JPWO2008105228A1 - 磁気センサモジュール及び、ピストン位置検出装置 - Google Patents

磁気センサモジュール及び、ピストン位置検出装置 Download PDF

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Abstract

スイッチング動作を行う集積回路を備えた半導体基板と、この半導体基板の一方の面上に設けられ、かつ該一方の面に沿った方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子と、前記半導体基板に設けられ、かつ前記一方の面に平行な面上に配置されたバイアス磁界印加部材とを、備え、前記バイアス磁界印加部材は、該バイアス磁界印加部材が配置された前記面に沿った方向に着磁されており、外部磁界が印加されていない状態では、該バイアス磁界印加部材は、前記磁気抵抗素子が設けられた前記一方の面に沿った方向にバイアス磁界を印加するものである磁気センサモジュールである。

Description

本発明は、磁気センサモジュールに関し、及び、シリンダチューブ内におけるピストンの位置を検出するピストン位置検出装置に係り、詳しくは油圧シリンダ、エアーシリンダ等の流体圧シリンダ内におけるピストン位置をシリンダチューブの外側から検出するピストン位置検出装置に関する。
本願は、2007年2月26日に出願された特願2007−045295号、及び、2007年7月20日に出願された特願2007−189692号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
磁気センサは、磁束密度の高低を検知するセンサであり、開閉センサや鉄板等磁性体に近接して用いられる近接センサとして使用されている。これまでの磁気センサは、磁電変換素子としてホールセンサを使用したものが多かった。これまでの磁気センサを近接センサとして使用する場合、図13A、図13B、図14のような構成が多かった(例えば特許文献1〜3、非特許文献1〜3参照)。
図13A、図13Bにおける、近接センサとして使用される磁気センサは、以下の構成を有する。即ち、図13Aに示すように、磁束4が、ホール素子(またはスイッチ機能を含んだホールIC)2の長さ方向に対し垂直方向にホール素子2を貫くように、磁石1がホール素子2に対して設置されているものである。磁性体3がこの磁気センサに接近すると、図13Bに示すように磁束4が磁性体3に吸引されるため、ホール素子2に印加される磁束密度が低くなる。そこで、その出力変化を検知することにより、磁性体3の接近を検知することができる。また、スイッチ機能を含んだホールICの場合には、所定の磁束密度を閾値として、この閾値を境界に反転した出力を得ることができる。
また、図14に示す、近接センサとして使用される磁気センサの動作も同様である。この磁気センサでは、磁束8が、ホール素子(またはスイッチ機能を含んだホールIC)6の長さ方向に対し垂直方向にホール素子6を貫くように、磁石5がホール素子6に対し設置されている。この磁気センサでは、磁性体7の接近レベルに対応した出力変化を得ることができる。
しかし、従来のホール素子を用いた磁気センサでは、以下の問題が生じる。
(1)ホール素子2,6と磁石1,5とのペア構造が不可欠のため、複数の部品が必要となり、また、磁気センサのサイズが大きくなる(例えば特許文献2)。特に、図13A、図13Bの構成では、磁石1とホール素子2との間に磁性体3が通過するためのスリットSが必要となる(例えば非特許文献2)。
(2)バイアス磁界を印加するための磁石とホール素子との位置合わせが必要になる(例えばバラツキ防止策として、特許文献3)。
(3)一般的に、磁石特性のバラツキは大きいので、磁石の特性バラツキを見込んだ設計が必要になる(例えばバラツキ防止策として、特許文献3)。
従来の、ピストン位置検出装置の構造を図15に示す(例えば、特許文献4)。磁石101がピストン100に設置されており、磁気センサ103(この磁気センサ103は、磁石を有していない)が、非磁性材料からなるシリンダチューブ102の外側に設置されている。ピストン100の移動によって磁石101が磁気センサ103に接近すると、磁気センサ103が磁石101を検知し、ピストン100の位置を検出することができる。
しかしながら、上述したような従来のピストン位置検出装置では、ピストンに磁石を設置する必要があるため、ピストンの構造が複雑であり、製造工程も多くなる。

磁石と磁気センサの特性を考慮したシリンダの設計が必要である。具体的には、磁束の向きがシリンダチューブの長さ方向に対して垂直か平行かによって、ホール素子の磁気センサ又は磁気抵抗素子(MR素子)の磁気センサの何れの磁気センサを使用する必要があるかが違ってくる。さらに磁気抵抗素子の場合には、磁束の向きと磁気センサの感磁方向を合わせる必要がある。また、逆に磁気センサが決まっている場合は、磁石の磁極の向きに注意を払う必要がある。また、磁石をピストンに設置するために、ピストンやシリンダチューブが太くなってしまう。
特開昭61−172075号公報 特開平6−76706号公報 特開2004−186040号公報 特許第2616783号公報 山田剛良、"磁場の乱れでオンオフ,タイコ エレが耐熱性が高い非接触の近接スイッチ"、[online]、平成18年10月5日、日経エレクトロニクス、[平成19年2月6日検索]、インターネット<URL: http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20061005/121974/> "鉄板近接スイッチ ME−301"、[online]、[平成19年2月6日検索]、株式会社エヌエー、インターネット<URL: http://www.na-web.co.jp/products/me/pr_02_21.html> 武内章太郎、今野秀人、友常薫、涌坪勉、前田豊、"MRセンサモジュール"、NEC技報、日本電気株式会社、1998年、第51巻、第4号、第106−110頁
