CN100454592C - 半导体发光元件 - Google Patents
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Abstract
一种半导体发光元件，包括：一半导体发光叠层，包括一第一层、一第二层形成于该第一层之上、以及形成于第一层及第二层之间的一发光层；一第一电极形成于该发光叠层上侧的第一表面区之上；一第一透明氧化物导电层形成于该发光叠层上侧的第二表面区之上；以及一第二电极形成于该透明氧化物导电层之上。可通过适当的第一电极与第二电极间的距离，使得半导体发光元件达到最佳的电流分布效应，另外通过第一电极与第二电极的总面积占发光元件发光层正面面积比例来调整半导体发光元件顺向偏压，提高发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件，特别是涉及一种半导体发光元件的电极配置。
背景技术
半导体发光元件的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、激光二极管、交通标志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。在此技艺中，目前技术人员重要课题之一为如何提高发光元件的发光效率。
于美国专利第5,563,422号中揭露一种发光二极管构造，其中在一p型接触层上形成一极薄的Ni/Au透明导电层，以达到电流分散的效果，而改善发光二极管的发光特性。然而实际上，以此类材料制成的透明导电层，其穿透率仅约60％～70％，因而将影响LED的发光效率。
为改进此问题，现有技术中利用氧化铟锡等材料形成一透明氧化物导电层来取代传统的Ni/Au透明导电层，因透明氧化物导电层具有较高的穿透率，发光二极管产生的光线大都能够穿透该透明氧化物导电层；但是与金属相比较，透明氧化物导电层的电阻仍较金属来得高，在应用于大尺寸的发光二极管时，透明氧化物导电层的电流扩展效果便有其瓶颈存在。
于美国专利第6,307,218号中揭露一种发光元件的电极结构，通过改变元件的形状、电极的形状、或电极的位置来达到均匀的电流分散度。另外于美国专利第6,614,056号中揭露一种发光二极管结构，通过一指状电极来增进电流分散度。又于美国专利第6,518,598号中揭露一种具螺旋布置金属电极的氮化物发光二极管，利用蚀刻方法，藉以在发光二极管的外延结构表面形成螺旋形的凹槽。因此，在后续形成具有两种不同电性的金属电极间，亦形成螺旋平行结构的分布。利用螺旋布置金属电极使注入电流平均分布于两种电性的电极间，以增进电流分散。
前述各现有技艺中所揭露的金属电极本身皆不透光，当金属电极在发光二极管表面分布密度过高时，则相对的光摘出面积变小，因而使得发光二极管亮度降低；然而金属电极在发光二极管表面分布密度太低时，则电流分散就没有显著的效果，且会造成驱动电压上升，而降低整体发光效率。因此如何达到发光二极管最佳的发光亮度及最佳的电流分散效果，进而提升发光效率是一重要的研究课题。
发明内容
鉴于上述现有技艺的缺点，本发明提供一种半导体发光元件，包括：一半导体发光叠层，包括一第一层、一第二层形成于该第一层之上、以及形成于第一层及第二层之间的一发光层；一第一电极形成于该发光叠层上侧的第一表面区之上；一第一透明氧化物导电层形成于该发光叠层上侧的第二表面区之上；以及一第二电极形成于该透明氧化物导电层之上，其中于该半导体发光元件上视平面中，第一电极与第二电极的间距实质上介于150μm至250μm之间，第一电极与第二电极的总面积占发光元件发光层正面面积的15％至25％之间。
前述的半导体发光元件，其中该透明氧化物导电层的材料包括选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌铝、及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中该第一电极的形状包括选自点状、线状、及平面状。其中该线状为螺旋线状、树枝线状、或其它可等距分布的形状。
前述的半导体发光元件，其中该第二电极的形状包括选自点状、线状、及平面状。其中该线状为螺旋线状、树枝线状、或其它可等距分布的形状。
前述的半导体发光元件，其中该第一电极与第二电极的总面积占发光元件发光层正面面积的比例可通过调整第一电极或第二电极的大小来改变；若电极为线状电极，则可调整电极线宽来改变第一电极与第二电极的总面积占发光元件发光层正面面积的比例。
前述的半导体发光元件，其中该发光叠层的第一表面区为一螺旋状、树枝状分布、或其它可等距分布的形状的表面区。
前述的半导体发光元件，其中该发光叠层的第二表面区为一螺旋状或树枝状分布、或其它可等距分布的形状的表面区。
前述的半导体发光元件，其中该发光叠层的第二表面区为一高掺杂浓度的p型半导体接触区、反向穿隧区、或表面粗化区。
前述的半导体发光元件，其中，该第一层包括选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
前述的半导体发光元件，其中，该发光层包括选自于GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及AlGaInP所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
前述的半导体发光元件，其中，该第二层包括选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
前述的半导体发光元件，其中，还包括于该发光叠层下侧的下表面上形成一基板。
前述的半导体发光元件，其中，还包括于该基板及发光叠层之间形成一粘结层。
