JPH10265940A - 成膜用メタルマスク及びその製造方法 - Google Patents
成膜用メタルマスク及びその製造方法Info
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- JPH10265940A JPH10265940A JP7683397A JP7683397A JPH10265940A JP H10265940 A JPH10265940 A JP H10265940A JP 7683397 A JP7683397 A JP 7683397A JP 7683397 A JP7683397 A JP 7683397A JP H10265940 A JPH10265940 A JP H10265940A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶パネルのＩＴＯ膜をマスク成膜する際に
用いるメタルマスクの搬送トラブルを防止する。 【解決手段】 メタルマスク１の遮蔽部３を部分的にハ
ーフエッチング処理して領域４を形成し、メタルマスク
同士及びメタルマスクと基板との密着面積を減らし、密
着力を低下させる。
用いるメタルマスクの搬送トラブルを防止する。 【解決手段】 メタルマスク１の遮蔽部３を部分的にハ
ーフエッチング処理して領域４を形成し、メタルマスク
同士及びメタルマスクと基板との密着面積を減らし、密
着力を低下させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に蒸着、ス
パッタ、ＣＶＤ等の成膜方法により、金属膜、誘電体
膜、透明導電膜等の薄膜をパターン形成する場合に用い
るメタルマスク及びその製造方法に関するものであり、
特に、スパッタ法を用いて大型液晶ディスプレイのパネ
ル基板のカラーフィルタ上に形成される透明導電膜（Ｉ
ＴＯ）の成膜時に用いられるメタルマスクに関するもの
である。
パッタ、ＣＶＤ等の成膜方法により、金属膜、誘電体
膜、透明導電膜等の薄膜をパターン形成する場合に用い
るメタルマスク及びその製造方法に関するものであり、
特に、スパッタ法を用いて大型液晶ディスプレイのパネ
ル基板のカラーフィルタ上に形成される透明導電膜（Ｉ
ＴＯ）の成膜時に用いられるメタルマスクに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＦＴカラー液晶ディスプレイの
パネル基板は、ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板で
構成されており、このカラーフィルタ基板は、顔料分散
法等でＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタを透明基板上に形成
後、保護膜を設け、ＩＴＯ膜を形成し、配向処理を施し
て形成される。上記ＩＴＯ膜は、表示領域全体を覆うベ
タ膜ではあるが、通常、ボンディング用矩形形状の電極
パターンを周辺に複数個有しており、多面取り（１枚の
基板から複数のパネルを同時製造して最終的に切断分離
する）の場合には、同一形状のパターンを分離して成膜
する。この時のＩＴＯ膜の寸法精度は±５０μｍ以下、
膜端面の断面膜厚ダレ（膜厚減少）が０．５ｍｍ以下で
あれば実用上問題なく、通常メタルマスクを用いたマス
クデポにより形成される。
パネル基板は、ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板で
構成されており、このカラーフィルタ基板は、顔料分散
法等でＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタを透明基板上に形成
後、保護膜を設け、ＩＴＯ膜を形成し、配向処理を施し
て形成される。上記ＩＴＯ膜は、表示領域全体を覆うベ
タ膜ではあるが、通常、ボンディング用矩形形状の電極
パターンを周辺に複数個有しており、多面取り（１枚の
基板から複数のパネルを同時製造して最終的に切断分離
する）の場合には、同一形状のパターンを分離して成膜
する。この時のＩＴＯ膜の寸法精度は±５０μｍ以下、
膜端面の断面膜厚ダレ（膜厚減少）が０．５ｍｍ以下で
あれば実用上問題なく、通常メタルマスクを用いたマス
クデポにより形成される。
【０００３】メタルマスクは通常、磁石を利用して基板
に固定するため磁性材の板をエッチングして形成され、
０．２ｍｍ厚のものが用いられる。特開平５−１１７８
３９号公報には、インラインスパッタ装置を用いた量産
工程においては、位置合わせ用アライメントマークを用
いて基板に対してメタルマスクを位置決め（或いはメタ
ルマスクに対して基板を位置決め）し、さらに、磁石を
埋め込んだ均熱板等により基板とメタルマスクとを一体
固定し、トレイに載置して搬送しながらマスクデポを行
なう方法が提案されている。また、特開平６−８８２０