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、バイアス磁界印加部材(例えば、磁石)を高い精度で容易に位置合わせすることができ、特性のバラツキが少ない磁気センサモジュールを提供することを課題とする。また、本発明は、ピストンにバイアス磁界印加部材を配する必要をなくし、ピストンの構造、製造を簡単にすることが可能な、ピストン位置検出装置を提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、本発明は、スイッチング動作を行う集積回路を備えた半導体基板と、この半導体基板の一方の面上に設けられ、かつ該一方の面に沿った方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子と、前記半導体基板に設けられ、かつ前記一方の面に平行な面上に配置されたバイアス磁界印加部材とを備え、前記バイアス磁界印加部材は、該バイアス磁界印加部材が配置された前記面に沿った方向に着磁されており、外部磁界が印加されていない状態では、該バイアス磁界印加部材は、前記磁気抵抗素子が設けられた前記一方の面に沿った方向にバイアス磁界を印加するものである磁気センサモジュールを提供する。
本発明の磁気センサモジュールにおいては、前記バイアス磁界印加部材がペースト磁石または薄膜磁石であることが好ましい。
前記集積回路は、前記磁気抵抗素子の出力電圧を所定の閾値と比較して、比較結果に応じて、前記磁気抵抗素子の出力電圧が前記所定の閾値より大きい高レベル状態であることを表す信号、又は、前記磁気抵抗素子の出力電圧が前記所定の閾値より小さい低レベル状態であることを表す信号を出力するものであることが好ましい。
前記バイアス磁界印加部材が前記半導体基板の一方の面とは反対の側である他方の面上に設けられていることが好ましい。
本発明のピストン位置検出装置は、非磁性材料からなるシリンダチューブと、少なくとも一部が磁性材料からなり、前記シリンダチューブ内周面を摺動するように配されたピストンと、前記シリンダチューブの外周面に配され、バイアス磁界印加部材を有する磁気センサと、を備える。
本発明において、前記磁気センサは、磁束密度の高さに基づいてスイッチング動作を行う集積回路を少なくとも備え、かつ、前記バイアス磁界印加部材は、薄膜からなる磁石であり、前記集積回路の上面、下面、又は内部に配されていることが望ましい。

本発明において、前記磁気センサは、半導体基板、及び、この半導体基板の一方の面上に設けられ、かつ該一方の面に沿った方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子を有し、前記バイアス磁界印加部材は磁石であり、該磁石は前記半導体基板に設けられ、かつ、前記一方の面に平行な面上に配置され、かつ、該磁石が配置された前記面に沿った方向に着磁されており、外部磁界が印加されていない状態では、該磁石は前記磁気抵抗素子が設けられた前記一方の面に沿った方向にバイアス磁界を印加することが望ましい。
本発明によれば、磁気抵抗素子(MR素子)、スイッチング動作を行う集積回路(IC)を備えた半導体基板(MRスイッチ)、及び、バイアス磁界印加部材からなる集積構造を用いて磁気センサモジュールを構成することにより、以下の利点がある。
(1)バイアス磁界印加部材を磁気センサモジュールに含め、集積構造とすることで個別のバイアス磁界印加部材が不要となる。
(2)印加磁界の方向が半導体基板の面と平行方向になるため、磁気センサモジュールの小型化が可能となる。

(3)半導体プロセスと親和性の高いプロセスを用いてバイアス磁界印加部材を形成することができるため、バイアス磁界印加部材と半導体基板との位置合わせが不要となる。また、バイアス磁界印加部材と磁気抵抗素子の距離を高精度に調整することができるため、印加された磁界のバラツキを低減することができる。
また、本発明によれば、ピストンの少なくとも一部を磁性材料とし、磁気センサがバイアス磁界印加部材を備えることで、ピストンにバイアス磁界印加部材を配する必要がなくなる。これにより、バイアス磁界印加部材の磁極を考えずに磁気センサの実装ができることに加え、ピストンにバイアス磁界印加部材を配さないことでピストンやシリンダチューブを細くすることができる。その結果、本発明ではピストンの構造や製造を簡単にしたピストン位置検出装置を提供することができる。
図1は、本発明の磁気センサモジュールの概略構成の一例を示す概略断面図である。 図2は、磁気抵抗素子の構成の一例を示す平面図である。 図3Aは、図1に示す磁気センサモジュールに外部磁界が印加されていない状態における磁界の様子を模式的に示す図面である。 図3Bは、図1に示す磁気センサモジュールに外部磁界が印加されていない状態における出力を模式的に説明するグラフである。 図4Aは、図1に示す磁気センサモジュールに磁性体を半導体基板の表面側から近接させた状態における磁界の様子を模式的に示す図面である。 図4Bは、図1に示す磁気センサモジュールに磁性体を半導体基板の表面側から近接させた状態における出力を模式的に説明するグラフである。 図5Aは、図1に示す磁気センサモジュールに磁性体を半導体基板の裏面側から近接させた状態における磁界の様子を模式的に示す図面である。 図5Bは、図1に示す磁気センサモジュールに磁性体を半導体基板の裏面側から近接させた状態における出力を模式的に説明するグラフである。 図6Aは、図1に示す磁気センサモジュールをバンプを介して基板上に固定して磁気センサを構成した様子を模式的に示す断面図である。 