JPS59195889A - ヨ−ク付強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
ヨ−ク付強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法Info
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- JPS59195889A JPS59195889A JP58070487A JP7048783A JPS59195889A JP S59195889 A JPS59195889 A JP S59195889A JP 58070487 A JP58070487 A JP 58070487A JP 7048783 A JP7048783 A JP 7048783A JP S59195889 A JPS59195889 A JP S59195889A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁９磁気抵ｖし効果を利用したヨーク伺’ｆ
ｉｌｉ 輯性磁気チ（抗効果本子の製造方法に関する。
ｉｌｉ 輯性磁気チ（抗効果本子の製造方法に関する。
゛凡会性磁気抵抗効果素子（す下Ｍ Ｂ、素子と略す）
はＮｉＦｅ合金やＮ４Ｃ，合金に代表される強磁性相、
気抵抗効果薄膜（以下ＭＲ，膜と略す）のストライブの
電気１■（抗が磁界の強弱ないし方向の変化に応じて変
化することを利用した高感度の磁＄、変換素子であり、
磁気センサーや磁気ヘッドとして広く利用されようとし
ている。ヨーク付Ｍ Ｒ，素子はＭＲｊ１莫ストラスト
ライブ向の両側に、更に尚透磁率磁性体から成るヨーク
を配置したものであり、その基本Ｍ’戒は第１図（ａ）
の平面図及び第１図（ｂ）の断１ｍ図に示す如きもので
ある。すなわち、Ｍｌ（・膜ストライプｌの両８１１１
にヨーク２を配置し、ＭＲＩ換ストライプｌの抵抗変化
を電＆３で検出するものである。こうした棺成を行なう
ことにより、感度をより向上できること、ないしハ砿気
ヘッドとして用いる場合のようにＭ Ｒ・ストライブが
磁界の強い部分から陥れて配置される場合にヨークによ
って磁束が集束され、より大きな出力か得られる等の大
きな利点があり、特にＭ）ｌ・膜ストライプ１とヨーク
２との間隔が小さい程大きな効果が得られることが知ら
れている。しかしながら、第１図（ｂ）の断面図から明
らかなように、従来のヨーク付強磁性磁気抵抗効果素子
は基板４上にＭ ｉｌ・膜ストライブ５を形成してから
絶縁層６をイｊ（層し、更にその上にヨーク７を形成す
るため、厳密な位ｆｅｉ合せを必要としながら、しかも
Ｍｌｌ（・膜とヨークとは段違いにずれて配置されるこ
とによって、ヨークを設けたことによる効果が十分に活
がされず高感度化を達成されなかった。
はＮｉＦｅ合金やＮ４Ｃ，合金に代表される強磁性相、
気抵抗効果薄膜（以下ＭＲ，膜と略す）のストライブの
電気１■（抗が磁界の強弱ないし方向の変化に応じて変
化することを利用した高感度の磁＄、変換素子であり、
磁気センサーや磁気ヘッドとして広く利用されようとし
ている。ヨーク付Ｍ Ｒ，素子はＭＲｊ１莫ストラスト
ライブ向の両側に、更に尚透磁率磁性体から成るヨーク
を配置したものであり、その基本Ｍ’戒は第１図（ａ）
の平面図及び第１図（ｂ）の断１ｍ図に示す如きもので
ある。すなわち、Ｍｌ（・膜ストライプｌの両８１１１
にヨーク２を配置し、ＭＲＩ換ストライプｌの抵抗変化
を電＆３で検出するものである。こうした棺成を行なう
ことにより、感度をより向上できること、ないしハ砿気
ヘッドとして用いる場合のようにＭ Ｒ・ストライブが
磁界の強い部分から陥れて配置される場合にヨークによ
って磁束が集束され、より大きな出力か得られる等の大
きな利点があり、特にＭ）ｌ・膜ストライプ１とヨーク
２との間隔が小さい程大きな効果が得られることが知ら
れている。しかしながら、第１図（ｂ）の断面図から明
らかなように、従来のヨーク付強磁性磁気抵抗効果素子
は基板４上にＭ ｉｌ・膜ストライブ５を形成してから
絶縁層６をイｊ（層し、更にその上にヨーク７を形成す
るため、厳密な位ｆｅｉ合せを必要としながら、しかも