６号公報には、マスクデポの際にカラーフィルタ周辺部
のシール材で接合する部分に対応して、メタルマスクの
基板面側に基板との被接触部を設け、傷の発生を防止す
る提案がなされている。
に固定するため磁性材の板をエッチングして形成され、
０．２ｍｍ厚のものが用いられる。特開平５−１１７８
３９号公報には、インラインスパッタ装置を用いた量産
工程においては、位置合わせ用アライメントマークを用
いて基板に対してメタルマスクを位置決め（或いはメタ
ルマスクに対して基板を位置決め）し、さらに、磁石を
埋め込んだ均熱板等により基板とメタルマスクとを一体
固定し、トレイに載置して搬送しながらマスクデポを行
なう方法が提案されている。また、特開平６−８８２０
６号公報には、マスクデポの際にカラーフィルタ周辺部
のシール材で接合する部分に対応して、メタルマスクの
基板面側に基板との被接触部を設け、傷の発生を防止す
る提案がなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在、パネルサイズの
大型化に伴い、基板サイズも３７０×４７０ｍｍ程度か
ら５５０×６５０ｍｍへと移行しており、カラーフィル
タ上のＩＴＯ膜のパターン成膜も種々問題を有してい
る。即ち、ＩＴＯ膜のパターン形状は、ＩＴＯ膜の成膜
に用いたメタルマスクの形状精度で決まるが、成膜され
たＩＴＯ膜端部の膜厚ダレは多面取りによる狭額縁化
（隣接するＩＴＯ膜間を遮蔽するメタルマスクの幅、及
びＩＴＯ膜を成膜するためのメタルマスク開口部からメ
タルマスク端部までの幅が狭くなる）や、メタルマスク
の大型化によるメタルマスクの強度低下等により、成膜
されるＩＴＯ膜全面にわたって従来の品質を安定して維
持することが難しくなっている。
大型化に伴い、基板サイズも３７０×４７０ｍｍ程度か
ら５５０×６５０ｍｍへと移行しており、カラーフィル
タ上のＩＴＯ膜のパターン成膜も種々問題を有してい
る。即ち、ＩＴＯ膜のパターン形状は、ＩＴＯ膜の成膜
に用いたメタルマスクの形状精度で決まるが、成膜され
たＩＴＯ膜端部の膜厚ダレは多面取りによる狭額縁化
（隣接するＩＴＯ膜間を遮蔽するメタルマスクの幅、及
びＩＴＯ膜を成膜するためのメタルマスク開口部からメ
タルマスク端部までの幅が狭くなる）や、メタルマスク
の大型化によるメタルマスクの強度低下等により、成膜
されるＩＴＯ膜全面にわたって従来の品質を安定して維
持することが難しくなっている。
【０００５】膜厚ダレの増加による品質劣化（ボケ）を
防止して膜切れをシャープにするためには、メタルマス
クを磁石により充分基板に密着させるとともに、メタル
マスクを薄くする必要がある。しかしながら、メタルマ
スクの板厚を０．１５ｍｍ、０．１２ｍｍと薄くした場
合には、剛性がないためにメタルマスクが変形し易く、
取り扱いが難しくなるという問題がある。
防止して膜切れをシャープにするためには、メタルマス
クを磁石により充分基板に密着させるとともに、メタル
マスクを薄くする必要がある。しかしながら、メタルマ
スクの板厚を０．１５ｍｍ、０．１２ｍｍと薄くした場
合には、剛性がないためにメタルマスクが変形し易く、
取り扱いが難しくなるという問題がある。
【０００６】さらなる問題として、ＩＴＯ膜の基板に対
する密着性が高いという問題がある。通常、量産工程で
は、当然、位置合わせはロボットが行なうことになるた
め、短時間に大量に処理するために供給側に重ねて設置
されているメタルマスクが、面間の密着のため、ロボッ
トの吸着ハンドにより正確に１枚ずつ搬送されず、複数
枚のメタルマスクを同時に搬送して同じ基板上に載せて
しまう場合がある。さらに、成膜後に基板からメタルマ
スクを回収する際にも、面間の密着のため、ロボットの
吸着ハンドにメタルマスクを吸着した時点で該メタルマ
スクに基板が密着し、基板ごとメタルマスクを搬送して
しまう場合がある。
する密着性が高いという問題がある。通常、量産工程で
は、当然、位置合わせはロボットが行なうことになるた
め、短時間に大量に処理するために供給側に重ねて設置
されているメタルマスクが、面間の密着のため、ロボッ
トの吸着ハンドにより正確に１枚ずつ搬送されず、複数
枚のメタルマスクを同時に搬送して同じ基板上に載せて
しまう場合がある。さらに、成膜後に基板からメタルマ
スクを回収する際にも、面間の密着のため、ロボットの
吸着ハンドにメタルマスクを吸着した時点で該メタルマ
スクに基板が密着し、基板ごとメタルマスクを搬送して
しまう場合がある。
【０００７】また、基板とメタルマスクが密着すること
により、メタルマスクが基板上を滑りにくく、メタルマ
スクと基板との位置合わせが容易でない。
により、メタルマスクが基板上を滑りにくく、メタルマ
スクと基板との位置合わせが容易でない。
【０００８】上記のようなメタルマスク同士及びメタル
マスクと基板との密着の問題は従来のも見られた現象で
あるが、マスクサイズの大型化により発生頻度が増大
