WO2022018978A1 - 磁気センサ - Google Patents

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WO2022018978A1
WO2022018978A1 PCT/JP2021/021020 JP2021021020W WO2022018978A1 WO 2022018978 A1 WO2022018978 A1 WO 2022018978A1 JP 2021021020 W JP2021021020 W JP 2021021020W WO 2022018978 A1 WO2022018978 A1 WO 2022018978A1
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magnetic
magnetoresistive element
magnetic sensor
insulating layer
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PCT/JP2021/021020
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Inventor
雅彦 鷲平
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Definitions

  • the present invention relates to a magnetic sensor.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-2297463
  • the magnetic sensor described in Patent Document 1 includes a magnetoresistor made of a ferromagnetic thin film formed on a substrate, and outputs a voltage when a magnetic field is applied to the magnetic resistor from the outside.
  • the ferromagnetic thin film has the same film composition in the region where this thin film is formed.
  • the magnetic sensor includes at least four magnetoresistors, is connected in a bridge shape at at least four connection points, and constitutes a magnetoresistive element unit that takes out an output from each of the opposing connection points.
  • the magnetic sensor described in Patent Document 1 has a magnetic field that can detect a magnetic field, and cannot detect a magnetic field in a non-magnetic direction that is orthogonal to the magnetic field direction.
  • the four magnetic resistors provided in the magnetic sensor have two magnetoresistive bodies whose resistance value changes when a magnetic field in the magnetic field direction acts on them, and two magnetic resistance bodies whose resistance value hardly changes when a magnetic field in the magnetic field direction acts on them. Includes two fixed resistors.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and provides a magnetic sensor capable of suppressing a decrease in detection sensitivity of a magnetic field in the second direction due to the influence of a magnetic field in the first direction.
  • the purpose is a magnetic sensor capable of suppressing a decrease in detection sensitivity of a magnetic field in the second direction due to the influence of a magnetic field in the first direction.
  • the magnetic sensor based on the present invention includes a first magnetoresistive element, a second magnetoresistive element, an insulating layer, and a magnetic material member.
  • the second magnetoresistive element is electrically connected to the first magnetoresistive element to form a bridge circuit.
  • the insulating layer covers the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element.
  • the magnetic member is located above the insulating layer.
  • the first magnetoresistive sensor has an outer peripheral edge and an inner peripheral edge. The magnetic member is located in a region inside the outer peripheral edge of the first magnetoresistive element when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer.
  • the second magnetoresistive element is located in a region inside the inner peripheral edge of the first magnetoresistive element when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer, and is covered with a magnetic material member.
  • the first magnetoresistive element is provided with a conductive layer on a part of the magnetic member outside the magnetic member so as to sandwich the magnetic member between them in the first direction when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer.
  • the present invention it is possible to suppress a decrease in the detection sensitivity of the magnetic field in the second direction of the magnetic sensor due to the influence of the magnetic field in the first direction.
  • FIG. 3 is a plan view of the magnetic sensor of FIG. 1 as viewed from the direction of arrow II. It is an equivalent circuit diagram of the magnetic sensor which concerns on Embodiment 1 of this invention. It is sectional drawing which shows the laminated structure of the circuit board of the magnetic sensor which concerns on Embodiment 1 of this invention. It is a top view which shows each pattern of the 1st magnetic resistance element and the 2nd magnetic resistance element of the magnetic sensor which concerns on Embodiment 1 of this invention.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a magnetic sensor according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the magnetic sensor of FIG. 1 as viewed from the direction of arrow II.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the magnetic sensor according to the first embodiment of the present invention.
  • the outer edge of the first magnetic material member, which will be described later is shown by a dotted line.
  • the width direction of the circuit board 100 which will be described later, is shown as the X direction
  • the length direction of the circuit board 100 is shown as the Y direction
  • the thickness direction of the circuit board 100 is shown as the Z direction.
  • FIG. 2 does not show a differential amplifier and a temperature compensation circuit, which will be described later.
  • the magnetic sensor 1 As shown in FIGS. 1 and 2, the magnetic sensor 1 according to the first embodiment of the present invention includes a circuit board 100 and two magnetic material members 40 provided on the circuit board 100.
  • the four magnetic resistors are electrically connected to the circuit board 100 of the magnetic sensor 1 according to the first embodiment of the present invention by wiring to form a Wheatstone bridge type bridge circuit.
  • An element is provided.
  • the four magnetoresistive elements consist of two sets of a first magnetoresistive element and a second magnetoresistive element.
  • the magnetic sensor 1 includes a first magnetoresistive element 120a and a second magnetoresistive element 130a, and a first magnetoresistive element 120b and a second magnetoresistive element 130b.
  • the magnetic sensor 1 includes, but is not limited to, two sets of a first magnetoresistive element and a second magnetoresistive element, and at least one set of a first magnetoresistive element and a second magnetic resistance element. It suffices to include a second magnetoresistive element.
  • the circuit board 100 is configured with a half-bridge circuit.
  • Each of the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element is an AMR (Anisotropic Magneto Resistance) element.
  • each of the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element replaces the AMR element with a GMR (Giant Magneto Resistance) element, a TMR (Tunnel Magneto Resistance) element, a BMR (Ballistic Magneto Resistance) element, and a CMR (Colossal). It may be a magnetoresistive element such as a Magneto Resistance) element.
  • the second magnetoresistive element 130a is magnetically shielded by the magnetic material member 40 and becomes a so-called fixed resistance that hardly detects a vertical magnetic field and a horizontal magnetic field.
  • the first magnetoresistive element 120a is a so-called magnetosensitivity resistance whose electric resistance value changes when an external magnetic field is applied.
  • the second magnetoresistive element 130b is magnetically shielded by the magnetic material member 40 and becomes a so-called fixed resistance that hardly detects a vertical magnetic field and a horizontal magnetic field.
  • the first magnetoresistive element 120b is a so-called magnetosensitivity resistance whose electric resistance value changes when an external magnetic field is applied.
  • the four magnetoresistive elements are electrically connected to each other by wiring formed on the semiconductor substrate 110. Specifically, the first magnetoresistive element 120a and the second magnetoresistive element 130a are connected in series by wiring 146. The first magnetoresistive element 120b and the second magnetoresistive element 130b are connected in series by wiring 150.
  • a midpoint 140 On the semiconductor substrate 110 of the circuit board 100, a midpoint 140, a midpoint 141, a power supply terminal (Vcc) 142, a ground terminal (Gnd) 143, and an output terminal (Out) 144 are further provided.
  • Vcc power supply terminal
  • Gnd ground terminal
  • Out output terminal
  • Each of the first magnetoresistive element 120a and the second magnetoresistive element 130b is connected to the midpoint 140. Specifically, the first magnetoresistive element 120a and the midpoint 140 are connected by wiring 145, and the second magnetoresistive element 130b and the midpoint 140 are connected by wiring 152.
  • Each of the first magnetoresistive element 120b and the second magnetoresistive element 130a is connected to the midpoint 141. Specifically, the first magnetoresistive element 120b and the midpoint 141 are connected by wiring 149, and the second magnetoresistive element 130a and the midpoint 141 are connected by wiring 148.
  • the wiring 146 is connected to the power supply terminal (Vcc) 142 to which the current is input.
  • the wiring 150 is connected to the ground terminal (Gnd) 143.
  • the magnetic sensor 1 further includes a differential amplifier 160, a temperature compensation circuit 161, a latch and switch circuit 162, and a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) driver 163.
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • the differential amplifier 160 has an input end connected to each of the midpoint 140 and the midpoint 141, and an output end connected to the temperature compensation circuit 161. Further, the differential amplifier 160 is connected to each of the power supply terminal (Vcc) 142 and the ground terminal (Gnd) 143.
  • the output end of the temperature compensation circuit 161 is connected to the latch and the switch circuit 162. Further, the temperature compensation circuit 161 is connected to each of the power supply terminal (Vcc) 142 and the ground terminal (Gnd) 143.