図6Bは、図1に示す磁気センサモジュールをバンプを介して基板上に固定して磁気センサを構成した状態における磁界の様子を模式的に示す図面である。 図7は、本発明に係るピストン位置検出装置の一例を示す断面図である。 図8は、本発明に係るピストン位置検出装置の他の一例を示す断面図である。 図9は、図7、8の装置を構成する磁気センサの部分を抜き出して示す断面図である。 図10は、磁気抵抗素子の構成の一例を示す平面図である。 図11Aは、磁気センサに外部磁界が印加されていない状態における磁界の様子を示す図である。 図11Bは、磁気センサに外部磁界が印加されていない状態における印加磁界と電圧との関係を示すグラフである。 図12Aは、磁気センサに磁性体を近接させた状態における磁界の様子を示す図である。 図12Bは、磁気センサに磁性体を近接させた状態における印加磁界と電圧との関係を示すグラフである。 図13Aは、従来の磁気センサの一例を示す概略図である。 図13Bは、従来の磁気センサの一例を示す概略図である。 図14は、従来の磁気センサの他の例を示す概略図である。 図15は、従来のピストン位置検出装置の一例を示す断面図である。
符号の説明
10…磁気センサモジュール、11…半導体基板、11a…一方の面、11b…他方の面、12…バイアス磁界印加部材、13…磁気抵抗素子(MR素子)、23…磁気センサ、31…ピストン位置検出装置、32…シリンダチューブ、33…ピストン、34…磁性材料、40…磁気センサ、41…半導体基板、42…磁気抵抗素子、43…バイアス磁界印加部材、44…薄膜磁石、47…磁気センサモジュール
以下、本発明に係る第1実施形態による磁気センサモジュールにつき、図1〜図6Bを参照して説明する。
尚、この磁気センサモジュールは10、例えば、後述のように、バンプ等を介して、フレキシブルプリント回路(FPC)などの基板22に固定されることにより、磁気センサ23を構成する。
図1は、本発明の磁気センサモジュール10の概略構成の一例を示す概略断面図である。図2は、磁気抵抗素子13の構成の一例を示す平面図である。図3Aは、図1に示す磁気センサモジュール10に外部磁界が印加されていない状態における磁界14の様子を模式的に示す図面であり、図3Bは、この状態における出力を模式的に説明するグラフである。図4Aは、図1に示す磁気センサモジュール10に磁性体20を半導体基板の表面側から近接させた状態における磁界15の様子を模式的に示す図面であり、図4Bはこの状態における出力を模式的に説明するグラフである。図5Aは、図1に示す磁気センサモジュール10に磁性体20を半導体基板の裏面側から近接させた状態における磁界16の様子を模式的に示す図面であり、図5Bはこの状態における出力を模式的に説明するグラフである。図6Aは、図1に示す磁気センサモジュール10を、バンプ21を介して基板上に固定して磁気センサ23を構成した様子を模式的に示す断面図であり、図6Bは、この状態における磁界17の様子を模式的に示す図面である。
なお、図3A、図4A、図5A、図6B中、符号14〜17は、それぞれの状態における磁界を模式的に表現したものである。図3B、図4B、図5Bにおいて、高レベル(High level)から低レベル(Low level)へ遷移するとき、及び、低レベルから高レベルへ遷移するときで、横軸方向において異なる位置を通ることが模式的に表現されている。
この磁気センサモジュール10は、図1に示すように、スイッチング動作を行う集積回路(図示略)を備えた半導体基板11と、この半導体基板11の一方の面11a上に設けられ前記一方の面11aに沿った方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子13と、前記半導体基板11に設けられ、かつ前記一方の面11aに平行な面11b上に配置されたバイアス磁界印加部材(バイアス磁界印加用磁石)12とを、少なくとも備えている。本形態例の磁気センサモジュール10のバイアス磁界印加部材12の着磁方向は、図3Aに示すように、該バイアス磁界印加部材12が形成された面11bに沿った方向であり(NおよびSが面11bに沿った方向に並んでいる)、外部磁界が印加されていない状態では、磁気抵抗素子13が形成された前記一方の面11aに沿った方向にバイアス磁界14を印加するものであることを特徴とする。
バイアス磁界印加部材12としては、半導体基板11への積層に際し、半導体プロセスと親和性が高いプロセスによって形成することが可能な、ペースト磁石または薄膜磁石が好ましい。磁石を構成する硬磁性体としては、特に限定されるものではないが、サマリウム−コバルト(SmCo)、鉄−白金(FePt)、コバルト−白金(CoPt)、ネオジム−鉄−ホウ素(NdFeB)、フェライトなどが利用できる。
ペースト磁石は、硬磁性体粉末等をバインダー樹脂に混合してなる硬磁性体ペーストを塗布などの方法で基板のいずれかの面に形成し、焼成・加熱ののち、所定の方向に着磁して磁化させることによって設けることができる。
薄膜磁石は、硬磁性体を薄膜として成膜したものであり、その作製方法は、特に限定されるものではないが、スパッタや蒸着、めっき、ボンド磁石の印刷などが挙げられる。薄膜磁石を任意の形状にするパターニングには、例えばエッチングやリフトオフなどのフォトリソグラフィー技術を利用することができる。作製した薄膜磁石は、必要に応じてアニール処理を行ったのち、磁気センサとしての感磁方向に着磁を行う。
ここで、図1に示す例では、バイアス磁界印加部材12は、半導体基板11の一方の面11aとは反対の側である他方の面11b上に設けられている。この場合、バイアス磁界印加部材12と磁気抵抗素子13との距離は半導体基板11の厚みによって規定されるので、磁気抵抗素子13への印加磁界を、精度良く制御することができる。