し、前後工程を含めたタクトに大きな影響を与える重大
な問題となる。
マスクと基板との密着の問題は従来のも見られた現象で
あるが、マスクサイズの大型化により発生頻度が増大
し、前後工程を含めたタクトに大きな影響を与える重大
な問題となる。
【０００９】またさらに、マスクデポの問題として、メ
タルマスクの使用回数限度が少ないという問題がある。
即ち、成膜時にはメタルマスクにもＩＴＯが成膜される
が、メタルマスクを繰り返し使用すると該メタルマスク
に成膜されたＩＴＯ膜が厚みを増し、ある程度の厚みな
るとメタルマスクから剥れてくる。この剥れたＩＴＯ膜
はそのままゴミとしてカラーフィルタの汚染の原因とな
る。従って、メタルマスクはある程度使用すると交換す
る必要がある。交換されたメタルマスクからＩＴＯ膜を
エッチングで除去・再生することも可能であるが、ＩＴ
Ｏ膜が部分的に残留したり、また、開口部の形状が変化
する等問題が発生し易いため、通常は再生せずに廃棄さ
れていた。
タルマスクの使用回数限度が少ないという問題がある。
即ち、成膜時にはメタルマスクにもＩＴＯが成膜される
が、メタルマスクを繰り返し使用すると該メタルマスク
に成膜されたＩＴＯ膜が厚みを増し、ある程度の厚みな
るとメタルマスクから剥れてくる。この剥れたＩＴＯ膜
はそのままゴミとしてカラーフィルタの汚染の原因とな
る。従って、メタルマスクはある程度使用すると交換す
る必要がある。交換されたメタルマスクからＩＴＯ膜を
エッチングで除去・再生することも可能であるが、ＩＴ
Ｏ膜が部分的に残留したり、また、開口部の形状が変化
する等問題が発生し易いため、通常は再生せずに廃棄さ
れていた。
【００１０】本発明の目的は、上記問題に鑑み、大型の
ディスプレイに対応して大面積のＩＴＯ膜を従来と同じ
品質で安定してマスク成膜しうるメタルマスクを提供す
ることにある。特に、強度的に問題がなく、膜厚ダレが
小さく、また、寸法精度に優れたＩＴＯ膜を成膜するた
めのメタルマスクを提供することにある。また、メタル
マスク同士、或いは、メタルマスクと基板との密着によ
る上記問題の発生が防止され、位置合わせ精度の高いメ
タルマスクを提供することにある。さらには、使用回数
限度が多く、コスト面で有利なメタルマスクを提供する
ことにある。
ディスプレイに対応して大面積のＩＴＯ膜を従来と同じ
品質で安定してマスク成膜しうるメタルマスクを提供す
ることにある。特に、強度的に問題がなく、膜厚ダレが
小さく、また、寸法精度に優れたＩＴＯ膜を成膜するた
めのメタルマスクを提供することにある。また、メタル
マスク同士、或いは、メタルマスクと基板との密着によ
る上記問題の発生が防止され、位置合わせ精度の高いメ
タルマスクを提供することにある。さらには、使用回数
限度が多く、コスト面で有利なメタルマスクを提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、金属板
にエッチングにより成膜用開口部を設けると同時に、該
開口部を形成する遮蔽部のエッジ部分を成膜面側からハ
ーフエッチング処理することを特徴とする成膜用メタル
マスクの製造方法である。
にエッチングにより成膜用開口部を設けると同時に、該
開口部を形成する遮蔽部のエッジ部分を成膜面側からハ
ーフエッチング処理することを特徴とする成膜用メタル
マスクの製造方法である。
【００１２】また本発明の第二は、金属板にエッチング
により成膜用開口部を設けると同時に、遮蔽部の略中央
部分を部分的に基板面側からハーフエッチング処理する
ことを特徴とする成膜用メタルマスクの製造方法であ
る。
により成膜用開口部を設けると同時に、遮蔽部の略中央
部分を部分的に基板面側からハーフエッチング処理する
ことを特徴とする成膜用メタルマスクの製造方法であ
る。
【００１３】さらに本発明の第三は、金属板にエッチン
グにより成膜用開口部を設け、成膜面側及び基板面側の
少なくとも一方の表面を、表面粗さが１００〜１０００
ｎｍになるように処理することを特徴とする成膜用メタ
ルマスクの製造方法である。
グにより成膜用開口部を設け、成膜面側及び基板面側の
少なくとも一方の表面を、表面粗さが１００〜１０００
ｎｍになるように処理することを特徴とする成膜用メタ
ルマスクの製造方法である。
【００１４】本発明においては、上記第一〜第三の発明
を、適宜組み合わせることが可能である。
を、適宜組み合わせることが可能である。
【００１５】
【発明の実施の形態】 ［実施形態１］図４に従来用いられているメタルマスク
の形状を、図５に該メタルマスクを基板に載せた状態を
示す。基板サイズは５５０×６５０ｍｍ用のもので、１
２．１インチパネルの６枚取りである。材質は０．２ｍ
ｍ厚のＦｅ−Ｎｉ合金で、エッチングで形成された開口
部２（ＩＴＯ成膜部）と遮蔽部３からなる。尚、開口部
２の形状については一例であり（電極周辺端子部は図示
せず）、この限りではない。
