CN100359706C - 具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件 - Google Patents
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Abstract
一种具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，该组件包括一导电基板，其中该导电基板的上表面具有第一表面区及一第二表面区；一发光叠层；一欧姆金属凸块形成于该导电基板的第一表面区上；一反射层形成于该发光叠层之上；一第一反应层形成于该欧姆金属凸块及导电基板的第二表面区上；一第二反应层形成于该反射层上；以及一有机粘结材料；其中藉由该粘结材料粘结该第一反应层及该第二反应层，藉由该欧姆金属凸块使得形成于该欧姆金属凸块上的第一反应层穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触。此结构可简化发光二极管制造工艺。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件。
背景技术
发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。在此技艺中，目前技术人员重要课题之一为如何提高发光二极管的亮度，另一重要课题为如何降低发光二极管的制造成本。
于台湾专利公告第544958号中〔其申请人与本申请相同〕，揭露一种发光二极管及其制法，其藉由一粘结层将一发光二极管叠层及一透明基板粘结在一起，其中该粘结层的上下表面分别存在一第一及第二反应层，以避免粘结层产生剥离，使得光线能够由透明基板射出带出，以提高发光二极管的亮度。但由于该粘结层不导电，因此该先前技艺方法仅适用于两电极位于同一侧的发光二极管，无法应用于电极位于发光二极管上下表面的发光二极管。又由于两电极需位于同一侧，因此制造工艺中须加上蚀刻的步骤，将部分发光二极管叠层移除，不仅浪费材料，同时增加制造工艺的复杂性。
发明内容
本申请发明人于思考如何解决前述的缺点时，获得一发明灵感，认为若藉由一具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中该组件包括一导电基板，该导电基板的上表面具有第一表面区及一第二表面区；一发光叠层；一欧姆金属凸块形成于该导电基板的第一表面区上；一反射层形成于该发光叠层之上；一第一反应层形成于该欧姆金属凸块及导电基板的第二表面区上；一第二反应层形成于该反射层上；以及一有机粘结材料；其中藉由该粘结材料粘结该第一反应层及该第二反应层，藉由该欧姆金属凸块使得形成于该欧姆金属凸块上的第一反应层穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触。如此，即可解决前述的粘接层不导电，无法应用于垂直结构的发光二极管的问题，同时制造程序中不需要经过蚀刻步骤形成电极，简化制造工艺，降低制造成本。
本发明的主要目的在于提供具有欧姆金属接触有机粘结层的发光二极管，在其制造工艺中，藉使用一有机粘结层，连结一发光叠层与一导电基板；藉使用一欧姆金属凸块使得该发光叠层及该导电基板形成欧姻接触，使得电流能够导通。由于此制法无前述先前技艺的问题，因而能够达到简化制造工艺，降低成本的目的。
依本发明一优选实施例具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，包括一导电基板，其中该导电基板的上表面具有第一表面区及一第二表面区；一发光叠层；一欧姆金属凸块形成于该导电基板的第一表面区上；一反射层形成于该发光叠层之上；一第一反应层形成于该欧姆金属凸块及导电基板的第二表面区上；一第二反应层形成于该反射层上；以及一有机粘结材料，其中藉由该粘结材料粘结该第一反应层及该第二反应层，藉由该欧姆金属凸块使得形成于该欧姆金属凸块上的第一反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触，另外，藉由该第一及第二反应层以增加与粘结材料之间的粘结力。
前述导电基板，包括选自GaP、GaAsP、AlGaAs、Si、SiC及Ge所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料；前述粘结材料包括选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)或过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料；前述金属凸块包括选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成材料组群中的至少一种材料；前述的反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn或氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料；前述的第一反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料；前述的第二反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料；前述发光叠层，包括选自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
附图说明
图1A为一示意图，显示依本发明一优选实施例的一种具有欧姆金属接触有机粘结层的发光二极管；
图1B为图1A所示的具有欧姆金属接触有机粘结层的发光二极管电子显微镜照片；
图2为一示意图，显示依本发明另一优选实施例的一种具有欧姆金属接触有机粘结层的发光二极管；
图3为一示意图，显示依本发明又一优选实施例的一种具有欧姆金属接触有机粘结层的发光二极管。
简单符号说明
1 发光二极管
10 导电基板
101 发光叠层
110 第一反应层
121 欧姆金属凸块
122 有机粘结材料
111 第二反应层
13 反射层
14 透明导电层
15 第一接触层
16 第一束缚层
17 发光层
18 第二束缚层
19 第二接触层
20 第一电极
21 第二电极
2 发光二极管
210 导电基板
2111 欧姆金属层
2112 有机粘结材料
2120 第一反应层
2121 第二反应层
212 反射层
213 透明导电层
214 第一接触层
215 第一束缚层
216 发光层
217 第二束缚层
218 第二接触层
220 第一电极
221 第二电极
3 发光二极管
310 金属基板
3110 第一反应层
3121 欧姆金属凸块
3122 有机粘结材料
3111 第二反应层
312 反射层
313 透明导电层
314 第一接触层
315 第一束缚层
316 发光层
317 第二束缚层
318 第二接触层
319 电极
具体实施方式
请参阅图1A，依本发明一优选实施例具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件1，包括一第一电极20、形成于该第一电极上的一导电基板10，其中该导电基板的上表面具有第一表面区及一第二表面区、形成于该导电基板第一表面区上的一欧姆金属凸块121、形成于该导电基板第二表面区及欧姆金属凸块上的一第一反应层110、形成于该第一反应层上的一有机粘结材料122、形成于该有机粘结材料上的一第二反应层111，其中藉由该欧姆金属凸块使得形成于该欧姆金属凸块上的第一反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触、形成于该第二反应层上的一反射层13、形成于该反射层上的一透明导电层14、形成于该透明导电层上的一第一接触层15、形成于该第一接触层上的一第一束缚层16、形成于该第一束缚层上的一发光层17、形成于该发光层上的一第二束缚层18、形成于该第二束缚层上的一第二接触层19、以及形成于该第二接触层上的一第二电极21。上述的第一及第二反应层功能在以强化与粘结材料间的粘结力；上述的欧姆金属凸块也可形成于该反射层及该第二反应层之间；上述的欧姆金属凸块也可部份或全部穿透该第一反应层，与第二反应层形成欧姆接触；上述的反射层的功能在提高亮度，因此也可移除，并不会影响本发明的实施。图1B为实施例1的电子显微镜照片，其中发光叠层101包括前述的第一接触层15、第一束缚层16、发光层17、第二束缚层18以及第二接触层19。
