JPH08315320A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 引き出し導体がシールドギャップ間隔に与え
る影響を回避し、良好な周波数特性を得るとともに、バ
ルクハウゼンノイズを大幅に低減させ、磁気抵抗効果素
子に応力が集中することを抑止する。 【構成】 ＭＲ素子３上の絶縁膜８の上面の段差が、Ｍ
Ｒ素子３と引出し電極５，６との重複接続部分である接
続部の引出し電極５，６上の絶縁膜８の上面と５０ｎｍ
以下となるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばデジタルテープ
レコーダーやデータストレージ等の高密度デジタル記録
再生装置に搭載され、磁気抵抗効果を利用して記録信号
を再生する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録は益々高密度化が進み、
狭トラック化、低インダクタンス化、高速転送速度の面
でバルクヘッドに比べ有利な薄膜磁気ヘッドの需要が伸
びている。この薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と同
様に、蒸着、スパッタ等の成膜技術、写真製版、エッチ
ング等のフォトリソグラフィー技術を用いて製造される
ものであるため、ウエハー上にて高精度に一括生産で
き、量産性に優れているという点に特徴があり、今後ハ
ードディスクシステム等においては主流となると予測さ
れる。

【０００３】近時では、上記薄膜磁気ヘッドにおいて
も、より高密度化に対応すべく高性能化の要求があり、
情報信号の記録用のものとしてインダクティブ型薄膜磁
気ヘッドが、再生用のものとして磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド（以下、単にＭＲヘッドと記す）を組み合わせた薄
膜磁気ヘッドや、インダクティブ型薄膜磁気ヘッドとＭ
Ｒヘッドとが同一基板上に一括作成されてなる複合型の
薄膜磁気ヘッドが一部で実用化されている。

【０００４】上記ＭＲヘッドは一般的な磁気誘導型の磁
気ヘッド（巻線を用いた磁気ヘッド）に比べ再生出力が
磁性媒体との相対速度に依存しないことから低相対速度
のシステムにおいても十分な出力を得ることが可能であ
り、今後、高密度記録再生を実現するために必須のデバ
イスとなると考えられる。

【０００５】上記ＭＲヘッドには、大きく分類して、磁
気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と記す）の両側を
非磁性材にて挟み込んだノンシールド型ＭＲヘッドと、
このノンシールド型ＭＲヘッドの再生周波数特性を改善
するために上記ＭＲ素子を軟磁性材よりなる上下部シー
ルド板により狭持されたシールド型ＭＲヘッド、及び耐
摩耗性等の諸特性の安定化の為に磁束を上記ＭＲ素子へ
導きこのＭＲ素子を非露出型としたいわゆるヨーク型Ｍ
Ｒヘッドの３種類のものがある。

【０００６】上記シールド型ＭＲヘッドは、ノンシール
ド型ＭＲヘッドと比較して周波数特性が良好であり高い
分解能が得られ、しかも上記ヨーク型ＭＲヘッドと比較
してその作製方法が容易であり再生出力も高いことから
最も実用化がなされているＭＲヘッドである。このシー
ルド型ＭＲヘッドには、センス電流がトラック幅方向に
流れる横型タイプとセンス電流がトラック幅方向に対し
て垂直方向に流れる縦型タイプとがあるが、現在では横
型タイプが主流となっている。

【０００７】従来の横型タイプのＭＲヘッドは、図３５
及び図３６（図３５中の線分Ａ−Ａ’よる断面図）に示
すように、軟磁性基板である下部シールド板１０１上に
絶縁膜１０２を介してＭＲ素子１０３が形成され、この
ＭＲ素子１０３上に当該ＭＲ素子１０３にバイアス磁界
を印加するためのバイアス層１０７が形成され、ＭＲ素
子１０３及びバイアス層１０７の長手方向両端部に当該
ＭＲ素子１０３に長手方向に沿って（即ち、磁気記録媒
体摺動面Ａに沿って）センス電流を供給するための電極
である引出し電極１０５，１０６がそれぞれ形成され、
バイアス層１０７上に絶縁膜１０８を介して軟磁性基板
である上部シールド板１０４が接合層１０９により接合
されて構成されている。

【０００８】ここで、ＭＲ素子１０３は、その長手方向
が磁気記録媒体摺動面Ａと平行になるように配置され、
その長手方向端部の一方が上記記録媒体摺動面Ａに露出
されたかたちに研磨加工されている。

【０００９】上述の従来の横型タイプのＭＲヘッドの製
造方法としては、図３７（図３５中の線分Ｂ−Ｂ’によ
る断面図）に示すように、先ず軟磁性材からなる下部シ
ールド板１０１（或いは非磁性基板上へ軟磁性薄膜を成
膜した基板）１０１上に絶縁膜１０２を形成する。そし
て、ＭＲ素子１０３及びバイアス層１０７を成膜し、フ
ォトリソグラフィー技術により所望の形状に加工する。
このとき、ＭＲ素子１０３の磁化容易軸方向をトラック
幅方向に安定化させる必要がある。

【００１０】次いで、ＭＲ素子１０３へセンス電流を供
給するための電極である引出し電極１０５，１０６をＭ
Ｒ素子１０３（バイアス層１０７）上に形成、接続し再
度絶縁層１０８を成膜する。

【００１１】そして、軟磁性材からなる上部シールド板
（或いは非磁性基板上へ軟磁性薄膜を成膜した基板）１
０４を接着材１０９にて接合後、磁気記録媒体摺動面Ａ
の研削加工等の後加工工程を経て上記ＭＲヘッドが完成
する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記シール
ド型ＭＲヘッドに於いては、その周波数特性は図３６
（図３５中の線分Ａ−Ａ’による断面図）及び図３７
（図３５中の線分Ｂ−Ｂ’による断面図）中のシールド
ギャップ間隔ｇによって決定され、このシールドギャッ
プ間隔ｇが小さいほど周波数特性は良好なものとなり、
より高密度の再生を行うことが可能となる。