前述的半导体发光元件，其中，该第一层包括一第二透明氧化物导电层。其中该第二透明氧化物导电层的材料包括选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌铝、及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中该第一表面区位于第一层上。
前述的半导体发光元件，其中该第一表面区位于第二透明氧化物导电层上。
前述的半导体发光元件，其中该粘结层包括选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、及过氟环丁烯(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中于该基板与该粘结层之间还包括一第一反应层。
前述的半导体发光元件，其中该第一反应层包括选自于SiNx、Ti、及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中于该发光叠层与该粘结层之间还包括一第二反应层。
前述的半导体发光元件，其中该第二反应层包括选自于SiNx、Ti、及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中于该基板与该第一反应层之间还包括一反射层。
前述的半导体发光元件，其中该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中于该发光叠层与该第二反应层之间还包括一反射层。
前述的半导体发光元件，其中该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中该粘结层包括选自于氧化铟锡、及金属所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的金属包括选自In、Sn、Al.Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Ni、AuBe、Au-Sn、Au-Si、Pb-Sn、和Au-Ge、PdIn、及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中该基板，包括选自于GaP、SiC、Al2O3、GaAs、GaP、AlGaAs、GaAsP及玻璃所构成材料组群中的至少一种材料。
附图说明
图1为一示意图，显示本发明的第一优选实施例发光元件剖面图；
图2为一示意图，显示本发明的第一优选实施例发光元件上视图；
图3为一示意图，显示本发明的第一优选实施例发光元件不同电极间距与发光元件发光亮度的关系图；
图4为一示意图，显示本发明的第一优选实施例发光元件不同电极间距与发光元件发光效率的关系图；
图5为一示意图，显示本发明的第二优选实施例发光元件剖面图；
图6为一示意图，显示本发明的第二优选实施例发光元件上视图；
图7为一示意图，显示本发明的第二优选实施例发光元件不同电极间距下，顺向电流与发光元件发光功率的关系图；
图8为一示意图，显示本发明的第二优选实施例发光元件电极占发光元件发光层正面面积的比例与发光效率的关系图；
图9为一示意图，显示本发明的第三优选实施例发光元件剖面图；
图10为一示意图，显示本发明的第三优选实施例发光元件电极占发光元件发光层正面面积的比例与发光效率的关系图。
简单符号说明
10 基板
11 缓冲层
12 第一氮化物叠层
13 发光层
14 第二氮化物叠层
15 第一透明氧化物导电层
16 第一电极
17 第二电极
20 基板
21 缓冲层
22 第一氮化物叠层
23 发光层
24 第二氮化物叠层
25 透明氧化物导电层
26 螺旋状分布的凹槽
27 第一电极
28 第二电极
30 基板
31 粘结层
32 第一透明氧化物导电层
33 第一氮化物叠层
34 发光层
35 第二氮化物叠层
36 第二透明氧化物导电层
37 螺旋状分布的凹槽
38 第一电极
39 第二电极
具体实施方式
实施例1
请参阅图1，依本发明一优选实施例的半导体发光元件1包括一基板10；形成于该基板10上的一缓冲层11；形成于该缓冲层11上的一第一氮化物叠层12，其上表面包括一第一表面区及一第二表面区；形成于该第二表面区上的一发光层13；形成于该发光层13上的一第二氮化物叠层14；形成于该第二氮化物叠层14上的一透明氧化物导电层15；形成于该第一表面区上的一第一电极16；以及形成于该透明氧化物导电层15上的一第二电极17。请参阅图2，第一电极16及第二电极17的间距d对发光元件的亮度及电流分布所造成影响，发明人进行以下的研究证明。
由表1可知，发明人在固定发光元件平面面积约为3×105μm2(480μm×640μm)下，固定注入电流0.07A，第一电极16及第二电极17的面积为1.53×104μm2下，改变第一电极16及第二电极17的间距，发光元件的发光亮度、顺向偏压及发光效率的变化。由图3可知发光亮度与电极间距间的关系变化，发光亮度随着电极间距由130μm至200μm递增，在电极间距于200μm至250μm之间发光亮度达到最高点，250μm之后便递减。再由图4发光效率(发光亮度Iv/顺向偏压Vf)及电极间距的关系图可知，当电极间距在150μm至280μm范围下，发光元件1的发光亮度及发光效率皆可达到最佳的范围。
| 电极间距d(μm) | 发光亮度Iv(mcd) | 顺向偏压Vf(V) | 发光效率(Iv/Vf) |
| 350 | 699.7 | 3.85 | 181.74 |
| 300 | 709.5 | 3.79 | 187.2 |
| 250 | 713.4 | 3.72 | 191.77 |
| 200 | 712 | 3.65 | 195.07 |
| 150 | 676.2 | 3.59 | 188.36 |
| 130 | 639.5 | 3.58 | 178.63 |