の形状を、図５に該メタルマスクを基板に載せた状態を
示す。基板サイズは５５０×６５０ｍｍ用のもので、１
２．１インチパネルの６枚取りである。材質は０．２ｍ
ｍ厚のＦｅ−Ｎｉ合金で、エッチングで形成された開口
部２（ＩＴＯ成膜部）と遮蔽部３からなる。尚、開口部
２の形状については一例であり（電極周辺端子部は図示
せず）、この限りではない。
【００１６】本発明の第一の製造方法の一実施形態によ
るメタルマスクを図１に示す。図中（ａ）は部分平面
図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図であり、基板に載せた
状態を示している。本発明においては、図１に示すよう
に、メタルマスク１の開口部２を形成する遮蔽部３のエ
ッジ部分を、成膜面側からハーフエッチング処理して、
板厚の薄い領域４を形成する。該領域の幅は、１ｍｍ〜
５ｍｍが好ましく、メタルマスクの板厚が０．０７〜
０．１ｍｍ程度になるようにエッチングするのが好まし
い。ハーフエッチング領域４が形成される遮蔽部３の幅
は１０ｍｍ〜３０ｍｍ程度である。このようにエッジ部
分のみをハーフエッチングすることにより、メタルマス
クの剛性を維持して充分に磁石により基板に密着させる
ことができる上で開口部におけるメタルマスクの板厚を
薄くすることができるため、シャープな膜切れを有する
（端部における膜厚変動が小さい）ＩＴＯ膜を成膜する
ことが可能となる。
るメタルマスクを図１に示す。図中（ａ）は部分平面
図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図であり、基板に載せた
状態を示している。本発明においては、図１に示すよう
に、メタルマスク１の開口部２を形成する遮蔽部３のエ
ッジ部分を、成膜面側からハーフエッチング処理して、
板厚の薄い領域４を形成する。該領域の幅は、１ｍｍ〜
５ｍｍが好ましく、メタルマスクの板厚が０．０７〜
０．１ｍｍ程度になるようにエッチングするのが好まし
い。ハーフエッチング領域４が形成される遮蔽部３の幅
は１０ｍｍ〜３０ｍｍ程度である。このようにエッジ部
分のみをハーフエッチングすることにより、メタルマス
クの剛性を維持して充分に磁石により基板に密着させる
ことができる上で開口部におけるメタルマスクの板厚を
薄くすることができるため、シャープな膜切れを有する
（端部における膜厚変動が小さい）ＩＴＯ膜を成膜する
ことが可能となる。
【００１７】［実施形態２］図２に、本発明第二の製造
方法の一実施形態によるメタルマスクを示す。図中
（ａ）は部分平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ’断面図であ
り、基板に載せた状態を示している。本発明において
は、図２に示すように、メタルマスク１の遮蔽部３の略
中央部分を部分的にハーフエッチング処理を施す。尚、
本発明において略中央部分とは、図２に示すように開口
部２や端部から離れた遮蔽部３内部の領域を指す。本発
明においては、遮蔽部３の略中央部分の所望の領域にの
みハーフエッチング処理を施せば良く、本実施形態にお
いても、メタルマスクの剛性を維持するため、メタルマ
スク１の外周の向かい合う一対の辺に相当する遮蔽部内
にはハーフエッチング処理が施されていない。
方法の一実施形態によるメタルマスクを示す。図中
（ａ）は部分平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ’断面図であ
り、基板に載せた状態を示している。本発明において
は、図２に示すように、メタルマスク１の遮蔽部３の略
中央部分を部分的にハーフエッチング処理を施す。尚、
本発明において略中央部分とは、図２に示すように開口
部２や端部から離れた遮蔽部３内部の領域を指す。本発
明においては、遮蔽部３の略中央部分の所望の領域にの
みハーフエッチング処理を施せば良く、本実施形態にお
いても、メタルマスクの剛性を維持するため、メタルマ
スク１の外周の向かい合う一対の辺に相当する遮蔽部内
にはハーフエッチング処理が施されていない。
【００１８】このように、遮蔽部３内にハーフエッチン
グ領域６を形成することによって、メタルマスクを重ね
た場合及びメタルマスクを基板に載せた場合に、これら
の密着面積が削減され、密着力が低下する。また例えハ
ーフエッチング領域６が基板やメタルマスクに密着して
も、他の遮蔽部領域に比較すれば表面が粗いために密着
力が弱く、メタルマスク全体としての密着力は低下す
る。従って、基板上でメタルマスクを位置合わせする際
に、メタルマスクが基板上で滑り易く、位置合わせが容
易となる上、メタルマスク同士及びメタルマスクと基板
とが密着して同時に搬送されることがなくなるため、メ
タルマスク脱着時の搬送トラブルが防止される。さら
に、部分的なハーフエッチングであるため、メタルマス
ク自体の剛性が維持されるため実用上のハンドリングに
