの出力電圧は、検出ゾー ン内の透磁性材料の量または位置を指示する量として測定することができる。以 下の説明で使用する用語において、第1の信号とは、ポイント34の電位を、ま た、第2の信号とは、ポイント36の電位を指すものとする。これらの2つの電 位間の差を検出ゾーン内の透磁性材料の量を指示する量として用いることができ る。 図4は、本発明の一実施の形態を示す。図中、永久磁石40は、N極及びS極 を有し、これらの磁極の間には磁軸42が延びている。第1の磁気抵抗素子31 及び第2の磁気抵抗素子32は、図示のように、磁石40の側面46から距離S だけ離間した共通の検出平面内に配置されている。これらの2つの磁気抵抗素子 31と32は、総じて中心線Cに関して対称状に互いに離して配置されている。 この中心線は、図4に示すように、あらかじめ選択された磁極面から距離Rだけ 離してある。これらの磁気抵抗器には、ある種の電気回路を接続し、組み付ける ことがしばしば必要になるため、シリコンチップ50を設け、磁気抵抗器はこの チップ50に被着されている。また、このチップは、セラミック基板54に取り 付けられている。そして、セラミック基板54は、磁石の側面46に取り付けら れている。しかしながら、永久磁石の側面46にセラミック基板54を直接固着 する必要のない磁気抵抗器と永久磁石との間の相対位置を固定するための他の手 段を用いることが可能なことは明らかである。 やはり図4において、透磁性物体58は、検出ゾーンに入るとき、永久磁石4 0から発する磁界の形状を変えることができ、従って、第1及び第2の磁気抵抗 素子31及び32の位置における検出平面の磁界の成分の大きさを変えることが できる。以下にさらに詳細に説明するように、本発明の一部の用途においては、 これらの磁気抵抗素子を強度が同じで反対向きの磁界が作用する位置に配置する と好都合である。この種の平衡型の構成は、一般に、本発明を、透磁性物体58 が磁極面49に向けて、あるいはこれから遠ざかる向きにほぼ磁軸42と平行な 方向に移動する近接センサとして使用する場合に好適である。磁気抵抗素子の位 置を永久磁石40に対して適切に選択するならば、磁気抵抗器の検出平面におけ る磁界成分を、ターゲットが検出ゾーン内にないとき、互いに反対向きにすこと ができる。その結果、第1の磁気抵抗素子31を貫通して延びる磁界成分の向き を、第2の磁気抵抗素子32を貫通して延びる磁界成分に対して反対向きにする ことができる。距離S及びRは、磁気抵抗器11及び13が磁気抵抗器12及び 14と反対の磁界方向にバイアスされるようにして、永久磁石の寸法、残留磁束 密度及びブリッジ寸法の関数として決定される。理想的には、これらの磁気抵抗 素子の反対磁界方向のバイアスの大きさは、図5に示す応答曲線の中点の大きさ に等しくする。図5に示す応答曲線60は、特定の一磁石について例示したもの である。しかしながら、応答曲線60の形状は、磁気抵抗素子31及び32の幅 及び厚さに基づいて大幅に変化し得る。さらに、第1及び第2の磁気抵抗素子3 1及び32に平衡磁界を作用させることは、必ずしも本発明の全ての実施の形態 における必須要件ではないということも理解すべきである。実際、本発明を歯車 の歯センサとして使用する場合は、磁気抵抗素子を、歯が検出ゾーンにないとき 両方の磁気抵抗素子が同じ向きで異なる大きさにバイアスされるように、永久磁 石に対して配置することによって、一定の長所を得ることことができる。このよ うな所定のバイアスによる初期較正は、歯センサにおいては好都合なことが多い 。 図5に示す応答曲線60は、磁気抵抗器の抵抗の変化百分率を抵抗の最大可能 変化百分率と対比して示す。図5において、横軸は、磁気抵抗器の検出平面にお ける磁界強度及び磁界方向を表す。図5の縦軸は、抵抗の変化百分率と最大可能 変化百分率との間の関係を表す。検出平面における磁界を2つの磁気抵抗素子3 1及び32を通って反対向きに延びるようにして平衡させることができるならば 、これら2つの磁気抵抗素子に作用を及ぼす初期磁界値は、点71及び72によ って表すことができる。これらの2つの点は、センサの検出ゾーン内に透磁性物 体がないときの磁気抵抗器の抵抗の相対変化を示す。鉄製ターゲットのような透 磁性物体が検出ゾーンに入るときは、第2の磁気抵抗素子32に作用を及ぼす負 方向の磁界が点71から点75に変化する。この変化は、磁気抵抗器の検出平面 内の負方向に延びる磁界成分の大きさが減少することによって引き起こされる。 同時に、磁気抵抗器11及び13に作用する正の磁界は、点72から点76へ増 大する。 さらに図5において、点71及び72は、検出ゾーンに磁性材料がない場合を 表し、点75及び76は、該検出ゾーン内に鉄製ターゲットのような磁性材料が ある場合を表すということに留意すべきである。矢印は、第1及び第2の磁気抵 抗素子について、それぞれ点71から75への変化と、点72から76への変化 が同時に起こることを示す。上に述べたように、この変化の結果、磁気抵抗器1 1及び13の抵抗が減少し、これに対応して磁気抵抗器12及び14の抵抗が増 加する。図3に示す構成の故に、出力電圧VOUTは、この抵抗変化を表すロバス ト信号として現れる。 上に図3、4及び5によって説明したように、第1及び第2の磁気抵抗素子3 1及び32の検出平面を貫通させて、同じ強さで互いに反対向きの磁界を形成す ることが好都合な場合があり、本発明が、磁軸42とほぼ平行な方向に永久磁石 の磁極面に向けて、あるいはこれから遠ざかる向きに移動する透磁性物体の永久 磁石に対する相対位置を検出するための近接センサとして使用される場合には、 特に好都合である。このように磁界を形成すると、検出ゾーンにターゲットがな い状態でデバイスをより容易に較正することができ、その結果、図5における点 71と72がほぼ等しいことによって表されるように、2つの磁気抵抗素子の間 の抵抗変化を全体的に平衡させることができる。以下に説明するように、第1及 び第2の磁気抵抗素子31と32に対する磁界成分の平衡は、磁石40を第1及 び第2の磁気抵抗素子に対して磁軸42と平行な方向に動かすことによって達成 することができる。 図6及び7は、第1及び第2の磁気抵抗素子に作用する相対的な磁界成分を特 定目的に合わせて調節または較正する方法を示したものである。