实施例2
请参阅图5，依本发明一优选实施例的半导体发光元件2包括一基板20；形成于该基板20上的一缓冲层21；形成于该缓冲层21上的一第一氮化物叠层22；形成于该第一氮化物叠层22上的一发光层23；形成于该发光层23上的一第二氮化物叠层24；形成于该第二氮化物叠层24上的一透明氧化物导电层25；一螺旋状凹槽26通过该透明氧化物导电层25、第二氮化物叠层24、发光层23及第一氮化物叠层22，到达该第一氮化物叠层22，暴露出部分的第一氮化物叠层22，形成一第一电极区；形成于该第一电极区上的一第一电极27；以及形成于该透明氧化物导电层25的一第二电极28。请参阅图6，该第一电极27及该第二电极28为螺旋状；其中于该半导体发光元件2上视图中，第一电极27及第二电极28的间距d，以及第一电极27及第二电极28占发光层正面面积的比例对发光元件的亮度及电流分布所造成影响，发明人进行以下的研究证明。
由图7所示顺向电流与发光功率的关系可知，在发光元件正面面积为1×106μm2(1000μm×1000μm)，以电流350mA驱动操作的情形下，第一电极27及第二电极28面积占发光元件发光层正面面积比例为24.4％下，第一电极27及第二电极28的电极间距在130μm、166μm及210μm下，电极间距在166μm的发光元件，以及电极间距在210μm的发光元件，其发光功率皆高于电极间距130μm的发光元件。但是发光元件的顺向偏压随着电极间距增加而递增，另外由实施例1中的实验数据亦可发现此结果，为了再进一步解决顺向偏压边高的问题，因此通过改变第一电极及第二电极的面积来调整其顺向偏压。
图8为电极占发光元件发光层正面面积的比例对发光效率的关系图，在发光元件正面面积为1×106μm2，第一电极及第二电极间距在166μm下，第一电极及第二电极面积占发光元件发光层正面面积比例分别为14.3％、15.6％、17.8％、18.4％、23％、24.4％及30％下，在电极面积占发光元件发光层正面面积比例约为15％至25％范围下，发光效率达到一优选状态；电极面积占发光元件发光层正面面积比例约为17％至24.4％范围下，发光效率达到一最佳状态。
实施例3
请参阅图9，依本发明一优选实施例的半导体发光元件3包括一基板30；形成于该基板30上的一粘结层31，供利用接合技术，粘结一发光叠层，包括形成于该粘结层31上的一第一透明氧化物导电层32、形成于该第一透明氧化物导电层32上的一第一四元(AlInGaP)半导体叠层33、形成于该第一四元半导体叠层33上的一发光层34、形成于该发光层34上的一第二四元半导体叠层35、及形成于该第二四元半导体叠层35上的一第二透明氧化物导电层36；一螺旋状分布的凹槽37通过该第二透明氧化物导电层36、第二四元半导体叠层35、发光层34、及第一四元半导体叠层33，到达该第一透明氧化物导电层32，暴露出部分的第一透明氧化物导电层32，形成一第一电极区；形成于该第一电极区上的一第一电极38；以及形成于该第一透明氧化物导电层32上的一第二电极39。半导体发光元件3的上视图与发光元件2的上视图相似，第一电极38及该第二电极39为螺旋状分布；其在发光元件正面面积为5.6×105μm2(750μm×750μm)，电流为350mA，第一电极38及第二电极39面积占发光元件发光层正面面积比例为24.4％的情形，当第一电极38及第二电极39的间距为130μm时，发光元件的发光功率为58.35mW；当电极间距在166μm时，发光元件的发光功率为67.47mW；在电流为400mA的情形，当第一电极38及第二电极39的间距为130μm时，发光元件的发光功率为66.03mW，当电极间距为166μm时，发光元件的发光功率为76.33mW；在电流为600mA的情形，当第一电极38及第二电极39的间距为130μm时，发光元件的发光功率为93.18mW，当电极间距为166μm时，发光元件的发光功率为100.87mW；由上述数据可知，电极间距为166μm的发光元件的发光功率优于电极间距为130μm者。
图10为电极占发光元件发光层正面面积的比例对发光效率的关系图，在发光元件正面面积为5.6×105μm2，第一电极及第二电极间距在166μm下，第一电极及第二电极面积占发光元件发光层正面面积比例分别为14.3％、15.6％、17.8％、18.4％、23％、24.4％及30％下，与实施例2同样地，在电极面积占发光元件发光层正面面积比例约为15％至25％范围下，发光效率达到一优选状态；电极面积占发光元件发光层正面面积比例约为17％至18.4％范围下，发光效率达到一最佳状态。
经由本发明的设计原则，可适用于中输入功率(约0.3瓦)，正面面积为2.5×105μm2的发光元件，以及大输入功率(＞1瓦)，正面面积大于1×106μm2的发光元件。
前述的半导体发光元件，其中该透明氧化物导电层的材料包括选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌铝、及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中该第一透明氧化物导电层的材料包括选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌铝、及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中该第一电极的形状除螺旋状之外也可以呈树枝线状、或其它可等距分布的形状。
前述的半导体发光元件，其中该第二电极的形状除螺旋状之外也可以呈树枝状、或其它可等距分布的形状。
前述的半导体发光元件，其中该第二氮化物叠层的表面区为一高掺杂浓度的p型半导体接触区、反向穿隧区、或表面粗化区。
