JPH06267035A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH06267035A JPH06267035A JP5582893A JP5582893A JPH06267035A JP H06267035 A JPH06267035 A JP H06267035A JP 5582893 A JP5582893 A JP 5582893A JP 5582893 A JP5582893 A JP 5582893A JP H06267035 A JPH06267035 A JP H06267035A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドを製造する
とき、ＭＲ素子成膜の際に下部ヨークのトラック幅方向
の長さとＭＲ素子端部との関係を適切に選定する。 【構成】 ＭＲ素子１６を成膜するとき、その端部はト
ラック幅方向において下部ヨーク４の端部より少なくと
も２００μｍ内部に形成される。
とき、ＭＲ素子成膜の際に下部ヨークのトラック幅方向
の長さとＭＲ素子端部との関係を適切に選定する。 【構成】 ＭＲ素子１６を成膜するとき、その端部はト
ラック幅方向において下部ヨーク４の端部より少なくと
も２００μｍ内部に形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の電気抵抗が磁
界中で変化する磁気抵抗効果（以下これをＭＲという）
素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法の改良に関する
ものであり、その特性を向上するものである。
界中で変化する磁気抵抗効果（以下これをＭＲという）
素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法の改良に関する
ものであり、その特性を向上するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドにおい
て、たとえばＮｉ−ＦｅのようなＭＲ素子となる強磁性
薄膜には異方性分散があるため、ＭＲ素子の平均的磁化
容易軸の方向に対し、局所的な容易軸はある範囲内で傾
いている。これが、ＭＲ素子に磁界に対する特性に局所
的に“とび”を引起こしている。そして、ＭＲ素子は磁
電変換素子のため、この磁気的な“とび”が電気的ノイ
ズとなるので、これを磁気ヘッドの非動作点側に移動さ
せ、このノイズをなくす必要がある。このために、ＭＲ
素子の平均的磁化容易軸の方向をトラック幅方向に対し
て傾けて形成する方法が知られている。そして、ＭＲ素
子膜の平均的磁化容易軸の方向は、ＭＲ素子膜成膜中に
ＭＲ素子膜に印加される外部磁場の方向により決定され
る（薦田，南方 関西電気関係学会関西支部連合大会
Ｓ３７ １９８９）。
て、たとえばＮｉ−ＦｅのようなＭＲ素子となる強磁性
薄膜には異方性分散があるため、ＭＲ素子の平均的磁化
容易軸の方向に対し、局所的な容易軸はある範囲内で傾
いている。これが、ＭＲ素子に磁界に対する特性に局所
的に“とび”を引起こしている。そして、ＭＲ素子は磁
電変換素子のため、この磁気的な“とび”が電気的ノイ
ズとなるので、これを磁気ヘッドの非動作点側に移動さ
せ、このノイズをなくす必要がある。このために、ＭＲ
素子の平均的磁化容易軸の方向をトラック幅方向に対し
て傾けて形成する方法が知られている。そして、ＭＲ素
子膜の平均的磁化容易軸の方向は、ＭＲ素子膜成膜中に
ＭＲ素子膜に印加される外部磁場の方向により決定され
る（薦田，南方 関西電気関係学会関西支部連合大会
Ｓ３７ １９８９）。
【０００３】この方法でＭＲ素子を形成し、単独の薄膜
磁気ヘッドを製造する場合、従来は下部ヨークとして、
ＭＲ素子成膜温度ＴよりＣｕｒｉｅ温度（以下、これを