例えば、図6は 、本発明を歯車の歯センサと共に使用する場合に特に好都合な調節の仕方を示す 。歯車の歯センサとしての用途においては、磁気抵抗素子を、どちらも同じ向き にバイアスされていても、互いに異なる大きさにバイアスさせる方が好都合であ る。歯車の歯センサにおいては、検出ゾーン内にターゲットがないとき、磁気バ イアスの向きにかかわらず、磁気抵抗素子32を絶対値で磁気抵抗素子31より 強くバイアスする方が望ましい。このようにすると、歯車の歯センサにパワーア ップ認識能力を具備することができる。このためには、第1及び第2の磁気抵抗 素子が図6に示す位置に配置されるように距離Rを選択する。曲線83によって 示されている磁気的関係、及び永久磁石と磁気抵抗素子との相対位置のために、 両磁気抵抗素子は、異なる磁界の大きさでどちらも負方向にバイアスされる。も し、磁気抵抗素子31及び32を磁極面49から遠ざかる向きにR′で示す距離 まで移動させると、磁気抵抗器に作用する磁界成分は、曲線83に沿って変化し て、図7に示すように、大きさがほぼ等しく、互いに反対向きの磁界となる。図 7に表されている形は、本発明がほぼ磁軸と平行な方向に永久磁石の磁極面に向 けて、あるいはこれから遠ざかる向きに移動する磁性物体に応答して動作する近 接センサとして使用される用途に最も好適であろうと思われ、図6に表されてい る形は、透磁性物体がほぼ磁軸に垂直な方向に永久磁石の磁極面の近傍の検出ゾ ーンを通って移動する歯車の歯センサとしての形における本発明の用途に比較的 好都合であろうと考えられる。 図8は、本発明の部分図で、磁極面49及び磁軸42を有する永久磁石40、 この永久磁石40の側面46に取り付けられたセラミック基板54、そのセラミ ック基板54に取り付けられたシリコンチップ50、及びそのシリコンチップ上 の第1及び第2の磁気抵抗素子31及び32が示されている。さらに、複数の歯 81、82及び83を有する回転可能な部材80が示されており、その複数の歯 は、矢印Aで示す方向の回転に従って、検出ゾーン90中に出入りする位置に配 置されている。図8においては、破線の円を用いて検出ゾーン90が表してある が、センサの検出ゾーンは実際には円形の内部には閉じ込められないということ を理解すべきである。図8の破線の円は、単に、鉄の歯車のターゲットがそこを 通過し、これを歯センサによって検出することができるおおまかな領域を指示す るために使用されているに過ぎない。図4と図8とを比較することによって、本 発明によって検出される鉄製ターゲットは、磁石40の磁極面49に向けて、あ るいはこれから遠ざかる向きに移動する透磁性物体58でも、総じて磁石の磁極 面49と平行な方向に検出ゾーン90を通って移動する歯車の歯でもよいという ことが解る。 図8に示す構成は、歯センサと回転部材80との間のある特定の物理的関係を 示したものである。図14には、歯センサを回転可能な部材80に対して磁軸4 2の回りに90度回転させたもう一つの構成が示されている。多くの用途の場合 、図14に示す構成の方が図8に示す構成より好適である。 また、図9は、対をなす各磁気抵抗器に対する磁気作用の差をできるだけ小さ くするために、これらの磁気抵抗器を互いに層状をなすように配置した本発明の もう一つの実施の形態を示す。例えば、磁気抵抗器14は、磁気抵抗器12の上 に層状に被着される。さらに、磁気抵抗器13は、磁気抵抗器11の上に層状に 被着される。この構成によれば、対をなす各磁気抵抗器には、磁界が変化すると き、ほぼ同じ磁気抵抗効果が生じる。言い換えると、磁界の形状が変化するとき 、磁気抵抗器11によって検出される作用は、磁気抵抗器13によって検出され る作用とほぼ同じになる。同様に、磁気抵抗器12に及ぼされる磁気作用は、磁 気抵抗器14に及ぼされる磁気作用とほぼ同じである。このような対をなす各磁 気抵抗器における磁界強度が実質的に同じであるという特徴は、図9に示す層状 関係により磁気抵抗器間が非常に密接になることによって達成される。これらの 対 をなす磁気抵抗器の間には、窒化ケイ素のような絶縁体の薄層を設けて、これら の抵抗器を互いに電気的に絶縁する。この窒化ケイ素の絶縁層は、図9に符号1 04で示されている。導電パッド21、22、23、24、21′、22′、2 3′及び24′は、図9では省略されている。 図10は、磁気抵抗素子31及び32の永久磁石40との関係の結果として、 これらの素子により検出される作用を模式的に示したものである。図10には、 説明のために、磁束線が2本だけ符号170及び172で示してある。しかしな がら、これらの2本の磁束線は、第1及び第2の磁気抵抗素子の領域における磁 界全体のおおまかな形状を表すためのものである。図に見られるように、磁束線 170は、合ベクトル(ベクトル和)V31を有する方向に磁気抵抗素子31を通 過し、磁束線172は、合ベクトルV32を有する方向に磁気抵抗素子32を通過 する。これら2つの合ベクトルは、磁気抵抗素子の検出平面内において互いに反 対向きに延びる成分を有する。ベクトルV31の当該成分は、磁気抵抗素子31の 検出平面内において総じて永久磁石40から遠ざかる向きに延びる。また、合ベ クトルV32の当該成分は、磁気抵抗素子32の検出平面内で総じて永久磁石40 に向かう向きに延びる。磁気抵抗素子を永久磁石40に対して磁軸42と平行な 方向に動かすことによって、これらの磁気抵抗素子の検出平面内における磁界強 度間の関係を変えることができる。この現象については、図6及び7を参照して 上に説明した通りである。 図11は、本発明の一特定の実施の形態における物理的形状を示す断面図であ る。永久磁石は、磁気抵抗素子31及び32からホルダー120によって隔てら れており、該ホルダー120は、プラスチックまたは他の適切な非磁性材料で形 成することができる。ホルダー120の各寸法は、永久磁石40を適切な位置に 保持し、磁気抵抗素子31及び32を永久磁石40の側面46からあらかじめ選 択された距離sだけ離間するように選択される。組立てプロセスにおいて磁気抵 抗素子とその付随回路及びワイヤボンドを保護するために、これらの構成部分上 にエラストマー材124を配置することも可能である。