Ｍｌｌ（・膜とヨークとは段違いにずれて配置されるこ
とによって、ヨークを設けたことによる効果が十分に活
がされず高感度化を達成されなかった。
本発明の目的は、ＭＲ・膜ストライブとヨークとの相互
の配置をより理想的に配置しそのね性を十分に活かすこ
とができるヨーク付’ｊＩ１１４Ｍ性磁気抵抗効果素子
の製造方法を提供することにある。
の配置をより理想的に配置しそのね性を十分に活かすこ
とができるヨーク付’ｊＩ１１４Ｍ性磁気抵抗効果素子
の製造方法を提供することにある。
本発明によれば、表面が絶縁されたが・板上にＭＲ膜反
Ｏ−第１の絶縁層を植〕白し、これらの槓ｊビｌ膜をス
トライブの形状にエツチング加工すると同時に前記極層
膜下の晶板部を除く他の基板表面をエツチングにより掘
り下げた彼、ｉ＋Ｉ記積層膜上反ひ基板表面を覆うよ５
に、高透磁率４′ｋｋ性膜を設けると共に、前記第１の
絶縁層上の、Ｉ−５透磁率磁性膜をエツチング除去する
ことを特徴とするヨーク強磁性磁気抵抗効果素子の製造
方法が得られる。
Ｏ−第１の絶縁層を植〕白し、これらの槓ｊビｌ膜をス
トライブの形状にエツチング加工すると同時に前記極層
膜下の晶板部を除く他の基板表面をエツチングにより掘
り下げた彼、ｉ＋Ｉ記積層膜上反ひ基板表面を覆うよ５
に、高透磁率４′ｋｋ性膜を設けると共に、前記第１の
絶縁層上の、Ｉ−５透磁率磁性膜をエツチング除去する
ことを特徴とするヨーク強磁性磁気抵抗効果素子の製造
方法が得られる。
以下、図面に従って本発明の製造方法を詳ｉｊＨＫ説明
する。
する。
第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）及
び（ｅｌは本％ ”１４の製造方法の実施例を説明する
だめの図で製造工程順に示した素子断面図である。代表
的なヨーク付ＭＲ素子は第２図（ｅ）に示す如く、表面
が絶縁された基板Ｉｌ上に形成されたＭＲ膜ストライプ
１２、ヨーク１５、及びそれらを互いに絶縁する絶Ｍ、
崩１３゜１４から構成される。これを製造するにｑＭＢ
・膜ストライブ形成工程として、まず第２ ｔｇ、＋
（ａ）に示すように表面が絶縁された基板ｌｌ上ＫＭＩ
（股１２及び第１の絶縁層１３を続けて積層する。仄に
、第２図（ｂ）に示すように、このＭｌ（・膜１２と第
１の絶縁層１３をストライブ形状のレジストパターン１
６をマスクとしてパターンエツチング金イコない、ＭＥ
・膜ストライプパターンを形成する。仁のパターンエツ
チングの際、基板１１も同将に１９１定の深さだけエツ
チング除去しておく。ここで所定の深さとは、はぼ、こ
れに続く工程で心安に応じて積層する第２の絶縁層１４
のＪγさｔｌがら、この厚さｔｌにヨーク１５の厚さｔ
、を加えた１、＋１゜’！テ程度の大きさとする。次罠
、レジストパターン１６を除去してからヨーク形成工程
として、必要であれば第２図（ｃ）に示すように第２の
絶縁層１４を積層する。この第２の絶縁層１４はＭ ｉ
（・膜１２とヨーク１５とを互いに電気的に絶縁層せる
だめのものであり、絶縁が保たれる限り薄い方が望まし
い。尚、Ｍ Ｒ膜１２と汁５１の絶線）。ｉｌ３反びｇ
４７Ｈｚとのエツチングをいわゆるスパッターエツチン
グで行なり場合、よく知られているようにエツチングさ
れた伸子のｈ ｆ’ｌ”Ｓｒ効果により、桐り込まれた
部分の側血Ｂｉ５分は情くハ４１Ｊ、１１の炉、Ｉ、（
体によっておおわれるため、第２の’Ｙ＋’２ ｌ・ｅ
、 ｔｙ、＋ １４ ｋ、Ｌなくてもよい１、次に第２
図（ｄ）に示すようｒｃジョーク５とする高透磁率磁性
腕をｈＥ挨した仮、レジストパターン１７をマスクとし
てこの尚込儒半磁性ｊ良をヨーク１５の形状にエツチン
グ加工し、レジストパターン１７を除去すること（′（
より、第２凶（ｃ）に示すようにヨーク付Ｍｈ・素子の
泰本？１１１分が出来上がる。図には示していないので
あるか、この後、必吸に応じて更に保護絶縁ｊ曽を形成
し、Ｍ ｌ（１換ストライブの両端から電体をとること
でヨークイ」Ｍｌ（・素子が完成する。
び（ｅｌは本％ ”１４の製造方法の実施例を説明する
だめの図で製造工程順に示した素子断面図である。代表
的なヨーク付ＭＲ素子は第２図（ｅ）に示す如く、表面
が絶縁された基板Ｉｌ上に形成されたＭＲ膜ストライプ