Ｔcと表わす）の低いフェライト基板等を用いており、
これらはＭＲ素子成膜の際、その成膜温度で磁性体でな
くなるため、外部磁界は乱されることなくＭＲ素子に印
加され、外部磁界を与えた方向にＭＲ素子の平均的容易
軸を向けることができ成膜できた。
磁気ヘッドを製造する場合、従来は下部ヨークとして、
ＭＲ素子成膜温度ＴよりＣｕｒｉｅ温度（以下、これを
Ｔcと表わす）の低いフェライト基板等を用いており、
これらはＭＲ素子成膜の際、その成膜温度で磁性体でな
くなるため、外部磁界は乱されることなくＭＲ素子に印
加され、外部磁界を与えた方向にＭＲ素子の平均的容易
軸を向けることができ成膜できた。
【０００４】また、下部ヨークとしてＴc がＴより高い
ＦｅＡｌＳｉ等の、ＭＲ素子成膜温度で磁性体である膜
を用いる場合でも、その膜の面積がＭＲ素子に対し十分
広いと、一様な外部磁界中において磁性体膜である下部
ヨークの近傍で生じる磁界の方向の変化はＭＲ素子にお
よばず、一様な外部磁界方向にＭＲ素子の平均的容易軸
を向けて成膜することができ、良好なヘッド特性が得ら
れた。この膜の面積はトラック幅方向の長さとこれに直
角の深さ方向の長さによって決定される。
ＦｅＡｌＳｉ等の、ＭＲ素子成膜温度で磁性体である膜
を用いる場合でも、その膜の面積がＭＲ素子に対し十分
広いと、一様な外部磁界中において磁性体膜である下部
ヨークの近傍で生じる磁界の方向の変化はＭＲ素子にお
よばず、一様な外部磁界方向にＭＲ素子の平均的容易軸
を向けて成膜することができ、良好なヘッド特性が得ら
れた。この膜の面積はトラック幅方向の長さとこれに直
角の深さ方向の長さによって決定される。
【０００５】しかし、近年、記録用ヘッドと再生用ヘッ
ド、右チャンネルあるいは左チャンネルの再生用ヘッド
同士を同一基板上に設けた複合型薄膜磁気ヘッドが開発
されている。このうち記録用ヘッドと再生用ヘッドの複
合型薄膜磁気ヘッドの断面図を図１に示す。
ド、右チャンネルあるいは左チャンネルの再生用ヘッド
同士を同一基板上に設けた複合型薄膜磁気ヘッドが開発
されている。このうち記録用ヘッドと再生用ヘッドの複
合型薄膜磁気ヘッドの断面図を図１に示す。
【０００６】図１は、本発明の一実施例の断面図である
が、断面に関しては従来の例と共用できるので、図１に
ついて従来の例について説明する。
が、断面に関しては従来の例と共用できるので、図１に
ついて従来の例について説明する。
【０００７】磁性体の基板１０１の表面に設けた溝１０
１ａには、非磁性層１０２が埋込まれ、その表面に第１
の絶縁薄膜３，さらにその表面に左右にずらして下部ヨ
ーク４およびそれに一部重なった第３の絶縁薄膜６が形
成されている。下部ヨーク４の表面には第２の絶縁薄膜
５，バイアス線７，第４の絶縁薄膜９，ＭＲ素子１６，
第６の絶縁薄膜１１，第１の上部ヨーク１３および１４
等が積層されている。
１ａには、非磁性層１０２が埋込まれ、その表面に第１
の絶縁薄膜３，さらにその表面に左右にずらして下部ヨ
ーク４およびそれに一部重なった第３の絶縁薄膜６が形
成されている。下部ヨーク４の表面には第２の絶縁薄膜
５，バイアス線７，第４の絶縁薄膜９，ＭＲ素子１６，
第６の絶縁薄膜１１，第１の上部ヨーク１３および１４
等が積層されている。
【０００８】下部ヨーク４に一部重なった第３の絶縁薄
膜６の表面には導体巻線８，第５の絶縁薄膜１０，第７
の絶縁薄膜１２，第２の上部ヨーク１５等が積層されて
いる。
膜６の表面には導体巻線８，第５の絶縁薄膜１０，第７
の絶縁薄膜１２，第２の上部ヨーク１５等が積層されて
いる。
【０００９】全体はパッシベーション膜１７により覆わ
れている。この製造方法については後で詳述される。
れている。この製造方法については後で詳述される。
【００１０】第１のフロントギャップ１０ａは、第１の
上部ヨーク１３と第６の絶縁薄膜１１と下部ヨーク４に
より形成され、第２のフロントギャップ１０ｂは下部ヨ