请参阅图2，依本发明一优选实施例具有欧姆金属接触有机粘结层的发光二极管2，包括一第一电极220、形成于该第一电板上的一导电基板210、形成于该导电基板上的一欧姆金属层2111，其中该欧姆金属层具有一凹凸面，该凹凸面可以是形成金属层时自然生成，也可以是金属层成长完成后，经由蚀刻等候处理形成该凹凸面、形成于该欧姆金属层凹凸面上的一第一反应层2120、形成于该第一反应层上的一有机粘结材料2112、形成于该有机粘结材料上的一第二反应层2121，其中藉由该欧姆金属层凹凸面的凸起部分使得形成于该金属层凹凸面的凸起部分上的第一反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触、形成于该第二反应层上的一反射层212，其中该粘结材料与部分反射层相粘结，该欧姆金属凸块与另一部份反射层形成欧姆接触、形成于该反射层上的一透明导电层213、形成于该透明导电层上的一第一接触层214形成于该第一接触层上的一第一束缚层215、形成于该第一束缚层上的一发光层216、形成于该发光层上的一第二束缚层217、形成于该第二束缚层上的一第二接触层218、以及形成于该第二接触层上的一第二电极221。上述的第一及第二反应层功能在以强化与粘结材料间的粘结力；上述的欧姆金属层也可形成于该反射层及该第二反应层之间；上述的反射层的功能在提高亮度，因此也可移除，并不会影响本发明的实施。
请参阅图3，依本发明一优选实施例具有欧姆金属接触有机粘结层的发光二极管3，包括一金属基板310，其中该金属基板的上表面具有第一表面区及一第二表面区、形成于该金属基板第一表面区上的一欧姆金属凸块3121、形成于该金属基板第二表面区及欧姆金属凸块上的一第一反应层3110、形成于该第一反应层上的一有机粘结材料3122、形成于该有机粘结材料上的一第二反应层3111，其中藉由该欧姆金属凸块使得形成于该欧姆金属凸块上的第一反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触、形成于该第二反应层上的一反射层312、形成于该反射层上的一透明导电层313、形成于该透明导电层上的一第一接触层314、形成于该第一接触层上的一第一束缚层315、形成于该第一束缚层上的一发光层316、形成于该发光层上的一第二束缚层317、形成于该第二束缚层上的一第二接触层318、以及形成于该第二接触层上的一电极319。上述的第一及第二反应层功能在以强化与粘结材料间的粘结力；上述的欧姆金属凸块也可形成于该反射层及该第二反应层之间；上述的欧姆金属凸块也可部份或全部穿透该第一反应层，与第二反应层形成欧姆接触；上述的反射层的功能在提高亮度，因此也可移除，并不会影响本发明的实施。
前述导电基板，包括选自GaP、GaAsP、AlGaAs、Si、SiC及Ge所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料；前述金属基板，包括选自Cu、Al、Mo及金属基质复合材料(Metal Matrix Composites，MMC)载体所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料，其中该金属基质复合材料载体于一具有孔洞的载体中充填入适合的金属基质，使得该金属基质复合材料载体具有可调变的热传系数或热膨胀系数特征。；前述粘结材料包括选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)及过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料；前述金属凸块包括选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料；前述的反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料；前述的第一反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料；前述的第二反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料；前述的透明导电层，包括选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料；前述第一束缚层，包括选自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述发光层，包括选自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述第二束缚层，包括选自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述第二接触层，包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述第一接触层，包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。
Claims (67)
1.一种具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，至少包括：
一第一半导体叠层；
形成于该第一半导体叠层上的一非平面欧姆金属接触区；
形成于该非平面欧姆金属接触区上的一第一反应层；
形成于该第一反应层上的一有机粘结材料；
形成于该有机粘结材料上的一第二反应层，其中藉由该非平面欧姆金属接触区使得形成于该非平面欧姆金属接触区上的第一反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触；
形成于该第二反应层上的一第二半导体叠层。
2.如权利要求1所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一半导体叠层为一导电基板。
3.如权利要求1所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二半导体叠层包括：
一第一导电型半导体叠层；
形成于该第一导电型半导体叠层上的一发光层；以及
形成于该发光层上的一第二导电型半导体叠层。
4.如权利要求1所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二半导体叠层为一导电基板。
5.如权利要求1所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一半导体叠层包括：
一第一导电型半导体叠层；
形成于该第一导电型半导体叠层上的一发光层；以及
形成于该发光层上的一第二导电型半导体叠层。
6.如权利要求1所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，还包括于该第二反应层与该第二半导体叠层之间形成一反射层。
7.如权利要求1所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该非平面欧姆金属接触区是以一或多个金属凸块组成。
8.如权利要求1所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该非平面欧姆金属接触区是以一金属凹凸面组成。
9.如权利要求1所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一半导体叠层与该非平面欧姆金属接触区形成欧姆接触。
10.如权利要求1所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二反应层与该第二半导体叠层形成欧姆接触。
11.一种具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，至少包括：
一导电基板，其中该导电基板的上表面具有第一表面区及一第二表面区；