  • the output end of the latch and switch circuit 162 is connected to the CMOS driver 163. Further, the latch and switch circuit 162 are connected to each of the power supply terminal (Vcc) 142 and the ground terminal (Gnd) 143.
  • the output end of the CMOS driver 163 is connected to the output terminal (Out) 144. Further, the CMOS driver 163 is connected to each of the power supply terminal (Vcc) 142 and the ground terminal (Gnd) 143.
  • the magnetic sensor 1 Since the magnetic sensor 1 has the above circuit configuration, a potential difference depending on the strength of the external magnetic field is generated between the midpoint 140 and the midpoint 141. When this potential difference exceeds the threshold value, a signal is output from the output terminal (Out) 144.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a laminated structure of a circuit board of a magnetic sensor according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 illustrates the periphery of the boundary portion between the region R that functions as a magnetoresistive element and the region L that does not function as a magnetoresistive element.
  • the magnetic material layer 10, the conductive layer 20, and the insulating layer 30 are laminated on the semiconductor substrate 110.
  • the semiconductor substrate 110 such as are composed of Si, SiO 2 or the like or a Si 3 N 4 layer is provided on the surface of the semiconductor substrate 110.
  • the magnetic layer 10 is made of an alloy containing Ni and Fe. The thickness of the magnetic layer 10 is, for example, 0.04 ⁇ m.
  • the conductive layer 20 is made of Au, Al, or the like.
  • a Ti layer (not shown) is provided directly above the conductive layer 20.
  • the insulating layer 30 is made of SiO 2 or the like.
  • Each of the first magnetoresistive elements 120a and 120b and the second magnetoresistive elements 130a and 130b is formed by patterning the magnetic material layer 10 by an ion milling method.
  • Each of the first magnetoresistive elements 120a and 120b and the second magnetoresistive elements 130a and 130b is covered with an insulating layer 30.
  • the wirings 145, 146, 148, 149, 150, 152 are formed by patterning the conductive layer 20 provided on the semiconductor substrate 110 by wet etching. In the wirings 145, 146, 148, 149, 150, 152, the conductive layer 20 is located directly above the magnetic material layer 10.
  • Each of the midpoint 140, the midpoint 141, the power supply terminal (Vcc) 142, the ground terminal (Gnd) 143, and the output terminal (Out) 144 is composed of a conductive layer 20 located directly above the semiconductor substrate 110. That is, each of the midpoint 140, the midpoint 141, the power supply terminal (Vcc) 142, the ground terminal (Gnd) 143, and the output terminal (Out) 144 is a pad provided on the semiconductor substrate 110.
  • FIG. 5 is a plan view showing each pattern of the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element of the magnetic sensor according to the first embodiment of the present invention.
  • the first magnetoresistive element 120a, the pattern 120 and 120b when viewed from a direction perpendicular to the insulating layer 30, wiring 146,148,150,152 in the circumference of the virtual circle C 1
  • the located portion is arranged along the open virtual C-shaped C 11.
  • the direction orthogonal to the insulating layer 30 is the Z direction, which is parallel to the direction orthogonal to the upper surface of the semiconductor substrate 110.
  • the first magnetoresistive elements 120a and 120b have an outer peripheral edge and an inner peripheral edge. As shown in FIG. 5, in the first embodiment of the present invention, the first magnetic resistance elements 120a and 120b are second, which are orthogonal to the Y direction, which is the first direction, when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30. A pair of first side portions 121 that extend along the X direction and are spaced apart from each other in the Y direction, and a pair of first side portions 121 that extend along the Y direction and are spaced apart from each other in the X direction. It has a polygonal shape including a pair of second side portions 122.
  • the polygonal shape is an octagonal shape.
  • the first magnetoresistive elements 120a and 120b further include four third side portions 123 that connect a pair of first side portions 121 and a pair of second side portions 122 to each other.
  • Each of the four third side portions 123 has an angle ⁇ formed by the connected first side portion 121 at 135 °.
  • a conductive layer 20 is provided on each magnetic material layer 10 of the pair of first side portions 121.
  • the conductive layer 20 is not provided on the magnetic material layer 10 of each of the pair of second side portions 122 and the four third side portions 123. Therefore, each of the pair of first side portions 121 does not function as a magnetoresistive element, and each of the pair of second side portions 122 and the four third side portions 123 functions as a magnetoresistive element.
  • the conductive layer 20 is formed in the portion located on the other side in the X direction. It is connected to the wiring 145, and the portion located on one side in the X direction is connected to the wiring 146 on which the conductive layer 20 is formed.
  • a conductive layer 20 was formed on the portion of the first side portion 121 located on the other side in the Y direction of the pair of first side portions 121 of the first magnetoresistive element 120b, which is located on the other side in the X direction. It is connected to the wiring 149, and the portion located on one side in the X direction is connected to the wiring 150 on which the conductive layer 20 is formed.
  • the second magnetoresistive element 130a is located on the center side of the virtual circle C 1 when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30, and is surrounded by the first magnetoresistive element 120a. It is located on the center side of the virtual circle C 1 when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30, and is surrounded by the first magnetoresistive element 120b. That is, the second magnetoresistive element 130a is located inside the inner peripheral edge of the first magnetoresistive element 120a when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30, and the second magnetoresistive element 130b is on the insulating layer 30. It is located inside the inner peripheral edge of the first magnetoresistive element 120b when viewed from the orthogonal direction.
  • Second magnetoresistance element 130a, 130b may have a pattern 130 including two arcuate patterns 131 arranged symmetrically so as to align in the radial direction of the virtual circle C 1 along the circumference of the virtual circle C 1 is doing.
  • One end of the two arcuate patterns 131 is connected to each other by a semicircular arcuate pattern 132, and the other end is connected to each other by a semicircular arcuate pattern 133.
  • the arcuate pattern 131 located on the outermost side from the center of the virtual circle C 1 is connected to the wirings 146 and 148 via the linear extending portion 134 having a length shorter than 10 ⁇ m. Has been done.
  • the arcuate pattern 131 located on the outermost side from the center of the virtual circle C 1 is connected to the wirings 150 and 152 via the linear extending portion 134 having a length shorter than 10 ⁇ m. Has been done.
  • the thickness of the magnetic member 40 is, for example, 10 ⁇ m or more, preferably 20 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less. When the thickness of the magnetic member 40 is 10 ⁇ m or more, the vertical magnetic field deflected in the substantially horizontal direction by the magnetic member 40 can be detected by the first magnetoresistive elements 120a and 120b.
  • the thickness of the magnetic member 40 is 20 ⁇ m or more, the vertical magnetic field can be effectively deflected in the substantially horizontal direction by the magnetic member 40, so that the weaker vertical magnetic field is detected by the first magnetoresistive elements 120a and 120b. can.
  • the thickness of the magnetic member 40 is 150 ⁇ m or less, it is possible to suppress the lengthening of the formation time of the magnetic member 40 and maintain the mass productivity of the magnetic sensor 1.
  • the magnetic member 40 has an octagonal outer shape when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30, and is located in a region inside the outer peripheral edges of the first magnetoresistive elements 120a and 120b. positioned.
  • the region inside the outer peripheral edges of the first magnetoresistive elements 120a and 120b is connected to both ends of the outer peripheral edges of the first magnetoresistive elements 120a and 120b by a virtual straight line when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30. It is an area surrounded by the edges.
  • the region inside the outer peripheral edges of the first magnetoresistive elements 120a and 120b overlaps with more than half of the magnetic material member 40, and 2 / of the magnetic material member 40. It is more preferable that 3 or more overlap.
  • the magnetic member 40 is located in a region inside the inner peripheral edges of the first magnetoresistive elements 120a and 120b when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the region inside the inner peripheral edges of the first magnetoresistive elements 120a and 120b is connected to both ends of the inner peripheral edges of the first magnetoresistive elements 120a and 120b by a virtual straight line when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30. It is an area surrounded by the edges.