【００１３】ところが、上記横型タイプのＭＲヘッドの
場合、ＭＲ素子１０３が下部シールド板１０１と上部シ
ールド板１０４とにより挟み込まれているため、シール
ドギャップ間隔ｇの大きさは最も膜厚の大きい引出し電
極１０５，１０６の膜厚により規制されるので、これら
引出し電極１０５，１０６を薄く形成する必要がある。
しかしながら、引出し電極１０５，１０６を薄くすれ
ば、それだけこれら引出し電極１０５，１０６の電気抵
抗値が増大する。すると、ＭＲ素子１０３へ供給するセ
ンス電流を制御するセンス電流回路の負荷の増加等が発
生することになる。したがって、引出し電極１０５，１
０６を薄く形成することは非常に困難であり、シールド
ギャップ間隔ｇを満足な値とすることは難しい。又、図
３７に示した構造を有するＭＲヘッドの場合、磁気記録
媒体摺動面Ａへ接着材１０９が露出するため、ヘッドの
信頼性にも問題が発生する。

【００１４】これらの問題点に対応したＭＲヘッドとし
て、図３８及び図３９（図３８中の線分Ｃ−Ｃ’による
断面図）に示す構造のＭＲヘッドや、図４０、図４１
（図４０中の線分Ｄ−Ｄ’による断面図）、図４２（図
４０中の線分Ｅ−Ｅ’による断面図）、及び図４３（図
２９中の線分Ｆ−Ｆ’による断面図）に示すＭＲヘッド
が提案されている。

【００１５】図３８に示すＭＲヘッドは、図３９に示す
ように、ＭＲ素子１０３及びバイアス層１０７と電気的
に接続される引出し電極１０５，１０６が下部シールド
板１０１に埋め込み形成されているため、引出し電極１
０５，１０６はＭＲ素子１０３の上面に対し同等の高さ
に或は段差的に低く形成されることとなり、引出し電極
１０５，１０６がシールドギャップ間隔ｇの値に影響を
及ぼすことはない。したがって、引出し電極１０５，１
０６を所望の十分な膜厚に形成してセンス電流を安定に
確保しつつも、シールドギャップ間隔ｇの値を所定の小
さな値とすることで良好な周波数特性が得られることと
なる。

【００１６】図４０に示すＭＲヘッドについても同様で
あり、図４２に示すように、ＭＲ素子１０３及びバイア
ス層１０７と電気的に接続される第１の引出し電極１０
５，１０６が下部シールド板１０１に埋め込み形成され
ているため、第１の引出し電極１０５，１０６はＭＲ素
子１０３の上面に対し同等の高さに或は段差的に低く形
成されているので、第１の引出し電極１０５，１０６が
シールドギャップ間隔ｇの値に影響を及ぼすことはな
い。

【００１７】またこの場合、図４１に示すように、第２
の引出し電極１１０，１１１もまた下部シールド板１０
１に埋め込み形成されているため、第２の引出し電極１
１０，１１１はＭＲ素子１０３の上面に対し同等の高さ
に或は段差的に低く形成され、第２の引出し電極１１
０，１１１に付いてもシールドギャップ間隔ｇの値に影
響を及ぼすことはない。したがって、引出し電極１０
５，１０６及び１１０，１１１を所望の十分な膜厚に形
成してセンス電流を安定に確保しつつも、シールドギャ
ップ間隔ｇの値を所定の小さな値とすることにより良好
な周波数特性が得られる。

【００１８】しかしながら、上記ＭＲヘッドにもいくつ
かの問題点がある。

【００１９】上記ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子の磁
区構造が関与した通常バルクハウゼンノイズ（以下、単
にＢ．Ｈ．Ｎと記す）と称されるノイズの発生が問題と
なっており、このＢ．Ｈ．Ｎを低減させることが求めら
れている。

【００２０】このＢ．Ｈ．Ｎの発生原因は、主に磁壁の
移動であるとされており、磁壁の移動により磁化の回転
が起こる場合、ＭＲ素子中の欠陥や不純物、パターンエ
ッジの不整などにより磁壁の移動が不連続になる。これ
によって、磁気抵抗応答曲線が履歴を示したり、不連続
変化を示すようになり、再生出力にＢ．Ｈ．Ｎが発生す
ることとなる。

【００２１】Ｂ．Ｈ．Ｎが発生することによってデジタ
ル記録再生システムにおけるエラーレートの悪化へつな
がることになり、これはＭＲヘッド特有の問題である。

【００２２】ＭＲ素子に磁壁が発生する原因としては、
当該ＭＲ素子の保持力が大きい場合、パターン形状が不
連続な場合、ＭＲ素子に大きな応力が加わった場合、磁
歪が大きい場合、膜中の欠陥等、多くの要因がある。
Ｂ．Ｈ．Ｎを低減させるにはこれらの要因の制御が必要
であり現在様々な手法が報告されている。基本的に、
Ｂ．Ｈ．Ｎを低減するためには、ＭＲ素子の長手方向へ
一軸異方性を誘起し、単磁区状態とすることが有効であ
るとされており、ＭＲ素子単体でＢ．Ｈ．Ｎを低減しよ
うとした場合、ＭＲ素子の形状は形状異方性が強い細長
い短冊形状が理想的であると言える。このとき、ＭＲ素
子を形成する下地には不連続性の少ない平らで且つ面粗
度が良い上面が必要となる。前記した図３８，図３９に
示すＭＲヘッドの構造においては、ＭＲ素子１０３が短
冊形状とはならず鳥居様形状（短冊状部に略々直交した
引出し電極１０５，１０６と接続するための延在部を有
する形状）となるため図３８中ａ１〜ａ４部へ示すよう
な磁壁の発生原因となる不連続部が発生することとな
り、Ｂ．Ｈ．Ｎの発生原因となる。

【００２３】また、図４０〜図４３に示すヘッドでは素
子形状的には最も安定した短冊形状とすることができる
が、ＭＲ素子１０３の成膜面へ第１の引出し電極１０
５、１０６を埋め込むための段差があることから、図４
２中のｂ１〜ｂ４部のような磁区発生原因となる不連続
部が発生することとなり、Ｂ．Ｈ．Ｎの発生原因とな
る。

【００２４】また更に、上記いずれの構造のヘッドにお
いても、ＭＲ素子１０３の上面が下層シールド板１０１
の表面に対し段差的に最も高くなることから、上層シー
ルド板１０４の接合時にＭＲ素子１０３への応力が加わ
り易く、Ｂ．Ｈ．Ｎが発生し易いという問題がある。