なお、本発明の磁気センサモジュール10は、この例に限られるものではなく、例えばバイアス磁界印加部材12を、半導体基板11の一方の面11aと同じ側に設けてもよい。また、バイアス磁界印加部材12と半導体基板11とを積層する際に、任意に他の層(図示せず)を介在させてバイアス磁界印加部材12と半導体基板11との距離を調整するようにしてもよい。この手法によっても、磁気抵抗素子13への印加磁界を、精度良く制御することができる。介在させる他の層は特に限定されないが、適当な無機材料あるいは有機材料等の非磁性材料を成膜することによって容易に形成することができる。
本発明においては、磁気センサモジュール10を構成する磁気抵抗素子13の磁電変換材料として、膜の面に沿った方向に感磁方向を持つ異方性磁気抵抗材料(MR)を用いている。磁気抵抗素子13は、鉄−ニッケル(FeNi)、鉄−ニッケル−コバルト(NiFeCo)等の強磁性体からなる磁性膜から構成することができ、例えばパーマロイが挙げられる。
本形態例において、半導体基板11上に設けられる磁気抵抗素子13は、図2に示すように4つのMR薄膜抵抗13a,13b,13c,13dと、MR薄膜抵抗13a〜13dの間に設けられ導電体からなる端子a,b,c,dとから構成され、ブリッジ構造を有する。それぞれのMR薄膜抵抗13a〜13dを形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法によるパターン形成工程と、メッキ法やスパッタリング法による成膜工程とを組み合わせた方法が挙げられる。
MR薄膜抵抗13a〜13dのパターンは、それぞれ所定の方向を向いて配置される。
図2に示す磁気抵抗素子13の場合、2つのMR薄膜抵抗13a,13dは、半導体基板11の一方の面11a上における一の方向(以下、「X方向」という。図2では左右方向)を向いて配置されており、他の2つのMR薄膜抵抗13b,13cは、半導体基板11の一方の面11a上において前記X方向と直交する方向(以下、「Y方向」という。図2では上下方向)を向いて配置されている。
X方向を向いて配置された2つのMR薄膜抵抗13a,13dには、X方向を長手方向として平行に配置された複数のMR膜が設けられている。隣接するMR膜は、その端部同士でメアンダ形状(つづら折り形状)になるように、MR膜または導電膜を介して、Y方向に電気的に接続されている。
また、Y方向を向いて配置された2つのMR薄膜抵抗13b,13cには、Y方向を長手方向として平行に配置された複数のMR膜が設けられている。隣接するMR膜は、その端部同士でメアンダ形状(つづら折り形状)になるように、MR膜または導電膜を介して、X方向に電気的に接続されている。
4つのMR薄膜抵抗13a〜13dは、同じ材質のMR膜から形成されることが好ましい。これにより、4つのMR薄膜抵抗13a〜13dは温度に対する特性変動が同等となるので、磁気デバイスとしての温度特性が向上する。折り返し部分を導電膜で形成する場合、金(Au)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)等の導体膜が使用される。
磁気抵抗素子13は図2に示すように、ブリッジ回路を構成している。このため、4つのMR薄膜抵抗13a〜13dでは、互いに異なる方向(X方向またはY方向)を向いて配置された素子同士が隣接して配置されており、4つのMR薄膜抵抗13a〜13dは、配線を介して接続されている。これらの配線は、例えば金(Au)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)等の導体膜から構成することができる。4つのMR薄膜抵抗13a〜13dは、90°ずつ向きを変えて配置されている。4つのMR薄膜抵抗13a〜13dは、材料、パターン形状や抵抗値が同じものであることが好ましい。4つのMR薄膜抵抗13a〜13dを配列する態様としては、例えば図2に示すように縦横2×2の配列が挙げられるが、MR薄膜抵抗間を適当な配線で接続することにより、他の配列を採用することも可能である。
このようなブリッジ回路においては、端子aに電源電圧、端子bにはグランドレベルがそれぞれ接続されたとき、磁気抵抗素子13の出力は、他の2つの端子c,d間の電位差(ブリッジ出力)として得ることができる。ブリッジ出力は、印加磁界の強さを反映して増減するので、このブリッジ出力(電圧)の大きさを所定の閾値と比較して、出力電圧が所定の閾値より大きい(高レベル状態)か、出力電圧が所定の閾値より小さい(低レベル状態)かの判別により、スイッチング動作を行うことができる。本発明においては、スイッチング動作は半導体基板11に形成された集積回路(図示せず)により行われており、集積回路は高レベル状態か低レベル状態かのいずれかを表す信号を出力する。
次に、本実施形態の磁気センサモジュール10としての検出方法を、図3A〜図5Bを参照して説明する。磁気センサモジュール10の出力は、閾値の磁束密度により、磁束密度が低いときに出力電圧が高レベル状態(High level)となり、磁束密度が高いときに出力電圧が低レベル状態(Low level)となるように設定されている。このため、磁気センサモジュール10の出力電圧について閾値を定め、磁気センサモジュール10の出力電圧が前記閾値より大きいときを高レベル状態とし、磁気センサモジュール10の出力電圧が前記閾値より小さいときを低レベル状態とする。また、閾値は、高レベル状態と低レベル状態との間にギャップを設けて両者が明確に区別されるようにすることが好ましい。このように電圧値の比較によりスイッチング動作を行う集積回路を、磁電変換素子の出力と組み合わせて用いることにより、外部磁界の強さに基づいてスイッチング動作を行う磁気センサモジュール10を構成することができる。