１２、ヨーク１５、及びそれらを互いに絶縁する絶Ｍ、
崩１３゜１４から構成される。これを製造するにｑＭＢ
・膜ストライブ形成工程として、まず第２ ｔｇ、＋
（ａ）に示すように表面が絶縁された基板ｌｌ上ＫＭＩ
（股１２及び第１の絶縁層１３を続けて積層する。仄に
、第２図（ｂ）に示すように、このＭｌ（・膜１２と第
１の絶縁層１３をストライブ形状のレジストパターン１
６をマスクとしてパターンエツチング金イコない、ＭＥ
・膜ストライプパターンを形成する。仁のパターンエツ
チングの際、基板１１も同将に１９１定の深さだけエツ
チング除去しておく。ここで所定の深さとは、はぼ、こ
れに続く工程で心安に応じて積層する第２の絶縁層１４
のＪγさｔｌがら、この厚さｔｌにヨーク１５の厚さｔ
、を加えた１、＋１゜’！テ程度の大きさとする。次罠
、レジストパターン１６を除去してからヨーク形成工程
として、必要であれば第２図（ｃ）に示すように第２の
絶縁層１４を積層する。この第２の絶縁層１４はＭ ｉ
（・膜１２とヨーク１５とを互いに電気的に絶縁層せる
だめのものであり、絶縁が保たれる限り薄い方が望まし
い。尚、Ｍ Ｒ膜１２と汁５１の絶線）。ｉｌ３反びｇ
４７Ｈｚとのエツチングをいわゆるスパッターエツチン
グで行なり場合、よく知られているようにエツチングさ
れた伸子のｈ ｆ’ｌ”Ｓｒ効果により、桐り込まれた
部分の側血Ｂｉ５分は情くハ４１Ｊ、１１の炉、Ｉ、（
体によっておおわれるため、第２の’Ｙ＋’２ ｌ・ｅ
、 ｔｙ、＋ １４ ｋ、Ｌなくてもよい１、次に第２
図（ｄ）に示すようｒｃジョーク５とする高透磁率磁性
腕をｈＥ挨した仮、レジストパターン１７をマスクとし
てこの尚込儒半磁性ｊ良をヨーク１５の形状にエツチン
グ加工し、レジストパターン１７を除去すること（′（
より、第２凶（ｃ）に示すようにヨーク付Ｍｈ・素子の
泰本？１１１分が出来上がる。図には示していないので
あるか、この後、必吸に応じて更に保護絶縁ｊ曽を形成
し、Ｍ ｌ（１換ストライブの両端から電体をとること
でヨークイ」Ｍｌ（・素子が完成する。
次により具体的な例をあけて本発明の製造方法の実施例
とその効果を１．明する。代表的なヨーク付Ｍ１１（・
素子では、表面が絶縁された基板１１は表面にＡ＋、０
３や５ｉＯｔｉｌＩＡを形ｌ況したＳＬ板、・、（いし
はガラス板やセラミック板であり、〜ＩＢ、ｉｉμ１２
は瞑ｊ１ド数百Ａから千Ａ程度のＮ ｉ Ｉ” ｅ合金
やＮｉｐ、合金でめる。第１の絶縁層１３はＡｌ、０．
ないし５１０２膜であり、ｋｌ Ｈ狭１２とヨーク１５
との短裕を防ぎ、かつ製作中のＭ Ｈ映の劣化をｉｌ７
ノ＜ため数千Ａｔ／）ｌ膜厚を必辺とし、また第２の絶
縁層１４は膜厚が千Ａ以丁のＡｌｔ０３ないしｓ ｉｏ
、Ｉｇ↓である。
とその効果を１．明する。代表的なヨーク付Ｍ１１（・
素子では、表面が絶縁された基板１１は表面にＡ＋、０
３や５ｉＯｔｉｌＩＡを形ｌ況したＳＬ板、・、（いし
はガラス板やセラミック板であり、〜ＩＢ、ｉｉμ１２
は瞑ｊ１ド数百Ａから千Ａ程度のＮ ｉ Ｉ” ｅ合金
やＮｉｐ、合金でめる。第１の絶縁層１３はＡｌ、０．
ないし５１０２膜であり、ｋｌ Ｈ狭１２とヨーク１５
との短裕を防ぎ、かつ製作中のＭ Ｈ映の劣化をｉｌ７
ノ＜ため数千Ａｔ／）ｌ膜厚を必辺とし、また第２の絶
縁層１４は膜厚が千Ａ以丁のＡｌｔ０３ないしｓ ｉｏ
、Ｉｇ↓である。
ヨーク１５はＩｉｋ厚か紅千Ａη）ら舷μｍのＮｉＦｅ
台金や高透磁率アモルファス膜といったものである。
台金や高透磁率アモルファス膜といったものである。
これらのＩｉ￥の成ノ脚には蒸着ヤスバッタリングが適
しており、またこれらのエッチンク加土μ通・浦の化学
エツチングないしはスパッターエ、チ／グ等を用いるこ
とかでさる、特にＩＶＲ膜１２と第１の絶縁ｊ鉛１３及
び基樟１１をストライフパターンにエツチング除去する
工程では、基板１１を序Ｉ定の深さだけｉ’ｈ ４０５
ツチング除去するため、及び第２の絶縁層１４を脳くこ
とが可能であることがらスバッターエッナンクが心して
いる。この所定の深もは４：Ｊｌ：え（づ、記２の巾直
殿油１４の膜厚１１が１００ＯＡ・ヨーク１５の膜厚ｔ
、が１μｍであれに（、ｔｌがら１、 ＋１．すなわち
０１μｍがし１１μｍ である。これにより、表作され