【００２５】そこで本発明は、かかる従来の技術的な課
題に鑑みて提案されたものであって、引き出し導体がシ
ールドギャップ間隔に与える影響を回避し、良好な周波
数特性を得るとともに、バルクハウゼンノイズを大幅に
低減させ、しかも上部シールド板の接合時において、磁
気抵抗効果素子に応力が集中することを抑止して、信頼
性の高いＭＲヘッドを提供することを目的とする

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明のＭＲヘッドは、
下部シールド板上にＭＲ素子が形成され、このＭＲ素子
上の接続部に引出し電極が積層されて電気的に接続され
るとともに、これらＭＲ素子及び引出し電極を覆って絶
縁膜が成膜され、さらにこの絶縁膜上に上部シールド板
が接合されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドをその対象
とする。

【００２７】上記ＭＲヘッドは、上記ＭＲ素子上の絶縁
膜の上面の段差が上記接続部の引出し電極上の絶縁膜の
上面と５０ｎｍ以下とされてなることを特徴とするもの
である。

【００２８】このとき、ＭＲ素子をその長手方向が磁気
記録媒体摺動方向と略々平行となるように配することが
好ましい。

【００２９】この場合、各引出し電極上の磁気記録媒体
摺動面から所定距離離間した箇所に補助引出し電極を積
層することが好適である。

【００３０】また、各引出し電極上の磁気記録媒体摺動
面から所定距離離間した箇所に補助引出し電極を積層す
るとともに、上部シールド板の補助引出し電極に対する
対向部に当該補助引出し電極の膜厚以上の深さの凹部を
形成することも好適である。

【００３１】またこの場合、第１の絶縁膜上に、上面が
ＭＲ素子の上面以上の高さとされる接合受け部を設ける
ことも好ましい。

【００３２】また、本発明のＭＲヘッドは、下部シール
ド板上にＭＲ素子が形成され、このＭＲ素子上の接続部
に引出し電極が積層されて電気的に接続されるととも
に、ＭＲ素子上の所定の位置に反強磁性膜若しくは強磁
性膜が成膜され、これらＭＲ素子、反強磁性膜若しくは
強磁性膜、及び引出し電極を覆って絶縁膜が成膜され、
さらにこの絶縁膜上に上部シールド板が接合されてな
り、上記ＭＲ素子上の絶縁膜の上面の段差が上記反強磁
性膜若しくは強磁性膜上の絶縁膜の上面と５０ｎｍ以下
とされてなることを特徴とするものである。

【００３３】

【作用】本発明のＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子上の
絶縁膜の上面の段差が上記接続部の引出し電極上の絶縁
膜の上面と５０ｎｍ以下とされているため、引出し電極
が上部，下部シールド板の間隔（シールドギャップ間
隔）に与える影響が回避される。したがって、引出し電
極の膜厚を十分に確保した上でシールドギャップ間隔を
所定の小さな値とすることが可能となり、良好な周波数
特性を得られることになる。さらに、ＭＲ素子の形状が
短冊形状とされているため、バルクハウゼンノイズ
（Ｂ．Ｈ．Ｎ）に対して最も安定性が高く、しかも平坦
な基板から作製することが可能となる。

【００３４】さらに、上述の構成に加え、一対の引出し
電極上の磁気記録媒体摺動面から所定距離離間した箇所
に補助引出し電極を積層する。このとき例えば、引出し
電極は磁気記録媒体摺動面へ露出するために耐環境性を
目的とした導電材料を用いて成膜するものとし、補助引
出し電極は磁気記録媒体摺動面へ露出しないために低抵
抗値を持つ導電材料を用いて成膜するものとすることに
より、引出し電極に対する耐環境性及び高導電性の双方
の要求を満たすことが可能となる。さらに、ＭＲ素子上
の絶縁膜の上面の段差が上記接続部の引出し電極上の絶
縁膜の上面と５０ｎｍ以下となるように成膜、或は上部
シールド板の補助引出し電極に対する対向部に当該補助
引出し電極の膜厚以上の深さの凹部を形成することによ
り、各引出し電極が上部，下部シールド板の間隔（シー
ルドギャップ間隔）に与える影響が回避され、各引出し
電極の膜厚を十分に確保した上でシールドギャップ間隔
を所定の小さな値とすることが可能となり、良好な周波
数特性を得られることになる。また、ＭＲ素子の形状が
短冊形状とされているために、Ｂ．Ｈ．Ｎに対して最も
安定性が高く、しかも平坦な基板から作製することが可
能となる。

【００３５】また、第１の絶縁膜上に、上面がＭＲ素子
の上面以上の高さとされる接合受け部を設けることによ
り、上部シールド板を接合する際に、ＭＲ素子に加えら
れる応力が緩和し、より安定したＭＲヘッドの作製が可
能となる。

【００３６】また、本発明のＭＲヘッドにおいては、Ｍ
Ｒ素子上の所定の位置に反強磁性膜若しくは強磁性膜が
成膜されている。強磁性薄膜及び強磁性薄膜は何れもＭ
Ｒヘッドの磁区の動きを制限しＢ．Ｈ．Ｎの発生を低減
させる機能を有するため、ＭＲ素子の形状を短冊形状に
限定することなく、例えば作製の容易な鳥居様形状（短
冊状部に略々直交した引出し電極と接続するための延在
部を有する形状）とすることも可能となる。さらに、Ｍ
Ｒ素子上の絶縁膜の上面の段差が上記反強磁性膜若しく
は強磁性膜上の絶縁膜の上面と５０ｎｍ以下となるよう
に成膜することにより、引出し電極が上部，下部シール
ド板の間隔（シールドギャップ間隔）に与える影響が回
避され、引出し電極の膜厚を十分に確保した上でシール
ドギャップ間隔を所定の小さな値とすることが可能とな
り、良好な周波数特性を得られることになる。また、Ｍ
Ｒ素子の形状が短冊形状とされているため、Ｂ．Ｈ．Ｎ
に対して最も安定性が高く、しかも平坦な基板から作製
することが可能となる。