ーク４と第１の絶縁薄膜３と基板１０１により形成され
ており、磁気テープのような磁気記録媒体１８はこれら
のフロントギャップに対向して図の上下方向に走行す
る。
上部ヨーク１３と第６の絶縁薄膜１１と下部ヨーク４に
より形成され、第２のフロントギャップ１０ｂは下部ヨ
ーク４と第１の絶縁薄膜３と基板１０１により形成され
ており、磁気テープのような磁気記録媒体１８はこれら
のフロントギャップに対向して図の上下方向に走行す
る。
【００１１】再生用薄膜磁気ヘッド１００ａの磁気回路
は、第１の上部ヨーク１３，第１のフロントギャップ１
０ａ，下部ヨーク４，第１の上部ヨーク１４，ＭＲ素子
１６等により構成されている。記録用薄膜磁気ヘッド１
００ｂの磁気回路は、第２の上部ヨーク１５，下部ヨー
ク４，第２のフロントギャップ１０ｂ，基板１０１等に
より構成されている。
は、第１の上部ヨーク１３，第１のフロントギャップ１
０ａ，下部ヨーク４，第１の上部ヨーク１４，ＭＲ素子
１６等により構成されている。記録用薄膜磁気ヘッド１
００ｂの磁気回路は、第２の上部ヨーク１５，下部ヨー
ク４，第２のフロントギャップ１０ｂ，基板１０１等に
より構成されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図１において、再生用
薄膜磁気ヘッド１００ａの磁気回路を構成する磁性体で
ある下部ヨーク４の一部が、記録用薄膜磁気ヘッド１０
０ｂの磁気回路の一部を構成しているため、共通の磁性
薄膜である下部ヨーク４の面積は、記録用薄膜磁気ヘッ
ド１００ｂのトラック幅や、再生用および記録用薄膜磁
気ヘッド１００ａおよび１００ｂの磁気回路により規制
を受ける。特にトラック幅により規制を受ける。
薄膜磁気ヘッド１００ａの磁気回路を構成する磁性体で
ある下部ヨーク４の一部が、記録用薄膜磁気ヘッド１０
０ｂの磁気回路の一部を構成しているため、共通の磁性
薄膜である下部ヨーク４の面積は、記録用薄膜磁気ヘッ
ド１００ｂのトラック幅や、再生用および記録用薄膜磁
気ヘッド１００ａおよび１００ｂの磁気回路により規制
を受ける。特にトラック幅により規制を受ける。
【００１３】このため面積の小さい形状となり、ＭＲ素
子１６の成膜の際に下部ヨーク４の端部で生じる磁界の
方向の変化による影響を受け、ＭＲ素子１６の平均的容
易軸の方向を規制できなくなり、よいヘッド特性が得ら
れなかった。
子１６の成膜の際に下部ヨーク４の端部で生じる磁界の
方向の変化による影響を受け、ＭＲ素子１６の平均的容
易軸の方向を規制できなくなり、よいヘッド特性が得ら
れなかった。
【００１４】本発明の目的は、ＭＲ素子成膜の際に磁気
的に影響を与える磁性薄膜である下部ヨーク４の面積に
関連するトラック幅方向の長さとＭＲ素子の端部との関
係を適切に選定することにある。
的に影響を与える磁性薄膜である下部ヨーク４の面積に
関連するトラック幅方向の長さとＭＲ素子の端部との関
係を適切に選定することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法においては、磁気抵抗効果素子を成膜する
際、これに対向する磁性薄膜の端よりトラック幅方向に
おいて少なくとも２００μｍ内部に形成するようにし
た。
の製造方法においては、磁気抵抗効果素子を成膜する
際、これに対向する磁性薄膜の端よりトラック幅方向に
おいて少なくとも２００μｍ内部に形成するようにし
た。
【００１６】
【作用】下部ヨークの端部とＭＲ素子の端部とのトラッ
ク幅方向の距離を少なくとも２００μｍとすることによ
り、良好な特性が得られる。
ク幅方向の距離を少なくとも２００μｍとすることによ
り、良好な特性が得られる。
【００１７】
【実施例】図１は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッド
の断面図である。これは以下のようにして製造される。
の断面図である。これは以下のようにして製造される。
【００１８】磁性体である基板１０１の表面に、ダイシ
ングまたはエッチングなどの手段により溝１０１ａを形
成した後、溝部分にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 、ガラス、ポ
リイミド等の非磁性層１０２を充填して表面を平坦化し
た後、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3等をスパッタ，蒸着，ＣＶ
Ｄなどの方法により第１の絶縁薄膜３を形成する。
ングまたはエッチングなどの手段により溝１０１ａを形
成した後、溝部分にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 、ガラス、ポ
リイミド等の非磁性層１０２を充填して表面を平坦化し
た後、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3等をスパッタ，蒸着，ＣＶ
Ｄなどの方法により第１の絶縁薄膜３を形成する。
【００１９】この第１の絶縁薄膜３の上面に、Ｎｉ−Ｆ
ｅ，ＦｅＡｌＳｉ，アモルファス（Ｃｏ−Ｚｒ）等の磁
性薄膜をメッキ，スパッタ，蒸着等の方法により成膜
し、イオンミリング，ウエットエッチング等により加工
して下部ヨーク４を形成する。そして、この下部ヨーク
４の上面に、第１の絶縁薄膜３と同様の材料，方法によ
り成膜し、イオンミリング、ウエットエッチングなどの
手段により所定の形状に加工して第２の絶縁薄膜５およ
び第３の絶縁薄膜６を同時に形成する。
ｅ，ＦｅＡｌＳｉ，アモルファス（Ｃｏ−Ｚｒ）等の磁
性薄膜をメッキ，スパッタ，蒸着等の方法により成膜
し、イオンミリング，ウエットエッチング等により加工
して下部ヨーク４を形成する。そして、この下部ヨーク
４の上面に、第１の絶縁薄膜３と同様の材料，方法によ
り成膜し、イオンミリング、ウエットエッチングなどの
手段により所定の形状に加工して第２の絶縁薄膜５およ
び第３の絶縁薄膜６を同時に形成する。
【００２０】この第２および第３の絶縁薄膜５，６の上
部に、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕなどの導体薄膜を、蒸着，スパ
ッタ等の方法により成膜し、フォトリソグラフィーを用
いてウエットエッチング，スパッタエッチング等の方法
により所定の形状に加工し、バイアス線７および導体巻
線８を同時に形成する。
部に、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕなどの導体薄膜を、蒸着，スパ
ッタ等の方法により成膜し、フォトリソグラフィーを用
いてウエットエッチング，スパッタエッチング等の方法
により所定の形状に加工し、バイアス線７および導体巻
線８を同時に形成する。
【００２１】次に、上記バイアス線７および導体巻線８
を覆うようにＳｉＯ2 等をスパッタ，蒸着，ＣＶＤなど
の方法により成膜し、所定の形状に加工して第４および
第５の絶縁薄膜９および１０を形成する。
を覆うようにＳｉＯ2 等をスパッタ，蒸着，ＣＶＤなど
の方法により成膜し、所定の形状に加工して第４および
第５の絶縁薄膜９および１０を形成する。
【００２２】次に、第４の絶縁薄膜９の上部に、Ｎｉ−
Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｏなどを成膜し、フォトリソグラフィー
を用いて、ウエットエッチング，スパッタエッチング等
の方法により所定の形状に加工し、ＭＲ素子１６を成膜
する。
Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｏなどを成膜し、フォトリソグラフィー