支障を来さない。
グ領域６を形成することによって、メタルマスクを重ね
た場合及びメタルマスクを基板に載せた場合に、これら
の密着面積が削減され、密着力が低下する。また例えハ
ーフエッチング領域６が基板やメタルマスクに密着して
も、他の遮蔽部領域に比較すれば表面が粗いために密着
力が弱く、メタルマスク全体としての密着力は低下す
る。従って、基板上でメタルマスクを位置合わせする際
に、メタルマスクが基板上で滑り易く、位置合わせが容
易となる上、メタルマスク同士及びメタルマスクと基板
とが密着して同時に搬送されることがなくなるため、メ
タルマスク脱着時の搬送トラブルが防止される。さら
に、部分的なハーフエッチングであるため、メタルマス
ク自体の剛性が維持されるため実用上のハンドリングに
支障を来さない。
【００１９】本発明においては、上記ハーフエッチング
領域６はメタルマスクの板厚の１／２〜２／３をエッチ
ング除去すれば良く、またその領域形状も、接触面積を
減らすことが目的であるから、図２に示した溝状に限ら
ず、メッシュ形状であっても良い。
領域６はメタルマスクの板厚の１／２〜２／３をエッチ
ング除去すれば良く、またその領域形状も、接触面積を
減らすことが目的であるから、図２に示した溝状に限ら
ず、メッシュ形状であっても良い。
【００２０】［実施形態３］本発明の第三の製造方法に
よるメタルマスクは、成膜面側及び基板面側の少なくと
も一方の表面を、表面粗さが１００〜１０００ｎｍとな
るように処理する。
よるメタルマスクは、成膜面側及び基板面側の少なくと
も一方の表面を、表面粗さが１００〜１０００ｎｍとな
るように処理する。
【００２１】本発明において、メタルマスクの成膜面側
表面に上記処理を施すことにより、メタルマスクの寿命
を伸ばすことができる。即ち、メタルマスクからＩＴＯ
膜が剥れてくる使用回数の半分を安全使用回数限度とす
ると、上記処理を施すことで、該回数限度を従来の２〜
３倍とすることができる。
表面に上記処理を施すことにより、メタルマスクの寿命
を伸ばすことができる。即ち、メタルマスクからＩＴＯ
膜が剥れてくる使用回数の半分を安全使用回数限度とす
ると、上記処理を施すことで、該回数限度を従来の２〜
３倍とすることができる。
【００２２】また、基板面側表面に上記処理を施すこと
により、実施形態２に示した本発明第二の製造方法によ
るメタルマスクと同様の効果が得られる。即ち、メタル
マスク同士及びメタルマスクと基板との密着力を小さく
することができる。
により、実施形態２に示した本発明第二の製造方法によ
るメタルマスクと同様の効果が得られる。即ち、メタル
マスク同士及びメタルマスクと基板との密着力を小さく
することができる。
【００２３】本発明において、表面粗さが１００ｎｍ未
満では上記効果が得られにくく、また、表面粗さが１０
００ｎｍを超えるとロボットハンドによる吸着力が不十
分となって操作が困難になるため好ましくない。
満では上記効果が得られにくく、また、表面粗さが１０
００ｎｍを超えるとロボットハンドによる吸着力が不十
分となって操作が困難になるため好ましくない。
【００２４】［実施形態４］本発明においては、実施形
態１〜３を組み合わせてメタルマスクを形成することが
可能であり、それぞれの効果を同時に得ることができ
る。例えば、図１のハーフエッチング領域４と図２のハ
ーフエッチング領域６を同時に形成したり、さらにはこ
れらのメタルマスク表面に、実施形態３で示した表面粗
さを付与することができる。尚、実施形態１と２を同時
に実施する場合には、メタルマスクの強度が低下しない
ように、ハーフエッチング領域４と６が互いに２ｍｍ以
上離れて形成されることが好ましい。
態１〜３を組み合わせてメタルマスクを形成することが
可能であり、それぞれの効果を同時に得ることができ
る。例えば、図１のハーフエッチング領域４と図２のハ
ーフエッチング領域６を同時に形成したり、さらにはこ
れらのメタルマスク表面に、実施形態３で示した表面粗
さを付与することができる。尚、実施形態１と２を同時
に実施する場合には、メタルマスクの強度が低下しない
ように、ハーフエッチング領域４と６が互いに２ｍｍ以
上離れて形成されることが好ましい。
【００２５】尚、上記実施形態においては、液晶パネル
のカラーフィルタ基板上にＩＴＯ膜を成膜する場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、半導体素子基板等、マスク成膜工程により薄膜を形
成する場合に好適に応用されるものである。
のカラーフィルタ基板上にＩＴＯ膜を成膜する場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、半導体素子基板等、マスク成膜工程により薄膜を形
成する場合に好適に応用されるものである。
【００２６】
［実施例１］５５０×６５０×０．７ｍｍのサイズの基