【００３７】

【実施例】以下、本発明に係るＭＲヘッドのいくつかの
実施例を図面を参照しながら説明する。

【００３８】実施例１ 先ず、第１実施例に係るＭＲヘッドは、図１，図２（図
１中で線分Ｇ−Ｇ’による断面図），図３（図１中で線
分Ｈ−Ｈ’による断面図），及び図４（図１中で線分Ｉ
−Ｉ’による断面図）に示すように、ＭＲ素子３が軟磁
性基板である下部シールド板１及び上部シールド板４で
挟み込まれた構造となっており、上部シールド板４は接
着層９により接合されて構成されている。ここで、ＭＲ
素子３は、略々短冊形状とされており、その長手方向が
磁気記録媒体摺動方向と略々平行となるように配されて
いる。

【００３９】具体的には、下部シールド板１上に第１の
絶縁膜２を介してＭＲ素子３及びこのＭＲ素子３にバイ
アス磁界を印加するためのバイアス膜７が順次成膜さ
れ、このバイアス膜７上の接続部上に、ＭＲ素子３及び
バイアス層７にセンス電流を供給するための一対の引出
し電極５，６が被覆形成されている。ここで、ＭＲ素子
３の引出し電極５，６で狭持された部分が磁気抵抗効果
を奏する感磁部となる。さらに、これらバイアス膜７
（及びＭＲ素子３）及び引出し電極５，６上に第２の絶
縁膜８が成膜され、この第２の絶縁膜８上に上部シール
ド板４が接着層９により接合されている。

【００４０】ここで、図２に示すように、ＭＲ素子３上
の絶縁膜８の上面の段差が上記接続部の引出し電極５，
６上の絶縁膜８の上面と５０ｎｍ以下とされている。

【００４１】なお、下部，上部シールド板１，４は軟磁
性薄膜が形成された磁性基板若しくは非磁性基板として
も良い。

【００４２】上記ＭＲヘッドの具体的な作製例を図５〜
図８を参照しながら説明する。図５〜図８は何れも図１
中で線分Ｇ−Ｇ’による断面部を示したものである。

【００４３】先ず、軟磁性材料であるＮｉ−Ｚｎヘマタ
イト等の多結晶フェライトを材料とした下部シールド板
１に、第１の絶縁膜２としてＡｌ₂ Ｏ₃ またはＳｉＯ₂
等がスパッタ法により形成される。ここで、第１の絶縁
膜２は、ＭＲ素子３の上面上に成膜されるため、面粗度
向上を目的とした鏡面研磨、若しくはスピン・オン・グ
ラス（ＳＯＧ）と称される塗布型のＳｉＯ₂ 等を用いて
表面処理が施される。

【００４４】第１の絶縁膜２上には、ＭＲ素子３及び当
該ＭＲ素子３へバイアス磁界を印加するためのバイアス
層７が形成される。ＭＲ素子３の材料としては、一般的
にＮｉ−Ｆｅ合金が用いられ、バイアス層７には、Ｔａ
／Ｎｉ−Ｆｅ−Ｔａ合金が用いられる。なお、シャント
膜によるバイアス方式の場合はシャント膜上へＭＲ素子
を形成するほうが望ましい（図示は省略する）。

【００４５】ＭＲ素子３及びバイアス層７は、図５に示
すように、同時に短冊形状にエッチング加工され、所定
の間隔をもってＭＲ素子３及びバイアス層７の上に引出
し電極５，６が形成される。このとき、バイアス層７
（ＭＲ素子３）の上面に対して最も段差的に高い部分は
ＭＲ素子と引出し電極５，６との接続部１２，１３であ
る。

【００４６】引出し電極５，６は、ＭＲ素子３及びバイ
アス層７へセンス電流を供給するための導体であり、Ａ
ｕ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｗ等の導体により形成される。センス
電流は引出し電極間５、６間のみ流れるので実際に媒体
からの磁束変化を出力に変換する部分はこの導体間隔中
のＭＲ素子であり、この導体間隔がトラック幅となる。

【００４７】そして、ＭＲ素子３、バイアス層７、引出
し電極５、６上に第２の絶縁膜８が形成される。この第
２の絶縁膜８は、第１の絶縁膜２と同様に、ＳｉＯ₂ ，
Ａｌ₂ Ｏ₃ 等をスパッタ法により形成し、その膜厚が引
出し電極５，６の導体膜厚に対し同等若しくは厚くなる
ように成膜する。

【００４８】次いで、図６に示すように、第２の絶縁膜
８上にレジストパターン１４が形成される。レジストパ
ターンは引出し電極５、及び６上へは形成されない形状
とされ、レジストパターンをマスクとし、リアクティブ
イオンエッチング又はイオンミーリング等の装置によ
り、引出し電極５，６の上部に形成された第２の絶縁膜
８にエッチング加工を施す。

【００４９】このとき、第２の絶縁膜８のエッチング膜
厚（深さ）は、引出し電極５，６の膜厚に対し０〜５０
ｎｍ程度小さいか、若しくは引出し電極膜５，６の膜厚
より大きくする。図７に引出し電極５，６の膜厚より大
きく（深く）エッチングを行った例を示す。

【００５０】エッチング終了後、レジストを溶剤にて除
去すると図８へ示す構造となる。引出し電極５，６上の
第２の絶縁膜８は、エッチング処理により引出し電極
５，６の膜厚より薄くなるため、バイアス膜７（ＭＲ素
子３）の上面に対して最も段差的に高い部分は、バイア
ス膜７の上面上の第２の絶縁膜１７となる。

【００５１】したがって、下部，上部シールド板１，４
のシールドギャップ間隔ｇは、ＭＲ素子３、バイアス層
７、及び第１，第２の絶縁膜２，８により決定され、引
出し電極５，６がシールドギャップ間隔ｇに影響を及ぼ
すことはなくなる。

【００５２】エッチング膜厚を引出し電極５，６の膜厚
と比較し０〜５０ｎｍほど小さく（浅く）した場合は接
続部１２，１３部が最も段差的に高い部分となるが、Ｍ
Ｒ素子３との差は５０ｎｍ以内でありこの範囲内であれ
ば信頼性及び、周波数特性的にも問題とはならない。

【００５３】その後、電極窓１５，１６部上に形成され
た第２の絶縁膜８をエッチングにより完全に除去し、接
着材９により上部シールド板４が接合され、所定の後加
工を経て、上記ＭＲヘッドが完成する。