ホルダー120、永久磁 石40及び関連の磁気抵抗素子を図11に示すような形に配置する場合は、これ らのアセンブリは、プラスチックチューブのような適切なハウジング130に挿 入することができる。図11に示す構成では、磁気抵抗素子31及び32から受 け取る信号を較正するため、また各々の磁気抵抗素子に作用する磁界強度間に所 望の関係を達成するために、永久磁石とセラミック基板54を磁軸42と平行な 方向に互いに動かすことができる。この所望の関係が達成されたならば、図11 に示す構成部分を相互にしっかり固定して取り付ることができる。磁石40と磁 気抵抗素子31及び32を相互に固定して取り付け、そのアセンブリをハウジン グ130内に入れたならば、ハウジング130内面とセンサの構成部分との間の 残りのスペースに適切な注封材料を充填して、全ての構成部分を相互に動かない よう永久固定することができる。例えば、図11に符号134で示す磁石及び磁 気抵抗性構成部分の周囲のスペースに該注封材料を充填する。 図12は、ハウジングの磁極面と透磁性物体58との間の距離Dの関数として 、図3に示すホィーストン・ブリッジの出力VOUTを示す。図12は、本発明を 検出ゾーンにおける透磁性物体58の有無を検出するために使用する場合、及び ある種の用途において、透磁性物体58と永久磁石40の磁極面49との間の実 距離を測定するために使用する場合の安定性を示している。図12に示す関係は 、本発明をある程度透磁性物体とセンサハウジングの磁極面との間の距離を指示 することが可能な近接センサとして使用することができるということを例証する ものである。 図13は、図8に示すものと同様の本発明のもう一つの応用例についての結果 を示す。有歯ターゲットをしてセンサのそばを移動させ、歯車の歯を検出ゾーン を通って回転させると、本発明では、図13に示すような結果を得ることができ る。有歯物体80は、図を簡単化し、かつ歯の位置をセンサ出力の変化に明確に 関連付けるため、回転可能な歯車の形ではなく、直線的な構成を用いて示してあ る。図12及び13は、本発明は、近接センサとしても、歯センサとしても使用 することが可能であるということを示している。上に述べたように、本発明を近 接センサとして使用しようとする場合は、第1及び第2の磁気抵抗素子は、永久 磁石の位置に対して、図7で表されるような磁界成分の全体的な平衡が達成され る位置に配置することが望ましい。これに対して、本発明を歯センサとしての使 用したい場合は、永久磁石に対する磁気抵抗素子の相対位置を、図6に示すよう な関係が得られるように選択する。 本発明は、歯車の歯センサとして使用する場合、2つの磁気抵抗素子に異なる 大きさの磁気バイアスをかけることが長所となる。言い換えると、2つの磁気抵 抗素子は、向きにかかわらず異なる大きさの磁界の作用を受ける。2つの各磁気 抵抗素子にそれぞれ異なる強度の磁界を作用させることによって、歯車の歯セン サにパワーアップ認識能力を与えることができる。これは、歯センサが検出ゾー ン内の歯の有無を歯車を動かす必要なく確認することができることを意味する。 検出ゾーンに鉄系物体がないとき、異なる磁界をそれぞれ2つの磁気抵抗素子に かけると、パワーアップ認識能力を歯センサに与えるバイアスが作り出される。 さらに図13を参照すると、検出ゾーンにおける歯の有無の関数としてセンサ 出力を表す一群の曲線が示されている。これらの曲線は、それぞれ歯とセンサの 磁極面との間の異なるエアギャップに対応している。例えば、曲線141は、セ ンサの磁極面と歯の間に0.100インチのギャップがある場合を表し、曲線1 42は、このギャップが0.080インチの場合を、曲線143は0.060イ ンチの場合を表す。図13の曲線は、ギャップの変化によって信号強度に対する 作用に変化が生じることを示すためのものである。当然ながら、実際の出力信号 V0UTの正確な大きさは、磁石の強さ、距離S、磁石の寸法、ターゲットの透磁 率及びその他多くの変数のような種々のパラメータの関数として有意に変化する ことが考えられる。しかしながら、図13に示す曲線は、本発明を用いることに よって、歯とスロットを識別することができ、かつさらに、この識別情報を歯を 動かす必要なく得ることができるということを表している。 図15は、本発明と共に使用することができ、第1及び第2の信号に応答して 、検出ゾーンにおける磁性物体の有無を表すか、または透磁性物体と本発明を組 み込んだセンサの磁極面との間の相対距離を表すことができる第3の信号を発生 する回路の一例を示す。図15に示すホィーストン・ブリッジ回路は、ライン3 4上の第1の信号と、ライン36上の第2の信号を差動増幅器176に供給する 。差動増幅器は、ライン180上に信号を出力し、この信号は図示回路の温度補 償部182の入力として使用される。回路の温度補償部182の出力は、ライン 184を介して比較器190に供給される。また、比較器は、ライン192によ っ て表されるような基準手段に接続されたもう1つの入力を有する。本発明の一実 施の形態においては、比較器190は、センサの検出ゾーン内の歯の有無を検出 するために使用できる出力信号をライン194上に生じさせるのに適したヒステ リシス特性を有する。ホィーストン・ブリッジとの関連で図15に示す構成要素 は、当業者には極めて周知のものであり、図示構成は、検出ゾーン内の感磁性コ ンポーネントの有無を表すか、または、透磁性物体とセンサの磁極面との間の相 対距離を表す第3の信号を第1及び第2の信号の関数として得るために使用する ことができる多くの構成要素の組合わせの1つを表しているに過ぎない。 以上、本発明を詳細に説明し、一部の実施の形態について細部を明確に説明し たが、本発明の他の実施の形態も本発明の範囲に包括される。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.N極とS極及びこれらの両極間に延びる磁軸を有する永久磁石と; 上記永久磁石の外部で、そのN極及びS極のうちあらかじめ選択した一方の磁 極から離されており、上記磁軸が貫通している検出ゾーンと; ほぼ上記磁軸に平行な検出平面内に配置された第1の磁気抵抗素子と; 上記検出平面が上記永久磁石から上記磁軸に垂直な方向に離されていて、その 検出平面に配置された第2の磁気抵抗素子と; 上記第1及び第2の磁気抵抗素子からの第1と第2の信号とを比較して、上記 検出ゾーンにおける透磁性材料の量を表す第3の信号を発生するための比較手段 と; を具備したセンサ。 