  • the magnetic member 40 may be located on the inner peripheral edge of the first magnetoresistive elements 120a and 120b and in a region including a region inside the inner peripheral edge when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the region inside the inner peripheral edges of the first magnetoresistive elements 120a and 120b overlaps with more than half of the magnetic member 40, and 2 / of the magnetic member 40. It is more preferable that 3 or more overlap.
  • the magnetic member 40 is located concentrically with the outer peripheral edges of the first magnetoresistive elements 120a and 120b when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the magnetic member 40 is the second magnetic of the first magnetoresistive elements 120a and 120b and the second magnetoresistive elements 130a and 130b when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30. It covers only the resistance elements 130a and 130b. Therefore, the magnetic member 40 is surrounded by the first magnetoresistive elements 120a and 120b when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the second magnetoresistive elements 130a and 130b are magnetically shielded by the magnetic material member 40 and hardly detect a vertical magnetic field and a horizontal magnetic field.
  • the magnetic material member 40 is made of a magnetic material having high magnetic permeability and saturation magnetic flux density, such as electromagnetic steel, mild steel, silicon steel, permalloy, supermalloy, nickel alloy, iron alloy or ferrite. Further, it is preferable that these magnetic materials have a low coercive force.
  • the resistance change rate of the first magnetoresistive elements 120a and 120b When a Fe-78Ni alloy or the like, for which the magnetic permeability increases at a high temperature and decreases at a low temperature, is used as the magnetic material constituting the magnetic material member 40, the resistance change rate of the first magnetoresistive elements 120a and 120b. The temperature dependence of can be reduced.
  • the magnetic member 40 is formed by plating, for example.
  • another thin layer may be provided between the insulating layer 30 and the magnetic material member 40.
  • at least one of an adhesion layer containing Ti and an electrode reaction layer containing Au may be formed between the insulating layer 30 and the magnetic member 40.
  • the distance between the inner peripheral edge of the first magnetoresistive element 120a and 120b and the outer peripheral edge of the magnetic material member 40 is such that the first magnetic resistance element 120a is formed even when the formation position varies when the magnetic material member 40 is formed by plating. , 120b and the magnetic member 40 are secured to the extent that they do not overlap.
  • the conductive layer 20 is provided on each magnetic material layer 10 of the pair of first side portions 121 of the first magnetoresistive elements 120a and 120b.
  • the pair of first side portions 121 sandwiches the magnetic material member 40 between each other in the Y direction on the outside of the magnetic material member 40 when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30. That is, the first magnetoresistive elements 120a and 120b are conductive on a part of the magnetic material member 40 that is sandwiched between the magnetic material members 40 in the first direction on the outside of the magnetic material member 40 when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • a layer 20 is provided.
  • the shape of the pattern 120 of the first magnetoresistive elements 120a and 120b is not limited to the above octagonal shape.
  • the magnetic sensor according to each modification of the first embodiment of the present invention will be described. Since the magnetic sensor according to each modification of the first embodiment of the present invention differs only in the pattern of the first magnetoresistive elements 120a and 120b and the shape of each of the magnetic member 40, the first embodiment of the present invention is used. The description of the configuration similar to that of the magnetic sensor 1 will not be repeated.
  • FIG. 6 is a plan view showing each pattern of the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element of the magnetic sensor according to the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • the first magnetoresistive elements 120a and 120b have an octagonal shape when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • Each of the four third side portions 123 has an angle ⁇ formed by the connected first side portion 121 at 124 °.
  • the magnetic member 40 has an octagonal shape along the inner peripheral edge of the pattern 120x of the first magnetoresistive elements 120a and 120b when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • FIG. 7 is a plan view showing each pattern of the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element of the magnetic sensor according to the second modification of the first embodiment of the present invention.
  • the first magnetoresistive elements 120a and 120b have an octagonal shape when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • Each of the four third side portions 123 has an angle ⁇ formed by the connected first side portion 121 at 109 °.
  • the magnetic member 40 has an octagonal shape along the inner peripheral edge of the pattern 120y of the first magnetoresistive elements 120a and 120b when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • FIG. 8 is a plan view showing each pattern of the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element of the magnetic sensor according to the third modification of the first embodiment of the present invention.
  • the first magnetoresistive elements 120a and 120b have a quadrangular shape when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • Each of the pair of second side portions 122 has an angle ⁇ formed by the connected first side portion 121 at 90 °.
  • the magnetic member 40 has a quadrangular shape along the inner peripheral edge of the pattern 120z of the first magnetoresistive elements 120a and 120b when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the magnetic field in the Y direction applied to each magnetic sensor and the magnetic field in the X direction in which each magnetic sensor switches from OFF to ON in an experimental example.
  • the vertical axis shows the magnetic field (mT) in the X direction in which each magnetic sensor switches from OFF to ON
  • the horizontal axis shows the magnetic field in the Y direction (mT) applied to each magnetic sensor.
  • Magnetic sensor 1 according to the present embodiment, magnetic sensor according to the first modification of the present embodiment, magnetic sensor according to the second modification of the present embodiment, and magnetism according to the third modification of the present embodiment.
  • the decrease in the detection sensitivity of the magnetic sensor with respect to the magnetic field in the X direction due to the magnetic field in the Y direction applied to the magnetic sensor was suppressed as compared with the magnetic sensor according to the comparative example.
  • the magnetic field in the X direction in which the magnetic sensor switches from OFF to ON decreases. That is, it was observed that the sensitivity of the magnetic sensor to the magnetic field in the Y direction tended to increase.
  • the magnetic field in the Y direction was 4.5 mT or more
  • the magnetic field in the X direction in which the magnetic sensor was switched from OFF to ON was 0 mT, and the magnetic field was turned on by the magnetic field in the Y direction.
  • the magnetic field in the X direction in which the magnetic sensor switches from OFF to ON is maintained substantially constant until the magnetic field in the Y direction is 4.7 mT. It had been.
  • the magnetic field in the Y direction was 7 mT or more
  • the magnetic field in the X direction in which the magnetic sensor was switched from OFF to ON was 0 mT, and the magnetic field was turned on by the magnetic field in the Y direction.
  • the magnetic field in the X direction switches from OFF to ON as the magnetic field in the Y direction applied to the magnetic sensor increases. Slightly increased, that is, the detection sensitivity of the magnetic sensor to the magnetic field in the X direction was slightly reduced.
  • the magnetic field in the X direction switches from OFF to ON as the magnetic field in the Y direction applied to the magnetic sensor increases. That is, the detection sensitivity of the magnetic sensor to the magnetic field in the X direction gradually decreases.
  • the fluctuation tendency of the detection sensitivity of the magnetic sensor with respect to the magnetic field in the Y direction can be adjusted by changing the angle ⁇ within the range of more than 90 ° and 135 ° or less. That is, by changing the angle ⁇ within a range of more than 90 ° and 135 ° or less, it is possible to expand the range of the magnetic sensor in the magnetic sensing direction.
  • the first magnetoresistive elements 120a and 120b have the magnetic material member 40 first on the outside of the magnetic material member 40 when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the conductive layer 20 is provided on a part sandwiched between the two in the direction. As a result, it is possible to suppress a decrease in the detection sensitivity of the magnetic field in the second direction of the magnetic sensor 1 due to the influence of the magnetic field in the first direction.
  • the first magnetoresistive elements 120a and 120b extend along the second direction orthogonal to the first direction when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • a pair of first side portions 121 that are spaced apart from each other in the first direction, and a pair of second sides that extend along the first direction and are spaced apart from each other in the second direction. It has a polygonal shape including the portion 122.
  • the polygonal shape is an octagonal shape.
  • the first magnetoresistive elements 120a and 120b further include four third side portions 123 connecting a pair of first side portions 121 and a pair of second side portions 122 to each other, and four third sides.