形成于该导电基板第一表面区上的一欧姆金属凸块；
形成于该欧姆金属凸块及第二表面区上的一第一反应层；
形成于该第一反应层上的一有机粘结材料；
形成于该有机粘结材料上的一第二反应层，其中藉由该欧姆金属凸块使得形成于该欧姆金属凸块上的第一反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触；以及
形成于该第二反应层上的一发光叠层。
12.如权利要求11所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，还包括于该第二反应层与该发光叠层之间形成一反射层。
13.如权利要求12所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。
14.如权利要求11所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该导电基板第一表面区与该欧姆金属凸块形成欧姆接触。
15.如权利要求11所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二反应层与该发光叠层形成欧姆接触。
16.一种具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，至少包括：
一发光叠层，其中该发光叠层的上表面具有第一表面区及一第二表面区；
形成于该发光叠层第一表面区上的一欧姆金属凸块；
形成于该欧姆金属凸块及第二表面区上的一第二反应层；
形成于该第二反应层上的一有机粘结材料；
形成于该有机粘结材料上的一第一反应层，其中藉由该欧姆金属凸块使得形成于该欧姆金属凸块上的第二反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第一反应层形成欧姆接触；以及
形成于该第一反应层上的一导电基板。
17.如权利要求16所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，还包括于该欧姆金属凸块与该发光叠层之间形成一反射层。
18.如权利要求11或16所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该导电基板，包括选自GaP、GaAsP、AlGaAs、Si、Ge、SiC及金属所构成材料组群中的至少一种材料。
19.如权利要求11或16所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该金属凸块包括选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
20.如权利要求11或16所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该有机粘结材料包括选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)及过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料。
21.如权利要求11或16所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
22.如权利要求11或16所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
23.如权利要求17所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。
24.如权利要求11或16所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该发光叠层包括选自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
25.如权利要求16所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该发光叠层的第一表面区与该欧姆金属凸块形成欧姆接触。
26.如权利要求16所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一反应层与该导电基板形成欧姆接触。
27.一种具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，至少包括：
一导电基板；
形成于该导电基板上的一欧姆金属层，其中该欧姆金属层具有一凹凸面；
形成于该欧姆金属层凹凸面上的一第一反应层；
形成于该第一反应层上的一有机粘结材料；
形成于该有机粘结材料上的一第二反应层，其中藉由该欧姆金属层凹凸面的凸起部分使得形成于该金属层凹凸面的凸起部分上的第一反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触；以及
形成于该第二反应层上的一发光叠层。
28.如权利要求27所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，还包括于该第二反应层与该发光叠层之间形成一反射层。
29.如权利要求28所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。
30.如权利要求27所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该导电基版与该欧姆金属层形成欧姆接触。
31.如权利要求27所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二反应层与该发光叠层形成欧姆接触。
32.一种具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，至少包括：
一发光叠层；
形成于该发光叠层上的一欧姆金属层，其中该欧姆金属层具有一凹凸面；
形成于该欧姆金属层凹凸面上的一第二反应层；
形成于该第二反应层上的一有机粘结材料；
形成于该有机粘结材料上的一第一反应层，其中藉由该欧姆金属层凹凸面的凸起部分使得形成于该金属层凹凸面的凸起部分上的第二反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第一反应层形成欧姆接触；以及
形成于该第一反应层上的一导电基板。
33.如权利要求32所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，还包括于该欧姆金属层与该发光叠层之间形成一反射层。
34.如权利要求27或32所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该导电基板，包括选自GaP、GaAsP、AlGaAs、Si、Ge、SiC及金属所构成材料组群中的至少一种材料。
35.如权利要求27或32所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该欧姆金属层包括选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
36.如权利要求27或32所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该有机粘结材料包括选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)及过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料。
37.如权利要求27或32所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
38.如权利要求27或32所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
39.如权利要求33所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。