2.上記第1及び第2磁気抵抗素子が、上記N極及びS極のうちあらかじめ選択 した上記一方の磁極から上記検出ゾーンに向けて離されている請求項1記載のセ ンサ。 3.上記比較手段が、上記の第1及び第2の磁気抵抗素子よりなるホィーストン ・ブリッジである請求項1記載のセンサ。 4.上記第1の磁気抵抗素子が、第1及び第3の磁気抵抗器よりなる請求項1記 載のセンサ。 5.上記第2の磁気抵抗素子が、第2及び第4の磁気抵抗器よりなる請求項4記 載のセンサ。 6.上記第1と第4の磁気抵抗器が、電気的に直列に接続されてホィーストン・ ブリッジの第1の分岐を形成する請求項5記載のセンサ。 7.上記第2と第3の磁気抵抗器が電気的に直列に接続されて上記ホィーストン ・ブリッジの第2の分岐を形成し、上記ホィーストン・ブリッジの上記第1と第 2の分岐が互いに電気的に並列に接続された請求項6記載のセンサ。 8.上記第1及び第3の磁気抵抗器が互いに層状をなして配置され、かつ上記第 2及び第4の磁気抵抗器が互いに層状をなして配置された請求項6記載のセンサ 。 9.N極とS極及びこれらの両極間に延びる磁軸を有し、かつほぼ上記磁軸に平 行な側面を有する永久磁石する永久磁石と; 上記永久磁石の外部で、上記N極及びS極のうちあらかじめ選択した一方の磁 極から離して配置され、上記磁軸が貫通している検出ゾーンと; ほぼ上記磁軸に平行な検出平面内に配置された第1の磁気抵抗素子と; 上記検出平面が上記永久磁石から上記磁軸に垂直な方向に離間されていて、そ の上記検出平面に配置された第2の磁気抵抗素子であって、上記第1の磁気抵抗 素子と共にパーマロイ材料よりなり、かつ上記第1の磁気抵抗素子と共に上記N 極及びS極のうちあらかじめ選択した上記一方の磁極から上記検出ゾーンに向け て離されている第2の磁気抵抗素子と; 上記第1と第2の磁気抵抗素子に作用する有効磁界を比較して、上記検出ゾー ンにおける透磁性材料の量を表す出力信号を発生するための比較手段と; を具備したセンサ。 10.上記比較手段が、上記第1及び第2の磁気抵抗素子をその分岐として有す るホィーストン・ブリッジである請求項9記載のセンサ。 11.上記第1の磁気抵抗素子が、第1及び第3の磁気抵抗器よりなり; 上記第2の磁気抵抗素子が、第2及び第4の磁気抵抗器よりなる; 請求項9記載のセンサ。 12.上記第1及と第4の磁気抵抗器が、電気的に直列に接続されてホィースト ン・ブリッジの第1の分岐を形成し; 上記第2と第3の磁気抵抗器が、電気的に直列に接続されて上記ホィーストン ・ブリッジの第2の分岐を形成し、上記ホィーストン・ブリッジの上記第1と第 2の分岐が互いに電気的に並列に接続されている; 請求項1記載のセンサ。 13.上記第1及び第3の磁気抵抗器が互いに層状をなして配置され; 上記第2及び第4の磁気抵抗器が互いに層状をなして配置されている; 請求項11記載のセンサ。 14.N極とS極及びこれらの両極間に延びる磁軸を有し、かつほぼ上記磁軸に 平行な側面を有する永久磁石する永久磁石と; 上記永久磁石の外部で、上記N極及びS極のうちあらかじめ選択した一方の磁 極から離して配置され、上記磁軸が貫通している検出ゾーンと; ほぼ上記磁軸に平行な検出平面内に配置され、第1及び第3の磁気抵抗器より なる第1の磁気抵抗素子と; 上記検出平面が上記永久磁石から上記磁軸に垂直な方向に離されていて、その 検出平面に配置された第2及び第4の磁気抵抗器よりなる第2の磁気抵抗素子で あって、上記第1の磁気抵抗素子と共にパーマロイ材料よりなり、かつ上記第1 の磁気抵抗素子と共に上記N極及びS極のうちあらかじめ選択した上記一方の磁 極から上記検出ゾーンに向けて離され、上記第1と第4の磁気抵抗器が電気的に 直列に接続されてホィーストン・ブリッジの第1の分岐を形成し、上記第3と第 4の磁気抵抗器が電気的に直列に接続されて上記ホィーストン・ブリッジの第2 の分岐を形成し、かつ上記ホィーストン・ブリッジの上記第と第2の分岐が互い に電気的に並列に接続されている第2の磁気抵抗素子と; 上記第1と第2の磁気抵抗素子に作用する有効磁界を比較して、上記検出ゾー ンにおける透磁性材料の量を表す出力信号を発生するための比較手段と; を具備したセンサ。 15.上記第1及び第3の磁気抵抗器が互いに層状をなして配置され; 上記第2及び第4の磁気抵抗器が互いに層状をなして配置されている; 請求項14記載のセンサ。 16.複数の透磁性の歯を有する回転可能な歯車; をさらに具備した請求項14記載のセンサ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016518599A (ja) * 2013-04-16 2016-06-23 ウーシー レアー テクノロジー カンパニー リミテッド 磁気抵抗技術に基づいて磁気パターンの表面磁界を検出する磁気ヘッド
JP2016186476A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 Tdk株式会社 磁気センサ及び磁気式エンコーダ

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5705924A (en) * 1993-11-09 1998-01-06 Eastman Kodak Company Hall effect sensor for detecting an induced image magnet in a smooth material
US5596272A (en) * 1995-09-21 1997-01-21 Honeywell Inc. Magnetic sensor with a beveled permanent magnet
JP3306305B2 (ja) * 1996-04-25 2002-07-24 株式会社三協精機製作所 モータ
JPH09329462A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Mitsubishi Electric Corp 検出装置