  • Each of the units 123 has an angle ⁇ formed by the connected first side portion 121 of more than 90 ° and 135 ° or less. This makes it possible to adjust the fluctuation tendency of the detection sensitivity of the magnetic sensor with respect to the magnetic field in the Y direction and widen the range of the magnetic sensor in the magnetic sensing direction.
  • the polygonal shape may be a quadrangular shape. Also in this case, it is possible to suppress a decrease in the detection sensitivity of the magnetic field in the second direction of the magnetic sensor 1 due to the influence of the magnetic field in the first direction.
  • the magnetic sensor according to the second embodiment of the present invention is the same as the magnetic sensor 1 according to the first embodiment of the present invention because only the pattern of the first magnetoresistive element and the shape of each magnetic member are different. The description of the configuration will not be repeated.
  • FIG. 10 is a plan view showing each pattern of the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element of the magnetic sensor according to the second embodiment of the present invention.
  • the first magnetoresistive elements 220a and 220b have a circular shape when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the first magnetoresistive elements 220a and 220b are a pair of first pieces that are a part of sandwiching the magnetic material member 40 between them in the first direction on the outside of the magnetic material member 40 when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30. It includes one arc portion 221 and a pair of second arc portions 222 connecting a pair of first arc portions 221 to each other.
  • a conductive layer 20 is provided on each magnetic material layer 10 of the pair of first arc portions 221.
  • the conductive layer 20 is not provided on each of the magnetic material layers 10 of the pair of second arc portions 222. Therefore, each of the pair of first arc portions 221 does not function as a magnetoresistive element, and each of the pair of second arc portions 222 functions as a magnetoresistive element.
  • the magnetic member 40 has a circular shape along the inner peripheral edge of the pattern 220 of the first magnetoresistive elements 220a and 220b when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the first magnetoresistive elements 220a and 220b have the magnetic material member 40 in the first direction outside the magnetic material member 40 when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the conductive layer 20 is provided on a part sandwiched between the two. As a result, it is possible to suppress a decrease in the detection sensitivity of the magnetic field in the second direction of the magnetic sensor due to the influence of the magnetic field in the first direction. Further, since the pair of second arc portions 222 functioning as the magnetoresistive element has an arc shape, it is possible to widen the range of the magnetic sensor in the magnetic sensing direction.
  • the magnetic sensor according to the third embodiment of the present invention is the same as the magnetic sensor 1 according to the first embodiment of the present invention because only the pattern of the first magnetoresistive element and the shape of each magnetic member are different. The description of the configuration will not be repeated.
  • FIG. 11 is a plan view showing each pattern of the first magnetoresistive element and the second magnetoresistive element of the magnetic sensor according to the third embodiment of the present invention.
  • the first magnetoresistive elements 320a and 320b have an elliptical shape when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30. ..
  • the long axis of the pattern 320 of the first magnetoresistive elements 320a and 320b extends in the Y direction.
  • the first magnetoresistive elements 320a and 320b are a pair of first pieces that are a part of sandwiching the magnetic material member 40 between them in the first direction on the outside of the magnetic material member 40 when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30. It includes one elliptical arc portion 321 and a pair of second elliptical arc portions 322 connecting a pair of first elliptical arc portions 321 to each other.
  • a conductive layer 20 is provided on each magnetic material layer 10 of the pair of first elliptical arc portions 321.
  • the conductive layer 20 is not provided on each of the magnetic material layers 10 of the pair of second elliptical arc portions 322. Therefore, each of the pair of first elliptical arc portions 321 does not function as a magnetoresistive element, and each of the pair of second elliptical arc portions 322 functions as a magnetoresistive element.
  • the magnetic member 40 has an elliptical shape along the inner peripheral edge of the pattern 320 of the first magnetoresistive elements 320a and 320b when viewed from a direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the first magnetoresistive elements 320a and 320b place the magnetic member 40 in the first direction outside the magnetic member 40 when viewed from the direction orthogonal to the insulating layer 30.