を用いて、ウエットエッチング，スパッタエッチング等
の方法により所定の形状に加工し、ＭＲ素子１６を成膜
する。
【００２３】次に、基板表面全体を覆うようにＳｉ
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 などをスパッタ，蒸着，ＣＶＤ等の方
法により絶縁薄膜を成膜し、下部ヨーク４の上部の、第
２および第４の絶縁薄膜５および９と、下部ヨーク４の
上部に一部重なる第３および第５の絶縁薄膜６および１
０の間に所定の間隔を有するように加工して、第６およ
び第７の絶縁薄膜１１および１２を同時に形成する。
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 などをスパッタ，蒸着，ＣＶＤ等の方
法により絶縁薄膜を成膜し、下部ヨーク４の上部の、第
２および第４の絶縁薄膜５および９と、下部ヨーク４の
上部に一部重なる第３および第５の絶縁薄膜６および１
０の間に所定の間隔を有するように加工して、第６およ
び第７の絶縁薄膜１１および１２を同時に形成する。
【００２４】そして、基板表面全面にＮｉ−Ｆｅ，Ｆｅ
ＡｌＳｉ，アモルファス（Ｃｏ−Ｚｒ）などの磁性薄膜
をメッキ，スパッタ，蒸着などの方法により成膜し、上
記ＭＲ素子１６の上部においてギャップを有するように
加工して、再生用薄膜磁気ヘッド１００ａのための第１
の上部ヨーク１３および１４と記録用薄膜磁気ヘッド１
００ｂのための第２の上部ヨーク１５を形成する。
ＡｌＳｉ，アモルファス（Ｃｏ−Ｚｒ）などの磁性薄膜
をメッキ，スパッタ，蒸着などの方法により成膜し、上
記ＭＲ素子１６の上部においてギャップを有するように
加工して、再生用薄膜磁気ヘッド１００ａのための第１
の上部ヨーク１３および１４と記録用薄膜磁気ヘッド１
００ｂのための第２の上部ヨーク１５を形成する。
【００２５】その後、基板表面全面にＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 等の絶縁薄膜をスパッタ，蒸着，ＣＶＤ等の方法に
より成膜しパッシベーション膜１７を形成する。これに
よって複合型薄膜磁気ヘッド１００が完成する。
Ｏ3 等の絶縁薄膜をスパッタ，蒸着，ＣＶＤ等の方法に
より成膜しパッシベーション膜１７を形成する。これに
よって複合型薄膜磁気ヘッド１００が完成する。
【００２６】上記の構造を有する複合型薄膜磁気ヘッド
において、下部ヨーク４として、ＭＲ素子１６を成膜す
る際に、ＭＲ素子成膜温度にて磁性体である、すなわ
ち、ＭＲ素子よりＴc の高い材料を用いた。そして、下
部ヨーク４が下記の表１のように面積の小さいＡおよび
面積の大きいＢの場合について検討した。
において、下部ヨーク４として、ＭＲ素子１６を成膜す
る際に、ＭＲ素子成膜温度にて磁性体である、すなわ
ち、ＭＲ素子よりＴc の高い材料を用いた。そして、下
部ヨーク４が下記の表１のように面積の小さいＡおよび
面積の大きいＢの場合について検討した。
【００２７】
【表１】
【００２８】それぞれの場合において、そのトラック幅
方向（図１の紙面に対して直角方向）に対し、３０度傾
けた方向に一様な外部磁界を印加してＭＲ素子１６を成
膜し、上記下部ヨーク４の中央部にトラック幅６００μ
ｍにパターン化されたＭＲ素子１６を用いたヘッドにお
いて、Ａの場合は、ＭＲ素子の特性がトラック幅方向で
ばらつきが大きく、ヘッドとして使用できなかった。し
かし、下部ヨーク４の面積をＢの大きさに広げた場合に
おいては、ＭＲ素子の特性のトラック幅方向のばらつき
は大幅に改善され、ヘッドとして使用できる良好な特性
を得た。表１において、深さ方向は図面に平行に磁気記
録媒体に直角な方向である。深さ方向の大きさも磁界の
変化に影響するが、本発明においては、特にＭＲ素子１
６と下部ヨーク４のトラック幅方向の関係について検討
した。