【００５４】上述のように、本実施例１のＭＲヘッドに
おいては、第２の絶縁膜８が、そのＭＲ素子３上の上面
に対する上記接続部（ＭＲ素子３と引出し電極５，６と
の接続部）上の上面の段差高さが５０ｎｍ以下となるよ
うに成膜されているため、引出し電極５，６が下部，上
部シールド板１，４の間隔（シールドギャップ間隔ｇ）
に与える影響が回避される。したがって、引出し電極
５，６の膜厚を十分に確保した上でシールドギャップ間
隔ｇを所定の小さな値とすることが可能となり、良好な
周波数特性を得られることになる。さらに、ＭＲ素子３
の形状が短冊形状とされているため、バルクハウゼンノ
イズ（Ｂ．Ｈ．Ｎ）に対して最も安定性が高く、しかも
平坦な基板から作製することが可能となる。

【００５５】実施例２ 実施例２のＭＲヘッドの構造を図９，図１０（図９中に
線分Ｊ−Ｊ’による断面図），図１１（図９中に線分Ｋ
−Ｋ’による断面図），及び図１２（図９中に線分Ｌ−
Ｌ’による断面図）に示す。

【００５６】上記実施例１に示したＭＲヘッドは、引出
し電極５，６が磁気記録媒体摺動面Ａへ露出するため、
耐環境性があり且つ低抵抗値の導電材料である必要があ
る。それに対して、本実施例２のＭＲヘッドにおいて
は、図９に示すように、摺動面に露出する引出し電極
５，６上の磁気記録媒体摺動面Ａから所定距離離間した
箇所に一対の補助引出し電極１０，１１を形成する。こ
こで、引出し電極５，６は耐環境性を目的とした導電材
料を用いたものとし、引出し電極１０，１１には低抵抗
値を持つ導電材料を用いる。

【００５７】上記ＭＲヘッドの具体的な作製例を図１３
〜図２３を参照して説明する。図１３〜図１６は何れも
平面図、図１７〜図２０は図９のＪ−Ｊ’断面部、図２
１〜図２３はＬ−Ｌ’断面部をを示したものである。

【００５８】先ず、軟磁性材料であるＮｉ−Ｚｎヘマタ
イト等の多結晶フェライトを材料とした下部シールド板
１上に、第１の絶縁膜２としてＡｌ₂ Ｏ₃ またはＳｉＯ
₂ 等がスパッタ法により形成される。ここで、第１の絶
縁膜２は、ＭＲ素子３の上面上に成膜されるため、面粗
度向上を目的とした鏡面研磨、若しくはスピン・オン・
グラス（ＳＯＧ）と称される塗布型のＳｉＯ₂ 等を用い
て表面処理が施される。

【００５９】第１の絶縁膜２上には、ＭＲ素子３及び当
該ＭＲ素子３へバイアス磁界を印加するためのバイアス
層７が形成される。ＭＲ素子３の材料としては、一般的
にＮｉ−Ｆｅ合金が用いられ、バイアス層７には、Ｔａ
／Ｎｉ−Ｆｅ−Ｔａ合金が用いられる。なお、シャント
膜によるバイアス方式の場合はシャント膜上へＭＲ素子
を形成するほうが望ましい（図示は省略する）。

【００６０】ＭＲ素子３及びバイアス層７は、図１３及
び図１７に示すように、同時に短冊形状にエッチング加
工され、所定の間隔をもってＭＲ素子３及びバイアス層
７の上に引出し電極５，６が形成される。このとき、バ
イアス層７（ＭＲ素子３）の上面に対して最も段差的に
高い部分はＭＲ素子と引出し電極５，６との接続部１
２，１３である。

【００６１】引出し電極５，６は、ＭＲ素子３及びバイ
アス層７へセンス電流を供給するための導体であり、Ａ
ｕ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｗ等の導体により形成される。センス
電流は引出し電極間５、６間のみ流れるので実際に媒体
からの磁束変化を出力に変換する部分はこの導体間隔中
のＭＲ素子であり、この導体間隔がトラック幅となる。

【００６２】次いで、図１４及び図２１に示すように、
補助引出し電極１０，１１がスパッタにより形成され
る。補助引出し電極１０，１１の材料としては、比電気
抵抗が小さいＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ等が望ましく、第１の引
出し電極５，６より厚く形成される。

【００６３】次いで、図１８に示すように、ＭＲ素子
３、バイアス層７、引出し電極５、６上に第２の絶縁膜
８が形成される。第２の絶縁膜８は、第１の絶縁膜２と
同様に、ＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ 等を用いてスパッタ法に
より形成し、その膜厚は引出し電極５及び６と補助引出
し電極１０、１１の膜厚の和と同等若しくは厚く成膜す
る。 第２の絶縁膜８は、以下に示すように、２段階に
分けてエッチング加工が行われる。

【００６４】先ず第１段階として、図１５及び図１９に
示すように、レジストパターン１４を形成する。レジス
トパターン１４は引出し電極５，６及び補助引出し電極
１０，１１等上には形成されない形状である。このと
き、レジストパターン１４をマスクとし、リアクティブ
イオンエッチング又はイオンミーリング等の装置を用い
て、引出し電極５，６の上部に形成された第２の絶縁膜
８若しくはＭＲ素子３の上面の上部以外の第２の絶縁膜
８にエッチング加工を施す。

【００６５】このとき、絶縁膜８のエッチング膜厚（深
さ）は引出し電極５，６の膜厚に対して０〜５０ｎｍほ
ど小さいか、若しくは引出し電極５，６膜厚より大きく
する。図１０に、引出し電極５，６の膜厚より大きく
（深く）エッチングを行った例を示す。

【００６６】エッチング終了後、レジストパターン１４
を溶剤を用いて除去することにより、図２０に示す構造
となる。引出し電極５，６上の第２の絶縁膜８は、エッ
チング処理により引出し電極５，６の膜厚より薄くなる
ため、バイアス膜７（ＭＲ素子３）の上面に対して最も
段差的に高い部分は、補助引出し電極１０，１１上の絶
縁膜８の形成部分となり、次いでＭＲ素子３上の絶縁膜
１７となる。