  • the conductive layer 20 is provided on a part sandwiched between the two. As a result, it is possible to suppress a decrease in the detection sensitivity of the magnetic field in the second direction of the magnetic sensor due to the influence of the magnetic field in the first direction. Further, since the pair of second elliptical arc portions 322 that function as magnetoresistive elements have an elliptical arc shape, it is possible to widen the range of the magnetic sensor in the magnetic sensing direction.
  • Magnetic sensor 10 Magnetic layer, 20 Conductive layer, 30 Insulation layer, 40 Magnetic member, 100 Circuit board, 110 Semiconductor board, 120, 120x, 120y, 120z, 130, 220, 320 pattern, 120a, 120b, 220a , 220b, 320a, 320b 1st magnetoresistive element, 121 1st side, 122 2nd side, 123 3rd side, 130a, 130b 2nd magnetoresistive element, 131 arc pattern, 132, 133 semi-arc Pattern, 134 linear extension, 140, 141 midpoint, 145, 146, 148, 149, 150, 152 wiring, 160 differential amplifier, 161 temperature compensation circuit, 162 switch circuit, 163 driver, 221 first arc , 222 2nd arc part, 321 1st elliptical arc part, 322 2nd elliptical arc part, C 1 virtual circle, C 11 virtual C-shaped.

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Abstract

第１磁気抵抗素子(１２０ａ，１２０ｂ)は、外周縁および内周縁を有する。磁性体部材(４０)は、絶縁層(３０)に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子(１２０ａ，１２０ｂ)の外周縁より内側の領域に位置している。第２磁気抵抗素子(１３０ａ，１３０ｂ)は、絶縁層(３０)に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子(１２０ａ，１２０ｂ)の内周縁より内側の領域に位置して磁性体部材(４０)で覆われている。第１磁気抵抗素子(１２０ａ，１２０ｂ)は、絶縁層(３０)に直交する方向から見て、磁性体部材(４０)の外側において磁性体部材(４０)を第１方向において互いの間に挟む一部上に、導電層(２０)が設けられている。

Description

磁気センサ
　本発明は、磁気センサに関する。
　磁気センサの構成を開示した先行文献として、特開平７－２９７４６３号公報(特許文献１)がある。特許文献１に記載された磁気センサは、基板上に形成された強磁性体薄膜からなる磁気抵抗体を備え、磁気抵抗体に外部から磁界が与えられると電圧を出力する。強磁性体薄膜は、この薄膜が形成された領域で同一の膜構成を有している。磁気センサにおいては、磁気抵抗体を少なくとも４つ備え、少なくとも４つの接続点でブリッジ状に接続され、対向する各接続点より出力を取り出す磁気抵抗素子部が構成されている。
特開平７－２９７４６３号公報
　特許文献１に記載された磁気センサは、磁界を検出可能な感磁方向が決まっており、感磁方向と直交する非感磁方向の磁界を検出することはできない。磁気センサが備える４つの磁気抵抗体には、感磁方向の磁界が作用すると抵抗値が変化する２つの感磁抵抗体と、感磁方向の磁界が作用しても抵抗値がほとんど変化しない２つの固定抵抗体とが含まれる。
　特許文献１に記載された磁気センサに非感磁方向である第１方向の磁界が作用した状態においては、固定抵抗体の抵抗値が変化して、第１方向と直交する感磁方向である第２方向の磁界に対する磁気センサの検出感度が低下する。
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、第１方向の磁界の影響による第２方向の磁界の検出感度の低下を抑制することができる、磁気センサを提供することを目的とする。
　本発明に基づく磁気センサは、第１磁気抵抗素子と、第２磁気抵抗素子と、絶縁層と、磁性体部材とを備える。第２磁気抵抗素子は、第１磁気抵抗素子と電気的に接続されてブリッジ回路を構成する。絶縁層は、第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子を覆う。磁性体部材は、絶縁層の上方に位置する。第１磁気抵抗素子は、外周縁および内周縁を有する。磁性体部材は、絶縁層に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子の外周縁より内側の領域に位置している。第２磁気抵抗素子は、絶縁層に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子の内周縁より内側の領域に位置して磁性体部材で覆われている。第１磁気抵抗素子は、絶縁層に直交する方向から見て、磁性体部材の外側において磁性体部材を第１方向において互いの間に挟む一部上に、導電層が設けられている。
　本発明によれば、第１方向の磁界の影響による磁気センサの第２方向の磁界の検出感度の低下を抑制することができる。
本発明の実施の形態１に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。 図１の磁気センサを矢印ＩＩ方向から見た平面図である。 本発明の実施の形態１に係る磁気センサの等価回路図である。 本発明の実施の形態１に係る磁気センサの回路基板の積層構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態１に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。 本発明の実施の形態１の第１変形例に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。 本発明の実施の形態１の第２変形例に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。 本発明の実施の形態１の第３変形例に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。 実験例において、各磁気センサに印加されたＹ方向の磁界と、各磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界との関係を示すグラフである。 本発明の実施の形態２に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。 本発明の実施の形態３に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。
　以下、本発明の各実施の形態に係る磁気センサについて図を参照して説明する。以下の実施の形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
　(実施の形態１)
　図１は、本発明の実施の形態１に係る磁気センサの構成を示す斜視図である。図２は、図１の磁気センサを矢印ＩＩ方向から見た平面図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る磁気センサの等価回路図である。図２においては、後述する第１磁性体部材の外縁を点線で記載している。図１および図２においては、後述する回路基板１００の幅方向をＸ方向、回路基板１００の長さ方向をＹ方向、回路基板１００の厚さ方向をＺ方向として示している。なお、図２においては、後述する差動増幅器および温度補償回路などは図示していない。
　図１，２に示すように、本発明の実施の形態１に係る磁気センサ１は、回路基板１００と、回路基板１００上に設けられた２つの磁性体部材４０とを備える。
　図２，３に示すように、本発明の実施の形態１に係る磁気センサ１の回路基板１００には、互いに配線によって電気的に接続されてホイートストンブリッジ型のブリッジ回路を構成する４つの磁気抵抗素子が設けられている。４つの磁気抵抗素子は、２組の第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子からなる。具体的には、磁気センサ１は、第１磁気抵抗素子１２０ａおよび第２磁気抵抗素子１３０ａと、第１磁気抵抗素子１２０ｂおよび第２磁気抵抗素子１３０ｂとを含んでいる。
　本発明の実施の形態１においては、磁気センサ１は、２組の第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子を含んでいるが、これに限られず、少なくとも１組の第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子を含んでいればよい。磁気センサ１が、１組の第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子のみを含む場合には、回路基板１００にはハーフブリッジ回路が構成されている。
　第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々は、ＡＭＲ(Anisotropic　Magneto　Resistance)素子である。なお、第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々は、ＡＭＲ素子に代えて、ＧＭＲ(Giant　Magneto　Resistance)素子、ＴＭＲ(Tunnel　Magneto　Resistance)素子、ＢＭＲ(Ballistic　Magneto　Resistance)素子、ＣＭＲ(Colossal　Magneto　Resistance)素子などの磁気抵抗素子であってもよい。
　第２磁気抵抗素子１３０ａは、後述するように、磁性体部材４０によって磁気シールドされて垂直磁界および水平磁界をほとんど検出しない、いわゆる固定抵抗となる。第１磁気抵抗素子１２０ａは、外部磁界が印加されることによって電気抵抗値が変化するいわゆる感磁抵抗である。