40.如权利要求27或32所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该发光叠层包括选自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
41.如权利要求32所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该发光叠层与该欧姆金属层形成欧姆接触。
42.如权利要求32所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一反应层与该导电基版形成欧姆接触。
43.一种具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，至少包括：
一金属基板，其中该金属基板的上表面具有第一表面区及一第二表面区；
形成于该金属基板第一表面区上的一欧姆金属凸块；
形成于该欧姆金属凸块上的一第一反应层；
形成于该第一反应层上的一有机粘结材料；
形成于该有机粘结材料上的一第二反应层，其中藉由该欧姆金属凸块使得形成于该欧姆金属凸块上的第一反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第二反应层形成欧姆接触；以及
形成于该第二反应层上的一发光叠层。
44.如权利要求43所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，还包括于该第二反应层与该发光叠层之间形成一反射层。
45.如权利要求44所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。
46.如权利要求43所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该金属基板第一表面区与该欧姆金属凸块形成欧姆接触。
47.如权利要求43所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二反应层与该发光叠层形成欧姆接触。
48.一种具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，至少包括：
一发光叠层，其中该发光叠层的上表面具有第一表面区及一第二表面区；
形成于该发光叠层第一表面区上的一欧姆金属凸块；
形成于该欧姆金属凸块上的一第二反应层；
形成于该第二反应层上的一有机粘结材料；
形成于该有机粘结材料上的一第一反应层，其中藉由该欧姆金属凸块使得形成于该欧姆金属凸块上的第二反应层可部份或全部穿透该有机粘结材料，与该第一反应层形成欧姆接触；以及
形成于该第一反应层上的一金属基板。
49.如权利要求43或48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该金属基板，包括选自Cu、Al、Mo及MMC载体所构成材料组群中的至少一种材料。
50.如权利要求48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，还包括于该欧姆金属凸块与该发光叠层之间形成一反射层。
51.如权利要求43或48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该金属凸块包括选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
52.如权利要求43或48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该有机粘结材料包括选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)及过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料。
53.如权利要求43或48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
54.如权利要求43或48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二反应层包括选自Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
55.如权利要求50所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。
56.如权利要求43或48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该发光叠层包括选自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
57.如权利要求48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该发光叠层的第一表面区与该欧姆金属凸块形成欧姆接触。
58.如权利要求48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一反应层与该金属基板形成欧姆接触。
59.如权利要求11、16、27、32、43或48所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该发光叠层包括：
一透明导电层；
形成于该透明导电层上的一第一接触层；
形成于该第一接触层上的一第一束缚层；
形成于该第一束缚层上的一发光层；
形成于该发光层上的一第二束缚层；以及
形成于该第二束缚层上的一第二接触层。
60.如权利要求59所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该透明导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌、氧化锌锡、Be/Au、Ge/Au及Ni/Au所构成材料组群中的至少一种材料。
61.如权利要求59所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一接触层包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
62.如权利要求59所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第一束缚层包括选自于AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
63.如权利要求59所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该发光层包括选自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
64.如权利要求59所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二束缚层包括选自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
65.如权利要求59所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该第二接触层包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料。
66.如权利要求59所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中可包括在该第二接触层之上形成一透明导电层。
67.如权利要求66所述的具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件，其中，该透明导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌、氧化锌锡、Be/Au、Ge/Au及Ni/Au所构成材料组群中的至少一种材料。
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