板上にカラーフィルタ、保護膜を有するカラーフィルタ
基板を６枚取りする被成膜基板に、図５に示す開口部形
状で図１に示すハーフエッチング領域を有するメタルマ
スクを用いてＩＴＯ膜のマスクデポを行なった。メタル
マスクの厚みは０．２ｍｍ、開口部周囲のハーフエッチ
ング領域の幅は２ｍｍ、深さは０．１３ｍｍで、材質は
Ｆｅ−Ｎｉ合金である。エッチングで開口部を形成する
場合、表面及び裏面の露光マスクを制作し、両面から同
時にエッチングするため、片面の露光パターンを変えて
もコストは変わらない。図３に本実施例で得られたＩＴ
Ｏ膜の端部の断面形状を中央部の膜厚ｄ0 に対する膜厚
比（ｄ／ｄ0 ）として示す。図３に示された通り、ハー
フエッチング領域を形成した本実施例では後述する比較
例１よりもシャープな膜切れ（断面形状）が得られるこ
とがわかる。即ち、大型化しても高い膜厚精度で成膜す
ることができる。
板上にカラーフィルタ、保護膜を有するカラーフィルタ
基板を６枚取りする被成膜基板に、図５に示す開口部形
状で図１に示すハーフエッチング領域を有するメタルマ
スクを用いてＩＴＯ膜のマスクデポを行なった。メタル
マスクの厚みは０．２ｍｍ、開口部周囲のハーフエッチ
ング領域の幅は２ｍｍ、深さは０．１３ｍｍで、材質は
Ｆｅ−Ｎｉ合金である。エッチングで開口部を形成する
場合、表面及び裏面の露光マスクを制作し、両面から同
時にエッチングするため、片面の露光パターンを変えて
もコストは変わらない。図３に本実施例で得られたＩＴ
Ｏ膜の端部の断面形状を中央部の膜厚ｄ0 に対する膜厚
比（ｄ／ｄ0 ）として示す。図３に示された通り、ハー
フエッチング領域を形成した本実施例では後述する比較
例１よりもシャープな膜切れ（断面形状）が得られるこ
とがわかる。即ち、大型化しても高い膜厚精度で成膜す
ることができる。
【００２７】［実施例２］実施例１と同じ材質、厚み、
開口部形状のメタルマスクの遮蔽部に図２に示すハーフ
エッチング領域を形成した。該領域の幅は１０ｍｍ、深
さは０．１３ｍｍとした。該メタルマスクを用い、実施
例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。その結果、メタ
ルマスクの複数搬送や基板ごとメタルマスクを搬送する
搬送トラブルが発生せず、基板との位置合わせもスムー
ズに行なうことができた。
開口部形状のメタルマスクの遮蔽部に図２に示すハーフ
エッチング領域を形成した。該領域の幅は１０ｍｍ、深
さは０．１３ｍｍとした。該メタルマスクを用い、実施
例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。その結果、メタ
ルマスクの複数搬送や基板ごとメタルマスクを搬送する
搬送トラブルが発生せず、基板との位置合わせもスムー
ズに行なうことができた。
【００２８】［実施例３］実施例１と同じ材質、厚み、
開口部形状のメタルマスクを作製する際に、開口部を形
成してエッチング用レジストを剥離した後、塩化鉄の数
％希釈液でメタルマスク両面の表面を２０００Å程度の
粗さに粗面化し、該メタルマスクを用いて実施例１と同
様にＩＴＯ膜のマスクデポを行なった。その結果、メタ
ルマスクの複数搬送や基板ごとメタルマスクを搬送する
搬送トラブルが発生せず、基板との位置合わせもスムー
ズに行なうことができた。また、１５００Å／回のマス
クデポに対して、安全使用回数限度が２０〜３０回であ
り、従来よりもマスクの寿命が２〜３倍になったことが
わかった。
開口部形状のメタルマスクを作製する際に、開口部を形
成してエッチング用レジストを剥離した後、塩化鉄の数
％希釈液でメタルマスク両面の表面を２０００Å程度の
粗さに粗面化し、該メタルマスクを用いて実施例１と同
様にＩＴＯ膜のマスクデポを行なった。その結果、メタ
ルマスクの複数搬送や基板ごとメタルマスクを搬送する
搬送トラブルが発生せず、基板との位置合わせもスムー
ズに行なうことができた。また、１５００Å／回のマス
クデポに対して、安全使用回数限度が２０〜３０回であ
り、従来よりもマスクの寿命が２〜３倍になったことが
わかった。
【００２９】［比較例１］ハーフエッチング領域を形成
しない以外は実施例１と同様にしてＩＴＯ膜の作製を行
なった。得られたＩＴＯ膜の端部の断面形状を図３に示
す。図３に示される通り、ＩＴＯ膜の端部から０．５ｍ
ｍ程度まで膜厚がなだらかに変化しており、基板の大型
化に対応してメタルマスクが大型化した場合には、全面
にわたってＩＴＯ膜形状を安定して確保することが難し
く、メタルマスクの浮き、変形、固定用磁石の磁力低下
等により、ボケが発生し易いことがわかる。
しない以外は実施例１と同様にしてＩＴＯ膜の作製を行
なった。得られたＩＴＯ膜の端部の断面形状を図３に示
す。図３に示される通り、ＩＴＯ膜の端部から０．５ｍ
ｍ程度まで膜厚がなだらかに変化しており、基板の大型
化に対応してメタルマスクが大型化した場合には、全面