　同様に、第２磁気抵抗素子１３０ｂは、後述するように、磁性体部材４０によって磁気シールドされて垂直磁界および水平磁界をほとんど検出しない、いわゆる固定抵抗となる。第１磁気抵抗素子１２０ｂは、外部磁界が印加されることによって電気抵抗値が変化するいわゆる感磁抵抗である。
　４つの磁気抵抗素子は、半導体基板１１０上に形成された配線によって互いに電気的に接続されている。具体的には、第１磁気抵抗素子１２０ａと第２磁気抵抗素子１３０ａとが配線１４６によって直列に接続されている。第１磁気抵抗素子１２０ｂと第２磁気抵抗素子１３０ｂとが配線１５０によって直列に接続されている。
　回路基板１００の半導体基板１１０上には、中点１４０、中点１４１、電源端子(Ｖｃｃ)１４２、接地端子(Ｇｎｄ)１４３および出力端子(Ｏｕｔ)１４４がさらに設けられている。
　第１磁気抵抗素子１２０ａおよび第２磁気抵抗素子１３０ｂの各々は、中点１４０に接続されている。具体的には、第１磁気抵抗素子１２０ａと中点１４０とが配線１４５によって接続され、第２磁気抵抗素子１３０ｂと中点１４０とが配線１５２によって接続されている。
　第１磁気抵抗素子１２０ｂおよび第２磁気抵抗素子１３０ａの各々は、中点１４１に接続されている。具体的には、第１磁気抵抗素子１２０ｂと中点１４１とが配線１４９によって接続され、第２磁気抵抗素子１３０ａと中点１４１とが配線１４８によって接続されている。
　配線１４６は、電流が入力される電源端子(Ｖｃｃ)１４２に接続されている。配線１５０は、接地端子(Ｇｎｄ)１４３に接続されている。
　図３に示すように、磁気センサ１は、差動増幅器１６０、温度補償回路１６１、ラッチおよびスイッチ回路１６２、並びに、ＣＭＯＳ(Complementary　Metal　Oxide　Semiconductor)ドライバ１６３をさらに備える。
　差動増幅器１６０は、入力端が中点１４０および中点１４１の各々に接続され、出力端が温度補償回路１６１に接続されている。また、差動増幅器１６０は、電源端子(Ｖｃｃ)１４２および接地端子(Ｇｎｄ)１４３の各々に接続されている。
　温度補償回路１６１は、出力端がラッチおよびスイッチ回路１６２に接続されている。また、温度補償回路１６１は、電源端子(Ｖｃｃ)１４２および接地端子(Ｇｎｄ)１４３の各々に接続されている。
　ラッチおよびスイッチ回路１６２は、出力端がＣＭＯＳドライバ１６３に接続されている。また、ラッチおよびスイッチ回路１６２は、電源端子(Ｖｃｃ)１４２および接地端子(Ｇｎｄ)１４３の各々に接続されている。
　ＣＭＯＳドライバ１６３は、出力端が出力端子(Ｏｕｔ)１４４に接続されている。また、ＣＭＯＳドライバ１６３は、電源端子(Ｖｃｃ)１４２および接地端子(Ｇｎｄ)１４３の各々に接続されている。
　磁気センサ１が上記の回路構成を有することにより、中点１４０と中点１４１との間に、外部磁界の強さに依存する電位差が発生する。この電位差が閾値を超えると、出力端子(Ｏｕｔ)１４４から信号が出力される。
　図４は、本発明の実施の形態１に係る磁気センサの回路基板の積層構造を示す断面図である。図４においては、磁気抵抗素子として機能する領域Ｒと、磁気抵抗素子として機能しない領域Ｌとの境界部の周辺を図示している。
　図４に示すように、回路基板１００においては、半導体基板１１０上に、磁性体層１０、導電層２０および絶縁層３０が積層されている。半導体基板１１０は、Ｓｉなどから構成されており、半導体基板１１０の表面にＳｉＯ2層またはＳｉ3Ｎ4層などが設けられている。磁性体層１０は、ＮｉとＦｅとを含む合金からなる。磁性体層１０の厚さは、たとえば、０．０４μｍである。導電層２０は、ＡｕまたはＡｌなどからなる。導電層２０の直上には、図示しないＴｉ層が設けられている。絶縁層３０は、ＳｉＯ2などからなる。
　第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂおよび第２磁気抵抗素子１３０ａ，１３０ｂの各々は、磁性体層１０がイオンミリング法によりパターニングされることにより形成されている。第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂおよび第２磁気抵抗素子１３０ａ，１３０ｂの各々は、絶縁層３０によって覆われている。
　配線１４５，１４６，１４８，１４９，１５０，１５２は、半導体基板１１０上に設けられた導電層２０が、ウエットエッチングによりパターニングされることにより形成されている。配線１４５，１４６，１４８，１４９，１５０，１５２においては、導電層２０が磁性体層１０の真上に位置している。
　中点１４０、中点１４１、電源端子(Ｖｃｃ)１４２、接地端子(Ｇｎｄ)１４３および出力端子(Ｏｕｔ)１４４の各々は、半導体基板１１０の直上に位置する導電層２０によって構成されている。すなわち、中点１４０、中点１４１、電源端子(Ｖｃｃ)１４２、接地端子(Ｇｎｄ)１４３および出力端子(Ｏｕｔ)１４４の各々は、半導体基板１１０上に設けられたパッドである。
　図５は、本発明の実施の形態１に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。図２，５に示すように、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂのパターン１２０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、仮想円Ｃ1の円周において配線１４６，１４８，１５０，１５２が位置する部分が開放した仮想Ｃ字形状Ｃ11に沿って配置されている。なお、絶縁層３０に直交する方向はＺ方向であり、半導体基板１１０の上面に直交する方向と平行である。
　第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、外周縁および内周縁を有する。図５に示すように、本発明の実施の形態１においては、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１方向であるＹ方向と直交する第２方向であるＸ方向に沿って延在しつつＹ方向において互いに間隔をあけて位置する１対の第１辺部１２１と、Ｙ方向に沿って延在しつつＸ方向において互いに間隔をあけて位置する１対の第２辺部１２２とを含む、多角形形状を有している。
　本発明の実施の形態１においては、上記多角形形状は、八角形形状である。第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、１対の第１辺部１２１と対応する１対の第２辺部１２２とを互いに接続する４つの第３辺部１２３をさらに含む。４つの第３辺部１２３の各々は、接続されている第１辺部１２１とのなす角αが、１３５°である。
　１対の第１辺部１２１の各々の磁性体層１０上には、導電層２０が設けられている。１対の第２辺部１２２および４つの第３辺部１２３の各々の磁性体層１０上には、導電層２０は設けられていない。よって、１対の第１辺部１２１の各々は、磁気抵抗素子として機能せず、１対の第２辺部１２２および４つの第３辺部１２３の各々は、磁気抵抗素子として機能する。
　第１磁気抵抗素子１２０ａの１対の第１辺部１２１のうちのＹ方向の他方側に位置する第１辺部１２１において、Ｘ方向の他方側に位置する部分は導電層２０が形成された配線１４５と接続されており、Ｘ方向の一方側に位置する部分は導電層２０が形成された配線１４６と接続されている。第１磁気抵抗素子１２０ｂの１対の第１辺部１２１のうちのＹ方向の他方側に位置する第１辺部１２１における、Ｘ方向の他方側に位置する部分は導電層２０が形成された配線１４９と接続されており、Ｘ方向の一方側に位置する部分は導電層２０が形成された配線１５０と接続されている。
　第２磁気抵抗素子１３０ａは、絶縁層３０に直交する方向から見て、仮想円Ｃ1の中心側に位置し、第１磁気抵抗素子１２０ａに囲まれており、第２磁気抵抗素子１３０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、仮想円Ｃ1の中心側に位置し、第１磁気抵抗素子１２０ｂに囲まれている。すなわち、第２磁気抵抗素子１３０ａは、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａの内周縁より内側に位置しており、第２磁気抵抗素子１３０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ｂの内周縁より内側に位置している。
　第２磁気抵抗素子１３０ａ，１３０ｂは、仮想円Ｃ1の円周に沿って仮想円Ｃ1の径方向に並ぶように線対称に配置された２個の円弧状パターン１３１を含むパターン１３０を有している。２個の円弧状パターン１３１は、一端を半円弧状パターン１３２によって互いに接続されており、他端を半円弧状パターン１３３によって互いに接続されている。第２磁気抵抗素子１３０ａにおいて、仮想円Ｃ1の中心から最も外側に位置している円弧状パターン１３１は、長さが１０μｍより短い直線状延在部１３４を介して、配線１４６，１４８と接続されている。第２磁気抵抗素子１３０ｂにおいて、仮想円Ｃ1の中心から最も外側に位置している円弧状パターン１３１は、長さが１０μｍより短い直線状延在部１３４を介して、配線１５０，１５２と接続されている。
　本発明の実施の形態１に係る磁気センサ１においては、絶縁層３０の上方に２つの磁性体部材４０が設けられており、２つの磁性体部材４０はＹ軸方向に並んで配置されている。磁性体部材４０の厚さは、たとえば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上１５０μｍ以下である。磁性体部材４０の厚さが１０μｍ以上の場合、磁性体部材４０によって略水平方向に偏向された垂直磁界を、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂにて検出できる。磁性体部材４０の厚さが２０μｍ以上の場合、磁性体部材４０によって垂直磁界を略水平方向により効果的に偏向できるため、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂにて、より微弱な垂直磁界を検出できる。磁性体部材４０の厚さが１５０μｍ以下の場合、磁性体部材４０の形成時間が長くなることを抑制して、磁気センサ１の量産性を維持できる。
　図５に示すように、磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、八角形の外形を有し、かつ、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの外周縁より内側の領域に位置している。なお、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの外周縁より内側の領域とは、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの外周縁の両端を仮想直線で結んだ際に囲まれる領域である。絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの外周縁より内側の領域と、磁性体部材４０の半分以上が重なっていることが好ましく、磁性体部材４０の２/３以上が重なっていることがより好ましい。