図3Aに示すように、外部磁界が印加されてない状態では、磁気抵抗素子13には、バイアス磁界印加部材12が形成された面に沿った方向に着磁されたバイアス磁界印加部材12によって、磁気抵抗素子13が形成された面に沿った方向にバイアス磁界14が印加される。このときの磁界14は、磁気抵抗素子13近傍の磁束密度が高いもの(図3Aにおいて磁気抵抗素子13上に実線で右向き矢印として表す。)となる。そこで、図3Bに示すように、このときの出力電圧を低レベル状態(Low level)と判定するように前記閾値を設定すると、低レベル状態の出力は、磁性体が近接されていない状態を表すことになる。
図4Aに示すように、鉄板等の磁性体20を近接させると、バイアス磁界印加部材12から印加される磁束が磁性体20に吸引される。その結果、このときの磁界15は、磁気抵抗素子13近傍の磁束密度が低いもの(図4Aにおいて磁気抵抗素子13上に破線で右向き矢印として表す。)となる。そこで、図4Bに示すように、このときの出力電圧を高レベル状態(High level)となるように前記閾値を設定すると、高レベル状態の出力は、磁性体20が近接されている状態を表すことになる。
図4Aでは磁性体20を半導体基板11の一方の面11a側から近接させた様子を説明したが、図5Aに示すように、磁性体20を半導体基板11の他方の面11b側から近接させた場合でも同様に動作する。すなわち、磁性体20を近接させると、バイアス磁界印加部材12から印加される磁束が磁性体20に吸引される。その結果、磁気抵抗素子13近傍の磁束密度が、弱い磁界16となり、磁性体20が近接されている状態を表す高レベル状態の信号を出力する。
磁気抵抗素子13には、印加磁界の強さに応じて抵抗値が変化する性質があり、印加磁界が強いほど抵抗値が減少する特性があるため、磁気抵抗素子13の2つの端子間の電位差(ブリッジ出力)は、MR膜へ印加される磁束密度の高さを反映して増減する。このブリッジ出力の大きさを所定の閾値と比較して、出力電圧が所定の閾値より大きいか、小さいかの判別によりスイッチング動作を行う。このような構成とすることにより、素子に印加される磁束密度の高低に応じて異なる2つの出力を発生する磁気センサモジュール10を実現することが可能となる。なお、集積回路から出力されるこの磁気センサモジュール10の出力としては、磁気抵抗素子13のブリッジ出力が所定の閾値より小さいときに高電圧値による信号を出し、磁気抵抗素子13のブリッジ出力が所定の閾値より大きいときに低電圧値による信号を出すようにしてもよい。また、その逆に、磁気抵抗素子13のブリッジ出力が所定の閾値より小さいときに低電圧値による信号を出し、磁気抵抗素子13のブリッジ出力が所定の閾値より大きいときに高電圧値による信号を出すようにしてもよい。
スイッチング動作を、半導体基板に設けた集積回路(IC)によって行うので、比較や制御等に必要な回路を省スペースで構成することができ、磁気センサモジュール10の小型化を実現できる。本実施形態の磁気センサモジュール10は、図6Aに示すように、半導体基板11の面11a上にバンプ21を設け、フレキシブルプリント回路(FPC)などの基板22に固定することにより磁気センサ23を構成することができる。尚、磁気センサモジュール10、バンプ21、及び、基板22が、図示しない磁気センサ用筐体に収容され、それらが全体として磁気センサ23を構成しても良い。また、このとき半導体基板11と回路基板22との間は、バンプやワイヤ、導電ペースト(図示せず)などを用いて、電気的に接続することができる。
以上説明したように、本発明の第1実施形態においては、着磁方向がバイアス磁界印加部材12が形成された面に沿った方向であるバイアス磁界印加部材12と、膜の面に沿った方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子13とを用いることにより、磁性体20が磁気センサモジュール10に対していずれの方向から接近した場合でも検出することが可能になる。
また、バイアス磁界印加部材12および磁気抵抗素子13は、いずれも半導体プロセスと親和性の高いプロセスを用いて形成することができるため、バイアス磁界印加部材12と磁気抵抗素子13との位置関係を精度よく調整することが容易になる。また、いずれも半導体基板に積層されて一体化されるため、磁気センサモジュール10、及び、この磁気センサモジュール10を備えた磁気センサ23を小型化することができる。
(実施例)
本実施例で作製した磁気センサモジュール10は、図1に示すように、磁気抵抗素子13と、半導体基板11上に集積されたバイアス磁界印加部材12とからなる。磁気抵抗素子13は、図2に示すように、4つのMR薄膜抵抗13a〜13dのブリッジ構造からなり、各MR薄膜抵抗は、パーマロイ薄膜から形成されている。磁気抵抗素子13の出力は、集積回路内のコンパレータ(比較器)で比較された後、スイッチング動作を行う。そのパッケージは、シリコン(Si)基板からなるウエハレベルパッケージ(WLP)で構成されており、バンプ21(図6A、図6B参照)を含めたチップサイズは、0.97×0.97×0.5(mm)である。
半導体基板11の裏面11bには、バイアス磁界印加部材12としてNdFeB系のペースト磁石が配置される。NdFeB系のペースト磁石は、約80μmの膜厚で形成され、磁気抵抗素子13の感磁方向と同一の面に沿った方向に着磁されている。ペースト磁石は、その膜厚によって磁気抵抗素子13への印加磁界を制御でき、また、バイアス磁界印加部材12と磁気抵抗素子13との距離は基板11の厚みによって規定されるため、印加磁界を精度良く制御することが可能となる。