US5912556A (en) * 1996-11-06 1999-06-15 Honeywell Inc. Magnetic sensor with a chip attached to a lead assembly within a cavity at the sensor's sensing face
US5936400A (en) * 1996-12-23 1999-08-10 Federal Products Co. Magnetoresistive displacement sensor and variable resistor using a moving domain wall
JPH10197545A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Yazaki Corp 磁気検出装置
JPH10232242A (ja) * 1997-02-19 1998-09-02 Mitsubishi Electric Corp 検出装置
JPH10233146A (ja) * 1997-02-19 1998-09-02 Nec Corp 強磁性物体通過センサ
JPH10239098A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JPH10239338A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Mitsubishi Electric Corp 検出装置
JP3726418B2 (ja) * 1997-04-18 2005-12-14 株式会社デンソー 回転検出装置
DE19722016A1 (de) * 1997-05-27 1998-12-03 Bosch Gmbh Robert Anordnung zur berührungslosen Drehwinkelerfassung
ES2128263B1 (es) * 1997-05-28 1999-12-16 Consejo Superior Investigacion Dispositivos magnetoresistivos para la deteccion de presencia y posicion de piezas metalicas.
US6404188B1 (en) 1998-03-19 2002-06-11 Honeywell Inc Single geartooth sensor yielding multiple output pulse trains
JPH11304413A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JPH11304414A (ja) * 1998-04-21 1999-11-05 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JPH11304415A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JPH11304416A (ja) * 1998-04-24 1999-11-05 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JP3411502B2 (ja) * 1998-05-11 2003-06-03 三菱電機株式会社 磁気検出装置
JP2000134977A (ja) * 1998-10-29 2000-05-12 Alps Electric Co Ltd 多相モータの駆動装置
US6326781B1 (en) 1999-01-11 2001-12-04 Bvr Aero Precision Corp 360 degree shaft angle sensing and remote indicating system using a two-axis magnetoresistive microcircuit
GB2363462B (en) * 2000-06-13 2004-12-01 Nicholas Robert Shephard Position location apparatus
US6545465B1 (en) 2000-06-14 2003-04-08 Syron Engineering & Manufacturing Corporation Gripper with coiled sensor wire
US6469927B2 (en) * 2000-07-11 2002-10-22 Integrated Magnetoelectronics Magnetoresistive trimming of GMR circuits
EP1180847B1 (en) * 2000-08-19 2006-03-01 Johnson Electric S.A. Electric motor
US6538429B2 (en) * 2001-02-09 2003-03-25 Delphi Technologies, Inc. Angular position sensor assembly for a motor vehicle generator shaft
US6577123B2 (en) * 2001-06-04 2003-06-10 Delphi Technologies, Inc. Linear position sensor assembly
AU2003225048A1 (en) * 2002-04-19 2003-11-03 Integrated Magnetoelectronics Corporation Interfaces between semiconductor circuitry and transpinnor-based circuitry
US6992919B2 (en) * 2002-12-20 2006-01-31 Integrated Magnetoelectronics Corporation All-metal three-dimensional circuits and memories