　本発明の実施の形態１においては、磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの内周縁より内側の領域に位置している。なお、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの内周縁より内側の領域とは、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの内周縁の両端を仮想直線で結んだ際に囲まれる領域である。磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの内周縁上および内周縁より内側の領域を含む領域に位置していてもよい。絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの内周縁より内側の領域と、磁性体部材４０の半分以上が重なっていることが好ましく、磁性体部材４０の２/３以上が重なっていることがより好ましい。
　本発明の実施の形態１においては、磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの外周縁と同心状に位置している。
　本発明の実施の形態１においては、磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂおよび第２磁気抵抗素子１３０ａ，１３０ｂのうちの第２磁気抵抗素子１３０ａ，１３０ｂのみを覆っている。よって、絶縁層３０に直交する方向から見て、磁性体部材４０は、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂに囲まれている。第２磁気抵抗素子１３０ａ，１３０ｂは、磁性体部材４０により磁気シールドされて、垂直磁界および水平磁界をほとんど検出しない。
　磁性体部材４０は、電磁鋼、軟鉄鋼、ケイ素鋼、パーマロイ、スーパーマロイ、ニッケル合金、鉄合金またはフェライトなどの、透磁率および飽和磁束密度の高い磁性体材料で構成されている。また、これらの磁性体材料は、保磁力が低いことが好ましい。
　磁性体部材４０を構成する磁性体材料として、透磁率が、高温で大きくなり、低温で小さくなる、たとえば、Ｆｅ－７８Ｎｉ合金などを用いた場合、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの抵抗変化率の温度依存性を低減することができる。
　磁性体部材４０は、たとえば、めっきにより形成される。なお、絶縁層３０と磁性体部材４０との間に、他の薄層が設けられていてもよい。たとえば絶縁層３０と磁性体部材４０との間に、Ｔｉを含む密着層、および、Ａｕを含む電極反応層の少なくとも一方が形成されていてもよい。第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの内周縁と磁性体部材４０の外周縁との間隔は、磁性体部材４０をめっきで形成する際に形成位置がばらついた場合にも、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂと磁性体部材４０とが重ならない程度に確保されている。
　上記のように、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂの１対の第１辺部１２１の各々の磁性体層１０上には、導電層２０が設けられている。１対の第１辺部１２１は、絶縁層３０に直交する方向から見て、磁性体部材４０の外側において磁性体部材４０をＹ方向において互いの間に挟んでいる。すなわち、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、磁性体部材４０の外側において磁性体部材４０を第１方向において互いの間に挟む一部上に、導電層２０が設けられている。
　なお、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂのパターン１２０の形状は、上記の八角形形状に限られない。ここで、本発明の実施の形態１の各変形例に係る磁気センサについて説明する。なお、本発明の実施の形態１の各変形例に係る磁気センサは、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂのパターンおよび磁性体部材４０の各々の形状のみ異なるため、本発明の実施の形態１に係る磁気センサ１と同様である構成については説明を繰り返さない。
　図６は、本発明の実施の形態１の第１変形例に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。図６に示すように、本発明の実施の形態１の第１変形例に係る磁気センサにおいては、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、八角形形状を有しており、４つの第３辺部１２３の各々は、接続されている第１辺部１２１とのなす角αが、１２４°である。磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂのパターン１２０ｘの内周縁に沿う八角形形状を有している。
　図７は、本発明の実施の形態１の第２変形例に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。図７に示すように、本発明の実施の形態１の第２変形例に係る磁気センサにおいては、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、八角形形状を有しており、４つの第３辺部１２３の各々は、接続されている第１辺部１２１とのなす角αが、１０９°である。磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂのパターン１２０ｙの内周縁に沿う八角形形状を有している。
　図８は、本発明の実施の形態１の第３変形例に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。図８に示すように、本発明の実施の形態１の第３変形例に係る磁気センサにおいては、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、四角形形状を有しており、１対の第２辺部１２２の各々は、接続されている第１辺部１２１とのなす角αが、９０°である。磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂのパターン１２０ｚの内周縁に沿う四角形形状を有している。
　ここで、非感磁方向であるＹ方向の磁界が、感磁方向であるＸ方向の磁界を検出する磁気センサの感度に与える影響についてシミュレーションにより検証した実験例について説明する。実験例においては、比較例として、特許文献１に記載のようにミアンダ状の４つの磁気抵抗素子を有する磁気センサと、α＝１３５°である本実施の形態に係る磁気センサ１と、α＝１２４°である本実施の形態の第１変形例に係る磁気センサと、α＝１０９°である本実施の形態の第２変形例に係る磁気センサと、α＝９０°である本実施の形態の第３変形例に係る磁気センサとの、５種類の磁気センサについてシミュレーション解析を行なった。
　図９は、実験例において、各磁気センサに印加されたＹ方向の磁界と、各磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界との関係を示すグラフである。図９においては、縦軸に、各磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界(ｍＴ)、横軸に、各磁気センサに印加されたＹ方向の磁界(ｍＴ)を示している。
　図９に示すように、比較例に係る磁気センサにおいては、磁気センサに印加されるＹ方向の磁界が大きくなるにしたがって、磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界が急激に大きくなり、すなわち、Ｘ方向の磁界に対する磁気センサの検出感度が急激に低下していた。
　本実施の形態に係る磁気センサ１、本実施の形態の第１変形例に係る磁気センサ、本実施の形態の第２変形例に係る磁気センサおよび本実施の形態の第３変形例に係る磁気センサの各々においては、比較例に係る磁気センサよりも、磁気センサに印加されるＹ方向の磁界による、Ｘ方向の磁界に対する磁気センサの検出感度の低下が抑制されていた。
　α＝１３５°である本実施の形態に係る磁気センサ１においては、磁気センサに印加されるＹ方向の磁界が大きくなるにしたがって、磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界が小さくなり、すなわち、Ｙ方向の磁界に対する磁気センサの感度が高くなる傾向が認められた。Ｙ方向の磁界が４．５ｍＴ以上では、磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界が０ｍＴとなり、Ｙ方向の磁界によって磁気センサがＯＮになっていた。
　α＝１２４°である本実施の形態の第１変形例に係る磁気センサにおいては、Ｙ方向の磁界が４．７ｍＴまでは、磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界が略一定に維持されていた。Ｙ方向の磁界が７ｍＴ以上では、磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界が０ｍＴとなり、Ｙ方向の磁界によって磁気センサがＯＮになっていた。
　α＝１０９°である本実施の形態の第２変形例に係る磁気センサにおいては、磁気センサに印加されるＹ方向の磁界が大きくなるにしたがって、磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界がわずかに大きくなり、すなわち、Ｘ方向の磁界に対する磁気センサの検出感度がわずかに低下していた。
　α＝９０°である本実施の形態の第３変形例に係る磁気センサにおいては、磁気センサに印加されるＹ方向の磁界が大きくなるにしたがって、磁気センサがＯＦＦからＯＮに切り替わるＸ方向の磁界が緩やかに大きくなり、すなわち、Ｘ方向の磁界に対する磁気センサの検出感度が緩やかに低下していた。
　上記の実験結果から、角度αを９０°より大きく１３５°以下の範囲内で変更することにより、Ｙ方向の磁界に対する磁気センサの検出感度の変動傾向を調整することができることが確認できた。すなわち、角度αを９０°より大きく１３５°以下の範囲内で変更することにより、磁気センサの感磁方向の範囲を広げることが可能となる。
　本発明の実施の形態１に係る磁気センサ１においては、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、磁性体部材４０の外側において磁性体部材４０を第１方向において互いの間に挟む一部上に、導電層２０が設けられている。これにより、第１方向の磁界の影響による磁気センサ１の第２方向の磁界の検出感度の低下を抑制することができる。
　本発明の実施の形態１に係る磁気センサ１においては、第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１方向と直交する第２方向に沿って延在しつつ第１方向において互いに間隔をあけて位置する１対の第１辺部１２１と、第１方向に沿って延在しつつ第２方向において互いに間隔をあけて位置する１対の第２辺部１２２とを含む、多角形形状を有している。１対の第１辺部１２１の各々の上に導電層２０が設けられていることにより、１対の第１辺部１２１の各々を磁気抵抗素子として機能しないようにして、第１方向の磁界の影響による磁気センサ１の第２方向の磁界の検出感度の低下を抑制することができる。