たヨーク伺ＭＥ・素子のＭ）１・膜１２反ひヨーク１５
は第２図（ｅ）に示した如く、符に凧庇′なＩＶｉ合せ
を情することなく、Ｍ １１、膜１２とヨークｉ３がち
ょうど４１４に並んでら己Ｇ゛１されるっまた互いの間
隔ｉｄ Ｎｉ Ｂ・膜１２と４１１の絶縁膜１，３反び
語根１１がエツチングさノまたイ則面都の絶ｄ戎ｊんの
厚さ、一つまり、スパッターエツチングの際に麻去でれ
た基板の鶏！！縁体がＦ４付膚したもの、ないし第２の
Ｉβ”、！ｒａＭＪ ｌ ４の１１さてきまり、どぢら
の揚台もＩＩＪ（ＩＯＡ以下とすることができる。これ
に対し、従来の虐盾力法によれは第１図（ｂ）ｖｃ示し
たようにＭ Ｂ、素子５とヨーク７とは絶縁層６の膜厚
分だけ互いの位置が段違いにずれ、理想形から大きく離
れると共に、互いの距離も絶縁層６の膜理分だけ、すな
わち数千へ程度（（翻れでしまう。尚、これを改善しよ
うとして単純に絶縁ｊ曽６の膜厚を小さくすることは、
ＭＲ素子５とヨーク７とが互いに班なり合うｒｓ（’分
で短絡する危険性を増し、まだ製作中にＭｌ（・膜特性
の劣化を招くだめ実用的でない。
しており、またこれらのエッチンク加土μ通・浦の化学
エツチングないしはスパッターエ、チ／グ等を用いるこ
とかでさる、特にＩＶＲ膜１２と第１の絶縁ｊ鉛１３及
び基樟１１をストライフパターンにエツチング除去する
工程では、基板１１を序Ｉ定の深さだけｉ’ｈ ４０５
ツチング除去するため、及び第２の絶縁層１４を脳くこ
とが可能であることがらスバッターエッナンクが心して
いる。この所定の深もは４：Ｊｌ：え（づ、記２の巾直
殿油１４の膜厚１１が１００ＯＡ・ヨーク１５の膜厚ｔ
、が１μｍであれに（、ｔｌがら１、 ＋１．すなわち
０１μｍがし１１μｍ である。これにより、表作され
たヨーク伺ＭＥ・素子のＭ）１・膜１２反ひヨーク１５
は第２図（ｅ）に示した如く、符に凧庇′なＩＶｉ合せ
を情することなく、Ｍ １１、膜１２とヨークｉ３がち
ょうど４１４に並んでら己Ｇ゛１されるっまた互いの間
隔ｉｄ Ｎｉ Ｂ・膜１２と４１１の絶縁膜１，３反び
語根１１がエツチングさノまたイ則面都の絶ｄ戎ｊんの
厚さ、一つまり、スパッターエツチングの際に麻去でれ
た基板の鶏！！縁体がＦ４付膚したもの、ないし第２の
Ｉβ”、！ｒａＭＪ ｌ ４の１１さてきまり、どぢら
の揚台もＩＩＪ（ＩＯＡ以下とすることができる。これ
に対し、従来の虐盾力法によれは第１図（ｂ）ｖｃ示し
たようにＭ Ｂ、素子５とヨーク７とは絶縁層６の膜厚
分だけ互いの位置が段違いにずれ、理想形から大きく離
れると共に、互いの距離も絶縁層６の膜理分だけ、すな
わち数千へ程度（（翻れでしまう。尚、これを改善しよ
うとして単純に絶縁ｊ曽６の膜厚を小さくすることは、
ＭＲ素子５とヨーク７とが互いに班なり合うｒｓ（’分
で短絡する危険性を増し、まだ製作中にＭｌ（・膜特性
の劣化を招くだめ実用的でない。
こうして、よく知られているようにヨークの効果はヨー
クとＭＲ膜との距離が小さくなるにつれて急激に増大す
るため、互いの配置が理想形となったことと合わせて、
本実施例の製造方法によるヨーク付Ｍ Ｒ・素子では従
来の製造方法によるよりも大きなヨーク効果が得られ、
例えは磁界に対する感度では２倍以上が侮られている。
クとＭＲ膜との距離が小さくなるにつれて急激に増大す
るため、互いの配置が理想形となったことと合わせて、
本実施例の製造方法によるヨーク付Ｍ Ｒ・素子では従
来の製造方法によるよりも大きなヨーク効果が得られ、
例えは磁界に対する感度では２倍以上が侮られている。
以上説明したように、本発明のヨーク伺ＭＲ・素子の製
造方法によれは、ＭＲ膜とヨークとが理想的に配置され
、ヨーク効果を十分にｉ占かせるヨーク刊ＭＲ素子を容
易に製造できる。
造方法によれは、ＭＲ膜とヨークとが理想的に配置され
、ヨーク効果を十分にｉ占かせるヨーク刊ＭＲ素子を容
易に製造できる。
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれヨーク付人４Ｒ・素
子の基本構成を示した平面図及び肋面図、第２図（ａ）
。 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）及び（ｅ）は本発明の