US7005852B2 (en) 2003-04-04 2006-02-28 Integrated Magnetoelectronics Corporation Displays with all-metal electronics
US20040232906A1 (en) * 2003-05-19 2004-11-25 Taneyhill David J. High temperature magnetoresistive sensor
EP1706747B1 (en) * 2004-01-08 2013-11-20 Nxp B.V. Magnetoresistive speed sensor
US7654238B2 (en) * 2004-11-08 2010-02-02 Ford Global Technologies, Llc Systems and methods for controlled shutdown and direct start for internal combustion engine
US7425824B2 (en) * 2005-05-20 2008-09-16 Honeywell International Inc. Magnetoresistive sensor
US7126327B1 (en) * 2005-07-22 2006-10-24 Honeywell International Inc. Asymmetrical AMR wheatstone bridge layout for position sensor
JP4144631B2 (ja) * 2006-04-26 2008-09-03 Tdk株式会社 磁気センサ及び磁気センサの製造方法
US7521922B2 (en) * 2006-11-07 2009-04-21 Key Safety Systems, Inc. Linear position sensor
US7911830B2 (en) * 2007-05-17 2011-03-22 Integrated Magnetoelectronics Scalable nonvolatile memory
US10338158B2 (en) * 2007-05-30 2019-07-02 Infineon Technologies Ag Bias magnetic field sensor
US10852367B2 (en) 2007-05-30 2020-12-01 Infineon Technologies Ag Magnetic-field sensor with a back-bias magnet
DE102007025000B3 (de) 2007-05-30 2008-12-11 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensor
US9823090B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object
JP2009187704A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Alps Electric Co Ltd 揺動操作型スイッチ装置
JP5500785B2 (ja) * 2008-05-14 2014-05-21 新科實業有限公司 磁気センサ
DE102009003924B4 (de) 2009-01-02 2022-05-12 Asm Automation Sensorik Messtechnik Gmbh Sensor nach dem Laufzeitprinzip mit einer Detektoreinheit für mechanisch-elastische Dichte-Wellen
US8334688B2 (en) * 2009-05-14 2012-12-18 CoActive Technologies, LLC Multi-position switch having dual output hall device
US7977935B2 (en) * 2009-06-04 2011-07-12 Key Safety Systems, Inc. Temperature tolerant magnetic linear displacement sensor
US8390283B2 (en) 2009-09-25 2013-03-05 Everspin Technologies, Inc. Three axis magnetic field sensor
DE102009046180A1 (de) * 2009-10-29 2011-05-05 Scambia Industrial Developments Aktiengesellschaft Anhängekupplung
US8518734B2 (en) 2010-03-31 2013-08-27 Everspin Technologies, Inc. Process integration of a single chip three axis magnetic field sensor
CN203170019U (zh) * 2012-02-10 2013-09-04 欧格运动有限责任公司 一种具有可拆卸式弹性垫的飞盘
US10145908B2 (en) 2013-07-19 2018-12-04 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field
US10495699B2 (en) 2013-07-19 2019-12-03 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target
US9810519B2 (en) * 2013-07-19 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors
WO2016063256A1 (en) 2014-10-23 2016-04-28 Schnell S.P.A. Magnetoresistive proximity sensor
