JPS59139689A - 磁気抵抗素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気抵抗横効果をオｈ用した磁気七ンプの特性
を安定化したものに閃する。

〔従来技術〕

第１図は従来の磁気抵抗横効果を用いノこも６気抵抗累
子の例を示し、絶か、基板１り面に熱地まだししスパッ
タリングなどで強磁性体ｉ導膜を形成させたのち、ホト
リソグラフ法などでＩ−ｊｉ望パターンの磁気センサ膜
２としたものである。これで図の水平方向の磁場を検出
する磁気センサとなる。しかしこの様な従来の磁気抵抗
素子で、磁化困難軸方向の磁場を検出する場合、磁場の
方向が磁化困難軸方向かられずかにずれると磁気抵抗変
化率が、第２図に示すように大きく減少する現象が見ら
れる。

例えは、磁場の方向が磁化困難軸方向から１度ずれるだ
けで、磁気抵抗変化率が４０チ程度も減少する場合があ
る。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記従来の素子の如く、わずかな＆１
．場方向角厩の変化によって磁気抵抗変化率が大きく変
化することがないようにした磁気抵抗素子を提供するこ
とにある。

〔発明の概要〕 上記目的を達成するために本発明においては、磁化容易
軸方向にバイアス磁場を加えておくことにした。これは
上記角Ｉｋ特性は、磁化困難軸方向の外部脩楠を受ける
ことによシ、素子の磁区栴造が受けた磁場の履歴により
変化することに起因するのであるから、磁化容易軸方向
にバイアス磁場を加えることにより強制的に磁区（ノイ
造を一定に保っておくようにするのである。

〔発明の実施例〕

第３図（ａ）は本発明第１実施例の正面図、（ｂ）はそ
の側面図で、ｌは絶縁基板、２は磁気センサ膜、３はバ
イアス用磁性膜である。バイアス用磁性膜３は、ｒ　Ｆ
ｅ２（Ｊｓ、Ｃｏ−ｒ　Ｆｅｚ　Ｏｓ、純鉄のいずれか
の粉末まだはそれら粉末の２種以上の混合物を有槻バイ
ンダと混和したものを、４０−１’００μｍに塗布、焼
成し、これを磁気センナ膜２の磁化容易軸方向に着磁し
て、０．５〜８力ウス程度のバイアス磁場を得るように
したものである。

第４図は本発明第２実施例の側面図で、１は基板、２は
磁気センサ膜、今はバイアス＠場発生用の永久磁石であ
る。永久磁石４の大きさは特に規矩する心任はないが、
センナｎ＝　２でのバイアス妨。

場が０５〜８ガウスｔ！！度となるように、材質、大き
さを選定すれはよい、材質としては、バリウムフェンイ
ト、アルニコ、コバルトと希土類元素の合金等が用いら
れる。

第５図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）はいずれも本発明の第３
実施例の正面図で、永久磁石を基板の裏面ではなく、側
方に並列して、磁気センサ膜の磁化困難軸方向の両側（
図（ａ））、片ｙＩｌ＋　（図（ｂ）　）　、容易軸方
向の片側（図（Ｃ））に配置しである。永久磁石４ａ、
４ｂ。

４Ｃ等の大きさ、位置、材質などは、磁気センサ膜の磁
化容易軸方向のバイアス磁場が０．５〜８ガウスとなる
ように選定すればよい。

第６図（ａ）は本発明を実施していない従来の磁気抵抗
素子における磁化困難軸と磁場方向の角層と、磁気抵抗
変化率との関係を示す図、第６図（ｂ）は本発明実施例
における磁化困難軸と磁場方向の角度と、磁気抵抗変化
率との関係を示す図で、両図を比較すれは本発明の効果
がよくわかる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、磁気抵抗変化率が
安定して篩い値をもつ磁気抵抗素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

ｍ１図は磁気抵りｔ素子の一例の斜視図、第２図は従来
の磁気抵抗素子における磁場印加方向と磁気抵抗変化率
の関係を示す図、第３図（ａ）は本究明第１実施例の正
面図、（ｂ）はその側面図、第１図は本発明第２実施例
の側面図、第５図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ不
発ＥＪ４第３実施例の正面図、第６１１１ｇ！　（ａ）
、（ｂ）は本発明の効果を、実施しない場合（ａ）と実
施した場合（ｂ）を比較して示す図である。 ｌ・・・・１ＩＰ２縁基板、２・・・・磁気センサ膜、
３・・・・バイアス用磁性膜、４．４ａ　、　４ｂ　、
　４Ｃ・・・・バイアス磁場発生用永久磁石。 第１■ 第２目 ？ 第、３１￥１ 第４圓 蟹６凶 （０−） （ｂ） 石的シ丘ｐｐａレリ酌（角シフ（）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ、　絶縁基板上に形成した磁気ｂ６方性を有する強磁
   性体薄膜の磁化容易軸方向の電気抵抗の変化によって、
   磁化困難軸方向の磁場を検出する磁気抵抗素子において
   、磁化容易Ｗ（方向にバイアス磁場を加えておくように
   したことを特徴とする磁気抵抗素子。 ２、バイアス磁場の強さを０．５〜８ガワスとなるよう
   にした特許請求の範囲第ＩｆＪ４記載の磁気抵抗素子。 ３、　絶縁基板の強磁性体薄膜が形成されている個所の
   義面に、ｒＦｅ２０ｓ、Ｃｏ−ｒｋ’ｅ２０ｓ　％　Ｉ
   ＩＱ鉄のいずれかの粉末またはそれら粉末の２ａ１以上
   の混合物を有機バインダと混和して塗布、焼成して形成
   した磁性膜を前記強磁性体ｉ１８膜の磁化容易軸方向に
   磁化してバイアス磁場を加えるようにした特許請求の範
   囲第１項記載の磁気抵抗素子。 ４、　バリウムフェライト、又はアルニコ、又はコバル
   ト−希土類元素の合金よりなる永久磁石を、強磁性体薄
   膜の形成されている絶縁基板の製函に配置してバイアス
   磁場を加えるようにした特許請求の範囲第１項記載の磁
   気抵抗素子。 ５、　強修性体薄ＩＡが形成されている基板に並列して
   、強磁性体薄ＩＩ″ＡＯｌ＋剋化容易帖方同または１好
   軸方向のＩＩＩＩ］仙゛８ｆだは片１１ｉ：Ｊに永久磁
   石を配置氏し、強磁性４Ａ−薄膜の磁化容易軸方向にバ
   イアス煩喝を加えるようにした特許請求の範囲第１項記
   載の磁気抵抗素子。