にわたってＩＴＯ膜形状を安定して確保することが難し
く、メタルマスクの浮き、変形、固定用磁石の磁力低下
等により、ボケが発生し易いことがわかる。
【００３０】また、ＩＴＯ成膜時に、複数枚のメタルマ
スク搬送や、基板ごとのメタルマスク搬送など搬送トラ
ブルが発生し、２０〜３０回の繰り返し使用でメタルマ
スクからのＩＴＯ膜の剥れが発生し、使用限度は１０回
程度であった。
スク搬送や、基板ごとのメタルマスク搬送など搬送トラ
ブルが発生し、２０〜３０回の繰り返し使用でメタルマ
スクからのＩＴＯ膜の剥れが発生し、使用限度は１０回
程度であった。
【００３１】
【発明の効果】本発明の第一の製造方法によるメタルマ
スクを使用することにより、シャープな膜切れを有する
薄膜のマスク成膜が可能である。また、本発明第二の製
造方法によるメタルマスクを用いれば、搬送トラブルが
なく、位置合わせが容易で効率の良いマスク成膜を行な
うことができる。さらに、本発明第三の製造方法による
メタルマスクは使用回数限度が延び、成膜効率が良く且
つ成膜コストの削減を図ることができる。また、搬送ト
ラブルの防止や位置合わせの容易化も図ることができ
る。
スクを使用することにより、シャープな膜切れを有する
薄膜のマスク成膜が可能である。また、本発明第二の製
造方法によるメタルマスクを用いれば、搬送トラブルが
なく、位置合わせが容易で効率の良いマスク成膜を行な
うことができる。さらに、本発明第三の製造方法による
メタルマスクは使用回数限度が延び、成膜効率が良く且
つ成膜コストの削減を図ることができる。また、搬送ト
ラブルの防止や位置合わせの容易化も図ることができ
る。
【００３２】本発明第一〜第三の製造方法は、上記の如
くそれぞれに効果を有するが、これらを組み合わせるこ
とで、それぞれの効果を同時に得ることもできる。
くそれぞれに効果を有するが、これらを組み合わせるこ
とで、それぞれの効果を同時に得ることもできる。
【図１】本発明第一の製造方法の一実施形態によるメタ
ルマスクを示す図である。
ルマスクを示す図である。
【図２】本発明第二の製造方法の一実施形態によるメタ
ルマスクを示す図である。
ルマスクを示す図である。
【図３】本発明の実施例１及び比較例１で得られたＩＴ
Ｏ膜の端部の断面形状を示す図である。
Ｏ膜の端部の断面形状を示す図である。
【図４】従来のメタルマスクの形状を示す図である。
【図５】図４に示したメタルマスクを基板に載せた状態
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１ メタルマスク ２ 開口部 ３ 遮蔽部 ４，６ ハーフエッチング領域 ５ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205
Claims (6)
- 【請求項１】 金属板にエッチングにより成膜用開口部
を設けると同時に、該開口部を形成する遮蔽部のエッジ
部分を成膜面側からハーフエッチング処理することを特
徴とする成膜用メタルマスクの製造方法。 - 【請求項２】 金属板にエッチングにより成膜用開口部
を設けると同時に、遮蔽部の略中央部分を部分的に基板
面側からハーフエッチング処理することを特徴とする成
膜用メタルマスクの製造方法。 - 【請求項３】 金属板にエッチングにより成膜用開口部
を設け、成膜面側及び基板面側の少なくとも一方の表面
を、表面粗さが１００〜１０００ｎｍになるように処理
することを特徴とする成膜用メタルマスクの製造方法。 - 【請求項４】 金属板にエッチングにより成膜用開口部
を設けると同時に、該開口部を形成する遮蔽部のエッジ
部分を成膜面側から、及び、該エッジ部分とは重複しな
い遮蔽部の略中央部分を基板面側から、それぞれハーフ
エッチング処理することを特徴とする成膜用メタルマス
クの製造方法。 - 【請求項５】 上記メタルマスクの、成膜面側及び基板
面側の少なくとも一方の表面を、表面粗さが１００〜１
０００ｎｍになるように処理する請求項１、２、４のい
ずれかに記載の成膜用メタルマスクの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の製造方
法により製造されたことを特徴とする成膜用メタルマス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7683397A JPH10265940A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 成膜用メタルマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7683397A JPH10265940A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 成膜用メタルマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10265940A true JPH10265940A (ja) | 1998-10-06 |