US10712403B2 (en) 2014-10-31 2020-07-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US9719806B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object
US9720054B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US9823092B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
CN104374412B (zh) * 2014-11-14 2017-11-07 深圳市富士鸿泰科技有限公司 一种用于磁感应齿轮编码器的磁场结构
US9741923B2 (en) 2015-09-25 2017-08-22 Integrated Magnetoelectronics Corporation SpinRAM
US10041810B2 (en) 2016-06-08 2018-08-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors
US10012518B2 (en) 2016-06-08 2018-07-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a proximity of an object
US10260905B2 (en) 2016-06-08 2019-04-16 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations
US10996289B2 (en) 2017-05-26 2021-05-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated position sensor with reflected magnetic field
US10641842B2 (en) 2017-05-26 2020-05-05 Allegro Microsystems, Llc Targets for coil actuated position sensors
US10324141B2 (en) 2017-05-26 2019-06-18 Allegro Microsystems, Llc Packages for coil actuated position sensors
US11428755B2 (en) 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
US10310028B2 (en) 2017-05-26 2019-06-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor
US10837943B2 (en) 2017-05-26 2020-11-17 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with error calculation
US10539432B2 (en) 2018-01-29 2020-01-21 Infineon Technologies Ag Differential top-read magnetic sensor with low cost back bias magnet
US11175353B2 (en) 2018-02-16 2021-11-16 Analog Devices International Unlimited Company Position sensor with compensation for magnet movement and related position sensing method
US10866117B2 (en) 2018-03-01 2020-12-15 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target
US11255700B2 (en) 2018-08-06 2022-02-22 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor
US10823586B2 (en) 2018-12-26 2020-11-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements
US11061084B2 (en) 2019-03-07 2021-07-13 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deflectable substrate
EP4031889A4 (en) * 2019-09-20 2023-10-18 Kaman Aerospace Corporation, Memory and Measuring Systems HIGH PRESSURE MAGNETO-RESISTIVE NON-CONTACT DISPLACEMENT SENSOR
US11237020B2 (en) 2019-11-14 2022-02-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet
US11280637B2 (en) 2019-11-14 2022-03-22 Allegro Microsystems, Llc High performance magnetic angle sensor
US11262422B2 (en) 2020-05-08 2022-03-01 Allegro Microsystems, Llc Stray-field-immune coil-activated position sensor
US11493361B2 (en) 2021-02-26 2022-11-08 Allegro Microsystems, Llc Stray field immune coil-activated sensor
DE102021106698A1 (de) 2021-03-18 2022-09-22 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. 3D-Eingabevorrichtung, Mobilgerät und 3D-Eingabegerät