前述的半导体发光元件，其中，该第一氮化物叠层包括选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN、及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
前述的半导体发光元件，其中，该第一四元半导体叠层包括选自于GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
前述的半导体发光元件，其中，该发光层包括选自于GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、及AlGaInP所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
前述的半导体发光元件，其中，该第二氮化物叠层包括选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN、及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
前述的半导体发光元件，其中，该第二四元半导体叠层包括选自于GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
前述的半导体发光元件，其中，第二透明氧化物导电层的材料包括选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌铝、及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中该粘结层包括选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、及过氟环丁烯(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中于该基板与该粘结层之间还包括一第一反应层。
前述的半导体发光元件，其中该第一反应层包括选自于SiNx、Ti、及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中于该发光叠层与该粘结层之间还包括一第二反应层。
前述的半导体发光元件，其中该第二反应层包括选自于SiNx、Ti、及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中于该基板与该第一反应层之间还包括一反射层。
前述的半导体发光元件，其中于该发光叠层与该第二反应层之间还包括一反射层。
前述的半导体发光元件，其中该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中该粘结层包括选自于氧化铟锡、及金属所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的金属包括选自In、Sn、Al.Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Ni、AuBe、Au-Sn、Au-Si、Pb-Sn、和Au-Ge、PdIn、及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
前述的半导体发光元件，其中该基板，包括选自于GaP、SiC、Al2O3、GaAs、GaP、AlGaAs、GaAsP、及玻璃所构成材料组群中的至少一种材料。
以上所述者，仅为本发明的优选实施例，本发明的范围不限于该等优选实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明权利要求的范围。
Claims (40)
1.一种半导体发光元件，包括：
一半导体发光叠层，包括一第一层、一第二层形成于该第一层之上、以及形成于该第一层及该第二层之间的一半导体发光层，其中该半导体发光叠层具有一上表面，包括一第一表面区与一第二表面区；
一第一电极形成于该第一表面区之上；
一第一透明氧化物导电层形成于该第二表面区之上；以及
一第二电极形成于该透明氧化物导电层之上，其中于该半导体发光元件的上视平面中，该发光元件正面平面面积大于2.5×105μm2，第一电极与第二电极的间距实质上介于150μm至250μm之间，第一电极与第二电极的总面积占发光元件发光层正面面积的15％至25％之间。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该透明氧化物导电层的材料包括选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌铝、及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。
3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该第一电极的形状包括选自点状、线状、及平面状。
4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其中该线状为螺旋线状、树枝线状、或其它可等距分布的形状。
5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该第二电极的形状包括选自点状、线状、及平面状。
6.如权利要求5所述的半导体发光元件，其中该线状为螺旋线状、树枝线状、或其它可等距分布的形状。
7.如权利要求4所述的半导体发光元件，其中该发光叠层的第一表面区为一螺旋状、树枝状分布、或其它可等距分布的形状的表面区。
8.如权利要求6所述的半导体发光元件，其中该发光叠层的第二表面区为一螺旋状、树枝状分布、或其它可等距分布的形状的表面区。