【００６７】次いで、第２段階として、図１６及び図２
２に示すように、レジストパターン１８を形成する。レ
ジストパターン１８は第２の引出し電極１０，１１等上
には形成されない形状であり、レジストパターン１８を
マスクとし、リアクティブイオンエッチング又はイオン
ミーリング等の装置を用いて、補助引出し電極１０，１
１の上部に形成された第２の絶縁膜８にエッチング加工
を施す。

【００６８】このとき、第２の絶縁膜８に対するエッチ
ング膜厚（深さ）は、補助引出し電極１０，１１の膜厚
に対し０〜５０ｎｍほど小さいか、若しくは補助引出し
電極１０，１１の膜厚より大きくする。図１１に引出し
電極膜厚より大きく（深く）エッチングを行った例を示
す。

【００６９】エッチング終了後、レジストパターン１８
を溶剤を用いて除去することにより図２２に示す構造と
なる。

【００７０】補助引出し電極１０，１１上の第２の絶縁
膜８は、エッチング処理により第２の引出し電極１０，
１１の膜厚より薄くなるため、バイアス膜７（ＭＲ素子
３）の上面に対して最も段差的に高い部分はＭＲ素子３
の上面上の第２の絶縁膜８となる。

【００７１】よって下部，上部シールド板１，４のシー
ルドギャップ間隔ｇは、ＭＲ素子３、バイアス層７、及
び第１，第２の絶縁膜２，８により決定され、引出し電
極５，６及び補助引出し電極１０，１１がシールドギャ
ップ間隔ｇに影響を及ぼすことはなくなる。

【００７２】その後、電極窓１５，１６上に形成された
第２の絶縁膜８をエッチングにより完全に除去し、ＭＲ
素子３上に接着材９により軟磁性材料４が接合され、所
定の後加工を経て上記ＭＲヘッドが完成する。

【００７３】このように、本実施例２に係るＭＲヘッド
においては、引出し電極５，６上の磁気記録媒体摺動面
Ａから所定距離離間した箇所に補助引出し電極１０，１
１を積層する。このとき、引出し電極５，６は磁気記録
媒体摺動面Ａへ露出するため、耐環境性を目的とした導
電材料を用いて成膜するものとし、補助引出し電極１
０，１１は磁気記録媒体摺動面へ露出しないため、低抵
抗値を持つ導電材料を用いて成膜することにより、引出
し電極に対する耐環境性及び高導電性の双方の要求を満
たすことが可能となる。さらに、第２の絶縁膜８を、そ
のＭＲ素子３上の上面に対する上記接続部（ＭＲ素子３
と引出し電極５，６及び補助引出し電極上１０，１１と
の各接続部）の各上面の段差高さがそれぞれ５０ｎｍ以
下となるように成膜するすることにより、各引出し電極
５，６及び１０，１１が下部，上部シールド板１，４の
間隔（シールドギャップ間隔ｇ）に与える影響が回避さ
れ、各引出し電極５，６及び１０，１１の膜厚を十分に
確保した上でシールドギャップ間隔ｇを所定の小さな値
とすることが可能となり、良好な周波数特性を得られる
ことになる。また、ＭＲ素子３の形状が短冊形状とされ
ているため、Ｂ．Ｈ．Ｎに対して最も安定性が高く、し
かも平坦な基板から作製することが可能となる。

【００７４】実施例３ 実施例−３のＭＲヘッドの構造を、図２４、図２５（図
２４中で線分Ｍ−Ｍ’による断面図）、図２６（図２４
中で線分Ｎ−Ｎ’による断面図）、及び図２７（図２４
中で線分Ｏ−Ｏ’による断面図）に示す。

【００７５】実施例３のＭＲヘッドは、実施例２の場合
と同様に、引出し電極５，６に加えて補助引出し電極１
０，１１を設けた構成を有し、引出し電極５，６は、上
記実施例２と同様の方法で第２の絶縁膜８中に埋め込ま
れた構造とされている。さらに、このＭＲヘッドにおい
ては、上部シールド板４に補助引出し電極１０，１１に
対する対向部に当該補助引出し電極１０，１１の膜厚以
上の深さの凹部が形成されている。

【００７６】このＭＲヘッドの作製方法を以下に示す。

【００７７】実施例２においては、第２の絶縁膜８が２
段階に分けてエッチング加工されているが、第１段階の
エッチング加工までは実施例３においても同一の工程と
なる。但し、第２の絶縁膜８の膜厚は引出し電極５，６
の膜厚と同等以上あれば良く、実施例２の場合より薄く
することが可能である。

【００７８】この工程の段階では、図２８に示すよう
に、補助引出し電極１０，１１上に形成された第２の絶
縁膜の上面がバイアス膜７の上面に対して最も段差的に
高い部分となる。

【００７９】次いで、上部シールド板４の第２の補助引
出し電極１０，１１に対する対向部に、補助引出し電極
１０，１１が入る逃げ溝となる凹部４ａを形成する。こ
の凹部４ａの深さは引出し電極１０，１１の膜厚より深
く形成し、エッチング加工若しくは機械的な加工により
形成する。

【００８０】その後、上部シールド板４のＭＲ素子３が
形成された下部シールド板１に対する位置合わせを行
い、上部シールド板４を接着材９により接合する。そし
て、所定の後加工を経て、上記ＭＲヘッドが完成する。

【００８１】このように、本第３実施例に係るＭＲヘッ
ドにおいては、引出し電極５，６上の磁気記録媒体摺動
面Ａから所定距離離間した箇所に補助引出し電極１０，
１１を積層する。このとき、引出し電極５，６は磁気記
録媒体摺動面Ａへ露出するため、耐環境性を目的とした
導電材料を用いて成膜するものとし、補助引出し電極１
０，１１は磁気記録媒体摺動面へ露出しないため、低抵
抗値を持つ導電材料を用いて成膜することにより、引出
し電極に対する耐環境性及び高導電性の双方の要求を満
たすことが可能となる。さらに、上部シールド板４の補
助引出し電極に対する対向部に当該補助引出し電極１
０，１１の膜厚以上の深さの凹部４ａを形成することに
より、各引出し電極５，６及び１０，１１が下部，上部
シールド板１，４の間隔（シールドギャップ間隔ｇ）に
与える影響が回避され、各引出し電極５，６及び１０，
１１の膜厚を十分に確保した上でシールドギャップ間隔
ｇを所定の小さな値とすることが可能となり、良好な周
波数特性を得られることになる。また、ＭＲ素子３の形
状が短冊形状とされているため、Ｂ．Ｈ．Ｎに対して最
も安定性が高く、しかも平坦な基板から作製することが
可能となる。