方向（図１の紙面に対して直角方向）に対し、３０度傾
けた方向に一様な外部磁界を印加してＭＲ素子１６を成
膜し、上記下部ヨーク４の中央部にトラック幅６００μ
ｍにパターン化されたＭＲ素子１６を用いたヘッドにお
いて、Ａの場合は、ＭＲ素子の特性がトラック幅方向で
ばらつきが大きく、ヘッドとして使用できなかった。し
かし、下部ヨーク４の面積をＢの大きさに広げた場合に
おいては、ＭＲ素子の特性のトラック幅方向のばらつき
は大幅に改善され、ヘッドとして使用できる良好な特性
を得た。表１において、深さ方向は図面に平行に磁気記
録媒体に直角な方向である。深さ方向の大きさも磁界の
変化に影響するが、本発明においては、特にＭＲ素子１
６と下部ヨーク４のトラック幅方向の関係について検討
した。
【００２９】ＭＲ素子は、左右両チャンネルを再生する
ものとし下部ヨークの中心線に対し左右に２個配列して
ある。
ものとし下部ヨークの中心線に対し左右に２個配列して
ある。
【００３０】図２は、上記のことを確認するために有限
要素法を用いたシミュレーション結果を示すグラフであ
る。実施例と同じ図１のヘッド構造で表１に示す大きさ
を持つ２種類の場合について、磁性薄膜である下部ヨー
ク４の比透磁率を１０００として行なった。その結果、
下部ヨーク４の内部の磁界の方向は、下部ヨーク４の形
状と面積に依存することが分かった。この下部ヨーク４
がその周辺の磁界に影響を与える。
要素法を用いたシミュレーション結果を示すグラフであ
る。実施例と同じ図１のヘッド構造で表１に示す大きさ
を持つ２種類の場合について、磁性薄膜である下部ヨー
ク４の比透磁率を１０００として行なった。その結果、
下部ヨーク４の内部の磁界の方向は、下部ヨーク４の形
状と面積に依存することが分かった。この下部ヨーク４
がその周辺の磁界に影響を与える。
【００３１】そして、ＭＲ素子成膜部に相当する、下部
ヨーク４の２．５μｍ上部の、ＭＲ素子１６が形成され
る場所における磁界の方向を、一様外部磁界方向に対し
てどれだけ傾いているか計算した結果が図２に示されて
いる。
ヨーク４の２．５μｍ上部の、ＭＲ素子１６が形成され
る場所における磁界の方向を、一様外部磁界方向に対し
てどれだけ傾いているか計算した結果が図２に示されて
いる。
【００３２】実際のヘッドでＭＲ素子１６が形成される
部分（以下ＭＲ素子部と表わす）は矢印で示した部分で
ある。
部分（以下ＭＲ素子部と表わす）は矢印で示した部分で
ある。
【００３３】図２により、Ａの場合は、一様外部磁界の
方向にＭＲ素子部の磁界の方向は傾斜せず、ほとんどト
ラック幅方向を向いている。また、ＭＲ素子部の端と下
部ヨーク４の端との距離が１００μｍのため、ＭＲ素子
部の端での磁界の方向が大きく変化し、一様外部磁界の
方向にＭＲ素子の平均的容易軸を向けることができな
い。
方向にＭＲ素子部の磁界の方向は傾斜せず、ほとんどト
ラック幅方向を向いている。また、ＭＲ素子部の端と下
部ヨーク４の端との距離が１００μｍのため、ＭＲ素子
部の端での磁界の方向が大きく変化し、一様外部磁界の
方向にＭＲ素子の平均的容易軸を向けることができな
い。
【００３４】しかし、磁性薄膜の面積を広げたＢの場合
は、Ａの場合よりＭＲ素子部の磁界の方向が一様外部磁
界の方向に向いており、ＭＲ素子部の端と下部ヨークの
端との距離が３００μｍ以上内部にあるため、Ａの場合
のように下部ヨークの端部で起こる磁界の変化の影響を
受けにくくなり、ＭＲ素子部のトラック幅方向の磁界の
方向の変化が小さくなり、下部ヨーク４の面積を広げる
ことにより、ＭＲ素子の平均的容易軸を外部磁界の方向
にほぼ向けることができる。
は、Ａの場合よりＭＲ素子部の磁界の方向が一様外部磁
界の方向に向いており、ＭＲ素子部の端と下部ヨークの
端との距離が３００μｍ以上内部にあるため、Ａの場合
のように下部ヨークの端部で起こる磁界の変化の影響を