製造方法の実施例を説明するための図で工程に従って示
す素子１９１面図である。 図において、１ 、５及び１２はＩＶｉ ）ｌ膜、２．
７反び１５はヨークの高憧磁率磁性１ｊＬ３は電極、４
反び１１は表１１が絶縁された基板、６は絶縁層、１３
は第１の絶縁層、１４は第２の絶縁層、１６はストライ
ブ形状のレジストパターンであり、１７１ｄヨーク形状
のレジストバター７’Ｔ：ある。 第 １ 胆 （（１） （ｂ） 第 ２ 胆
子の基本構成を示した平面図及び肋面図、第２図（ａ）
。 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）及び（ｅ）は本発明の
製造方法の実施例を説明するための図で工程に従って示
す素子１９１面図である。 図において、１ 、５及び１２はＩＶｉ ）ｌ膜、２．
７反び１５はヨークの高憧磁率磁性１ｊＬ３は電極、４
反び１１は表１１が絶縁された基板、６は絶縁層、１３
は第１の絶縁層、１４は第２の絶縁層、１６はストライ
ブ形状のレジストパターンであり、１７１ｄヨーク形状
のレジストバター７’Ｔ：ある。 第 １ 胆 （（１） （ｂ） 第 ２ 胆
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面が絶縁された基板上に強磁９磁気抵ゎＩ、効果膜及
び第１の絶縁層を積増し、これらの積層膜を前記ストラ
イブの形状にエッナング加工すると同基板表面を技うよ
うに簡透磁車姉性膜を設けると共に前記第１の絶縁層上
の高透磁率磁性Ｊｂ１を工。 ナンク除去することを腸徴とするヨーク旬−Ｊｉｌｉ
ｍ性イ鼓気抵抗効果素子の製ｌｈカ汰。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070487A JPS59195889A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | ヨ−ク付強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070487A JPS59195889A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | ヨ−ク付強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195889A true JPS59195889A (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=13432922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070487A Pending JPS59195889A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | ヨ−ク付強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195889A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117308A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | Canon Electronics Inc | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 |
| US6434814B1 (en) * | 1998-12-16 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing a magnetic head including a read head with read track width defining layer that planarizes the write gap layer of a write head |
| WO2009084434A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気センサ及び磁気センサモジュール |
| WO2009084435A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気センサ及び磁気センサモジュール |
| JP2018152452A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| JP2018194534A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気センサ |
| US10816615B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-10-27 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Magnetic sensor |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070487A patent/JPS59195889A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117308A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | Canon Electronics Inc | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 |
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| US6519118B2 (en) * | 1998-12-16 | 2003-02-11 | International Business Machines Corporation | Read head with read track width defining layer that planarizes the write gap layer of a write head |
| WO2009084434A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気センサ及び磁気センサモジュール |
| WO2009084435A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気センサ及び磁気センサモジュール |
| US7859258B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-12-28 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic sensor and magnetic sensor module |
| JP5066581B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-11-07 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサ及び磁気センサモジュール |
| JP5066580B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-11-07 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサ及び磁気センサモジュール |
| JP2018152452A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| JP2018194534A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気センサ |
| US10816615B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-10-27 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Magnetic sensor |
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