Family
ID=13616689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7683397A Withdrawn JPH10265940A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 成膜用メタルマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10265940A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003253434A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸着方法及び表示装置の製造方法 |
| JP2005005070A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Dainippon Printing Co Ltd | メタルマスク及びその溶接固定方法 |
| JP2005005071A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Dainippon Printing Co Ltd | メタルマスク及びその取付方法 |
| JP2006059599A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Toyota Industries Corp | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| US20100175990A1 (en) * | 2007-04-18 | 2010-07-15 | Ulvac, Inc. | Dummy substrate, and start method of, retention/modification method of deposition condition, and stop method of deposition apparatus using same |
| KR101182440B1 (ko) * | 2010-01-11 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 |
| US8927321B2 (en) | 2011-09-20 | 2015-01-06 | Fujifilm Corporation | Method for producing solid-state imaging device |
| WO2016170841A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-10-27 | シャープ株式会社 | 成膜方法 |
| JP2022068330A (ja) * | 2015-04-24 | 2022-05-09 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 金属基板およびこれを用いた蒸着用マスク |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP7683397A patent/JPH10265940A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2016170841A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-10-27 | シャープ株式会社 | 成膜方法 |
| CN107532289A (zh) * | 2015-04-20 | 2018-01-02 | 夏普株式会社 | 成膜方法 |
| JPWO2016170841A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2018-02-08 | シャープ株式会社 | 成膜方法 |
| CN107532289B (zh) * | 2015-04-20 | 2020-06-23 | 夏普株式会社 | 成膜方法 |
| JP2022068330A (ja) * | 2015-04-24 | 2022-05-09 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 金属基板およびこれを用いた蒸着用マスク |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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