受けにくくなり、ＭＲ素子部のトラック幅方向の磁界の
方向の変化が小さくなり、下部ヨーク４の面積を広げる
ことにより、ＭＲ素子の平均的容易軸を外部磁界の方向
にほぼ向けることができる。
【００３５】また、下部ヨーク４の膜厚が１μｍ〜１５
μｍで、ＭＲ素子部が下部ヨークの端より２００μｍ以
上内部にある場合についても、Ｂの場合と同様にＭＲ素
子の平均的容易軸を外部磁界の方向に向けることができ
る。
μｍで、ＭＲ素子部が下部ヨークの端より２００μｍ以
上内部にある場合についても、Ｂの場合と同様にＭＲ素
子の平均的容易軸を外部磁界の方向に向けることができ
る。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドにおいて、下部ヨークがパターンの大きさに制限
を受ける場合においても良好なＭＲ素子の特性が得られ
る。
ヘッドにおいて、下部ヨークがパターンの大きさに制限
を受ける場合においても良好なＭＲ素子の特性が得られ
る。
【図１】複合型薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】下部ヨークの面積の小さい場合と大きい場合の
トラック幅方向のＭＲ素子部における磁界の変化を示す
グラフである。
トラック幅方向のＭＲ素子部における磁界の変化を示す
グラフである。
１００ 複合型薄膜磁気ヘッド １００ａ 再生用薄膜磁気ヘッド １００ｂ 記録用薄膜磁気ヘッド １０ａ 第１のフロントギャップ １０ｂ 第２のフロントギャップ １０１ 基板 １０１ａ 溝 １０２ 非磁性層 ３ 第１の絶縁薄膜 ４ 下部ヨーク ５ 第２の絶縁薄膜 ６ 第３の絶縁薄膜 ７ バイアス線 ８ 導体巻線 ９ 第４の絶縁薄膜 １０ 第５の絶縁薄膜 １１ 第６の絶縁薄膜 １２ 第７の絶縁薄膜 １３，１４ 第１の上部ヨーク １５ 第２の上部ヨーク １６ ＭＲ素子 １７ パッシベーション膜 １８ 磁気記録媒体
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子に対向するパターン化
された磁性薄膜上部に成膜され、膜面内方向に一様磁界
を与えることにより一軸異方性を付与される、磁気抵抗
効果素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 磁気抵抗効果素子をパターン化された磁性薄膜の端より
トラック幅方向において少なくとも２００μｍ内部に形
成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5582893A JPH06267035A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5582893A JPH06267035A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267035A true JPH06267035A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13009833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5582893A Withdrawn JPH06267035A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267035A (ja) |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5582893A patent/JPH06267035A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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