　本発明の実施の形態１に係る磁気センサにおいては、上記多角形形状は、八角形形状である。第１磁気抵抗素子１２０ａ，１２０ｂは、１対の第１辺部１２１と対応する１対の第２辺部１２２とを互いに接続する４つの第３辺部１２３をさらに含み、４つの第３辺部の各々１２３は、接続されている第１辺部１２１とのなす角αが、９０°より大きく１３５°以下である。これにより、Ｙ方向の磁界に対する磁気センサの検出感度の変動傾向を調整して、磁気センサの感磁方向の範囲を広げることが可能となる。
　本発明の実施の形態１に係る磁気センサにおいては、上記多角形形状は、四角形形状であってもよい。この場合も、第１方向の磁界の影響による磁気センサ１の第２方向の磁界の検出感度の低下を抑制することができる。
　(実施の形態２)
　以下、本発明の実施の形態２に係る磁気センサについて図を参照して説明する。なお、本発明の実施の形態２に係る磁気センサは、第１磁気抵抗素子のパターンおよび磁性体部材の各々の形状のみ異なるため、本発明の実施の形態１に係る磁気センサ１と同様である構成については説明を繰り返さない。
　図１０は、本発明の実施の形態２に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。図１０に示すように、本発明の実施の形態２に係る磁気センサにおいては、第１磁気抵抗素子２２０ａ，２２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、円形形状を有している。
　第１磁気抵抗素子２２０ａ，２２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、磁性体部材４０の外側において磁性体部材４０を第１方向において互いの間に挟む一部である１対の第１円弧部２２１と、１対の第１円弧部２２１を互いに接続する１対の第２円弧部２２２とを含む。
　１対の第１円弧部２２１の各々の磁性体層１０上には、導電層２０が設けられている。１対の第２円弧部２２２の各々の磁性体層１０上には、導電層２０は設けられていない。よって、１対の第１円弧部２２１の各々は、磁気抵抗素子として機能せず、１対の第２円弧部２２２の各々は、磁気抵抗素子として機能する。
　磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子２２０ａ，２２０ｂのパターン２２０の内周縁に沿う円形形状を有している。
　本発明の実施の形態２に係る磁気センサにおいても、第１磁気抵抗素子２２０ａ，２２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、磁性体部材４０の外側において磁性体部材４０を第１方向において互いの間に挟む一部上に、導電層２０が設けられている。これにより、第１方向の磁界の影響による磁気センサの第２方向の磁界の検出感度の低下を抑制することができる。また、磁気抵抗素子として機能する１対の第２円弧部２２２が円弧状であるため、磁気センサの感磁方向の範囲を広げることが可能である。
　(実施の形態３)
　以下、本発明の実施の形態３に係る磁気センサについて図を参照して説明する。なお、本発明の実施の形態３に係る磁気センサは、第１磁気抵抗素子のパターンおよび磁性体部材の各々の形状のみ異なるため、本発明の実施の形態１に係る磁気センサ１と同様である構成については説明を繰り返さない。
　図１１は、本発明の実施の形態３に係る磁気センサの第１磁気抵抗素子および第２磁気抵抗素子の各々のパターンを示す平面図である。図１１に示すように、本発明の実施の形態３に係る磁気センサにおいては、第１磁気抵抗素子３２０ａ，３２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、楕円形形状を有している。第１磁気抵抗素子３２０ａ，３２０ｂのパターン３２０の長軸は、Ｙ方向に延びている。
　第１磁気抵抗素子３２０ａ，３２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、磁性体部材４０の外側において磁性体部材４０を第１方向において互いの間に挟む一部である１対の第１楕円弧部３２１と、１対の第１楕円弧部３２１を互いに接続する１対の第２楕円弧部３２２とを含む。
　１対の第１楕円弧部３２１の各々の磁性体層１０上には、導電層２０が設けられている。１対の第２楕円弧部３２２の各々の磁性体層１０上には、導電層２０は設けられていない。よって、１対の第１楕円弧部３２１の各々は、磁気抵抗素子として機能せず、１対の第２楕円弧部３２２の各々は、磁気抵抗素子として機能する。
　磁性体部材４０は、絶縁層３０に直交する方向から見て、第１磁気抵抗素子３２０ａ，３２０ｂのパターン３２０の内周縁に沿う楕円形形状を有している。
　本発明の実施の形態３に係る磁気センサにおいても、第１磁気抵抗素子３２０ａ，３２０ｂは、絶縁層３０に直交する方向から見て、磁性体部材４０の外側において磁性体部材４０を第１方向において互いの間に挟む一部上に、導電層２０が設けられている。これにより、第１方向の磁界の影響による磁気センサの第２方向の磁界の検出感度の低下を抑制することができる。また、磁気抵抗素子として機能する１対の第２楕円弧部３２２が楕円弧状であるため、磁気センサの感磁方向の範囲を広げることが可能である。
　上述した実施の形態の説明において、組み合わせ可能な構成を相互に組み合わせてもよい。
　今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１　磁気センサ、１０　磁性体層、２０　導電層、３０　絶縁層、４０　磁性体部材、１００　回路基板、１１０　半導体基板、１２０，１２０ｘ，１２０ｙ，１２０ｚ，１３０，２２０，３２０　パターン、１２０ａ，１２０ｂ，２２０ａ，２２０ｂ，３２０ａ，３２０ｂ　第１磁気抵抗素子、１２１　第１辺部、１２２　第２辺部、１２３　第３辺部、１３０ａ，１３０ｂ　第２磁気抵抗素子、１３１　円弧状パターン、１３２，１３３　半円弧状パターン、１３４　直線状延在部、１４０，１４１　中点、１４５，１４６，１４８，１４９，１５０，１５２　配線、１６０　差動増幅器、１６１　温度補償回路、１６２　スイッチ回路、１６３　ドライバ、２２１　第１円弧部、２２２　第２円弧部、３２１　第１楕円弧部、３２２　第２楕円弧部、Ｃ1　仮想円、Ｃ11　仮想Ｃ字形状。

Claims (6)

  1. 　第１磁気抵抗素子と、
    　前記第１磁気抵抗素子と電気的に接続されてブリッジ回路を構成する第２磁気抵抗素子と、
    　前記第１磁気抵抗素子および前記第２磁気抵抗素子を覆う絶縁層と、
    　前記絶縁層の上方に位置する磁性体部材とを備え、
    　前記第１磁気抵抗素子は、外周縁および内周縁を有し、
    　前記磁性体部材は、前記絶縁層に直交する方向から見て、前記第１磁気抵抗素子の前記外周縁より内側の領域に位置しており、
    　前記第２磁気抵抗素子は、前記絶縁層に直交する方向から見て、前記第１磁気抵抗素子の前記内周縁より内側の領域に位置して前記磁性体部材で覆われており、
    　前記第１磁気抵抗素子は、前記絶縁層に直交する方向から見て、前記磁性体部材の外側において前記磁性体部材を第１方向において互いの間に挟む一部上に、導電層が設けられている、磁気センサ。
  2. 　前記第１磁気抵抗素子は、前記絶縁層に直交する方向から見て、前記第１方向と直交する第２方向に沿って延在しつつ前記第１方向において互いに間隔をあけて位置する１対の第１辺部と、前記第１方向に沿って延在しつつ前記第２方向において互いに間隔をあけて位置する１対の第２辺部とを含む、多角形形状を有している、請求項１に記載の磁気センサ。
  3. 　前記多角形形状は、八角形形状であり、
    　前記第１磁気抵抗素子は、前記１対の第１辺部と対応する前記１対の第２辺部とを互いに接続する４つの第３辺部をさらに含み、
    　前記４つの第３辺部の各々は、接続されている第１辺部とのなす角が、９０°より大きく１３５°以下である、請求項２に記載の磁気センサ。
  4. 　前記多角形形状は、四角形形状である、請求項２に記載の磁気センサ。
  5. 　前記第１磁気抵抗素子は、前記絶縁層に直交する方向から見て、円形形状を有している、請求項１に記載の磁気センサ。
  6. 　前記第１磁気抵抗素子は、前記絶縁層に直交する方向から見て、前記第１方向に延びる長軸を有する楕円形形状を有している、請求項１に記載の磁気センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023162584A1 (ja) * 2022-02-24 2023-08-31 株式会社村田製作所 磁気センサ

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090155932A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Jeongdae Suh Method of manufacturing magnetic field detector
JP2009222650A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Ricoh Co Ltd 磁気センサーおよび携帯情報端末装置
JP2015118067A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 アルプス電気株式会社 磁気検知装置
US20180372511A1 (en) * 2017-06-26 2018-12-27 Texas Instruments Incorporated Tilted segmented anisotropic magneto-resistive angular sensor
WO2019111766A1 (ja) * 2017-12-04 2019-06-13 株式会社村田製作所 磁気センサ
JP2019163935A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 Tdk株式会社 磁気センサ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090155932A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Jeongdae Suh Method of manufacturing magnetic field detector
JP2009222650A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Ricoh Co Ltd 磁気センサーおよび携帯情報端末装置
JP2015118067A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 アルプス電気株式会社 磁気検知装置
US20180372511A1 (en) * 2017-06-26 2018-12-27 Texas Instruments Incorporated Tilted segmented anisotropic magneto-resistive angular sensor
WO2019111766A1 (ja) * 2017-12-04 2019-06-13 株式会社村田製作所 磁気センサ
JP2019163935A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 Tdk株式会社 磁気センサ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023162584A1 (ja) * 2022-02-24 2023-08-31 株式会社村田製作所 磁気センサ

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