【００８２】実施例４ 本実施例４に係るＭＲヘッドにおいては、反強磁性薄膜
或は強磁性薄膜をＭＲ素子の両端若しくはＭＲ素子３の
引出し電極５，６との接続部に設ける。

【００８３】これら強磁性薄膜及び強磁性薄膜は何れも
ＭＲ素子３における磁区の動きを制限してＢ．Ｈ．Ｎの
発生を低減させる機能を有する。

【００８４】本実施例４に係るＭＲヘッドの構成を図２
９、図３０（図２９中の線分Ｐ−Ｐ’の断面図）、及び
図３１（図２９中の線分Ｑ−Ｑ’の断面図）に示す。こ
の場合、ＭＲ素子３の形状は短冊形状、鳥居様形状（短
冊状部に略々直交した引出し電極５，６と接続するため
の延在部を有する形状）の何れも可能である。図２９〜
図３１にＭＲ素子を３構造が簡易である鳥居様形状とし
た例を示す。

【００８５】ＭＲ素子３上へ反強磁性膜や強磁性膜１９
を成膜することにより、この部分がバイアス膜７の上面
に対し最も高い部分となる。したがって、実施例１若し
くは実施例３の場合と同様に、反強磁性膜若しくは強磁
性膜１９上に成膜された第２の絶縁膜８に反強磁性膜若
しくは強磁性膜１９の膜厚と同等若しくは深くエッチン
グ加工を施すことにより、ＭＲ素子３の上面上の第２の
絶縁膜８に対して段差的に同等若しくは低くなりシール
ドギャップ間隔に与える影響を回避することができる。

【００８６】実施例５ 実施例５に係るＭＲヘッドは、上部シールド板４の接合
時に、ＭＲ素子３に応力が集中しないように接合受け部
２１を設けた例である。実施例５に係るＭＲヘッドの平
面構造図を図３２、図３３（図３２中で線分Ｒ−Ｒ’に
よる断面図）、及び図３４（図３２中で線分Ｓ−Ｓ’に
よる断面図）に示す。これらの図３２〜図３４において
は、何れも実施例１に示したＭＲヘッドの構造にを採用
した一例を示す。

【００８７】先にも述べた通り、Ｂ．Ｈ．Ｎの原因の一
つにＭＲ素子への応力があるが、この実施例３のＭＲヘ
ッドの構造においては直接的にＭＲ素子３に応力が加わ
ることを防止し、更にＭＲ素子３の安定性を増加させる
ものである。

【００８８】実施例１の場合では、図２に示したよう
に、引出し電極５，６上に成膜した第２の絶縁膜８にエ
ッチング加工を施し、ＭＲ素子３（バイアス導体部７）
のトラック部となる部分の上部に成膜した第２の絶縁膜
８上の方がエッチング加工された部分より高く若しくは
０〜５０ｎｍ以内の範囲で低くなるようになされてい
る。

【００８９】図１〜図４に示すように、バイアス膜７
（ＭＲ素子３）の上面より最も高くなる部分は、ＭＲ素
子３の上部の部分となるため、上部シールド板４を接着
する場合、ＭＲ素子３の上面近傍に応力が集中する問題
が発生する。

【００９０】実施例５においては、ＭＲ素子３の形成部
への応力（接合時の圧力）集中を防止するために、新た
に接合受け部２１の如きパターンを設ける。

【００９１】図３２に示すように、接合受け部２１はＭ
Ｒ素子３の周辺に配置され、段差的にＭＲ素子３の上面
と比較して同等若しくは１００ｎｍほど高く形成されて
いる。このＭＲヘッドは、上部シールド板４を接合した
後、磁気記録媒体摺動面Ａとなる位置まで研削加工を施
すことにより完成する。

【００９２】接合受け部２１には、ＭＲ素子３、バイア
ス膜７、及び第２の絶縁膜８の同一の積層膜によりこれ
らＭＲ素子３、バイアス膜７、及び第２の絶縁膜８と同
時に形成されるもの（ａ）と、バイアス膜７上に新たに
受け膜２２を設けるもの（ｂ）とがある。

【００９３】（ａ）の場合では、接合受け部２１の高さ
はＭＲ素子３の上面と同等となることから、上部シール
ド板４の接合時における応力集中は回避できるが、ＭＲ
素子３にも応力は加わることとなる。

【００９４】一方、（ｂ）の場合では、接合受け部２１
が最も段差的に高くなることからＭＲ素子部へ応力は加
わらない。図３２〜３４に（ｂ）の場合の構造を示す。

【００９５】受け膜２２の膜厚は０〜５０ｎｍ以内とす
ることにより接着材９の膜厚も、信頼性的に問題ない範
囲（１００ｎｍ以下）に制御する事が可能となる。

【００９６】これによりＭＲ素子３への加重の集中を回
避でき、ＭＲ特性の安定化が可能となる。

【００９７】

【発明の効果】本発明に係わる磁気抵抗効果型ヘッドに
おいては、引き出し導体がシールドギャップ間隔に与え
る影響を回避し、良好な周波数特性を得るとともに、バ
ルクハウゼンノイズを大幅に低減させ、しかも上部シー
ルド板の接合時において、磁気抵抗効果素子に応力が集
中することを抑止して、信頼性の高い磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１のＭＲヘッドの構造を模式的に表す平
面図である。

【図２】実施例１に係るＭＲヘッドの図１中の線分Ｇ−
Ｇ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図３】実施例１に係るＭＲヘッドの図１中の線分Ｈ−
Ｈ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図４】実施例１に係るＭＲヘッドの図１中の線分Ｉ−
Ｉ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図５】実施例１に係るＭＲヘッドの作製工程に於いて
図１中の線分Ｇ−Ｇ’部による断面を各工程毎に模式的
に示す断面図である。