9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该发光叠层的第二表面区为一高掺杂浓度的p型半导体接触区、反向穿隧区、或表面粗化区。
10.如权利要求1所述的一种半导体发光元件，其中，该第一层包括选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料。
11.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该发光层包括选自于GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、及AlGaInP所构成材料组群中的至少一种材料。
12.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该第二层包括选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料。
13.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，还包括于该发光叠层下侧的下表面上形成一基板。
14.如权利要求13所述的半导体发光元件，其中，还包括于该基板及发光叠层之间形成一粘结层。
15.如权利要求14所述的半导体发光元件，其中，该第一层包括一第二透明氧化物导电层。
16.如权利要求15所述的半导体发光元件，其中该第二透明氧化物导电层的材料包括选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌铝、及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。
17.如权利要求15所述的半导体发光元件，其中该第一表面区位于第一层上。
18.如权利要求17所述的半导体发光元件，其中该第一表面区位于第二透明氧化物导电层上。
19.如权利要求18所述的半导体发光元件，其中该第一电极的形状包括选自点状、线状、及平面状。
20.如权利要求19所述的半导体发光元件，其中该线状为螺旋线状、树枝线状、或其它可等距分布的形状。
21.如权利要求15所述的半导体发光元件，其中该第二电极的形状包括选自点状、线状、及平面状。
22.如权利要求21所述的半导体发光元件，其中该线状为螺旋线状、树枝线状、或其它可等距分布的形状。
23.如权利要求20所述的半导体发光元件，其中该发光叠层的第一表面区为一螺旋状、树枝状分布、或其它可等距分布的形状的表面区。
24.如权利要求22所述的半导体发光元件，其中该发光叠层的第二表面区为一螺旋状、树枝状分布、或其它可等距分布的形状的表面区。
25.如权利要求15所述的半导体发光元件，其中该发光叠层的第二表面区为一高掺杂浓度的p型半导体接触区、反向穿隧区、或表面粗化区。
26.如权利要求15所述的半导体发光元件，其中，该第一层包括选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料。
27.如权利要求15所述的半导体发光元件，其中，该发光层包括选自于GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、及AlGaInP所构成材料组群中的至少一种材料。
28.如权利要求15所述的半导体发光元件，其中，该第二层包括选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料。
29.如权利要求14所述的半导体发光元件，其中该粘结层包括选自于聚酰亚胺、苯并环丁烯、及过氟环丁烯所构成材料组群中的至少一种材料。
30.如权利要求14所述的半导体发光元件，其中于该基板与该粘结层之间还包括一第一反应层。
31.如权利要求30所述的半导体发光元件，其中该第一反应层包括选自于SiNx、Ti、及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
32.如权利要求14所述的半导体发光元件，其中于该发光叠层与该粘结层之间还包括一第二反应层。
33.如权利要求32所述的半导体发光元件，其中该第二反应层包括选自于SiNx、Ti、及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。
34.如权利要求30所述的半导体发光元件，其中于该基板与该第一反应层之间还包括一反射层。
35.如权利要求34所述的半导体发光元件，其中该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
36.如权利要求32所述的半导体发光元件，其中于该发光叠层与该第二反应层之间还包括一反射层。
37.如权利要求36所述的半导体发光元件，其中该反射层包括选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
38.如权利要求14所述的半导体发光元件，其中该粘结层包括选自于氧化铟锡、及金属所构成材料组群中的至少一种材料。
39.如权利要求38所述的半导体发光元件，其中该金属包括选自In、Sn、Al.Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Ni、AuBe、Au-Sn、Au-Si、Pb-Sn、和Au-Ge、PdIn、及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。
40.如权利要求13所述的半导体发光元件，其中该基板，包括选自于GaP、SiC、Al2O3、GaAs、GaP、AlGaAs、GaAsP及玻璃所构成材料组群中的至少一种材料。
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