図6Aに示すように、この磁気センサモジュール10を半導体基板11の一方の面11a上に設けたバンプ21を介して基板22に実装して磁気センサ23を構成した。そして、その出力を確認したところ、出力は低レベルであった。この磁気センサ23は、バイアス磁界が印加されていない状態では、約10〜20(Oe)である印加磁界を閾値磁界として、それより強い磁界では出力は低レベル、それより弱い磁界では出力が高レベルとなるように設定されている。そのため、低レベルの出力は、磁気センサ23に約20(Oe)程度のバイアス磁界が印加されていることを意味する。
次に図6Bに示すように、磁気センサモジュール10のバイアス磁界印加部材12側から磁性体20として鉄板を近づけると、約10mmの距離で磁気センサ23の出力が高レベルに反転した。これは、バイアス磁界印加部材12で発生した磁束が磁性体20に吸引される結果、磁気抵抗素子13の近傍の磁束密度が低下して、印加磁界の強さが約10(Oe)未満となったことを意味する。
同様に、特に図示はしないが、磁気センサモジュール10の磁気抵抗素子13側(図6A、図6Bにおける下側)から磁性体を近づけたときも、磁気センサ23の出力が高レベルに反転した。
これらの結果から、磁性体20が、磁気抵抗素子13側から接近した場合でも、その反対側から接近した場合でも、区別なく高レベルに反転した出力が得られたことがわかる。
以下、本発明に係る第2実施形態につき、図7〜図12Bを用いて説明する。
即ち、本発明に係るピストン位置検出装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図7は、本発明のピストン位置検出装置31の一実施形態を模式的に示す縦断面図である。
本発明のピストン位置検出装置31は、非磁性材料からなるシリンダチューブ32と、少なくとも一部が磁性材料34からなり、前記シリンダチューブ32の内周面を摺動するように配されたピストン33と、前記シリンダチューブ32の外周面に配された磁気センサ40と、を少なくとも備え、磁気センサ40は、バイアス磁界印加部材43を少なくとも備える。
本発明では、ピストン33の少なくとも一部を、磁束を吸収することができる磁性材料34とし、磁気センサ40がバイアス磁界印加部材43を備えた構成とすることで、ピストン33に磁石を配する必要がなくなる。これにより、磁石の磁極を考えずに磁気センサ40の実装ができる。また、ピストン33に磁石を配さないことでピストン33やシリンダチューブ32を細くすることができる。その結果、本発明のピストン位置検出装置31では、ピストン33の構造や製造を簡単にすることができる。
また、磁気センサ40の部分を抜き出して示す断面図である図9で示すように、前記磁気センサ40は、磁気センサモジュール47、及び、後述するような、バンプ51、基板52、及び、これらを内部に収容する磁気センサ用筐体48から構成される。磁気センサモジュール47は、磁束密度の高さに基づいてスイッチング動作を行う集積回路を少なくとも備えた半導体基板41、この半導体基板41の一方の面41a上に設けられ前記一方の面41aに沿った方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子42と、前記半導体基板41に設けられ、かつ前記一方の面41aに平行な面41b上に配置されたバイアス磁界印加部材(バイアス磁界印加用磁石)43とを、少なくとも備えている。前記バイアス磁界印加部材43は、薄膜からなる磁石であり、前記集積回路の上面、下面、又は内部に配されている。これにより、磁気センサ40が小型となり、ピストン位置検出装置31の設計自由度が増し、ピストン位置検出装置31全体の小型化に貢献できる。
シリンダチューブ32は、非磁性材料からなる。このような非磁性材料としては、特に限定されるものではないが、例えばステンレス鋼、銅等の非磁性金属材料、あるいはポリエチレン、ポリ塩化ビニル等の合成樹脂材料が挙げられる。
ピストン33は、棒状であり、前記シリンダチューブ32の内周面を摺動するように、シリンダチューブ32の内部に配される。
ピストン33は、少なくとも一部が、磁束を吸収することができる磁性材料34からなる。磁性材料34としては、特に限定されるものではないが、例えば鉄(Fe)、ニオブ(Nb)、クロム(Cr)、ネオジウム(Nd)などの磁力の高い材料を用いることが好ましい。
ピストン33は、図8に示すように、その全体が磁性材料34から構成されていてもよいし、図7に示すように、先端部のみが磁性材料34から構成されていてもよい。
磁気センサ40は、前記シリンダチューブ32の外周面に配された磁気近接センサである。後述するように、磁気センサ40は、4つのMR薄膜抵抗のブリッジ構造を備えてなり、その出力をコンパレータで比較することにより、スイッチング動作をおこなう。ピストン位置検出装置31は、このスイッチング動作を利用して、ピストン位置を検出する。
磁気センサ40は、図9に示すように、半導体基板41の面41a上にバンプ51が設けられ、これが、フレキシブルプリント回路(FPC)などの基板52に固定された構成を有する。このような磁気センサ40が、シリンダチューブ32の外周面に配されている。また、このとき半導体基板41と回路基板52との間は、バンプ51やワイヤ、導電ペースト(図示せず)などを用いて、電気的に接続することができる。このように磁気センサ40は、WLP(ウエハレベルパッケージ)によりパッケージされており、磁気センサモジュール47にバンプを含めたチップサイズは、例えば0.97×0.97×0.5mmである。なお、パッケージ形態はWLPに限定されず樹脂モールドパッケージでもよい。
磁気センサ40の磁気抵抗素子42は、磁電変換材料として、膜の面に沿った方向に感磁方向を持つ異方性磁気抵抗材料(MR)を用いている。磁気抵抗素子42は、鉄−ニッケル(FeNi)、鉄−ニッケル−コバルト(NiFeCo)等の強磁性体からなる磁性膜から構成することができ、例えばパーマロイが挙げられる。