【図６】実施例１に係るＭＲヘッドの作製工程に於いて
図１中の線分Ｇ−Ｇ’部による断面を各工程毎に模式的
に示す断面図である。

【図７】実施例１に係るＭＲヘッドの作製工程に於いて
図１中の線分Ｇ−Ｇ’部による断面を各工程毎に模式的
に示す断面図である。

【図８】実施例１に係るＭＲヘッドの作製工程に於いて
図１中の線分Ｇ−Ｇ’部による断面を各工程毎に模式的
に示す断面図である。

【図９】実施例２に係るＭＲヘッドの構造を模式的に表
す平面図である。

【図１０】実施例２に係るＭＲヘッドの図９中の線分Ｊ
−Ｊ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図１１】実施例２に係るＭＲヘッドの図９中の線分Ｋ
−Ｋ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図１２】実施例２に係るＭＲヘッドの図９中の線分Ｌ
−Ｌ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図１３】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程におい
て各工程毎に模式的に示す平面図である。

【図１４】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程におい
て各工程毎に模式的に示す平面図である。

【図１５】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程におい
て各工程毎に模式的に示す平面図である。

【図１６】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程におい
て各工程毎に模式的に示す平面図である。

【図１７】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程に於い
て各工程毎に模式的に示す断面図である。

【図１８】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程に於い
て各工程毎に模式的に示す断面図である。

【図１９】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程に於い
て各工程毎に模式的に示す断面図である。

【図２０】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程に於い
て各工程毎に模式的に示す断面図である。

【図２１】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程に於い
て各工程毎に模式的に示す断面図である。

【図２２】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程に於い
て各工程毎に模式的に示す断面図である。

【図２３】実施例２に係るＭＲヘッドの作製工程に於い
て各工程毎に模式的に示す断面図である。

【図２４】実施例３に係るＭＲヘッドの構造を模式的に
表す平面図である。

【図２５】実施例３に係るＭＲヘッドの図２４中の線分
Ｍ−Ｍ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図２６】実施例３に係るＭＲヘッドの図２４中の線分
Ｎ−Ｎ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図２７】実施例３に係るＭＲヘッドの図２４中の線分
Ｏ−Ｏ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図２８】実施例３に係るＭＲヘッドの作製工程に於い
て図２４中の線分Ｎ−Ｎ’による断面を模式的に示す断
面図である。

【図２９】実施例３に係るＭＲヘッドの作製工程に於い
て図２４中の線分Ｑ−Ｑ’による断面を模式的に示す断
面図である。

【図３０】実施例４に係るＭＲヘッドの構造を模式的に
表す平面図である。

【図３１】実施例４に係るＭＲヘッドの図２９中の線分
Ｐ−Ｐ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図３２】実施例５に係るＭＲヘッド構造を模式的に表
す平面図である。

【図３３】実施例５に係るＭＲヘッドの図３３中の線分
Ｒ−Ｒ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図３４】実施例５に係るＭＲヘッドの図３３中の線分
Ｓ−Ｓ’による断面を模式的に示す断面図である。

【図３５】従来のＭＲヘッドの構造を模式的に表す平面
図である。

【図３６】従来のＭＲヘッドの図３５中の線分Ａ−Ａ’
による断面を模式的に示す断面図である。

【図３７】従来のＭＲヘッドの図３５中の線分Ｂ−Ｂ’
による断面を模式的に示す断面図である。

【図３８】従来のＭＲヘッドの構造を模式的に表す平面
図である。

【図３９】従来のＭＲヘッドの図３８中の線分Ｃ−Ｃ’
による断面を模式的に示す断面図である。

【図４０】従来のＭＲヘッドの構造を模式的に表す平面
図である。

【図４１】従来のＭＲヘッドの図４０中の線分Ｄ−Ｄ’
による断面を模式的に示す断面図である。

【図４２】従来のＭＲヘッドの図４０中の線分Ｅ−Ｅ’
による断面を模式的に示す断面図である。

【図４３】従来のＭＲヘッドの図４０中の線分Ｆ−Ｆ’
による断面を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１ 上部シールド板 ２ 第１の絶縁膜 ３ ＭＲ素子 ４ 下部シールド板 ５，６ 引出し電極 ７ バイアス膜 ８ 第２の絶縁膜 ９ 接着材 １０，１１ 補助引出し電極

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下部シールド板上に磁気抵抗効果素子が
   形成され、この磁気抵抗効果素子上の接続部に引出し電
   極が積層されて電気的に接続されるとともに、これら磁
   気抵抗効果素子及び引出し電極を覆って絶縁膜が成膜さ
   れ、さらにこの絶縁膜上に上部シールド板が接合されて
   なる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子上の絶縁膜の上面の段差が上記接
   続部の引出し電極上の絶縁膜の上面と５０ｎｍ以下とさ
   れてなることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 磁気抵抗効果素子がその長手方向が磁気
   記録媒体摺動方向と略々平行となるように配されている
   ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
   ッド。
3. 【請求項３】 各引出し電極上の磁気記録媒体摺動面か
   ら所定距離離間した箇所に補助引出し電極が積層されて
   いることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁
   気ヘッド。
4. 【請求項４】 各引出し電極上の磁気記録媒体摺動面か
   ら所定距離離間した箇所に補助引出し電極が積層される
   とともに、 上部シールド板の補助引出し電極に対する対向部に当該
   補助引出し電極の膜厚以上の深さの凹部が形成されてい
   ることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気
   ヘッド。
5. 【請求項５】 第１の絶縁膜上に、上面が磁気抵抗効果
   素子の上面以上の高さとされる接合受け部が設けられて
   いることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁
   気ヘッド。
6. 【請求項６】 下部シールド板上に磁気抵抗効果素子が
   形成され、この磁気抵抗効果素子上の接続部に引出し電
   極が積層されて電気的に接続されるとともに、 磁気抵抗効果素子上の所定の位置に反強磁性膜若しくは
   強磁性膜が成膜され、これら磁気抵抗効果素子、反強磁
   性膜若しくは強磁性膜、及び引出し電極を覆って絶縁膜
   が成膜され、さらにこの絶縁膜上に上部シールド板が接
   合されてなり、 上記磁気抵抗効果素子上の絶縁膜の上面の段差が上記反
   強磁性膜若しくは強磁性膜上の絶縁膜の上面と５０ｎｍ
   以下とされてなることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気
   ヘッド。