US11578997B1 (en) 2021-08-24 2023-02-14 Allegro Microsystems, Llc Angle sensor using eddy currents

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS576962Y2 (ja) * 1974-07-26 1982-02-09
GB2071333B (en) * 1980-02-22 1984-02-01 Sony Corp Magnetic sensor device
JPS5773618A (en) * 1980-10-24 1982-05-08 Nec Home Electronics Ltd Linear displacement detecting method
US4853632A (en) * 1981-02-07 1989-08-01 Hitachi, Ltd. Apparatus for magnetically detecting a position of a movable magnetic body
DE3132549A1 (de) * 1981-08-18 1983-03-03 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Vorrichtung zur erfassung der drehzahl von rotierenden teilen
JPS5886405A (ja) * 1981-11-18 1983-05-24 Nec Corp 角度検出器
JPS6021580A (ja) * 1983-07-15 1985-02-02 Canon Inc 磁電変換検知装置
EP0151002B1 (en) * 1984-01-25 1991-08-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic detector
DE3426784A1 (de) * 1984-07-20 1986-01-30 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistiver sensor zur abgabe von elektrischen signalen
DE3438120A1 (de) * 1984-10-18 1986-04-24 Gebhard Balluff Fabrik feinmechanischer Erzeugnisse GmbH & Co, 7303 Neuhausen Stoerfeldfester naeherungsschalter
US4745363A (en) * 1986-07-16 1988-05-17 North American Philips Corporation Non-oriented direct coupled gear tooth sensor using a Hall cell
JPS6416922A (en) * 1987-07-10 1989-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Rotational angle detector
US4970463A (en) * 1989-03-13 1990-11-13 Durakool Incorporated Temperature stable proximity sensor with sensing of flux emanating from the lateral surface of a magnet
DE4014885C2 (de) * 1989-05-13 1995-07-13 Aisan Ind Drehwinkelaufnehmer
US5021736A (en) * 1989-09-19 1991-06-04 Texas Instruments Incorporated Speed/position sensor calibration method with angular adjustment of a magnetoresistive element
JP2734759B2 (ja) * 1990-08-13 1998-04-02 株式会社デンソー 回転検出装置
US5038130A (en) * 1990-11-06 1991-08-06 Santa Barbara Research Center System for sensing changes in a magnetic field
JP2720681B2 (ja) * 1992-01-06 1998-03-04 株式会社村田製作所 移動体の移動検出装置
US5341097A (en) * 1992-09-29 1994-08-23 Honeywell Inc. Asymmetrical magnetic position detector

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016518599A (ja) * 2013-04-16 2016-06-23 ウーシー レアー テクノロジー カンパニー リミテッド 磁気抵抗技術に基づいて磁気パターンの表面磁界を検出する磁気ヘッド
JP2016186476A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 Tdk株式会社 磁気センサ及び磁気式エンコーダ

Also Published As

Publication number Publication date
WO1995018982A1 (en) 1995-07-13
US5477143A (en) 1995-12-19
DE19580095T1 (de) 1996-02-22
JP3529784B2 (ja) 2004-05-24
DE19580095C2 (de) 1998-02-19

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