本実施形態において、半導体基板41上に設けられる磁気抵抗素子42は、図10に示すように4つのMR薄膜抵抗42a,42b,42c,42dと、MR薄膜抵抗42a〜42dの間に設けられ、導電体からなる端子a,b,c,dとから構成され、ブリッジ構造を有する。それぞれのMR薄膜抵抗42a〜42dを形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法によるパターン形成工程と、メッキ法やスパッタリング法による成膜工程とを組み合わせた方法が挙げられる。MR薄膜抵抗42a〜42dのパターンは、それぞれ所定の方向を向いて配置される。
磁気抵抗素子42は図10に示すように、ブリッジ回路を構成している。このため、4つのMR薄膜抵抗42a〜42dは、互いに異なる方向(X方向またはY方向)を向いて配置された素子同士が隣接して配置され、配線を介して接続されている、との構造を有する。これらの配線は、例えば金(Au)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)等の導体膜から構成することができる。4つのMR薄膜抵抗42a〜42dは、90°ずつ向きを変えて配置されている。また、4つのMR薄膜抵抗42a〜42dは、材料、パターン形状や抵抗値が同じものであることが好ましい。4つのMR薄膜抵抗42a〜42dを配列する態様としては、例えば図10に示すように縦横2×2の配列が挙げられるが、MR薄膜抵抗間を適当な配線で接続することにより、他の配列を採用することも可能である。
このようなブリッジ回路においては、電源電圧が端子aに接続され、グランドレベルが端子bに接続されたとき、磁気抵抗素子42の出力は、他の2つの端子c,d間の電位差(ブリッジ出力)として得ることができる。ブリッジ出力は、印加磁界の強さを反映して増減するので、このブリッジ出力(電圧)の大きさを所定の閾値と比較して、出力電圧が所定の閾値より大きい(高レベル状態)か、出力電圧が所定の閾値より小さい(低レベル状態)かの判別により、スイッチング動作を行うことができる。本形態例においては、スイッチング動作は半導体基板41に形成された集積回路(図示せず)により行われており、集積回路は高レベル状態か低レベル状態かのいずれかを表す信号を出力する。
また、前記シリンダチューブ32の外側に、磁気センサ40の一部を構成するバイアス磁界印加部材43が配置されている。
例えば図9に示す例では、バイアス磁界印加部材43は、磁気センサ40において、半導体基板41に対して積層され、かつ前記一方の面41aに平行な面41b内に配置されている。
バイアス磁界印加部材43としては、半導体基板41への積層に際し、半導体プロセスと親和性が高いプロセスによって形成することが可能な薄膜磁石44が好ましい。薄膜磁石44を構成する硬磁性体としては、特に限定されるものではないが、サマリウム−コバルト(SmCo)、鉄−白金(FePt)、コバルト−白金(CoPt)、ネオジム−鉄−ホウ素(NdFeB)、フェライトなどが利用できる。
薄膜磁石44は、前述のような硬磁性体を薄膜として成膜したものであり、その作製方法は、特に限定されるものではないが、ペースト塗布、スパッタや蒸着、めっき、ボンド磁石の印刷などが挙げられる。薄膜磁石44を任意の形状にするパターニングには、例えばエッチングやリフトオフなどのフォトリソグラフィー技術を利用することができる。作製した薄膜磁石44は、必要に応じてアニール処理を行ったのち、磁気センサとしての感磁方向に着磁を行う。
薄膜磁石44の膜厚や、薄膜磁石44が磁気センサモジュール47に占める面積は特に限定されるものではなく、適宜決定される。例えば、薄膜磁石44として、半導体基板41の面41bにNdFeB系のペースト磁石を約80nmの膜厚で形成し、磁気センサ40の感磁方向と同一方向に着磁する。
図11Aに示すように、薄膜磁石44は、該磁石が形成された面41bに沿った方向に着磁され(薄膜磁石44の着磁方向は、面41bに沿った方向であり)、外部磁界が印加されていない状態では、磁気抵抗素子42が形成された面に沿った方向にバイアス磁界45を印加する。
ここで、図9に示す例では、バイアス磁界印加部材43は、半導体基板41の―方の面41aとは反対の側である他方の面41b上に設けられている。この場合、薄膜磁石44と磁気抵抗素子42との距離は半導体基板41の厚みによって規定されるので、磁気抵抗素子42への印加磁界を、精度良く制御することができる。
なお、バイアス磁界印加部材43の配置は、この例に限られるものではなく、例えばバイアス磁界印加部材43を、半導体基板41の―方の面41aと同じ側に設けてもよい。また、バイアス磁界印加部材43と半導体基板41とを積層する際に、任意に他の層(図示せず)を介在させてバイアス磁界印加部材43と半導体基板41との距離を調整するようにしてもよい。この手法によっても、磁気抵抗素子42への印加磁界を、精度良く制御することができる。介在させる他の層は特に限定されないが、適当な無機材料あるいは有機材料等の非磁性材料を成膜することによって容易に形成することができる。
次に、本実施形態のピストン位置検出装置31において、磁気センサ40によるピストン位置検出方法を、図11A〜図12Bを参照して説明する。磁気センサ40の出力は、閾値の磁束密度により、磁束密度が低いときに出力電圧が高レベル状態(High level)となり、磁束密度が高いときに出力電圧が低レベル状態(Low level)となるように設定されている。このため、磁気センサ40の出力電圧について閾値を定め、磁気センサ40の出力電圧が前記閾値より大きいときを高レベル状態とし、磁気センサ40の出力電圧が前記閾値より小さいときを低レベル状態とする。また、閾値は、高レベル状態と低レベル状態との間にギャップを設けて両者が明確に区別されるようにすることが好ましい。このように電圧値の比較によりスイッチング動作を行う集積回路を、磁電変換素子の出力と組み合わせて用いることにより、外部磁界の大きさに基づいてピストン位置を検出するピストン位置検出装置31を構成することができる。
図11Aに示すように、外部磁界が印加されてない状態では、磁気抵抗素子42には、バイアス磁界印加部材43が形成された面に沿った方向に着磁されたバイアス磁界印加部材43によって、磁気抵抗素子42が形成された面に沿った方向にバイアス磁界45が印加される。このときの磁界45は、磁気抵抗素子42近傍の磁束密度が高いもの(図11Aにおいて磁気抵抗素子42上に実線で右向き矢印として表す。)となる。そこで、図11Bに示すように、このときの出力電圧を低レベル状態(Low level)と判定するように前記閾値を設定すると、低レベル状態の出力は、磁性体34(ピストン33)が近接されていない状態を表すことになる。
図12Aに示すように、磁性体34(ピストン33)を近接させると、薄膜磁石44から印加される磁束が磁性体34に吸引される。その結果、このときの磁界46は、磁気抵抗素子42近傍の磁束密度が低いもの(図12Aにおいて磁気抵抗素子42上に実線で右向き矢印として表す。)となる。そこで、図12Bに示すように、このときの出力電圧を高レベル状態(High level)となるように前記閾値を設定すると、高レベル状態の出力は、磁性体34(ピストン33)が近接されている状態を表すことになる。
磁気抵抗素子42は、印加磁界の強さに応じて抵抗値が変化する性質を有し、印加磁界が強いほど抵抗値が減少する特性を有する。そのため、磁気抵抗素子42の2つの端子間の電位差(ブリッジ出力)は、MR膜へ印加される磁束密度の高さを反映して増減する。このブリッジ出力の大きさを所定の閾値と比較して、出力電圧が所定の閾値より大きいか、小さいかの判別によりスイッチング動作を行う。このような構成とすることにより、素子に印加される磁束密度の高低に応じて異なる2つの出力を発生する磁気センサ40、及びそれを利用したピストン位置検出装置31を実現することが可能となる。なお、集積回路から出力されるこの磁気センサ40の出力としては、磁気抵抗素子42のブリッジ出力が所定の閾値より小さいときに高電圧値による信号を出し、磁気抵抗素子42のブリッジ出力が所定の閾値より大きいときに低電圧値による信号を出すようにしてもよい。また、その逆に、磁気抵抗素子42のブリッジ出力が所定の閾値より小さいときに低電圧値による信号を出し、磁気抵抗素子42のブリッジ出力が所定の閾値より大きいときに高電圧値による信号を出すようにしてもよい。
また、ピストン位置検出を、半導体基板41に設けた集積回路(IC)によって行うので、比較や制御等に必要な回路を省スペースに構成することができ、磁気センサ40の小型化を実現できる。
以上、本発明の第2実施形態によるピストン位置検出装置31について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
本発明の磁気センサモジュールは、鉄板等の磁性体の近接を検知する種々の用途に利用することができる。また、本発明は、ピストン位置検出装置に適用可能である。

Claims (7)

  1. スイッチング動作を行う集積回路を備えた半導体基板と、この半導体基板の一方の面上に設けられ、かつ該一方の面に沿った方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子と、前記半導体基板に設けられ、かつ前記一方の面に平行な面上に配置されたバイアス磁界印加部材とを、備え、
    前記バイアス磁界印加部材は、該バイアス磁界印加部材が配置された前記面に沿った方向に着磁されており、外部磁界が印加されていない状態では、該バイアス磁界印加部材は、前記磁気抵抗素子が設けられた前記一方の面に沿った方向にバイアス磁界を印加するものである磁気センサモジュール。
  2. 前記バイアス磁界印加部材がペースト磁石または薄膜磁石である請求項1に記載の磁気センサモジュール。
  3. 前記集積回路は、前記磁気抵抗素子の出力電圧を所定の閾値と比較して、比較結果に応じて、前記磁気抵抗素子の出力電圧が前記所定の閾値より大きい高レベル状態であることを表す信号、又は、前記磁気抵抗素子の出力電圧が前記所定の閾値より小さい低レベル状態であることを表す信号を出力する請求項2に記載の磁気センサモジュール。
  4. 前記バイアス磁界印加部材が前記半導体基板の一方の面とは反対の側である他方の面上に設けられている請求項3に記載の磁気センサモジュール。
  5. 非磁性材料からなるシリンダチューブと、
    少なくとも一部が磁性材料からなり、前記シリンダチューブ内周面を摺動するように配されたピストンと、
    前記シリンダチューブの外周面に配され、バイアス磁界印加部材を有する磁気センサと、
    を備えたピストン位置検出装置。
  6. 前記磁気センサは、磁束密度の高さに基づいてスイッチング動作を行う集積回路を少なくとも備え、かつ、前記バイアス磁界印加部材は、薄膜からなる磁石であり、前記集積回路の上面、下面、又は内部に配されている請求項5に記載のピストン位置検出装置。
  7. 前記磁気センサは、半導体基板、及び、この半導体基板の一方の面上に設けられ、かつ該一方の面に沿った方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子を有し、前記バイアス磁界印加部材は磁石であり、該磁石は前記半導体基板に設けられ、かつ、前記一方の面に平行な面上に配置され、かつ、該磁石が配置された前記面に沿った方向に着磁されており、外部磁界が印加されていない状態では、該磁石は前記磁気抵抗素子が設けられた前記一方の面に沿った方向にバイアス磁界を印加する請求項5に記載のピストン位置検出装置。
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